[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN103187537B - 一种高效白光有机电致发光器件 - Google Patents

一种高效白光有机电致发光器件 Download PDF

Info

Publication number
CN103187537B
CN103187537B CN201210371844.8A CN201210371844A CN103187537B CN 103187537 B CN103187537 B CN 103187537B CN 201210371844 A CN201210371844 A CN 201210371844A CN 103187537 B CN103187537 B CN 103187537B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
formula
luminescent layer
htl
electron transport
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201210371844.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103187537A (zh
Inventor
邱勇
李艳蕊
董艳波
段炼
张国辉
李建仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tsinghua University
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Original Assignee
Tsinghua University
Guan Yeolight Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tsinghua University, Guan Yeolight Technology Co Ltd filed Critical Tsinghua University
Priority to CN201210371844.8A priority Critical patent/CN103187537B/zh
Publication of CN103187537A publication Critical patent/CN103187537A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103187537B publication Critical patent/CN103187537B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件，包括基板，阳极层、发光单元层和阴极层；所述发光单元层包括形成在所述的阳极层上的空穴注入层，所述的空穴传输层形成在所述的空穴注入层上，所述的阴极层形成在所述的电子传输层上，所述的空穴传输层与所述的电子传输层之间为多个发光层，所述发光层包括荧光发光层和磷光发光层，所述的荧光发光层和磷光发光层之间设有由相同母核的电子传输材料和空穴传输材料组成的阻隔层；与所述阻隔层相邻的所述磷光发光层的主体材料包括所述相同母核的所述电子传输材料和所述空穴传输材料。本发明的发光器件可以有效地对电子传输效率和空穴传输效率进行调配，并具有发光效率高的优点。

Description

一种高效白光有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别是一种高效白光有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光器件OLED的发光层主要是采用全荧光材料、全磷光材料或荧光材料和磷光材料混合的方式进行制作。磷光体系的材料可以实现较高的发光效率，但是由于寿命短和效率低，还没有适合的蓝色磷光材料被研制出来。而全荧光材料的色度和寿命虽然有较强的优势，但是与全磷光材料和混合方式的结构，效率却较低。目前普遍采用蓝色荧光材料和红绿色磷光材料配合使用作为OLED的发光层，但是由于红绿磷光的三线态能级会传递到蓝色荧光发光层，而荧光发光层从三线态能级到单线态能级的跃迁是被禁止的，人们在蓝色荧光发光层和红绿色磷光发光层之间增加阻隔层来解决该问题。
孙一茹（Yiru Sun）等人在《高效白光器件的单线态和三线态激子管理》（《Management of singlet and triplet excitons for efficient white organiclight-emitting devices》见《自然（nature）》杂志2006年4月440卷13期04645页）报道如图1所示发光器件，包括基片，阳极（ITO），空穴注入层（2-TNANA）、空穴传输层（NPB发光层、电子注入层（BPhen）、阴极（LiF/Al）,其中的发光层包括蓝色荧光发光层（CBP:BCzVBi(5%)）、阻隔层（CBP(6nm)）、绿色磷光发光层（CBP:Ir(ppy)3(5%)）、红色磷光发光层（CBP:PQIr(4%)），其在蓝色荧光发光层与红色和绿色磷光发光层之间增加了一层阻隔层CBP，用以阻止蓝色荧光发光层中的单线态能级向红色磷光发光层传递，从而提高了器件的效率、亮度和寿命。其中阻隔层使用的材料为CBP，由于CBP自身的空穴和电子传输能力是固定的，不可调节的，从而导致发光层的发光强度无法调整。
CN038207818公开了一种具有下述通式的螺二芴衍生物和相应的由下述通式表示的自由基负离子，
其中，K、L、M和N相同或者不同，彼此独立地为氢H或者A-C=O，附带条件是从来不使K=L=M=N=H，其中A是芳基，可能被选自通常用于有机化学取代基的至少R′基团和/或至少一个R基团，其中R=脂烃基所取代。CN2004800212480公开了一种有机电致发光器件，包括阳极、阴极和至少一个发射层，所述的发射层包括至少一种掺杂有至少一种磷光发射体的基质材料，特征在于在发射层和阴极之间加入至少一个包括至少一种下述通式的化合物的空穴阻挡层
作为优选的方案，空穴阻挡层包含至少50%的上述化合物，最为优选的是100%上述化合物组成。空穴阻挡层主要是用于阻挡空穴，对于高能态激子则无法发挥作用。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于现有技术中蓝色荧光发光层与红绿色磷光发光层之间容易发生三线态能级不匹配导致发光效率低问题，进而提供一种具有高效率、良好色度、长寿命及高显色指数的白光有机电致发光器件。
为了解决上述问题，本发明采用的技术方案如下：
一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层；
所述的发光单元层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述的空穴注入层形成在所述的阳极层上，所述的空穴传输层形成在所述的空穴注入层上，所述的阴极层形成在所述的电子传输层上，所述的空穴传输层与所述的电子传输层之间为多个发光层，所述发光层包括荧光发光层和磷光发光层；
所述的荧光发光层和磷光发光层之间设有由相同母核的电子传输材料和空穴传输材料组成的阻隔层；
与所述阻隔层相邻的所述磷光发光层的主体材料包括所述相同母核的所述电子传输材料和/或所述空穴传输材料。
所述的电子传输材料占阻隔层的10wt%-90wt%，所述的空穴传输材料占阻隔层的10wt%-90wt%。优选地，所述的电子传输材料占阻隔层的30wt%-70wt%，所述的空穴传输材料占阻隔层的30wt%-70wt%。
所述的电子传输材料为式ET-10所示5,8-二取代苯并[c]菲衍生物：
其中：R1和R2彼此独立的为式ET-11所示的吡啶基苯基，或式ET-12、式ET-13所示的芳基吡啶基；
所述的Ar1和Ar2彼此独立的为氢，或为碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基；
所述的空穴传输材料为式HTL-10所示三芳胺衍生物：
其中：n为1~4的自然数，A为式HTL-11所示亚苯并[c]菲-5，8-基；
所述的Ar5和Ar6彼此独立的为氢，碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基。
优选地，所述的Ar1和Ar2彼此独立的为环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基；
所述的Ar5和Ar6彼此独立的为环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基
特别优选地，所述的电子传输材料为式ET-1所示化合物，所述空穴传输材料为式HTL-1所示化合物：
所述的电子传输材料为式ET-2所示双（9，9’-螺二芴-2-基）酮或式ET-4所示螺芴基取代的吡啶、嘧啶或三嗪衍生物：
其中式ET-4中：X，Y，Z彼此独立的选自O，S，N；
所述的Ar3和Ar4彼此独立的为氢，碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基；
所述的空穴传输材料为式HTL-10所示三芳胺衍生物：
其中：n为1~4的自然数，A为式HTL-12所示9，9’-螺二芴-2,2’,7,7’-基，式HTL-13所示9，9’-螺二芴-2,2’-基，式HTL-14所示9，9’-螺二芴-2,2’-基或式HTL-15所示9，9’-螺二芴-2,7-基；
所述的Ar5和Ar6彼此独立的为氢，碳原子数为1-20的烷基，芳香基，杂芳基等基团。
优选地，Ar3和Ar4彼此独立的环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基，或噻吩基；
Ar5和Ar6彼此独立的为环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基，或噻吩基。
所述的电子传输材料为式ET-2所示化合物，所述空穴传输材料为式HTL-2和/或HTL-3所示化合物：
所述的磷光发光层包括与所述阻隔层相邻的第一磷光发光层和远离所述阻隔层且与所述第一磷光发光层相邻的第二磷光发光层，所述第二磷光发光层的主体材料为所述空穴传输材料；
所述第一磷光发光层的主体材料包括所述电子传输材料和/或空穴传输材料，所述电子传输材料和/或空穴传输材料的重量比与所述阻隔层的组成相同。
所述的磷光发光层包括设置在所述荧光发光层一侧的第一磷光发光层和设置在所述荧光发光层另一侧的第二磷光发光层；
所述的荧光发光层与所述第一磷光发光层和第二磷光发光层之间分别设置有所述阻隔层。
所述第一磷光发光层和所述第二磷光发光层的主体材料均包括所述电子传输材料或空穴传输材料，所述电子传输材料或空穴传输材料的重量比与所述阻隔层的组成相同。
所述磷光发光层中的染料包括第一磷光染料和第二磷光染料，第一磷光染料和第二磷光染料分别掺杂在不同的磷光发光层中。
所述第一磷光染料选自Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Btp2Ir(acac)、Ir(MDQ)2(acac)、Ir(DBQ)2(acac)、Ir(fbi)2(acac)、Ir(2-phq)3、Ir(2-phq)2(acac)、Ir(bt)2(acac)或PtOEP中的一种或其中几种的混合物；
所述第二磷光染料选自Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mppy)3。
所述的荧光发光层包括主体材料和蓝色荧光染料，所述的主体材料选自ADN及其衍生物，所述的蓝色荧光染料选自式BD-1或式BD-2所示化合物：
所述的阻隔层的厚度为1-20nm；
所述的荧光发光层厚度为：10-45nm；
掺杂有第一磷光染料的磷光发光层的厚度为：0-15nm；
掺杂有第二磷光染料的磷光发光层的厚度为：5-30nm。
所述的电子传输层材料选自式ETL-1,式ETL-2，式ETL-3或式ETL-4所示化合物：
一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层；
所述的发光单元层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述的空穴注入层形成在所述的阳极层上，所述的空穴传输层形成在所述的空穴注入层上，所述的阴极层形成在所述的电子传输层上，所述的空穴传输层与所述的电子传输层之间为多个发光层，所述发光层包括红色磷光发光层、绿色磷光发光层和蓝色荧光发光层，所述的红色磷光发光层形成在所述空穴传输层上，所述的绿色磷光发光层形成在所述红色磷光发光层上，阻隔层形成在所述的绿色磷光发光层上，所述的蓝色荧光发光层形成在所述的阻隔层上，所述的电子传输层形成在所述的蓝光荧光发光层上；
所述阻隔层是由式ET-1所示电子传输材料和式HTL-1所示所述空穴传输材料蒸镀而成，或由式ET-2所示电子传输材料和式HTL-2或式HTL-3所示所述空穴传输材料蒸镀而成，所述电子传输材料占所述阻隔层的40wt%-60wt%，所述空穴传输材料占所述阻隔层的40wt%-60wt%；
所述绿光磷光发光层的主体材料是由式ET-1所示电子传输材料和式HTL-1所示所述空穴传输材料组成，或由式ET-2所示电子传输材料和式HTL-2或式HTL-3所示所述空穴传输材料组成，所述电子传输材料与所述空穴传输材料的重量比同阻隔层中二者的比例；
所述的阻隔层的厚度为3-10nm；
所述的蓝色荧光发光层厚度为：20-40nm；
绿色磷光发光层的厚度为：5-15nm；
红色磷光发光层的厚度为：5-10nm；
发明中的“同母核”是指电子传输材料和空穴传输材料具有相同的主体结构，例如：式ET-1所示电子传输材料和式HTL-1所示空穴传输材料都是基于5,8-二取代苯并[c]菲衍生物为材料主体，采用不同取代基合成的材料，这两种材料即为“相同母核”的材料
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、由于本发明的阻隔层材料使用的是具有同母核的电子传输材料和空穴传输材料进行共同掺杂蒸镀，作为蓝色荧光发光层与红绿色磷光发光层之间的阻隔层。由于具有相同母核的电子传输材料和空穴传输材料之间可以通过掺杂的方式灵活地调配该阻隔层传输电子和空穴的能力，从而防止磷光的三线态能级传递到荧光发光层，在保证器件发光效率的同时，又可以灵活控制各发光层的发光强度。
2、由于本发明的阻隔层能够有效防止磷光的三线态能级传递到荧光发光层，且可以阻止荧光层中的单线态能级向磷光层传递，因此更加容易选择蓝色荧光材料和红绿色磷光材料。OLED厂家可以根据已有的，或者易于得到的蓝色荧光材料和红绿色磷光材料，合理调整阻隔层中的电子传输材料和空穴传输材料的掺杂比例，制备出与实物颜色更为接近的高性能白光器件。
3、采用本发明的阻隔层材料后，无论是绿色磷光发光层还是红色磷光层与蓝色荧光发光层相邻，都可以通过调整阻隔层中空穴传输层和电子传输层材料的掺杂比例，实现优良的发光效率。
4、磷光材料主要是靠三线态能级跃迁实现发光，而荧光发光层从三线态能级到单线态能级的跃迁是被禁止的。另外，单线态激子寿命短，扩散为短程扩散，三线态激子寿命长，扩散为长程扩散，所以当荧光和磷光材料配合使用时，采用本发明所述阻隔层，可以有效地对电子传输效率和空穴传输效率进行调配，从而有效阻挡三线态激子向磷光发光层传递。
5、实施例1-8中，在荧光层与磷光层之间采用同母核的电子传输材料与空穴传输材料作为阻隔层，阻挡了蓝光主体材料的单线态激子向磷光层染料传递能量，而是把能量传递给了蓝光染料，用来发射蓝光。同时由于红色磷光靠近阳极，主体为空穴传输性质。蓝色荧光主靠近阴极，主体为电子传输性质。绿色磷光介于红光、蓝光之间，主体为电子传输材料、空穴传输材料的复合物。通过调整阻隔层中电子传输材料与空穴传输材料的比例，使得各层的电子、空穴能得到充分的匹配、复合，最终使得红绿蓝三发光中心的白光器件得到了较高的效率及较好的色度。
6、按自旋统计理论的预计及实验研究，三线态和单线态激子的比例为3：1。由于三线激发态到基态的跃迁是自旋禁阻的，大部分有机分子的三线态激于发光效率低，有机电致发光器件的最高效率限制在25%(对于光致发光效率100%的理想情况而言)。考虑到固态薄膜的发光效率损失及器件内部反射引起的光学损耗，实际器件的效率上限大约在5%。三线态的能量转移通常需要给体与受体间的能量匹配，例如给体的发光与受体的吸收光谱间大的重叠，虽然对于大部分荧光分子其能级和能量位置容易确定，但是三线态磷光分子相对低的基态跃迁强度，其相应能级位置的数据很难测定，这给进一步优选能量匹配的材料体系增加了很大难度。而本发明的阻隔层采用的电子传输材料占阻隔层的材料配比可以有效解决该问题。
7、本发明的所述阻隔层和与其临近的磷光材料层的主体材料相同，克服了材料之间能级匹配的问题。这是由于如果磷光发光层主体材料不同于阻隔层材料，材料之间能级不匹配的话，电子或空穴载流子不能很容易地传递，引起器件效率低、色度差等。及引起器件驱动电压升高。
附图说明
图1为本发明的现有技术公开的一种白光器件的结构示意图；
图2为本发明的有机电致发光器件的结构示意图；
图3为ET-1的质谱图；
图4为ET-2的质谱图；
图5为HTL-3的质谱图；
图6为ET-1的核磁谱图（1H）；
图7为HTL-1的核磁谱图（1H）；
图8为ET-2的核磁谱图（1H）；
图9为HTL-2的核磁谱图（1H）；
图10为HTL-3的核磁谱图（1H）。
图中附图标记为：10-基板，20-阳极层，30-空穴注入层，40-空穴传输层，50-第二磷光发光层，60-第一磷光发光层，70-阻隔层，80-蓝色荧光层，90-电子传输层，100-阴极。
具体实施方式
下面将通过具体实施例对本发明作进一步的描述。
本发明提出的有机电致发光器件中的基本结构如图2所示，其中10为基板，可以是玻璃或是柔性基片，柔性基片采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物中的一种材料；
20为阳极层，可以采用无机材料或有机导电聚合物。无机材料一般为氧化铟锡（简称ITO），氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，优选ITO；有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠（以下简称PEDOT/PSS）、聚苯胺（以下简称PANI）中的一种材料；
100为阴极层，一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层，本发明优选为依次的LiF层、Al层。
30为空穴注入层，材料选自HAT，MTDATA。
40为空穴传输层，材料例如，具有氨基取代基的噁二唑化合物、具有氨基取代基的三苯基甲烷化合物、三级化合物、腙化合物、吡唑啉化合物、烯胺化合物、苯乙烯基化合物、1,2-二苯乙烯化合物或咔唑化合物。还可以采用金属铋的卤化物或金属铋的氧化物进行掺杂。
50为第二磷光发光层，主体材料选自阻隔层70中的空穴传输材料；染料选自Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Btp2Ir(acac)、Ir(MDQ)2(acac)、Ir(DBQ)2(acac)、Ir(fbi)2(acac)、Ir(2-phq)3、Ir(2-phq)2(acac)、Ir(bt)2(acac)或PtOEP。
60为第一磷光发光层，主体材料为两种材料的混合物，材料分别同阻隔层70中的空穴传输材料和电子传输材料；染料选自Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mppy)3。
70为阻隔层，由高三线态的同母核的电子传输材料和空穴传输材料共蒸形成。
80为蓝色荧光层，主体材料选自9,10-二(2-萘基)蒽(以下简称ADN)及其衍生物，染料选自式BD-1所示或式BD-2所示化合物：
90为电子传输层，材料选自Alq3、CBP、Bphen、BAlq，也可选自如下材料：
本发明提供以下几种结构的阻隔层材料。
1、电子传输材料如下式所示：
其中ET-1具体有选为ET-5
其中Ar1和Ar2为碳原子数为1-20的烷基，芳香基，杂芳基等基团，优选环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基，也可以是氢，Ar1和Ar2可以相同，也可以不同。
其中X，Y，Z彼此独立的选自O，S，N，可以相同，也可以不同，数量为1-3个不等。Ar3和Ar4为碳原子数为1-20的烷基，芳香基，杂芳基等基团，优选环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基，也可以是氢，Ar3和Ar4可以相同，也可以不同。
空穴传输材料（式（HTL-10））：
基中n为1-4的自然数，
Ar5和Ar6为碳原子数为1-20的烷基，芳香基，杂芳基等基团，优选环己基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基，也可以是氢，Ar3和Ar4可以相同，也可以不同。
A选自以下基团（式HTL-11至式HTL-15）：
需要说明的是，当阻隔层使用的电子传输材料如ET-1或式ET-3所示的化合物时，与所述电子传输材料配合使用的式HTL-10所示的空穴传输材料为中的A选自式HTL-11（HTL-11购自百灵威科技有限公司）；当阻隔层使用的电子传输材料如式ET-2或式ET-4所示的化合物时，与所述电子传输材料配合使用的式HTL-10所示的空穴传输材料为中的A选自式HTL-12所示9，9’-螺二芴-2,2’,7,7’-基，式HTL-13所示9，9’-螺二芴-2,2’-基，式HTL-14所示9，9’-螺二芴-2,2’-基或式HTL-15所示9，9’-螺二芴-2,7-基。特别地，本发明的阻隔层使用的电子传输材料也可以是式ET-1所示化合物、式ET-2、式ET-3、式ET-4所示材料中的一种或几种的混合物，所述空穴传输材料也可以是式HTL-10所示材料中的一种或几种的混合物。
所述的空穴传输材料优选式HTL-1、式HTL-2或式HTL-3所示化合物：
本发明主要化学物质的结构式说明如下：
此外，式ET-5、ET-2、HTL-1、HTL-2、HTL-3五种化合物的制备方法如下：
1、化合物ET-5的合成
在一1000ml的三口瓶中，加入5，8-二溴苯并菲6.13g，4-（3-吡啶基）苯基-硼酸6.9g，四（三苯基膦合）钯1.8g，甲苯300ml，无水乙醇150ml，2M的碳酸钠水溶液120ml。在N气保护下回流反应2.5小时，停止反应。冷却，分出，蒸干，用硅胶柱层析分离，淋洗剂用体积比为1：3的乙酸乙酯：石油醚，得到8.2g淡黄色产物，产率：71.16%。MS（m/e）：535，元素分析（C40H 26N2）：理论值C：89.86％，H：4.90％，N：5.24％；实测值C：90.15％，H：4.88％，N：5.16％。通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱（简称Ma l di-tof-ms）测定的质谱谱图见附图3；核磁谱图（1H）见附图6所示。
2、化合物ET-2的合成
氮气保护下，向装有机械搅拌的3L三口瓶中依次加入49.4克2-溴9，9‘-螺二芴、1300ml四氢呋喃，搅拌溶解，降至-78℃以，缓慢滴加50ml(2.4M)丁基锂，加完后继续反应40分钟。
向反应混合物滴加3.7g甲酸甲酯，自然升至室温，加入500ml水，20ml浓盐酸，搅拌分液，水相用150ml乙酸乙酯提取，合并有机相，用无水硫酸钠干燥。蒸干溶剂得白色固体41g，不经处理直接用于下步反应。
于装有机械搅拌的5L三口瓶中依次加入58克上步中间体、3.8L二氯甲烷，搅拌室温完全溶解。室温下分批加入52克氯铬酸吡啶盐酸盐，加完后继续搅拌20分钟，然后加热回流，反应3小时。降温后，将反应物过硅胶砂滤，滤液蒸干，所得固体用二氯甲烷和乙醇重结晶，得38g白色固体，收率：64.6%。MS（m/e）：658.7，元素分析（C51H 30O）：理论值C：92.98％，H：4.59％，O：2.43％；实测值C：92.98％，H：4.59％，O：2.43％。通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱（简称Maldi-tof-ms）测定的质谱谱图见附图4；核磁谱图（1H）见附图8所示。
3、HTL-2的合成
在氮气保护下，23.3g(100m mol)2-溴-联苯溶于250ml重蒸THF中，用冷浴冷却反应体系至-78C，由恒压滴液漏斗缓慢加入45.8ml的2.4M n-BuLi（110mmol）溶液，滴加完全后，保持此温度约1小时。然后滴加33.8g 2,7-二溴-9-芴酮，加完后，继续在低温下搅拌反应30分钟，撤去冷浴，使反应体系缓慢升到室温并在室温下继续搅拌1.5小时。滴加20ml甲烷磺酸，加热回流30分钟，加入100ml水，分液分离有机层，水层用乙酸乙酯萃取，合并有机相，干燥。有机相除去溶剂，得到粘稠油状物，使用石油醚重结晶，得到的白色固体，过滤，并用石油醚洗涤，干燥得白色固体35.6g，收率75%。
中间体II的合成：
32.4g(100m mol)4-溴-三苯胺溶于300ml重蒸THF中，用冷浴冷却反应体系至-78C，由恒压滴液漏斗缓慢加入45.8ml的2.4M n-BuLi（110mmol）溶液，滴加完全后，保持此温度约1小时。然后滴加37ml的硼酸三异丙酯（120mmol），滴完后，搅拌反应30分钟，撤去冷浴，使反应体系缓慢升到室温并在室温下继续搅拌1.5小时。滴加20ml1:1的盐酸溶液中和反应体系，继续搅拌30分钟，加入100ml水，分液分离有机层，水层用乙酸乙酯萃取，合并有机相，干燥。有机相除去溶剂，得到粘稠油状物，加入石油醚，使有机硼酸析出，抽滤所生成白色固体，并用石油醚洗涤，干燥得白色固体27g，收率93%。
目标化合物的合成：
在氮气保护下，装有冷凝管的三口瓶中加入14.4g硼酸II，11.9g 2,7-二溴-9,9-螺二芴，25.3g无水Na2CO3，150ml甲苯，90ml乙醇和200ml水，搅拌反应体系得到一悬浮液，然后加入1.38g Pd(PPh3)4，加热回流反应8小时。冷却，过滤所生成的白色固体，并用甲醇、石油醚洗涤，干燥得白色固体15.9g，收率79%。
产率：65%。MS（m/e）：803，元素分析（C61H42N2）：理论值C：91.24％，H：5.27％，N：3.49％；实测值C：91.24％，H：5.25％，N：3.49％。核磁谱图（1H）见附图9所示。
4、化合物HTL-1的合成
取250毫升三口瓶，洁净后干燥，加入7.4克二苯胺（44mmol），7.7克5,8二溴-苯[c]并菲（20,mmol）、4.8克叔丁醇钠（50mmol）、，抽真空充氮气，再加入鼓氮后的150毫升甲苯和0.23克双(二亚苄基丙酮)钯（0.4mmol，2%e.q.）和1.6毫升三叔丁基膦的10%的甲苯溶液，加热回流反应8小时，降至室温，缓慢加入50毫升5%的稀盐酸，反应混合物分液，分离有机层，无水硫酸镁干燥，抽干溶剂，粗产品进行硅胶柱层析分离，得到产物9.2克，产率：82%。MS（m/e）：562，元素分析（C42H30N2）：理论值C：89.65％，H：5.37％，N：4.98％；实测值C：89.60％，H：5.42％，N：4.95％。核磁谱图（1H）见附图7所示。
5、化合物HTL-3的合成
250毫升三口瓶，干燥，洁净，氮气保护，加入130毫升甲苯，4.4克9,9-二（4-氨基苯基）芴，14.3克4-溴联苯、7.1克叔丁醇钠、0.14g双(二亚苄基丙酮)钯、0.5毫升三叔丁基膦的10%的甲苯溶液，加热回流反应8小时，降至室温，缓慢加入50毫升5%的稀盐酸，过滤，将所得到的滤渣用水洗涤后烘干，然后硅胶柱层析分离，甲苯为洗脱剂，得到黄白色固体8.5g，收率70.3%。产物MS（m/e）：956.7，元素分析（C73H52N2）：理论值C：91.60%，H：5.48%，N：2.93%；实测值C：91.57%，H：5.51%，N：3.10%。；通过基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱（简称Maldi-tof-ms）测定的质谱谱图见附图5；核磁谱图（1H）见附图10所示。
下面将给出若干实施例，并结合附图具体解释本发明的技术方案。应当注意到，下面的实施例仅用于帮助理解发明，而不是对本发明的限制。
实施例1
本实施例的器件结构如下：
HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-2:Ir(MDQ)2(acac)/HTL-2:ET-2:Ir(ppy)3/HTL-2:ET-2/ADN:BD-1/ETL-1/LiF/Al
本实施例提供一种三发光中心的白光OLED器件。三个发光层依次为红色、绿色、蓝色，红色磷光发光层采用式HTL-2所示化合物做主体材料，Ir(MDQ)2(acac)作染料；绿色磷光发光层主体材料为两种材料的混合物，分别为式HTL-2所示化合物和式ET-2所示双（9，9’-螺二芴-2-基）酮），染料为Ir(ppy)3；阻隔层为式HTL-2所示化合物，ET-2所示双（9，9’-螺二芴-2-基）酮）的混合物；蓝色荧光发光层主体材料为ADN，染料为式BD-1所示化合物；电子传输材料为式ETL-1所示化合物。
制备具有以上结构的OLED器件的具体制备方法如下：
①利用洗涤剂超声和去离子水超声的方法对已经刻蚀好固定图形的ITO玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干。
②把上述处理好的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层上蒸镀空穴注入层，先蒸镀HAT，厚度为5nm；后蒸镀MTDATA，厚度为140nm；再蒸镀HAT，厚度5nm；
③空穴注入层之后，蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为20nm；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-2所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Ir(MDQ)2(acac)（即式HTL-2所示化合物和Ir(MDQ)2(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为5nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-2所示化合物、式ET-2所示化合物、Ir(ppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：100wt%：100wt%：15wt%（即式HTL-2所示化合物、ET-2、Ir(ppy)3的重量份比为：100:100:15），例如控制式HTL-2所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，ET-2材料的蒸镀速率为0.1nm/s，Ir(ppy)3材料的蒸镀速率为0.015nm/s。蒸镀厚度为10nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，式HTL-2所示化合物掺杂式ET-2所示化合物，空穴传输材料式HTL-2所示化合物占阻隔层的85wt%，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的15wt%；蒸镀厚度为5nm。
⑦阻隔层之后，蒸镀蓝光荧光发光层，ADN掺杂式BD-1所示化合物，掺杂浓度为5wt%（即AND和BD-1的重量份比为100:5），蒸镀厚度为30nm；
⑧蓝光荧光发光层之后，蒸镀电子传输层，材料为式ET-5所示化合物，蒸镀厚度为15nm；
⑨最后，在上述发光层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm；Al层的蒸镀速率为1.0nm/s，厚度为150nm。
实施例2-5的器件结构与制备方法与实施例1基本相同，区别之处在于步骤⑥，实施例2中，式HTL-2所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为5nm，其中空穴传输材料式HTL-2所示化合物占阻隔层的35wt%，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的65wt%。
实施例3中，式HTL-2所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为5nm，其中空穴传输材料式HTL-2所示化合物占阻隔层的15wt％，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的85wt%。
实施例4中，式HTL-2所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为2nm，其中空穴传输材料式HTL-2所示化合物占阻隔层的15wt%，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的85wt%。
实施例5中，式HTL-2所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为10nm，其中空穴传输材料式HTL-2所示化合物占阻隔层的15wt％，电子传输材料式EET-2所示化合物占阻隔层的85wt%。
实施例6
本实施例的器件结构如下：
HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-3:Ir(MDQ)2(acac)/HTL-3:ET-2:Ir(ppy)3/HTL-3:ET-2/ADN:BD-1/ETL-1/LiF/Al
本实施例提供一种三发光中心的白光OLED器件。三个发光层依次为红色、绿色、蓝色，红色磷光发光层采用式HTL-3所示化合物做主体材料，Ir(MDQ)2(acac)作染料；绿色磷光发光层主体材料为两种材料的混合物，分别为式HTL-3所示化合物和式ET-2所示双（9，9’-螺二芴-2-基）酮），染料为Ir(ppy)3；阻隔层为式HTL-3所示化合物，ET-2所示双（9，9’-螺二芴-2-基）酮）的混合物；蓝色荧光发光层主体材料为ADN，染料为式BD-1所示化合物；电子传输材料为式ETL-1所示化合物。
制备具有以上结构的OLED器件的具体制备方法如下：
①利用洗涤剂超声和去离子水超声的方法对已经刻蚀好固定图形的ITO玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干。
②把上述处理好的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层上蒸镀空穴注入层，先蒸镀HAT，厚度为5nm；后蒸镀MTDATA，厚度为140nm；再蒸镀HAT，厚度5nm；
③空穴注入层之后，蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为20nm；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-3所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Ir(MDQ)2(acac)（即式HTL-3所示化合物和Ir(MDQ)2(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为5nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-3所示化合物、式ET-2所示化合物、Ir(ppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：100wt%：100wt%：15wt%（即式HTL-2所示化合物、ET-2、Ir(ppy)3的重量份比为：100:100:15），例如控制式HTL-3所示化合物的蒸镀速率为0.1nm/s，ET-2材料的蒸镀速率为0.1nm/s，Ir(ppy)3材料的蒸镀速率为0.015nm/s。蒸镀厚度为10nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，式HTL-3所示化合物掺杂式ET-2所示化合物，空穴传输材料式HTL-3所示化合物占阻隔层的85wt％，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的15wt%；蒸镀厚度为5nm。
⑦阻隔层之后，蒸镀蓝光荧光发光层，ADN掺杂式BD-1所示化合物，掺杂浓度为5wt%（即AND和BD-1的重量份比为100:5），蒸镀厚度为30nm；
⑧蓝光荧光发光层之后，蒸镀电子传输层，材料为式ET-5所示化合物，蒸镀厚度为15nm；
⑨最后，在上述发光层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm；Al层的蒸镀速率为1.0nm/s，厚度为150nm。
实施例7-10的器件结构与制备方法与实施例6基本相同，区别之处在于步骤⑥，实施例7中，式HTL-3所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为5nm，其中空穴传输材料式HTL-3所示化合物占阻隔层的35wt%，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的65wt%。
实施例8中，式HTL-3所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为5nm，其中空穴传输材料式HTL-3所示化合物占阻隔层的15wt％，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的85wt%。
实施例9中，式HTL-3所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为2nm，其中空穴传输材料式HTL-3所示化合物占阻隔层的15wt％，电子传输材料式ET-2所示化合物占阻隔层的85wt%。
实施例10中，式HTL-3所示化合物掺杂式ET-2所示化合物蒸镀厚度为10nm，其中空穴传输材料式HTL-3所示化合物占阻隔层的15wt%，电子传输材料式EET-2所示化合物占阻隔层的85wt%。
实施例11
本实施例的器件结构如下：
HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-1:Ir(MDQ)2(acac)/HTL-1:ET-5:Ir(ppy)3/HTL-1:ET-5/ADN:BD-1/ETL-2/LiF/Al
制备具有以上结构的OLED器件的具体制备方法如下：
①利用洗涤剂超声和去离子水超声的方法对已经刻蚀好固定图形的ITO玻璃基片进行清洗，并放置在红外灯下烘干。
②把上述处理好的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10-5Pa，在上述阳极层上蒸镀空穴注入层，先蒸镀HAT，厚度为5nm；后蒸镀MTDATA，厚度为140nm；再蒸镀HAT，厚度5nm；
③空穴注入层之后，蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为20nm；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-1所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Ir(MDQ)2(acac)（即式HTL-1所示化合物与Ir(MDQ)2(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为5nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-1所示化合物、式ET-5所示化合物、Ir(ppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：100wt%：100wt%：15wt%（即式HTL-1所示化合物、式ET-5所示化合物、Ir(ppy)3的重量份比为：100:100:15），蒸镀速率比例为：100：100：15，例如控制式HTL-1所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，式ET-5所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，Ir(ppy)3材料的蒸镀速率为0.015nm/s。蒸镀厚度为10nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，式HTL-1所示化合物掺杂式ET-5所示化合物，空穴传输材料式HTL-1所示化合物占阻隔层的85wt%，电子传输材料式ET-5所示化合物占阻隔层的15wt%；蒸镀厚度为5nm；
⑦阻隔层之后，蒸镀蓝光荧光发光层，ADN掺杂式BD-1所示化合物，掺杂浓度为5wt%，（即AND与BD-1的重量份比为100:5）蒸镀厚度为30nm；
⑧蓝光荧光发光层之后，蒸镀电子传输层，材料为式ETL-2所示化合物，蒸镀厚度为15nm；
⑨最后，在上述发光层之上依次蒸镀LiF层和Al层作为器件的阴极层，其中LiF层的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s，厚度为0.5nm；Al层的蒸镀速率为1.0nm/s，厚度为150nm。
实施例12
本实施例的器件结构如下：
HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-1:Ir(piq)3/HTL-1:ET-5:Ir(ppy)2(acac)/HTL-1:ET-5/ADN:BD-1/ETL-2/LiF/Al
本实施例方法基本同于实施例11，不同之处在于步骤④、⑤；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-1所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Ir(piq)3，蒸镀厚度为5nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-1所示化合物、式ET-5所示化合物、Ir(ppy)2(acac)三个材料共掺杂，掺杂比例为：100wt%：100wt%：15wt%（即式HTL-1所示化合物、式ET-5所示化合物、Ir(ppy)2(acac)的重量份比为：100:100:15），蒸镀速率比例为：100：100：15，例如控制式HTL-1所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，式ET-5所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，Ir(ppy)2(acac)材料的蒸镀速率为0.015nm/s。蒸镀厚度为10nm。
实施例13
本实施例的器件结构如下：
HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-1:Ir(ppy)2(acac)/HTL-1:ET-5:Ir(piq)3/HTL-1:ET-5/ADN:BD-1/ETL-2/LiF/Al
本实施例方法基本同于实施例11，不同之处在于步骤④、⑤；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，在主体材料式HTL-1所示化合物中掺杂浓度为15wt%的Ir(ppy)2(acac)蒸镀厚度为5nm；
⑤绿色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，式HTL-1所示化合物、式ET-5所示化合物、Ir(piq)3，三个材料共掺杂，掺杂比例为：100wt%：100wt%：3wt%（即式HTL-1所示化合物、式ET-5所示化合物、Ir(piq)3的重量份比为：100:100:3），蒸镀速率比例为：100：100：3，例如控制式HTL-1所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，式ET-5所示化合物材料的蒸镀速率为0.1nm/s，Ir(piq)3材料的蒸镀速率为0.003nm/s。蒸镀厚度为10nm。
对比例1
ITO/HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-2:Ir(MDQ)2(acac)/HTL-2:ET-2:Ir(ppy)3/ADN:BD-1/ETL-1/LiF/Al
对比例1与实施例1的不同之处在步骤⑥，对比例1不进行步骤⑥的蒸镀。
对比例2-3
HAT/MTDATA/HAT/NPB/HTL-2:Ir(MDQ)2(acac)/HTL-2:ET-2:Ir(ppy)3/NPB:Alq3/ADN:BD-1/ETL-1/LiF/Al
对比例2-3的结构与制备方法不同于实施例1之处在于步骤⑥，红色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方式，对比例2中，NPB掺杂Alq3蒸镀厚度为5nm，其中ET-3所占比例为85%；对比例3中，NPB掺杂Alq3蒸镀厚度为5nm，其中ET-3所占比例为25%。
上述实施例1-13及对比例1-3的器件结构性能如下表所示：
从对比例1中可以看出，由于荧光层与磷光层之间没有增加阻隔层，致使蓝色发光层的主体材料的单线态激子向磷光层的染料传递能量，器件中蓝光成份较弱，色度偏黄，同时由于能量的不充分利用，器件效率偏低；对比例2-3中，在荧光层与磷光层之间采用不同母核的NPB、Alq3掺杂作为阻隔层，由于阻隔层采用的不同母核的电子、空穴传输材料，器件不能更好地调节阻隔层两侧发光层内的电子、空穴数量，因此器件光谱调节较困难；同时由于阻隔层中电子、空穴传输材料与两侧发光层主体材料能级不能很好的匹配，因此器件电压较高，效率较低；
实施例1-13中，在荧光层与磷光层之间采用同母核的电子传输材料与空穴传输材料作为阻隔层，阻挡了蓝光主体材料的单线态激子向磷光层染料传递能量，而是把能量传递给了蓝光染料，用来发射蓝光。同时由于红色磷光靠近阳极，主体为空穴传输性质。蓝色荧光主靠近阴极，主体为电子传输性质。绿色磷光介于红光、蓝光之间，主体为电子传输材料、空穴传输材料的复合物。通过调整阻隔层中电子传输材料与空穴传输材料的比例，使得各层的电子、空穴能得到充分的匹配、复合，最终使得红绿蓝三发光中心的白光器件得到了较高的效率及较好的色度。
实施例14
有机电致发光器件结构及制备方法同实施例1
不同之处在于步骤④、⑤、⑥、⑦；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-17所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Ir(piq)2(acac)（即式HTL-17所示化合物和Ir(piq)2(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为15nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-17所示化合物、ET-14、Ir(mppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：40wt%：60wt%：4wt%（即式HTL-17所示化合物、ET-14、Ir(mppy)3的重量份比为：40:60:4）。蒸镀厚度为20nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，使用的空穴传输材料为式HTL-17所示化合物所示，电子传输材料为式（ET-14）所示，且所述的空穴传输材料的占阻隔层的40wt%，电子传输材料占阻隔60wt%；蒸镀厚度为10nm。
⑦阻隔层之后，蒸镀蓝光荧光发光层，ADN掺杂BD-2，掺杂浓度为5wt%，（即AND与BD-1的重量份比为100:5）蒸镀厚度为20nm。
实施例15
有机电致发光器件结构及制备方法同实施例1
不同之处在于步骤④、⑤、⑥、⑦；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-18所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Btp2Ir(acac)（即式HTL-18所示化合物和Btp2Ir(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为10nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-18所示化合物、ET-15、Ir(ppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：45wt%：55wt%：3wt%（即式HTL-18所示化合物、ET-15、Ir(ppy)3的重量份比为：45:55:3）。蒸镀厚度为30nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，使用的空穴传输材料为式HTL-17所示化合物所示，使用的电子传输材料为式（ET-15）所示，所述的空穴传输材料的占阻隔层的45wt%，电子传输材料占阻隔55wt%；蒸镀厚度为5nm。
⑦阻隔层之后，蒸镀蓝光荧光发光层，ADN掺杂BD-2，掺杂浓度为5wt%，（即AND与BD-1的重量份比为100:5）蒸镀厚度为45nm。
实施例16
有机电致发光器件结构及制备方法同实施例1
不同之处在于步骤④、⑤、⑥、⑧；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-19所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Btp2Ir(acac)（即式HTL-19所示化合物和Btp2Ir(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为1nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-19所示化合物、式ET-16所示化合物、Ir(ppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：30wt%：70wt%：3wt%（即式HTL-19所示化合物、式ET-16所示化合物、Ir(ppy)3的重量份比为：30:70:3）。蒸镀厚度为15nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，使用的空穴传输材料为式HTL-19所示化合物所示，使用的电子传输材料为式ET-16所示化合物所示，且所述的空穴传输材料的占阻隔层的30wt%，电子传输材料占阻隔70wt%；蒸镀厚度为20nm;
⑧蓝光荧光发光层之后，蒸镀电子传输层，材料为ETL-3，蒸镀厚度为15nm。
实施例17
有机电致发光器件结构及制备方法同实施例1
不同之处在于步骤④、⑤、⑥、⑧；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-20所示化合物中掺杂浓度为3wt%的Ir(DBQ)2(acac)（即式HTL-20所示化合物和Ir(DBQ)2(acac)的重量份比为100:3），蒸镀厚度为6nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-20所示化合物、式ET-16所示化合物、Ir(ppy)2(acac)三个材料共掺杂，掺杂比例为：20wt%：80wt%：2wt%（即式HTL-20所示化合物,式ET-16所示化合物、Ir(ppy)2(acac)的重量份比为：20:80:2）。蒸镀厚度为5nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，使用的空穴传输材料为式HTL-20所示化合物所示，使用的电子传输材料为式ET-16所示，且所述的空穴传输材料的占阻隔层的20wt%，电子传输材料占阻隔80wt%；蒸镀厚度为1nm;
⑧蓝光荧光发光层之后，蒸镀电子传输层，材料为ETL-3，蒸镀厚度为10nm。
实施例18
有机电致发光器件结构及制备方法同实施例1
不同之处在于步骤④、⑤、⑥、⑧；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-21所示化合物中掺杂浓度为2wt%的Ir(fbi)2(acac)（即式HTL-21所示化合物和Ir(fbi)2(acac)的重量份比为100:2），蒸镀厚度为3nm；
⑤红色磷光发光层之后，采用三源共蒸的方法蒸镀绿光磷光发光层，式HTL-21所示化合物、ET-2、Ir(mppy)3三个材料共掺杂，掺杂比例为：25wt%：75wt%：4wt%（即式HTL-21所示化合物、ET-18、Ir(mppy)3的重量份比为：25:75:4）。蒸镀厚度为23nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，使用的空穴传输材料为式HTL-21所示化合物所示，使用的电子传输材料为式ET-2所示化合物所示，且所述的空穴传输材料的占阻隔层的25wt%，电子传输材料占阻隔75wt%；蒸镀厚度为12nm;
⑧蓝光荧光发光层之后，蒸镀电子传输层，材料为ETL-4，蒸镀厚度为15nm。
实施例19
有机电致发光器件结构及制备方法同实施例1
不同之处在于步骤④、⑤、⑥；
④空穴传输层之上，采用双源共蒸的方法蒸镀红光磷光发光层，在主体材料式HTL-22所示化合物中掺杂浓度为4wt%的Ir(2-phq)3（即式HTL-22所示化合物和Ir(2-phq)3的重量份比为100:4），蒸镀厚度为13nm；
步骤⑤中的绿色磷光发光层的主体材料及所占比例同本实施例的阻隔层。蒸镀厚度为27nm；
⑥绿色磷光发光层之后，采用双源共蒸的方法蒸镀阻隔层，使用的空穴传输材料为式HTL-22所示化合物所示，使用的电子传输材料为式ET-2所示，且所述的空穴传输材料的占阻隔层的60wt%，电子传输材料占阻隔40wt%；蒸镀厚度为28nm。
实施例20-实施例27
实施例20-实施例27的有机电致发光器件结构及制备方法分别同实施例5、11-17，其中蓝色荧光材料发光层设置在所述绿色磷光发光材料层和红色磷光发光材料层之间，蓝色荧光发光材料层和绿色磷光发光材料层之间为阻隔层，阻隔层的组成分别同实施例5、11-17，蓝色荧光发光材料层与红色磷光发光材料层之间为阻隔层，阻隔层的组成分别同实施例5、11-17。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (18)

1.一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层；
所述的发光单元层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述的空穴注入层形成在所述的阳极层上，所述的空穴传输层形成在所述的空穴注入层上，所述的阴极层形成在所述的电子传输层上，所述的空穴传输层与所述的电子传输层之间为多个发光层，所述发光层包括荧光发光层和磷光发光层；
其特征在于：
所述的荧光发光层和磷光发光层之间设有由相同母核的电子传输材料和空穴传输材料组成的阻隔层；
与所述阻隔层相邻的所述磷光发光层的主体材料包括所述相同母核的所述电子传输材料和/或所述空穴传输材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输材料占阻隔层的10wt％-90wt％
所述的空穴传输材料占阻隔层的10wt％-90wt％。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输材料占阻隔层的30wt％-70wt％
所述的空穴传输材料占阻隔层的30wt％-70wt％。
4.根据权利要求1-3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输材料为式ET-10所示5,8-二取代苯并[c]菲衍生物：
其中：R1和R2彼此独立的为式ET-11所示的吡啶基苯基，或式ET-12、式ET-13所示的芳基吡啶基；
所述的Ar1和Ar2彼此独立的为氢，或为碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基；
所述的空穴传输材料为式HTL-10所示三芳胺衍生物：
其中：n为1～4的自然数，A为式HTL-11所示亚苯并[c]菲-5，8-基；
所述的Ar5和Ar6彼此独立的为氢，碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的Ar1和Ar2彼此独立的为环已基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基；
所述的Ar5和Ar6彼此独立的为环已基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基或噻吩基。
6.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输材料为式ET-1所示化合物，所述空穴传输材料为式HTL-1所示化合物：
7.根据权利要求1-3任一所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输材料为式ET-2所示双(9，9’-螺二芴-2-基)酮或式ET-4所示螺芴基取代的吡啶、嘧啶或三嗪衍生物：
其中式(ET-4)中：X，Y，Z彼此独立的选自O，S，N；
所述的Ar3和Ar4彼此独立的为氢，碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基；
所述的空穴传输材料为式HTL-10所示三芳胺衍生物：
其中：n为1～4的自然数，A为式HTL-12所示9，9’-螺二芴-2,2’,7,7’-基，式HTL-13所示9，9’-螺二芴-2,2’-基，式HTL-14所示9，9’-螺二芴-2,2’-基或式HTL-15所示9，9’-螺二芴-2,7-基；
所述的Ar5和Ar6彼此独立的为氢，碳原子数为1-20的烷基，芳香基或杂芳基。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于：
Ar3和Ar4彼此独立的为环已基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基，或噻吩基；
Ar5和Ar6彼此独立的为环已基，苯基，取代苯基，萘基，联苯基，菲基，蒽基，芘基，基，苝基，苯并菲基，苯并蒽基，三亚苯基，螺芴基，芴基，吡啶基，或噻吩基。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输材料为式ET-2所示化合物，所述空穴传输材料为式HTL-2和/或式HTL-3所示化合物：
10.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的磷光发光层包括与所述阻隔层相邻的第一磷光发光层和远离所述阻隔层且与所述第一磷光发光层相邻的第二磷光发光层，所述第二磷光发光层的主体材料为所述空穴传输材料；
所述第一磷光发光层的主体材料包括所述电子传输材料和/或空穴传输材料，所述电子传输材料和/或空穴传输材料的重量比与所述阻隔层的组成相同。
11.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的磷光发光层包括设置在所述荧光发光层一侧的第一磷光发光层和设置在所述荧光发光层另一侧的第二磷光发光层；
所述的荧光发光层与所述第一磷光发光层和第二磷光发光层之间分别设置有所述阻隔层。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述第一磷光发光层和所述第二磷光发光层的主体材料均包括所述电子传输材料或空穴传输材料，所述电子传输材料或空穴传输材料的重量比与所述阻隔层的组成相同。
13.根据权利要求10-12任一所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述磷光发光层中的染料包括第一磷光染料和第二磷光染料，第一磷光染料和第二磷光染料分别掺杂在不同的磷光发光层中。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述第一磷光染料选自Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Btp2Ir(acac)、Ir(MDQ)2(acac)、Ir(DBQ)2(acac)、Ir(fbi)2(acac)、Ir(2-phq)3、Ir(2-phq)2(acac)、Ir(bt)2(acac)或PtOEP中的一种或其中几种的混合物；
所述第二磷光染料选自Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)或Ir(mppy)3。
15.根据权利要求14所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的荧光发光层包括主体材料和蓝色荧光染料，所述的主体材料选自9,10-二(2-萘基)蒽及其衍生物，所述的蓝色荧光染料选自式BD-1或式BD-2所示化合物：
16.根据权利要求15所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的阻隔层的厚度为：1-20nm；
所述的荧光发光层厚度为：10-45nm；
掺杂有第一磷光染料的磷光发光层的厚度为：0-15nm；
掺杂有第二磷光染料的磷光发光层的厚度为：5-30nm。
17.根据权利要求16所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述的电子传输层材料选自式ETL-1,式ETL-2，式ETL-3或式ETL-4所示化合物：
18.一种有机电致发光器件，包括基板，以及依次形成在所述基板上的阳极层、若干个发光单元层和阴极层；
所述的发光单元层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，所述的空穴注入层形成在所述的阳极层上，所述的空穴传输层形成在所述的空穴注入层上，所述的阴极层形成在所述的电子传输层上，所述的空穴传输层与所述的电子传输层之间为多个发光层，所述发光层包括红色磷光发光层、绿色磷光发光层和蓝色荧光发光层，其特征在于：
所述的红色磷光发光层形成在所述空穴传输层上，所述的绿色磷光发光层形成在所述红色磷光发光层上，阻隔层形成在所述的绿色磷光发光层上，所述的蓝色荧光发光层形成在所述的阻隔层上，所述的电子传输层形成在所述的蓝色荧光发光层上；
所述阻隔层是由式ET-1所示电子传输材料和式HTL-1所示空穴传输材料蒸镀而成，或由式ET-2所示电子传输材料和式HTL-2或式HTL-3所示空穴传输材料蒸镀而成，所述电子传输材料占所述阻隔层的40wt％-60wt％，所述空穴传输材料占所述阻隔层的40wt％-60wt％；
所述绿色磷光发光层的主体材料是由式ET-1所示电子传输材料和式HTL-1所示空穴传输材料组成，或由式ET-2所示电子传输材料和式HTL-2或式HTL-3所示空穴传输材料组成，所述电子传输材料与所述空穴传输材料的重量比同阻隔层中二者的比例；
所述的阻隔层的厚度为：3-10nm；
所述的蓝色荧光发光层厚度为：20-40nm；
绿色磷光发光层的厚度为：5-15nm；
红色磷光发光层的厚度为：5-10nm；
CN201210371844.8A 2011-12-31 2012-09-29 一种高效白光有机电致发光器件 Active CN103187537B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210371844.8A CN103187537B (zh) 2011-12-31 2012-09-29 一种高效白光有机电致发光器件

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201110458028.6 2011-12-31
CN201110458028 2011-12-31
CN2011104580286 2011-12-31
CN201210371844.8A CN103187537B (zh) 2011-12-31 2012-09-29 一种高效白光有机电致发光器件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103187537A CN103187537A (zh) 2013-07-03
CN103187537B true CN103187537B (zh) 2016-09-07

Family

ID=48678603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210371844.8A Active CN103187537B (zh) 2011-12-31 2012-09-29 一种高效白光有机电致发光器件

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103187537B (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015083021A1 (en) 2013-12-02 2015-06-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
JP6435626B2 (ja) * 2014-04-04 2018-12-12 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
JP6432149B2 (ja) * 2014-04-04 2018-12-05 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光装置、表示装置および電子機器
EP3016160B1 (en) 2014-10-28 2020-01-08 LG Display Co., Ltd. White organic light emitting diode and organic light emitting display device using the same
KR102275954B1 (ko) * 2014-12-05 2021-07-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치
KR101777779B1 (ko) * 2014-12-23 2017-09-12 광주과학기술원 P-도핑된 공액 저분자 전해질 및 이를 이용한 유기전자소자
CN104538559B (zh) * 2014-12-31 2017-10-10 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置
KR101802348B1 (ko) * 2015-04-17 2017-11-28 원광대학교 산학협력단 유기전계발광소자용 정공수송물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자
KR102603865B1 (ko) * 2016-04-21 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN106328818B (zh) * 2016-08-26 2018-11-20 深圳市华星光电技术有限公司 荧光/磷光混合型白光有机发光二极管
CN109216565B (zh) * 2017-06-30 2021-05-18 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN109273615B (zh) * 2018-09-11 2020-09-25 长春海谱润斯科技有限公司 一种有机发光器件
US20200343457A1 (en) * 2019-04-29 2020-10-29 Universal Display Corporation Organic electroluminescent materials and devices
KR20210031332A (ko) * 2019-09-11 2021-03-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN113380954B (zh) * 2020-12-31 2022-11-29 陕西莱特光电材料股份有限公司 有机电致发光器件及电子装置
CN113421980B (zh) * 2021-06-02 2023-02-24 陕西莱特迈思光电材料有限公司 有机电致发光器件及包含其的电子装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1764708A (zh) * 2003-04-15 2006-04-26 3M创新有限公司 用于有机电子器件的电子传输剂
CN101461075A (zh) * 2006-06-05 2009-06-17 普林斯顿大学理事会 具有磷光体-敏化荧光发射层的有机发光器件
CN101584057A (zh) * 2006-10-27 2009-11-18 南加利福尼亚大学 用于发白光oled的单重态和三重态激子的有效捕获的材料和构造
CN101682002A (zh) * 2007-05-17 2010-03-24 伊斯曼柯达公司 杂化荧光/磷光oled

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ITRM20040352A1 (it) * 2004-07-15 2004-10-15 Univ Roma La Sapienza Derivati oligomerici dello spirobifluorene, loro preparazione e loro uso.
JP4496948B2 (ja) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機ｅｌ素子
US9070884B2 (en) * 2005-04-13 2015-06-30 Universal Display Corporation Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters
US20080286610A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Deaton Joseph C Hybrid oled with fluorescent and phosphorescent layers
DE102009017064A1 (de) * 2009-04-09 2010-10-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1764708A (zh) * 2003-04-15 2006-04-26 3M创新有限公司 用于有机电子器件的电子传输剂
CN101461075A (zh) * 2006-06-05 2009-06-17 普林斯顿大学理事会 具有磷光体-敏化荧光发射层的有机发光器件
CN101584057A (zh) * 2006-10-27 2009-11-18 南加利福尼亚大学 用于发白光oled的单重态和三重态激子的有效捕获的材料和构造
CN101682002A (zh) * 2007-05-17 2010-03-24 伊斯曼柯达公司 杂化荧光/磷光oled

Also Published As

Publication number Publication date
CN103187537A (zh) 2013-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103187537B (zh) 一种高效白光有机电致发光器件
CN104603111A (zh) 芴和含有所述芴的电子器件
CN109400486A (zh) 胺类化合物和包括该胺类化合物的有机发光器件
CN105111230A (zh) 双氮杂咔唑衍生物及其应用
CN110078754A (zh) 化合物、显示面板以及显示装置
CN102911145A (zh) 一种二苯并杂环连螺双芴化合物及其制备方法以及一种有机电致磷光器件
CN110003258A (zh) 化合物、显示面板以及显示装置
CN108203403A (zh) 具有热致延迟荧光的发光材料、其应用及电致发光器件
CN102911206A (zh) 多功能化修饰苯醚基单膦氧主体材料、合成方法及其应用
CN108586430A (zh) 一种有机电致发光材料、有机电致发光器件及显示装置
CN103904225B (zh) 一种带有阻隔层的有机电致发光器件
CN106941133B (zh) 一种有机发光器件及其制备方法
CN102898469B (zh) 双功能化双膦氧取代芴基光电功能材料及其制备方法和应用
CN108516959A (zh) 吖啶类化合物、有机电致发光器件及显示装置
CN110407810A (zh) 一种有机电致发光材料及其应用
Chen et al. High-quality all-fluorescent white organic light-emitting diodes obtained by balancing carriers with hole limit layer
CN108148037A (zh) 蓝色发光化合物、有机电致发光器件及其应用
CN103965884A (zh) 蓝光有机电致发光材料及其制备方法和应用
CN104119396A (zh) 蓝光有机电致磷光材料铱金属配合物及其制备方法和有机电致发光器件
CN103965251A (zh) 红光有机电致发光材料及其制备方法和应用
CN105349137A (zh) 具有双极载流子传输性能的电致发光材料及作为有机电致发光器件主体材料的应用
CN103965872A (zh) 红光有机电致发光材料及其制备方法和应用
CN118042858A (zh) 一种基于双线态敏化剂的有机电致发光器件及其制备方法
CN104119395A (zh) 蓝光有机电致磷光材料铱金属配合物及其制备方法和有机电致发光器件
CN104119858A (zh) 一种铱金属配合物有机电致磷光材料及其制备方法和有机电致发光器件

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20160223

Address after: 065500 Guan County, Hebei Province emerging industry demonstration park

Applicant after: GU'AN YEOLIGHT TECHNOLOGY CO., LTD.

Applicant after: Tsinghua University

Address before: 215300 Suzhou Province, Kunshan City, Kunshan hi tech Zone, Feng Feng Road, No. 188, No.

Applicant before: Weixinnuo Display Tech Co., Ltd.

Applicant before: Tsinghua University

Applicant before: Weixinnuo Science and Technology Co., Ltd., Beijing

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant