CN103021306B - 一种屏体老炼引线布线结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种屏体老炼引线布线结构及其制备方法，所述屏体老炼引线布线结构包括COM老炼引线、SEG老炼引线、以及水平粘附在所述COM老炼引线和SEG老炼引线上的导电胶条，所述导电胶条为条形导电区域和条形绝缘区域交替等距间隔设置导电胶条；所述COM老炼引线的数量等于所述COM引线的数量；所述SEG老炼引线的数量等于所述SEG引线的数量；所述COM老炼引线、所述SEG老炼引线均为斜折线，所述斜折线包括顺次与所述引线相连的斜线与折线；所述COM老炼引线和所述SEG老炼引线间的最小间距大于所述导电胶条的相邻导电区域中心间距离。有效解决了COM老炼引线和SEG老炼引线容易搭接，造成屏体损毁的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示器件领域，具体是一种显示屏的老炼引线的布线结构及其制备方法。
背景技术
实践证明大多数电子器件的故障率是时间的函数，典型故障曲线称之为失效率曲线(英文全称为Bathtub curve,又译为浴盆曲线)，曲线的形状呈两头高，中间低，具有明显的阶段性，可划分为三个阶段：早期故障期，偶然故障期，严重故障期。通常早期故障期时，即产品在开始使用时,失效率很高,但随着产品工作时间的增加,失效率迅速降低,这一阶段失效的原因大多是由于设计、原材料和制造过程中的缺陷造成的。过了这一阶段，电子器件的失效率降低，并保持稳定，因此，为了缩短这一阶段的时间，常常会通过老炼工艺，在产品进入下一生产工序或者投入运行前进行试运转，以便及早发现、修正和排除故障，或者剔除不合格产品。
在平板显示器件（如PDP、LED、LCD、OLED等）的生产过程中，屏体生产出来后需要进行屏体老炼，以及全屏点亮等一系列检测工作，以确保在流入下一阶段模组生产的屏体均为良品，避免有集成电路（英文全称为Integrated Circuit，简称为IC）、异方导电膜（英文全称为AnisotropicConductive film，简称为ACF）等生产物料用于不良屏体上，造成原料和工艺上的损失。
平板显示器件中一般都是通过COM端（公共端）和SEG端（扫描段）的信号来实现驱动的，即将交流驱动电压加在COM端和SEG端之间，通过COM端和SEG端的组合，点亮不同的点或者显示段，从而形成文字或图案。屏体老炼时，需在COM端和SEG端分别引出老炼引线，在老炼引线上通过老炼胶条粘结，进行屏体老炼，以确保在流入下一阶段模组生产的屏体均为良品。
中国专利CN101800238A公开了一种有机电致发光器件及其测试方法，采用单边邦定结构，在此结构下行引线和列引线会彼此汇聚于邦定区，具体是引线延长区与引线区的引线形成的角度大于0度且小于90度，与不倾斜的情况相比，在一定程度上增加了行引线与列引线的间距，防止在屏体测试阶段将行列引线短路的情况发生。但是现有技术中，随着IC集成度的提高，使得I C的尺寸逐渐减小，这就导致屏体的走线空间变小，COM端和SEG端间距过小，这种方法起到的效果收效胜微；而且在微小尺度下，老炼胶条受定位误差、裁切公差以及受力膨胀等因素的影响较大，老炼时COM、SEG引线容易搭接，造成引线的烧伤，甚至发生烧屏的现象，而且要在COM老炼引线上和SEG老炼引线上分别黏贴导电胶条，以确保两者断开，要分别对位，精度要求高，工艺复杂。
发明内容
为此，本发明所要解决的是现有技术中屏体老炼时COM端和SEG端老炼引线容易搭接，易造成引线烧伤和屏体损毁的问题，提供一种新型屏体老炼引线布线结构及其制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
一种屏体老炼引线布线结构，包括COM引线、SEG引线、从COM引线末端引出的COM老炼引线3、从SEG引线末端引出的SEG老炼引线、以及水平粘附在所述COM老炼引线3和SEG老炼引线上用于邦定驱动芯片或者电路板的导电胶条5，其特征在于，
所述导电胶条5中条形绝缘区域1和条形导电区域2交替设置，且所述条形绝缘区域1和所述条形导电区域2长度方向与所述导电胶条5的长度方向的夹角为0-180°；
所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线穿过所述导电胶条5的导电区域2；
所述COM老炼引线3的数量等于所述COM引线的数量；所述SEG老炼引线的数量等于所述SEG引线的数量；
所述COM老炼引线3、所述SEG老炼引线均为斜折线，所述斜折线包括顺次与所述引线相连的斜线与折线；
所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线间的最小间距大于所述导电胶条5的相邻导电区域2中心间距离。
所述SEG老炼引线包括分列于所述COM老炼引线3两侧的左SEG老炼引线41和右SEG老炼引线42。
所述COM老炼引线3、所述左SEG老炼引线41和所述右SEG老炼引线42中的所述斜线与所述引线的夹角大于0°且小于45°，所述斜线与所述折线的夹角大于90°且小于180°，且弯折方向一致。
所述左SEG老炼引线41与所述右SEG老炼引线42中的所述斜线与所述引线的夹角大于0°且小于45°，所述斜线与所述折线的夹角大于90°且小于180°，且朝相背离的方向弯折；所述COM老炼引线3中的所述斜线与所述引线的夹角大于0°且小于90°，所述斜线与所述折线的夹角为180°。
所述斜线的长度为0.1-0.5mm,所述折线的长度为0.1-0.5mm。
所述COM老炼引线3和SEG老炼引线包括ITO层和设置在ITO层上的导电介质层。
所述导电介质层是电阻率小于10×10-8Ω.m的导电金属或者导电合金层。
所述ITO层的厚度为120-180nm，所述导电介质层的厚度为400-700nm。
所述导电胶条5的所述条形绝缘区域1和所述条形导电区域2等距间隔交替设置。
所述条形绝缘区域1和所述条形导电区域2长度方向与所述导电胶条5的长度方向的夹角为90°。
一种屏体老炼引线布线结构的制作方法，包括如下步骤：
S1、在玻璃基板的老炼区域上溅射一层ITO层，在所述ITO层上溅射一层导电介质层，制得老炼引线层；
S2、通过刻蚀工艺，在步骤S1中制得的老炼引线层中刻蚀得到左SEG老炼引线41、右SEG老炼引线42和COM老炼引线3，所述COM老炼引线3的数量等于所述COM引线的数量；所述SEG老炼引线的数量等于所述SEG引线的数量，所述左SEG老炼引线41、所述右SEG老炼引线42和所述COM老炼引线3均为斜折线，所述斜折线包括顺次与所述引线相连的斜线与折线，所述COM老炼引线3与所述左SEG老炼引线41、所述右SEG老炼引线42的最小间距均大于所述条形绝缘区域1和所述条形导电区域2交替等间距间隔设置的导电胶条5的相邻导电区域2中心间距离；
S3、在制得的所述SEG老炼引线和所述COM老炼引线3上水平贴合所述条形绝缘区域1和所述条形导电区域2交替等距间隔设置导电胶条5。
所述COM老炼引线3、所述左SEG老炼引线41和所述右SEG老炼引线42中的所述斜线与所述引线的夹角大于0°且小于45°，所述斜线与所述折线的夹角大于90°且小于180°，且弯折方向一致。
所述左SEG老炼引线41与所述右SEG老炼引线42中的所述斜线与所述引线的夹角大于0°且小于45°，所述斜线与所述折线的夹角大于90°且小于180°，且朝相背离的方向弯折；所述COM老炼引线3中的所述斜线与所述引线的夹角大于0°且小于45°，所述斜线与所述折线的夹角为180°。
所述斜线的长度为0.1-0.5mm,所述折线的长度为0.1-0.5mm。
步骤S1中所述导电介质层是电阻率小于10×10-8Ω.m的导电金属或者导电合金层。
步骤S1中所述ITO层的厚度为120-180nm，所述导电介质层的厚度为400-700nm。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、一种屏体老炼引线布线结构，选用条形导电区域和条形绝缘区域交替等间距间隔设置的导电胶条，且所述COM老炼引线和所述左SEG老炼引线间的最小间距、所述COM老炼引线和所述右SEG老炼引线间的最小间距均大于所述导电胶条的相邻导电区域中心间距离，这就保证了所述COM引线和所述SEG引线与分别与所述导电胶条导通的情况下，不可能发生搭接，从而可以防止屏体老炼时将屏体短路的现象出现。
2、将所述COM老炼引线、所述左SEG老炼引线和所述右SEG老炼设置为斜折线，与斜线或直线相比，与所述导电胶条的接触面积增大，单位面积的导电介质分担的电流载荷减少，提高了所述导电胶条的寿命。
3、所述导电胶条为条形导电区域和条形绝缘区域交替等间距间隔设置的导电胶条，便于对位，更精确的与所述老炼引线贴合。
4、所述导电胶条中导电区域和绝缘区域交替等间距间隔设置，这样就避免COM老炼引线和所述SEG老炼引线上所述导电胶条需要断开设置的问题。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是条形导电区域和条形绝缘区域交替等间距间隔设置的导电胶条的结构示意图；
图2是本发明所述COM老炼引线和SEG老炼引线的布线示意图；
图3是本发明所述屏体老炼引线结构的布线示意图；
图中附图标记表示为：1-绝缘区域、11-上绝缘部、12-下绝缘部、13-导电部、2-导电区域、3-COM老炼引线、41-左SEG老炼引线、42-右SEG老炼引线、5-导电胶条。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例1
本实施例中的一种屏体老炼引线布线结构，包括COM引线、SEG引线、从COM引线末端引出的COM老炼引线3、从SEG引线末端引出的SEG老炼引线、以及水平粘附在所述COM老炼引线3和SEG老炼引线上用于邦定驱动芯片或者电路板的导电胶条5；
所述导电胶条5中条形绝缘区域1和条形导电区域2交替设置，且所述条形绝缘区域1和所述条形导电区域2长度方向与所述导电胶条5的长度方向的夹角为90°；
所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线穿过所述导电胶条5的导电区域2；
所述COM老炼引线3的数量等于所述COM引线的数量；所述SEG老炼引线的数量等于所述SEG引线的数量；
所述COM老炼引线3、所述SEG老炼引线均为斜折线，所述斜折线包括顺次与所述引线相连的斜线与折线；
所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线间的最小间距大于所述导电胶条5的相邻导电区域2中心间距离。
所述SEG老炼引线包括分列于所述COM老炼引线3两侧的左SEG老炼引线41和右SEG老炼引线42。
本实施例中所述导电胶条5购自尹钻科技有限公司，结构如图1所示，宽度为3mm,包括上绝缘部11、下绝缘部12，以及设置在所述上绝缘部11和下绝缘部12之间的导电部13，所述导电部13的宽度为1mm；所述导电部13进一步包括等间距间隔设置的绝缘区域1和导电区域2，其中相邻导电区域1中心间距离为0.1mm；所述COM引线全部引出COM老炼引线3，所述SEG引线全部引出左SEG老炼引线41和右SEG老炼引线42，确保每条引线都能实现邦定；所述SEG引线末端与COM引线末端的最小间距为0.05mm，远小于所述导电胶条的相邻导电区域中心间距离，若直接引出或者斜线引出极容易出现COM老炼引线和SEG老炼引线黏贴到同一导电区域2中，造成搭接的问题；因此，所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线设置为斜折线，所述斜折线包括顺次与所述引线相连的斜线与折线，保证所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线间的最小间距大于所述条形导电区域2和条形绝缘区域1交替等间距间隔设置的导电胶条5的相邻导电区域2中心间距离，从而可以实现屏体的老炼，具体制备方法如下：
S11、在玻璃基板上溅射一层ITO层，厚度150nm，在所述ITO层上溅射一层导电介质层，本实施例优选导电介质层材料钼铝钼，厚度500nm，制得老炼引线层；
本实施例中选用钼铝钼层作为导电介质层，其他电阻率小于10×10-8Ω.m的导电金属或者导电合金，如金属银、铜、金，及其合金等均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。下表为常用导电金属的电阻率和电阻温度系数。
本实施例中ITO的厚度为150nm，导电介质层的厚度为500nm，作为可变换的实施例，在其他实施例中ITO的厚度在120-180nm的范围内，导电介质层的厚度可以在400-700nm的范围内，以保证老炼引线具有良好的导电性能，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S12、通过刻蚀工艺，在步骤S1中制得的老炼引线层中刻蚀得到SEG老炼引线和COM老炼引线3，所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线为斜折线，且弯折方向一致，所述SEG老炼引线进一步包括左SEG老炼引线41和右SEG老炼引线42；所述COM老炼引线3与COM引线的夹角为21°，所述COM老炼引线3中的斜线与折线的夹角为125°；所述SEG老炼引线3中的斜线与折线的夹角为125°；所述左SEG老炼引线41中斜线长度为0.1mm，折线长度为0.5mm；所述COM老炼引线3中斜线长度为0.4mm，折线长度为0.2mm；所述右SEG老炼引线42中斜线长度为0.3mm，折线长度为0.3mm。
所述COM老炼引线3和所述左SEG老炼引线41和右SEG老炼引线42间的间距分别为0.23mm和0.25mm，大于所述导电胶条5的相邻导电区域中心间距离0.1mm；避免了使用连续性导电胶条COM老炼引线3和SEG老炼引线容易搭接，造成屏体损毁的问题；也避免了使用条形导电区域和条形绝缘区域交替等间距间隔设置的导电胶条5时，所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线黏贴到同一导电区域2中，造成搭接，无法实现老炼的问题。
作为可变换的实施例，所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线中所述斜线与所述折线的夹角可以在0-45度范围内变换；所述COM老炼引线3中所述斜线与所述折线的夹角，所述SEG老炼引线中所述斜线与所述折线的夹角可以相同或者不同，可以在90-180度范围内变换；所述所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线中，所述斜线的长度和所述折线的长度可以在0.1-0.5mm范围内变换，只要保证所述COM老炼引线3和所述SEG老炼引线间的最小间距大于所述导电胶条的相邻导电区域中心间距离即可，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S13、在制得的所述SEG老炼引线和所述COM老炼引线3上水平贴合导电胶条5。
选用条形导电区域2和条形绝缘区域1交替等间距间隔设置的导电胶条5，且所述COM老炼引线3和所述左SEG老炼引线41间的最小间距、所述COM老炼引线3和所述右SEG老炼引线42间的最小间距均大于所述导电胶条5的相邻导电区域2中心间距离，这就保证了所述COM引线3和所述SEG引线与分别与所述导电胶条5导通的情况下，不可能发生搭接，从而可以防止屏体老炼时将屏体短路的现象出现。
实施例2
具体实施方式同实施例1，唯一不同的是步骤S12中所述左SEG老炼引线41与所述右SEG老炼引线42中的所述斜线与所述引线的夹角均为25°，且朝相背离的方向弯折；所述COM老炼引线3中的所述斜线与所述引线的夹角为22°，所述斜线与所述折线的夹角为180°，所述COM老炼引线3末端朝向左SEG老炼引线41方向。
在本实施例中所述COM老炼引线3末端朝向右SEG老炼引线42方向，也可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (10)
1.一种屏体老炼引线布线结构，包括COM引线、SEG引线、从COM引线末端引出的COM老炼引线(3)、从SEG引线末端引出的SEG老炼引线、以及水平粘附在所述COM老炼引线(3)和SEG老炼引线上用于邦定驱动芯片或者电路板的导电胶条(5)，其特征在于，
所述导电胶条(5)中条形绝缘区域(1)和条形导电区域(2)交替设置，且所述条形绝缘区域(1)和所述条形导电区域(2)长度方向与所述导电胶条(5)的长度方向的夹角为90°；
所述COM老炼引线(3)和所述SEG老炼引线穿过所述导电胶条(5)的导电区域(2)；
所述COM老炼引线(3)的数量等于所述COM引线的数量；所述SEG老炼引线的数量等于所述SEG引线的数量；
所述COM老炼引线(3)、所述SEG老炼引线均为斜折线，所述COM老炼引线(3)包括顺次与所述COM引线相连的斜线与折线，所述SEG老炼引线包括顺次与所述SEG引线相连的斜线与折线；
所述COM老炼引线(3)和所述SEG老炼引线间的最小间距大于所述导电胶条(5)的相邻导电区域(2)中心间距离；
所述SEG老炼引线包括分列于所述COM老炼引线(3)两侧的左SEG老炼引线(41)和右SEG老炼引线(42)；
所述COM老炼引线(3)中的所述斜线与所述COM引线的夹角、所述左SEG老炼引线(41)中的所述斜线与左SEG引线的夹角、所述右SEG老炼引线(42)中的所述斜线与右SEG引线的夹角均大于0°且小于45°，所述COM老炼引线(3)中的所述斜线与所述折线，所述SEG老炼引线中的所述斜线与所述折线的夹角均大于90°且小于180°，且弯折方向一致。
2.根据权利要求1所述的屏体老炼引线布线结构，其特征在于，所述 COM老炼引线(3)中的所述斜线、所述SEG老炼引线中的所述斜线长度均为0.1-0.5mm,所述COM老炼引线(3)中的所述折线、所述SEG老炼引线中的所述折线长度均为0.1-0.5mm。
3.根据权利要求1或2所述的屏体老炼引线布线结构，其特征在于，所述COM老炼引线(3)和SEG老炼引线包括ITO层和设置在ITO层上的导电介质层。
4.根据权利要求3所述的屏体老炼引线布线结构，其特征在于，所述导电介质层是电阻率小于10×10-8Ω·m的导电金属或者导电合金层。
5.根据权利要求3所述的屏体老炼引线布线结构，其特征在于，所述ITO层的厚度为120-180nm，所述导电介质层的厚度为400-700nm。
6.根据权利要求3所述的屏体老炼引线布线结构，其特征在于，所述导电胶条(5)的所述条形绝缘区域(1)和所述条形导电区域(2)等距间隔交替设置。
7.一种屏体老炼引线布线结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：
S1、在玻璃基板的老炼区域上溅射一层ITO层，在所述ITO层上溅射一层导电介质层，制得老炼引线层；
S2、通过刻蚀工艺，在步骤S1中制得的老炼引线层中刻蚀得到左SEG老炼引线(41)、右SEG老炼引线(42)和COM老炼引线(3)，所述COM老炼引线(3)的数量等于COM引线的数量；所述SEG老炼引线的数量等于SEG引线的数量，所述左SEG老炼引线(41)、所述右SEG老炼引线(42)和所述COM老炼引线(3)均为斜折线，所述COM老炼引线(3)包括顺次与所述COM引线相连的斜线与折线，所述左SEG老炼引线(41)包括顺次与左SEG引线相连的斜线与折线，所述右SEG老炼引线(42)包括顺次与右SEG引线相连的斜线与折线,所述COM老炼引线(3)与所述左SEG老炼引线(41)、所述右SEG老炼引线(42)的最小间距均大于 条形绝缘区域(1)和条形导电区域(2)交替等间距间隔设置的导电胶条(5)的相邻导电区域(2)中心间距离；
S3、在制得的所述SEG老炼引线和所述COM老炼引线(3)上水平贴合所述条形绝缘区域(1)和所述条形导电区域(2)交替等距间隔设置导电胶条(5)；所述COM老炼引线(3)中的所述斜线与所述COM引线的夹角、所述左SEG老炼引线(41)中的所述斜线与所述左SEG引线的夹角、所述右SEG老炼引线(42)中的所述斜线与所述右SEG引线的夹角均大于0°且小于45°，所述COM老炼引线(3)中的所述斜线与所述折线，所述SEG老炼引线中的所述斜线与所述折线的夹角均大于90°且小于180°，且弯折方向一致。
8.根据权利要求7所述的屏体老炼引线布线结构的制作方法，其特征在于，所述COM老炼引线(3)中的所述斜线、所述SEG老炼引线中的所述斜线长度均为0.1-0.5mm,所述COM老炼引线(3)中的所述折线、所述SEG老炼引线中的所述折线长度均为0.1-0.5mm。
9.根据权利要求8所述的屏体老炼引线布线结构的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述导电介质层是电阻率小于10×10-8Ω·m的导电金属或者导电合金层。
10.根据权利要求9所述的屏体老炼引线布线结构的制作方法，其特征在于，步骤S1中所述ITO层的厚度为120-180nm，所述导电介质层的厚度为400-700nm。
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