[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN102841499A - 相移光掩模制作方法 - Google Patents

相移光掩模制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102841499A
CN102841499A CN2012103498503A CN201210349850A CN102841499A CN 102841499 A CN102841499 A CN 102841499A CN 2012103498503 A CN2012103498503 A CN 2012103498503A CN 201210349850 A CN201210349850 A CN 201210349850A CN 102841499 A CN102841499 A CN 102841499A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist
phase
shift photomask
photoetching
domain
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2012103498503A
Other languages
English (en)
Inventor
毛智彪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN2012103498503A priority Critical patent/CN102841499A/zh
Publication of CN102841499A publication Critical patent/CN102841499A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明提供了一种相移光掩模制作方法。在含有可成形硬膜第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形的结构;在第一光刻胶上涂布化学微缩材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使化学微缩材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，用去离子水或表面活性剂的去离子水溶液去除多余的化学微缩材料;在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。

Description

相移光掩模制作方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种相移光掩模制作方法。
背景技术
光刻工艺是制作大规模集成电路的关键工艺之一。光刻工艺是将光掩模板上的版图图形转移到光刻胶薄膜中，含有版图图形的光刻胶膜被用于后续离子注入或刻蚀制程的掩模。光掩模在光刻工艺中承担了重要的角色。随着半导体芯片的集成度不断提高，晶体管的特征尺寸不断缩小，对光刻工艺的要求越来越高，相移光掩模逐渐成为高端光刻工艺的主流光掩模。
如图1A所示，相移光掩模是通过对相移光掩模基板的光刻—刻蚀—光刻—刻蚀过程来制作。相移光掩模基板由石英基片1、部分透光的硅化鉬薄膜2、不透光的铬薄膜3、第一光刻胶4构成。图1B-1D展示了主流的相移光掩模制作工艺流程。通过第一光刻和刻蚀在硅化鉬薄膜2和铬薄膜3中形成第一版图图形5结构，如图1B所示。在第一版图图形5结构上涂布第二光刻胶6，如图1C所示，通过第二光刻和刻蚀在硅化鉬薄膜2中第一版图图形5结构上形成第二版图图形7结构，如图1D所示，完成相移光掩模制作。
在器件尺寸微缩进入到32纳米技术节点后，单次光刻曝光无法满足制作密集线阵列图形所需的分辨率。双重图形(double patterning)成形技术作为解决这个技术难题的主要方法被大量研究并被广泛应用于制作32纳米以下技术节点的密集线阵列图形。图2A-2E图示了双重图形成形技术制作密集线阵列图形的过程。在需要制作密集线阵列图形的衬底硅片20上，沉积衬底膜21和硬掩膜22，然后涂布第一光刻胶23(图2A)，曝光、显影、刻蚀后，在硬掩膜22中形成第一光刻图形24(图2B)，其线条和沟槽的特征尺寸比例为1:3。在此硅片上涂布第二光刻胶25(图2C)，曝光和显影后在第二光刻胶25膜中形成第二光刻图形26(图2D)，其线条和沟槽的特征尺寸比例也是1:3，但其位置与第一光刻图形24交错。继续刻蚀在衬底硅片上形成与第一光刻图形24交错的第二光刻图形26(图2E)。第一光刻图形24与第二光刻图形26的组合组成了目标线条和沟槽特征尺寸比例为1:1的密集线阵列图形。
双重图形成形技术需要两次光刻和刻蚀，即光刻—刻蚀—光刻—刻蚀。其成本远远大于传统的单次曝光成形技术。降低双重图形成形技术的成本成为新技术开发的方向之一。美国专利US20100190104报道了在第一光刻图形24显影之后，在同一显影机台内，在第一光刻胶23上涂布含烷氧基的高分子凝固材料固化第一光刻胶23中第一光刻图形24的方法。采用此方法后的双重图形成形工艺过程为光刻(显影固化)—光刻—刻蚀。省略了原工艺中的第一刻蚀步骤，从而有效地降低了双重图形成形技术的成本。这种方法也称作双重曝光技术。
相移光掩模制作过程包括光刻—刻蚀—光刻—刻蚀等步骤。将两次刻蚀合并成一步刻蚀，替代原工艺中两步独立工艺，可以有效地降低相移光掩模制作的成本，并且可以提高生产产出量。
但是，根据现有技术的相移光掩模制作过程的步骤仍不够简化。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够有效减少相移光掩模的制作工艺中的刻蚀步骤，从而有效地提高产能和减少制作成本的相移光掩模制作方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种相移光掩模制作，其包括：第一步骤：在含有可成形硬膜第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形的结构;第二步骤：在第一光刻胶上涂布化学微缩材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使化学微缩材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，用去离子水或表面活性剂的去离子水溶液去除多余的化学微缩材料;第三步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;第四步骤：进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;第五步骤：通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。
优选地，第一光刻包括第一次曝光和显影。
优选地，第二光刻包括第二次曝光和显影。
优选地，第一光刻胶是含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷的光刻胶。
优选地，第一光刻胶和第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。
优选地，为含烷基氨基的水溶性高分子材料。
优选地，为含烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
优选地，第一光刻胶固化加热温度的围为80℃至180℃。
优选地，第一光刻胶固化加热温度的围为90℃至170℃。
根据本发明，利用双重曝光技术和可成形硬膜光刻胶，减少了相移光掩模制作工艺中的刻蚀步骤，可以有效地提高产能和减少制作成本。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1A示意性地示出了相移光掩模的结构。
图1B-1D示意性地示出了现有技术的相移光掩模制作工艺流程。
图2A2E示意性地示出了双重图形成形技术制作密集线阵列图形的过程。
图3A-3E示意性地示出了根据本发明实施例的相移光掩模制作方法的各个步骤。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明提出一种利用双重曝光技术和可成形硬膜光刻胶制作相移光掩模的工艺。具体地说，图3A–3E示意性地示出了根据本发明实施例的相移光掩模制作方法的各个步骤。
如图3A–3E所示，根据本发明实施例的相移光掩模制作方法包括：
第一步骤：在含有可成形硬膜第一光刻胶4的相移光掩模基板上（如图图1A所示），通过第一光刻（具体地说，第一次曝光和显影）在第一光刻胶4中形成第一版图图形5结构，如图3A所示。
第二步骤：在第一光刻胶4上涂布化学微缩材料RELACS以固化第一光刻胶4中第一版图图形5的结构，加热使化学微缩材料RELACS与第一光刻胶4表面反应以形成不溶于第二光刻胶6的隔离膜8，可用去离子水或表面活性剂的去离子水溶液去除多余的化学微缩材料RELACS，如图3B所示。
第三步骤：在固化后的第一光刻胶4上涂布第二光刻胶6，如图3C所示。
第四步骤：进行第二光刻（具体地说，第二次曝光和显影）从而在第二光刻胶6膜中形成第二版图图形7结构，如图3D所示。
第五步骤：通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形5和第二版图图形7分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜2和不透光的铬薄膜3中,完成相移光掩模制作，如图3E所示。
本工艺减少了制作相移光掩模工艺中的刻蚀步骤，可以有效地提高产能和减少制作成本。
其中，化学微缩材料RELACS(分辨率增强光刻辅助化学收缩)是一种化学收缩技术；化学微缩材料RELACS主要是由水溶性的高分子与交链剂所组成。化学微缩材料RELACS是一种已知材料，因此在此不再赘述。
优选地，第一光刻胶4可选用可形成硬膜的光刻胶，进一步优选的，第一光刻胶4是含硅烷基(silyl)、硅烷氧基(siloxyl)和笼形硅氧烷(silsesquioxane)的光刻胶。
优选地，第一光刻胶4和第二光刻胶6的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。
优选地，化学微缩材料RELACS为含烷基氨基的水溶性高分子材料。优选的，化学微缩材料RELACS为含烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料（参见美国专利7745077）。
优选地，第一光刻胶4固化加热温度的围为80℃至180℃；进一步优选的，90℃至170℃。
此外，需要说明的是，说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (9)

1.一种相移光掩模制作方法，其特征在于包括：
第一步骤：在含有可成形硬膜第一光刻胶的相移光掩模基板上，通过第一光刻在第一光刻胶中形成第一版图图形的结构;
第二步骤：在第一光刻胶上涂布化学微缩材料以固化第一光刻胶中第一版图图形的结构，加热使化学微缩材料与第一光刻胶表面反应以形成不溶于第二光刻胶的隔离膜，用去离子水或表面活性剂的去离子水溶液去除多余的化学微缩材料;
第三步骤：在固化后的第一光刻胶上涂布第二光刻胶;
第四步骤：进行第二光刻从而在第二光刻胶膜中形成第二版图图形的结构;
第五步骤：通过刻蚀将光刻胶中的第一版图图形和第二版图图形分别转移到部分透光的硅化鉬薄膜和不透光的铬薄膜中,完成相移光掩模制作。
2.根据权利要求1所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻包括第一次曝光和显影。
3.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第二光刻包括第二次曝光和显影。
4.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶是含硅烷基、硅烷氧基和笼形硅氧烷的光刻胶。
5.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶和第二光刻胶的抗刻蚀能力比大于等于1.5:1。
6.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，为含烷基氨基的水溶性高分子材料。
7.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，为含烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
8.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶固化加热温度的围为80℃至180℃。
9.根据权利要求1或2所述的相移光掩模制作方法，其特征在于，第一光刻胶固化加热温度的围为90℃至170℃。
CN2012103498503A 2012-09-19 2012-09-19 相移光掩模制作方法 Pending CN102841499A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012103498503A CN102841499A (zh) 2012-09-19 2012-09-19 相移光掩模制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2012103498503A CN102841499A (zh) 2012-09-19 2012-09-19 相移光掩模制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102841499A true CN102841499A (zh) 2012-12-26

Family

ID=47368993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2012103498503A Pending CN102841499A (zh) 2012-09-19 2012-09-19 相移光掩模制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102841499A (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103258795A (zh) * 2013-03-15 2013-08-21 上海华力微电子有限公司 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
CN103280403A (zh) * 2013-05-14 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 双栅氧器件的制造方法
CN103279015A (zh) * 2013-05-31 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法
CN103400753A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400754A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400755A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400758A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400757A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400756A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103489767A (zh) * 2013-09-22 2014-01-01 上海华力微电子有限公司 制作高均匀度栅极线条的方法
CN105140109A (zh) * 2015-07-22 2015-12-09 上海华力微电子有限公司 一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法
WO2017161683A1 (zh) * 2016-03-21 2017-09-28 京东方科技集团股份有限公司 刻蚀方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5595324A (en) * 1978-12-30 1980-07-19 Fujitsu Ltd Manufacturing method of semiconductor device
JP2006268035A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにグレートーンマスクブランク
CN101571674A (zh) * 2009-06-09 2009-11-04 上海集成电路研发中心有限公司 一种双重曝光方法
CN102236247A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光掩膜的制作方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5595324A (en) * 1978-12-30 1980-07-19 Fujitsu Ltd Manufacturing method of semiconductor device
JP2006268035A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法及びグレートーンマスク、並びにグレートーンマスクブランク
CN101571674A (zh) * 2009-06-09 2009-11-04 上海集成电路研发中心有限公司 一种双重曝光方法
CN102236247A (zh) * 2010-05-06 2011-11-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 光掩膜的制作方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103258795A (zh) * 2013-03-15 2013-08-21 上海华力微电子有限公司 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
CN103280403A (zh) * 2013-05-14 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 双栅氧器件的制造方法
CN103280403B (zh) * 2013-05-14 2015-04-08 上海华力微电子有限公司 双栅氧器件的制造方法
CN103279015A (zh) * 2013-05-31 2013-09-04 上海华力微电子有限公司 光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法
CN103400755A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400753B (zh) * 2013-08-14 2015-11-25 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400758A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400757A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400756A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400754B (zh) * 2013-08-14 2016-04-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400753A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400754A (zh) * 2013-08-14 2013-11-20 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400757B (zh) * 2013-08-14 2016-04-13 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400755B (zh) * 2013-08-14 2016-01-06 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400756B (zh) * 2013-08-14 2016-01-06 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103400758B (zh) * 2013-08-14 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN103489767A (zh) * 2013-09-22 2014-01-01 上海华力微电子有限公司 制作高均匀度栅极线条的方法
CN105140109A (zh) * 2015-07-22 2015-12-09 上海华力微电子有限公司 一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法
CN105140109B (zh) * 2015-07-22 2018-03-06 上海华力微电子有限公司 一种同时形成一维和二维光刻胶图形的方法
WO2017161683A1 (zh) * 2016-03-21 2017-09-28 京东方科技集团股份有限公司 刻蚀方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102841499A (zh) 相移光掩模制作方法
CN102830588A (zh) 相移光掩模制作方法
CN1960855B (zh) Uv刻印用的柔顺性的硬质模板
US20100311244A1 (en) Double-exposure method
US8822347B2 (en) Wet soluble lithography
CN102122113A (zh) 光刻方法
US7163888B2 (en) Direct imprinting of etch barriers using step and flash imprint lithography
US20130130161A1 (en) Photomask sets for fabricating semiconductor devices
CN104517802B (zh) 一种制作半导体器件的方法
CN103400753B (zh) 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN104428716A (zh) 用于抗图案崩坏处理的包含双子型添加剂的组合物
JPH0346316A (ja) レジストパターン形成方法
CN102866574B (zh) 相移光掩模制作方法
CN102879996A (zh) 相移光掩模制作方法
CN102866575B (zh) 相移光掩模制作方法
US10095115B2 (en) Forming edge etch protection using dual layer of positive-negative tone resists
CN102902153A (zh) 相移光掩模制作方法
CN103488058A (zh) 双重曝光制作高均匀度栅极线条的方法
CN1996141A (zh) 一种零留膜的压印模板及压印光刻图形转移方法
CN103258795A (zh) 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
US7678626B2 (en) Method and system for forming a thin film device
CN102881645B (zh) 通孔优先铜互连制作方法
CN1158570C (zh) 用一次光刻产生t形栅的移相掩模光刻方法
US7063939B2 (en) Method for high aspect ratio pattern transfer
CN103309151B (zh) 光刻胶的处理方法以及半导体器件的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121226