CN102739185B - 基底基板、振子、振荡器以及电子设备 - Google Patents
基底基板、振子、振荡器以及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102739185B CN102739185B CN201210096452.5A CN201210096452A CN102739185B CN 102739185 B CN102739185 B CN 102739185B CN 201210096452 A CN201210096452 A CN 201210096452A CN 102739185 B CN102739185 B CN 102739185B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- basal substrate
- distribution
- interarea
- grafting material
- oscillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims abstract description 14
- 235000014676 Phragmites communis Nutrition 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 71
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 62
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 62
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N barium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Ba+2] CSSYLTMKCUORDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 3,7-dioxido-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3,5,7-tetraborabicyclo[3.3.1]nonane Chemical compound O1B([O-])OB2OB([O-])OB1O2 GDTSJMKGXGJFGQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
- H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
Abstract
本发明提供基底基板、振子、振荡器以及电子设备,可确保密封性并实现低成本化。石英振子(1)的封装(20)具备:平板状的基底基板(21),其基材为单层;盖部(22),其具有凹部(22a)并覆盖基底基板(21);以及含有低熔点玻璃的接合材料(23),其设置于基底基板(21)的一个主面(21a)的全周,用于接合基底基板(21)和盖部(22),在基底基板(21)的一个主面(21a)上设有内部电极(24、25),在基底基板(21)的另一个主面(21b)上设有外部电极(26、27、28、29),配线(24a)含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,在一个主面(21a)上所述配线(24a)与接合材料(23)交叉。
Description
技术领域
本发明涉及封装、在该封装内具备振动片的振子、振荡器以及电子设备。
背景技术
以往,作为用于压电振子等压电器件、半导体元件等的封装,公知有如下结构的封装:在采用陶瓷类材料构成为单层的平板状的封装基体设置内部电极,该内部电极与设置于封装基体底面的外部电极经由贯穿封装基体的导电线路而连接(例如,参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开平9-283650号公报
上述封装以降低制造成本为目的,封装基体(以下称为“基座部”)为单层的平板状。
但是,上述封装是这样的结构:设置于基座部的内部电极与设置于基座部底面的外部电极经由贯穿基座部的导电线路(以下称为“贯通孔”)而连接。
由此,与没有贯通孔的结构相比,上述封装至少需要用于设置贯穿基座部的贯通孔的工时、和为了确保封装的密封性而将导电体填充到贯通孔中的工时。
其结果是,上述封装存在不能充分降低制造成本的问题。
因此,为了进一步降低制造成本,作为去掉上述封装的贯通孔的方案,考虑了如下结构:将设置于基座部全周的采用了金属喷镀层的接合材料替换为绝缘性的材料,将配线引出到基座部的外周,经由基座部的侧面,将内部电极与外部电极连接。
但是,在该结构的封装中,必然会产生接合材料与配线交叉(接合材料重叠在配线上)的部分(交叉部)。
由此,上述结构的封装可能产生这样的新问题:例如当接合材料采用具有绝缘性的低熔点玻璃时,在上述交叉部中,与通常采用的配线的紧贴性较差,无法确保封装的密封性,该配线是在W、Mo等的金属喷镀层上层叠Ni底层、Au覆盖层而得的。
发明内容
本发明正是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的,可作为以下方式或应用例来实现。
[应用例1]本应用例的封装的特征在于,该封装具备:平板状的基座部,其基材为单层;盖部,其具有凹部并在该凹部的开口侧覆盖所述基座部;以及含有低熔点玻璃的接合材料,其设置于所述基座部的一个主面的全周,用于接合所述基座部和所述盖部,在所述基座部的所述一个主面上设有内部电极,在所述基座部的另一个主面上设有外部电极,至少一组所述内部电极和所述外部电极利用配线彼此连接,所述配线经由连接所述基座部的所述一个主面和所述另一个主面的侧面而绕到所述一个主面和所述另一个主面上,所述配线含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,在所述一个主面上所述配线与所述接合材料交叉。
由此,关于封装,在基座部的一个主面上设有内部电极,在另一个主面上设有外部电极,至少一组内部电极和外部电极利用配线彼此连接,所述配线经由连接基座部的一个主面与另一个主面的侧面而绕到一个主面及另一个主面上。并且,配线含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,在一个主面上所述配线与含有低熔点玻璃的接合材料交叉(重叠)。
由此,关于封装,由于内部电极与外部电极的连接不需要在以往结构中所需要的贯通孔,因此,与以往结构相比,可减少制造工时。其结果是,封装可实现低成本化。
并且,关于封装,由于接合材料含有低熔点玻璃,而配线含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,因此两者的亲和性好,接合材料与配线的交叉部的紧贴性极其良好。
由此,关于封装,可在包含上述交叉部的全周范围充分地确保内部的密封性。
[应用例2]在上述应用例的封装中,优选的是,所述基座部的平面形状为大致矩形,所述配线在位于所述基座部的一个对角的第一角部、第二角部与所述接合材料交叉。
由此,关于封装,基座部的平面形状大致为矩形,并且配线在位于基座部的一个对角的第一角部、第二角部与接合材料交叉。
因此,关于封装,相比于例如配线在基座部的相邻的角部与接合材料交叉的情况,能够在倾斜较少且稳定的状态下将盖部与基座部接合。
其结果是,封装能够可靠地确保内部的密封性。
[应用例3]在上述应用例2的封装中,优选的是,另一所述配线在位于所述基座部的另一对角的第三角部、第四角部与所述接合材料交叉。
由此,关于封装,由于另一配线在位于基座部的另一对角的第三角部、第四角部与接合材料交叉,因此在基座部的第一角部至第四角部的所有角部,配线与接合材料交叉。
因此,与应用例3相比,封装能够在更稳定的状态下将盖部与基座部接合。
其结果是,封装能够更可靠地确保内部的密封性。
[应用例4]在上述应用例的封装中,优选的是,所述配线与所述接合材料正交。
由此,关于封装,由于配线与接合材料正交,因此两者的交叉部的长度为最短距离。
因此,关于封装,相比于配线与接合材料倾斜交叉而使两者的交叉部的长度变长的情况,可抑制产生因两者的交叉而引起的例如密封性不足等问题。
[应用例5]本应用例的振子的特征在于,其具备:上述应用例中的任一例中所述的封装;以及收纳在所述封装内的振动片。
由此,由于振子具备上述应用例中的任一例中所述的封装、和收纳在封装内的振动片,因此可提供起到上述应用例中的任一例中所述的效果的振子。
[应用例6]本应用例的振荡器的特征在于,其具备:上述应用例中的任一例中所述的封装;收纳在所述封装中的振动片;以及使所述振动片振荡的振荡电路。
由此,关于振荡器,由于具备上述应用例中的任一例中所述的封装;收纳在封装中的振动片;以及使振动片振荡的振荡电路,因此可提供起到上述应用例中的任一例中所述的效果的振荡器。
[应用例7]本应用例的电子设备的特征在于,其具备上述应用例中所述的振子或振荡器。
由此,由于电子设备具备上述应用例中所述的振子或振荡器,因此可提供起到上述应用例中所述的效果的电子设备。
附图说明
图1是示出第一实施方式的石英振子的概略结构的示意图,(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,(b)是沿着(a)中的A-A线的剖面图,(c)是从盖部侧透视的背面平面图。
图2是示出变形例1中的石英振子的概略结构的示意图,(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,(b)是沿着(a)中的B-B线的剖面图,(c)是从盖部侧透视的背面平面图。
图3是示出变形例2中的石英振子的概略结构的示意图,(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,(b)是沿着(a)中的A-A线的剖面图,(c)是从盖部侧透视的背面平面图。
图4是示出第2实施方式的石英振荡器的概略结构的示意图,(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,(b)是沿着(a)的C-C线的剖面图,(c)是从盖部侧透视的背面平面图。
图5是示出第3实施方式的便携电话的示意性立体图。
标号说明
1、2、3:作为振子的石英振子;5:作为振荡器的石英振荡器;10:作为振动片的石英振动片;11:振动部;12:基部;13:一个主面;14:另一个主面;15、16:激励电极;15a、16a:引出电极;20:封装;21:基座部;21a:一个主面;21b:另一个主面;21c、21d、21i、21k:侧面;21e:第一角部;21f:第二角部;21g:第三角部;21h:第四角部;22:盖部;22a:凹部;23:接合材料;23a、23b、23c、23d:交叉部;24、25:内部电极;24a、25a、28a、29a:配线;26、27、28、29:外部电极:30:接合部件;40:作为振荡电路的IC芯片;40a:连接焊盘;41、42、43、44、45、46:内部电极;41a、42a、43a、44a、45a、46a:配线;50:金属线;120:封装;121:基座部;121a:一个主面;121b:另一个主面;121c、121d、121i、121k:侧面;121e:第一角部;121f:第二角部;121g:第三角部;121h:第四角部;122:盖部;122a:凹部;123:接合材料;126、127、128、129:外部电极;700:便携电话;701:液晶显示装置;702:操作按钮;703:接听口;704:通话口;S、S1:内部空间。
具体实施方式
下面,参照附图来说明实现本发明的实施方式。
(第1实施方式)
首先,对作为振子的一例的石英振子进行说明。
图1是示出第一实施方式的石英振子的概略结构的示意图。图1(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,图1(b)是沿着图1(a)中的A-A线的剖面图,图1(c)是从盖部侧透视的背面平面图。在正面平面图中,省略了盖部。并且,各结构要素的尺寸比率与实际不同。
如图1所示,石英振子1具备:作为振动片的石英振动片10、以及收纳石英振动片10的封装20。
石英振动片10是由石英的原石等按预定的角度切出的AT切型,平面形状形成为大致矩形,石英振动片10具有进行厚度剪切振动(厚みすベり振動)的振动部11;和与振动部11连接的基部12。
关于石英振动片10,在基部12形成有引出电极15a、16a,该引出电极15a、16a从形成于振动部11的一个主面13和另一个主面14的激励电极15、16引出。
引出电极15a从一个主面13的激励电极15沿着石英振动片10的长度方向(纸面左右方向)引出到基部12,经由基部12的侧面绕到另一个主面14,延伸到另一个主面14的激励电极16的附近。
引出电极16a从另一个主面14的激励电极16沿着石英振动片10的长度方向引出到基部12,经由基部12的侧面绕到另一个主面13,延伸到一个主面13的激励电极15的附近。
激励电极15、16和引出电极15a、16a例如是以Cr为底层并在其上层叠Au后的结构的金属膜。
封装20具备:平板状的基座部21,其基材(成为主体的材料)为单层,平面形状大致为矩形;盖部22,其具有形成有内部空间S的凹部22a,凹部22a的开口侧覆盖基座部21;以及含有低熔点玻璃的接合材料23,其设置于基座部21的一个主面21a的外周部的全周,接合基座部21和盖部22。
基座部21采用单层的对陶瓷生片(ceramic green sheet)进行成型并烧结而成的氧化铝质烧结体、石英、玻璃、硅等。
盖部22采用与基座部21同样的材料、或者科瓦铁镍钴合金(Fe-Ni-Co合金)、42合金(Fe-Ni合金)、SUS304(不锈钢)等金属。
关于基座部21,在一个主面21a上设有大致矩形的内部电极24、25,所述内部电极24、25支承收纳在封装20的内部(内部空间S)的石英振动片10,在另一个主面21b上以沿着各角部的方式设有在安装于电子设备等的外部部件时所采用的大致矩形的外部电极26、27、28、29。
内部电极24与外部电极26通过配线24a彼此连接,所述配线24a经由连接基座部21的一个主面21a和另一个主面21b的侧面21c而绕到一个主面21a和另一个主面21b。
另一方面,内部电极25与外部电极27通过配线25a彼此连接,所述配线25a经由连接基座部21的一个主面21a和另一个主面21b的侧面21d而绕到一个主面21a和另一个主面21b。
由此,配线24a、25a在位于基座部21的一个对角的第一角部21e以及第二角部21f,与接合材料23交叉。
外部电极28、29单独地配置,不与其他部分连接。外部电极28、29例如用作在安装于外部部件时的固定用电极。
内部电极24、25、外部电极26、27、28、29、配线24a、25a包含具有玻璃成分的Ag-Pd合金,例如在膏状态下通过丝网印刷等进行涂布,然后利用烧结炉进行加热而硬化。
考虑到与接合材料23的紧贴性、安装到外部部件时的可靠性以及成本等,具有玻璃成分的Ag-Pd合金中的Pd含有率优选重量比大约为3%~20%。
配线24a、25a例如从一个主面21a和另一个主面21b悬垂而印刷到侧面21c、21d侧,以使悬垂部分垂下的方式进行吸引,使其绕到侧面21c、21d,从而一个主面21a侧与另一个主面21b侧连接。
含有低熔点玻璃的接合材料23的熔点(软化点)例如大约为320℃~380℃,在形成配线24a、25a后,在膏状态下通过丝网印刷等涂布到基座部21的一个主面21a的外周部的全周,然后,利用烧结炉进行加热而硬化。
接合材料23采用例如氧化钡(BaO)-氧化铅(PbO)系的低熔点玻璃、铋(Bi)系的无铅型低熔点玻璃。
如上所述,配线24a、25a在一个主面21a上与含有低熔点玻璃的接合材料23交叉(接合材料23重叠在配线24a、25a的上面(盖部22侧))。
具体而言,配线24a在第一角部21e,与将接合材料23中的沿着一个主面21a的一个长边延伸的部分和沿着一个短边延伸的部分连成倒角状的部分在交叉部23a正交。
另一方面,配线25a在第二角部21f,与将接合材料23中的沿着一个主面21a的另一个长边延伸的部分和沿着另一个短边延伸的部分连成倒角状的部分在交叉部23b正交。
关于封装20,在条件允许的情况下,也可以利用包含具有玻璃成分的Ag-Pd合金的材料仅形成配线24a、25a,利用不包含具有玻璃成分的Ag-Pd合金的W、Mo等金属喷镀层形成内部电极24、25、外部电极26、27、28、29。
关于石英振子1,经由导电性粘接剂、焊锡等接合部件30将石英振动片10支承于内部电极24、25。由此,石英振动片10的激励电极15、16经由引出电极15a、16a、接合部件30与内部电极24、25电连接。
关于石英振子1,在将石英振动片10支承在基座部21的内部电极24、25的状态下,利用盖部22覆盖基座部21,并利用接合材料23接合基座部21和盖部22,从而气密地封闭封装20的内部(内部空间S)。
封装20的内部成为真空状态(真空度高的状态)或者填充有氮、氦、氩等惰性气体的状态。
石英振子1通过经由外部电极26、27、内部电极24、25、接合部件30、引出电极15a、16a、激励电极15、16而从外部施加的驱动信号使石英振动片10的振动部11激励而以预定的频率振荡(谐振)。
如上所述,关于第一实施方式的石英振子1,在封装20的基座部21的一个主面21a上设有内部电极24、25,在另一个主面21b上设有外部电极26、27,内部电极24、25和外部电极26、27通过配线24a、25a彼此连接,所述配线24a、25a经由连接基座部21的一个主面21a与另一个主面21b的侧面21c、21d而绕到一个主面21a和另一个主面21b。
并且,关于石英振子1,配线24a、25a包含具有玻璃成分的Ag-Pd合金,所述配线24a、25a在一个主面21a上与含有低熔点玻璃的接合材料23交叉。
由此,由于内部电极24、25与外部电极26、27的连接不需要在以往结构中所需要的贯通孔,因此与现有结构相比,石英振子1的封装20可减少制造工时。其结果是,石英振子1的封装20可实现低成本化。
因此,石英振子1可实现低成本化。
并且,关于石英振子1的封装20,由于接合材料23含有低熔点玻璃,而配线24a、25a含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,因此两者的亲和性好,接合材料23与配线24a、25a的交叉部23a、23b的二者的紧贴性极其良好。
由此,石英振子1的封装20能够在包含上述交叉部23a、23b在内的全周范围充分地确保内部(内部空间S)的密封性。
因此,石英振子1可充分地确保密封性。
此外,关于石英振子1的封装20,由于配线24a、25a在交叉部23a、23b与接合材料23正交,因此两者交叉(重叠)的长度为最短距离。
由此,关于石英振子1的封装20,相比于配线24a、25a与接合材料23倾斜交叉而使两者的交叉部的长度变长的情况,可抑制产生因两者的交叉而引起的例如密封性降低等问题。
因此,石英振子1可抑制产生密封性降低等问题。
此外,关于石英振子1的封装20,基座部21的平面形状大致为矩形,并且配线24a、25a在位于基座部21的一个对角的第一角部21e、第二角部21f与接合材料23交叉。
因此,关于石英振子1的封装20,相比于例如配线24a、25a在基座部21的相邻的角部(例如第一角部21e和第三角部21g)与接合材料23交叉的情况,能够在倾斜较少且稳定的状态下将盖部22与基座部21接合。
其结果是,石英振子1的封装20能够可靠地确保内部的密封性。
因此,石英振子1能够可靠地确保密封性。
关于石英振子1的封装20,配线24a、25a与接合材料23也可以倾斜交叉,该倾斜交叉的结构也能够应用于下面的变形例、实施方式。
下面,对上述第一实施方式的变形例进行说明。
(变形例1)
图2是示出变形例1中的石英振子的概略结构的示意图。图2(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,图2(b)是沿着图2(a)中的B-B线的剖面图,图2(c)是从盖部侧透视的背面平面图。在正面平面图中,省略了盖部。此外,各结构要素的尺寸比率与实际不同。此外,对与上述第一实施方式相同的部分标注相同标号而省略详细的说明,并以不同于上述第一实施方式的部分为中心进行说明。
如图2所示,关于石英振子2,配线28a、29a在位于基座部21的一个主面21a的另一个对角的第三角部21g、第四角部21h与接合材料23交叉,所述配线28a、29a是经由连接封装20的基座部21的一个主面21a与另一个主面21b的侧面21i、21k而绕到一个主面21a和另一个主面21b并在另一个主面21b与外部电极28、29连接的另一配线。
具体而言,配线28a在第三角部21g,与将接合材料23中的沿着一个主面21a的一个长边延伸的部分和沿着一个短边延伸的部分连成倒角状的部分在交叉部23c正交。
另一方面,配线29a在第四角部21h,与将接合材料23中的沿着一个主面21a的另一个长边延伸的部分和沿着另一个短边延伸的部分连成倒角状的部分在交叉部23d正交。
配线28a、29a在一个主面21a上延伸到比接合材料23稍微靠近内侧的位置。
如上所述,关于石英振子2的封装20,由于配线28a、29a在位于基座部21的另一对角的第三角部21g、第四角部21h与接合材料23交叉,因此在基座部21的第一角部21e至第四角部21h的所有角部,配线24a、25a、28a、29a与接合材料23交叉。
由此,与第一实施方式相比,石英振子2的封装20能够在更稳定的状态下将盖部22与基座部21接合。
其结果是,石英振子2的封装20能够更可靠地确保内部的密封性。
因此,石英振子2能够更可靠地确保密封性。
(变形例2)
图3是示出变形例2中的石英振子的概略结构的示意图。图3(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,图3(b)是沿着图3(a)中的A-A线的剖面图,图3(c)是从盖部侧透视的背面平面图。在正面平面图中,省略了盖部。此外,各结构要素的尺寸比率与实际不同。此外,对与上述第一实施方式相同的部分标注相同标号而省略详细的说明,并以不同于上述第一实施方式的部分为中心进行说明。
如图3所示,关于石英振子3,除去了外部电极28、29(参照图1),并且外部电极26、27延伸到其位置。
由此,关于石英振子3,由于封装20的基座部21的外部电极26、27的面积变大,因此,与第一实施方式相比,例如,可使检查装置的探头容易接触,从而可容易地进行特性检查等。
此外,关于石英振子3,由于封装20的基座部21的外部电极26、27的面积变大,因此,与第一实施方式相比,可提高安装到外部部件时的连接可靠性。
(第二实施方式)
下面,对作为振荡器的一个示例的石英振荡器进行说明。
图4是示出第2实施方式的石英振荡器的概略结构的示意图。图4(a)是从盖部侧俯视的正面平面图,图4(b)是沿着图4(a)的C-C线的剖面图,图4(c)是从盖部侧透视的背面平面图。在正面平面图中,省略了盖部。此外,各结构要素的尺寸比率与实际不同。此外,对与上述第一实施方式相同的部分标注相同标号而省略详细的说明,并以不同于上述第一实施方式的部分为中心进行说明。关于石英振动片周围的剖面形状,参照图1(b)。
如图4所示,石英振荡器5具备:石英振动片10;收纳石英振动片10的封装120;以及作为使石英振动片10振荡(谐振)的振荡电路的IC芯片40。
关于石英振荡器5,由于石英振动片10与IC芯片40配置成在平面上不重叠,因此,例如与第一实施方式的石英振子1相比,平面尺寸增大。但是,石英振荡器5在厚度上与石英振子1相同。
封装120具备:平板状的基座部121,其基材是单层,平面形状大致为矩形;盖部122,其具有形成有内部空间S的凹部122a,凹部122a的开口侧覆盖基座部121;以及含有低熔点玻璃的接合材料123,其设置在基座部121的一个主面121a的外周部的全周,用于将基座部121与盖部122接合起来。
关于基座部121和盖部122的材料,由于与第一实施方式的基座部21及盖部22相同,因此省略说明。
关于基座部121,在一个主面121a上,除了设有内部电极24、25以外,还设有大致矩形的内部电极41、42、43、44、45、46,所述内部电极24、25支承收纳在封装120的内部(内部空间S1)的石英振动片10,所述内部电极41、42、43、44、45、46与IC芯片40的连接焊盘40a(简易地以“+”来表示)连接,在另一个主面121b上,沿着各角部设置有在安装到电子设备等外部部件时所采用的大致矩形的外部电极126、127、128、129。
内部电极24、25通过绕到基座部121的一个主面121a的配线42a、43a分别与内部电极42、43连接。
内部电极41与外部电极126通过配线41a彼此连接,所述配线41a经由连接基座部121的一个主面121a与另一个主面121b的侧面121c而绕到一个主面121a和另一个主面121b。
此外,内部电极44与外部电极128通过配线44a彼此连接,所述配线44a经由连接基座部121的一个主面121a与另一个主面121b的侧面121i而绕到一个主面121a和另一个主面121b。
并且,内部电极45与外部电极127通过配线45a彼此连接,所述配线45a经由连接基座部121的一个主面121a与另一个主面121b的侧面121d而绕到一个主面121a和另一个主面121b。
并且,内部电极46与外部电极129通过配线46a彼此连接,所述配线46a经由连接基座部121的一个主面121a与另一个主面121b的侧面121k而绕到一个主面121a和另一个主面121b。
由此,配线41a、45a在位于基座部121的一个对角的第一角部121e、第二角部121f与接合材料123交叉,配线44a、46a在位于基座部121的另一个对角的第三角部121g、第四角部121h与接合材料123交叉(换言之,接合材料123重叠在配线41a、44a、45a、46a的上面(盖部122侧))。
内部电极24、25、41、42、43、44、45、46、外部电极126、127、128、129、配线41a、42a、43a、44a、45a、46a含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,例如在膏状态下通过丝网印刷等涂布后,利用烧结炉加热而硬化。
考虑到与接合材料123的紧贴性、安装到外部部件时的可靠性、和成本等,具有玻璃成分的Ag-Pd合金中的Pd含有率优选按重量比大约为3%~20%。
含有低熔点玻璃的接合材料123的熔点(软化点)例如大约为320℃~380℃,在形成配线41a、44a、45a、46a后,在膏状态下通过丝网印刷等涂布到基座部121的一个主面121a的外周部的全周后,利用烧结炉加热而硬化。
接合材料123采用例如氧化钡(BaO)-氧化铅(PbO)系的低熔点玻璃、铋(Bi)系的无铅型的低熔点玻璃。
关于石英振荡器5,石英振动片10经由导电性粘接剂、焊锡等接合部件30被支承于内部电极24、25。由此,石英振动片10的激励电极15、16经由引出电极15a、16a、接合部件30与内部电极24、25电连接。
内置有振荡电路的IC芯片40采用未图示的粘接剂等将固定在基座部121的一个主面121a上。
IC芯片40的连接焊盘40a通过Au、Al等的金属线50与内部电极41、42、43、44、45、46连接。
对于IC芯片40的连接焊盘40a与内部电极41、42、43、44、45、46的连接,除了采用使用了金属线50的引线接合的连接方法以外,也可以采用使IC芯片40翻转过来的倒装芯片安装的连接方法等。
关于石英振荡器5,在石英振动片10支承于基座部121的内部电极24、25、并且IC芯片40与内部电极41、42、43、44、45、46连接的状态下,利用盖部122覆盖基座部121,利用接合材料123接合基座部121和盖部122,从而气密地封闭封装120的内部(内部空间S1)。
封装120的内部成为真空状态(真空度高的状态)或者填充有氮、氦、氩等惰性气体的状态。
石英振荡器5通过从IC芯片40经由金属线50、内部电极42、43、配线42a、43a、内部电极24、25、接合部件30、引出电极15a、16a以及激励电极15、16而施加的驱动信号,使石英振动片10以预定的频率振荡(谐振)。
并且,石英振荡器5经由IC芯片40、金属线50、内部电极41、44、45、46中的任一个(例如46)、外部电极126、127、128、129中的任一个(例如129)等将通过该振荡而产生的振荡信号输出到外部。
上述输出用以外的各外部电极(例如126、127、128)例如为电源、GND、输入(输出开/关的控制输入)的信号端子。
如上所述,由于在第二实施方式的石英振荡器5中石英振动片10和IC芯片40收纳在具有单层结构的基座部121的封装120中,因此可提供起到与上述第一实施方式及变形例1中所述的效果同样的效果的振荡器(例如可实现低成本化的振荡器)。
石英振荡器5也可以不将IC芯片40内置在封装120中而构成为外置结构的模块构造(例如将石英振子和IC芯片单独地搭载在一个基板上的结构)。
(第三实施方式)
下面,对作为具备上述第一实施方式和各变形例中所述的石英振子(振子)、或者在上述第二实施方式中所述的石英振荡器(振荡器)的电子设备的便携电话进行说明。
图5是示出第3实施方式的便携电话的示意性立体图。
图5所示的便携电话700构成为:具备在上述各实施方式及各变形例中所述的石英振子1~3中的任一个或者石英振荡器5作为基准时钟振荡源,并且具备液晶显示装置701、多个操作按钮702、接听口703以及通话口704。
上述的各石英振子1~3或者石英振荡器5不限于上述便携电话,可适合用作具备电子书、个人电脑、电视机、数码照相机、摄像机、录像机、导航装置、寻呼机、电子手册、台式电子计算机、文字处理器、工作站、电视电话、POS终端以及触摸面板的设备等的基准时钟振荡源等,在任一情况下均可提供起到在上述各实施方式及各变形例中所说明的效果的电子设备。
作为振动片的基材,不限于石英,也可以是钽酸锂晶体(LiTaO3)、焦硼酸锂(Li2B4O7)、铌酸锂(LiNbO3)、锆钛酸铅(PZT)、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AIN)等压电材料、或者硅等半导体材料。
Claims (8)
1.一种电子器件用的基底基板,其特征在于,
所述基底基板具备:
平板状的基材,其为单层;
位于所述基材的一个主面上的用于搭载电子部件的电极、被配置成包围所述电极并包含低熔点玻璃的接合材料、以及与所述用于搭载电子部件的电极连接并与所述接合材料交叉的配线;以及
位于另一个主面上的用于进行安装的电极,
所述配线含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,
所述基底基板通过所述接合材料与金属制的盖相接合,
所述基底基板的平面形状是大致矩形,
所述配线在位于所述基底基板的一个对角的两个角部与所述接合材料交叉。
2.一种电子器件用的基底基板,其特征在于,
所述基底基板具备:
平板状的基材,其为单层;
位于所述基材的一个主面上的用于搭载电子部件的电极、被配置成包围所述电极并包含低熔点玻璃的接合材料、以及与所述用于搭载电子部件的电极连接并与所述接合材料交叉的配线;以及
位于另一个主面上的用于进行安装的电极,
所述配线含有具有玻璃成分的Ag-Pd合金,
所述基底基板通过所述接合材料与金属制的盖相接合,
所述基底基板的平面形状是大致矩形,
所述配线在所述基底基板的四个角部与所述接合材料交叉。
3.根据权利要求1或2所述的基底基板,其特征在于,
所述基底基板具备这样的配线,该配线经由连接所述一个主面和所述另一个主面的侧面,将所述用于搭载电子部件的电极和所述用于进行安装的电极连接起来。
4.根据权利要求1或2所述的基底基板,其特征在于,
所述配线与所述接合材料正交。
5.根据权利要求3所述的基底基板,其特征在于,
所述配线与所述接合材料正交。
6.一种振子,其特征在于,
所述振子具备:
权利要求1至3中的任意一项所述的基底基板;
作为所述电子部件的振动片,其搭载于所述基底基板上;以及
金属制的盖,其与所述基底基板一起收纳所述振动片。
7.一种振荡器,其特征在于,
所述振荡器具备:
权利要求1至3中的任意一项所述的基底基板;
作为所述电子部件的振动片,其搭载于所述基底基板上;
金属制的盖,其与所述基底基板一起收纳所述振动片;以及
振荡电路,其使所述振动片振荡。
8.一种电子设备,其特征在于,
该电子设备具备权利要求1或2所述的基底基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011085160A JP2012222537A (ja) | 2011-04-07 | 2011-04-07 | パッケージ、振動子、発振器及び電子機器 |
JP2011-085160 | 2011-04-07 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102739185A CN102739185A (zh) | 2012-10-17 |
CN102739185B true CN102739185B (zh) | 2015-10-28 |
Family
ID=46965622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201210096452.5A Expired - Fee Related CN102739185B (zh) | 2011-04-07 | 2012-04-01 | 基底基板、振子、振荡器以及电子设备 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120256695A1 (zh) |
JP (1) | JP2012222537A (zh) |
KR (1) | KR20120115107A (zh) |
CN (1) | CN102739185B (zh) |
TW (1) | TWI493663B (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6163023B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2017-07-12 | 日本電波工業株式会社 | 水晶デバイス及び水晶デバイスの製造方法 |
JP6334101B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2018-05-30 | 京セラ株式会社 | 水晶デバイス |
JP6076219B2 (ja) * | 2013-07-30 | 2017-02-08 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 水晶デバイス |
JP6183156B2 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-08-23 | セイコーエプソン株式会社 | パッケージ、振動デバイス、発振器、電子機器及び移動体 |
JP2015142240A (ja) * | 2014-01-28 | 2015-08-03 | セイコーエプソン株式会社 | 量子干渉ユニット、量子干渉装置、原子発振器、電子機器および移動体 |
JP6487150B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2019-03-20 | 京セラ株式会社 | 水晶デバイス |
JP2016031949A (ja) * | 2014-07-25 | 2016-03-07 | 株式会社リコー | ウエハレベルパッケージング構造体及びその製造方法 |
JP6483369B2 (ja) * | 2014-07-29 | 2019-03-13 | 京セラ株式会社 | 水晶デバイス |
JP6540955B2 (ja) * | 2015-08-10 | 2019-07-10 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
KR102460754B1 (ko) * | 2016-03-17 | 2022-10-31 | 삼성전기주식회사 | 소자 패키지 및 그 제조방법 |
CN106374869A (zh) * | 2016-08-31 | 2017-02-01 | 成都晶宝时频技术股份有限公司 | 一种贴片式石英晶体谐振器基座 |
KR102414843B1 (ko) * | 2017-05-22 | 2022-06-30 | 삼성전기주식회사 | 음향파 디바이스 및 그 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6360600B1 (en) * | 1997-04-14 | 2002-03-26 | Denso Corporation | Angular velocity sensor, related method for manufacturing the sensor, and piezoelectric vibrator element used in this sensor |
EP1429459A2 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
CN2819647Y (zh) * | 2005-08-02 | 2006-09-20 | 珠海粤科清华电子陶瓷有限公司 | 一种晶体振荡器的陶瓷封装件 |
CN1918783A (zh) * | 2004-02-17 | 2007-02-21 | 精工爱普生株式会社 | 压电振荡器及其制造方法 |
JP2009194091A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 電子部品、電子機器、及びベース部材製造方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06152307A (ja) * | 1992-11-11 | 1994-05-31 | Meidensha Corp | 表面実装形圧電振動子 |
JPH088685A (ja) * | 1994-06-17 | 1996-01-12 | Toshiba Corp | 弾性表面波装置 |
JPH0884042A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-03-26 | Citizen Watch Co Ltd | パッケージ部材 |
JPH08340184A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Shimeo Seimitsu Kk | 電子部品収納用容器 |
JP2000049247A (ja) * | 1998-07-29 | 2000-02-18 | Nec Kansai Ltd | 電子素子封止用パッケージ及び電子素子封止構体、並びに電子素子封止構体の製造方法 |
AU7958700A (en) * | 1999-10-29 | 2001-05-14 | Nikko Company | Package for high-frequency device |
JP2002261570A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-13 | Citizen Watch Co Ltd | 水晶振動子用パッケージベースおよびそれを用いた水晶振動子パッケージ構造体の製造方法 |
JP2004153451A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子用ベース及びこれを用いた表面実装振動子 |
US7034441B2 (en) * | 2002-11-13 | 2006-04-25 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd | Surface mount crystal unit and surface mount crystal oscillator |
JP2004215039A (ja) * | 2003-01-06 | 2004-07-29 | Seiko Epson Corp | 圧電デバイス、圧電デバイスの製造方法、位置決め用治具、携帯電話装置及び電子機器 |
JP2005026411A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Seiko Epson Corp | 封止ガラス層の形成方法およびパッケージベース並びに圧電デバイス |
JP2005033450A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP4692722B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品用パッケージおよび電子部品 |
JP2007124591A (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Kyocera Kinseki Corp | 通信モジュール |
JP2010141415A (ja) * | 2008-12-09 | 2010-06-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器及びその製造方法 |
TW201110275A (en) * | 2009-05-13 | 2011-03-16 | Seiko Instr Inc | Electronic component, manufacturing method for electronic component, and electronic device |
JP5058321B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2012-10-24 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶振動子及びその製造方法 |
JP5002696B2 (ja) * | 2009-12-09 | 2012-08-15 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装水晶振動子及びその製造方法 |
-
2011
- 2011-04-07 JP JP2011085160A patent/JP2012222537A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-04-01 CN CN201210096452.5A patent/CN102739185B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-03 TW TW101111914A patent/TWI493663B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-04-03 KR KR1020120034300A patent/KR20120115107A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-04-06 US US13/441,324 patent/US20120256695A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6360600B1 (en) * | 1997-04-14 | 2002-03-26 | Denso Corporation | Angular velocity sensor, related method for manufacturing the sensor, and piezoelectric vibrator element used in this sensor |
EP1429459A2 (en) * | 2002-12-10 | 2004-06-16 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric oscillator, manufacturing method thereof, and electronic device |
CN1918783A (zh) * | 2004-02-17 | 2007-02-21 | 精工爱普生株式会社 | 压电振荡器及其制造方法 |
CN2819647Y (zh) * | 2005-08-02 | 2006-09-20 | 珠海粤科清华电子陶瓷有限公司 | 一种晶体振荡器的陶瓷封装件 |
JP2009194091A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 電子部品、電子機器、及びベース部材製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120256695A1 (en) | 2012-10-11 |
CN102739185A (zh) | 2012-10-17 |
TWI493663B (zh) | 2015-07-21 |
TW201244021A (en) | 2012-11-01 |
KR20120115107A (ko) | 2012-10-17 |
JP2012222537A (ja) | 2012-11-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN102739185B (zh) | 基底基板、振子、振荡器以及电子设备 | |
TWI303923B (zh) | ||
CN105306000A (zh) | 复合电子部件、振荡器、电子设备和移动体 | |
JP2005198237A (ja) | 圧電振動デバイス | |
JP2015041785A (ja) | 振動片、振動子、発振器、電子機器及び移動体 | |
JP2005033293A (ja) | 圧電デバイス | |
CN105322910B (zh) | 封装基体、封装、电子器件、电子设备和移动体 | |
JP2004128591A (ja) | 圧電発振器 | |
JP2013168467A (ja) | パッケージ、振動デバイス及び電子機器 | |
JP2012090083A (ja) | 振動デバイス及び電子機器 | |
JP2003198311A (ja) | 圧電デバイスと圧電振動片の接合方法、及び圧電デバイスを利用した携帯電話装置ならびに圧電デバイスを利用した電子機器 | |
JP2013120867A (ja) | パッケージ、電子デバイス及び電子機器 | |
JP2004222053A (ja) | 圧電デバイス、携帯電話装置及び電子機器 | |
JP2013153038A (ja) | パッケージ、振動デバイス及び電子機器 | |
JP3894284B2 (ja) | 圧電デバイス | |
JP2013157701A (ja) | パッケージ、振動デバイス及び電子機器 | |
JP2007096882A (ja) | 圧電発振器 | |
JP3620451B2 (ja) | 圧電デバイスのパッケージ構造 | |
JP2003051719A (ja) | リアルタイムクロックモジュール及び電子機器 | |
JP3894542B2 (ja) | 圧電部品の気密容器 | |
JP2003037441A (ja) | 圧電デバイス及び電子機器 | |
JP2006013681A (ja) | 圧電発振器および圧電発振器用パッケージ | |
JP2002299994A (ja) | 電子部品 | |
JP2010226195A (ja) | 圧電デバイス | |
JPH07321583A (ja) | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20151028 |