[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN102684462A - 新型低端mosfet/igbt负压箝位驱动电路及其控制方法 - Google Patents

新型低端mosfet/igbt负压箝位驱动电路及其控制方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102684462A
CN102684462A CN2012101762713A CN201210176271A CN102684462A CN 102684462 A CN102684462 A CN 102684462A CN 2012101762713 A CN2012101762713 A CN 2012101762713A CN 201210176271 A CN201210176271 A CN 201210176271A CN 102684462 A CN102684462 A CN 102684462A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mosfet pipe
switch mosfet
diode
voltage
negative pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2012101762713A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102684462B (zh
Inventor
陈宗祥
葛芦生
何胜方
宋斌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MAANSHAN ANGONG UNIVERSITY INTELLIGENT EQUIPMENT TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd.
Original Assignee
Anhui University of Technology AHUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Anhui University of Technology AHUT filed Critical Anhui University of Technology AHUT
Priority to CN201210176271.3A priority Critical patent/CN102684462B/zh
Publication of CN102684462A publication Critical patent/CN102684462A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102684462B publication Critical patent/CN102684462B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

本发明公开了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。它包括电路连接的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元；控制方法的步骤为：（1）控制S1与S4处于导通状态，S2与S3处于关断状态；（2）控制S1、S2、S3和S4处于关断状态，Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；（3）控制S2与S3处于导通状态，S1与S4处于关断状态，Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，Q瞬间被关断；（4）控制S1、S2、S3和S4都处于不导通状态，Q栅源极上的电压维持在U4上。其中S1、S2、S3、S4和Q均代表不同的MOSFET开关管。本发明提高了驱动电路的抗干扰能力，可有效防止开关器件的误导通。

Description

新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法
技术领域
本发明属于电力电子驱动领域，更具体地说，涉及一种负压驱动开关管的驱动电路及其电路控制方法。
背景技术
近几年，随着技术的发展，电压源驱动的开关频率已经逐渐超过了1MHz，但是开关频率过高，会带来一系列的问题，其中阻碍电压源驱动开关频率提高的主要障碍就是开关器件开通和关断过程中的损耗、门极驱动的损耗和开关器件输出电容的损耗，而电流源驱动正好可以解决上述问题，它可以极大的提高开关管的开关频率，减小开关损耗，因此被广泛应用。
电流源驱动通过一个恒定的电流信号对开关管进行充电和放电来达到减小开关损耗的作用，特别值得注意的是，电流源驱动最大的好处就是能够在开关管关断的过程中以小于零的负压关断开关管，相比于传统的驱动电路，电流源驱动电路能够在开关管关断过程中以更快的关断速度将其关断。但是，随着电路集成化程度的提高，作为电流源驱动电路中的重要元件电感，由于其体积大，难以集成化，所以电感成为了电流源驱动电路集成化的一个难点（Jizhen Fu.Topologies and modelings of novel bipolar gate driver techniques for next-generation high frequency voltage regulators[D]. Queen’s University Master’s thesis, 2010：73-76.）。
发明内容
本发明要解决的问题
针对现有技术中由于开关频率的不断升高而导致开关损耗加大等问题而提出了一种新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路及其控制方法，本发明的电路和方法加快了开关管的开关速度，提高了驱动电路的抗干扰能力，可有效防止开关器件的误导通。
技术方案
本发明的技术法案是这样实现的：
新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路，它包括负压箝位驱动单元，所述的负压箝位驱动单元与BOOST升压单元电路连接。
所述的负压箝位驱动单元由电源Vcc、自举电容C1、自举电容C2、二极管D1、二极管D2、MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4组成，所述的电源Vcc的负极接地，电源Vcc的正极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极连接，所述的自举电容C1的一端接入二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极之间，自举电容C1的另一端与自举电容C2连接，自举电容C2的另一端与和二极管D2正极连接，二极管D2的负极接地，所述MOSFET开关管S4的漏极与电源Vcc的正极相连，MOSFET开关管S3的漏极接在电容C1与C2之间，MOSFET开关管S3的源极与地连接，MOSFET开关管S4的源极接在MOSFET开关管S3的漏极上，MOSFET开关管S1的源极与BOOST升压单元中MOSFET开关管Q的栅极相连，MOSFET开关管S2的漏极与MOSFET开关管S1的源极连接，MOSFET开关管S2的源极接在电容C2和二极管D2之间。
所述负压箝位单元是通过控制四个MOSFET开关管S1、S2、S3、S4的开通关断时序，构成不同的回路， 对BOOST电路MOSFET Q进行充放电，以及自举电容C1，C2的箝位作用以此控制Q的导通关断，并将其箝位于电源电压或负压。
更进一步地，所述的BOOST升压单元由输入电源Vin、输入电容Cin、电感Lmain、MOSFET开关管Q、二极管DS、输出电容Cout和负载电阻R组成，输入电源Vin与输入电容Cin并联，电感Lmain、二极管DS和输出电容Cout依次串联后与输入电容Cin并联，电感Lmain的一端与输入电容的正极连接，电感Lmain的另一端与二极管DS的正极连接、二极管DS的负极与输出电容Cout的正极连接，输出电容Cout的负极接地，MOSFET开关管Q的漏极接在电感Lmain与二极管DS之间，MOSFET开关管Q的源极接地，所述负载电阻R并联在输出电容Cout的两端。
所述的BOOST升压单元由输入电源Vin供电，经过输入电容Cin稳压滤波后，通过控制MOSFET开关管Q通断来对主电路电感Lmain，输出电容Cout进行充放电，来达到升压的目的。
新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的控制方法，其步骤为：
主要是同时给负压箝位驱动单元中的MOSFET开关管S1、S2、S3、S4驱动信号，其中MOSFET开关管S1与S4的驱动信号相同，MOSFET开关管S2与S3的驱动信号相同，MOSFET开关管S1与S2的驱动信号相反，且两种信号之间留有一定的死区时间，具体包括以下步骤：
（1）首先控制负压箝位驱动单元的MOSFET开关管S1与MOSFET开关管S4处于导通状态，MOSFET开关管S2与MOSFET开关管S3处于关断状态，此时电源Vcc通过MOSFET开关管S4给自举电容C2充电，使自举电容C2上的电压值由零伏开始充电，最终达到U1，此电压值是忽略MOSFET开关管S4的导通压降后得到的，其中UD2为二极管D2上的导通压降；U1的计算公式如下：
U1=Vcc-UD2                                    （1）
电源Vcc通过二极管D1和MOSFET开关管S1给BOOST升压单元中MOSFET开关管Q充电，使其导通，充电电压值开始为U2，此电压值是忽略MOSFET开关管S1的导通压降后得到的，其中UD1为二极管D1上的导通压降；U2的计算公式如下：
                               U2= Vcc-UD1                                                      （2）
输入电源Vin开始对电感Lmain充电，随着自举电容C2上的电压值的增加，MOSFET开关管Q上的充电电压也随之增长，最终达到U3，并稳定在此值上，该过程的等效电路图如图3和图4所示；U3的计算公式如下：
                               U3=2Vcc-UD1-UD2                                （3）
（2）控制MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4都处于关断状态，由于二极管D1的反向截止作用，MOSFET开关管Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变，该过程的等效电路图如图5所示；
（3）控制MOSFET开关管S2与S3处于导通状态，而MOSFET开关管S1与S4处于关断状态，自举电容C2上的电压极性与MOSFET开关管Q上的栅源电压极性正好相反，形成反向箝位，由于电容上的电压不能突变，故MOSFET开关管Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，MOSFET开关管Q瞬间被关断，该过程的等效电路图如图6和图7所示，输入电源Vin和电感Lmain同时对输出电容Cout充电，完成升压功能；U4的计算公式如下：
                           U4=- Vcc +UD2                                  （4）
（4）控制MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4处于不导通状态，MOSFET开关管Q栅源极上的电荷没有放电回路，故MOSFET开关管Q栅源极上的电压维持在U4上，该过程的等效电路图如图8所示。
有益效果
相比于现有技术，本发明的优点在于：
（1）本发明的电路通过对自举电容C2充电，利用自举电容上的电压不能突变原理将MOSFET开关管Q反向关断，相比于传统驱动电路，该电路在仅仅使用一个正电源条件下，即可实现关断MOSFET的PWM信号为负电压，关断时间极短，防止了MOSFET关断时由于驱动电压波动而造成的误导通，并且大大减小了关断损耗；
（2）与传统电流源驱动电路相比，本发明的驱动电路中没有电感这类体积相对比较庞大的元器件，极大地减小了电路的体积，集成化程度高。
附图说明
图1：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路原理图；
图2：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路相关参数波形图；
图3：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的工作模态1等效电路图；
图4：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的工作模态2等效电路图；
图5：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的工作模态3等效电路图；
图6：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的工作模态4等效电路图；
图7：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的工作模态5等效电路图；
图8：新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的工作模态6等效电路图；
图9：开关频率为500KHz时MOSFET开关管Q栅源电压波形；
图10：开关频率为500KHz时MOSFET开关管Q栅源电压导通波形；
图11：开关频率为500KHz时MOSFET开关管Q栅源电压关断波形；
图中: 1-BOOST升压单元；2-负压驱动箝位单元。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例进一步描述本发明的技术方案。
实施例1
如图1，本实施例的新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路，它包括BOOST升压单元1和负压驱动箝位单元2。图2为新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路相关参数波形图，从图中可以看到，在一个周期内，即从t0-t6这段时间内，开关管Q的工作模态可以分为6个，具体每个工作模态如图3～图8所示。
BOOST升压单元1由14V输入电源Vin、50uf输入电容Cin、50uH电感Lmain、型号为FQDN10TM的MOSFET开关管Q、二极管DS、10uF输出电容Cout与负载电阻R组成，输入电源Vin与输入电容Cin并联，电感Lmain、二极管DS和输出电容Cout依次串联后与输入电容Cin并联，电感Lmain的一端与输入电容的正极连接，电感Lmain的另一端与二极管DS的正极连接、二极管DS的负极与输出电容Cout的正极连接，输出电容Cout的负极接地，MOSFET开关管Q的漏极接在电感Lmain与二极管DS之间，MOSFET开关管Q的源极接地，负载电阻R并联在输出电容Cout的两端。   
负压驱动箝位单元2由5.3V输入电源Vcc，型号为FDN335N 的MOSFET开关管S1，S2，S3，S4，5uF的自举电容C1与自举电容C2，二极管D1和二极管D2组成，电源Vcc的负极接地，电源Vcc的正极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极连接，自举电容C1的一端接入二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极之间，自举电容C1的另一端与自举电容C2连接，自举电容C2的另一端与和二极管D2正极连接，二极管D2的负极接地，MOSFET开关管S4的漏极与电源Vcc的正极相连，MOSFET开关管S3的漏极接在电容C1与C2之间，MOSFET开关管S3的源极与地连接，MOSFET开关管S4的源极接在MOSFET开关管S3的漏极上，MOSFET开关管S1的漏极与二极管D1的负极相连，MOSFET开关管S1的源极与BOOST升压单元1中MOSFET开关管Q的栅极相连，MOSFET开关管S2的漏极与MOSFET开关管S1的源极连接，MOSFET开关管S2的源极接在电容C2和二极管D2之间。
本实施例的新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的控制方法，其步骤为：
（1）首先控制负压箝位驱动单元2的MOSFET开关管S1与MOSFET开关管S4处于导通状态，MOSFET开关管S2与MOSFET开关管S3处于关断状态，此时电源Vcc为5.3V通过MOSFET开关管S4给5uF的自举电容C2充电，使自举电容C2上的电压值由零伏开始充电，最终达到4.6V，此电压值是忽略MOSFET开关管S4的导通压降后得到的，其中二极管D2上的导通压降为0.7V；5.3V的电源Vcc通过二极管D1和MOSFET开关管S1给BOOST升压单元1中MOSFET开关管Q充电，使其导通，充电电压值开始为4.6V，此电压值是忽略MOSFET开关管S1的导通压降后得到的，其中二极管D1上的导通压降为0.7V，14V的输入电源Vin开始对50uH电感Lmain充电，随着自举电容C2上的电压值的增加，MOSFET开关管Q上的充电电压也随之增长，最终达到9.2V，并稳定在此值上。如图3。
（2）控制MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4都处于关断状态，由于二极管D1的反向截止作用，MOSFET开关管Q栅源极上的电压始终维持在9.2V上不变。
（3）控制MOSFET开关管S2与S3处于导通状态，而MOSFET开关管S1与S4处于关断状态，自举电容C2上的电压极性与MOSFET开关管Q上的栅源电压极性正好相反，形成反向箝位，由于电容上的电压不能突变，故MOSFET开关管Q上的栅源电压将会被箝位在-4.6V上，MOSFET开关管Q瞬间被关断，该过程的等效电路图如图6和图7所示，14V的输入电源Vin和50uH的电感Lmain同时对10uF输出电容Cout充电，完成升压功能。
（4）控制MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4处于不导通状态，MOSFET开关管Q栅源极上的电荷没有放电回路，故MOSFET开关管Q栅源极上的电压维持在-4.6V上，该过程的等效电路图如图8所示。
令电路工作频率为f=500KHz， MOSFET开关管S1和S2，S3和S4相互之间的死区时间为20ns。图9为BOOST升压单元1中MOSFET开关管Q的栅源极电压VCGS的仿真波形，由图可知，在一个开关周期2us内，当MOSFET开关管Q导通后，其栅源极电压VCGS被稳定在9.8V左右，Q关断时，其栅源极电压VCGS被箝位于-4.6V左右，实现了以负压关断MOSFET开关管，并且开通与关断信号均小于MOSFET开关管Q的栅源电压承受的额定电压±20V。图10为BOOST升压单元1中MOSFET开关管Q导通阶段栅源电压VCGS波形图，由图10可知，MOSFET开关管Q的栅源电压VCGS经过约10ns的时间由-4.6V上升到9.8V，导通时间是比较快的，根据MOSFET的导通特性可知，驱动电压越高，开关管开启时间越短，开关管导通电阻越小，开关管性能越好。图11为BOOST升压单元1中MOSFET开关管Q关断阶段栅源电压VCGS波形图，由图11可知，MOSFET开关管Q导通时的栅源电压VCGS由9.8V下降到0V所用的时间为2.4ns，并且其后栅源电压VCGS继续下降并最终箝位在-4.6V，有效地防止了由于外界的干扰因素而导致的误导通。综上所述，相比于传统的驱动电路，本发明提出的驱动电路及其控制方法能够极大地降低开关管的导通与关断时间，有效地减小了开关损耗。

Claims (3)

1.新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路，它包括负压箝位驱动单元（2），所述的负压箝位驱动单元（2）与BOOST升压单元（1）电路连接，其特征在于：
所述的负压箝位驱动单元（2）由电源Vcc、自举电容C1、自举电容C2、二极管D1、二极管D2、MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4组成，所述的电源Vcc的负极接地，电源Vcc的正极与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极连接，所述的自举电容C1的一端接入二极管D1的负极与MOSFET开关管S1的漏极之间，自举电容C1的另一端与自举电容C2连接，自举电容C2的另一端与和二极管D2正极连接，二极管D2的负极接地，所述MOSFET开关管S4的漏极与电源Vcc的正极相连，MOSFET开关管S3的漏极接在电容C1与C2之间，MOSFET开关管S3的源极与地连接，MOSFET开关管S4的源极接在MOSFET开关管S3的漏极上，MOSFET开关管S1的源极与BOOST升压单元（1）中MOSFET开关管Q的栅极相连，MOSFET开关管S2的漏极与MOSFET开关管S1的源极连接，MOSFET开关管S2的源极接在电容C2和二极管D2之间。
2.根据权利要求1所述的新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路，其特征在于，所述的BOOST升压单元（1）由输入电源Vin、输入电容Cin、电感Lmain、MOSFET开关管Q、二极管DS、输出电容Cout和负载电阻R组成，输入电源Vin与输入电容Cin并联，电感Lmain、二极管DS和输出电容Cout依次串联后与输入电容Cin并联，电感Lmain的一端与输入电容Cin的正极连接，电感Lmain的另一端与二极管DS的正极连接、二极管DS的负极与输出电容Cout的正极连接，输出电容Cout的负极接地，MOSFET开关管Q的漏极接在电感Lmain与二极管DS之间，MOSFET开关管Q的源极接地，所述负载电阻R并联在输出电容Cout的两端。
3.新型低端MOSFET/IGBT负压箝位驱动电路的控制方法，同时给所述负压箝位驱动单元（2）中的MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4驱动信号，其中MOSFET开关管S1与MOSFET开关管S4的驱动信号相同，MOSFET开关管S2与MOSFET开关管S3的驱动信号相同，MOSFET开关管S1与MOSFET开关管S2的驱动信号相反，且两种信号之间留有一定的死区时间，具体包括以下步骤：
（1）首先控制负压箝位驱动单元（2）的MOSFET开关管S1与MOSFET开关管S4处于导通状态，MOSFET开关管S2与MOSFET开关管S3处于关断状态，此时电源Vcc通过MOSFET开关管S4给自举电容C2充电，使自举电容C2上的电压值由零伏开始充电，最终达到U1，其中UD2为二极管D2上的导通压降；U1的计算公式如下：
U1=Vcc-UD2                                                       （1）
电源Vcc通过二极管D1和MOSFET开关管S1给BOOST升压单元（1）中MOSFET开关管Q充电，使其导通，提供的充电电压值开始为U2，其中UD1为二极管D1上的导通压降；U2的计算公式如下：
                               U2= Vcc-UD1                                                             （2）
输入电源Vin开始对电感Lmain充电，随着自举电容C2上的电压值的增加，MOSFET开关管Q上的充电电压也随之增长，最终达到U3，并稳定在此值上，U3的计算公式如下：
                               U3=2Vcc-UD1-UD2                                   （3）
（2）控制MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4都处于关断状态，由于二极管D1的反向截止作用，MOSFET开关管Q栅源极上的电压始终维持在U3上不变；
（3）控制MOSFET开关管S2与S3处于导通状态，而MOSFET开关管S1与S4处于关断状态，自举电容C2上的电压极性与MOSFET开关管Q上的栅源电压极性正好相反，形成反向箝位，由于电容上的电压不能突变，故MOSFET开关管Q上的栅源电压将会被箝位在电压U4上，MOSFET开关管Q瞬间被关断，输入电源Vin和电感Lmain同时对输出电容Cout充电，完成升压功能；U4的计算公式如下： 
                           U4=- Vcc +UD2                                      （4）
（4）控制MOSFET开关管S1、MOSFET开关管S2、MOSFET开关管S3和MOSFET开关管S4处于不导通的状态，MOSFET开关管Q栅源极上的电荷没有放电回路，故MOSFET开关管Q栅源极上的电压维持在U4上。
CN201210176271.3A 2012-05-31 2012-05-31 低端mosfet负压箝位驱动电路及其控制方法 Active CN102684462B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210176271.3A CN102684462B (zh) 2012-05-31 2012-05-31 低端mosfet负压箝位驱动电路及其控制方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210176271.3A CN102684462B (zh) 2012-05-31 2012-05-31 低端mosfet负压箝位驱动电路及其控制方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102684462A true CN102684462A (zh) 2012-09-19
CN102684462B CN102684462B (zh) 2014-06-18

Family

ID=46815964

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210176271.3A Active CN102684462B (zh) 2012-05-31 2012-05-31 低端mosfet负压箝位驱动电路及其控制方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102684462B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104917359A (zh) * 2015-06-01 2015-09-16 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种上开关管驱动电路及应用其的同步boost电路
CN105281551A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 西门子公司 谐振转换器的激活电路
CN105634275A (zh) * 2016-03-23 2016-06-01 西安工业大学 开关电感Boost变换器
CN107852159A (zh) * 2015-05-27 2018-03-27 株式会社电装 驱动装置
CN110061621A (zh) * 2019-04-16 2019-07-26 杰华特微电子（杭州）有限公司 一种开关电源控制电路和方法及开关电源
WO2020029540A1 (zh) * 2018-08-08 2020-02-13 上海颛芯企业管理咨询合伙企业（有限合伙） 功率开关管的驱动电路及其装置
CN111130514A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 华为技术有限公司 开关装置的控制方法及控制装置
US11831307B2 (en) 2018-08-08 2023-11-28 Inventchip Technology Co., Ltd. Power switch drive circuit and device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0855788A1 (en) * 1997-01-23 1998-07-29 STMicroelectronics S.r.l. NMOS negative charge pump
US20090295362A1 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 Analog Devices, Inc. Voltage boost circuit without device overstress
CN100576706C (zh) * 2008-05-19 2009-12-30 深圳市联德合微电子有限公司 一种负电压输出电荷泵
CN102208805A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 上海宏力半导体制造有限公司 电源钳位电路

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0855788A1 (en) * 1997-01-23 1998-07-29 STMicroelectronics S.r.l. NMOS negative charge pump
CN100576706C (zh) * 2008-05-19 2009-12-30 深圳市联德合微电子有限公司 一种负电压输出电荷泵
US20090295362A1 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 Analog Devices, Inc. Voltage boost circuit without device overstress
CN102208805A (zh) * 2010-03-31 2011-10-05 上海宏力半导体制造有限公司 电源钳位电路

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIZHEN FU: "Topologies and modelings of novel bipolar gate driver techniques for next-generation high frequency voltage regulators", 《QUEEN"S UNIVERSITY MASTER"S THESIS》 *

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105281551A (zh) * 2014-06-25 2016-01-27 西门子公司 谐振转换器的激活电路
CN105281551B (zh) * 2014-06-25 2019-02-22 西门子公司 谐振转换器的激活电路
CN107852159A (zh) * 2015-05-27 2018-03-27 株式会社电装 驱动装置
CN107852159B (zh) * 2015-05-27 2021-03-16 株式会社电装 驱动装置
CN104917359B (zh) * 2015-06-01 2017-11-07 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种上开关管驱动电路及应用其的同步boost电路
CN104917359A (zh) * 2015-06-01 2015-09-16 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 一种上开关管驱动电路及应用其的同步boost电路
CN105634275A (zh) * 2016-03-23 2016-06-01 西安工业大学 开关电感Boost变换器
WO2020029540A1 (zh) * 2018-08-08 2020-02-13 上海颛芯企业管理咨询合伙企业（有限合伙） 功率开关管的驱动电路及其装置
US11165423B2 (en) 2018-08-08 2021-11-02 Shanghai Zhuanxin Corporation Management Consulting Partnership Power switch drive circuit and device
US11611339B2 (en) 2018-08-08 2023-03-21 Inventchip Technology Co., Ltd. Power switch drive circuit and device
US11831307B2 (en) 2018-08-08 2023-11-28 Inventchip Technology Co., Ltd. Power switch drive circuit and device
CN110061621A (zh) * 2019-04-16 2019-07-26 杰华特微电子（杭州）有限公司 一种开关电源控制电路和方法及开关电源
CN111130514A (zh) * 2019-12-30 2020-05-08 华为技术有限公司 开关装置的控制方法及控制装置
CN111130514B (zh) * 2019-12-30 2022-04-29 华为数字能源技术有限公司 开关装置的控制方法及控制装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102684462B (zh) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102684462B (zh) 低端mosfet负压箝位驱动电路及其控制方法
CN104319983B (zh) 一种用于开关电源中的源极驱动方法、驱动电路及开关电源
CN105827101A (zh) 电压转换集成电路、自举电路以及开关驱动方法
EP3724978A1 (en) Multi-level boost converter
CN104065251B (zh) 具有受控栅极放电电流的驱动器电路
CN103795385A (zh) 功率管驱动方法、电路及直流固态功率控制器
CN103269161B (zh) 恒流输出buck电源电路
CN109842279B (zh) 一种SiC MOSFET开环主动驱动电路
CN105553259B (zh) 自供电控制电路、控制方法及开关电路
CN108429445A (zh) 一种应用于电荷泵的软启动电路
CN111555595A (zh) 一种开启速率可控的GaN功率管栅驱动电路
CN103986315A (zh) 基于有源栅极电流控制方式的igbt电流源驱动电路及其控制方法
CN109478844B (zh) 一种内置供电电容的功率开关驱动电路
CN202696454U (zh) 栅极驱动电路
CN203933358U (zh) 一种用于高频低压系统的场效应管驱动电路
CN205249037U (zh) 开关三极管的自供电电路、led驱动模块及集成电路
CN203747779U (zh) 功率管驱动电路及直流固态功率控制器
CN106374739A (zh) 一种同步整流电路
CN103427631B (zh) 一种无刷直流电机功率变换器
CN104143972A (zh) 晶体管驱动电路以及驱动方法
CN209389936U (zh) 一种电磁阀驱动用的Boost快速升压电路
CN201418040Y (zh) 一种同步整流管的驱动电路
CN103997194B (zh) 一种buck电路中开关管的驱动方法
CN106329925B (zh) 一种双向直流功率变换器
CN103051185B (zh) 低功耗可控稳压电源电路

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210105

Address after: 243000 R & D Building 1, north side of Beijing Avenue, Ma'anshan demonstration park, Anhui Province

Patentee after: MAANSHAN ANGONG UNIVERSITY INTELLIGENT EQUIPMENT TECHNOLOGY INSTITUTE Co.,Ltd.

Address before: 243002 Anhui province Ma'anshan Huashan Lake District Road No. 59

Patentee before: ANHUI University OF TECHNOLOGY