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CN102576661A - 气体喷射装置和使用其的基底处理设备 - Google Patents

气体喷射装置和使用其的基底处理设备 Download PDF

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CN102576661A CN2010800385199A CN201080038519A CN102576661A CN 102576661 A CN102576661 A CN 102576661A CN 2010800385199 A CN2010800385199 A CN 2010800385199A CN 201080038519 A CN201080038519 A CN 201080038519A CN 102576661 A CN102576661 A CN 102576661A
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Abstract

本发明提供一种气体喷射装置和使用其的基底处理设备。该气体喷射装置包括多个气体喷射单元，多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方，基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底，多个气体喷射单元相对于基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到基底上。其中，多个气体喷射单元中的每一个均包括：顶板，顶板中设置有构造成引入处理气体的入口；以及喷射板，喷射板布置在顶板下方以沿基底支承部件的半径方向在喷射板与顶板之间限定气体扩散空间，喷射板具有在气体扩散空间下方的多个气体喷射孔，以将经入口引入并在气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到基底上。在多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中，处理气体在多个点引入气体扩散空间。

Description

气体喷射装置和使用其的基底处理设备
技术领域
本发明涉及气体喷射装置和使用其的基底处理设备，且更具体地涉及多个基底座置在基底支承部件上以执行诸如薄膜沉积之类的处理的基底处理设备和用于该基底处理设备的气体喷射装置。
背景技术
随着半导体器件的尺度逐渐减小，日益需要极薄的膜。另外，随着接触孔的大小减小，阶梯覆盖的局限性日益增加。因此，使用原子层沉积(ALD)法作为用于克服这些局限性的沉积方法。一般而言，ALD法是其中向基底单独供应各种源气体以通过源气体的表面浸透而形成薄膜的方法。
下文将简单描述ALD法的原理。当第一源气体被供应到腔室内时，该第一源气体与基底表面发生反应。结果，单原子层被化学地吸附到基底表面上。然而，当基底表面浸透有第一源气体时，单原子层上的第一源气体由于相同配体之间的不反应性而被物理地吸附，而不是被化学地吸附。当供应吹扫气体时，被物理地吸附的第一源气体被吹扫气体去除。当第二源气体被供应到第一单原子层上时，第二层通过第一源气体和第二源气体的配体之间的取代反应生长。由于不与第一层发生反应的第二源气体被物理地吸附，所以第二源气体被吹扫气体移动。第二层的表面可与第一源气体发生反应。上述处理形成一个循环，然后该循环被重复若干次以形成薄膜。
图1和2中图示了用于执行上述ALD法的现有技术基底处理设备。
图1是根据现有技术的气体喷射装置的示意性透视图。图2是根据现有技术的采用了图1的气体喷射装置的基底处理设备的示意性剖视图。
参见图1和2，根据现有技术的基底处理设备9包括具有内空间的腔室1和以可旋转的方式安装在腔室1内的基底支承部件2，多个基底s座置在该基底支承部件2上。用于将气体供应到基底上的气体喷射装置3安装在腔室1的上部。
气体喷射装置3由多个气体喷射单元4构成。气体喷射单元4沿圆周方向以一定角度和距离彼此间隔开。特别地，在气体喷射装置3的结构中，具有圆板形状的引导板5布置在气体喷射装置3的上部上，并且多个喷射板6联接到引导板5的下部。引导板5具有绕其中心点排列的多个气体喷射孔7，以通过气体喷射孔7将气体喷射到各气体喷射单元4。经气体喷射孔7喷射的气体在喷射板与引导板之间扩散并通过在喷射板6中成一行排列的气体喷雾孔8供应给基底s。
当基底支承部件2在腔室1内被旋转时基底支承部件2接连从各气体喷射单元4接收气体，以执行薄膜沉积处理。例如，基底支承部件2在薄膜沉积处理开始的时点接收第一源气体。然后，基底支承部件2接连接收吹扫气体、第二源气体和吹扫气体，以执行薄膜沉积处理。
然而，存在以下局限性：采用了气体喷射装置3的基底处理设备9具有不恒定的薄膜沉积均匀度。也就是说，为了将薄膜均匀地沉积在基底s的整个区域上，可能需要在基底s的整个区域上均匀地供应气体。然而，当使用如上所述构成的气体喷射装置3时，相对于基底s的整个区域，大量气体可能被供应到与基底支承部件2的中央侧相邻的基底s的部分上，且此外少量气体可能被供应到布置在基底支承部件2的周缘侧的基底s的部分上。
为了将气体均匀地供应到基底s的整个区域上，需要将经气体喷射孔7引入的气体均匀地扩散到气体喷射板6与引导板5之间的空间c内并经气体喷雾孔8排放气体。然而，如图2中使用箭头所示，经气体喷射孔7喷射的气体并未被均匀地扩散到空间c的整个区域内并经布置在基底支承部件2的中央侧的气体喷雾孔8集中排放。
图2中所示的基底处理设备9采用所谓的侧泵式，其中泵吸通路P布置在其外侧。因此，由于气体喷射孔7被迫限定在气体喷射装置3的中央侧中，所以气体由于腔室1的内侧与气体喷射装置3的内侧之间的压力差而未被充分地扩散到气体喷射装置3的内侧。
此外，由于基底支承部件2在被旋转的同时执行薄膜沉积处理，所以基底支承部件2的周缘侧被旋转一定距离，该距离大于基底支承部件2的中央侧在相同的时间被旋转的距离。因此，即使气体被均匀地供应到整个区域内，也可能减小在相同时间供应给基底支承部件2的周缘侧的气体的量。
因此，在一个基底s内，该基底s布置在基底支承部件2的周缘侧的部分和该基底s布置在基底支承部件2的中央侧的部分可能以彼此不同的厚度沉积。
发明内容
技术问题
本发明提供具有改进的结构以将气体均匀地供应到基底的整个区域上的气体喷射装置和使用其的基底处理设备。
技术方案
根据一个示例性实施例，一种气体喷射装置包括：多个气体喷射单元，多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方，基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底，多个气体喷射单元相对于基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到基底上，其中，多个气体喷射单元中的每一个均包括：顶板，顶板中设置有构造成引入处理气体的入口；以及喷射板，喷射板布置在顶板下方以沿基底支承部件的半径方向在喷射板与顶板之间限定气体扩散空间，喷射板具有在气体扩散空间下方的多个气体喷射孔，以将经入口引入并在气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到基底上，其中，在多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中，处理气体在多个点引入气体扩散空间。
根据另一示例性实施例，一种基底处理设备包括：具有内空间的腔室，在内空间内执行相对于基底的预定处理；基底支承部件，多个基底座置在基底支承部件上，基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内；以及气体喷射装置，气体喷射装置布置在基底支承部件上方以将气体喷射到基底上，气体喷射装置包括上述构造。
有益效果
在根据上述实施例的气体喷射装置和包括该气体喷射装置的基底处理设备中，由于处理气体均匀地扩散到气体喷射单元中的基底的整个区域上方，所以处理气体可均匀地喷射到基底的整个区域上方。
另外，根据实施例，当考虑基底支承部件的旋转时气体喷射孔的大小和排列密度可朝基底支承部件的周缘侧逐渐增大，且因此在实际处理中气体可被均匀地供应到基底的整个区域上方。
附图说明
图1是根据现有技术的气体喷射装置的分解透视图。
图2是采用了图1的气体喷射装置的基底处理设备的示意性剖视图。
图3是根据示例性实施例的气体喷射装置的示意性分解透视图。
图4是根据一个示例性实施例的采用了该气体喷射装置的基底处理设备的示意性剖视图。
图5是根据另一示例性实施例的采用了该气体喷射装置的基底处理设备的示意性剖视图。
图6是从下侧观察以显示气体喷射孔的构造时该气体喷射装置的平面图。
图7是用于解释中间板的连接孔的构造的示意性透视图。
具体实施方式
实施本发明的最佳模式
根据示例性实施例，中间板可布置在顶板与喷射板之间。气体扩散空间可具有被限定在顶板与中间板之间以与入口连通的第一气体扩散空间和被限定在中间板与喷射板之间以与气体喷射孔连通的第二气体扩散空间。与第二气体扩散空间连通的多个连接孔可被限定在中间板中的第一气体扩散空间的下侧。
此外，根据示例性实施例，可沿基底支承部件的半径方向设置多个入口。
此外，根据示例性实施例，气体喷射孔可具有沿基底支承部件的半径方向限定的多个第一喷射孔和沿基底支承部件的圆周方向限定的多个第二喷射孔。气体扩散空间可沿第一喷射孔和第二喷射孔的限定的方向限定。
用于实施本发明的模式
下文将参考附图详细描述根据示例性实施例的气体喷射装置和基底处理设备。
图3是根据示例性实施例的气体喷射装置的示意性分解透视图。图4是根据示例性实施例的采用了该气体喷射装置的基底处理设备的示意性剖视图。
参见图3和4，采用了根据示例性实施例的气体喷射装置的基底处理设备100包括腔室10、基底支承部件20和气体喷射装置90。
腔室10可提供在其中执行对基底的预定处理例如沉积处理的空间。当下文将描述的气体喷射装置90联接到腔室10的上部时，预定的空间部11被限定在腔室10内侧。由于腔室10的内空间部11应基本被维持在真空气氛，所以泵(未示出)布置在腔室10外侧。该泵(未示出)连接到限定在腔室10的底部的外侧的排气孔12。
此外，基底支承部件20的旋转轴22插入其中的通孔13被限定在腔室10的底部中。基底s通过布置在腔室10的侧壁上的闸阀(未示出)装载到腔室10内/从腔室10卸载。
基底支承部件20支承基底s并且包括支承板21和旋转轴22。支承板21具有平直圆板形状。支承板21水平地布置在腔室10内，并且旋转轴22竖直地布置在腔室10内的支承板21的下部上。旋转轴22经腔室10的通孔13延伸到外侧。然后，旋转轴22连接到驱动单元，以旋转并提升支承板21。旋转轴22被波纹管(未示出)包围，以防止腔室10内的真空气氛被旋转轴22与通孔13之间的空间释放。
多个基底座部23沿圆周方向布置在支承板21的上部上。基底座部23是凹入的，以防止基底s分离，从而即使支承板21被旋转也将基底s支承在支承板21的上部上。此外，加热器(未示出)安装在支承板21的下部上，以在预定的处理温度下加热基底s。
气体喷射装置90将诸如源气体、反应气体和吹扫气体之类的处理气体喷射到座置在基底支承部件20上的多个基底s上并且联接到腔室10的上部。
在当前实施例中，气体喷射装置90包括多个气体喷射单元u1至u10。气体喷射单元u1至u10相对于基底支承部件20的中心点沿圆周方向布置。气体喷射单元u1至u10中的每一个均包括顶板50、中间板60和喷射板70。顶板50为具有预定厚度的正方形板形状。各气体喷射单元u1至u10的中间板60和喷射板70接连联接到顶板50的下部。
也就是说，气体喷射单元u1至u10可沿顶板50的圆周方向分别占用部分顶板50以共用顶板50。具有与气体喷射单元u1至u10的数量相对应的数量的入口51布置在顶板50的中央部中。入口51相对于顶板50的中心点沿圆周方向布置。各入口51均选择性地连接到外部气体供应源(未示出)。
尽管顶板可如上所述整体地设置，即，气体喷射单元中的每一个的喷射板联接到顶板使得喷射板占用部分顶板，但本发明并不局限于此。例如，可对每个气体喷射单元单独设置顶板。也就是说，尽管未示出，但在另一示例性实施例中，框架可联接到腔室的上部。然后，多个顶板可沿圆周方向联接到该框架，并且喷射板可联接到各顶板的下部。如权利要求中陈述的顶板可与所有气体喷射单元成整体或者可设置有多个。在当前实施例中，可将整体的顶板50作为示例描述。
中间板60和喷射板70可允许引入顶板50的入口51的气体被均匀地喷雾到基底s的整个区域上。中间板60和喷射板70中的每一者均具有大致扇形。中间板60联接到顶板50的下部，并且喷射板70联接到中间板60的下部。
第一凹槽61沿基底支承部件20的半径方向被纵向地限定在中间板60的上部中。当中间板60被紧密地附接到顶板50时，第一气体扩散空间限定在第一凹槽61与顶板50的底部表面之间。第一气体扩散空间与被限定在顶板50中的入口51连通。此外，多个连接孔52和53穿过第一凹槽61的两侧的下部。
第二凹槽71在喷射板70的上部中凹入。第二凹槽71由沿基底支承部件20的半径方向纵向地布置的线性部71a和沿基底支承部件20的圆周方向从线性部71a的端部延伸的圆周部71b。当喷射板70被紧密地附接到中间板60时，第二气体扩散空间限定在中间板70的底部表面与第二凹槽71之间。
第二气体扩散空间连接到被限定在中间板60中的两个连接孔62和63，以与第一气体扩散空间连通。此外，多个第一喷射孔72穿过第二凹槽71的线性部71a的下部并且沿线性部71a成一行布置。此外，多个第二喷射孔73穿过圆周部71b的下部。第一喷射孔72和第二喷射孔73与基底s布置在其中的腔室10的空间部11连通。
在包括上述结构的气体喷射单元u1至u10中，顶板50的入口51可朝基底支承部件20的中心偏置地布置。所谓的侧泵结构，例如其中连接到泵(未示出)的排气孔12布置在基底支承部件20外侧的基底处理设备100，入口51应朝顶板50的中央侧偏置地布置。结果，当所供应的气体从基底支承部件20的中央侧朝外侧流动时大量气体可接触基底s。然而，如现有技术中所述，在其中入口51向内布置并且从外侧执行泵吸操作的结构中，气体并未在基底s的整个区域上方均匀地流动。因此，在当前实施例中，气体喷射单元u1至u10内的气体可被均匀地扩散到基底s的整个区域上方。
也就是说，在当前实施例中，如图4中使用箭头所示，引入入口51的处理气体可沿基底支承部件20的半径方向被扩散到两侧内，然后通过被限定在第一凹槽61的两侧中的连接孔62和63在两个点被引入第二气体扩散空间。然后，处理气体可在流向中央侧的同时排放到第一喷射孔72和第二喷射孔73内。
在现有技术中，引入单个入口的气体在气体未被充分地扩散的状态下经气体喷射孔喷射到基底上。然而，在当前实施例中，气体可首先经通过中间板60限定的第一气体扩散空间扩散到基底支承部件20的半径方向的两侧内，以允许气体在多个点(第一气体扩散空间的两端)被引入第二气体扩散空间内。因此，从两侧引入的气体可被扩散到第一气体扩散空间上方并均匀地供应到基底s的整个区域上方。
参见图3和4，气体喷射单元分为用于喷射源气体的源气体喷射单元u5、用于喷射反应气体的反应气体喷射单元u1、u9和u10以及用于喷射吹扫气体的吹扫气体喷射单元u2、u3、u7和u8。然而，由于气体喷射单元具有大致相同的构造，所以该分类仅基于被引入各气体喷射单元的气体的类型。也就是说，被引入每个气体喷射单元的气体根据待执行的处理改变，且因此气体喷射单元可采用不同的方式结合和改变。
例如，在当前实施例中，以参考标号u5表示的源气体喷射单元将包含诸如锆(Zr)之类的金属的源气体供应到基底支承部件20上，并且以参考标号u1、u9和u10表示的反应气体喷射单元将诸如与源气体发生反应的臭氧(O3)之类的反应气体供应到基底支承部件20上。尽管为方便起见分开描述源气体和反应气体，但如本发明的权利要求中陈述的原料气体可包括源气体和反应气体。
吹扫气体喷射单元u2、u3、u7和u8布置在源气体喷射单元u5与反应气体喷射单元u1、u9和u10之间。吹扫气体喷射单元u2、u3、u7和u8喷射诸如氮或氩之类的非反应性气体，以物理地去除未被化学地吸附到基底上的源气体和反应气体。
此外，在当前实施例中，中央吹扫气体喷射单元80可进一步设置在气体喷射单元的中央部中，以防止气体在源气体喷射单元u5与反应气体喷射单元u1、u9和u10之间混合。在中央吹扫气体喷射单元80中，气体引导孔52被限定在顶板50的中央部中，并且多个喷射孔81被限定在气体引导孔52下方，以将吹扫气体喷射到基底支承部件20的中央侧上。喷射吹扫气体以形成气帘，从而防止源气体和反应气体在基底支承部件20的中央侧互相混合。
在当前实施例中，喷射相同气体的气体喷射单元可彼此相邻地布置以作为一组而形成气体喷射区块。参见图3和5，三个反应气体喷射单元u1、u9和u10彼此相邻地布置，以形成反应气体区块RB。此外，吹扫气体喷射单元u2、u3、u7和u8的两个组u2和u3以及u7和u8布置在反应气体喷射区块RB的两侧上，以形成吹扫气体喷射区块PB。
此外，尽管未示出，但根据实施例，气体喷射单元可具有不同的面积。例如，如果在当前实施例中两个吹扫气体喷射单元形成吹扫气体喷射区块PB，则另一实施例中的吹扫气体喷射单元可具有与吹扫气体喷射区块PB相同的面积。
在示例性实施例中，缓冲喷射单元布置在源气体喷射单元与吹扫气体喷射单元之间。缓冲喷射单元构造成将源气体喷射单元与吹扫气体喷射单元间隔开。此外，未将单独的处理气体引入缓冲喷射单元。然而，由于缓冲喷射单元具有与其它气体喷射单元相同的结构，所以如果需要的话处理气体可被选择性地引入缓冲喷射单元。
在当前实施例中，两个缓冲喷射单元布置在源气体喷射单元u5与吹扫气体喷射单元u3和u7之间，以防止源气体和吹扫气体彼此混合。
在如上所述构成的当前实施例中，当基底支承部件20在处理气体从各气体喷射单元u1至u10喷射的同时旋转时，座置在基底支承部件20上的多个基底s接连暴露于源气体、吹扫气体、反应气体和吹扫气体，以在通过基底s的顶面上的源气体和反应气体的配体之间的替代反应而形成层的同时沉积薄膜。在当前实施例中，由于气体经各气体喷射单元中的第一气体扩散空间和第二气体扩散空间被均匀地供应到基底s的整个区域上方，所以薄膜可均匀地沉积在基底s的整个区域上。
如上所述，为了将气体均匀地扩散到基底s的整个区域上方，可能希望将气体完全扩散到被直接限定在用以喷射气体的气体喷射孔上方的气体扩散空间内。为此，在多个点将气体引入气体扩散空间可能很重要。也就是说，如果气体在单个点被引入气体扩散空间，则气体可能在气体未被充分地扩散到气体扩散空间内的状态下排放到气体喷射孔内，如现有技术中所述。
在当前实施例中，即使一个入口51连接到各气体喷射单元50，气体也可经中间板60被分割到两个通路中使得气体在多个点(两个点)被引入被直接限定在第一喷射孔72和第二喷射孔73上方的第二气体扩散空间内。
然而，与上述结构不一样的是，气体可在多个点被引入气体扩散空间。将参考图5描述此结构。图5是根据另一示例性实施例的采用了气体喷射装置的基底处理设备的示意性剖视图。
参见图5，与上述实施例不一样，根据另一示例性实施例的基底处理设备200包括仅由顶板50和喷射板70构成的气体喷射装置50。省略了根据上述实施例的中间板60。然而，气体在两个点引入被限定在顶板50与喷射板70之间的气体扩散空间内。也就是说，多个入口51和53布置在各气体喷射单元的顶板50中。因此，气体可在多个点被引入气体扩散空间内。特别地，在另一示例性实施例中，由于入口51和53分别布置在沿基底支承部件20的半径方向的两端上，所以经入口51和53引入的气体可如图5中的箭头所示沿彼此接近的方向流动。结果，经两个入口51和53引入的气体可被完全扩散到气体扩散空间内，然后经喷射孔72被均匀地喷射到基底s的整个区域上方。
此外，在设置多个入口的情况下，经向外布置的入口53引入的处理气体的量可大于经邻近基底支承部件20的中央侧布置的入口51引入的处理气体的量。也就是说，由于在基底支承部件20被旋转的同时执行处理，所以即使相同的气体量沿基底s的直径方向被供应到基底s的整个区域上方，布置在基底支承部件20的周缘侧的基底s的部分也可在相同的时间具有大于在基底支承部件20的中央侧的基底s的部分的旋转运动量。因此，在基底支承部件20的周缘侧的部分可具有小于在基底支承部件20的中央侧的部分的接触量。因此，为了将处理气体均匀地供应到基底s的整个区域上方，经邻近基底支承部件20的中央侧布置的入口喷射的处理气体的量应当大于经向外布置的入口喷射的处理气体的量。
在未在另一实施例中描述的构件中，具有与前述实施例相同的参考标号的构件具有与前述实施例相同的结构和操作。因此，将省略对与前述实施例相同的构件的描述。
到目前为止，为了将气体均匀地喷射到基底s的整个区域上方，描述了气体被完全扩散到气体喷射单元u1至u10中的结构。然而，为了将气体均匀地喷射到基底s的整个区域上方，需要调节气体喷射孔的排列。也就是说，如在现有技术中所述，由于在基底支承部件20被旋转的同时执行处理，所以即使相同的气体量沿基底s的直径方向被供应到基底s的整个区域上方，布置在基底支承部件20的周缘侧的基底s的部分也可在相同的时间具有大于在基底支承部件20的中央侧的基底s的部分的旋转运动量。因此，在基底支承部件20的周缘侧的部分可具有小于在基底支承部件20的中央侧的部分的气体接触量。
因此，在当前实施例中，如图6中所示，可调节气体喷射孔的排列和大小，以将更多的气体喷射到布置在基底支承部件20的周缘侧的基底s的部分。参见图6，各第一喷射孔72具有从基底支撑部20的中央侧向外逐渐增大的直径，且此外第一喷射孔72具有从基底支承部件20的中央侧向外逐渐增大的排列密度。因此，可朝外侧喷射更多的气体。此外，第二喷射孔73可沿基底支承部件20的圆周方向被限定，以将更多的气体供应到基底支承部件20的外部上。
然而，可能需要调节被限定在中间板60中的气体喷射孔和连接孔的排列。也就是说，如图7中所示，与图3的中间板相比，较大数量的连接孔可被限定在中间板60’中。参见图7，多个连接孔c沿基底支承部件20的半径方向成一行被限定在中间板60’中。连接孔c的数量从基底支承部件20的中央侧朝外侧逐渐增加，并且，各连接孔c具有从基底支承部件20的中央侧向外逐渐增大的尺寸。因此，经入口引入的处理气体可经被限定在基底支承部件20的周缘侧的连接孔进一步排放，以增强处理气体向整个气体扩散空间内的扩散。
也就是说，如图6和7中所示，在中间板60’的连接孔c和喷射板的第一喷射孔72的排列中，可在基底支承部件20的周缘侧中限定数量比在基底支承部件20的中央侧大的连接孔c和第一喷射孔72。此外，连接孔c和第一喷射孔72中的每一者均可具有从基底支承部件20的中央侧向外逐渐增大的尺寸。考虑基底支承部件20的旋转，可调节连接孔c和第一喷射孔72的排列和尺寸，以实现在基底s的整个区域上方的大致均匀的气体供应。
在实施例中，气体在多个点被引入气体扩散空间，以将气体完全扩散到气体喷射单元u1至u10中，且此外，较大数量的气体喷射孔沿基底支承部件20的半径方向被限定在气体喷射单元u1至u10的周缘侧，以将气体均匀地供应到基底s的整个区域上方。因此，可使用气体喷射装置90以及基底处理设备100和200保证沉积在基底s上的薄膜的均匀度。
虽然顶板50与中间板60之间的第一气体扩散空间由第一凹槽61和顶板50的底部表面限定在中间板60中，但本发明并不局限于此。例如，凹槽可凹入顶板50的底部表面中，以限定第一气体扩散空间。以相同的方式，可通过在中间板60的底部表面中限定凹槽来限定第二气体扩散空间。
尽管限定在喷射板70中的第二凹槽71包括线性部和圆周部，第一喷射孔被限定在线性部下方，并且第二喷射孔被限定在圆周部下方，但可仅设置线性部和第一喷射孔而不设置圆周部和第二喷射孔。
虽然已参考本发明的示例性实施例特别示出和描述了本发明，但本领域的普通技术人员应理解，可在本发明中作出各种形式和细节的更改而不偏离如通过以下权利要求限定的本发明的精神和范围。

Claims (15)

1.一种气体喷射装置，包括：
多个气体喷射单元，所述多个气体喷射单元布置在基底支承部件上方，所述基底支承部件以可旋转的方式布置在腔室内以支承多个基底，所述多个气体喷射单元相对于所述基底支承部件的中心点沿圆周方向布置以将处理气体喷射到所述基底上，
其中，所述多个气体喷射单元中的每一个均包括：
顶板，所述顶板中设置有构造成引入所述处理气体的入口；以及
喷射板，所述喷射板布置在所述顶板下方以沿所述基底支承部件的半径方向在所述喷射板与所述顶板之间限定气体扩散空间，所述喷射板具有在所述气体扩散空间下方的多个气体喷射孔，以将经所述入口引入并在所述气体扩散空间内扩散的处理气体喷射到所述基底上，
其中，在所述多个气体喷射单元中的至少一个气体喷射单元中，所述处理气体在多个点引入所述气体扩散空间。
2.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，中间板布置在所述顶板与所述喷射板之间，
所述气体扩散空间包括限定在所述顶板与所述中间板之间并且连接到所述入口的第一气体扩散空间和限定在所述中间板与所述喷射板之间并且连接到所述气体喷射孔的第二气体扩散空间，并且
所述中间板包括限定在所述第一气体扩散空间下方并且连接到所述第二气体扩散空间的多个连接孔。
3.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，构造成引入所述处理气体的所述入口朝所述基底支承部件的中央侧偏置地布置。
4.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，沿所述基底支承部件的半径方向设置了多个所述入口。
5.根据权利要求4所述的气体喷射装置，其中，经邻近所述基底支承部件的中央侧布置的所述入口引入的处理气体的量相对小于经沿所述基底支承部件的半径方向布置在所述基底支承部件的周缘侧的所述入口引入的处理气体的量。
6.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，所述气体喷射孔包括沿所述基底支承部件的半径方向限定的多个第一喷射孔和沿所述基底支承部件的圆周方向限定的多个第二喷射孔，并且所述气体扩散空间沿所述第一喷射孔和所述第二喷射孔的排列方向限定。
7.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，所述顶板具有选自以下结构的一种结构：这样一种结构，其中所述顶板整体地设置，所述气体喷射单元中的每一个的所述喷射板相对于所述基底支承部件的中心沿圆周方向布置以占用所述顶板的一部分，并且所述气体喷射单元中的每一个均联接到所述顶板的下部；和这样一种结构，其中对每个气体喷射单元均单独设置多个所述顶板，所述多个顶板相对于所述基底支承部件的中心沿圆周方向布置并且分别固定到联接于所述腔室的上部的框架上。
8.根据权利要求2所述的气体喷射装置，其中，所述中间板中所限定的所述连接孔的数量限定为沿所述基底支承部件的半径方向在所述基底支承部件的周缘侧比在所述基底支承部件的中央侧大。
9.根据权利要求2所述的气体喷射装置，其中，所述中间板中所限定的所述多个连接孔当中的沿所述基底支承部件的半径方向限定在所述基底支承部件的周缘侧的连接孔中的每一个的直径均大于限定在所述基底支承部件的中央侧的连接孔中的每一个的直径。
10.根据权利要求1所述的气体喷射装置，其中，所述气体喷射单元包括构造成喷射源气体的多个源气体喷射单元和构造成喷射吹扫气体的多个吹扫气体喷射单元。
11.根据权利要求10所述的气体喷射装置，还包括中央吹扫气体喷射单元，所述中央吹扫气体喷射单元布置在沿所述基底支承部件的圆周方向布置的所述多个气体喷射单元的中央部，使得用于吹扫所述源气体的吹扫气体朝所述基底支承部件的中央侧供应。
12.根据权利要求10所述的气体喷射装置，其中，所述源气体喷射单元和所述吹扫气体喷射单元当中彼此相邻地布置以喷射相同气体的两个或更多喷射单元分组以形成气体喷射区块。
13.根据权利要求12所述的气体喷射装置，其中，所述源气体喷射单元包括构造成喷射所述源气体的喷射单元和构造成喷射与所述源气体发生反应的反应气体的喷射单元，并且构造成喷射所述源气体的所述多个喷射单元或构造成喷射所述反应气体的所述多个喷射单元分组以形成气体喷射区块。
14.根据权利要求10所述的气体喷射装置，其中，经其选择性地喷射或不喷射气体的缓冲喷射单元布置在所述多个气体喷射单元之间。
15.一种基底处理设备，包括：
具有内空间的腔室，在所述内空间内执行相对于基底的预定处理；
基底支承部件，多个基底座置在所述基底支承部件上，所述基底支承部件以可旋转的方式布置在所述腔室内；以及
气体喷射装置，所述气体喷射装置布置在所述基底支承部件上方以将气体喷射到所述基底上，所述气体喷射装置是根据权利要求1至14中任一项所述的气体喷射装置。
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