CN102496683A - 可挠式有机发光装置及其制作方法 - Google Patents
可挠式有机发光装置及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102496683A CN102496683A CN2011103961191A CN201110396119A CN102496683A CN 102496683 A CN102496683 A CN 102496683A CN 2011103961191 A CN2011103961191 A CN 2011103961191A CN 201110396119 A CN201110396119 A CN 201110396119A CN 102496683 A CN102496683 A CN 102496683A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- organic light
- layer
- isolation layer
- emitting units
- flexible substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 176
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 125
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 75
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 40
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 230
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- -1 dioctyl phthalate alcohol ester Chemical class 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N Di-n-octyl phthalate Natural products CCCCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC MQIUGAXCHLFZKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Zn+2] JYMITAMFTJDTAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012462 polypropylene substrate Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种可挠式有机发光装置，包括可挠基板、有机发光单元以及覆盖基板。有机发光单元配置于可挠基板上，其包括第一电极层、第二电极层以及有机发光层。第一电极层与第二电极层配置于可挠基板上。有机发光层配置于第一电极层与第二电极之间。覆盖基板包括基材、隔绝层以及粘着层。基材的内表面面对可挠基板的内表面，且基材与可挠基板形成一空间。隔绝层配置于基材的内表面上，其中隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm。粘着层配置于隔绝层与基材的内表面之间，且粘着层覆盖隔绝层与有机发光单元并充满所述空间。
Description
技术领域
本发明是有关于一种发光装置及其制作方法，且特别是有关于一种可挠式有机发光装置及其制作方法。
背景技术
有机发光装置具有轻薄、自发光、低消耗功率、不需背光源、无视角限制及高反应速率等优良特性，已被视为平面显示器的明日的星。另外被动式有机发光装置可在轻薄、可挠式的基材上形成阵列结构，所以也非常适合应用于照明，因此有机发光装置在照明设备上将扮演非常重要的角色。
然而，为了将有机发光装置运用的领域更广，因此开发出可挠式有机发光装置。一般来说，在制作可挠式有机发光装置的工艺中，会先将可挠基板贴附或形成于载板上，再于可挠基板上进行有机发光元件的制作以及将一盖板来封装有机发光元件等步骤，而后藉由使可挠基板与载板分离，以完成可挠式有机发光装置的制作。然而，在分离可挠基板与载板的步骤中，由于可挠基板与盖板的杨氏系数不同，因此可挠基板与盖板会产生向内挤压的应力，以及盖板会对有机发光元件产生向上的拉扯应力，导致有机发光装置中的膜层产生剥离。如此一来，可挠式有机发光装置被损坏而无法正常操作。
发明内容
本发明提供一种可挠式有机发光装置，其具有良好的元件特性。
本发明另提供一种可挠式有机发光装置的制作方法，其具有较佳的良率。
本发明提出一种可挠式有机发光装置，包括可挠基板、有机发光单元以及覆盖基板。有机发光单元配置于可挠基板上，其包括第一电极层、第二电极层以及有机发光层。第一电极层与第二电极层配置于可挠基板上。有机发光层配置于第一电极层与第二电极层之间。覆盖基板包括基材、隔绝层以及粘着层。基材的内表面面对可挠基板的内表面，且基材与可挠基板形成一空间。隔绝层配置于基材的内表面上，其中隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm。粘着层配置于隔绝层与基材的内表面之间，且粘着层覆盖隔绝层与有机发光单元并充满所述空间。
本发明另提出一种可挠式有机发光装置的制作方法。提供可挠基板。于可挠基板上形成有机发光单元。有机发光单元包括第一电极层与第二电极层以及有机发光层，第一电极层与第二电极层配置于可挠基板上，以及有机发光层配置于第一电极层与第二电极之间。于可挠基板上提供覆盖基板。提供覆盖基板的步骤包括：提供基材，基材的内表面面对可挠基板的内表面，且基材与可挠基板形成一空间。于基材的内表面上配置隔绝层，其中隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm。于隔绝层与基材的内表面之间配置粘着层，且粘着层覆盖隔绝层与有机发光单元并充满所述空间。
基于上述，在本发明的可挠式有机发光装置及其制作方法中，藉由使隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm，以避免有机发光单元中的膜层发生剥离。在一实施例中，由于隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm且小于第二电极层与有机发光层之间的附着力，因此能避免第二电极层由其与有机发光层之间的界面处发生剥离。因此，本发明的可挠式有机发光装置具有较佳的良率与元件特性。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1A至图1F是依照本发明一实施例的可挠式有机发光装置的制作方法的剖面示意图。
图2是依照本发明一实施例的可挠式有机发光装置的剖面示意图。
图3A至图3E是依照本发明一实施例的可挠式有机发光装置的制作方法的剖面示意图。
附图标记说明
100、100b、100b：可挠式有机发光装置
102：承载基板
104：可挠基板
104a、120a：内表面
106：元件层
108：介电层
108a、124a：周边部分
110：有机发光单元
112：第一电极层
114：有机发光层
116：第二电极层
118：薄膜封装层
120：基材
121：空间
122：阻障层
124：粘着层
126：隔绝层
130：覆盖基板
具体实施方法
图1A至图1F是依照本发明一实施例的可挠式有机发光装置的制作方法的剖面示意图。特别说明的是，以下是以绘示两个有机发光单元为例来进行说明，但本发明不限于此，在其他实施例中，可挠式有机发光装置可以具有一个有机发光单元或者是多个有机发光单元。首先，提供可挠基板104。在本实施例中，此步骤例如是将可挠基板104形成于承载基板102上。在本实施例中，承载基板102可以是具有高刚硬性的基板，诸如玻璃基板、刚性塑胶基板、金属基板、晶圆、陶瓷基板等等。可挠基板104例如是有机基板，诸如聚亚酰胺基板、聚碳酸酯基板、聚苯二甲酸酯基板、聚奈二甲酸醇酯基板、聚丙烯基板、聚乙烯基板、聚苯乙烯基板、其它合适的基板、上述聚合物衍生物的基板、或者是薄的金属或合金基板。可挠基板104例如是以涂布工艺形成于承载基板102上，或者是以贴附等其他方式配置于承载基板102上。在本实施例中，更包括于可挠基板104上形成元件层106，以及于元件层106上形成具有开口(未绘示)的介电层108。在本发明中，元件层106以主动元件层与介电层108以绝缘层为实施范例，但不限于此。在本实施例中，元件层106例如是包括薄膜电晶体，且电晶体的类型包含顶闸型或底闸型，而电晶体中的半导体层(未揭示)的材料包含非晶半导体材料、多晶半导体材料、单晶半导体材料、微晶半导体材料、透明氧化物半导体材料、有机半导体材料、或其它合适的材料、或上述的至少二种的组合。
请参照图1B，接着，于可挠基板104上形成有机发光单元110。在本实施例中，有机发光单元110例如是形成于介电层108上，其中有机发光单元110经由介电层108的开口(未绘示)与元件层106电性连接。在本实施例中，有机发光单元110例如是包括依序堆迭于可挠基板104上的第一电极层112、有机发光层114以及第二电极层116。也就是说，有机发光层114形成于第一电极层112与第二电极层116之间。因此，有机发光单元110的形成方法例如是包括以下步骤。首先，于介电层108上形成第一电极层112，其中第一电极层112与元件层106电性连接。接着，于第一电极层112上形成有机发光层114。然后，于有机发光层114上形成第二电极层116。
在本实施例中，第一电极层112例如是阳极，其材质可为透明导电材料或是不透明的导电材料，且第一电极层112可以是单层结构或多层结构。所述透明导电材料包括金属氧化物，诸如铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物(诸如氧化锌)、或者是上述至少二者的堆迭层。所述不透明导电材料包括金属，诸如银、铝、钼、铜或钛，或其它合适的金属。第一电极层112的形成方法例如是蒸镀法、涂布法、沈积法、或其它合适的方法。有机发光层114可包括红色有机发光图案、绿色有机发光图案、蓝色有机发光图案、其他颜色的发光图案或是上述发光图案的组合。有机发光层114的形成方法例如是蒸镀法、涂布法、沈积法、或其它合适的方法。第二电极层116例如是阴极，其材料与形成方法与第一电极层112相似，于此不赘述。但必需说明的，第一电极层112与第二电极层116的阴、阳极与否，就以设计上的需求，而有所变动的。
请参照图1C，接着，提供覆盖基板130。在本实施例中，覆盖基板130的制作例如是包括提供基材120。然后，于基材120上形成粘着层124。在本实施例中，基材120的材料例如是聚苯二甲酸酯(PET)。在本实施例中，粘着层124的材料例如是感压胶(pressure sensitive adhesive，PSA)、光聚合胶、热聚合胶等封装胶体材料，其形成方法例如是涂布法。
接着，于粘着层124上形成隔绝层126，隔绝层126例如是暴露出粘着层124的周边部分124a。在本实施例中，隔绝层126的形成方法例如是先于粘着层124上形成覆盖粘着层124的隔绝材料层(未绘示)，接着对隔绝材料层进行图案化，以形成暴露出粘着层124的周边部分124a的隔绝层126。在本实施例中，隔绝层126的材料例如是有机材料或无机材料，其中有机材料例如是NPB(N，N’-diphenyl-N，N’-bis(1-naphthyl)-(1，1’-biphenyl)-4，4’-diamine)或其它合适的材料，无机材料例如是氧化铝、氧化钛等金属氧化物或氟化锂(LiF)、氮化硅、氧化硅、金属、合金。隔绝层126的形成方法例如是蒸镀法、涂布法、沈积法、或其它合适的方法。隔绝层126的厚度例如是实质上介于0.01um至100um，且较佳约为0.1um。在本发明中，为了能够保护覆盖基板130，可选择性先形成阻障层122在覆盖基板130的基材120的上，而阻障层122的材料例如是氧化硅(SiOx)，其形成方法例如是溅镀法。本发明的实施例皆以有阻障层为实施范例，但是，若覆盖基板130并不需要保护则不需要此阻障层。
请参照图1D，于可挠基板104上提供覆盖基板130。提供覆盖基板130的步骤包括：提供基材120，基材120的内表面120a面对可挠基板104的内表面104a，且基材120与可挠基板104形成一空间121。于基材120的内表面120a上配置隔绝层126，其中隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。于隔绝层126与基材120的内表面120a之间配置粘着层124，且粘着层124覆盖隔绝层126与有机发光单元110并充满所述空间121。在本实施例中，覆盖基板130例如是更包括阻障层122，但不限于此。因此，空间121例如是形成于阻障层122的内表面与可挠基板104的内表面之间。隔绝层126例如是配置于阻障层122的内表面上。
在本实施例中，可挠基板104与覆盖基板130例如是经由粘着层124接合，使得隔绝层126配置于有机发光单元110与粘着层124之间，以及粘着层124覆盖隔绝层126与有机发光单元110，其中隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。在本实施例中，例如是在真空下使可挠基板104与覆盖基板130接合，然后再将接合后的结构移至破真空的环境中，使得可挠基板104与覆盖基板130藉由大气压力而紧密接合。在本实施例中，由于隔绝层126暴露出粘着层124的周边部分124a，因此在接合可挠基板104与覆盖基板130时，隔绝层126例如是对应地暴露出介电层108的周边部分108a，使粘着层124与介电层108的周边部分108a黏合。在本实施例中，隔绝层126例如是连续覆盖多个有机发光单元110且覆盖有机发光单元110的侧部。特别一提的是，虽然在本实施例中覆盖基板130是以图1C所示的方式形成以及覆盖基板130例如是以接合的方式提供于可挠基板104上，但本发明不限于此。
在本实施例中，隔绝层126例如是藉由可挠基板104与覆盖基板130接合而配置于有机发光单元110上，且隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。例如：隔绝层126与第二电极层116之间的附着力例如是小于0.1N/cm。再者，在本实施例中，相较于第二电极层116是以蒸镀等方式形成于有机发光层114上，而隔绝层126是先形成于覆盖基板130的基材120的内表面上，并藉由可挠基板104与覆盖基板130接合而配置于第二电极层116上，此时隔绝层126的表面会接触有机发光单元110的表面接触，且隔绝层126的表面与有机发光单元110的表面二者间不产生键结力，因此隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力例如是实质上小于第二电极层116与有机发光层114之间的附着力。
请同时参照图1E与图1F，在本实施例中，于可挠基板104上提供覆盖基板130后，更包括令可挠基板104与承载基板102分离(debonding)，以如图1F所示的形成可挠式有机发光装置100。在本实施例中，令可挠基板104与承载基板102分离的方法例如是细线拨离法、撬离法、切割法、或其它合适方法。特别注意的是，由于隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm，且隔绝层126配置于有机发光单元110与粘着层124之间，因此在分离可挠基板104与承载基板102时，能避免因粘着层124与有机发光单元110接触所产生的应力导致第二电极层116与有机发光层114剥离，因此可挠式有机发光装置100具有较佳的良率与元件特性。在对比例中，由于隔绝层126是先形成在具有有机发光单元110的可挠基板104的上而覆盖基板130上并不形成隔绝层126，则在分离可挠基板104与承载基板102时，会因隔绝层126与有机发光单元110的膜层产生键结的键结力，使得隔绝层126与有机发光单元110的附着力远大于有机发光单元110各膜层之间附着力，即远大于本发明的实施例，以及额外的拉扯应力，而破坏有机发光单元110导致无法正常发光并降低良率。
请参照图1F，在本实施例中，可挠式有机发光装置100包括可挠基板104、有机发光单元110以及覆盖基板130。有机发光单元110配置于可挠基板104上，其包括第一电极层112、第二电极层114以及有机发光层116。第一电极层112与第二电极层114配置于可挠基板104上。有机发光层116配置于第一电极层112与第二电极层114之间。覆盖基板130包括基材120、隔绝层126以及粘着层124。基材120的内表面120a面对可挠基板104的内表面104a，且基材120与可挠基板104形成一空间121。隔绝层126配置于基材120的内表面120a上，其中隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。也就是说，隔绝层126是先形成在覆盖基板130中的基材120的内表面上，而不是先直接形成且覆盖在有机发光单元110的外表面上。粘着层124配置于隔绝层126与基材120的内表面120a之间，且粘着层124覆盖隔绝层126与有机发光单元116并充满所述空间121。其中，粘着层124尚未固化时，稍许具有可流动性，则在上述二基板104、130压合时，则会沿着所存在的有机发光单元的轮廊，而填充满所述空间121。而隔绝层126若为具有软性的有机材料时，也会沿着所存在的有机发光单元的轮廊；若为无机材料、金属或合金时，虽软性程度不及有机材料，然因厚度较薄，大致上仍会沿着所存在的有机发光单元的轮廊，但是，隔绝层会有裂痕。在本实施例中，覆盖基板130例如是更选择性的包括阻障层122。阻障层122例如是配置于基材120的内表面120a上且配置于基材120与粘着层124之间。空间121例如是形成于阻障层122与可挠基板104之间。隔绝层126例如是配置于阻障层122的内表面上。
特别一提的是，在本实施例中，是以隔绝层126连续覆盖多个有机发光单元110且覆盖有机发光单元110的侧部为例，但在另一实施例中，如图2所示，在可挠式有机发光装置100a中，隔绝层126的面积也可以与第二电极层116的顶面积大致相同且仅配置于第二电极层116的上方而暴露出有机发光单元110的侧部。再者，在上述二个实施例中的另一实施变化例中(未绘示)，可挠式有机发光装置例如是更包括间隔(gap)，间隔例如是形成于有机发光单元110与隔绝层126之间。也就是说，隔绝层126与有机发光单元110实质上未接触，使得隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力亦小于0.1N/cm。另外，虽然在本实施例中，是以有机发光单元110、介电层108以及元件层106具有上述的配置方式为例，但在其他实施例中，有机发光单元110与元件层106也可以具有其他配置方式，本发明不以此为限。
在本实施例中，隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。详言的，由于隔绝层126例如是藉由可挠基板104与基材120接合而配置于有机发光单元110上，此时隔绝层126的表面会接触有机发光单元110的表面接触，且隔绝层126的表面与有机发光单元110的表面二者间不产生键结力，因此隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于第二电极层116与有机发光层114之间的附着力且小于0.1N/cm。如此一来，在进行可挠基板104与承载基板102的分离时，由于第二电极层116与有机发光层114之间的附着力大于隔绝层126与第二电极层116之间的附着力，因而能避免第二电极层116经由第二电极层116与有机发光层114之间的界面发生剥离。因此，本实施例的可挠式有机发光装置100具有较佳的良率与元件特性。
图3A至图3E是依照本发明一实施例的可挠式有机发光装置的制作方法的剖面示意图。请参照图3A，首先，提供可挠基板104。在本实施例中，此步骤例如是更包括提供承载基板102，以及依序于承载基板102上形成可挠基板104、元件层106以及介电层108。承载基板102、可挠基板104、元件层106以及介电层108的材料与形成方法可以参照前一实施例中所述，于此不赘述，以下针对不同处进行说明。
请参照图3B，接着，于可挠基板104上形成有机发光单元110。本实施例中，有机发光单元110例如是包括第一电极层112、有机发光层114、第二电极层116以及薄膜封装层118。因此，形成有机发光单元110的步骤例如是包括依序于介电层108上形成第一电极层112、有机发光层114、第二电极层116以及薄膜封装层118，且第一电极层112例如是与元件层106电性连接。在本实施例中，薄膜封装层118的材料例如是氧化铝，以及薄膜封装层118的形成方法例如是蒸镀法、溅镀法或其它合适的方法。
请参照图3C，然后，于可挠基板104上提供覆盖基板130。提供覆盖基板130的步骤包括：提供基材120，基材120的内表面120a面对可挠基板104的内表面104a，且基材120与可挠基板104形成一空间121。于基材120的内表面120a上配置隔绝层126，其中隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。于隔绝层126与基材120的内表面120a之间配置粘着层124，且粘着层124覆盖隔绝层126与有机发光单元110并充满所述空间121。在本实施例中，覆盖基板130例如是更可选择性的包括阻障层122，但不限于此。因此，空间121例如是形成于阻障层122与可挠基板104之间。隔绝层126例如是配置于阻障层122的内表面上。在本实施例中，隔绝层126的材料例如是有机材料或无机材料，其中有机材料例如是NPB(naphylhenyldiamine)，无机材料例如是氧化铝、氧化钛等金属氧化物或氟化锂(LiF)、氮化硅和氧化硅。隔绝层126的形成方法例如是蒸镀法、涂布法、沈积法、或其它合适的方法。隔绝层126的厚度例如是约介于0.01um至100um，且较佳约为0.1um。特别一提的是，在另一实施例中(未绘示)，也可以将隔绝材料层图案化成仅配置于第二电极层116上方而暴露出有机发光单元110的侧部。换言的，隔绝层的面积也可以与第二电极层116的顶面积大致相同而仅对应地配置于第二电极层116上。
请同时参照图3D与图3E，接着，令可挠基板104与承载基板102分离，以形成如图3E所示的可挠式有机发光装置100b。在本实施例中，令可挠基板104与承载基板102分离的方法例如是细线拨离法、撬离法、切割法、或其它合适方法。特别注意的是，由于隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm，且隔绝层126配置于有机发光单元110与粘着层124之间，因此在分离可挠基板104与承载基板102时，能避免因粘着层124与有机发光单元110接触所产生的应力导致第二电极层116与有机发光层114剥离，因此可挠式有机发光装置100b具有较佳的良率与元件特性。
请参照图3E，在本实施例中，可挠式有机发光装置100b包括可挠基板104、有机发光单元110以及覆盖基板130。有机发光单元110配置于可挠基板104上，其包括第一电极层112、第二电极层114以及有机发光层116。第一电极层112与第二电极层114配置于可挠基板104上。有机发光层116配置于第一电极层112与第二电极层114之间。覆盖基板130包括基材120、隔绝层126以及粘着层124。基材120的内表面120a面对可挠基板104的内表面104a，且基材120与可挠基板104形成一空间121。隔绝层126配置于基材120的内表面120a上，其中隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm。粘着层124配置于隔绝层126与基材120的内表面120a之间，且粘着层124覆盖隔绝层126与有机发光单元116并充满所述空间121。详言的，由于隔绝层126例如是藉由可挠基板104与基材120接合而配置于有机发光单元110上，此时隔绝层126的表面会接触有机发光单元110的表面接触，且隔绝层126的表面与有机发光单元110的表面二者间不产生键结力，因此隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于第二电极层116与有机发光层114之间的附着力且小于0.1N/cm。在本实施例中，有机发光单元116例如是更包括薄膜封装层118，薄膜封装层118例如是配置于隔绝层126与第二电极层114之间。换言的，隔绝层126与薄膜封装层118之间的附着力实质上小于0.1N/cm。覆盖基板130例如是更选择性的包括阻障层122，但不限于此，也可不包含阻障层122。阻障层122例如是配置于基材120的内表面120a上且配置于基材120与粘着层124之间。空间121例如是形成于阻障层122与可挠基板104之间。隔绝层126例如是配置于阻障层122的内表面上。
特别一提的是，在上述实施例的另一实施变化例中(未绘示)，可挠式有机发光装置例如是更包括间隔，间隔例如是形成于有机发光单元110与隔绝层126之间。也就是说，隔绝层126与有机发光单元110实质上未接触，使得隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力亦小于0.1N/cm。另外，虽然在本实施例中，是以有机发光单元110、介电层108以及元件层106具有上述的配置方式为例，但在其他实施例中，有机发光单元110与元件层106也可以具有其他配置方式，本发明不以此为限。
在本实施例中，隔绝层126与有机发光单元110之间的附着力实质上小于0.1N/cm，也就是说，隔绝层126与薄膜封装层118之间的附着力实质上小于0.1N/cm。如此一来，在进行可挠基板104与承载基板102的分离时，由于有机发光单元110中各膜层之间的附着力大于隔绝层126与薄膜封装层118之间的附着力，因而能避免第二电极层116等膜层经由界面发生剥离。因此，本实施例的可挠式有机发光装置100b具有较佳的良率与元件特性。
综上所述，在本发明的可挠式有机发光装置及其制作方法中，隔绝层先形成于覆盖基板的基材上，而不是先形成于有机发光单元上，因此，隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm。如此一来，在进行可挠基板与载板的分离时，由于隔绝层与有机发光单元之间的附着力小于有机发光单元中各膜层之间的附着力，因此可避免在剥离可挠基板与承载基板时所产生的拉扯应力而导致第二电极层等膜层发生剥离。
在一实施例中，藉由于可挠基板上制作有机发光单元以及于基材上形成粘着层以及隔绝层以制作覆盖基板，再使可挠基板与覆盖基板接合，使得隔绝层配置于有机发光单元上。如此一来，可进一步确保隔绝层与有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm且小于有机发光单元中各膜层之间的附着力。如此一来，在进行可挠基板与载板的分离时，由于附着力最弱的地方不会存在于有机发光单元中各膜层的界面，而是在隔绝层与有机发光单元之间，因此即使受到可挠基板与阻障层所产生的应力或阻障层对有机发光单元产生向上的拉扯应力作用，有机发光单元中的各膜层之间仍能保持良好的附着。因此，可挠式有机发光装置具有较佳的良率与元件特性。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围以权利要求书为准。
Claims (15)
1.一种可挠式有机发光装置，包括：
一可挠基板；
一有机发光单元，配置于该可挠基板上，其包括：
一第一电极层与一第二电极层，配置于该可挠基板上；以及
一有机发光层，配置于该第一电极层与该第二电极层之间；以及
一覆盖基板，配置于该可挠基板上，包括：
一基材，该基材的内表面面对该可挠基板的内表面，且该基材与该可挠基板形成一空间；
一隔绝层，配置于该基材的内表面上，其中该隔绝层与该有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm；以及
一粘着层，配置于该隔绝层与该基材的内表面之间，且该粘着层覆盖该隔绝层与该有机发光单元并充满该空间。
2.如权利要求1所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该隔绝层与该第二电极层之间的附着力实质上小于0.1N/cm。
3.如权利要求1所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该隔绝层与该有机发光单元之间的附着力实质上小于该第二电极层与该有机发光层之间的附着力。
4.如权利要求1所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该有机发光单元更包括一薄膜封装层，该薄膜封装层配置于该第二电极层与该隔绝层之间，其中该薄膜封装层与该第二电极层之间的附着力实质上大于该隔绝层与该薄膜封装层之间的附着力。
5.如权利要求4所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该隔绝层与该薄膜封装层之间的附着力实质上小于0.1N/cm。
6.如权利要求1所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该隔绝层的厚度实质上介于0.01um至100um。
7.如权利要求1所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该隔绝层配置于该有机发光单元上且覆盖该有机发光单元的侧部。
8.如权利要求1所述的可挠式有机发光装置，其特征在于，该有机发光单元与该隔绝层之间更包括一间隔。
9.一种可挠式有机发光装置的制作方法，包括：
提供一可挠基板；
形成一有机发光单元，于该可挠基板上，该有机发光单元包括：
一第一电极层与一第二电极层，配置于该可挠基板上；以及
一有机发光层，配置于该第一电极层与该第二电极之间；以及
提供一覆盖基板，于该可挠基板上，包括：
提供一基材，该基材的内表面面对该可挠基板的内表面，且该基材与该可挠基板形成一空间；
配置一隔绝层，于该基材的内表面上，其中该隔绝层与该有机发光单元之间的附着力实质上小于0.1N/cm；以及
配置一粘着层，于该隔绝层与该基材的内表面之间，且该粘着层覆盖该隔绝层与该有机发光单元并充满该空间。
10.如权利要求9所述的可挠式有机发光装置的制作方法，其特征在于，进一步包括于一承载基板上形成该可挠基板，以及于提供该覆盖基板后，令该可挠基板与该承载基板分离。
11.如权利要求9所述的可挠式有机发光装置的制作方法，其特征在于，该隔绝层与该第二电极层之间的附着力实质上小于0.1N/cm。
12.如权利要求9所述的可挠式有机发光装置的制作方法，其特征在于，该隔绝层与该有机发光单元之间的附着力实质上小于该第二电极层与该有机发光层之间的附着力。
13.如权利要求9所述的可挠式有机发光装置的制作方法，其特征在于，进一步包括于该第二电极层与该隔绝层之间形成一薄膜封装层。
14.如权利要求13所述的可挠式有机发光装置的制作方法，其特征在于，该隔绝层与该薄膜封装层之间的附着力实质上小于0.1N/cm。
15.如权利要求9项所述的可挠式有机发光装置的制作方法，其特征在于，该隔绝层与该有机发光单元之间具有一间隔。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW100138264 | 2011-10-21 | ||
| TW100138264A TWI527207B (zh) | 2011-10-21 | 2011-10-21 | 可撓式有機發光裝置及其製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102496683A true CN102496683A (zh) | 2012-06-13 |
| CN102496683B CN102496683B (zh) | 2014-07-16 |
Family
ID=46188485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110396119.1A Active CN102496683B (zh) | 2011-10-21 | 2011-11-29 | 可挠式有机发光装置及其制作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8710739B2 (zh) |
| CN (1) | CN102496683B (zh) |
| TW (1) | TWI527207B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304676A (zh) * | 2015-09-22 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性有机电致发光器件的封装结构、柔性显示装置 |
| CN108258150A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-06 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性oled显示器 |
| CN109461825A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-03-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI452553B (zh) * | 2011-12-30 | 2014-09-11 | Au Optronics Corp | 製作可撓式顯示裝置之方法 |
| KR101363121B1 (ko) * | 2012-06-07 | 2014-02-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법 |
| DE102012223162B4 (de) * | 2012-12-14 | 2022-08-25 | Pictiva Displays International Limited | Flächenlichtsystem |
| FR3003693B1 (fr) * | 2013-03-21 | 2017-01-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'encapsulation et dispositif associe. |
| KR102102351B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2020-04-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기능성 편광 필름 및 이를 채용하는 유기발광표시장치. |
| RU2547383C2 (ru) * | 2013-08-28 | 2015-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) | Способ нанесения эмиссионного слоя |
| KR101784468B1 (ko) * | 2014-05-23 | 2017-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| JP6348012B2 (ja) * | 2014-07-28 | 2018-06-27 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US9991326B2 (en) * | 2015-01-14 | 2018-06-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-emitting device comprising flexible substrate and light-emitting element |
| CN105552247B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-10-26 | 上海天马微电子有限公司 | 复合基板、柔性显示装置及其制备方法 |
| TWI597816B (zh) * | 2016-08-23 | 2017-09-01 | Multilayer film structure | |
| US11004957B2 (en) * | 2017-04-28 | 2021-05-11 | Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Manufacturing methods of inorganic thin film transistors (TFTs) and flexible display devices |
| TWI699918B (zh) * | 2018-08-10 | 2020-07-21 | 財團法人工業技術研究院 | 保護結構以及具有此保護結構的電子裝置 |
| CN110828387B (zh) | 2018-08-10 | 2021-10-22 | 财团法人工业技术研究院 | 保护结构以及具有此保护结构的电子装置 |
| TWI796261B (zh) * | 2022-07-14 | 2023-03-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1764335A (en) * | 1927-09-22 | 1930-06-17 | Howard J Murray | Resilient synchronizer |
| CN1925187A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| US20090195152A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-06 | Mitsuru Sawano | Luminescent device and method of producing the same |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7211828B2 (en) * | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
| US6835950B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-12-28 | Universal Display Corporation | Organic electronic devices with pressure sensitive adhesive layer |
| US7230271B2 (en) * | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
| TWI328837B (en) | 2003-02-28 | 2010-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US6998648B2 (en) | 2003-08-25 | 2006-02-14 | Universal Display Corporation | Protected organic electronic device structures incorporating pressure sensitive adhesive and desiccant |
| CN101916763B (zh) | 2005-09-30 | 2012-11-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| TWI337046B (en) | 2005-12-02 | 2011-02-01 | Au Optronics Corp | Dual emission display |
| US20070164673A1 (en) | 2006-01-18 | 2007-07-19 | Au Optronics Corporation | Organic electro-luminescent display device and method for making same |
| JP4297169B2 (ja) | 2007-02-21 | 2009-07-15 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその駆動方法と電子機器 |
| US7897482B2 (en) | 2007-05-31 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP5388500B2 (ja) | 2007-08-30 | 2014-01-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
-
2011
- 2011-10-21 TW TW100138264A patent/TWI527207B/zh active
- 2011-11-29 CN CN201110396119.1A patent/CN102496683B/zh active Active
-
2012
- 2012-01-18 US US13/352,344 patent/US8710739B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1764335A (en) * | 1927-09-22 | 1930-06-17 | Howard J Murray | Resilient synchronizer |
| CN1925187A (zh) * | 2005-08-31 | 2007-03-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
| US20090195152A1 (en) * | 2008-02-06 | 2009-08-06 | Mitsuru Sawano | Luminescent device and method of producing the same |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304676A (zh) * | 2015-09-22 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性有机电致发光器件的封装结构、柔性显示装置 |
| WO2017049627A1 (zh) * | 2015-09-22 | 2017-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性有机电致发光器件的封装结构、柔性显示装置 |
| US9887383B2 (en) | 2015-09-22 | 2018-02-06 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Encapsulating structure of flexible OLED device and flexible display device |
| CN108258150A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-06 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性oled显示器 |
| CN109461825A (zh) * | 2018-08-29 | 2019-03-12 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
| CN109461825B (zh) * | 2018-08-29 | 2020-11-13 | 云谷（固安）科技有限公司 | 柔性显示面板及其制作方法、柔性显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8710739B2 (en) | 2014-04-29 |
| TW201318160A (zh) | 2013-05-01 |
| US20130099658A1 (en) | 2013-04-25 |
| TWI527207B (zh) | 2016-03-21 |
| CN102496683B (zh) | 2014-07-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102496683B (zh) | 可挠式有机发光装置及其制作方法 | |
| JP7137670B2 (ja) | 発光装置 | |
| US11011730B2 (en) | Display device and organic luminescent display device | |
| CN109300919B (zh) | Micro LED显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| EP2110003B1 (en) | Method of manufacturing a flexible device and method of manufacturing a flexible display | |
| CN203339167U (zh) | 有机发光显示系统 | |
| TWI796711B (zh) | 發光裝置 | |
| US9595691B2 (en) | Organic light emitting diode device | |
| US9347628B2 (en) | Light-emitting device, electronic device, and lighting device | |
| WO2015027626A1 (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| WO2019051940A1 (zh) | 柔性oled面板的制作方法 | |
| US11925092B2 (en) | Display apparatus comprising partition wall and quantum dot layer | |
| CN111653593B (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN110212111B (zh) | 显示基板及制作方法、显示面板、显示装置 | |
| KR20150057806A (ko) | 표시 패널의 제조 방법 | |
| CN106129104A (zh) | Oled显示基板及其制作方法、oled显示面板 | |
| CN112670300A (zh) | 显示模组、制备方法以及显示装置 | |
| WO2023066013A1 (zh) | 一种显示装置 | |
| CN110164933B (zh) | 显示面板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |