CN102456723A - 半导体结构及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包含位于基材上的一栅极结构、分别位于栅极结构两侧的基材中的一源极与一漏极、位于源极上方并电连接源极的一源极接触插塞以及一位于漏极上方并电连接漏极的漏极接触插塞。源极接触插塞以及漏极接触插塞“相对具有不对称的元件性质。

Description

半导体结构及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体结构及其制造方法。特别是，本发明是涉及一种半导体结构，其中的源极接触插塞以及漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，及此半导体结构的制造方法。

背景技术

在一般的半导体结构中，栅极结构用来控制位于栅极结构两侧的源极与漏极间的电流开与关。由于源极与漏极分别位于栅极结构两侧的基材中，而且会被层间介电层所覆盖住，所以还需要源极接触插塞以及漏极接触插塞，分别穿过层间介电层，好分别使得源极与漏极与外部电路形成电连接。

为了能够尽量提升半导体元件的操作性能，源极接触插塞以及漏极接触插塞通常会采用电阻较低的导电材料，例如金属。此外，传统上每一个单独的半导体元件都是利用独立的源极接触插塞以及漏极接触插塞(single)，好独立地控制每个半导体元件，亦即现有技术于栅极结构相对两侧分别设置相同的源极接触插塞以及漏极接触插塞，所以在栅极结构两侧的源极接触插塞以及漏极接触插塞会具有对称的元件性质。

然而，在趋势上，随着半导体元件的设计不断地追求尽量小的元件尺寸，源极接触插塞以及漏极接触插塞由于临界尺寸过小，内在(intrinsic)电阻目前已经上升到不敷支持半导体元件的正常开与关的电流要求，于是造成半导体元件的操作性能劣化。

曾经有人提出可以将源极接触插塞以及漏极接触插塞设计成连续延伸的条状(slot)，置于栅极结构两侧成对称布局结构。虽然这样的条状布局结构表面上降低了导电材料的总电阻，而可以支持较大的操作电流，但是却产生了更大的后遗症。例如，连续延伸的条状结构会与栅极结构产生严重耦合等不良的交互作用。这样一来，半导体元件的操作性能并没有因此好转。

有鉴于此，仍然亟需要一种新颖的半导体结构。此等新颖的半导体结构既可以支持较大的操作电流，又不会因此产生其他明显不利的后果，如此一来，才能彻底解决由于临界尺寸过小，源极接触插塞以及漏极接触插塞的内在电阻过大，而造成半导体元件的操作性能劣化的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种新颖的半导体结构。此等新颖的半导体结构既可以支持较大的操作电流，又不会因此产生其他明显不利的后果，如此一来，才能彻底解决由于临界尺寸过小，使得源极接触插塞以及漏极接触插塞的电阻过大，而造成半导体元件的操作性能劣化的问题。

为达上述目的，本发明首先提出一种半导体结构。本发明的半导体结构包含基材、栅极结构、源极、漏极、源极接触插塞与漏极接触插塞。栅极结构位于基材上。源极与漏极则分别位于栅极结构两侧的基材中。另外，源极接触插塞位于源极上方并电连接源极，而漏极接触插塞则位于该漏极上方并电连接漏极。本发明半导体结构的特征之一在于，源极接触插塞以及漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，可以由此降低源极接触插塞或是漏极接触插塞的其中一者的电阻值。此等元件性质可以为形状、尺寸、材料、应力、深宽比与数量其中的至少一者。

本发明其次提出一种半导体结构。本发明的半导体结构包含基材、栅极结构、源极、漏极、源极接触插塞与漏极接触插塞。栅极结构位于基材上。源极与漏极则分别位于栅极结构两侧的基材中。另外，源极接触插塞位于源极上方并电连接源极，而漏极接触插塞则位于该漏极上方并电连接漏极。本发明半导体结构的特征之一在于，源极接触插塞以及漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，可以由此降低源极接触插塞或是漏极接触插塞的其中一者对于栅极结构的电容值。元件性质可以为形状、尺寸、材料、应力、深宽比、数量与对于栅极结构的距离其中的至少一者。一较佳情况可以为，使得源极部分的电容值大于漏极部分的电容值。

本发明又提出一种半导体结构的制造方法。首先，提供一基材。其次，形成位于基材上的栅极结构。然后，形成一组源极与漏极，其位于基材中并邻近栅极结构。再来，形成一组源极硅化物/漏极硅化物，其分别位于基材中以及源极与漏极上。继续，形成层间介电层，其覆盖栅极结构、源极与漏极。之后，在层间介电层中形成多个接触洞，其暴露源极与漏极。接下来，在层间介电层中分别形成至少一源极接触插塞与至少一漏极接触插塞，而分别电连接源极与漏极。源极接触插塞以及漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，以降低源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中一者对于栅极结构所形成的电容效应，及/或降低源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中一者的电阻。元件性质可以为形状、尺寸、材料、应力、深宽比、距离与数量其中的至少一者。

由于本发明的半导体结构中的源极接触插塞以及漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，而由此得以独立地调整源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中任何一者对于栅极结构所形成的电容效应，及/或调整源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中任何一者的电阻。这样便会使得此等新颖的半导体结构因为其中较低的电阻而可以允许较大的操作电流，或是对栅极结构形成较小的电容效应，又不影响半导体元件的操作性能。如此一来，本发明的半导体结构就能彻底解目前业界由于元件的临界尺寸过小，源极接触插塞以及漏极接触插塞的内在电阻/电容效应过大，而造成半导体元件的操作性能劣化的问题。

附图说明

图1A为本发明半导体结构的一示意图；

图1B为源极接触插塞以及漏极接触插塞的尺寸不对称的示意图；

图2为本发明半导体结构的另一示意图；

图3-图9为本发明半导体结构制造方法的示意图。

主要元件符号说明

100半导体结构

101基材

105浅沟槽隔离

110栅极结构

120源极

130漏极

140源极接触插塞

141阻障层

142插塞材料

150漏极接触插塞

160层间介电层

161接触洞

162接触蚀刻停止层

170金属硅化物

171金属

具体实施方式

本发明提供一种新颖的半导体结构。其中以一个单独半导体元件观之，源极接触插塞以及漏极接触插塞会相对上会具有不对称的元件性质，由此即可独立地调整源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中任何一者的元件性质。于是，源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中任何一者对于单一栅极结构所形成的电容效应，及/或源极接触插塞以及漏极接触插塞的其中任何一者的电阻都可以适当地调整。这样即可以使得本发明的半导体结构允许较大的操作电流，或是对单一栅极结构形成较小的电容效应，进而维持半导体元件的操作性能。

本发明首先提供一种半导体结构。图1A绘示本发明半导体结构的一示意图。请参考图1A，本发明的半导体结构100包含基材101、浅沟槽隔离105、栅极结构110、源极120、漏极130、源极接触插塞140、漏极接触插塞150与层间介电层160。浅沟槽隔离105嵌在基材101中。栅极结构110位于基材101上，其可以为多晶硅栅极或是金属栅极。栅极结构110通常包含有栅极材料、栅极介电层与间隙壁。视情况需要，本发明的半导体结构100还可以包含介于源极120与源极接触插塞140之间，或是漏极130与漏极接触插塞150间的金属硅化物170。

源极120与漏极130则分别位于栅极结构110两侧的基材101中，并被浅沟槽隔离105所围绕。源极120与漏极130可以是经由将掺质植入栅极结构110两侧的基材101中所形成者，或是在栅极结构110两侧基材101的凹穴中填入掺质与外延材料，由此对栅极通道施加适当的应力。源极接触插塞140位于源极120上方，穿透层间介电层160并电连接源极120，而漏极接触插塞150则位于漏极130上方、穿透层间介电层160并电连接漏极130。层间介电层160通常是一种绝缘材料或数种绝缘材料的组合，例如硅氧化物、氮化物、碳化物、低介电常数绝缘材料的任意组合。

本发明半导体结构100的特征之一在于，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150相对具有不对称的元件性质，于是由此降低源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的其中一者的电阻值。视情况需要，可以是源极接触插塞140具有较低的电阻值，或是漏极接触插塞150具有较低的电阻值。但是无论如何，由于源极接触插塞140以及漏极接触插塞150相对具有不对称的元件性质，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的电阻值实质上不会相同。较佳者，源极接触插塞140会比漏极接触插塞150具有较低的电阻值。

前述的元件性质可以为任何需要的元件性质，例如源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的形状、尺寸、材料、应力、深宽比与数量其中的至少一者，或是其中数者。发明人发现到，源极区域(泛指源极120、源极接触插塞140与其金属硅化物170)与漏极区域(漏极130、漏极接触插塞150与其金属硅化物170)，对于不同的设计规格的反应并不一致。当源极接触插塞140以及漏极接触插塞150相对具有不对称的元件性质时，可以观察到对于源极区域与漏极区域不同的反应，进而达成所欲的功效。因为源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质，以下将就各种元件性质提供多种例示性的实施例。

【形状】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的立体形状或是几何形状可以不对称。例如，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的其中一者的形状可以为延伸条状(slot)，而另一者为单一矩形(single)。所谓的延伸条状，至少是平行于通道宽度的方向延伸于源极或漏极上，较佳地是延伸整个源极或漏极，所以长度会较宽度大两倍以上。另一方面，所谓的单一矩形可以是多个单一接触插塞对应单一栅极结构的不对称布局结构，如图1A所绘示。较佳者，源极接触插塞140可以为延伸条状，而漏极接触插塞150为单一矩形，故此单一半导体元件的源极/漏极接触插塞，两者成不对称布局结构。

【尺寸】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的尺寸可以不对称。例如，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的其中一者的某一尺寸，诸如宽度或是长度，可以较另一者为大。图1B绘示源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的尺寸不对称。较佳者，源极接触插塞140的尺寸较大。

【材料】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150可以使用不同的导电材料，所以电阻值也会不同。例如，可以选择铜或是钨等不同的导电材料。或者是两者具有不同组成或厚度的阻障层。

【应力】

视情况需要，源极区域与漏极区域可以对于栅极结构110产生不同的应力。可以使用不同的方式产生不同的应力。例如，在源极区域或是漏极区域中形成凹穴并填入不同的掺质与外延材料，或者是择一填入，而对于栅极结构110产生不同的应力。另一方面，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的底部还可以延伸入外延材料中而低过栅极结构110的栅极介电层。另外，调整阻障层对插塞材料的厚度比，或是调整形成阻障层的参数，例如化学气相沉积、物理气相沉积、温度、压力...等等，也可以达成调整前述应力的目的。

或是，选择性使用应力层，例如接触蚀刻停止层，来覆盖栅极结构110，而产生不同的应力。此时，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150会穿透应力层。当然，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150也可以使用不对称的方式，例如开口大小不同或是开口形状不同，来分别穿透应力层，而达成本发明源极接触插塞以及漏极接触插塞分别具有不对称的元件性质的特性。

【深宽比】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的深宽比可以不对称。例如，用来制备源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的接触洞的开口大小不同，使该二者的深宽比不对称。又例如，接触插塞可以包含一阻障层与一插塞材料，或是接触插塞仅包含一插塞材料。阻障层可以为钛或是氮化钛或上述两者的组合。

【数量】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的数量可以不对称，例如一者较多而另一者较少。图1A绘示漏极接触插塞150的数量较多。

无论如何，只要源极接触插塞140以及漏极接触插塞150具有不对称的元件性质，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的电阻值实质上即不会相同，所以本发明的半导体结构就能彻底解目前业界由于元件的临界尺寸过小，源极接触插塞以及漏极接触插塞的内在电阻过大，而造成半导体元件的操作性能劣化的问题。

本发明其次提供一种半导体结构。图2绘示本发明半导体结构的另一示意图。请参考图2，本发明的半导体结构100包含基材101、浅沟槽隔离105(STI)、栅极结构110、源极120、漏极130、源极接触插塞140、漏极接触插塞150与层间介电层160。浅沟槽隔离105嵌在基材101中。栅极结构110位于基材101上，其可以为多晶硅栅极或是金属栅极。栅极结构110通常包含有栅极材料、栅极介电层与间隙壁。视情况需要，本发明的半导体结构100还可以包含介于源极120与源极接触插塞140之间，或是漏极130与漏极接触插塞150间的金属硅化物170。

源极120与漏极130则分别位于栅极结构110两侧的基材101中。源极120与漏极130可以是经由掺质植入栅极结构110两侧的基材101中所形成者，或是在栅极结构110两侧基材101的凹穴中填入掺质与外延材料，由此对栅极通道施加适当的应力。另外，源极接触插塞140位于源极120上方，穿透层间介电层160并电连接源极120，而漏极接触插塞150则位于漏极130上方、穿透层间介电层160并电连接漏极130。层间介电层160通常是一种绝缘材料，例如硅氧化物。

本发明半导体结构100的特征之一在于，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150相对具有不对称的元件性质，于是由此调整源极接触插塞140对于栅极结构110，或是漏极接触插塞150对于栅极结构110的电容效应，而达成最佳的结果。视情况需要，可以是源极接触插塞140对于栅极结构110具有较低的电容效应，或是漏极接触插塞150对于栅极结构110具有较低的电容效应。无论如何，由于源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别对于栅极结构110的电容效应实质上不会相同。较佳者，漏极接触插塞150对于栅极结构110会比源极接触插塞140对于栅极结构110具有较低的电容效应。

前述的元件性质可以为任何需要的元件性质，例如源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的形状、尺寸、材料、应力、深宽比、数量与相对于栅极结构距离等其中的至少一者，或是其中数者。发明人发现到，源极区域(泛指源极120、源极接触插塞140与其金属硅化物170)与漏极区域(漏极130、漏极接触插塞150与其金属硅化物170)，对于不同的设计规格的反应并不相同，因此当源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质时，即可对于源极区域与漏极区域产生不同的结果，达成所欲的功效。因为源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质，以下将就元件性质提供例示性的实施例。

【距离】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150对于栅极结构110的距离可以不对称。通常较大的距离意味着较小的电容效应。例如，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的其中一者距离栅极结构110较远，而另一者距离栅极结构110所以相对较近，而达成所欲的功效。图2绘示源极接触插塞140距离栅极结构110较近，而漏极接触插塞150距离栅极结构110相对较远，而得到不对称元件性质。

其他的形状、尺寸、材料、应力、深宽比与数量等的实施方式可以参考前述的范例，故不再赘述。无论如何，只要源极接触插塞140以及漏极接触插塞150相对于栅极结构具有不对称的元件性质，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150相对于栅极结构的电容效应实质上即不会相同，所以本发明的半导体结构就能彻底解目前业界由于元件的临界尺寸过小，源极接触插塞以及漏极接触插塞对于栅极结构110的电容效应过大，而造成半导体元件的操作性能劣化的问题。

本发明又提出一种半导体结构的制造方法。图3-图9绘示本发明半导体结构制造方法的示意图。首先，如图3所绘示，提供一基材101，例如为一半导体基材，其上已形成有所需的掺杂井(doped well)与浅沟隔离105(STI)等物件。其次，如图4所绘示，形成栅极结构110。栅极结构110位于基材101上，例如使用现有的步骤来建立位于基材101上的栅极结构110。栅极结构110可以为多晶硅栅极或是金属栅极。栅极结构110通常包含有栅极材料、栅极介电层与间隙壁。

然后，如图5所绘示，形成一组源极120与漏极130，其位于基材中101并邻近栅极结构110。可以使用不同的方法来形成源极120与漏极130。例如源极120与漏极130可以是经由掺质植入栅极结构110两侧的基材101中所形成者，可以视情况包含浅掺杂区域与重掺杂区域。或是，可以先在栅极结构110两侧的基材101中形成有凹穴，随后再于此凹穴中经由外延方式填入适当的掺质与外延材料，由此对栅极通道施加适当的应力。

继续，如图6所绘示，在栅极结构110、源极120与漏极130之上形成层间介电层160。层间介电层160会直接覆盖栅极结构110、源极120与漏极130。层间介电层160通常是一种绝缘材料数种绝缘材料的组合，例如硅氧化物、氮化物、碳化物、低介电常数绝缘材料的任意组合。

之后，如图7所绘示，在层间介电层160中形成多个接触洞161，其暴露此单一半导体元件的源极120与漏极130。例如，可以使用光致抗蚀剂(图未示)配合光刻技术与蚀刻步骤，来移除部分的层间介电层160，形成多个接触洞161。传统上，在栅极结构110、源极120与漏极130之上形成层间介电层160之前，还可以先形成一接触蚀刻停止层162。此时的接触蚀刻停止层162可以作为一应力层之用。应力层会覆盖栅极结构110，而产生适当的应力。

视情况需要，源极硅化物/漏极硅化物170，可以在形成接触洞161之前或是之后形成，而分别位于基材中以及源极120与漏极130上。如果源极硅化物/漏极硅化物170是在形成接触洞161之前形成在源极120与漏极130上，则可以在形成层间介电层160与形成接触蚀刻停止层162之前，先使用一适当的金属171来全面地覆盖基材101、栅极结构110、源极120与漏极130，如图8A所绘示。随后进行一高温步骤，使得暴露的硅原子与前述的金属反应成源极硅化物/漏极硅化物170。

或是，当源极硅化物/漏极硅化物170是在形成接触洞161之后形成在源极120与漏极130上，则可以在形成接触洞161之后，使用一适当的金属来填入接触洞161。随后进行一高温步骤，使得暴露的硅原子与前述的金属反应成源极硅化物/漏极硅化物170，如图8B所绘示。

接下来，在层间介电层160中分别形成至少一源极接触插塞140与至少一漏极接触插塞150，而分别电连接源极120与漏极130。源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质。如果本发明半导体结构包含接触蚀刻停止层162，此时，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150会穿透接触蚀刻停止层162。当然，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150也可以使用不对称的方式，例如前述的开口大小不同或是开口形状不同，来分别穿透接触蚀刻停止层162，而达成本发明源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质的特性。

前述的元件性质可以为任何需要的元件性质，例如源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的距离、形状、尺寸、材料、应力、深宽比与数量其中的至少一者，或是其中数者。发明人发现到，源极区域(泛指源极120、源极接触插塞140与其金属硅化物170)与漏极区域(漏极130、漏极接触插塞150与其金属硅化物170)，对于不同的设计规格的反应并不一致。当源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质时，可以观察到对于源极区域与漏极区域不同的反应，进而达成所欲的功效。因为源极接触插塞140以及漏极接触插塞150具有不对称的元件性质，以下将就各种元件性质提供多种例示性的实施例。

【距离】

视情况需要，在使用光致抗蚀剂(图未示)配合光刻技术来界定接触洞161时，可以设计光罩(图未示)上的布局图案来控制多个接触洞161对于栅极结构110的距离为不对称。图7绘示源极接触插塞140距离栅极结构110较近，而漏极接触插塞150距离栅极结构110较远，并包含接触蚀刻停止层而得到不对称元件性质的结果。

【形状】

视情况需要，在使用光致抗蚀剂(图未示)配合光刻技术来界定接触洞161时，可以设计光罩(图未示)上的布局图案来控制多个接触洞161的形状为不对称，使得所得的源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的立体形状或是几何形状不对称，如图7所绘示。较佳者，源极接触插塞140可以为延伸条状。

【尺寸】

视情况需要，在使用光致抗蚀剂(图未示)配合光刻技术来界定接触洞161时，可以设计光罩(图未示)上的布局图案来控制多个接触洞161的尺寸为不对称，使得源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的尺寸可以不对称。图1B绘示所得的源极接触插塞140的尺寸较大。

【材料】

视情况需要，填入接触洞161的导电材料可以不同，所以所得到的源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的电阻值也会不同。例如，可以选择铜或是钨等不同的导电材料。

【应力】

视情况需要，源极区域与漏极区域可以对于栅极结构110产生不同的应力。例如使用不同的掺质与外延材料，或是，选择性使用应力层，例如接触蚀刻停止层，来覆盖栅极结构110，而产生不同的应力。

【深宽比】

视情况需要，填入接触洞161的材料可以不同，或是接触洞的开口大小不同。使得所得的源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的组成或是深宽比可以不对称。

【数量】

视情况需要，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的数量可以不对称，例如一者较多而另一者较少。图1A绘示漏极接触插塞150的数量较多。

无论如何，只要源极接触插塞140以及漏极接触插塞150分别具有不对称的元件性质，源极接触插塞140以及漏极接触插塞150的电阻值，或是对于对于栅极结构110的电容效应实质上即不会相同，所以本发明的半导体结构就能彻底解目前业界由于元件的临界尺寸过小，源极接触插塞以及漏极接触插塞的内在电阻过大，而造成半导体元件的操作性能劣化的问题。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。

Claims (25)

1.一种半导体结构，包含：

基材；

栅极结构，位于该基材上；

源极与漏极，分别位于该栅极结构两侧的该基材中；

源极接触插塞，位于该源极上方并电连接该源极；

漏极接触插塞，位于该漏极上方并电连接该漏极，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，以降低该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者的电阻。

2.如权利要求1的半导体结构，其中该元件性质包含形状、尺寸、材料、应力、深宽比与数量其中的至少一者。

3.如权利要求1的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者的形状为延伸条状，而另一者为单一矩形。

4.如权利要求1的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的长度、宽度与高度的至少其中一者不同。

5.如权利要求1的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者包含至少两种插塞材料，该插塞材料选自一导电材料与一阻障材料。

6.如权利要求5的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞具有不同的该导电材料对该阻障材料的厚度比。

7.如权利要求1的半导体结构，其中该源极以及该漏极至少其中一者包含一硅与其他材料的外延结构。

8.一种半导体结构，包含：

基材；

栅极结构，位于该基材上；

源极，位于该基材中并邻近该栅极结构；

源极接触插塞，位于该源极上方并电连接该源极；

漏极，位于该基材中并邻近该栅极结构；

漏极接触插塞，位于该漏极上方并电连接该漏极，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞相对具有不同的元件性质，以降低该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者对于该栅极结构所形成的电容。

9.如权利要求8的半导体结构，其中该元件性质包含形状、尺寸、材料、应力、深宽比、数量与对于该栅极结构的距离其中的至少一者。

10.如权利要求8的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者的形状为延伸条状，而另一者为单一矩形。

11.如权利要求8的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的长度、宽度与高度至少其中一者的不同。

12.如权利要求8的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者包含至少两种插塞材料，该插塞材料选自导电材料与阻障材料。

13.如权利要求12的半导体结构，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞具有不同的该导电材料对该阻障材料的厚度比。

14.如权利要求1的半导体结构，其中该源极以及该漏极至少其中一者包含一凹入式结构。

15.一种半导体结构的制造方法，包含：

提供一基材；

形成一栅极结构，位于该基材上；

形成一组源极与漏极，其位于该基材中并邻近该栅极结构；

形成一组源极硅化物/漏极硅化物，其分别位于该基材中以及该源极与漏极上；

形成一层间介电层，其覆盖该栅极结构、该源极与该漏极；

在该层间介电层中形成多个接触洞，其暴露该源极与漏极；

在该层间介电层中分别形成至少一源极接触插塞与至少一漏极接触插塞，分别电连接该源极与该漏极，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞相对具有不对称的元件性质，以降低该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者对于该栅极结构所形成的电容，与降低该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者的电阻的至少一者。

16.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中在形成该组源极硅化物/漏极硅化物之前，形成该层间介电层。

17.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中在形成该组源极硅化物/漏极硅化物之后，形成该层间介电层。

18.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中在该些接触洞的至少一者中，形成一障壁层与一导电层的至少一者，以形成该源极接触插塞与该漏极接触插塞的至少一者。

19.如权利要求18的半导体结构的制造方法，其中调整该障壁层与该导电层的厚度比而由此调整一应力。

20.如权利要求18的半导体结构的制造方法，其中使用一化学气相沉积与一物理气相沉积的至少一者，在一适当温度与一适当压力下来形成该障壁层。

21.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中该元件性质包含形状、尺寸、材料、应力、深宽比与数量的至少一者。

22.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者的形状为延伸条状，而另一者为单一矩形。

23.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的长度、宽度与高度至少其中一者的不同。

24.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中该源极接触插塞以及该漏极接触插塞的其中一者包含至少两种插塞材料，该插塞材料选自一导电材料与一阻障材料。

25.如权利要求15的半导体结构的制造方法，其中该源极以及该漏极至少其中一者包含一硅与其他材料的外延结构。

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