CN102372447B - 含银低辐射玻璃及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种含银低辐射玻璃，膜层结构依次为：玻璃基片、基层电介质组合层、第一银层、第一阻挡层、第一隔层电介质组合层、第二银层、第二阻挡层、第二隔层电介质组合层、第三银层、第三阻挡层、第三隔层电介质组合层、第四银层、第四阻挡层、上层电介质组合层。该含银低辐射玻璃辐射低、可见光透过率高、外观不呈现干扰色、选择系数高，具有良好的节能效果；独特的膜层结构，使得产品具有良好的耐候性，同时膜层不易脱落、不易被氧化，能推广到汽车玻璃和民用住宅。本发明还提供了一种该含银低辐射玻璃的制造方法。

Description

含银低辐射玻璃及其制造方法

【技术领域】

本发明涉及特种玻璃领域，尤其涉及一种含银低辐射玻璃及其制造方法。

【背景技术】

低辐射玻璃是一种在玻璃表面沉积一层红外线反射材料，使太阳光中的可见光能够透过，又像红外线反射镜一样，将太阳光中的红外线排除在外同时将物体二次辐射热反射回去的特种玻璃。通过使用低辐射玻璃，可以达到控制阳光、节约能源、热量控制调节及改善环境的效果。

在传统的低辐射玻璃加工过程中，为了能实现较好的U值和选择系数Lsg，就必须增加膜层中的银层厚度来降低玻璃膜层的辐射率，以得到理想的选择系数，但是增加银层厚度就意味着可见光透过率降低、外观颜色呈现干扰色，影响玻璃的使用。

【发明内容】

基于此，有必要提供一种可见光透过率高、外观不呈现干扰色的含银低辐射玻璃。

同时，还有必要提供一种可见光透过率高、外观不呈现干扰色的含银低辐射玻璃的制造方法。

一种含银低辐射玻璃，膜层结构依次为：玻璃基片、基层电介质组合层、第一银层、第一阻挡层、第一隔层电介质组合层、第二银层、第二阻挡层、第二隔层电介质组合层、第三银层、第三阻挡层、第三隔层电介质组合层、第四银层、第四阻挡层、上层电介质组合层。

优选的，基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层、上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层由Ni、Cr、NiCrO_x和NiCrN_x中的一种或几种构成。

优选的，基层电介质组合层厚度为25～27nm；第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层厚度为0.25～0.3nm；第一隔层电介质组合层厚度为68～69nm；第二隔层电介质组合层厚度为70～71nm；第三隔层电介质组合层厚度为72～73nm；上层电介质组合层厚度为24～27nm。

优选的，四银层厚度上要求第一银层厚度小于第二银层、第二银层厚度小于第三银层、第三银层厚度小于第四银层。四层银层厚度总和约为43nm～47nm，其各银层厚度关系满足产品外观颜色如下表内的颜色值范围：

单片外观颜色	玻璃面反射色	膜层面反射色	透射色
				Y	小于7	小于8	大于70
L*	小于32	小于34	大于87
				a*	-0.5～-1.8	1.2～1.8	-6.0～-5.0
b*	-3.5～-4.5	-4.5～-5.5	-1.0～2.0

更优选的，第一银层厚度为7～8nm；第二银层厚度为11～12nm；第三银层厚度为12～13nm；第四银层厚度为13～14nm。

优选的，上层电介质组合层包括沉积于第四阻挡层上的第一上层电介质组合层和沉积于第一上层电介质组合层上的第二上层电介质组合层；第一上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；第二上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成。

更优选的，第一、第二上层电介质组合层通常以不同材料交替溅射叠加组成，目的是使膜层具备减反射膜及低吸收率。

特别优选的，第二上层电介质组合层至少包含TiO₂、SiO₂和Si₃N₄中的一种。

第一上层电介质组合层的厚度为15～16nm；第二上层电介质组合层的厚度为9～11nm。

上述ZnSnO_x、NiCrO_x、NiCrN_x等不完全氧化物或完全氧化物、不完全氮化物或完全氮化物的化学式中，x大于0，能取的最大值为金属或非金属加入一定氧气或氮气流量（一般加入氧气或氮气流量值相当于该靶溅射功率的15倍）后氧化时的实际值。

一种含银低辐射玻璃的制造方法，包括依次沉积各膜层的步骤，具体如下：

S1、清洗玻璃基片，干燥后置于磁控溅射区；

S2、中频电源加旋转阴极溅射沉积基层电介质组合层；

S3、直流电源加脉冲溅射沉积第一银层；

S4、直流电源加脉冲溅射沉积第一阻挡层；

S5、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一隔层电介质组合层；

S6、直流电源加脉冲溅射沉积第二银层；

S7、直流电源加脉冲溅射沉积第二阻挡层；

S8、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二隔层电介质组合层；

S9、直流电源加脉冲溅射沉积第三银层；

S10、直流电源加脉冲溅射沉积第三阻挡层；

S11、中频电源加旋转阴极溅射沉积第三隔层电介质组合层；

S12、直流电源加脉冲溅射沉积第四银层；

S13、直流电源加脉冲溅射沉积第四阻挡层；

S14、中频电源加旋转阴极溅射沉积上层电介质组合层。

优选的，沉积镀膜时，镀膜线配置保持系统背景真空真空度在3×10^-6mbar以上的无油分子泵；银靶的邻近隔仓位配置有用于吸收水分的低温泵。

优选的，中频电源加旋转阴极溅射是在氩氮或氩氧氛围中进行，频率为35～45kHz，功率为30～50kw；其中，中频电源加旋转阴极溅射在氩氮氛围中进行时，功率为30～40kw；其中，中频电源加旋转阴极溅射在氩氧氛围中进行时，功率为30～50kw；直流电源加脉冲溅射是在氩气氛围或氩氧氛围中进行，功率为0.6～3kw。

这种含银低辐射玻璃在传统的以银为红外反射膜层的低辐射玻璃中增加银层、阻挡层和电介质层组合层，这样使得银层厚度分散并由电介质层组合层承载遮挡，增加银层厚度的同时可见光透过率高，并且外观不呈现干扰色。

【附图说明】

图1为一实施方式的含银低辐射玻璃结构示意图；

图2为一实施方式的含银低辐射玻璃的制造流程图。

【具体实施方式】

如图1所示的一种含银低辐射玻璃，包括依次排列的如下结构：玻璃基片、基层电介质组合层、第一银层、第一阻挡层、第一隔层电介质组合层、第二银层、第二阻挡层、第二隔层电介质组合层、第三银层、第三阻挡层、第三隔层电介质组合层、第四银层、第四阻挡层、上层电介质组合层。

优选的，基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层、上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层由Ni、Cr、NiCrO_x和NiCrN_x中的一种或几种构成。

优选的，基层电介质组合层厚度为25～27nm；第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层厚度为0.25～0.3nm；第一隔层电介质组合层厚度为67～69nm；第二隔层电介质组合层厚度为69～71nm；第三隔层电介质组合层厚度为71～73nm；上层电介质组合层厚度为24～27nm。

优选的，四银层厚度上要求第一银层厚度小于第二银层、第二银层厚度小于第三银层、第三银层厚度小于第四银层。四层银层厚度总和约为43nm～47nm之间，其各银层厚度关系满足产品外观颜色如下表内的颜色值范围：

单片外观颜色	玻璃面反射色	膜层面反射色	透射色
				Y	小于7	小于8	大于70
L*	小于32	小于34	大于87
				a*	-0.5～-1.8	1.2～1.8	-6.0～-5.0
b*	-3.5～-4.5	-4.5～-5.5	-1.0～2.0

更优选的，第一银层厚度为7～8nm；第二银层厚度为11～12nm；第三银层厚度为12～13nm；第四银层厚度为13～14nm。

优选的，上层电介质组合层包括沉积于第四阻挡层上的第一上层电介质组合层和沉积于第一上层电介质组合层上的第二上层电介质组合层；第一上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；第二上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；第一上层电介质组合层的厚度为15～16nm；第二上层电介质组合层的厚度为9～11nm。

更优选的，第一、第二上层电介质组合层通常以不同材料交替溅射叠加组成，便于控制膜层均匀性、牢固性和合理光学效果。

特别优选的，第二上层电介质组合层最外层材料至少包含TiO₂、SiO₂和Si₃N₄中的一种，使得产品耐磨和耐久性最终符合理化性能标准。

第一上层电介质组合层厚度约为第二上层电介质组合层厚度的1.5倍，使得产品可得到相对较好的耐热、耐久及光学热性能。

如图2所示的上述含银低辐射玻璃的制造方法，包括依次沉积各膜层的步骤，具体如下：

清洗玻璃基片，干燥后置于磁控溅射区；

中频电源加旋转阴极溅射沉积基层电介质组合层；

直流电源加脉冲溅射沉积第一银层；

直流电源加脉冲溅射沉积第一阻挡层；

中频电源加旋转阴极溅射沉积第一隔层电介质组合层；

直流电源加脉冲溅射沉积第二银层；

直流电源加脉冲溅射沉积第二阻挡层；

中频电源加旋转阴极溅射沉积第二隔层电介质组合层；

直流电源加脉冲溅射沉积第三银层；

直流电源加脉冲溅射沉积第三阻挡层；

中频电源加旋转阴极溅射沉积第三隔层电介质组合层；

直流电源加脉冲溅射沉积第四银层；

直流电源加脉冲溅射沉积第四阻挡层；

中频电源加旋转阴极溅射沉积上层电介质组合层；

成品检验。

优选的，沉积镀膜时，镀膜线配置保持系统背景真空真空度在3×10^-6mbar以上的无油分子泵；银靶的邻近隔仓位配置有用于吸收水分的低温泵；中频电源加旋转阴极溅射是在设备功率为30～50kw的氩氮氛围或氩氧氛围中进行，频率为40kHz；其中，中频电源加旋转阴极溅射在氩氮氛围中进行时，功率为30～40kw；其中，中频电源加旋转阴极溅射在氩氧氛围中进行时，功率为30～50kw；直流电源加脉冲溅射是在氩气氛围或氩氧氛围中进行，功率为0.6～3kw；

其中，中频电源加旋转阴极溅射沉积形成氧化物层时在氩氧氛围中进行，而沉积形成氮化物层时在氩氮氛围内进行；

直流电源加脉冲溅射沉积形成金属层或合金层时在氩气氛围中进行，而沉积形成氧化物层时在氩氧氛围中进行。

含银低辐射玻璃的制备采用真空磁控溅射镀膜，每一膜层可以由单一物质沉积形成，也可以由几种不同的物质依次沉积形成。

下面结合具体的实施例对含银低辐射玻璃及其制造方法作进一步的说明。

实施例1

该含银低辐射玻璃实施例1的膜层结构依次为：玻璃、ZnSnO_x、Ag、NiCrO_x、ZnSnO_x、Ag、NiCrO_x、ZnSnO_x、Ag、NiCrO_x、ZnSnO_x、Ag、NiCrO_x、ZnSnO_x、Si₃N₄。

本实施例中，基层电介质组合层为ZnSnO_x层，厚度为27nm。

本实施例中，第一银层厚度为8nm。

本实施例中，第一阻挡层为NiCrO_x层，厚度为0.3nm。

本实施例中，第一隔层电介质组合层层为ZnSnO_x层，厚度为69nm。

本实施例中，第二银层厚度为12nm。

本实施例中，第二阻挡层为NiCrO_x层，厚度为0.3nm。

本实施例中，第二隔层电介质组合层层为ZnSnO_x层，厚度为71nm。

本实施例中，第三银层厚度为13nm。

本实施例中，第三阻挡层为NiCrO_x层，厚度为0.3nm。

本实施例中，第三隔层电介质组合层层为ZnSnO_x层，厚度为73nm。

本实施例中，第四银层厚度为14nm。

本实施例中，第四阻挡层为NiCrO_x层，厚度为0.3nm。

本实施例中，上层电介质组合层由两种化合物依次沉积形成第一上层电介质组合层和第二上层电介质组合层；其中，第一上层电介质组合层为ZnSnO_x层，厚度为16nm，第二上层电介质组合层为Si₃N₄层，厚度为11nm。

上述各膜层具体制造工艺为：

Si₃N₄层采用中频电源加旋转阴极溅射在氩氮氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为30～40kw，中频电源频率为40kHz。

ZnSnO_x层采用中频电源加旋转阴极溅射在氩氧氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为30～50kw，中频电源频率为40kHz。

NiCrO_x层采用直流电源加脉冲溅射在氩氧氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为0.6kw，氩气流量1000sccm，氧气流量控制与实际溅射功率有关联，通常是功率值的10倍数值，这里为6sccm，目的是为了控制NiCrO_x层不充分氧化价位，突出膜层较强的阻挡能力。

Ag层采用直流电源加脉冲溅射在氩气氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为3kw。

该含银低辐射玻璃光学性能和热性能如下：

辐射率ε≤0.02，中空产品（结构为：6mm含银低辐射玻璃+12mm空气层+6mm普通白玻）的传热系数U-值＜1.1W/m²·K，选择系数Lsg≥2.4。

与传统的含三银层的低辐射玻璃比较，该产品辐射率比三银低辐射玻低0.015，传热系数比三银低辐射玻璃中空产品（结构为：6mm三银低辐射玻璃+12mm空气层+6mm普通白玻）低0.3W/m²·K。

四银层保持严格的厚度，该四银低辐射玻璃外观颜色满足：

单片外观颜色	玻璃面反射色	膜层面反射色	透射色
				Y	小于7	小于8	大于70
L*	小于32	小于34	大于87
				a*	-0.5～-1.8	1.2～1.8	-6.0～-5.0
b*	-3.5～-4.5	-4.5～-5.5	-1.0～2.0

实施例2

该含银低辐射玻璃的另一具体实施例的膜层结构依次为：玻璃、Si₃N₄、Ag、NiCr、Si₃N₄、Ag、NiCr、Si₃N₄、Ag、NiCr、Si₃N₄、Ag、NiCr、Si₃N₄、TiO₂。

本实施例中，基层电介质组合层为Si₃N₄层，厚度为25nm。

本实施例中，第一银层厚度为7.6nm。

本实施例中，第一阻挡层为NiCr层，厚度为0.3nm。

本实施例中，第一隔层电介质组合层层为Si₃N₄层，厚度为67nm。

本实施例中，第二银层厚度为10.8nm。

本实施例中，第二阻挡层为NiCr层，厚度为0.3nm。

本实施例中，第二隔层电介质组合层层为Si₃N₄层，厚度为69nm。

本实施例中，第三银层厚度为13.3nm。

本实施例中，第三阻挡层为NiCr层，厚度为0.3nm。

本实施例中，第三隔层电介质组合层层为Si₃N₄层，厚度为71nm。

本实施例中，第四银层厚度为14nm。

本实施例中，第四阻挡层为NiCr层，厚度为0.3nm。

本实施例中，上层电介质组合层由两种化合物依次沉积形成第一上层电介质组合层和第二上层电介质组合层；其中，第一上层电介质组合层为Si₃N₄层，厚度为15nm，第二上层电介质组合层为TiO₂层，厚度为10nm。

上述各膜层具体制造工艺为：

Si₃N₄层采用中频电源加旋转阴极溅射在氩氮氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为30～40kw，中频电源频率为40kHz。

TiO₂层采用中频电源加旋转阴极溅射在氩氮氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为30～40kw，中频电源频率为40kHz。

NiCr层采用直流电源加脉冲溅射在氩气氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为0.6kw，氩气流量1000sccm。

Ag层采用直流电源加脉冲溅射在氩气氛围中沉积形成，真空磁控溅射设备功率为3kw。

该含银低辐射玻璃光学性能和热性能如下：

辐射率ε≤0.02，中空产品（结构为：6mm含银低辐射玻璃+12mm空气层+6mm普通白玻）的传热系数U-值＜1.1W/m²·K，选择系数Lsg≥2.4。

与传统的含三银层的低辐射玻璃比较，该产品辐射率比三银低辐射玻低0.015，传热系数比三银低辐射玻璃中空产品（结构为：6mm三银低辐射玻璃+12mm空气层+6mm普通白玻）低0.3W/m²·K。

四银层保持严格的厚度，该四银低辐射玻璃外观颜色满足：

单片外观颜色	玻璃面反射色	膜层面反射色	透射色
				Y	小于7	小于8	大于70
L*	小于32	小于34	大于87
				a*	-0.5～-1.8	1.2～1.8	-6.0～-5.0
b*	-3.5～-4.5	-4.5～-5.5	-1.0～2.0

这种含银低辐射玻璃在传统的以银为红外反射膜层的低辐射玻璃中增加银层、阻挡层和电介质层组合层，这样使得银层厚度分散并由电介质层组合层承载遮挡，增加银层厚度的同时可见光透过率高，并且外观不呈现干扰色。

通过膜层设计，使银层两边的阻挡层和电介质组合层厚度维持在一定的比例范围内，对银层具有更好的遮挡能力；另外通过镀膜工艺，让银层及两边的阻挡层更薄更致密。这样，在保持低辐射的同时有效提高了选择系数，得到了良好的综合指标；四银层保持严格的厚度，使得该四银低辐射玻璃外观颜色满足：

单片外观颜色	玻璃面反射色	膜层面反射色	透射色
				Y	小于7	小于8	大于70
L*	小于32	小于34	大于87
				a*	-0.5～-1.8	1.2～1.8	-6.0～-5.0
b*	-3.5～-4.5	-4.5～-5.5	-1.0～2.0

这样使得该含银低辐射玻璃外观更好，选择系数更高。

第一、第二上层电介质组合层通常以不同材料交替溅射叠加组成，便于控制膜层均匀性、牢固性和合理光学效果。

第二上层电介质组合层最外层材料至少包含TiO₂、SiO₂和Si₃N₄中的一种，使得产品耐磨和耐久性最终符合理化性能标准。

第一上层电介质组合层厚度约为第二上层电介质组合层厚度的1.5倍，使得产品可得到相对较好的耐热、耐久及光学热性能。

镀膜时镀膜线上配置有高抽速的无油分子泵，保持背景真空在高真空3×10^-6mbar以上，系统在几种工艺气氛溅射区之间具有很好的气氛隔离效果，隔离系数大于30，同时具有较好的膜厚均匀性和膜层组成成分均匀性，在大抽速的真空获得系统下，加大工艺气体的压力，采用直流加脉冲的阴极电源进行溅射，并在银靶的邻近隔仓位配置低温泵吸收水分，提高了银层的成膜质量，有效的提高了产品的可见光透过率。

基层电介质组合层和隔层电介质组合层为减反射膜层，同时起着连接玻璃和功能层的作用，与玻璃之间粘接性能好，并缓解了整个低辐射膜的内部应力。上层电介质组合层直接增加了所述含银低辐射玻璃抗划伤、耐磨和抗腐蚀的性能。这两种组合层采用频率40kHz的具有良好灭弧性能的中频电源加旋转阴极溅射形成，折射率良好匹配，使产品的反射率和透过率达到理想值。

该含银低辐射玻璃辐射低、可见光透过率高、外观不呈现干扰色、选择系数高，具有良好的节能效果；独特的膜层结构，使得产品具有良好的耐候性，同时膜层不易脱落、不易被氧化，能推广到汽车玻璃和民用住宅。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (8)

1.一种含银低辐射玻璃，其特征在于，该玻璃膜层结构依次为：玻璃基片、基层电介质组合层、第一银层、第一阻挡层、第一隔层电介质组合层、第二银层、第二阻挡层、第二隔层电介质组合层、第三银层、第三阻挡层、第三隔层电介质组合层、第四银层、第四阻挡层、上层电介质组合层；

四银层厚度上要求第一银层厚度小于第二银层、第二银层厚度小于第三银层、第三银层厚度小于第四银层；四层银层厚度总和为43nm～47nm，其各银层厚度关系满足产品外观颜色如下表内的颜色值范围：

单片外观颜色 玻璃面反射色 膜层面反射色 透射色 Y 小于7 小于8 大于70 L* 小于32 小于34 大于87 a* -0.5～-1.8 1.2～1.8 -6.0～-5.0 b* -3.5～-4.5 -4.5～-5.5 -1.0～2.0

；

所述上层电介质组合层包括沉积于所述第四阻挡层上的第一上层电介质组合层和沉积于所述第一上层电介质组合层上的第二上层电介质组合层；

所述第一上层电介质组合层的厚度为15～16nm；

所述第二上层电介质组合层的厚度为9～11nm；

所述第一上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；

所述第二上层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成，且至少包含TiO₂、SiO₂和Si₃N₄中的一种；

第一、第二上层电介质组合层以不同材料交替溅射叠加组成;

第一上层电介质组合层厚度为第二上层电介质组合层厚度的1.5倍。

2.如权利要求1所述的含银低辐射玻璃，其特征在于，所述基层电介质组合层、第一隔层电介质组合层、第二隔层电介质组合层、第三隔层电介质组合层由TiO₂、ZnSnO_x、SnO₂、ZnO、SiO₂、Ta₂O₅、Bi₂O₃、Al₂O₃、ZnAl₂O₄、Nb₂O₅和Si₃N₄中的一种或几种构成；

所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层由Ni、Cr、NiCrO_x和NiCrN_x中的一种或几种构成。

3.如权利要求1所述的含银低辐射玻璃，其特征在于，所述基层电介质组合层厚度为25～27nm；

所述第一隔层电介质组合层厚度为67～69nm；

所述第二隔层电介质组合层厚度为69～71nm；

所述第三隔层电介质组合层厚度为71～73nm；

所述上层电介质组合层厚度为24～27nm。

4.如权利要求1所述的含银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一阻挡层、第二阻挡层、第三阻挡层、第四阻挡层厚度为0.25～0.3nm。

5.如权利要求1所述的含银低辐射玻璃，其特征在于，所述第一银层厚度为7～8nm；第二银层厚度为11～12nm；第三银层厚度为12～13nm；第四银层厚度为13～14nm。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的含银低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，包括依次沉积各膜层的步骤，具体如下：

S1、清洗玻璃基片，干燥后置于磁控溅射区；

S2、中频电源加旋转阴极溅射沉积基层电介质组合层；

S3、直流电源加脉冲溅射沉积第一银层；

S4、直流电源加脉冲溅射沉积第一阻挡层；

S5、中频电源加旋转阴极溅射沉积第一隔层电介质组合层；

S6、直流电源加脉冲溅射沉积第二银层；

S7、直流电源加脉冲溅射沉积第二阻挡层；

S8、中频电源加旋转阴极溅射沉积第二隔层电介质组合层；

S9、直流电源加脉冲溅射沉积第三银层；

S10、直流电源加脉冲溅射沉积第三阻挡层；

S11、中频电源加旋转阴极溅射沉积第三隔层电介质组合层；

S12、直流电源加脉冲溅射沉积第四银层；

S13、直流电源加脉冲溅射沉积第四阻挡层；

S14、中频电源加旋转阴极溅射沉积上层电介质组合层。

7.如权利要求6所述的含银低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，沉积镀膜时，镀膜线配置有保持系统背景真空的真空度在3×10^-6mbar以上的无油分子泵；

银靶的邻近隔仓位配置有用于吸收水分的低温泵。

8.如权利要求6所述的含银低辐射玻璃的制造方法，其特征在于，所述中频电源加旋转阴极溅射是在氩氮或氩氧氛围中进行，频率为40kHz，功率为30～50kw；

所述直流电源加脉冲溅射是在氩气氛围或氩氧氛围中进行，功率为0.6～3kw。

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