CN102253601B - 提高7350光刻胶热稳定性的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其包括如下步骤：a、第一次UV坚膜：将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜；坚膜起始温度为100℃~110℃；起始温度保持时间为80~90秒，然后在47~53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123℃~137℃；b、第二次UV坚膜：将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为114℃~126℃，其实温度保持时间为44~50秒；然后在95~105秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至190℃~210℃。本发明第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩膜的要求，能够完成0.6μm金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了AMATP5000MXP的使用范围。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高热稳定性的方法，尤其是一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，具体地说利用7350光刻胶刻蚀0.5μm金属条的方法。
背景技术
7350 光刻胶是正性光刻胶，主要由树脂、感光剂、及溶剂等不同的材料混合而成的。所述7350光刻胶的特点是分辨率高，但热稳定性差。在130℃以上温度烘烤时，7350光刻胶将软化并产生形变，所以无法作为金属腐蚀的掩膜在RIE（反应离子刻蚀）金属等离子设备刻蚀出0.5um的金属条；但是在RIE设备刻蚀0.5μm金属条必须采用7350光刻胶。为了增加7350光刻胶的热稳定性，通常需要对光刻胶坚膜，7350光刻胶使用UV坚膜，使光刻胶树脂发生交联形成一层薄的表面硬壳，增加光刻胶的热稳定性，耐温可提高到130℃，但仍不能作为掩膜在RIE设备腐蚀金属。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其能使7350光刻胶在RIE设备中作为掩膜刻蚀金属条，工艺步骤简单，实用性强。
按照本发明提供的技术方案，一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，所述方法包括如下步骤：
a、第一次UV坚膜：将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜，所述7350光刻胶上刻蚀出相应的图案；坚膜起始温度为100℃~110℃；起始温度保持时间为80~90秒，然后在47~53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123℃~137℃；
其中，在50秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是：全开5秒、关20秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开30秒；上述时间和温度值均可以在5%范围内波动；
b、取片：将圆片移出坚膜设备，并使圆片的温度降至常温状态；
c、第二次UV坚膜：将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为114℃~126℃，其实温度保持时间为44~50秒；然后在95~105秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至190℃~210℃；
其中，在100秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是：全开7秒、关20秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开40秒；上述时间和温度值均可以在5%范围内波动；
d、取片：将上述圆片移出坚膜设备。
将上述得到的圆片及位于圆片上的7350光刻胶放置于RIE金属腐蚀设备上，通过7350光刻胶的掩膜作用，刻蚀出圆片上的金属条。
本发明的优点：通过第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩膜的要求，能够完成0.5μm金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了AMAT P5000MXP的使用范围。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步说明。
为了使7350光刻胶能够适应RIE刻蚀设备的掩膜需要，满足金属层刻蚀要求，通过下述工艺步骤实现：
a、第一次UV坚膜：将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜，所述7350光刻胶上刻蚀出相应的图案；坚膜起始温度为105℃；起始温度保持时间为85秒，然后在50秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至130℃；UV坚膜设备可以采用Fusion Bake；其中，在50秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是：全开5秒、关20秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开30秒；上述时间和温度值均可以在5%范围内波动；
b、取片：将圆片移出坚膜设备，并使圆片的温度降至常温状态；圆片及其上的7350光刻胶的温度从130℃降至常温后，能够用于后续加工需要；
c、第二次UV坚膜：将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为120℃，其实温度保持时间为47秒；然后在100秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至200℃；其中，在100秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是：全开7秒、关20秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开40秒；上述时间和温度值均可以在5%范围内波动；
d、取片：将上述圆片移出坚膜设备。
在RIE设备刻蚀0.5um的金属条必须采用7350光刻胶，本发明通过第一次UV坚膜时采用温度低于130℃下完成，主要是让7350光刻胶内的大部分溶剂挥发；且第二次UV坚膜时采用200℃下完成，主要使7350光刻胶变硬，热稳定性得以提高；能够满足7350光刻胶在RIE刻蚀设备上作为掩膜的要求。
将上述得到的圆片及位于圆片上的7350光刻胶放置于RIE金属腐蚀设备上，通过7350光刻胶的掩膜作用，刻蚀出圆片上的金属层。RIE金属腐蚀设备采用AMAT P5000MXP，腐蚀时，通过7350光刻胶上的图案，能够得到相应的金属条，然后干法去胶和EKC去聚合物，0.5um的金属条图案完整的从7350光刻胶掩膜转移到圆片上。EKC溶液为购自EKC Technology,Inc.,Hayward,CA.EKC溶液为一胺类为主的剥除剂（amine-based stripper），主要是出羟胺，有机溶剂，抑制腐蚀剂和水组成，能够出去衬底表面残留的光刻胶。
本发明通过第一次UV坚膜工艺，使7350光刻胶内大部分溶剂挥发，并通过第二次UV坚膜工艺，使7350光刻胶变硬，以满足7350光刻胶作为掩膜的要求，能够完成0.5μm金属条刻蚀的要求；与常规的坚膜设备兼容，不增加其它设备；工艺简单，实用性强；扩大了AMAT P5000MXP的使用范围。
Claims (2)
1.一种提高7350光刻胶热稳定性的方法，其特征是，所述方法包括如下步骤：
（a）、第一次UV坚膜：将带有7350光刻胶的圆片放置于坚膜设备内坚膜，所述7350光刻胶上刻蚀出相应的图案；坚膜起始温度为100℃~110℃；起始温度保持时间为80~90秒，然后在47~53秒时间内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至123℃~137℃；
其中，在47~53秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是：全开5秒、关20秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开30秒；上述时间和温度值均可以在5%范围内波动；
（b）、取片：将圆片移出坚膜设备，并使圆片的温度降至常温状态；
（c）、第二次UV坚膜：将上述圆片再次放置于坚膜设备内坚膜，坚膜起始温度为114℃~126℃，起始温度保持时间为44~50秒；然后在95~105秒内使坚膜设备内圆片及7350光刻胶的温度升至190℃~210℃；
其中，在95~105秒时间内升温过程中，UV坚膜设备上UV灯开关次序是：全开7秒、关20秒、半开20秒、全开20秒、关20秒、半开20秒，全开40秒；上述时间和温度值均可以在5%范围内波动；
（d）、取片：将上述圆片移出坚膜设备。
2.根据权利要求1所述提高7350光刻胶热稳定性的方法，其特征是：将上述得到的圆片及位于圆片上的7350光刻胶放置于ECR金属腐蚀设备上，通过7350光刻胶的掩膜作用，刻蚀出圆片上的金属层。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
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| CN101320682A (zh) * | 2008-06-13 | 2008-12-10 | 华中科技大学 | 一种改善金属-p型半导体欧姆接触性能的方法 |
| CN101852893A (zh) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | 中国科学院半导体研究所 | 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 |
Non-Patent Citations (2)
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| "等离子刻蚀工艺中UV坚膜技术研究";李祥 等;《微电子技术》;19940228;第22卷(第1期);36-39 * |
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