[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN102163676A - 发光器件、发光器件封装以及照明系统 - Google Patents

发光器件、发光器件封装以及照明系统 Download PDF

Info

Publication number
CN102163676A
CN102163676A CN2011100381300A CN201110038130A CN102163676A CN 102163676 A CN102163676 A CN 102163676A CN 2011100381300 A CN2011100381300 A CN 2011100381300A CN 201110038130 A CN201110038130 A CN 201110038130A CN 102163676 A CN102163676 A CN 102163676A
Authority
CN
China
Prior art keywords
luminescent device
light extraction
layer
ray structure
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2011100381300A
Other languages
English (en)
Inventor
金鲜京
曹京佑
崔云庆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Innotek Co Ltd
Original Assignee
LG Innotek Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Innotek Co Ltd filed Critical LG Innotek Co Ltd
Publication of CN102163676A publication Critical patent/CN102163676A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12032—Schottky diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

本发明公开发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装以及照明系统。实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及第一和第二导电半导体层之间的有源层；发光结构上的荧光层；以及荧光层上的光提取结构。光提取结构将在发光结构中产生并且入射到荧光层和光提取结构之间的界面表面的光提取到发光结构的外部。

Description

发光器件、发光器件封装以及照明系统
技术领域
本发明涉及发光器件及其制造方法、发光器件封装、以及照明系统。
背景技术
发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。通过化合元素周期表的III和V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比，LED能够表现出各种颜色。
当正向电压被施加给LED时，n层的电子与p层的空穴结合，使得可以产生与导带和价带之间的能隙相对应的能量。此能量主要被实现为热或者光，并且LED将能量发射作为光。
氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽带隙能，因此氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件的领域受到高度关注。特别地，已经开发并且广泛地使用采用氮化物半导体的蓝、绿、以及UV发光器件。
同时，为了实现白色LED封装，是光的三原色的红、绿以及蓝色的LED被相互组合，黄荧光体(YAG或者TAG)被添加到蓝色LED，或者在UV LED中采用红/绿/蓝荧光体。
然而，在根据现有技术的使用荧光体的白色LED封装中，荧光体可能不均匀地分布在LED芯片周围，导致宽的色温分布。
另外，根据现有技术，荧光体的分布面积相对大于LED的面积，使得荧光体可能没有均匀地分布在LED周围，导致宽的色温分布。
另外，根据现有技术，从通过荧光体转换的光背景材料的边界表面全反射并且然后被再次引入LED芯片，使得会降低白色LED的效率。
发明内容
实施例提供发光器件、发光器件的制造方法、以及发光器件封装，其能够提高通过荧光体转换的光的提取效率，并且减少根据辐射角度的色温的变化。
根据实施例的发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在第一和第二导电半导体层之间的有源层；发光结构上的荧光层；以及荧光层上的光提取结构，其中该光提取结构将在发光结构中产生并且入射到荧光层和光提取结构之间的界面表面的光提取到发光结构的外部。
根据实施例的发光器件的制造方法包括：形成包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层的发光结构；在发光结构上形成荧光层；以及在荧光层上形成光提取结构。
根据实施例的发光器件封装包括：发光器件，该发光器件具有发光结构上的荧光层和荧光层上的光提取结构，其中该光提取结构将在发光结构中产生并且入射到荧光层和光提取结构之间的界面表面的光提取到发光结构的外部；以及在其中安装发光器件的封装主体。
根据实施例的照明系统包括发光模块，该发光模块包括发光封装。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的截面图；
图2是示出根据现有技术的发光器件的发光图案的视图；
图3是示出根据实施例的发光器件的发光图案的视图；
图4至图7a是示出根据实施例的发光器件的制造过程的截面图；
图7b是示出根据另一实施例的发光器件的截面图；
图8是示出根据实施例的发光器件封装的截面图；
图9是示出根据实施例的照明单元的透视图；以及
图10是示出根据实施例的背光单元的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，将会参考附图详细地描述根据实施例的发光器件、发光器件的制造方法、发光器件封装和照明系统。
在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)被称为在另一层或衬底“上”时，它能够直接地在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接地在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。另外，还将会理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它能够是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或者多个中间层。
(实施例)
图1是示出根据实施例的发光器件100的截面图。
根据实施例的发光器件100包括：发光结构110，该发光结构110具有第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116；荧光层130，该荧光层130形成在发光结构110上；以及光提取结构140，该光提取结构140形成在荧光层130上。
详细地，光提取结构140可以包括图案。图案可以是周期性图案或者非周期性图案。另外，图案可以具有周期性地或者非周期性地重复的相同的形状或者不同的形状。
图案衍射、分散或者散射入射到荧光层130和光提取结构140之间的界面表面的光，并且可以具有各种形状而没有限制。
荧光层130可以具有均匀的厚度。
光提取结构140可以包括介电物质，该介电物质包括氧化物、氮化物以及氯化物中的至少一个，但是实施例不限于此。
光提取结构140可以包括具有不同于荧光层130的折射率的折射率的材料。例如，光提取结构140可以具有高于或者低于荧光层130的折射率的折射率。
根据实施例，背景材料(未示出)可以形成在光提取结构140上，其中背景材料具有不同于光提取结构140的折射率的折射率。
光提取结构140可以具有50nm至3000nm的范围内的周期性，但是实施例不限于此。
根据实施例的发光器件，由于荧光层130使得能够提高荧光体中的光提取效率从而能够提高白色LED的效率。另外，因为能够调节荧光体中的发射分布，所以能够减少根据白色LED的辐射角度的色温的变化。在下文中，将会描述根据实施例的发光器件100。
能够以蓝色LED和荧光体的组合的形式来实现白色LED。白色LED中的重要因素之一是减少根据辐射角度的色温的变化。因此，通过共形涂覆工艺在芯片的顶部上形成具有均匀的厚度的荧光层。即，荧光体被制备为具有与蓝色LED的位置和面积相同的位置和面积的光源，从而除了色差之外减少了根据光路线的封装中的色温的变化。
通过荧光体转换的具有长波长的光的行进路线与在荧光体中没有被吸收的蓝光的行进路线基本上相同，因此能够忽视根据光的行进路线的色温的变化。
图2是示出根据现有技术的发光器件的发光图案的截面图。
如图2中所示，即使通过共形涂覆工艺涂覆具有均匀的厚度的荧光层，色温变化也会根据辐射角度而出现。
这是因为从发光结构10发射的蓝光的分布A不同于由荧光体30转换的光的分布B。
即，取决于光提取结构和背景材料(空气或者Si胶)与GaN之间的界面表面来确定蓝光的分布A。详细地，蓝光在垂直方向中更加地集中。
相反地，因为通过自发发射来发射由荧光体转换的具有长波长的光，因此能够在横向方向上以相同的几率分布光。因此，如果通过组合这两种光来实现白色LED，那么在垂直方向中可以增加光强度，即，在辐射角度被在垂直方向上导向时获得相对较高的色温。
特别地，因为与横向型GaN LED相比，垂直型GaN LED具有更多地在垂直方向上集中的发射分布，所以需要设计和开发具有与通过荧光体转换的光的发射分布相类似的发射分布的芯片。
另外，根据现有技术，通过荧光体转换的光从背景材料的边界表面全反射，并且然后被再次引入GaN LED，从而会降低白色LED的效率。
图3是示出根据实施例的发光器件的发光图案的截面图。
根据实施例的发光器件可以包括：发光结构110，和荧光层130，该荧光层130形成在发光结构上。另外，具有均匀的厚度的背景材料(未示出)和具有不同于荧光层130的折射率的折射率的光提取结构140可以形成在荧光层130上。光提取结构140可以包括从诸如SiO2、Si3N4、或者TiO2的氧化物、氮化物或者氯化物中选择的材料。另外，能够取决于背景材料(空气或者Si胶)的类型确定用于最大化提取效率的材料的图案高度和图案周期。
由于具有上述结构的光提取结构140使得荧光层130中的发射分布可以被导向在垂直方向C而不是横向方向上，同时表现与根据现有技术的具有周期性的方格图案的光提取效率相同的光提取效率。
因为由于图案格子的周期性导致出现光衍射，因此通过光提取结构140能够在垂直方向上集中光。如果具有均匀的厚度的荧光层形成在具有图案的垂直型芯片上，那么能够减少色温的变化。
根据实施例的发光器件，由于包括图案的荧光层使得能够提高荧光体中的光提取效率，从而能够提高白色LED的效率。另外，通过调节荧光体中的发射分布能够减少根据白色LED的辐射角度的色温的变化。
在下文中，将会参考图4至图7a描述根据实施例的发光器件的制造方法。
首先，制备第一衬底105，如图1中所示。第一衬底105可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，第一衬底105可以包括Al2O3、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一个。凹凸结构能够形成在第一衬底105上，但是实施例不限于此。
第一衬底105能够进行湿清洁以从第一衬底105的表面移除杂质。
然后，包括第一导电半导体层112、有源层114以及第二导电半导体层116的发光结构110形成在第一衬底105上。
缓冲层(未示出)能够形成在第一衬底105上。缓冲层可以减少发光结构110和第一衬底105之间的晶格错配。缓冲层可以包括III-V族化合物半导体。例如，缓冲层可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN中的至少一个。未掺杂的半导体层能够形成在缓冲层上，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体。如果第一导电半导体层112是N型半导体层，那么第一导电掺杂物是诸如Si、Ge、Sn、Se、或者Te的N型掺杂物，但是实施例不限于此。
第一导电半导体层112可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。
另外，第一导电半导体层112可以包括GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP、以及InP中的至少一个。
第一导电半导体层112可以包括通过CVD(化学气相沉积)、MBE(分子束外延)、溅射或者HVPE(氢化物气相外延)形成的N型GaN层。
另外，通过将包括诸如硅的n型杂质的硅烷(SiH4)气体、三甲基镓(TMGa)气体、氨气(NH3)、以及氮气(N2)注入室中能够形成第一导电半导体层112。
通过第一导电半导体层112注入的电子在有源层114处与通过第二导电半导体层116注入的空穴相遇，从而有源层114能够发射具有基于有源层(发光层)114的本征能带确定的能量的光。
有源层114可以包括单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构以及量子点结构中的至少一个。例如，通过注入TMGa气体、NH3气体、N2气体、以及三甲基铟(TMIn)气体能够以MQW结构形成源层114，但是实施例不限于此。
有源层114可以具有包括InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs以及GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一种的阱/势垒层，但是实施例不限于此。阱层可以包括具有低于势垒层的带隙能的带隙能的材料。
导电包覆层(未示出)能够形成在有源层114的上和/或下面。导电包覆层可以包括具有高于有源层114的带隙能的带隙能的AlGaN基半导体。
第二导电半导体层116可以包括掺杂有第二导电掺杂物的III-V族化合物半导体。例如，第二导电半导体层116可以包括具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。详细地，第二导电半导体层116可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP组成的组中选择的一个。如果第二导电半导体层116是P型半导体层，那么第二导电掺杂物包括诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的P型掺杂物。第二导电半导体层116能够被制备为单层或者多层，但是实施例不限于此。
第二导电半导体层116可以包括能够通过将包括p型杂质(例如，Mg)的(EtCp2Mg){Mg(C2H5C5H4)2}气体、TMGa气体、NH3气体、N2气体注入室形成的p型GaN层，但是实施例不限于此。
根据实施例，第一导电半导体层112可以包括N型半导体层，并且第二导电半导体层106可以包括P型半导体层，但是实施例不限于此。另外，具有与第二导电半导体层116的极性相反的极性的诸如N型半导体层(未示出)的半导体层能够被形成在第二导电半导体层116层上。因此，发光结构110可以包括N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构、以及P-N-P结结构中的一个。
然后，第二电极层120形成在第二导电半导体层116上。
第二电极层120可以包括欧姆层、反射层122、粘附层(未示出)以及支撑衬底124。
例如，第二电极层120可以包括欧姆层，该欧姆层欧姆接触发光结构110以容易地将电力提供给发光结构110。通过堆叠单金属、金属合金、以及金属氧化物能够将欧姆层制备为多层。
例如，欧姆层可以包括从由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-Ga ZnO)、IGZO(In-Ga ZnO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。
另外，第二电极层120可以包括反射层122以反射从发光结构110入射的光，从而提高光提取效率。
例如，反射层122可以包括从由Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、以及Hf组成的组中选择的至少一个的金属或者金属合金。另外，通过使用上面的金属或者金属合金和诸如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、或者ATO的透射导电材料能够将反射层122制备为多层。例如，反射层122可以具有包括IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、或者AZO/Ag/Ni的堆叠结构。
另外，如果第二电极层120包括粘附层，那么反射层122可以用作结合层或者可以包括阻挡金属或者结合金属。例如，粘附层可以包括从由Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag以及Ta组成的组中选择的至少一个。
第二电极120包括支撑衬底124。支撑衬底124支撑发光结构110以将电力提供到发光结构110。支撑衬底124可以包括具有优异的导电性的金属、金属合金、或者导电半导体材料。
例如，支撑衬底124可以包括从由Cu、Cu合金、Au、Ni、Mo、Cu-W、以及诸如Si、Ge、GaAs、GaN、ZnO、SiGe、以及SiC的载具晶圆组成的组中选择的至少一个。
支撑衬底124可以具有大约30μm至500μm的厚度，其可以取决于发光器件的设计规则而变化。
通过电化学金属沉积方案、镀方案或者使用共熔金属的结合方案能够形成支撑衬底124。
然后，如图5中所示，移除第一衬底105使得能够暴露第一导电半导体层112。通过激光剥离方案或者化学剥离方案能够移除第一衬底105。另外，通过物理研磨第一衬底105能够移除第一衬底105。
根据激光剥离方案，在第一衬底105和发光结构之间的界面表面中吸收在正常温度中提供的预定能量，从而热分解发光结构的结合表面，从而使衬底105与发光结构分离。
然后，如图6中所示，荧光层130形成在发光结构110上。荧光层130具有均匀的厚度。
通过将黄色荧光体(YAG或者TAG)添加到蓝色LED，或者通过组合红/绿/蓝色荧光体与UV LED能够形成荧光层130，但是实施例不限于此。
荧光体可以包括主体材料和活性材料。例如，铯(Cs)活性材料能够添加到YAG(钇铝石榴石)主体材料，或者铒(Er)活性材料能够添加到硅酸盐基主体材料，但是实施例不限于此。
通过共形涂覆工艺可以平坦化荧光层130的顶表面，但是实施例不限于此。荧光层130可以具有均匀的厚度。因为具有平坦的顶表面的荧光层130均匀地形成在发光结构110上，所以荧光体能够均匀地分布在发光器件的芯片周围并且表面光发射是可能的，从而能够有利于光学设计。
然后，光提取结构140形成在荧光层130上，如图7a中所示。
光提取结构140可以包括包含诸如SiO2、Si3N4、或者TiO2的氧化物、氮化物或者氯化物中的至少一个的介电物质，但是实施例不限于此。
例如，通过在荧光层130上形成介电层(未示出)，并且然后构图介电层能够形成光提取结构140。
除了通过使用掩模构图介电层形成的图案之外，光提取结构140可以包括用于提高光提取效率的多个突出。例如，光提取结构140可以包括通过湿法蚀刻介电层形成的粗糙。
通过使用具有不同于荧光层130的折射率的折射率的材料能够形成光提取结构140。例如，光提取结构140可以具有高于或者低于荧光层130的折射率的折射率。
光提取结构140可以具有50nm至3000nm的范围内的周期性，但是实施例不限于此。
根据实施例，背景材料(空气或者Si胶)可以额外地形成在光提取结构140中，其中背景材料可以具有不同于光提取结构140的折射率的折射率。
因为光提取结构140具有周期性，所以能够提高光提取效率，使得荧光层130中的发射分布可以被导向在垂直方向而不是横向方向上，从而减少色温的变化。
根据实施例的发光器件和发光器件的制造方法，由于包括图案的荧光层使得能够提高荧光体中的光提取效率，从而能够提高白色LED的效率。另外，通过调节荧光体中的发光分布能够减少根据白色LED的辐射角度的色温的变化。图7b是示出根据另一实施例的发光器件的横截面图。
根据另一实施例的发光器件102可以包括发光结构110，该发光结构110包括第一导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116；第一介电层151，该第一介电层151形成在发光结构110的上表面的一部分上；以及焊盘电极160，该焊盘电极160形成在第一介电层151上。
在实施例中，介电层150可以包括第一介电层151和形成在发光结构110的侧面上的第二介电层152。在此，第一介电层151和第二介电层152可以相互连接。
在实施例中，第一电极161可以被包括在发光结构110上。焊盘电极160可以被电气地连接到第一电极161。
光提取结构140可以形成在发光结构110的上表面处以提高光提取效率。
第二电极层120形成在发光结构110下面。第二电极层120可以包括欧姆层121、反射层122、结层123、以及支撑衬底124。
保护构件190可以倾斜地形成在发光结构110下方。电流阻挡层(CBL)139可以形成在发光结构110和欧姆层121之间。
保护构件190可以周向地形成在发光结构110和结层123之间。因此，保护构件190可以形成为环形、回路形状、或者方形。保护构件190的一部分可以在垂直方向上重叠发光结构110。
通过增加结层123的每个侧面和有源层114之间的距离，保护构件190可以减少结层123和有源层114之间的短路的可能性。
保护构件190还可以防止在芯片分离工艺期间出现的短路。
保护构件190可以形成有电绝缘材料，具有比反射层122或者结层123低的导电性的材料、或者与第二导电半导体层116形成肖特基接触的材料。例如，保护构件190可以包括ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、ZnO、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiOx、TiO2、Ti、Al或者Cr中的至少一个。
图8是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装200的视图。
根据实施例的发光器件封装200包括封装主体205；第三和第四电极层213和214，该第三和第四电极层213和214形成在封装主体205上；发光器件100，该发光器件100被提供在封装主体205上并且电气地连接到第三和第四电极层213和214；以及成型构件240，该成型构件240围绕发光器件100。
封装主体205可以包括硅、合成树脂或者金属材料。倾斜表面可以形成在发光器件100的周围。
第三和第四电极层213和214相互电气地隔离以将电力提供给发光器件100。另外，第三和第四电极层213和214反射从发光器件100发射的光以提高光效率并且将从发光器件100生成的热散发到外部。
能够采用图1中所示的垂直型发光器件作为发光器件100，但是实施例不限于此。例如，横向型发光器件能够被用作发光器件100。
发光器件100能够被安装在封装主体205上或者第三和第四电极层213和214上。
通过引线键合方案、倒装芯片安装方案以及贴片方案中的至少一个将发光器件100电气地连接到第三电极层213和/或第四电极层214。根据实施例，发光器件100通过布线230电气地连接到第三电极层213，并且通过贴片方案电气地连接到第四电极层214。
成型构件240围绕发光器件100以保护发光器件100。另外，成型构件240可以包括荧光体以改变从发光器件100发射的光的波长。
多个根据实施例的发光器件封装可以排列在基板上，并且包括导光板、棱镜片、扩散片或者荧光片的光学构件可以被提供在从发光器件封装发射的光的光学路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以用作背光单元或者照明单元。例如，照明系统可以包括背光单元、照明单元、指示器、灯、或者街灯。
图9是示出根据实施例的照明单元1100的透视图。图9中所示的照明单元1100是照明系统的示例，并且实施例不限于此。
参考图9，照明单元1100包括壳体1110、安装在壳体1110中的发光模块1130、以及连接端子1120，该连接端子1120被安装在壳体1110中以接收来自于外部电源的电力。
优选地，壳体1110包括具有优异的散热性能的材料。例如，壳体1110包括金属材料或者树脂材料。
发光模块1130可以包括基板1132和安装在基板1132上的至少一个发光器件封装200。
基板1132包括印制有电路图案的绝缘构件。例如，基板1132包括PCB(印制电路板)、MC(金属核)PCB、F(柔性)PCB、或者陶瓷PCB。
另外，基板1132可以包括有效地反射光的材料。基板1132的表面能够涂有诸如白色或者银色的颜色以有效地反射光。
至少一个发光器件封装200能够被安装在基板1132上。每个发光器件封装200可以包括至少一个发光器件100。发光器件100可以包括发射具有红色、绿色、蓝色或者白色的光的彩色LED和发射UV光的UV(紫外线)LED。
发光模块1130的发光器件封装200能够进行各种布置以提供各种颜色和亮度。例如，能够布置白色LED、红色LED以及绿色LED以实现高显色指数(CRI)。
连接端子1120被电气地连接到发光模块1130以将电力提供给发光模块1130。连接端子1120具有与外部电源插座螺纹耦合的形状，但是实施例不限于此。例如，能够以插入外部电源的插头的形式制备连接端子1120或者通过布线将连接端子1120连接至外部电源。
图10是示出根据实施例的背光单元1200的分解透视图。图10中所示的背光单元1200是照明系统的示例并且实施例不限于此。
根据实施例的背光单元1200包括导光板1210；发光模块1240，该发光模块1240用于将光提供给导光板1210；反射构件1220，该反射构件1220被定位在导光板2110的下方；以及底盖1230，该底盖1230用于在其中容纳导光板1210、发光模块1240、以及反射构件1220，但是实施例不限于此。
导光板1210扩散光以提供表面光。导光板1210包括透明材料。例如，通过使用诸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)的丙烯酸基树脂、PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PC(聚碳酸酯)、COC或者PEN(聚萘二甲酸乙二酯)树脂能够制造导光板1210。
发光模块1240将光提供给导光板1210的横向侧，并且用作包括背光单元的显示装置的光源。
发光模块1240能够与导光板1210相邻地定位，但是实施例不限于此。详细地，发光模块1240包括基板1242和被安装在基板1242上的多个发光器件封装200，并且基板1242能够与导光板1210相邻，但是实施例不限于此。
基板1242可以包括具有电路图案(未示出)的印制电路板(PCB)。另外，基板1242还可以包括金属核PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，但是实施例不限于此。
另外，发光器件封装200被布置为发光器件封装200的出光表面与导光板1210隔开预定距离。
反射构件1220被布置在导光板1210的下方。反射构件1220将向下行进通过导光板1210的底表面的光朝着导光板1210反射，从而提高背光单元的亮度。例如，反射构件1220可以包括PET、PC或者PVC树脂，但是实施例不限于此。
底盖1230可以在其中容纳导光板1210、发光模块1240、以及反射构件1220。为此，底盖1230具有带有开口的顶表面的盒形状，但是实施例不限于此。
通过使用金属材料或者树脂材料通过按压工艺或者挤出工艺能够制造底盖1230。
如上所述，根据实施例的照明系统包括发光器件封装，使得能够提高照明系统的可靠性。
在本说明书中对于“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等的引用意味着结合实施例描述的特定特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中，在各处出现的这类短语不必都表示相同的实施例。此外，当结合任何实施例描述特定特征、结构或特性时，都认为结合实施例中的其它实施例实现这样的特征、结构或特性也是本领域技术人员所能够想到的。
虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到多个其它修改和实施例，这将落入本发明原理的精神和范围内。更加具体地，在本说明书、附图和所附权利要求的范围内的主要内容组合布置的组成部件和/或布置中，各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置中的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims (10)

1.一种发光器件，包括：
发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层以及在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层；
所述发光结构上的荧光层；以及
所述荧光层上的光提取结构，
其中所述光提取结构将在所述发光结构中产生并且入射到所述荧光层和所述光提取结构之间的界面表面的光提取到所述发光结构的外部。
2.如权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构包括周期性图案或者非周期性图案。
3.如权利要求1所述的发光器件，其中所述荧光层具有均匀的厚度。
4.如权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构包括包含氧化物、氮化物以及氯化物中的至少一个的介电物质。
5.如权利要求1所述的发光器件，其中所述光提取结构包括具有不同于所述荧光层的折射率的折射率的材料。
6.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括所述光提取结构上的背景材料，其中所述背景材料具有不同于所述光提取结构的折射率的折射率。
7.如权利要求2所述的发光器件，其中所述图案具有50nm至3000nm的周期。
8.如权利要求1所述的发光器件，进一步包括保护构件，所述保护构件倾斜地形成在所述发光结构下方。
9.如权利要求8所述的发光器件，进一步包括所述发光结构下面的第二电极层，
其中所述第二电极层包括欧姆层、反射层、结层、以及支撑衬底中的至少一个，其中所述保护构件周向地形成在所述发光结构和所述结层之间。
10.一种发光器件封装，包括：
如权利要求1至9中的任何一项所述的发光器件；和
在其中安装所述发光器件的封装主体。
CN2011100381300A 2010-02-12 2011-02-11 发光器件、发光器件封装以及照明系统 Pending CN102163676A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20100013553A KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-02-12 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR10-2010-0013553 2010-02-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102163676A true CN102163676A (zh) 2011-08-24

Family

ID=42645354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2011100381300A Pending CN102163676A (zh) 2010-02-12 2011-02-11 发光器件、发光器件封装以及照明系统

Country Status (6)

Country Link
US (3) US20110198645A1 (zh)
EP (1) EP2360749A3 (zh)
JP (4) JP4903902B2 (zh)
KR (1) KR100969100B1 (zh)
CN (1) CN102163676A (zh)
TW (1) TWI578849B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730549A (zh) * 2014-01-07 2014-04-16 大连理工大学 一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法
CN106574764A (zh) * 2014-08-07 2017-04-19 Lg 伊诺特有限公司 磷光体板和包含所述磷光体板的照明装置

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI460881B (zh) 2006-12-11 2014-11-11 Univ California 透明發光二極體
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101650021B1 (ko) * 2010-09-15 2016-08-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP2012231000A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Toshiba Corp 半導体発光装置
TW201306323A (zh) * 2011-07-31 2013-02-01 Walsin Lihwa Corp 發光二極體裝置
JPWO2013099193A1 (ja) 2011-12-26 2015-04-30 コニカミノルタ株式会社 Ｌｅｄ装置用封止剤、ｌｅｄ装置、及びｌｅｄ装置の製造方法
CN103367561B (zh) * 2012-03-30 2016-08-17 清华大学 发光二极管的制备方法
CN103367570B (zh) * 2012-03-30 2016-01-20 清华大学 白光led
CN103474548B (zh) * 2012-06-07 2016-12-07 清华大学 半导体结构
JP6192987B2 (ja) * 2012-06-12 2017-09-06 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 照明装置
SG2012082020A (en) 2012-11-02 2014-06-27 Sony Corp A system and method for tracking
JP6307703B2 (ja) * 2013-05-31 2018-04-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 波長変換素子、波長変換素子を備えた発光装置、発光装置を備えた車両、および波長変換素子の製造方法
KR102075713B1 (ko) * 2013-07-15 2020-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
WO2015128909A1 (ja) 2014-02-28 2015-09-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
US9515239B2 (en) 2014-02-28 2016-12-06 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
US9618697B2 (en) 2014-02-28 2017-04-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light directional angle control for light-emitting device and light-emitting apparatus
US9518215B2 (en) 2014-02-28 2016-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting device and light-emitting apparatus
WO2015129222A1 (ja) 2014-02-28 2015-09-03 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
CN105940510B (zh) 2014-02-28 2019-01-11 松下知识产权经营株式会社 发光装置
JP6349973B2 (ja) * 2014-05-30 2018-07-04 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2016033969A (ja) * 2014-07-31 2016-03-10 株式会社東芝 電子部品、及び電子ユニット
JP6569856B2 (ja) 2015-03-13 2019-09-04 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置および内視鏡
US10182702B2 (en) 2015-03-13 2019-01-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus including photoluminescent layer
JP2016171228A (ja) 2015-03-13 2016-09-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子、発光装置および検知装置
US10031276B2 (en) 2015-03-13 2018-07-24 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Display apparatus including photoluminescent layer
JP2016178234A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 株式会社東芝 半導体受光デバイス
JP2017005054A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
JP2017003697A (ja) 2015-06-08 2017-01-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子および発光装置
JP6748905B2 (ja) 2015-08-20 2020-09-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
US10359155B2 (en) 2015-08-20 2019-07-23 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Light-emitting apparatus
JP2017040818A (ja) 2015-08-20 2017-02-23 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
EP3356725B1 (en) 2015-09-29 2023-07-26 Signify Holding B.V. Light source with diffractive outcoupling
KR101783601B1 (ko) * 2016-03-25 2017-10-10 한국과학기술연구원 발광 소자 및 발광 소자 패키지
JP6719094B2 (ja) 2016-03-30 2020-07-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子
US11294195B2 (en) * 2018-11-05 2022-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Aperiodic nano-optical array for angular shaping of incoherent emissions
JP7443866B2 (ja) 2020-03-23 2024-03-06 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、照明装置およびプロジェクター
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
WO2021246017A1 (ja) 2020-06-01 2021-12-09 株式会社ジャムコ ハンドルアタッチメント、および、ラバトリー用のドア
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
DE102021119003A1 (de) * 2021-07-22 2023-01-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterelement und optoelektronisches bauelement

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006286701A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
US20070023763A1 (en) * 2005-07-27 2007-02-01 Shinichi Takigawa Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US20080258160A1 (en) * 2004-07-24 2008-10-23 Young Rag Do Led Device Comprising Thin-Film Phosphor Having Two Dimensional Nano Periodic Structures
WO2010011074A2 (ko) * 2008-07-21 2010-01-28 엘지이노텍주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법

Family Cites Families (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5813753A (en) * 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
JP2002299698A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
US6576488B2 (en) * 2001-06-11 2003-06-10 Lumileds Lighting U.S., Llc Using electrophoresis to produce a conformally coated phosphor-converted light emitting semiconductor
WO2003016782A1 (en) * 2001-08-09 2003-02-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led illuminator and card type led illuminating light source
WO2003034508A1 (en) * 2001-10-12 2003-04-24 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacture thereof
EP2262007B1 (en) * 2002-01-28 2016-11-23 Nichia Corporation Nitride semiconductor element with supporting substrate
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US7312560B2 (en) * 2003-01-27 2007-12-25 3M Innovative Properties Phosphor based light sources having a non-planar long pass reflector and method of making
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7102175B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US20040259279A1 (en) * 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7005679B2 (en) * 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US7040774B2 (en) * 2003-05-23 2006-05-09 Goldeneye, Inc. Illumination systems utilizing multiple wavelength light recycling
US7102152B2 (en) * 2004-10-14 2006-09-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Device and method for emitting output light using quantum dots and non-quantum fluorescent material
US7318651B2 (en) * 2003-12-18 2008-01-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Flash module with quantum dot light conversion
JP4789809B2 (ja) * 2004-01-15 2011-10-12 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド ナノ結晶をドーピングしたマトリックス
US7250715B2 (en) * 2004-02-23 2007-07-31 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength converted semiconductor light emitting devices
JP5005164B2 (ja) * 2004-03-03 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 発光素子，発光型表示装置及び照明装置
JP4020092B2 (ja) 2004-03-16 2007-12-12 住友電気工業株式会社 半導体発光装置
JP3983793B2 (ja) * 2004-04-19 2007-09-26 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ照明光源の製造方法およびｌｅｄ照明光源
US7768023B2 (en) * 2005-10-14 2010-08-03 The Regents Of The University Of California Photonic structures for efficient light extraction and conversion in multi-color light emitting devices
JP4857596B2 (ja) * 2004-06-24 2012-01-18 豊田合成株式会社 発光素子の製造方法
US7161188B2 (en) * 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
JP2006024615A (ja) 2004-07-06 2006-01-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明光源およびその製造方法
US20060113895A1 (en) * 2004-11-30 2006-06-01 Baroky Tajul A Light emitting device with multiple layers of quantum dots and method for making the device
TWI420686B (zh) * 2004-12-10 2013-12-21 Panasonic Corp 半導體發光裝置、發光模組及照明裝置
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
KR100638819B1 (ko) * 2005-05-19 2006-10-27 삼성전기주식회사 광추출효율이 개선된 수직구조 질화물 반도체 발광소자
US7906791B2 (en) * 2005-06-09 2011-03-15 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting element
US20070012928A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Zouyan Peng Light emitting diode comprising semiconductor nanocrystal complexes and powdered phosphors
US20070018186A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Lg Chem, Ltd. Light emitting diode device having advanced light extraction efficiency and preparation method thereof
US7495383B2 (en) * 2005-08-01 2009-02-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor based on a combination of quantum dot and conventional phosphors
WO2007034919A1 (ja) * 2005-09-22 2007-03-29 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光デバイス用部材及びその製造方法、並びにそれを用いた半導体発光デバイス
WO2007080555A1 (en) * 2006-01-16 2007-07-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor converted light emitting device
EP1995794A4 (en) * 2006-03-10 2011-08-31 Panasonic Elec Works Co Ltd LIGHT EMITTING DEVICE
JP2007273975A (ja) 2006-03-10 2007-10-18 Matsushita Electric Works Ltd 発光素子
US20070241661A1 (en) * 2006-04-12 2007-10-18 Yin Chua B High light output lamps having a phosphor embedded glass/ceramic layer
KR100736623B1 (ko) * 2006-05-08 2007-07-09 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
US20070263408A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Chua Janet Bee Y Backlight module and method of making the module
KR100901947B1 (ko) * 2006-07-14 2009-06-10 삼성전자주식회사 반도체 나노결정을 이용하는 백색 발광 다이오드 및 그의제조방법
JP2008084973A (ja) 2006-09-26 2008-04-10 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光デバイス
KR101282775B1 (ko) * 2006-11-03 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
TW200830593A (en) * 2006-11-15 2008-07-16 Univ California Transparent mirrorless light emitting diode
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
TW200832743A (en) * 2007-01-25 2008-08-01 Chung-Hua Li Method of forming a layered micro-optical structure, a micro-optical substrate containing same, and a LED containing same
KR101259122B1 (ko) 2007-01-26 2013-04-26 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조 방법
US7868542B2 (en) * 2007-02-09 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting apparatus having periodic structure and sandwiched optical waveguide
KR100862532B1 (ko) 2007-03-13 2008-10-09 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 제조방법
TWI341039B (en) * 2007-03-30 2011-04-21 Delta Electronics Inc Light emitting diode apparatus
JP2008270390A (ja) * 2007-04-18 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd フロントカバー、発光装置およびフロントカバーの製造方法
KR100872717B1 (ko) * 2007-06-22 2008-12-05 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US20090015142A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display devices
US8179034B2 (en) * 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
JP4829190B2 (ja) * 2007-08-22 2011-12-07 株式会社東芝 発光素子
KR101383357B1 (ko) * 2007-08-27 2014-04-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
DE102007052181A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR100900288B1 (ko) * 2007-10-29 2009-05-29 엘지전자 주식회사 발광 소자
KR100921462B1 (ko) * 2007-11-16 2009-10-13 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자
US7846751B2 (en) * 2007-11-19 2010-12-07 Wang Nang Wang LED chip thermal management and fabrication methods
JP5212777B2 (ja) * 2007-11-28 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及び照明装置
TW200933924A (en) * 2008-01-24 2009-08-01 Formosa Epitaxy Inc Light-emitting diode capable of improving luminous efficiency
WO2009099211A1 (ja) * 2008-02-07 2009-08-13 Mitsubishi Chemical Corporation 半導体発光装置、バックライト、カラー画像表示装置、及びそれらに用いる蛍光体
US7868340B2 (en) * 2008-05-30 2011-01-11 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating white light from solid state light emitting devices
US7825427B2 (en) * 2008-09-12 2010-11-02 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface
TWI375338B (en) * 2008-11-27 2012-10-21 Epistar Corp Opto-electronic device
KR20100122998A (ko) * 2009-05-14 2010-11-24 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
JP4742163B2 (ja) 2009-07-24 2011-08-10 北越紀州製紙株式会社 キャストコート紙の製造方法
JP2011033394A (ja) 2009-07-30 2011-02-17 Suzuki Motor Corp 車両用エンジンの排気圧力検出装置
BR112012005587A2 (pt) * 2009-09-16 2020-04-07 Koninl Philips Electronics Nv emissor de luz adaptado para emitir luz através de uma saída, flash de vídeo para um celular ou uma câmera, lâmpada de automóvel e método para gerar luz
KR100969100B1 (ko) 2010-02-12 2010-07-09 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
KR101028277B1 (ko) * 2010-05-25 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 라이트 유닛

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080258160A1 (en) * 2004-07-24 2008-10-23 Young Rag Do Led Device Comprising Thin-Film Phosphor Having Two Dimensional Nano Periodic Structures
JP2006286701A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光装置
US20070023763A1 (en) * 2005-07-27 2007-02-01 Shinichi Takigawa Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the same
WO2010011074A2 (ko) * 2008-07-21 2010-01-28 엘지이노텍주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법. 그리고 발광 소자 및 그 발광 소자 제조방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103730549A (zh) * 2014-01-07 2014-04-16 大连理工大学 一种基于SiC衬底的垂直结构GaN基紫外LED及其制备方法
CN106574764A (zh) * 2014-08-07 2017-04-19 Lg 伊诺特有限公司 磷光体板和包含所述磷光体板的照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2360749A2 (en) 2011-08-24
JP2011166148A (ja) 2011-08-25
JP4903902B2 (ja) 2012-03-28
US20110198645A1 (en) 2011-08-18
TW201132228A (en) 2011-09-16
US20120086036A1 (en) 2012-04-12
US8421110B2 (en) 2013-04-16
JP2012104849A (ja) 2012-05-31
EP2360749A3 (en) 2014-11-19
JP2012064988A (ja) 2012-03-29
TWI578849B (zh) 2017-04-11
KR100969100B1 (ko) 2010-07-09
JP5443464B2 (ja) 2014-03-19
JP5330496B2 (ja) 2013-10-30
US8710535B2 (en) 2014-04-29
US20130228813A1 (en) 2013-09-05
JP2012064989A (ja) 2012-03-29
JP5443465B2 (ja) 2014-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10651345B2 (en) Light emitting device, light emitting device package including the device, and lighting apparatus including the package
CN102163676A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102237463B (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及发光系统
CN102163675B (zh) 发光器件
CN102148317B (zh) 发光器件封装和照明系统
CN102263182A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102142500B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
KR101894025B1 (ko) 발광소자
CN102222744A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102074625A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102867897A (zh) 发光器件
CN102130258A (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102104093B (zh) 发光器件,发光器件封装以及照明系统
CN102237457B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102142491B (zh) 发光器件、发光器件封装以及照明系统
CN102074632B (zh) 发光器件，发光器件封装以及照明系统
CN102263170A (zh) 发光器件和发光器件封装
CN102881798A (zh) 发光器件，发光器件封装以及光单元
CN102130247B (zh) 发光器件芯片、发光器件封装
KR101973608B1 (ko) 발광소자
KR20130045686A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
CN102088051B (zh) 发光器件和发光器件制造方法
KR101880451B1 (ko) 발광소자
KR20130016945A (ko) 발광소자 및 발광소자의 제조방법
KR20130044016A (ko) 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20110824