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CN102130276A - 发光器件及其制造方法 - Google Patents

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CN102130276A
CN102130276A CN201010602402.0A CN201010602402A CN102130276A CN 102130276 A CN102130276 A CN 102130276A CN 201010602402 A CN201010602402 A CN 201010602402A CN 102130276 A CN102130276 A CN 102130276A
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light source
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light emitting
metal
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中村敬彦
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Abstract

本发明提供一种散热性良好、以高亮度及高输出的LED为光源的、可靠性较高的发光器件。为此，本发明的发光器件包括：光源；第一金属基板，搭载光源；金属线，与光源连接；第二金属基板，利用金属线与光源电连接，与第一金属基板形成为同一平面状，且与第一金属基板绝缘；平板状的反射部件，设置在第一金属基板及第二金属基板，具有光源侧的面小于与该光源侧的面相反侧的面的贯穿孔，并且具有由倾斜的反射面形成的贯穿孔侧的侧面；模型材料，覆盖光源；狭缝，设在第一金属基板和第二金属基板之间；以及绝缘材料，填充狭缝。

Description

发光器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及使用高亮度及高输出的LED元件作为光源的发光器件及其制造方法。特别是涉及通过提高散热效果来延长LED元件的寿命的发光器件。
背景技术
现有的LED封装件的构造为，在电路基板的电极图案安装LED元件作为光源，用环氧树脂等将该基板的前面、以及具有倾斜并贯穿的反射面的反射部件一体化，从而进行固定。反射部件的外形尺寸与基板大小几乎相同。在这样结构的LED封装件中，来自LED元件的光被该反射面向前面反射。
然而，由于上述LED封装件没有使用热传导性较高、即散热功能优良的材料作为基板材料，因此在LED元件的发光工作中无法得到优良的散热效果。另外，由于用另外的工序将反射部件固定在上述基板，因此难以简化制造工序，由此会导致组装费用上升。
为解决这些缺点，作为制造LED封装件的方法，提出了日本特开2007-294966号公报(专利文献1)等。使用图7简单说明专利文献1的结构。如图所示，LED封装件70包括：在表面形成有多级凹陷的铝基板71；安装在凹陷的底面，用金属线75与电极图案73电连结的光源74；形成于上述电极图案73与铝基板71之间的进行了阳极氧化(anodising)处理的绝缘层72；以及被覆盖在上述基板的光源上的成型(moulding)部76。而且，在光源的LED元件的下部面形成铝散热部，从而提供了一种散热性能优良的LED封装件及其制造方法。在专利文献1所涉及的发明中，由于基板由铝材料构成，进行阳极氧化处理来形成绝缘层，因此能够得到优良的散热效果，据此，可以增大LED封装件的使用寿命和发光效率。
然而，存在的问题是：尽管在上述LED封装件中使用热传导系数为236W/m·K的铝，但由于进行阳极氧化处理的绝缘层72的热传导系数为32W/m·K，因此热传导系数下降。另外，存在的问题是：由于绝缘层72为多孔状的构造，成型部76覆盖该绝缘层72，因此在形成成型部时容易从绝缘层部分产生气泡，产生内有气泡这样的不良。还存在的问题是：由于硫化物等的气体会通过该绝缘层到达封装件内部，因此在反射膜或LED元件的固定使用含有银的材料时，劣化进行得较快。
发明内容
为解决上述的问题，本发明的发光器件的结构如下。即，包括：光源；第一金属基板，搭载光源；第二金属基板，与第一金属基板配置在同一平面，且与第一金属基板绝缘；金属线，将光源和第二金属基板电连接；平板状的反射部件，设置在第一金属基板及第二金属基板，具有光源侧的面小于与该光源侧的面相反侧的面的贯穿孔，并且具有由倾斜的反射面形成的贯穿孔侧的侧面；模型材料，覆盖光源；狭缝，设在第一金属基板与第二金属基板之间；以及绝缘材料，填充狭缝部。
另外，用铜、银、金、铝中的任一种形成第一金属基板及第二金属基板。另外，反射部件的倾斜面由冷光镜膜、银膜、铝膜中的至少任意一个形成。此处，模型材料适用疏水性材料。另外，模型材料和绝缘材料可以是同一材质。
另外，本发明的发光器件的制造方法包括：在第三金属基板形成狭缝，该狭缝将搭载有光源的部分的第一金属基板和由引线接合进行连接的部分的第二金属基板分割的工序；将形成有倾斜贯穿孔的反射部件设置在第三金属基板的工序；在第三金属基板搭载光源的工序；利用金属线将第三金属基板和光源电连接的工序；以及提供铸模及绝缘用的材料的工序。另外，也可以不同时提供模型材料和狭缝的绝缘材料，而在狭缝形成绝缘材料后将反射部件设置在第三金属基板，最后提供模型材料。
另外，作为将第三金属基板和光源进行接合的方法，可以例举通过对金属纳米粒子进行烧结而接合的方法。
并且，包括将一并形成于第三金属基板的多个发光器件小片化的工序。此时，在将反射部件和第三金属基板进行粘接或者接合的工序中，通过使用具有槽部的反射部件，可以容易进行小片化。
根据本发明，由于确保没有使热传导系数下降的部分的散热路径，因此可以实现散热性较高的发光器件。另外，由于在反射部件没有多孔状的构造，因此不会出现模型材料导致的密封部的不良，可以实现可靠性也较高的发光器件。
附图说明
图1是本发明的发光器件的剖视图。
图2(a)至(f)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图3是本发明所涉及的发光器件的制造工序的俯视图。
图4(a)至(d)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图5(a)至(f)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图6(a)至(f)是表示本发明的发光器件的制造工序的图。
图7是表示传统例的剖视图的图。
标号说明
1发光部件；3反射部件；4光源；5金属线；6模型(mold)材料；20第三金属基板；21第一金属基板；22第二金属基板；23绝缘材料；24狭缝。
具体实施方式
基于附图说明本发明的实施方式。图1是本发明的发光器件的剖视图。发光器件1主要由夹着狭缝24配置的第一金属基板21和第二金属基板22构成。在第一金属基板21搭载有光源4。第二金属基板22利用金属线5与光源4电连接。另外，第一金属基板21与第二金属基板22由于狭缝24而绝缘。并且，反射部件3设置在第一金属基板21和第二金属基板22。模型材料6覆盖光源4。另外，为了维持第一金属基板21与第二金属基板22的绝缘性，在狭缝24填充绝缘材料23。另外，在反射部件3形成有贯穿孔。由于贯穿孔倾斜，因此其侧面为倾斜面。在该贯穿孔内搭载有光源4。另外，贯穿孔的光源侧的面(与两金属基板接合侧的面)、小于与光源侧相反侧的面(发光器件的开口侧的面)。即，在贯穿孔为圆锥台形时，贯穿孔的开口侧的直径大于与两金属基板接合侧的直径。倾斜面对来自光源4的光进行反射。另外，第一金属基板21和第二金属基板22通过反射部件3接合。另外，也可以将模型材料6填充在狭缝24，来代替绝缘材料23。
作为第一金属基板21及第二金属基板22的材质，可以例举热传导系数为236W/m·K的铝、热传导系数为320W/m·K的金、热传导系数为420W/m·K的银、热传导系数为398W/m·K的铜。另外，第一金属基板21及第二金属基板22的厚度，考虑到散热性、构造上的强度、易于制造等，为10μm至100μm是比较适当的。在第一金属基板21、第二金属基板22的材质是铜时，为了抑制腐蚀，也可以进行镀金、镀锡等防锈处理。
反射部件3例如可以使用玻璃或陶瓷。另外，通过在反射部件3的倾斜面例如形成银膜、铝膜、冷光镜膜，可以提高反射效率。
作为将反射部件3设置在第一金属基板21及第二金属基板22的方法，可以使用环氧树脂、丙烯酸树脂、双面胶带、粘着剂等进行粘接。
另外，在反射部件3的材质是玻璃时，可以在第一金属基板21及第二金属基板22的表面形成例如至的硅的薄膜或铝的薄膜，利用阳极接合法进行接合。但是，在第一金属基板21和第二金属基板22由铝形成时，可以不形成上述薄膜进行阳极接合。
另外，在反射部件3的材质是陶瓷时，例如也可以使用银焊料来进行钎焊。
通过采用以上这样的方法，可以制作比用粘接剂进行粘接时可靠性更高的器件。
模型材料6较佳是透明、疏水性的材料。例如，可以适用透明树脂，可以例举环氧、丙烯酸、硅、聚硅氧烷等透明树脂等。另外，也可以在透明树脂掺入荧光体等。另外，绝缘材料23也可以使用同样的材料。
光源4和第一金属基板21使用称作小片接合(die bond)剂的银膏等导电性粘接剂进行接合。另外，考虑到散热性，光源4和第一金属基板21例如通过使银、金锡合金、金、铜等金属纳米粒子烧结从而进行接合，成为没有树脂成分的热传导性较高的接合。
接下来，说明发光器件的制造方法。本发明所涉及的制造方法包括：制作具有倾斜的贯穿孔的反射部件的工序；在第三金属基板形成用于使第一金属基板与第二金属基板绝缘的狭缝的工序；在第三金属基板接合反射部件的工序；在第三金属基板的第一金属基板的区域搭载光源的工序；利用金属线将第三金属基板的第二金属基板的区域和光源进行电连接的工序；提供模型材料以覆盖光源和金属线的工序；将第三金属基板分割为搭载光源的部分的第一金属基板、和由金属线与光源电连接的部分的第二金属基板的工序；以及在狭缝填充绝缘材料的工序。此处，可以在搭载光源前将反射部件与第三金属基板接合，也可以在搭载光源后将反射部件与第三金属基板接合。另外，也可以同时进行提供模型材料的工序和在狭缝填充绝缘材料的工序。
下面，使用图2至图6详细说明本发明所涉及的发光器件的制造工序。图2是表示发光器件的制造工序的图，表示以晶片为单位制造多个发光部件，在最终工序中小片化的方法。如图2(a)所示，在第三金属基板20形成狭缝24，该狭缝24用于形成第一金属基板21及第二金属基板22。另外，光源4及引线接合5的安装图案也可以由金膜等形成。
图2(b)是利用粘接或者接合等，将一体形成有多个倾斜贯穿孔的反射部件3设置在第三金属基板20的工序。倾斜贯穿孔是根据反射部件3的原材料，利用喷射(blast)加工、蚀刻加工、钻孔加工、粉末烧结等形成的。根据反射部件3的材质、与反射部件3的接合或者粘接的方法，有时会在第三金属基板20形成薄膜(未图示)。
图2(c)表示在第三金属基板20搭载光源4的工序。此时，光源搭载在第三金属基板20的形成第一金属基板的部分。在该工序中，第三金属基板20与光源4使银、金锡合金、金、铜等金属纳米粒子烧结而接合。利用该工序，在第三金属基板20与光源4之间形成由上述金属构成的接合层。另外，第三金属基板20与光源4的接合，此外也可以使用称作小片接合剂的银膏等导电性粘接剂进行接合。
图2(d)是用金属线5将第三金属基板的构成第二金属基板的部分和光源4进行电连接的工序。此时的俯视图如图3所示。
图2(e)是形成覆盖光源4和金属线5的模型材料6的工序。此时，模型材料6较佳是透明、疏水性的材料。另外，也可以在模型材料6掺入荧光体等的混合物。另外，也可以从第三金属基板的背侧在狭缝24贴膜等，在提供模型材料6后去除膜。据此，模型材料6不仅覆盖光源4，还会填充在狭缝24。利用这样的结构，可以提供构造强度好、可靠性高的发光部件。在此时使用的膜不仅可以在图2(e)时使用，还可以在图2(a)至图2(d)的适当时刻用于糊缝。
图2(f)表示将同时形成多个于第三金属基板20的制品利用切割等来小片化，制造单独的发光器件的分割工序。利用该工序，第三金属基板20被完全分割为第一金属基板与第二金属基板。
利用以上的工序，可以在第三金属基板20一并形成多个发光器件后，小片化成单独的发光器件，可以得到降低制作成本的效果。
另外，本实施例不限定于同时形成多个发光部件的情况，也可以适用于形成1个发光部件的情况。此时，第一金属基板与第二金属基板也可以使用不同的材质。
接下来，使用图4更容易地说明发光器件的制造方法。另外，与将说明重复的部分适当省略。如图4(a)所示，在第三金属基板20，将发光器件1小片化的位置也形成分离用的狭缝25。然后，如图4(b)所示，将反射部件32设置在金属基板20，该反射部件32在发光器件1小片化的位置具有槽部，将第三金属基板20和第三金属基板20接合。之后，如之前说明的那样进行图2(c)至图2(e)的工序。经过这些工序，成为图4(c)所示的形态。通过这样，由于在图4(d)所示的发光器件的分割工序中，仅切断反射部件32即可，不用对不同的材质进行切断，可以提高精度、降低成本，切断方法的选择项也增多。另外，由于在反射部件32形成有槽部，成为应力集中的构造，因此可以开裂地进行切断，不需要特别的装置就可以快速分离。
接下来，使用图5更容易地说明制造发光器件的方法。图5所示的方法与图2的不同之处在于，在进行搭载光源4的工序(图5b)、用金属线5将第三金属基板的形成第二金属基板的部分和光源4进行电连接的工序(图5c)后，进行将一体形成有多个倾斜贯穿孔的反射部件31与第三金属基板20粘接或者接合的工序(图5d)。通过这样，由于可以不在孔中安装光源，而在平面上安装光源，因此可以使用一般的工具，能够实现高速化，成为低成本制造的方法。
使用图6，说明发光器件的其他制造方法。此处，说明使用在狭缝24预先填充有绝缘部件23的第三金属基板20的方法。如图6(a)所示，在第三金属基板20的狭缝填充绝缘部件23。以后的图6(b)至图6(f)所示的工序，以图2(b)至2(f)的工序为基准而进行。另外，绝缘部件23也可以使用反射光的特性的材料。通过这样，由于不需要糊缝用的膜，因此可以制作更低成本的发光部件，高效地取出光。
根据本发明，由于在分割的金属基板的一方接合作为光源的LED元件，因此可以得到优良的散热效果。据此，提高发光器件的寿命和发光效率。另外，由于本发明同时一并形成许多个金属基板和反射部件，在最终工序小片化，因此可以降低制作成本。
本发明的发光器件可以使用于例如照明器具、电光公告牌、车的头灯等发光器等。或者，可以使用于在样品等检查对象使光透射、或者反射来观察、检查对象物的检查装置的光源。作为检查装置，例如可以使用假币鉴定装置、找到金属的表面的细微伤痕或缺陷的图像处理器件，还可以在医疗、生化领域使用组织或DNA这样微小化学物质的探测用装置、树脂固化装置等。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
光源；
第一金属基板，搭载所述光源；
第二金属基板，与所述第一金属基板配置在同一平面；
金属线，将所述光源和第二金属基板电连接；
反射部件，将所述第一金属基板及所述第二金属基板接合，具有所述光源侧的面小于与所述光源侧的面相反侧的面的贯穿孔，并且具有由倾斜的反射面形成的所述贯穿孔侧的侧面；
模型材料，覆盖所述光源；
狭缝，为了将所述第一金属基板和所述第二金属基板绝缘而设在所述第一金属基板与所述第二金属基板之间；以及
绝缘材料，填充在所述狭缝。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述第一金属基板和所述第二金属基板由铜、银、金、铝中的任一种形成。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
所述反射部件由玻璃形成，在所述反射部件与所述第一金属基板及所述第二金属基板接合的面形成有铝薄膜或者硅薄膜，所述反射部件与所述第一金属基板及所述第二金属基板被阳极接合。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，
所述反射部件由陶瓷形成，所述反射部件被钎焊在所述第一金属基板及所述第二金属基板。
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述模型材料和所述绝缘材料是相同的物质。
6.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件，其特征在于，
所述第一金属基板和所述光源通过将金属纳米粒子烧成而接合。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，
所述金属纳米粒子是银、金锡合金、金、铜中的任一种。
8.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括：
制作具有倾斜的贯穿孔的反射部件的工序；
在第三金属基板形成用于使第一金属基板与第二金属基板绝缘的狭缝的工序；
在所述第三金属基板接合所述反射部件的工序；
在所述第三金属基板的所述第一金属基板的区域搭载光源的工序；
利用金属线将所述第三金属基板的所述第二金属基板的区域和所述光源进行电连接的工序；
提供模型材料以覆盖所述光源和所述金属线的工序；
将所述第三金属基板分割为搭载所述光源的部分的第一金属基板、和由所述金属线与所述光源电连接的部分的第二金属基板的工序；以及
在所述狭缝填充绝缘材料的工序。
9.根据权利要求8所述的发光器件的制造方法，其特征在于，
同时进行提供所述模型材料的工序和在所述狭缝填充绝缘材料的工序。
10.根据权利要求8或9所述的发光器件的制造方法，其特征在于，
在所述第三金属基板一并形成多个发光部件后，小片化成单独的发光部件。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN103378262B (zh) * 2012-04-26 2017-02-01 青岛青扬众创新能源科技有限公司 发光二极管及其封装方法
CN106688115B (zh) * 2014-09-12 2019-06-14 世迈克琉明有限公司 半导体发光元件的制造方法
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US11287107B2 (en) * 2018-02-14 2022-03-29 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Optical wavelength conversion device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
CN100369274C (zh) * 2001-11-16 2008-02-13 丰田合成株式会社 发光二极管、led灯及灯具
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
JP5302117B2 (ja) * 2009-06-22 2013-10-02 スタンレー電気株式会社 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板
JP5367668B2 (ja) * 2009-11-17 2013-12-11 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378226A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管的制造方法

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