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CN101950779B - 一种原位制备太阳能电池的方法 - Google Patents

一种原位制备太阳能电池的方法 Download PDF

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CN101950779B CN2010102744893A CN201010274489A CN101950779B CN 101950779 B CN101950779 B CN 101950779B CN 2010102744893 A CN2010102744893 A CN 2010102744893A CN 201010274489 A CN201010274489 A CN 201010274489A CN 101950779 B CN101950779 B CN 101950779B
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Abstract

本发明公开了一种原位制备太阳能电池的方法，属于太阳能电池制造技术领域。所述制备方法包括：对硅片进行预处理；将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，利用等离子体浸没离子注入工艺，完成黑硅的制备，在所述黑硅上制作PN结和形成钝化层；将已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从等离子体浸没离子注入机取出，在黑硅的背面制备金属背电极，在钝化层上制备金属栅极，经封装后制成太阳能电池。本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形，从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备，大幅降低了太阳能电池的制作成本，并且工艺过程简单，易于控制。

Description

一种原位制备太阳能电池的方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，特别涉及一种原位制备太阳能电池的方法。
背景技术
面对当前的能源危机和化石类燃料的大量耗用所引发的温室效应、酸雨等环境问题，迫切需要在世界范围内开发和有效利用新能源。太阳能是一种取材方便、绿色环保的可再生能源，在不远的将来将成为世界能源供应的主体。太阳能电池作为一种清洁高效的绿色可持续能源，将为太阳能的有效利用提供更广阔的前景。因此，针对太阳能电池光电转换效率的探索也必将是一个极具应用意义和发展前景的方向。
目前，现有技术制备硅太阳能电池的流程如图1所示。
首先对硅片进行预处理(步骤101)；随后为减小硅对入射光的反射率，对硅片进行图形化、制绒处理或制备黑硅(步骤102)；随后为提高硅的红外吸收率，对硅片进行硫系元素掺杂(硫：S，硒：Se，碲：Te)(步骤103)；随后向硅片中掺入P(磷)、As(砷)或B(硼)，形成PN结(步骤104)；随后为减小表面损伤，对硅片进行钝化处理(步骤105)；随后制作栅电极和背电极，完成太阳能电池片制备(步骤106)；随后将太阳能电池片封装成组件(步骤107)。
上述制备太阳能电池的方法中，步骤101至步骤107对应的工序需要在不同的设备中完成，这使得太阳能电池的制备工艺变得复杂，工艺可控性变差，更重要的是上述方法制备的太阳电池成本太高，而无法取代传统能源，太阳能电池的大范围应用受到限制。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供一种原位制备太阳能电池的方法，采用本方法，能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形，从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备，大幅降低了太阳能电池的制作成本，并且工艺过程简单，易于控制。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种原位制备太阳能电池的方法，所述方法包括：
(a)对硅片进行预处理；
(b)将经预处理后的所述硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，利用等离子体浸没离子注入工艺，完成黑硅的制备，在所述黑硅上制作PN结以及形成钝化层；
(c)将所述已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从所述等离子体浸没离子注入机取出，在所述黑硅的背面制备金属背电极，在所述钝化层上制备金属栅极，经封装后形成太阳能电池。
进一步地，本发明具有如下特点，所述步骤(b)进一步包括如下步骤：
(b1)将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，使得所述硅片与可施加偏置电压的电源电气连接；
(b2)调整所述等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，使得在所述注入腔室内产生包括具有刻蚀作用的离子和具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有刻蚀作用的离子、所述具有钝化作用的离子注入至所述硅片内，并且与所述硅片发生反应，形成黑硅；
(b3)保持所述黑硅在原位，再次调整所述等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，使得在所述注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，所述掺杂离子注入至所述黑硅内，形成PN结；
(b4)保持所述已形成PN结的黑硅在原位，又一次调整所述等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，使得在所述注入腔室内产生包括具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有钝化作用的离子注入至所述黑硅内，所述具有钝化作用的离子与所述黑硅发生反应，形成钝化层。
进一步地，本发明具有如下特点：所述工艺参数包括注入腔室的本底压强和工作压强，注入至所述注入腔室内的工艺气体的流量，抽取所述注入腔室内的工艺气体的速度，所述工艺气体的组成成分、组成比例和浓度，所述等离子体浸没离子注入机的等离子体电源的输出功率和频率，所述可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，以及等离子体注入时间。
进一步地，本发明具有如下特点：所述偏置电压由多种偏置电压组合而成，通过调节所述等离子体注入时间、所述注入气体的流量和组成比例、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压来改变注入所述黑硅内的掺杂离子的浓度。
进一步地，本发明具有如下特点，所述步骤(b2)包括如下步骤：
抽取所述注入腔室内的气体，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的本底压强范围，所述预先设置的本底压强范围为10-7Pa～1000Pa；
向所述注入腔室充入工艺气体，所述工艺气体包括具有刻蚀作用的气体和具有钝化作用的气体，调整所述工艺气体的流量和组成体积比，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，所述预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；
调整所述等离子体注入时间、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压进入预先设置的范围，在所述注入腔室内产生包括具有刻蚀作用的离子和具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有刻蚀作用的离子、所述具有钝化作用的离子注入至所述硅片内，并且与所述硅片发生反应，形成黑硅；所述等离子体注入时间为1分钟到30分钟，所述预先设置的输出功率范围为1～100000W，所述预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V。
进一步地，本发明具有如下特点：所述工艺气体的流量为1sccm～1000sccm；所述具有刻蚀作用的气体包括SF6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、SiF4、C2F6、HF、BF3、PF3、Cl2、HCl、SiH2Cl2、SiCl4、BCl3或HBr；所述具有钝化作用的气体包括O2、N2O或N2；所述具有刻蚀作用的气体与所述具有钝化作用的气体之间的体积比范围为0.01～100。
进一步地，本发明具有如下特点，所述步骤(b3)包括如下步骤：
停止向所述注入腔室充入所述工艺气体，抽出所述注入腔室内的所有气体，保持所述黑硅在原位；
向所述注入腔室充入第二工艺气体，所述第二工艺气体包括具有掺杂元素的气体，调整所述第二工艺气体的流量和所述具有掺杂元素的气体在所述第二工艺气体中的浓度，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，所述预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；
调整所述等离子体注入时间、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压进入预先设置的范围，在所述注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，所述掺杂离子注入至所述黑硅内，所述掺杂离子包括B离子、P离子或As离子，形成PN结；所述等离子体注入时间为1分钟到30分钟，所述预先设置的输出功率范围为1～100000W，所述预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V。
进一步地，本发明具有如下特点：所述具有掺杂元素的气体包括B2H6、B(OCH3)3、B2O3、BN、BCl3、BBr3、BF3、PH3、PCl3、PBr3、PF3、PF5、P2O5、POCl3、AsH3、AsCl3、AsF3或AsF5；所述第二工艺气体的流量为1sccm～1000sccm，所述具有掺杂元素的气体在所述第二工艺气体中的浓度为0.01％到100％。
进一步地，本发明具有如下特点：所述具有掺杂元素的气体还包括H2S、H2Se或H2Te；所述掺杂离子还包括S离子、Se离子或Te离子。
进一步地，本发明具有如下特点，所述步骤(b4)包括如下步骤：
停止向所述注入腔室内充入所述工艺气体，抽出所述注入腔室内的所有气体，保持所述已形成PN结的黑硅在原位；
向所述注入腔室充入第二工艺气体，所述第二工艺气体包括具有钝化作用的气体，调整所述第二工艺气体的流量，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，所述预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；
调整所述等离子体注入时间、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压进入预先设置的范围，在所述注入腔室内产生包括具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有钝化作用的离子注入至所述黑硅内，形成钝化层；所述等离子体注入时间为1分钟到30分钟，所述预先设置的输出功率范围为1～100000W，所述预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V。
与现有的制备太阳能电池的方法相比，本发明具有以下优点：
1、本发明原位制备太阳能电池的方法能够在原位实现黑硅制备、PN结制作和钝化层成形，从而大大减少了制备太阳能电池所需的设备，大幅降低了太阳能电池的制作成本；
2、本发明原位制备太阳能电池的方法工艺过程简单，易于控制；
3、本发明原位制备太阳能电池的方法可掺杂硫系元素，能够扩大黑硅的吸收谱范围，特别是将黑硅的吸收谱向红外区拓展，提高了黑硅的红外吸收率，进而提高了所制备的太阳能电池的光电转换效率。
附图说明
图1是现有技术制备太阳能电池的工艺流程示意图；
图2是本发明原位制备太阳能电池的方法流程示意图；
图3是图2中步骤400的一种实施方式的流程示意图；
图4是图2中步骤400的另一种实施方式的流程示意图；
图5是图2中步骤400的又一种实施方式的流程示意图。
具体实施方式
为了深入了解本发明，下面结合附图及具体实施例对本发明进行详细说明。
等离子体浸没离子注入(Plasma Immersion Ion Implantation，简称为PIII)，在半导体业界有时也称为等离子体注入、等离子体掺杂、等离子体浸没注入、等离子体源离子注入、等离子体基离子注入等等，这几种称法表示相同的一种工艺技术，即待注入样品直接浸没在等离子体中，通过向样品加偏置电压(也可称为“注入电压”)，使得样品和等离子体之间形成注入鞘层电场；位于注入鞘层电场内和从等离子体进入注入鞘层电场的反应离子在电场的加速作用下直接注入到样品中。由于在样品的表面形成鞘层，所以曝露在等离子体中的样品表面各处将同时被注入。
本发明主要是利用等离子体浸没离子注入工艺来实现原位制备太阳能电池，该方法可以在一台设备中完成现有技术中除了硅片预处理，制作电极和封装成组件之外的所有工艺，这些工艺包括：制备黑硅以减小硅片对入射光线的反射率；掺杂硫系元素以提高硅片的红外吸收率；PN结制作和形成钝化层，即实现原位制备太阳能电池。
本方法的主要步骤包括：对硅片进行预处理，将预处理完的硅片放入等离子体浸没离子注入机中，充入具有刻蚀和钝化作用的工艺气体，调整等离子体浸没离子注入机的工艺参数进入预先设置的数值范围，完成黑硅制作；停止充入气体，并且抽出在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内的所有气体，保持所制成的黑硅在原位，充入含有P、As或B元素的气体，调整等离子体浸没离子注入机的工艺参数进入预先设置的数值范围，完成PN结制作；停止充入气体，并且抽出在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内的所有气体，保持制成PN结的黑硅在原位，充入具有钝化作用的混合气体，调整所述等离子体浸没离子注入机的工艺参数进入预先设置的数值范围，完成钝化，在已制成PN结的黑硅上形成钝化层。由于黑硅制备、PN结制作和钝化层形成在同一台设备中完成，彼此之间没有其它工艺过程，无需更换设备，所以大大减少了制备太阳能电池所需的设备，降低了太阳能电池的制作成本。
此外，本方法还包括如下步骤：充入含有硫系元素的混合气体，调整所述等离子体浸没离子注入机的工艺参数进入预先设置的数值范围，完成黑硅的硫系元素掺杂。
工艺参数包括注入腔室的本底压强和工作压强，注入至注入腔室内的工艺气体的流量，抽取注入腔室内的工艺气体的速度，工艺气体的组成成分、组成比例和浓度，等离子体浸没离子注入机的等离子体电源的输出功率和频率，可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，以及等离子体注入时间。偏置电压可由多种偏置电压组合而成，通过调节等离子体注入时间、注入气体的流量和组成比例、等离子体电源的输出功率或所述偏置电压来改变注入黑硅内的掺杂离子的浓度。
等离子体浸没离子注入机，一般包括注入腔室和等离子体源。在注入腔室内，设有其上可放置样品的样品台。在与样品台相对的一侧，设有等离子体源。等离子体源包括抽真空系统，其可将注入腔室抽真空至预先设置的本底压强范围；供气系统，其可向注入腔室充入所需的气体，并且能够按照一定的控制规则来调整气体的各种参数，例如气体的流量、抽取速度、气体成分比例和浓度等参数，当气体充入注入腔室之后，可使得注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围；以及等离子体电源，其可为射频电源、微波电源或直流电源，这些电源还可以脉冲形式供电，并且这些电源的频率可为固定频率或可变频率。
可选择地，等离子体浸没离子注入机还包括可施加偏置电压的电源。该可施加偏置电压的电源与注入腔室内的样品台电气连接。可施加偏置电压的电源类型与等离子体电源相似，可为射频电源、微波电源或直流电源，这些电源还可以脉冲形式供电，还可以是这些电源的任意组合，进而向样品台提供由多种偏置电压组成的偏置电压。
可选择地，等离子体浸没离子注入机还可包括监视注入腔室内的各种工艺状况的监控部件，例如监视腔室内的电子温度、等离子体密度、离子体电势、离子质谱分布和发射光谱等。等离子体电源和可施加偏置电压的电源的功率可按一定的控制规则进行调节，如果采用脉冲形式供电，那么等离子体电源和可施加偏置电压的电源的频率、占空比、脉宽也可按照一定的控制规则进行调节。可施加偏置电压的电源可按一定的控制规则调整其所施加的偏置电压。
如下结合附图来描述本发明所包括但非限制性的实施方式。
参见图2，本发明实施例提供了利用等离子体浸没离子注入工艺来实现原位制备太阳能电池的一种实施方式，包括如下步骤：
步骤200：硅片预处理；
硅片预处理的方式包括硅片的清洗、抛光、退火、腐蚀、制绒(也可称为绒化)和/或图形化等工艺，硅片形状可为圆形、方形或矩形等等常规形状，也可为其它任意的复杂形状；
例如，硅片清洗的步骤一般包括：首先，把硅片浸入到氢氟酸溶液中1～10分钟，去离子水清洗；然后，把清洗后的硅片浸入到浓度为1％～30％的氢氧化钠溶液中1～10分钟，温度为50～80℃，去除硅片表面的损伤层；最后，用去离子水清洗硅片，并用氮气吹干；
步骤300：将硅片放置于等离子体浸没离子注入机，使得硅片与可施加偏置电压的电源电气连接；
硅片放置在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，并且放置于样品台；在一些实施方式中，等离子体浸没离子注入机包括可施加偏置电压的电源，此时可使得硅片与样品台电气连接，由于样品台与可施加偏置电压的电源电气连接，所以硅片与可施加偏置电压的电源电气连接；在某个条件下，启动可施加偏置电压的电源，即可向硅片施加偏置电压；
步骤400：调整等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，完成黑硅制备，并且在黑硅上制作PN结和形成钝化层，步骤400的具体子步骤如下面所描述；
步骤500：分别在黑硅的背面制作金属背电极，以及在钝化层上制作金属栅电极；在黑硅的背面制备金属Al背电极，例如以高纯铝作为蒸发源，在黑硅的背面沉积厚度为10～15微米的金属Al；然后在保护气氛下，350～450℃退火20～40分钟，形成欧姆接触的金属Al背电极；在本步骤中，采用350～450℃退火替代高温烧结过程，可避免高温烧结过程诱导的应力对黑硅的损伤，有利于降低黑硅的厚度；在钝化层上制备Ag栅极；采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模板将银浆印制在钝化层的表面，形成Ag栅极，栅极的厚度为2～10微米，栅极宽度为30～150微米，间距为2～3毫米；
步骤600：将已完成PN结制作、钝化层形成、背电极制作和栅极制作的黑硅封装成太阳能电池组件，完成太阳能电池的制备。
在一种实施方式中，所述步骤400可为图3所示工艺流程，相应的过程步骤411至413所示。
步骤411：调整等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，完成黑硅制备，其中，首先，抽取所述注入腔室内的气体，使得注入腔室的压强进入预先设置的本底压强范围，预先设置的本底压强范围可为10-7Pa～1000Pa；然后，向所述注入腔室充入工艺气体，该工艺气体包括具有刻蚀作用的气体和具有钝化作用的气体，例如，具有刻蚀作用的气体包括SF6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、SiF4、C2F6、HF、BF3、PF3、Cl2、HCl、SiH2Cl2、SiCl4、BCl3或HBr，具有钝化作用的气体包括O2、N2O或N2，调整所述工艺气体的流量和组成体积比，工艺气体的流量可为1sccm～1000sccm，具有刻蚀作用的气体与具有钝化作用的气体之间的体积比范围为0.01～100，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；接着，调整等离子体注入时间、等离子体电源的输出功率或偏置电压进入预先设置的范围，等离子体注入时间可为1分钟到30分钟，预先设置的输出功率范围为1～100000W，预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V，在注入腔室内产生包括具有刻蚀作用的离子和具有钝化作用的离子的等离子体；在等离子体产生且浸没硅片之后，由于向硅片施加偏置电压而在硅片和等离子体之间所形成鞘层电场的加速作用下，位于鞘层电场内和从等离子体进入鞘层电场的离子直接注入至硅片内，例如在注入的工艺气体为由SF6、O2组成的混合气体的情况下，经电离后，SF6和O2分别产生具有刻蚀作用的F*基团和具有钝化作用的O*基团，其中F*基团通过与Si形成SiF4，进而对Si形成刻蚀作用；同时，O*基团在刻蚀壁表面形成SixOyFz，对刻蚀壁产生钝化作用；因此，在刻蚀和钝化的双重作用下，最终形成了多孔或网状结构的黑硅；
步骤412：保持黑硅在原位，调整等离子体浸没离子注入机的工艺参数，在黑硅上制作PN结；其中，首先停止充入气体，抽出在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内的所有气体，保持所制成的黑硅在原位；然后，向等离子体浸没离子注入机的注入腔室内充入具有掺杂元素的工艺气体(例如含有P、As或B元素)，例如具有掺杂元素的气体包括B2H6、B(OCH3)3、B2O3、BN、BCl3、BBr3、BF3、PH3、PCl3、PBr3、PF3、PF5、P2O5、POCl3、AsH3、AsCl3、AsF3或AsF5，调整工艺气体的流量和具有掺杂元素的气体在工艺气体中的浓度，工艺气体的流量可为1sccm～1000sccm，具有掺杂元素的气体在工艺气体中的浓度为0.01％到100％，使得注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；接着，调整等离子体注入时间、等离子体电源的输出功率或偏置电压进入预先设置的范围，等离子体注入时间可为1分钟到30分钟，预先设置的输出功率范围为1～100000W，预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V；最后，在注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，例如含有P、As或B元素的工艺气体分解成含有P、As或B元素的离子或离子基团，这些掺杂离子或掺杂离子基团在偏置电压的加速下，被注入到黑硅中，制作形成PN结；
步骤413：保持黑硅在原位，调整等离子体浸没离子注入机的工艺参数，在已制作PN结的黑硅上形成钝化层；其中，首先，停止充入气体，抽出在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内的所有气体，保持已制作PN结的黑硅在原位；然后，向等离子体浸没离子注入机的注入腔室内充入具有钝化作用的气体，例如，具有钝化作用的气体包括O2、N2O或N2，调整所述工艺气体的流量，工艺气体的流量可为1sccm～1000sccm，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；接着，调整等离子体注入时间、等离子体电源的输出功率或偏置电压进入预先设置的范围，等离子体注入时间可为1分钟到30分钟，预先设置的输出功率范围为1～100000W，预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V，在注入腔室内产生包括具有钝化作用的离子的等离子体，例如具有钝化作用的工艺气体分解成含有具有钝化作用的离子或离子基团，这些离子或离子基团在注入偏压的加速下，被注入到黑硅中，与硅片反应形成钝化层。
在另一种实施方式中，所述步骤400可为图4所示工艺流程，相应的过程步骤421至424所示，其中图3中的步骤411与图4中的步骤421相同，图3中的步骤412与图4中的步骤422相同，图3中的步骤413与图4中的步骤424相同，图4的步骤只是在图3步骤的基础上增加了步骤423。
步骤423：保持黑硅在原位，调整等离子体浸没离子注入机的工艺参数，在黑硅上掺杂硫系元素；其中，首先停止充入气体，抽出在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内的所有气体，保持已制成PN结的黑硅在原位；然后，向等离子体浸没离子注入机的注入腔室内充入具有掺杂元素的工艺气体(例如含有S、Se或Te元素)，具有掺杂元素的气体包括H2S、H2Se或H2Te，调整工艺气体的流量和具有掺杂元素的气体在工艺气体中的浓度，工艺气体的流量可为1sccm～1000sccm，具有掺杂元素的气体在工艺气体中的浓度为0.01％到100％，使得注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；接着，调整等离子体注入时间、等离子体电源的输出功率或偏置电压进入预先设置的范围，等离子体注入时间可为1分钟到30分钟，预先设置的输出功率范围为1～100000W，预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V；最后，在注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，例如含有S、Se或Te元素的工艺气体分解成含有S、Se或Te元素的离子或离子基团，这些掺杂离子或掺杂离子基团在偏置电压的加速下，掺入到黑硅中，实现黑硅的硫系元素掺杂(S、Se、Te)。
在又一种实施方式中，所述步骤400可为图5所示工艺流程，相应的过程步骤431至433所示，其中图3中的步骤411与图5中的步骤431相同，图3中的步骤413与图4中的步骤433相同，图5的步骤432只是在图3的步骤412的基础上增加了掺入硫系元素的步骤。
步骤432：保持黑硅在原位，调整等离子体浸没离子注入机的工艺参数，在黑硅上制作PN结和掺杂硫系元素；其中，首先停止充入气体，抽出在等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，保持黑硅在原位；然后，向等离子体浸没离子注入机的注入腔室内充入具有掺杂元素的工艺气体(例如，含有S、Se或Te元素的气体和含有P、As或B元素的气体相混合的工艺气体)，含有P、As或B元素的气体可为B2H6、B(OCH3)3、B2O3、BN、BCl3、BBr3、BF3、PH3、PCl3、PBr3、PF3、PF5、P2O5、POCl3、AsH3、AsCl3、AsF3或AsF5，含有S、Se或Te元素的气体可为H2S、H2Se或H2Te，调整工艺气体的流量和具有掺杂元素的气体在工艺气体中的浓度，工艺气体的流量可为1sccm～1000sccm，具有掺杂元素的气体在工艺气体中的浓度为0.01％到100％，使得注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；接着，调整等离子体注入时间、等离子体电源的输出功率或偏置电压进入预先设置的范围，等离子体注入时间可为1分钟到30分钟，预先设置的输出功率范围为1～100000W，预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V；最后，在注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，例如含有P、As或B元素的工艺气体分解成含有P、As或B元素的离子或离子基团，以及含有S、Se或Te元素的工艺气体分解成含有S、Se或Te元素的离子或离子基团，这些掺杂离子或掺杂离子基团在偏置电压的加速下，注入至黑硅中，制作形成PN结，同时还实现了黑硅的硫系元素掺杂(S、Se或Te)。
对于等离子体浸没离子注入机的工艺参数，注入腔室的本底压强范围可为10-7Pa～1000Pa，优选地可为10-5Pa～10Pa，更为优选地可为10-5Pa～10-3Pa；注入腔室的工作压强范围可为10-3Pa～1000Pa，优选为0.01Pa～100Pa，更为优选地可为0.1Pa～50Pa；工艺气体的流量可为1～1000sccm，优选为10～100sccm，更为优选地可为20～80sccm；等离子体电源的输出功率为1～100000W，优选为10～50000W，更为优选地可为300～5000W；所施加偏置电压为-100000～100000V，优选为-50000～50000V，更为优选地可为-10000～0V；脉宽为1us～1s，优选为1us～0.1s，更为优选地可为1us～1ms；占空比为1％～99％，优选为10％～90％，更为优选地可为20％～80％，等离子体电源的频率为直流～10GHz，优选为1MHz～5GHz，更为优选地可为13.56MHz～5GHz；可施加偏置电压的电源的频率为直流～10GHz。
以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种原位制备太阳能电池的方法，其特征在于，所述方法包括：
(a)对硅片进行预处理；
(b)将经预处理后的所述硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，利用等离子体浸没离子注入工艺，完成黑硅的制备，在所述黑硅上制作PN结以及形成钝化层；
(c)将所述已完成PN结制作和钝化层形成的黑硅从所述等离子体浸没离子注入机取出，在所述黑硅的背面制备金属背电极，在所述钝化层上制备金属栅极，经封装后形成太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于，所述步骤(b)进一步包括如下步骤：
(b1)将经预处理后的硅片放置于等离子体浸没离子注入机的注入腔室内，使得所述硅片与可施加偏置电压的电源电气连接；
(b2)调整所述等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，使得在所述注入腔室内产生包括具有刻蚀作用的离子和具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有刻蚀作用的离子、所述具有钝化作用的离子注入至所述硅片内，并且与所述硅片发生反应，形成黑硅；
(b3)保持所述黑硅在原位，再次调整所述等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，使得在所述注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，所述掺杂离子注入至所述黑硅内，形成PN结；
(b4)保持所述已形成PN结的黑硅在原位，又一次调整所述等离子体浸没离子注入机的若干工艺参数，使得在所述注入腔室内产生包括具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有钝化作用的离子注入至所述黑硅内，并且与所述黑硅发生反应，形成钝化层。
3.根据权利要求2所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于：所述工艺参数包括注入腔室的本底压强和工作压强，注入至所述注入腔室内的工艺气体的流量，抽取所述注入腔室内的工艺气体的速度，所述工艺气体的组成成分、组成比例和浓度，所述等离子体浸没离子注入机的等离子体电源的输出功率和频率，所述可施加偏置电压的电源所施加的偏置电压，以及等离子体注入时间。
4.根据权利要求3所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于：所述偏置电压由多种偏置电压组合而成；通过调节所述等离子体注入时间、所述注入气体的流量和组成比例、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压来改变注入所述黑硅内的掺杂离子的浓度。
5.根据权利要求4所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于，所述步骤(b2)包括如下步骤：
抽取所述注入腔室内的气体，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的本底压强范围，所述预先设置的本底压强范围为10-7Pa～1000Pa；
向所述注入腔室充入工艺气体，所述工艺气体包括具有刻蚀作用的气体和具有钝化作用的气体，调整所述工艺气体的流量和组成体积比，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，所述预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；
调整所述等离子体注入时间、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压进入预先设置的范围，在所述注入腔室内产生包括具有刻蚀作用的离子和具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有刻蚀作用的离子、所述具有钝化作用的离子注入至所述硅片内，并且与所述硅片发生反应，形成黑硅；所述等离子体注入时间为1分钟到30分钟，所述预先设置的输出功率范围为1～100000W，所述预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V。
6.根据权利要求5所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于：所述工艺气体的流量为1sccm～1000sccm；所述具有刻蚀作用的气体包括SF6、CF4、CHF3、C4F8、NF3、SiF4、C2F6、HF、BF3、PF3、Cl2、HCl、SiH2Cl2、SiCl4、BCl3或HBr；所述具有钝化作用的气体包括O2、N2O或N2；所述具有刻蚀作用的气体与所述具有钝化作用的气体之间的体积比范围为0.01～100。
7.根据权利要求4所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于，所述步骤(b3)包括如下步骤：
停止向所述注入腔室充入所述工艺气体，抽出所述注入腔室内的所有气体，保持所述黑硅在原位；
向所述注入腔室充入第二工艺气体，所述第二工艺气体包括具有掺杂元素的气体，调整所述第二工艺气体的流量和所述具有掺杂元素的气体在所述第二工艺气体中的浓度，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，所述预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；
调整所述等离子体注入时间、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压进入预先设置的范围，在所述注入腔室内产生包括掺杂离子的等离子体，所述掺杂离子注入至所述黑硅内，所述掺杂离子包括B离子、P离子或As离子，形成PN结；所述等离子体注入时间为1分钟到30分钟，所述预先设置的输出功率范围为1～100000W，所述预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V。
8.根据权利要求7所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于：所述具有掺杂元素的气体包括B2H6、B(OCH3)3、B2O3、BN、BCl3、BBr3、BF3、PH3、PCl3、PBr3、PF3、PF5、P2O5、POCl3、AsH3、AsCl3、AsF3或AsF5；所述第二工艺气体的流量为1sccm～1000sccm，所述具有掺杂元素的气体在所述第二工艺气体中的浓度为0.01％到100％。
9.根据权利要求8所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于：所述具有掺杂元素的气体还包括H2S、H2Se或H2Te；所述掺杂离子还包括S离子、Se离子或Te离子。
10.根据权利要求4所述的原位制备太阳能电池的方法，其特征在于，所述步骤(b4)包括如下步骤：
停止向所述注入腔室内充入所述工艺气体，抽出所述注入腔室内的所有气体，保持所述已形成PN结的黑硅在原位；
向所述注入腔室充入第二工艺气体，所述第二工艺气体包括具有钝化作用的气体，调整所述第二工艺气体的流量，使得所述注入腔室的压强进入预先设置的工作压强范围，所述预先设置的工作压强范围为10-3Pa～1000Pa；
调整所述等离子体注入时间、所述等离子体电源的输出功率或所述偏置电压进入预先设置的范围，在所述注入腔室内产生包括具有钝化作用的离子的等离子体，所述具有钝化作用的离子注入至所述黑硅内，形成钝化层；所述等离子体注入时间为1分钟到30分钟，所述预先设置的输出功率范围为1～100000W，所述预先设置的偏置电压范围为-100000～100000V。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101880914B (zh) * 2010-05-25 2012-09-12 中国科学院微电子研究所 利用等离子体浸没离子注入制备黑硅的方法
CN102270668B (zh) * 2011-09-07 2014-04-02 中国科学院微电子研究所 一种异质结太阳能电池及其制备方法
CN102534505B (zh) * 2012-02-22 2013-11-06 电子科技大学 一种黑硅材料表面金属电极的制备方法
CN102938435B (zh) * 2012-11-23 2015-05-06 中国科学院半导体研究所 制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法
CN103730541B (zh) * 2014-01-13 2016-08-31 中国科学院物理研究所 太阳能电池纳米发射极及其制备方法
CN104505430A (zh) * 2014-12-04 2015-04-08 常州大学 一种高效多晶黑硅电池
CN104835717B (zh) * 2015-03-23 2018-04-17 中建材浚鑫科技股份有限公司 一种制绒工序前预清洗工艺
CN106328736B (zh) * 2015-06-16 2018-05-04 镇江大全太阳能有限公司 一种抗lid黑硅太阳能高效电池及其生产方法
CN105206661B (zh) * 2015-09-17 2018-03-30 西南科技大学 一种微米级S‑Si半导体合金膜及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101734611A (zh) * 2009-12-16 2010-06-16 北京大学 基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法
CN101807616A (zh) * 2010-02-24 2010-08-18 中国科学院半导体研究所 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8734659B2 (en) * 2008-10-09 2014-05-27 Bandgap Engineering Inc. Process for structuring silicon
US7816239B2 (en) * 2008-11-20 2010-10-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Technique for manufacturing a solar cell
CN101789466B (zh) 2010-02-10 2011-12-07 上海理工大学 太阳能电池制作方法
CN101789462B (zh) 2010-02-24 2012-02-08 中国科学院半导体研究所 一种广谱吸收的黑硅太阳能电池结构及其制作方法
US8828765B2 (en) * 2010-06-09 2014-09-09 Alliance For Sustainable Energy, Llc Forming high efficiency silicon solar cells using density-graded anti-reflection surfaces

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101734611A (zh) * 2009-12-16 2010-06-16 北京大学 基于无掩膜深反应离子刻蚀制备黑硅的方法
CN101807616A (zh) * 2010-02-24 2010-08-18 中国科学院半导体研究所 一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法

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