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CN101937944A - 双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法 - Google Patents

双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法 Download PDF

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CN101937944A
CN101937944A CN 201010267015 CN201010267015A CN101937944A CN 101937944 A CN101937944 A CN 101937944A CN 201010267015 CN201010267015 CN 201010267015 CN 201010267015 A CN201010267015 A CN 201010267015A CN 101937944 A CN101937944 A CN 101937944A
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孟凡英
张松
汪建强
韩涛
程雪梅
司新文
李翔
黄建华
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Shanghai Jiaotong University
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Abstract

一种光伏发电技术领域的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法。包括①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构；②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在P型硅片的发射区表面制备氮化硅薄膜；⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；⑥采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。本发明降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件。

Description

双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法
技术领域
本发明专利涉及的是一种光伏发电技术领域的制备方法，特别是涉及一种双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法。
背景技术
太阳能光伏发电产业发展非常迅速，自2007年以来中国的光伏产量一直占据全球首位，产品类型以晶体硅电池和组件为主，占据近90％的市场份额，薄膜电池占10％左右的市场。虽然中国光伏制造量第一，但光伏产品的光电转换效率却处于中等水平，缺乏核心技术。增强光伏产品在全球市场中的核心竞争力，必须研发新技术，提高光伏电池和组件的光电转换能力，降低制造成本。
目前大面积高效率晶体硅太阳电池主要有美国Sunpower公司的全背面接触电池，2010年6月报道，经过美国国家可再生能源实验室(NREL)检测，其电池转换效率已到24.2％。日本Sanyo的HIT电池，转换效率达到23％(100.4cm2，AIST test，2008)。中国Suntech的Pluto电池，2009年最高转换效率达到19％以上，技术主要是以澳大利亚新南威尔士大学马丁格林实验室的PERL电池结构原型为基础，进行产业化开发。晶体硅太阳电池的研究开发和发展方向主要集中在以下两个方向：高效率化和低成本化。尤其是高效率化不仅可以降低成本，也是太阳电池竞争和持续发展的关键所在。国外太阳电池公司通过长时间的积累和开发，相继推出了各具特色的高效率太阳电池，比如，日本三洋(Sanyo)的HIT电池，采用晶体硅和薄膜硅相结合的技术，在低温工艺下可以实现高转换效率电池，这种技术目前国际上只有三洋拥有，产业化电池效率高达19-20％；美国SunPower公司通过20年以上的不懈努力，成功推出了独特的背发射结和点接触电极的高效太阳电池；日本的三菱电机，京瓷，夏普等也开发了特殊的表面制绒和环绕电极(Wrap-through)结构的高效率太阳电池。在国内无锡尚德开发出Pluto高效率太阳电池结构，其它太阳电池公司也在积极开发新技术来提高电池效率。
目前晶体硅太阳电池产品在光伏市场占绝对优势，这类产品中50％左右的成本来自于晶体硅片。为降低成本，硅片厚度越来越薄，对于大面积的电池薄硅片，表面复合会非常严重，这将导致电池效率损失。可见减少大面积薄硅片的表面复合速率是提高电池效率的重要手段。目前常用的钝化技术是采用等离子体增强的化学气相沉积系统制备氮化硅薄膜，或者氧化硅钝化膜，这些薄膜中富含高密度的正电荷，适合钝化N型硅片，不适合P型硅片的表面钝化。本专利涉及的采用热丝化学气相沉积方法在低温条件下制备氢化硅基薄膜对P型硅片具备优异的钝化性能，同时结合丝网印刷的铝背场，能够提升硅薄膜的热稳定性，阻止烧结过程中氢的大量逸出，从而硅基薄膜可以作为钝化晶体硅背表面的重要手段，改善电池在长波光的光谱响应，提高电池的光电转换效率。
发明内容
本发明针对现有技术的不足和缺陷，提供一种双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，本发明结合了晶体硅与氢化硅基薄膜不含大量正电荷的特点，在低温工艺下可实现P型硅片表面的有效钝化，降低光生少数载流子在背表面复合的几率，提高电池的长波光量子效率，为光生载流子的输运和收集创造条件。此外在N型晶体硅(即经过磷扩散的P型晶硅片)的正面采用等离子体化学气相沉积(PECVD)系统制备氮化硅薄膜，利用氮化硅的氢钝化和固定正电荷的场钝化作用可以改善电池在短波的光谱响应，从而实现晶硅电池的双面钝化。
本发明是通过以下技术方案实现的：
本发明包括以下步骤：
①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构，使硅片表面清洁，而且在单晶硅表面形成金字塔结构在多晶硅表面形成的腐蚀坑，降低表面光学反射率。
所述的碱溶液和酸溶液，碱溶液为NaOH，KOH；酸溶液为HNO3，HF，HCl。
所述的所用硅片厚度约200μm，面积125x125mm2准方片，电阻率1Ω·cm。
所述的表面预清洗和表面织构，用1-5％的酸溶液去除硅片表面的SiO2层，对P型单晶硅片在浓度小于3％的碱溶液在80℃左右制备金字塔形状绒面，然后采用去离子水超声清洗，并吹干。
②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结。
所述的扩散，是指：采用管式扩散炉，以氮气作为携源气体，在制绒后的p型单晶硅片上面扩散磷形成N型发射层，从而形成PN结。
③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀。
所述的化学湿法为采用浓度低于5％的HF溶液。
④采用等离子体增强化学汽相沉积方法(PECVD)在N型硅上制备氮化硅薄膜作为电池的减反射膜和钝化膜；
所述的等离子体增强化学汽相沉积方法，是指：在硅片的发射区上，将硅烷和氨气的混合气体比1∶4条件下，沉积温度400-450℃，沉积约70-90nm厚的氢化氮化硅薄膜。
所述的氢化微晶硅薄膜的光学禁带宽度为1.6-2.1eV，晶粒尺寸为30-80nm，晶态比为5-40％，混合相薄膜的生长速率为
Figure BDA0000025350420000031
⑤采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键，减少光生载流子在背表面的复合，提高光生电流和开路电压，增强电池的光电转换能力。
所述的采用热丝化学气相沉积法，是指：P型硅片背表面，在硅烷和氢气气流比为55∶1，沉积气压10pa，衬底温度200℃的条件下，沉积厚度为70-90nm硅基薄膜(即氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜)。
⑥采用丝网印刷背表面场、背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。
所述的丝网印刷背面电极为：采用丝网印刷工艺印刷背面铝浆形成背场和背电极。
所述的丝网印刷正面电极为：采用丝网印刷工艺印刷银浆形成正电极。
所述的烧结为：在链式烧结炉内进行烧结，烧结峰值温度约720-800℃，将金属电极和硅形成欧姆接触，最终完成太阳电池制备。
本发明由于有氢化微晶硅薄膜材料作为电池背面钝化层，决定了太阳电池在长波光范围有更强的光谱响应，意味着同样光辐照强度下，该结构电池输出功率将更大。此外，所用的HWCVD系统设备成本低，工艺简单且成膜温度低，能耗小，工艺窗口大，氢化微晶硅薄膜的带隙和晶化度可调控，光学禁带宽度在1.6-2.1eV范围，与常规丝网印刷工艺结合的铝背场，能够提升硅薄膜的热稳定性，阻止烧结过程中氢的逸出，微晶硅薄膜可作为钝化晶体硅背表面的重要结构，保证薄膜中较高的氢含量和稳定性。
本发明的太阳电池结构为氮化硅薄膜/晶体硅NP结/氢化微晶硅薄膜/铝背场，该结构电池工艺制程与常规电池制程兼容性非常好，容易实现产业化，所增加的成本很低，但电池的输出性能会有很大提升，同时本发明受到上海市科委-应用材料国际科技合作基金课题(No.08520741400)的资助。
附图说明
图1是本发明的双面钝化高效率晶体硅太阳电池结构示意图；
图2是本发明太阳电池的工艺示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的实施例作详细说明：以下实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。
如图1所示，本实施例采用双面钝化高效率晶体硅太阳电池结构形式详细说明实施方式和过程，图中：受光面的氢化氮化硅薄膜1，N型发射区2，P型晶体硅3，氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜4，铝背场和电极5。
实施例
①采用半导体清洗工艺对P型单晶硅片表面预清洗和表面织构。所用硅片厚度约200μm，面积125x125mm2准方片，电阻率1Ω·cm，用约1-5％的氢氟酸去除硅片表面的SiO2层。接下来对P型单晶硅片在浓度小于3％的NaOH和异丙醇(IPA)的混合溶液中在80℃左右制备金字塔形状绒面。然后采用去离子水超声清洗，并用氮气吹干。
②采用管式扩散炉，用三氯氧磷作为扩散源，以氮气作为携源气体，在制绒后的p型单晶硅片上面扩散磷形成N型发射层，从而形成PN结，其中发射区方块电阻30-80Ω/□。
③采用浓度低于5％的HF溶液去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀。
④在硅片的发射区上，采用等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)系统，将硅烷和氨气的混合气体比1∶4条件下，沉积温度400-450℃，沉积约70-90nm厚的氢化氮化硅薄膜。
⑤P型硅片背表面采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)，在硅烷和氢气气流比为55∶1，沉积气压10pa，衬底温度200℃的条件下，沉积硅基薄膜(即氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜)，厚度为70-90nm。
⑥丝网印刷背面电极：采用丝网印刷工艺印刷背面铝浆形成背场和背电极。
⑦丝网印刷正面电极：采用丝网印刷工艺印刷银浆形成正电极。
⑧在链式烧结炉内进行烧结，烧结峰值温度约720-800℃，将金属电极和硅形成欧姆接触，最终完成太阳电池制备。
本实施例对氢化微晶硅薄膜钝化晶体硅表面悬挂键和缺陷，采用热丝化学汽相沉积(HWCVD)系统在＜250℃低温条件下制备硅薄膜，通过控制工艺条件(温度，气压，时间，功率等)，获得氢化微晶硅(μc-Si:H)和非晶硅(a-Si:H)的混合相薄膜材料，依据氢气在原料气体(硅烷，氢气等)中的比例不同，混合相中氢化微晶硅薄膜的晶粒尺寸为30-80nm，晶态比为5-40％，混合相薄膜的生长速率为
Figure BDA0000025350420000041
光学禁带宽度为1.6-2.1eV，沉积该混合相薄膜后硅片少子寿命能提高约90％。这种混合相薄膜制备设备不昂贵，薄膜沉积速率高，无等离子对硅表面的轰击损伤，薄膜晶态比可调控范围大，材料禁带宽度大，薄膜中氢含量可调控，因薄膜中不含有大量固定正电荷，所以非常适合对P型硅表面进行钝化。
如图1所示，本实施例涉及的双面钝化的晶体硅太阳电池结构，即氢化氮化硅/晶体硅NP结/氢化微晶硅薄膜/铝背场，采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)方法沉积氢化氮化硅薄膜，作为太阳电池前表面的减反射膜和钝化膜，通过常规扩散工艺形成PN同质结，在P型晶体硅背表面采用HWCVD方法沉积氢化非晶硅和微晶硅的混合相薄膜，作为P型硅的表面钝化膜，之后通过丝网印刷工艺制作铝背场，电池的前电极和背电极采用常规丝网印刷工艺形成合金。这种结构电池能有效降低光生少数载流子在背表面的复合，并有助于提高太阳电池的开路电压和短路电流，最终增强太阳电池的光电转换效率。
本实施例制备氢化微晶硅和非晶硅混合相薄膜来钝化P型硅表面，本实施例制备氢化氮化硅薄膜来钝化N型硅表面，晶体硅表面(前表面和后表面)经钝化后，可提高少数载流子的有效寿命，减少载流子的复合几率，电极的制备和背场的形成是低成本的丝网印刷技术，这种双面钝化技术对越来越薄的晶体硅太阳电池非常重要，而且工艺与常规电池生产线的兼容性非常强，其工艺流程如图2所示，能明显改善电池在长波光部分的光谱响应，从而提高电池的转换效率。
首先用化学试剂(酸溶液，碱溶液)去除硅片表面的损伤层，并对表面进行织构化处理，目的是增强硅片表面的光捕获能力。其次是采用POCl3作为扩散源在P型硅片表面形成PN结，经过去除表面磷硅玻璃和刻边工艺后，通过PECVD系统在400-450℃左右的温度下将硅烷和氨气加热-分解-再合成，从而获得对N型硅表面有钝化作用和减少光反射作用的氢化氮化硅薄膜，对于双面钝化的晶硅电池，还需要在HWCVD系统中通过加热使硅烷分解，在氢气参与作用下，硅薄膜可以实现一定程度的晶化，对P型硅片表面有钝化作用。接下来的工艺步骤是常规的丝网印刷电极和合金化，最终形成晶体硅太阳电池。
本实施例在电池制造生产线上148.58cm2面积的P型CZ单晶硅片上，获得电池输出参数与常规工艺电池参数对比在表1。从表1中可以发现，本实施例短路电流密度相对增加1.1％，开路电压相对增加1.6％，转换效率能提升约2.9％。
表1本发明专利的双面钝化电池和常规工艺电池参数对比
  电池类型   短路电流密度(mA/cm2)  开路电压(V)   填充因子(％)   转换效率(％)
  常规电池   35.6  0.620   78.6   17.3
  双面钝化电池   36.0   0.630   78.6   17.8

Claims (10)

1.一种双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
①采用碱溶液和酸溶液分别对P型单晶硅和多晶硅片进行表面预清洗和表面织构，使硅片表面清洁，而且在单晶硅表面形成金字塔结构在多晶硅表面形成的腐蚀坑；
②用三氯氧磷作为扩散源进行扩散形成PN结；
③采用化学湿法去除硅片表面的磷硅玻璃，并采用等离子体将硅片边缘刻蚀；
④采用等离子体增强化学汽相沉积方法在N型硅上制备氮化硅薄膜作为电池的减反射膜和钝化膜；
⑤采用热丝化学气相沉积法制备氢化微晶硅和非晶硅的混合相薄膜材料，将薄膜沉积到P型硅片一侧，钝化P型硅表面的缺陷和悬挂键；
⑥采用丝网印刷背表面场、背面电极、丝网印刷正面电极，经过烧结后，形成太阳电池。
2.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的碱溶液和酸溶液，碱溶液为NaOH，KOH；酸溶液为HNO3，HF，HCl。
3.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的所用硅片厚度200μm，面积125x125mm2准方片，电阻率1Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的表面预清洗和表面织构，用1-5％的酸溶液去除硅片表面的SiO2层，对P型单晶硅片在浓度小于3％的碱溶液在80℃左右制备金字塔形状绒面，然后采用去离子水超声清洗，并吹干。
5.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的扩散，是指：采用管式扩散炉，以氮气作为携源气体，在制绒后的p型单晶硅片上面扩散磷形成N型发射层，从而形成PN结。
6.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的化学湿法为采用浓度低于5％的HF溶液。
7.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的等离子体增强化学汽相沉积方法，是指：在硅片的发射区N型硅上，将硅烷和氨气的混合气体比1∶4条件下，沉积温度400-450℃，沉积约70-90nm厚的氢化氮化硅薄膜，作为电池前表面的键反射膜和钝化膜，该氢化微晶硅薄膜的光学禁带宽度为1.6-2.1eV，晶粒尺寸为30-80nm，晶态比为5-40％，混合相薄膜的生长速率为
Figure FDA0000025350410000021
8.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的采用热丝化学气相沉积法，是指：P型硅片背表面，在硅烷和氢气气流比为55∶1，沉积气压10pa，衬底温度200℃的条件下，沉积厚度为70-90nm硅基薄膜，作为电池背表面的钝化膜。
9.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的采用丝网印刷背面电极、丝网印刷正面电极，其中：丝网印刷背面电极为：采用丝网印刷工艺印刷背面铝浆形成背场和背电极；丝网印刷正面电极为：采用丝网印刷工艺印刷银浆形成正电极。
10.根据权利要求1所述的双面钝化的晶体硅太阳电池的制备方法，其特征是，所述的烧结为：在链式烧结炉内进行烧结，烧结峰值温度约720-800℃，将金属电极和硅形成欧姆接触，最终完成太阳电池制备。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102231393A (zh) * 2011-07-07 2011-11-02 西安交通大学苏州研究院 一种硅太阳能电池背场电极结构及其制备方法
CN102244143A (zh) * 2011-06-27 2011-11-16 光为绿色新能源有限公司 一种晶体硅太阳能电池片的制备方法
CN102262698A (zh) * 2011-07-27 2011-11-30 上海交通大学 基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法
CN103433233A (zh) * 2013-08-22 2013-12-11 英利集团有限公司 晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
CN103594548A (zh) * 2013-06-14 2014-02-19 横店集团东磁股份有限公司 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法
CN103715295A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 江苏天宇光伏科技有限公司 一种小绒面、高电阻率太阳能电池的生产方法
CN104064625A (zh) * 2014-06-17 2014-09-24 复旦大学 一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法
CN104078530A (zh) * 2014-04-30 2014-10-01 江西科技学院 一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法
CN104505426A (zh) * 2014-10-24 2015-04-08 横店集团东磁股份有限公司 一种改善晶体硅太阳能电池组件光致衰减的方法及装置
CN104733555A (zh) * 2014-12-31 2015-06-24 江苏顺风光电科技有限公司 一种高效n型双面太阳电池及其制备方法
CN104919568A (zh) * 2012-09-24 2015-09-16 奥普提汀公司 一种改良n型硅基板的方法
CN105489708A (zh) * 2016-01-18 2016-04-13 河北大学 一种p型硅太阳能电池及其制备方法
CN106876523A (zh) * 2017-03-01 2017-06-20 南开大学 一种表面过饱和掺杂光电探测器的钝化方法
CN107068777A (zh) * 2017-02-13 2017-08-18 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种局部铝背场太阳能电池及其制备方法
US9966484B2 (en) 2015-07-09 2018-05-08 Csi Cells Co., Ltd Process for preparing passivated emitter rear contact (PERC) solar cells
CN108711583A (zh) * 2018-04-18 2018-10-26 中建材浚鑫科技有限公司 一种新型背腐蚀刻边工艺
CN109004053A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法
CN109301031A (zh) * 2018-09-12 2019-02-01 江苏林洋光伏科技有限公司 N型双面电池的制作方法
CN111755574A (zh) * 2020-07-27 2020-10-09 苏州联诺太阳能科技有限公司 双面太阳能电池及其制备方法
CN117038799A (zh) * 2023-10-07 2023-11-10 正泰新能科技有限公司 一种bc电池制备方法及bc电池
WO2024199026A1 (zh) * 2023-03-24 2024-10-03 通威太阳能（成都）有限公司 太阳能电池的制备方法、太阳能电池

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040112426A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell and method of manufacturing the same
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
US20070137692A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
CN101447528A (zh) * 2008-12-22 2009-06-03 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法
CN101728459A (zh) * 2009-11-18 2010-06-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040112426A1 (en) * 2002-12-11 2004-06-17 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell and method of manufacturing the same
US20060130891A1 (en) * 2004-10-29 2006-06-22 Carlson David E Back-contact photovoltaic cells
US20070137692A1 (en) * 2005-12-16 2007-06-21 Bp Corporation North America Inc. Back-Contact Photovoltaic Cells
CN101447528A (zh) * 2008-12-22 2009-06-03 上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 一种双面钝化和激光打点制备背点接触晶体硅太阳电池的方法
CN101728459A (zh) * 2009-11-18 2010-06-09 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种晶体硅太阳能电池的制备方法

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102244143A (zh) * 2011-06-27 2011-11-16 光为绿色新能源有限公司 一种晶体硅太阳能电池片的制备方法
CN102244143B (zh) * 2011-06-27 2013-10-23 光为绿色新能源股份有限公司 一种晶体硅太阳能电池片的制备方法
CN102231393A (zh) * 2011-07-07 2011-11-02 西安交通大学苏州研究院 一种硅太阳能电池背场电极结构及其制备方法
CN102262698A (zh) * 2011-07-27 2011-11-30 上海交通大学 基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法
CN102262698B (zh) * 2011-07-27 2013-03-20 上海交通大学 基于太阳电池性能影响评估的发射层和缓冲层缺陷态密度检测方法
CN104919568A (zh) * 2012-09-24 2015-09-16 奥普提汀公司 一种改良n型硅基板的方法
CN103715295A (zh) * 2012-09-29 2014-04-09 江苏天宇光伏科技有限公司 一种小绒面、高电阻率太阳能电池的生产方法
CN103594548B (zh) * 2013-06-14 2016-02-03 横店集团东磁股份有限公司 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法
CN103594548A (zh) * 2013-06-14 2014-02-19 横店集团东磁股份有限公司 一种能够提高晶硅太阳能电池转换效率的方法
CN103433233B (zh) * 2013-08-22 2015-11-25 英利集团有限公司 晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
CN103433233A (zh) * 2013-08-22 2013-12-11 英利集团有限公司 晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法
CN104078530A (zh) * 2014-04-30 2014-10-01 江西科技学院 一种双绒面晶体硅太阳电池的制造方法
CN104064625A (zh) * 2014-06-17 2014-09-24 复旦大学 一种基于硅纳米锥晶体的全太阳光谱响应的太阳电池制备方法
CN104505426A (zh) * 2014-10-24 2015-04-08 横店集团东磁股份有限公司 一种改善晶体硅太阳能电池组件光致衰减的方法及装置
CN104733555A (zh) * 2014-12-31 2015-06-24 江苏顺风光电科技有限公司 一种高效n型双面太阳电池及其制备方法
TWI669830B (zh) * 2015-07-09 2019-08-21 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司 一種局部背接觸太陽能電池的製造方法
US9966484B2 (en) 2015-07-09 2018-05-08 Csi Cells Co., Ltd Process for preparing passivated emitter rear contact (PERC) solar cells
CN105489708B (zh) * 2016-01-18 2018-01-12 河北大学 一种p型硅太阳能电池及其制备方法
CN105489708A (zh) * 2016-01-18 2016-04-13 河北大学 一种p型硅太阳能电池及其制备方法
CN107068777A (zh) * 2017-02-13 2017-08-18 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种局部铝背场太阳能电池及其制备方法
CN106876523A (zh) * 2017-03-01 2017-06-20 南开大学 一种表面过饱和掺杂光电探测器的钝化方法
CN106876523B (zh) * 2017-03-01 2018-05-11 南开大学 一种表面过饱和掺杂光电探测器的钝化方法
CN109004053A (zh) * 2017-06-06 2018-12-14 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法
CN109004053B (zh) * 2017-06-06 2024-03-29 通威太阳能（成都）有限公司 双面受光的晶体硅/薄膜硅异质结太阳电池及制作方法
CN108711583A (zh) * 2018-04-18 2018-10-26 中建材浚鑫科技有限公司 一种新型背腐蚀刻边工艺
CN109301031A (zh) * 2018-09-12 2019-02-01 江苏林洋光伏科技有限公司 N型双面电池的制作方法
CN111755574A (zh) * 2020-07-27 2020-10-09 苏州联诺太阳能科技有限公司 双面太阳能电池及其制备方法
WO2024199026A1 (zh) * 2023-03-24 2024-10-03 通威太阳能（成都）有限公司 太阳能电池的制备方法、太阳能电池
CN117038799A (zh) * 2023-10-07 2023-11-10 正泰新能科技有限公司 一种bc电池制备方法及bc电池

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