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CN101916900A - 一种带多级联衰减电路的片状电阻 - Google Patents

一种带多级联衰减电路的片状电阻 Download PDF

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CN101916900A
CN101916900A CN2010102465908A CN201010246590A CN101916900A CN 101916900 A CN101916900 A CN 101916900A CN 2010102465908 A CN2010102465908 A CN 2010102465908A CN 201010246590 A CN201010246590 A CN 201010246590A CN 101916900 A CN101916900 A CN 101916900A
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attenuator circuit
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pellet
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齐磊
张祝松
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HEFEI BAITE MICROWEVE TECHNOLOGY Co Ltd
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HEFEI BAITE MICROWEVE TECHNOLOGY Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种带多级联衰减电路的片状电阻,在长方形基板上沿其长度方向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻,在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带连接,所述基板的两侧部设有接地微带,在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面电极。经过实际验证,使用本发明多级联衰减电路片状电阻所装配的产品,经实际测试指标可以满足工作频率DC-18GHz,驻波比Vser≤1.15,三阶交调值IM3≤-130dbc@2X+43dbm。

Description

一种带多级联衰减电路的片状电阻
技术领域:
本发明涉及一种电磁波功率电平吸收器件,具体地说是一种带多级联衰减电路的片状电阻,属于用在通讯、科研、测试等微波领域的产品。
背景技术:
目前,随着通信终端的用户的增多与科技的进步,对网络传递数据、信号功率兼容、抗干扰的能力提出更高的要求,这就使得微波同轴器件的工作频段、功率容量、反射损耗、三阶互调、机械稳定性等性能要求越来越高。而现阶段微波同轴器件三阶互调指标较差、反射损耗较大、机械稳定性低等。如图2所示为普通单级电路负载,电阻7集中印刷于载体6上,载体6为普通氧化铍方板,电阻7为采用厚膜印刷技术制作的石墨电阻,接地微带4为与电阻7一端相连接的接地线,中心导带3将电阻7与焊盘电极8a连接,接地微带4、连接带5a、接地极5b三者连接实现接地。
此种工作原理存在以下四大弊端:一是由于当信号功率经外界引线与腔体直接传输到电阻7上,即整机传输路线为同轴结构到微带线结构,最终才到电阻7,导致其工作频带窄,反射损耗大;二是信号功率所有的能量一次性的被电阻7全部吸收,导致电阻7在短时间内急剧升温,极易使电阻7产生打火,导致整机的报废,严重影响整个系统的使用寿命与使用质量;三是电阻7与接地微带4和中心导带3相连接的部位为直角过度,未经过抛物线渐变处理,导致信号功率在此处所产生的三阶交调杂物增多,进而对整机的三阶互调性能产生较大的负面影响;四是无论外界的引线还是腔体与该电阻相连接器是都必须采用焊接的方式进行,而焊点大小、形状、焊接时间的长短等都会对产品的性能、指标产生一定的负面影响,导致整机的性能指标一致性极差。
发明内容:
为克服现有技术的缺陷,本发明的目的在于提供一种使用频段宽、反射损耗小、三阶互调值低、性能稳定、体积小、承载功率大、使用方便、非焊接连接方式的带多级联衰减电路的片状电阻,从而实现整机优越的性能。
本发明解决技术问题采用如下技术方案:
一种带多级联衰减电路的片状电阻,在长方形基板上沿其长度方向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻,在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带连接,所述基板的两侧部设有接地微带,在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面电极。
本发明的结构特点也在于:
所述各衰减电阻为采用氧化钉材质制作的衰减电阻,其中最靠近基板终端的衰减电阻为能够对剩余信号功率完全吸收的匹配终端。
所述接地微带、中心导带与各衰减电阻之间以弧形的互调角过渡连接。
与已有技术相比,本发明的有益效果体现在:
本发明多级联衰减电路的片状电阻采用薄膜真空溅射技术制作,基板为具有高品因子特性的高纯度氧化铍方板;基板上自输入端向终端,设置有衰减度依次增大的采用真空溅射技术制作的氧化钉材质的衰减电阻,为双T型衰减网络,对输入信号功率实现逐级衰减与分段吸收,避免集中吸收功率产生的局部热冲击。具有工作频段高、反射损耗小、指标一致性好、可靠性高、承载功率大等优点;经过实际验证,使用本发明多级联衰减电路片状电阻所装配的产品,经实际测试指标可以满足工作频率DC-18GHz,驻波比Vser≤1.15,三阶交调值IM3≤-130dbc@2X+43dbm。
本发明是应用双T型衰减电路与悬置微带线思想,将多级联衰减电路电阻置入到整机中,如图3所示:负载内腔为一开槽的圆腔,弹簧夹为使用铍青铜材料成型后进行时效处理的具有弹性的U型夹,使用时将该发明的多级联衰减电路电阻按照图示3所示的方式装入到负载内腔中便可。
附图说明:
图1为本发明片状电阻的结构示意图;图1A为图1的I部放大图;图1B为图1的左/右视图;图2为现有单级电路电阻的结构示意图;图2A为图2的A向视图;图2B为图2A的B向视图;图3为本发明片状电阻装配于负载内的结构示意图;图3A为图3的A-A剖视图;图3B图3A的I部放大图。
图中标号:1基板,2、2a、2b、2c、2d、2e衰减方阻,2f互调角,3中心导带,3a端面电极,4接地微带,5a连接带,5b接地极,6载体,7电阻,8a电极,9弹簧夹,10负载。
以下通过具体实施方式,并结合附图对本发明作进一步说明。
具体实施方式:
实施例:本实施例带多级联衰减电路的片状电阻,在长方形基板1上沿其长度方向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻2、2a、2b、2c、2d、2e,其中最靠近基板终端的衰减电阻2e为能够对剩余信号功率完全吸收的匹配终端。在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带3连接,基板1的两侧部设有接地微带4,在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面电极3a。
结合图1A,接地微带4、中心导带3与各衰减电阻之间以弧形的互调角2f过渡连接。本发明多级联衰减电路片状电阻的原理特点是:基板上自输入端向终端设有衰减度逐渐增大的采用真空溅射技术制作的氧化钉材质的衰减方阻,为双T型衰减网络,其中衰减方阻2、2a、2b、2c、2d用于实现信号功率的逐级衰减、分段吸收,将输入信号功率的能量在每一个方阻2、2a、2b、2c、2d上进行平均分配、吸收,避免集中吸收功率产生的局部热冲击,从而实现大功率化;当信号功率在传输过程中会发生一定的反射,反射后的信号功率在反向传输个过程中又会被方阻2、2a、2b、2c、2d吸收,从而实现反射损耗小;且方阻2e为匹配终端,能实现对剩余信号功率的完全吸收。
具体实施中,相应的结构形式也包括:
在所述基板1的两端印刷有端面电极3a,一端实现与连接器中心导体的连接,另一端用于接地,实现匹配负载作用。
所述互调角2f为衰减方阻2、2a、2b、2c、2d、2e与中心导带3和接地微带4三者之间过渡连接所需,用于实现该多级联衰减电路电阻装配于负载后的整机的低互调指标。
使用中,将该多级联衰减电路电阻置入到负载中,如图3-3B所示:负载10具有一开槽的圆腔,弹簧夹9为使用铍青铜材料成型后进行时效处理的具有弹性的U型夹,使用时将该多级联衰减电路电阻按照图示3、3A所示的方式装入到负载10内腔中便可,整体产品的装配结构如图3所示。

Claims (3)

1.一种带多级联衰减电路的片状电阻,其特征是在长方形基板上沿其长度方向自输入端向终端间隔设置衰减度依次增大的衰减电阻,在各所述衰减电阻之间以设于基板上的中心导带连接,所述基板的两侧部设有接地微带,在基板的两端部设有与所述中心导带连通的端面电极。
2.根据权利要求1所述的一种带多级联衰减电路的片状电阻,其特征是所述各衰减电阻为采用氧化钌材质制作的衰减电阻,其中最靠近基板终端的衰减电阻为能够对剩余信号功率完全吸收的匹配终端。
3.根据权利要求1所述的一种带多级联衰减电路的片状电阻,其特征是所述接地微带、中心导带与各衰减电阻之间以弧形的互调角过渡连接。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102290623A (zh) * 2011-05-26 2011-12-21 苏州市新诚氏电子有限公司 大功率氮化铝陶瓷基板100W-20dB衰减片
CN102332630A (zh) * 2011-07-22 2012-01-25 苏州市新诚氏电子有限公司 大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片
CN102361120A (zh) * 2011-09-08 2012-02-22 苏州市新诚氏电子有限公司 大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片
CN102820506A (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 上海华湘计算机通讯工程有限公司 一种大功率同轴固定衰减器
CN103943924A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 西安空间无线电技术研究所 一种基于新型拓扑结构的微波衰减器
CN104218294A (zh) * 2014-05-29 2014-12-17 苏州市新诚氏电子有限公司 高效率氧化铝陶瓷基板2瓦5dB衰减片
CN109449135A (zh) * 2018-09-29 2019-03-08 全球能源互联网研究院有限公司 半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极
CN114142196A (zh) * 2021-11-29 2022-03-04 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种电阻式衰减器
CN115764213A (zh) * 2022-10-08 2023-03-07 中国电子科技集团公司第十研究所 一种适用于太赫兹频段使用的吸收式固定衰减器
CN116826337A (zh) * 2023-08-28 2023-09-29 深圳海普瑞丽科技有限公司 一种用于无线通信网络的网分校准负载及校准件

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456894A (en) * 1982-04-16 1984-06-26 Les Cables De Lyon Distributed-constant resistance for use as a high dissipation load at hyperfrequencies
US20060028290A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Blacka Bobert J High-frequency temperature-variable attenuator
CN201749925U (zh) * 2010-07-30 2011-02-16 合肥佰特微波技术有限公司 一种带多级联衰减电路的片状电阻

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4456894A (en) * 1982-04-16 1984-06-26 Les Cables De Lyon Distributed-constant resistance for use as a high dissipation load at hyperfrequencies
US20060028290A1 (en) * 2004-08-05 2006-02-09 Blacka Bobert J High-frequency temperature-variable attenuator
CN201749925U (zh) * 2010-07-30 2011-02-16 合肥佰特微波技术有限公司 一种带多级联衰减电路的片状电阻

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102290623A (zh) * 2011-05-26 2011-12-21 苏州市新诚氏电子有限公司 大功率氮化铝陶瓷基板100W-20dB衰减片
CN102820506A (zh) * 2011-06-09 2012-12-12 上海华湘计算机通讯工程有限公司 一种大功率同轴固定衰减器
CN102820506B (zh) * 2011-06-09 2016-07-06 上海华湘计算机通讯工程有限公司 一种大功率同轴固定衰减器
CN102332630A (zh) * 2011-07-22 2012-01-25 苏州市新诚氏电子有限公司 大功率氮化铝陶瓷基板150瓦30dB衰减片
CN102361120A (zh) * 2011-09-08 2012-02-22 苏州市新诚氏电子有限公司 大功率氮化铝陶瓷基板100W-10dB衰减片
CN103943924B (zh) * 2014-04-29 2016-06-01 西安空间无线电技术研究所 一种基于新型拓扑结构的微波衰减器
CN103943924A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 西安空间无线电技术研究所 一种基于新型拓扑结构的微波衰减器
CN104218294A (zh) * 2014-05-29 2014-12-17 苏州市新诚氏电子有限公司 高效率氧化铝陶瓷基板2瓦5dB衰减片
CN109449135A (zh) * 2018-09-29 2019-03-08 全球能源互联网研究院有限公司 半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极
CN109449135B (zh) * 2018-09-29 2020-09-29 全球能源互联网研究院有限公司 半导体功率器件的封装结构及封装结构的电极
CN114142196A (zh) * 2021-11-29 2022-03-04 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种电阻式衰减器
CN115764213A (zh) * 2022-10-08 2023-03-07 中国电子科技集团公司第十研究所 一种适用于太赫兹频段使用的吸收式固定衰减器
CN116826337A (zh) * 2023-08-28 2023-09-29 深圳海普瑞丽科技有限公司 一种用于无线通信网络的网分校准负载及校准件
CN116826337B (zh) * 2023-08-28 2023-11-10 深圳海普瑞丽科技有限公司 一种用于无线通信网络的网分校准负载及校准件

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