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CN101903974B - 薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法 - Google Patents

薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法 Download PDF

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CN101903974B CN2008801214975A CN200880121497A CN101903974B CN 101903974 B CN101903974 B CN 101903974B CN 2008801214975 A CN2008801214975 A CN 2008801214975A CN 200880121497 A CN200880121497 A CN 200880121497A CN 101903974 B CN101903974 B CN 101903974B
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Abstract

本发明提供一种薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法、以及薄膜层叠器件。薄膜层叠器件的制造方法为，利用粘合剂从弱粘合无机膜的上层膜和弱粘合无机膜的下层膜一侧将塑料基板贴合在支撑基板，使玻璃基板以比上层膜与下层膜之间的粘合力强的粘合力支撑塑料基板。在被玻璃基板支撑的塑料基板层叠多层薄膜。通过分离上层膜与下层膜，将层叠有多层薄膜的塑料基板从玻璃基板分离。

Description

薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法、以及薄膜层叠器件。 
背景技术
以往，尝试代替玻璃和硅等较硬的基板，使用塑料和金属薄膜等具有柔软性的基板，制造晶体管和传感器等具有高度性能的薄膜器件。特别是具有透明性、耐久性优良的塑料基板作为用于下一代显示器的基板被高度关注。但是，存在塑料基板与玻璃基板相比较薄且容易弯曲，基板搬运困难的大课题。 
对于与这样的塑料基板相关的问题，例如，专利文献1中，记载有对复合基板进行光刻工序等处理后，通过从背面照射紫外线将塑料基板从支撑基板分离的方法，该复合基板通过使用粘合力会因紫外线而减少的粘合剂将塑料基板贴合到作为支撑基板的玻璃基板而成。此外，专利文献2中，记载有通过加热将塑料基板从支撑基板分离的方法。 
专利文献1：日本特开平7-325297号公报 
专利文献2：日本特开2000-248243号公报 
发明内容
但是，在上述方法中，存在如下问题：在复合基板的处理工序中，粘合力在紫外线照射和加热时降低，处理中塑料基板从支撑基板剥离等。该剥离是由于如下原因而产生的：塑料基板和粘合材料(有机材料)的由热和水分吸收导致的基板膨胀与作为无机材料的玻璃基板等支撑基板相比非常大，因其差而在二者的界面产生应力。特别是，在制造高性能的TFT(薄膜晶体管)的情况下，需要在接近250℃的非常高的温度下成膜，或者通过紫外线照射反复制作细微的图案，加热和 紫外线照射导致粘合材料的粘合力的降低。因此，在良好地使支撑基板支撑塑料基板的状态下，对塑料基板进行形成薄膜等处理存在折衷的问题(trade-of)，在塑料基板上良好地形成器件非常困难。进而，粘合力会因紫外线和热而降低的粘合材料与仅特殊化为高粘合性的粘合材料相比价格非常高，在制造成本方面也存在问题。 
本发明是鉴于上述各点而完成的，其目的在于，提供能够以良好的制造成本在塑料基板上良好地形成薄膜器件的薄膜层叠器件和显示装置的制造方法。 
本发明的薄膜层叠器件的制造方法是在塑料基板层叠有多层薄膜的薄膜层叠器件的制造方法，包括：第一工序，准备依次层叠有第一无机膜和第二无机膜的塑料基板；第二工序，利用粘合剂从第一无机膜和第二无机膜一侧将塑料基板贴合在支撑基板，使支撑基板以比第一无机膜与第二无机膜之间的粘合力强的粘合力支撑塑料基板；第三工序，在被支撑基板支撑的塑料基板上层叠多层薄膜；和第四工序，通过分离第一无机膜与第二无机膜，将层叠有多层薄膜的塑料基板从支撑基板分离。 
根据上述结构，能够在使用粘合力强的粘合剂使支撑基板牢固地支撑容易产生弯曲和挠曲的塑料基板的状态下形成多层薄膜。因此，即使在反复进行高温加热和湿式处理等工序的薄膜层叠器件制造中，也能够良好地进行制造处理而塑料基板不会从支撑基板剥离。 
此外，在塑料基板上形成多层薄膜后，不是从强力粘合的支撑基板直接分离，而是通过分离以弱粘合力粘合的第一无机膜与第二无机膜，将塑料基板从支撑基板分离。因此，不需要粘合性能会因紫外线照射和加热等而降低的高价的粘合材料，此外，不需要紫外线照射和加热所需的处理装置。从而，能够以良好的处理效率和处理成本将塑料基板从支撑基板分离。 
根据本发明，能够以良好的制造成本在塑料基板上良好地形成薄膜器件。 
附图说明
图1表示液晶显示装置的剖视图。 
图2是有源矩阵基板的剖视图。 
图3是对置基板的剖视图。 
图4是依次层叠有SiNx膜、非晶硅膜和ITO膜的塑料基板的剖视图。 
图5是被玻璃基板支撑的塑料基板的剖视图和与其对应的俯视图。 
图6是被玻璃基板支撑且形成有TFT的塑料基板的剖视图。 
图7是使SiNx膜与非晶硅膜分离的塑料基板的剖视图。 
图8是使比截断面靠内侧的SiNx膜从非晶硅膜分离的塑料基板的剖视图。 
符号的说明 
10液晶显示装置 
13有源矩阵基板 
14对置基板 
16TFT 
19、32塑料基板 
41SiNx膜(第一无机膜) 
42非晶硅膜(第二无机膜) 
43ITO膜(第三无机膜) 
44玻璃基板(支撑基板) 
45粘合剂 
50激光 
51截断面 
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式的薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法进行详细说明。另外，本发明不限于以下的实施方式。此外，在本实施方式中，作为显示装置以液晶显示装置为例进行说明。 
(液晶显示装置10的结构) 
图1表示本发明的实施方式的液晶显示装置10的剖视图。液晶显示装置10由液晶显示面板11和背光源12构成。 
液晶显示装置10包括：分别作为在塑料基板层叠有多层薄膜的薄膜层叠器件的有源矩阵基板13和对置基板14。液晶显示装置10具有在有源矩阵基板13与对置基板14之间形成的液晶层15。 
图2表示有源矩阵基板13的剖视图。在有源矩阵基板13上设置有多个像素(未图示)，在各像素上形成有薄膜晶体管(TFT16)。此外，有源矩阵基板13在液晶层15一侧的表面设置有取向膜17，并且在与液晶层15一侧相反的一侧的表面设置有偏光板18。 
有源矩阵基板13包括例如厚度为0.1mm的塑料基板19，塑料基板19由例如环氧树脂、PET树脂、PES树脂、聚酰亚胺树脂、聚酯、聚碳酸酯和聚丙烯酸树脂等的至少一种形成。此外，塑料基板19只要为表现出柔软性的基板即可，也可以为包含玻璃成分等的复合型塑料基板。在塑料基板19的一面上例如以150nm等的厚度形成有SiNx膜20作为底涂层(base coat)。在SiNx膜20的一部分对各个像素(省略图示)以200nm左右的厚度形成有例如由Ti等构成的栅极电极21，以覆盖上述SiNx膜20和栅极电极21的方式例如以400nm左右的厚度形成有由SiNx层等形成的栅极绝缘膜22。 
在栅极绝缘膜22上例如以150nm左右的厚度形成有隔着栅极绝缘膜22覆盖栅极电极21的整体的半导体层23。半导体层23例如由非晶硅(a-Si)、多晶Si、微晶Si和氧化物半导体等中的至少一种形成。 
在半导体层23上，以例如50nm左右的厚度形成有高浓度掺杂n型杂质的n+半导体层24。在n+半导体层24和栅极绝缘膜22上，例如分别以200nm左右的厚度形成有由Ti等构成的源极电极25和漏极电极26。在有源矩阵基板13上，像这样形成有具有栅极电极21、源极电极25和漏极电极26的TFT16。 
TFT16被由例如SiNx层等形成的未图示的保护层覆盖。此外，在漏极电极26上形成有构成各像素的未图示的像素电极，漏极电极26与像素电极电连接。 
如图3所示，对置基板14包括塑料基板32，在塑料基板32上以150nm等厚度形成有例如作为底涂层形成的SiNx膜33。在SiNx膜33上以规定的间隔形成有构成各像素的多个彩色滤光片层30。在邻接的彩色滤光片层30之间，形成有划分上述多个彩色滤光片层30的黑矩 阵层34，以覆盖上述彩色滤光片层30和黑矩阵层34的方式形成有相对电极31。在对置基板14的液晶层15一侧的表面设置有取向膜27，并且在与液晶层15一侧相反的一侧的表面设置有偏光板28。 
液晶层15由在有源矩阵基板13与对置基板14之间形成的密封材料29密封。此外，在有源矩阵基板13与对置基板14之间，为了使上述两基板13、14的间隔均匀，形成有例如由塑料、玻璃等构成的柱状间隔物(未图示)。 
(液晶显示装置10的制造方法) 
接着，使用附图对本发明的实施方式的液晶显示装置10的制造方法详细说明。 
(有源矩阵基板形成工序) 
首先，如图4所示，准备例如尺寸为320×420mm左右并且厚度为0.1mm左右的塑料基板19。然后，在塑料基板的两面，通过溅射法等分别形成SiNx膜20、41。SiNx膜20、41的厚度为例如 
Figure BPA00001161213200051
左右。 
此时成膜的SiNx膜20具有作为水分低透过性的透明绝缘膜的底涂层的功能。SiNx膜41不仅与SiNx膜20同样具有底涂层的功能，并且发挥如后所述作为弱粘合无机膜的上层膜(第一无机膜)的功能。 
然后，在SiNx膜41上，在从其周端空出10mm以下的宽度的内侧，通过CVD法等形成非晶硅膜42。非晶硅膜42的厚度例如为 
Figure BPA00001161213200052
左右。非晶硅膜42如后所述具有作为弱粘合无机膜的下层膜(第二无机膜)的功能。 
接着，在非晶硅膜42上，通过溅射法等形成作为透明薄膜的ITO(氧化铟锡)膜43。ITO膜43的厚度例如为 左右。 
此处，本发明者对分别成膜于塑料基板19的无机膜彼此的粘合性进行了研究，得到表1所示的结果。 
[表1] 
Figure BPA00001161213200054
已知：由于非晶硅膜42具有较强的膜应力，与无机膜的粘合力较小，如果膜厚为 
Figure BPA00001161213200061
以上，则即使单层也能呈现出足够的弱粘合性，但从表1可以看出，通过进一步层叠ITO膜43，能够保持弱粘合性地使非晶硅膜42变薄至 
Figure BPA00001161213200062
以下。通过使非晶硅膜42变薄至 
Figure BPA00001161213200063
以下，能够从基板背面观察基板表面状态，并且也能够从基板背面进行紫外线曝光从而图案化即进行所谓的背面曝光。因此，能够在基板尺寸变化较大的塑料基板19上高精度地进行各种图案形成处理。 
接着，如图5的塑料基板19的剖视图(图5的上侧图)所示，准备玻璃基板44(支撑基板)。然后，通过利用粘合剂45从SiNx膜41和非晶硅膜42一侧将塑料基板19贴合在玻璃基板44上，使玻璃基板44支撑塑料基板19。此时，粘合剂45覆盖在SiNx膜41表面距离其周端10mm以下宽度的露出部上、和层叠于非晶硅膜42上的ITO膜43上。此外，粘合剂45使用例如在使用250℃以上的加热和药液的湿式工序中也能够获得充分的粘合强度的廉价的材料，使塑料基板19强力地粘合到玻璃基板44上。作为粘合剂，能够使用例如环氧类、硅类、氰丙烯酸酯(cyanoacrylate)类等树脂粘合剂等。 
其中，本实施方式中，利用粘合剂45将塑料基板19贴合于玻璃基板44，但塑料基板19与玻璃基板44的粘合方法不限于此。例如，还可以将塑料基板19或玻璃基板44的表面通过等离子处理粗糙化后，将其整面向对方侧基板按压而粘合。 
像这样，如图5的塑料基板19的俯视图(图5的下侧图)所示，在塑料基板19与玻璃基板44之间，在SiNx膜41表面，具有与距离其周端10mm以下宽度的露出部对应的强粘合区域60、和与以被包围在其内侧的方式设置的SiNx膜41与非晶硅膜42的界面区域对应的弱粘合区域61。 
该塑料基板19与玻璃基板44的粘合力比作为弱粘合无机膜的上层膜的SiNx膜41与作为弱粘合无机膜的下层膜的非晶硅膜42的粘合力强。 
然后，如图6所示，在被玻璃基板44支撑的塑料基板19上，通过溅射法使Ti以例如200nm左右的厚度成膜后，通过光刻法图案化而形成栅极电极21。然后，通过CVD法使SiN膜(400nm)/a-Si(150nm) /n+Si(50nm)作为栅极绝缘膜22/半导体层23/n+半导体层24在250℃的高温下连续成膜，接着通过光刻法使a-Si和n+Si图案化。其后，通过溅射法使Ti以200nm左右的厚度成膜后，通过光刻法图案化而形成源极电极25和漏极电极26。接着，通过干刻法除去TFT16的沟道部的n+Si，在塑料基板19上制造TFT16。塑料基板19与玻璃基板44粘合，因此这样用于形成薄膜的装置能够用与在玻璃基板中使用的装置相同的装置进行处理。 
其后，如图7所示，通过将作为弱粘合无机膜的上层膜的SiNx膜41与作为弱粘合无机膜的下层膜的非晶硅膜42分离，将形成有TFT16等的塑料基板19从玻璃基板44分离。 
此时，在SiNx膜41表面，距离其周端10mm以下宽度的露出部，利用粘合剂45牢固地粘合在玻璃基板44。因此，在该露出部用较强的力分离，在其以外的部分，只要用较弱的力将作为弱粘合无机膜的上层膜的SiNx膜41与作为弱粘合无机膜的下层膜的非晶硅膜42分离即可。从而，能够良好地抑制对塑料基板19和薄膜层叠器件的破坏，能够易于将塑料基板19从玻璃基板44分离。接着，对分离后的塑料基板19施加规定的处理，制作有源矩阵基板13。 
另外，当使用激光照射进行塑料基板19的分离时，能够更容易进行塑料基板19的分离。即，如图8所示，通过激光50的照射等，沿着塑料基板19和SiNx膜41的与非晶硅膜42的周端对应的部位或者比该部位靠内侧的部位，形成在该塑料基板19和SiNx膜41的厚度方向上延伸的截断面51。接着，通过将比截断面51靠内侧的塑料基板19和SiNx膜41从非晶硅膜42分离，将塑料基板19从玻璃基板44分离。 
像这样，如果在分离前形成截断面51，则不需要将比截断面51靠外侧的利用粘合剂45牢固地粘合的部分分离。因此，能够更加易于将塑料基板19从玻璃基板44分离。 
(对置基板形成工序) 
接着，对对置基板形成工序进行说明。首先，与有源矩阵基板形成工序相同，准备塑料基板32，在一个表面上形成弱粘合无机膜的上层膜和弱粘合无机膜的下层膜。此时，弱粘合无机膜的下层膜在弱粘 合无机膜的上层膜上，在从其周端空出例如10mm以下宽度的内侧成膜。 
进一步，在弱粘合无机膜的下层膜上形成ITO膜等透明无机膜，使用粘合力较强的粘合剂使塑料基板32从ITO膜等透明无机膜一侧与作为支撑基板的玻璃基板粘合。 
接着，在被玻璃基板支撑的塑料基板32上形成彩色滤光片层30和相对电极31等薄膜后，将对置基板14从玻璃基板分离。在该情况下，与有源矩阵基板形成工序相同，在弱粘合无机膜的上层膜表面的距离其周端10mm以下宽度的露出部利用粘合剂牢固地粘合在玻璃基板。因此，在该露出部用较强的力分离，在其以外的部分，只要用较弱的力将弱粘合无机膜的上层膜与弱粘合无机膜的下层膜分离即可。从而，能够良好地抑制对塑料基板32和薄膜层叠器件的破坏，能够易于将塑料基板32从玻璃基板分离。接着，对分离后的塑料基板32施加规定的处理，制造对置基板14。 
另外，塑料基板32的分离，也可以与有源矩阵基板形成工序相同，通过激光照射等预先在塑料基板32等形成截断面，然后将塑料基板32从玻璃基板分离。 
(基板贴合工序) 
接着，将上述制作的有源矩阵基板13与对置基板14贴合。首先，使密封材料29在有源矩阵基板13或者对置基板14的取向膜17、27一侧的边框区域形成为大致框状。此时，以形成有用于在将有源矩阵基板13与对置基板14贴合时注入液晶材料的注入口的方式形成密封材料29。然后，使有源矩阵基板13与对置基板14以分别设置有取向膜17、27的面相对的方式隔着密封材料29贴合，从注入口注入液晶材料后，将注入口密封，由此形成液晶层15。 
接着，在有源矩阵基板13和对置基板14的与液晶层15一侧相反一侧的面上分别贴合偏光板18、28从而制作液晶显示面板11，在其上设置背光源12完成液晶显示装置10。 
另外，在上述实施方式中，支撑基板为玻璃基板44，但本发明不限于此，还可以为金属基板、陶瓷基板、树脂基板等。 
此外，液晶显示装置10的有源矩阵基板13和对置基板14均由塑 料基板19、32构成，但本发明不限于此，只要使有源矩阵基板13和对置基板14的至少一方由塑料基板构成即可。 
进而，栅极电极21、源极电极25和漏极电极26由Ti形成，但本发明不限于此，还可以由例如Al、Mo、MoW、MoNb、Al合金、Ta或者ITO等形成。 
进而，塑料基板19的截断面51通过照射激光50形成，但不限于此，还可以使用例如划片装置等形成。 
此外，在本实施方式中作为显示装置举例表示了液晶显示装置，但不限于此，还可以为例如场致发光显示装置、等离子体显示装置、电致变色显示装置和场致发射显示器等。 
进而，作为弱粘合无机膜的上层膜使用SiNx膜41，但只要能够发挥作为底涂层和弱粘合无机膜的上层膜的功能即可。 
此外，作为弱粘合无机膜的下层膜使用非晶硅膜42，但只要是与弱粘合无机膜的上层膜的粘合力比粘合剂45小的无机膜即可。 
(作用效果) 
接着，对本发明的实施方式的作用效果进行说明。 
本实施方式的薄膜层叠器件的制造方法，包括利用粘合剂45从作为弱粘合无机膜的上层膜的SiNx膜41和作为弱粘合无机膜的下层膜的非晶硅膜42一侧将塑料基板19贴合到玻璃基板44，使玻璃基板44以比SiNx膜41与非晶硅膜42之间的粘合力强的粘合力支撑塑料基板19的步骤。此外，包括在被玻璃基板44支撑的塑料基板19上层叠多层薄膜的步骤。进而，包括通过分离SiNx膜41与非晶硅膜42，将层叠有多层薄膜的塑料基板19从玻璃基板44分离的步骤。 
根据上述结构，能够使用粘合力强力的粘合剂45使玻璃基板44牢固地支撑容易产生弯曲和挠曲的塑料基板19的状态下，形成多层薄膜。因此，即使在反复进行高温加热和湿式处理等工序的薄膜层叠器件制造中，也能够良好地进行制造处理而使塑料基板19不会从玻璃基板44剥离。 
此外，在塑料基板19上形成多层薄膜后，不是从强力地粘合的玻璃基板44直接分离，而是通过分离以较弱的粘合力粘合的SiNx膜41与非晶硅膜42，将塑料基板19从玻璃基板44分离。因此，不需要粘 合性能会因紫外线照射和加热等而降低这样的高价的粘合材料，此外，不需要紫外线照射和加热所需的处理装置。从而，能够以良好的处理效率和处理成本进行塑料基板19从玻璃基板44的分离。 
此处，以往的基板剥离的主要原因在于，塑料基板和粘合材料(有机材料)的由热和水分吸收导致的基板膨胀与作为无机材料的玻璃基板等支撑基板相比非常大，因其差而在二者的界面发生应力而产生。与此相对，在本实施方式中，作为无机材料的玻璃基板44与作为进行粘合的有机材料的粘合剂45的界面通过牢固的粘合力粘合，用于在之后的工序中分离基板的弱粘合的界面，由呈现大致相同的热膨胀系数和水分吸收性的无机膜(SiNx膜41和非晶硅膜42)构成。因此，能够抑制在二者的界面产生应力，良好地抑制热和湿式处理工序导致的基板剥离。 
进而，不需要粘合性能因紫外线照射和加热等而降低的高价的粘合材料，能够将需要接近250℃的高温工艺的高性能的TFT16在塑料基板19上通过与玻璃基板的处理相同的工艺简易地制作。 
此外，本实施方式中，作为弱粘合无机膜的上层膜，形成作为透明绝缘膜的SiNx膜41。 
根据上述结构，能够将弱粘合无机膜的上层膜作为塑料基板19的底涂层使用。 
进而，本实施方式中，作为弱粘合无机膜的下层膜，形成非晶硅膜42。 
根据上述结构，能够对于粘合剂45，更容易地形成低粘合力的剥离面(非晶硅膜42与其他无机膜的界面)。 
此外，本实施方式中，非晶硅膜42的厚度为 
Figure BPA00001161213200101
以下。 
根据上述结构，如表1所示，由于能够使弱粘合无机膜更加薄膜化，从基板背面一侧的视认性变得良好。从而，例如被两块基板夹住的液晶显示装置和有机EL显示装置的制造处理的自由度变得良好，制造效率变得良好。 
进而，本实施方式中，在非晶硅膜42上层叠ITO膜43。 
根据上述结构，能够保持弱粘合性地使非晶硅膜42良好地变薄至 
Figure BPA00001161213200102
以下。此外，ITO膜43为透明薄膜。从而，能够从基板背面观察 基板表面状态，并且能够从基板背面进行紫外线曝光从而图案化即进行所谓的背面曝光。因此，能够在基板尺寸变化较大的塑料基板19上高精度地进行各种图案形成处理。 
此外，本实施方式中，在距离SiNx膜41的周端规定宽度的内侧层叠非晶硅膜42。 
根据上述结构，由于在弱粘合无机膜的上层膜即SiNx膜41的周端，SiNx膜41与玻璃基板44利用粘合剂45直接牢固地粘合，在塑料基板上形成薄膜器件之际，对于来自横向的物理的力具有良好的耐性。此外，能够使水和药液等较强地接触从而加速处理时间。 
进而，本实施方式中，距离SiNx膜41的周端的上述规定宽度为10mm以下。 
根据上述结构，能够使塑料基板19牢固地贴合在玻璃基板44的区域为最小限度，使在塑料基板19上制作薄膜层叠器件的区域较广。 
此外，在本实施方式中，通过激光50的照射等，沿着塑料基板19和SiNx膜41的与非晶硅膜42的周端对应的部位或者比该部位靠内侧的部位形成截断面51，通过将比截断面51靠内侧的塑料基板19和SiNx膜41从非晶硅膜42分离，由此将塑料基板19从玻璃基板44分离。 
根据上述结构，不需要将比塑料基板19的截断面51靠外侧的利用粘合剂45牢固地粘合的部分从玻璃基板44分离。因此，能够更加容易地将塑料基板19从玻璃基板44分离。 
产业上的利用可能性 
如上所述，本发明对于薄膜层叠器件的制造方法和显示装置的制造方法以及薄膜层叠器件有用。 

Claims (10)

1.一种薄膜层叠器件的制造方法，该薄膜层叠器件在塑料基板上层叠有多层薄膜，该薄膜层叠器件的制造方法的特征在于，包括：
第一工序，准备依次层叠有第一无机膜和第二无机膜的塑料基板；
第二工序，利用粘合剂从所述第一无机膜和第二无机膜一侧将所述塑料基板贴合在支撑基板，使该支撑基板以比该第一无机膜与第二无机膜之间的粘合力强的粘合力支撑该塑料基板；
第三工序，在被所述支撑基板支撑的所述塑料基板层叠多层薄膜；和
第四工序，通过分离所述第一无机膜与第二无机膜，将层叠有所述多层薄膜的塑料基板从所述支撑基板分离。
2.如权利要求1所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
所述第一无机膜为透明绝缘膜。
3.如权利要求1所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
所述第二无机膜为非晶硅膜。
4.如权利要求3所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：所述非晶硅膜的厚度为以下。
5.如权利要求4所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
在所述第一工序与所述第二工序之间，还包括在所述非晶硅膜上层叠第三无机膜的工序。
6.如权利要求5所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
所述第三无机膜为透明薄膜。
7.如权利要求1所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
在距离所述第一无机膜的周端规定宽度的内侧层叠所述第二无机膜。
8.如权利要求7所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
所述规定宽度为10mm以下。
9.如权利要求7所述的薄膜层叠器件的制造方法，其特征在于：
在所述第三工序与第四工序之间，还包括沿着所述塑料基板和所述第一无机膜的与所述第二无机膜的周端对应的部位或者比该部位靠内侧的部位，形成截断面的工序，
在所述第四工序，将比所述截断面靠内侧的塑料基板和第一无机膜从所述支撑基板分离。
10.一种显示装置的制造方法，该显示装置具有在塑料基板上层叠有多层薄膜的薄膜层叠器件，该显示装置的制造方法的特征在于，包括：
第一工序，准备依次层叠有第一无机膜和第二无机膜的塑料基板；
第二工序，利用粘合剂从所述第一无机膜和第二无机膜一侧将所述塑料基板贴合在支撑基板，使该支撑基板以比该第一无机膜与第二无机膜之间的粘合力强的粘合力支撑该塑料基板；
第三工序，在被所述支撑基板支撑的所述塑料基板层叠多层薄膜；和
第四工序，通过分离所述第一无机膜与第二无机膜，将层叠有所述多层薄膜的塑料基板从所述支撑基板分离。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101267529B1 (ko) * 2010-10-30 2013-05-24 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블한 유기전계 발광소자 제조 방법
US20130115426A1 (en) * 2011-11-09 2013-05-09 Au Optronics Corporation Method of manufacturing flexible electronic device
CN107728358B (zh) * 2012-09-27 2021-01-12 日铁化学材料株式会社 显示装置的制造方法
KR101978371B1 (ko) * 2012-10-29 2019-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2014220348A (ja) * 2013-05-08 2014-11-20 日東電工株式会社 透明回路基板の製造方法
KR102215812B1 (ko) 2014-01-09 2021-02-17 삼성디스플레이 주식회사 소자 기판 제조 방법 및 상기 방법을 이용하여 제조한 표시 장치
CN103985665B (zh) * 2014-05-15 2016-08-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性显示器的制作方法
WO2015182299A1 (ja) * 2014-05-29 2015-12-03 ソニー株式会社 装置及び方法
US11216131B2 (en) 2014-11-20 2022-01-04 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Film touch sensor and manufacturing method therefor
KR20160071735A (ko) * 2014-12-12 2016-06-22 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법
CN104658990B (zh) * 2015-03-02 2017-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种封装件及其制备方法
CN106298438A (zh) * 2015-05-13 2017-01-04 苏州美图半导体技术有限公司 一种利用双面黏性薄膜对衬底进行加工的方法
JP2018152191A (ja) * 2017-03-10 2018-09-27 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法、可撓性フィルム

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000248243A (ja) * 1999-03-03 2000-09-12 Seiko Epson Corp 接着シート及び液晶パネルの製造方法
JP2002031818A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
CN1430192A (zh) * 2001-11-30 2003-07-16 株式会社半导体能源研究所 交通工具、显示器和半导体器件的制造方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3739424B2 (ja) * 1994-05-31 2006-01-25 藤森工業株式会社 プラスチックス基板付き積層シート、基板処理方法、および、液晶セルまたは表示装置の製造法
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US5856858A (en) * 1997-12-01 1999-01-05 The Regents Of The University Of California Plastic substrates for active matrix liquid crystal display incapable of withstanding processing temperature of over 200° C and method of fabrication
KR100407413B1 (ko) * 1999-07-19 2003-11-28 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 반사판 및 그 제조방법, 및 반사판을 구비한 반사형표시소자 및 그 제조방법
JP2001267578A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
JP2002122802A (ja) * 2000-10-13 2002-04-26 Fuji Photo Film Co Ltd 内面走査型画像記録装置
JP2002270553A (ja) * 2001-03-13 2002-09-20 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 電子部品の製造法
TW558743B (en) * 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003229548A (ja) * 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法
KR100443831B1 (ko) * 2001-12-20 2004-08-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조 방법
AU2003254851A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-25 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Laminate having adherent layer and laminate having protective film
TWI313062B (en) * 2002-09-13 2009-08-01 Ind Tech Res Inst Method for producing active plastic panel displayers
JP2004140267A (ja) * 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2004152563A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Canon Inc 表示装置
JP2004311955A (ja) * 2003-03-25 2004-11-04 Sony Corp 超薄型電気光学表示装置の製造方法
JP4725046B2 (ja) * 2003-08-20 2011-07-13 東ソー株式会社 ディスプレイ用プラスチック基板および表示素子
US7229900B2 (en) * 2003-10-28 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material
GB0327093D0 (en) * 2003-11-21 2003-12-24 Koninkl Philips Electronics Nv Active matrix displays and other electronic devices having plastic substrates
US7084045B2 (en) * 2003-12-12 2006-08-01 Seminconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
EP1760776B1 (en) * 2005-08-31 2019-12-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate
JP2010006039A (ja) * 2007-09-05 2010-01-14 Fujifilm Corp ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムを用いて表示素子を封止する方法。
JP5226348B2 (ja) * 2008-03-13 2013-07-03 オリンパス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR101458901B1 (ko) * 2008-04-29 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
US8182633B2 (en) * 2008-04-29 2012-05-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of fabricating a flexible display device
KR101308200B1 (ko) * 2008-05-06 2013-09-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법
JP2010224422A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Hitachi Displays Ltd 表示装置およびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000248243A (ja) * 1999-03-03 2000-09-12 Seiko Epson Corp 接着シート及び液晶パネルの製造方法
JP2002031818A (ja) * 2000-07-17 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法
CN1430192A (zh) * 2001-11-30 2003-07-16 株式会社半导体能源研究所 交通工具、显示器和半导体器件的制造方法

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Publication number Publication date
US8236125B2 (en) 2012-08-07
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US20100291391A1 (en) 2010-11-18

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