CN101650526B - 掩模板及其制造方法 - Google Patents
掩模板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101650526B CN101650526B CN2008101181776A CN200810118177A CN101650526B CN 101650526 B CN101650526 B CN 101650526B CN 2008101181776 A CN2008101181776 A CN 2008101181776A CN 200810118177 A CN200810118177 A CN 200810118177A CN 101650526 B CN101650526 B CN 101650526B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- semi
- permeable diaphragm
- zone
- thickness
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 86
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 48
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 128
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 128
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 83
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 31
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 22
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 11
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 10
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 8
- QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N dichromium trioxide Chemical compound O=[Cr]O[Cr]=O QDOXWKRWXJOMAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 manganese, nitride Chemical class 0.000 claims 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 27
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 67
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 26
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 25
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 20
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
本发明公开了一种掩模板及其制造方法。掩模板包括基板，所述基板上形成有完全透光区域、非透光区域和半透光区域，所述半透光区域内设置有使所述半透光区域均匀透光的半透膜。本发明的技术方案中在掩模板的半透光区域采用厚度不均匀的半透膜，利用该掩模板进行沟道区域掩模曝光时，可以使沟道区域处的光刻胶曝光均匀，解决了现有技术灰色调掩模技术中曝光的光刻胶高低不平的问题，使沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，提高了曝光的光刻胶的平整度，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率；本发明还解决了现有技术半色调掩模技术中沟道处曝光的光刻胶倾角过小的问题，增大了曝光的光刻胶的倾角，提高了TFT沟道的充电特性。
Description
技术领域
本发明涉及TFT LCD制造领域，尤其涉及一种掩模板及其制造方法。
背景技术
在平板显示技术中，TFT LCD因其功耗低、制造成本相对较低以及无辐射的特点，在平板显示器市场占据了主导地位。作为TFT LCD的重要器件，TFT是由栅电极、栅电极绝缘层和半导体层、掺杂半导体层、源电极、漏电极、钝化层和像素电极构成，其早期的制造工艺为5Mask工艺技术。近年来随着TFT制造技术的发展，将栅电极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源电极、漏电极一次曝光形成的4Mask工艺应用越来越广泛。通常4Mask工艺分为灰色调掩模(Gray Tone Mask)技术和半色调掩模(Half Tone Mask)技术。此二种技术在形成栅电极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源电极、漏电极过程中，首先要连续沉积栅电极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层、源漏金属层，接着涂布一层光刻胶，利用灰色调或半色调掩模技术对光刻胶进行曝光处理，形成未曝光、部分曝光和完全曝光区域。源电极、漏电极、数据线和TFT沟道之外的区域为完全曝光区域，利用湿刻工艺刻蚀掉源漏金属层；TFT沟道区域为部分曝光区域，利用干刻工艺对部分曝光区域进行灰化处理去除光刻胶，并刻蚀掉源电极和漏电极之间区域的源漏金属层和掺杂半导体层，形成TFT沟道。
图28为现有技术灰色调掩模技术中TFT沟道区域光刻胶曝光的示意图，如图28所示，灰色调掩模技术中在掩模板上的半透光区域形成二个狭缝(slit)，掩模时利用双缝干涉原理减弱透过光的光强，使目标基板6上的光刻胶部分曝光，从而达到部分曝光效果。由于利用了双缝干涉原理，狭缝对应位置的光刻胶曝光量比较大，在二个狭缝之间即狭缝条(slit bar)对应位置的光刻胶曝光量不足，因此在沟道区域处曝光的光刻胶表面高低不平，形成了波浪形(ripple)分布现象，这大大增加了后续刻蚀的难度。在刻蚀过程中，如果保证光刻胶曝光量比较大的部分被刻蚀掉，则光刻胶曝光量不足的部分会出现刻蚀不完全的情况，从而形成沟道桥(GT Bridge)；如果保证光刻胶曝光量不足的部分被刻蚀掉，则光刻胶曝光量比较大的部分会被过度刻蚀，从而形成沟道开路(Channel Open)。在目前灰色调掩模技术条件下，沟道桥和沟道开路很难同时避免。
图29为现有技术半色调掩模技术中TFT沟道区域光刻胶曝光的示意图，如图29所示，半色调掩模板技术中在掩模板上的半透光区域镀上厚度均匀的半透膜4，例如Cr2O3，由于半透膜很薄，因此曝光时光可部分透过该半透膜4，使目标基板6上的光刻胶部分曝光，从而达到部分曝光效果。由于半透膜的厚度是均匀的，在半透膜的中间区域光是垂直透过的，光强最强，而越靠近两边光强越弱，因此掩模曝光时曝光的光刻胶形成了图29中所示的椭球面状，沟道区域处曝光的光刻胶形成的倾角8较小，这样后续利用干刻工艺形成的沟道区域的长度增加，对TFT沟道充电特性产生不良影响，降低了TFT沟道的充电特性。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的缺陷，提出一种掩模板及其制造方法，有效解决灰色调或半色调掩模技术中沟道区域处光刻胶曝光不均匀导致的技术缺陷。
为实现上述目的，本发明提供了一种掩模板，包括基板，所述基板上形成有完全透光区域、非透光区域和半透光区域，所述半透光区域内设置有使所述半透光区域均匀透光的半透膜。
位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度。位于中间区域的半透膜的厚度为
至所述半透膜至少包括第一半透膜和位于所述第一半透膜之上的第二半透膜，形成在所述半透光区域的第一半透膜位于中间区域。所述第一半透膜的厚度为
至
所述第二半透膜的厚度为
至
所述第一半透膜与第二半透膜的材料相同。所述第一半透膜和第二半透膜的材料为铬、镆、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物或者M-COC透明料。所述中间区域的基板开设有凹槽区域，使位于所述凹槽区域的半透膜的厚度大于位于所述凹槽区域以外区域的半透膜的厚度。所述位于所述凹槽区域的半透膜的厚度为至
所述半透光区域内设置有使所述半透光区域均匀透光的半透膜和金属条，所述金属条设置在所述半透膜之间。所述半透膜的厚度为
至
所述半透膜的材料为铬、镆、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物或者M-COC透明料。
为实现上述目的，本发明还提供了一种掩模板的制造方法，包括：
步骤11、在基板上沉积一层金属层，利用刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由所述金属层覆盖的非透光区域；
步骤12、在完成步骤11的基板上形成半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤13、利用刻蚀工艺，去除掉所述第二区域的半透膜，使所述第二区域形成完全透光区域。
所述步骤12具体可以包括：
步骤1211、在完成步骤11的基板上沉积一层第一半透膜；
步骤1212、利用激光刻蚀工艺去除掉所述第一区域内中间区域以外区域的第一半透膜；
步骤1213、在完成步骤1212的基板上沉积一层第二半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度。
所述第一半透膜的厚度为
至所述第二半透膜的厚度为
至
所述步骤12具体可以包括：
步骤1221、在完成步骤11的基板上沉积一层半透膜；
步骤1222、利用激光刻蚀工艺对所述第一区域内中间区域以外区域的半透膜进行刻蚀，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度。
所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度为
至
所述步骤12具体还可以包括：
步骤1231、利用激光刻蚀工艺对所述第一区域内中间区域的基板进行刻蚀，形成凹槽区域；
步骤1232、在完成步骤1231的基板上形成半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于所述凹槽区域的半透膜的厚度大于位于凹槽区域以外区域的半透膜的厚度。
所述半透光区域内中间区域的半透膜的厚度为至
为实现上述目的，本发明还提供了一种掩模板的制造方法，包括：
步骤21、在基板上沉积一层金属层，利用刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由所述金属层覆盖的非透光区域，并在所述第一区域内形成至少一个金属条；
步骤22、在完成步骤21的基板上形成半透膜，使第一区域形成半透光区域；
步骤23、利用刻蚀工艺，去除掉所述第二区域的半透膜，使第二区域形成完全透光区域。
所述半透膜的厚度为
至
为实现上述目的，本发明又提供了一种掩模板的制造方法，包括：
步骤31、在基板上形成半透膜，使作为半透光区域的第一区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤32、在完成步骤31的基板上沉积金属层；
步骤33、利用刻蚀工艺去除掉第一区域的金属层以及作为完全透光区域的第二区域的金属层及半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，第二区域形成完全透光区域，其它区域形成非透光区域。
为实现上述目的，本发明再提供了一种掩模板的制造方法，包括：
步骤41、在基板上沉积半透膜；
步骤42、在完成步骤41的基板上沉积金属层；
步骤43、利用刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的半透膜及金属层，在所述第一区域内形成至少一个金属条，使所述第一区域形成半透光区域，第二区域形成完全透光区域，其它区域形成非透光区域。
本发明的技术方案中在掩模板的半透光区域采用厚度不均匀的半透膜，利用该掩模板进行沟道区域掩模曝光时，可以使沟道区域处的光刻胶曝光均匀，解决了现有技术灰色调掩模技术中曝光的光刻胶高低不平的问题，使沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，提高了曝光的光刻胶的平整度(uniformity)，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率；本发明还解决了现有技术半色调掩模技术中沟道处曝光的光刻胶倾角过小的问题，增大了曝光的光刻胶的倾角，从而减小了后续刻蚀工艺形成的沟道区域的长度，提高了TFT沟道的充电特性。
下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1为本发明掩模板实施例一的平面示意图；
图2为图1中A-A向剖视图；
图3为本发明掩模板实施例二的结构示意图；
图4为本发明掩模板实施例三的结构示意图；
图5为本发明掩模板实施例四的结构示意图；
图6为本发明掩模板实施例五的平面示意图；
图7为图6中B-B向剖视图；
图8为本发明掩模板的剖面示意图；
图9为本发明掩模板进行光刻胶曝光的工作原理图之一；
图10为本发明掩模板进行光刻胶曝光的工作原理图之二；
图11为本发明掩模板的制造方法实施例一的流程图；
图12为本发明掩模板的制造方法实施例二的流程图；
图13a-13f为本发明掩模板的制造方法实施例二的示意图；
图14为本发明掩模板的制造方法实施例三的流程图；
图15a-图15e本发明掩模板的制造方法实施例三的示意图；
图16为本发明掩模板的制造方法实施例四的流程图；
图17a-17e为本发明掩模板的制造方法实施例四的示意图；
图18为本发明掩模板的制造方法实施例五的流程图；
图19a-图19d为本发明掩模板的制造方法实施例五的示意图；
图20为本发明掩模板的制造方法实施例六的流程图；
图21a-图21d为本发明掩模板的制造方法实施例六的示意图；
图22为本发明掩模板的制造方法实施例七的流程图；
图23a-图23c为本发明掩模板的制造方法实施例七的示意图；
图24为本发明掩模板上半透光区域的示意图之一；
图25为图24中C-C向剖视图；
图26为本发明掩模板上半透光区域的示意图之二；
图27为图26中D-D向剖视图；
图28为现有技术灰色调掩模技术中TFT沟道区域光刻胶曝光的示意图；
图29为现有技术半色调掩模技术中TFT沟道区域光刻胶曝光的示意图。
附图标记说明
1-基板； 2-非透光区域； 3-半透光区域；
4-半透膜；4a-第一半透膜；4b-第二半透膜；
5-金属层；6-目标基板； 7-已曝光光刻胶；
8-倾角； 9-金属条； 10-凹槽区域。
具体实施方式
图1为本发明掩模板实施例一的平面示意图，图2为图1中A-A向剖视图，如图1、2所示，该掩模板包括基板1，基板1上形成有非透光区域2和半透光区域3，其他区域为完全透光区域，半透光区域3内设置有半透膜，半透膜可以使半透光区域3均匀透光，半透光区域3内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度。非透光区域2内形成有金属层5和半透膜。其中，半透膜包括第一半透膜4a和位于第一半透膜4a之上的第二半透膜4b，形成在半透光区域3内的第一半透膜4a位于中间区域。在实际生产中，金属层5的材料可以是金属铬、锰、镆或其合金，或其他不透明的固体金属材料。本实施例中，金属层5的材料为金属铬。金属层5的厚度为
至
如图2中的掩模板，第一半透膜4a与第二半透膜4b的材料相同，其材料均为Cr2O3。第一半透膜4a与第二半透膜4b的材料还可以为镆、锰的氧化物，铬、镆、锰的氮化物，有机玻璃，透明热固性高材料分子，甲基戊烯聚合物，M-COC透明料或者其他耐高温抗腐蚀的材料。第一半透膜4a的厚度为
至第二半透膜4b的厚度为
至
图3为本发明掩模板实施例二的结构示意图，如图3所示，本实施例中的掩模板与实施例一中的掩模板的平面结构(如图1所示)相同，不同之处在于第一半透膜4a与第二半透膜4b的材料不同。
图4为本发明掩模板实施例三的结构示意图，如图4所示，该掩模板包括基板1，基板1上形成有非透光区域和半透光区域，其他区域为完全透光区域，半透光区域内设置有半透膜4，半透膜4可以使半透光区域均匀透光，半透光区域内位于中间区域的半透膜4的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜4的厚度。非透光区域内形成有金属层5和半透膜4。在实际生产中，金属层5的材料可以是金属铬、锰、镆或其合金，或其他不透明的固体金属材料。本实施例中，金属层5的材料为金属铬。金属层5的厚度为
至半透膜4的材料为Cr2O3。半透膜4的材料还可以为镆、锰的氧化物，铬、镆、锰的氮化物，有机玻璃，透明热固性高材料分子，TPX，M-COC透明料或者其他耐高温抗腐蚀的材料。位于中间区域的半透膜的厚度为
至
图5为本发明掩模板实施例四的结构示意图，如图5所示，该掩模板包括基板1，基板1上形成有非透光区域和半透光区域，其他区域为完全透光区域，半透光区域内设置有半透膜4，半透膜4可以使半透光区域均匀透光，半透光区域内中间区域的基板1开设有凹槽区域，使位于凹槽区域(中间区域)的半透膜4的厚度大于位于凹槽区域以外区域的半透膜4的厚度。非透光区域内形成有金属层5和半透膜4。在实际生产中，金属层5的材料可以是金属铬、锰、镆或其合金，或其他不透明的固体金属材料。本实施例中，金属层5的材料为金属铬。金属层5的厚度为
至
半透膜4的材料为Cr2O3。半透膜的材料还可以为镆、锰的氧化物，铬、镆、锰的氮化物，有机玻璃，透明热固性高材料分子，TPX，M-COC透明料或者其他耐高温抗腐蚀的材料。位于凹槽区域的半透膜4的厚度为至
图6为本发明掩模板实施例五的平面示意图，图7为图6中B-B向剖视图，如图6和7所示，该掩模板包括基板1，基板1上形成有非透光区域2和半透光区域3，其他区域为完全透光区域，半透光区域3内设置有使半透光区域3均匀透光的半透膜4和金属条9，半透光区域3内的金属条9设置在半透膜4之间。非透光区域2内形成有金属层5和半透膜4。在实际生产中，金属层5的材料可以是金属铬、锰、镆或其合金，或其他不透明的固体金属材料。本实施例中，金属层5的材料为金属铬。金属层5的厚度为
至
金属条9与金属层5的材料和厚度均相同。半透膜4的材料为Cr2O3。半透膜的材料还可以为镆、锰的氧化物，铬、镆、锰的氮化物，有机玻璃，透明热固性高材料分子，TPX，M-COC透明料或者其他耐高温抗腐蚀的材料。半透膜4的厚度为
至
上述掩模板实施例五中，位于半透光区域内的金属条还可以为多个，且金属条位于半透膜之间。
上述实施例一至四中掩模板结构的示意图中，中间区域的剖面形状还可以为弧形、三角形、梯形或者其他满足中间区域的半透膜的厚度大于中间区域以外区域的半透膜的厚度的形状，例如，图8为本发明掩模板的剖面示意图，如图8所示，该掩模板包括基板1，基板1上形成有非透光区域和半透光区域，其他区域为完全透光区域，半透光区域内设置有半透膜4，半透膜4可以使半透光区域均匀透光，半透光区域内位于中间区域的半透膜4的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜4的厚度，该半透膜4的剖面的形状为弧形。非透光区域内形成有金属层5和半透膜4。
另外，上述掩模板实施例一至五的结构中，金属层上还可以不设置半透膜或者半透膜位于金属层之下，上述结构变化并未影响本发明掩模板的功能，且均应在本发明的保护范围内。
图9为本发明掩模板进行光刻胶曝光的工作原理图之一，如图9所示，由于半透光区域内中间区域半透膜的厚度大于中间区域以外区域半透膜的厚度，当入射光透过掩模板上半透膜对目标基板6上的光刻胶进行曝光时，虽然透过掩模板上中间区域的光强要大于透过中间区域以外区域的光强，但因中间区域厚度较大的半透膜使透过该区域的光强减小较多，而中间区域以外区域厚度较小的半透膜使透光该区域的光强减小较少，所以使透过半透光区域的光强相对比较均匀，这样在对目标基板6上的光刻胶进行曝光时，目标基板6上对应于半透光区域的光刻胶的曝光程度相对比较均匀，即目标基板上对应于半透光区域的已曝光光刻胶7的底部比较平坦，从而提高了已曝光光刻胶7的倾角8。
图9中的工作原理图是以实施例三中的掩模板为例，但上述工作原理同样适用于掩模板实施例一、二和四以及图8中的掩模板，在此不再详细描述。
图10为本发明掩模板进行光刻胶曝光的工作原理图之二，如图10所示，采用掩模板对目标基板6上的光刻胶曝光时，利用的是双缝干涉原理。因该掩模板半透光区域内形成有金属条9和半透膜4，且金属条9位于半透膜4之间，因此该掩模板半透光区域的光透过率较低，在实际曝光时，需要相应的降低曝光速度。这样，透过半透光区域的光强均匀，曝光时目标基板6上对应于半透光区域的光刻胶的曝光程度会相对比较均匀，即目标基板上对应于半透光区域的已曝光光刻胶7的底部相对比较平坦，从而解决了曝光的光刻胶高低不平的问题，降低了沟道桥和沟道开路的发生率。上述工作原理适用于实施例五中的掩模板。
图11为本发明掩模板的制造方法实施例一的流程图，如图11所示，具体包括：
步骤101、在基板上沉积一层金属层，利用刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由所述金属层覆盖的非透光区域；
步骤102、在完成步骤11的基板上形成半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤103、利用刻蚀工艺，去除掉所述第二区域的半透膜，使所述第二区域形成完全透光区域。
图12为本发明掩模板的制造方法实施例二的流程图，在本实施例中基板为石英基板，金属层为金属铬层，如图12所示，具体包括：
步骤201、在基板上沉积一层金属层；
步骤202、利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由金属层覆盖的非透光区域；
步骤203、在基板上沉积一层第一半透膜，该第一半透膜覆盖整个基板；
步骤204、利用激光刻蚀工艺去除掉第一区域内中间区域以外区域的第一半透膜；
步骤205、在基板上沉积一层第二半透膜，该第二半透膜覆盖整个基板，使第一区域形成半透光区域，且该半透光区域内中间区域的半透膜的厚度大于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤206、利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的第一半透膜和第二半透膜，使第二区域形成完全透光区域。
图13a-13f为本发明掩模板的制造方法实施例二的示意图。图13a为本发明制造方法实施例二中形成金属层的示意图，如图13a所示，本实施例中金属层为金属铬层，基板为石英基板，在基板1上均匀地沉积一层金属层5。图13b为本发明制造方法实施例二中刻蚀金属层的示意图，如图13b所示，利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域的金属层5和作为完全透光区域的第二区域的金属层5，在其它区域形成由金属层5覆盖的非透光区域。图13c为本发明制造方法实施例二中形成第一半透膜的示意图，如图13c所示，在基板1上沉积一层第一半透膜4a，第一半透膜4a覆盖整个基板1。图13d为本发明制造方法实施例二中刻蚀第一半透膜的示意图，如图13d所示，利用激光刻蚀工艺去除掉第一区域上中间区域以外区域的第一半透膜4a。图13e为本发明制造方法实施例二中形成第二半透膜的示意图，如图13e所示，在基板1上沉积一层第二半透膜4b，第二半透膜4b覆盖整个基板1，使第一区域形成半透光区域，且该半透光区域上中间区域的半透膜的厚度大于中间区域以外区域的半透膜的厚度。图13f为本发明制造方法实施例二中刻蚀第一半透膜和第二半透膜的示意图，如图13f所示，利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的第一半透膜4a和第二半透膜4b，使第二区域形成完全透光区域。
上述制造方法实施例二中形成的第一半透膜的厚度为
至
第二半透膜的厚度为
至
第一半透膜和第二半透膜的材料可以为铬、镆、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物或者M-COC透明料。第一半透膜和第二半透膜的材料可以相同也可以不同。另外在制造过程中可使用固体激光器或气体激光器对金属层和半透膜进行刻蚀。
图14为本发明掩模板的制造方法实施例三的流程图，在本实施例中基板为石英基板，金属层为金属铬层，如图14所示，具体包括：
步骤301、在基板上沉积一层金属层；
步骤302、利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由金属层覆盖的非透光区域；
步骤303、在基板上沉积一层半透膜，该半透膜覆盖整个基板；
步骤304、利用激光刻蚀工艺对第一区域内中间区域以外区域的半透膜进行刻蚀，使第一区域形成半透光区域，该半透光区域内中间区域的半透膜的厚度大于中间区域以外区域的半透膜的厚度；本实施例中可采用飞秒激光脉冲对第一区域内中间区域以外区域的半透膜进行刻蚀；
步骤305、利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的半透膜，使第二区域形成完全透光区域。
图15a-图15e本发明掩模板的制造方法实施例三的示意图。图15a为本发明制造方法实施例三中形成金属层的示意图，如图15a所示，本实施例中金属层为金属铬层，基板为石英基板，在基板1上均匀地沉积一层金属层5。图15b本发明制造方法实施例三中刻蚀金属层的示意图，如图15b所示，利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域的金属层5和作为完全透光区域的第二区域的金属层5，在其它区域形成由所述金属层5覆盖的非透光区域。图15c为本发明制造方法实施例三中形成半透膜的示意图，如图15c所示，在基板1上沉积一层半透膜4，半透膜4覆盖整个基板1。图15d为本发明制造方法实施例三中刻蚀半透光区域半透膜的示意图，如图15d所示，利用激光刻蚀工艺对第一区域内中间区域以外区域的半透膜4进行刻蚀，使第一区域形成半透光区域，该半透光区域内中间区域的半透膜4的厚度大于中间区域以外区域的半透膜4的厚度。图15e为本发明制造方法实施例三中刻蚀完全透光区域半透膜的示意图，如图15e所示，利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的半透膜4，使第二区域形成完全透光区域。
上述制造方法实施例三中，刻蚀金属层和完全透光区域的半透膜可采用固体激光器或气体激光器，而刻蚀半透光区域的半透膜可采用飞秒激光脉冲，即激光微刻蚀方法。另外，半透膜的材料为铬、镆、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物或者M-COC透明料。位于中间区域的半透膜的厚度为
至
图16为本发明掩模板的制造方法实施例四的流程图，在本实施例中基板为石英基板，金属层为金属铬层，如图16所示，具体包括：
步骤401、在基板上沉积一层金属层；
步骤402、利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由金属层覆盖的非透光区域；
步骤403、利用激光刻蚀工艺对第一区域内中间区域的基板进行刻蚀，形成凹槽区域；本实施例中可使用飞秒激光脉冲对中间区域的基板进行刻蚀；
步骤404、在基板上形成半透膜，该半透膜覆盖整个基板，使第一区域形成半透光区域，该半透光区域内位于凹槽区域的半透膜的厚度大于位于凹槽区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤405、利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的半透膜，使第二区域形成完全透光区域。
图17a-17e为本发明掩模板的制造方法实施例四的示意图。图17a为本发明制造方法实施例四中形成金属层的示意图，如图17a所示，本实施例中金属层为金属铬层，基板为石英基板，在基板1上均匀地沉积一层金属层5。图17b本发明制造方法实施例四中刻蚀金属层的示意图，如图17b所示，利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域的金属层5和作为完全透光区域的第二区域的金属层5，在其它区域形成由金属层5覆盖的非透光区域。图17c为本发明制造方法实施例四中刻蚀基板的示意图，如图17c所示，利用激光刻蚀工艺对第一区域内中间区域的基板进行刻蚀，形成凹槽区域10，本实施例中可使用飞秒激光脉冲对中间区域的基板1进行刻蚀。图17d为本发明制造方法实施例四中形成半透膜的示意图，如图17d所示，在基板1上形成半透膜4，该半透膜4覆盖整个基板1，使第一区域形成半透光区域，该半透光区域内位于凹槽区域10的半透膜4的厚度大于位于凹槽区域10以外区域的半透膜4的厚度。图17e为本发明制造方法实施例四中刻蚀半透膜的示意图，如图17e所示，利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的半透膜，使第二区域形成完全透光区域。
上述制造方法实施例四中，刻蚀金属层和完全透光区域的半透膜可采用固体激光器或气体激光器，而刻蚀基板可采用飞秒激光脉冲，即激光微刻蚀方法。另外，半透膜的材料为铬、镆、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物或者M-COC透明料。位于凹槽区域的半透膜的厚度为
至
图18为本发明掩模板的制造方法实施例五的流程图，在本实施例中基板为石英基板，金属层为金属铬层，如图18所示，具体包括：
步骤501、在基板上沉积一层金属层；
步骤502、利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由金属层覆盖的非透光区域，并在第一区域内形成一个金属条；
步骤503、在基板上沉积一层半透膜，该半透膜覆盖整个基板，使第一区域形成半透光区域；
步骤504、利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的半透膜，使第二区域形成完全透光区域。
图19a-图19d为本发明掩模板的制造方法实施例五的示意图。图19a本发明制造方法实施例五的示意图，如图19a所示，本实施例中金属层为金属铬层，基板为石英基板，在基板1上均匀地沉积一层金属层5。图19b为本发明制造方法实施例五中刻蚀金属层的示意图，如图19b所示，利用激光刻蚀掉作为半透光区域的第一区域的金属层5和作为完全透光区域的第二区域的金属层5，在其它区域形成由金属层5覆盖的非透光区域，并在第一区域内形成一个金属条9。图19c为本发明制造方法实施例五中形成半透膜的示意图，如图19c所示，在基板1上沉积一层半透膜4，该半透膜4覆盖整个基板，使第一区域形成半透光区域。图19d为本发明制造方法实施例五刻蚀半透膜的示意图，如图19d所示，利用激光刻蚀工艺，去除掉第二区域的半透膜4，使第二区域形成完全透光区域。
上述制造方法实施例五中，刻蚀金属层和半透膜可采用固体激光器或气体激光器。另外，半透膜的材料为铬、镆、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物或者M-COC透明料。半透膜的厚度为
至
上述制造方法实施例五中半透光区域内的金属条还可以为多个，其制造方法与实施例五相同，此处不再详细描述。
本发明掩模板的制造方法实施例一至五中均可包括去除位于金属层之上的半透膜的步骤。另外，在基板上沉积半透膜的过程采用了一次或二次在基板上沉积半透膜的方式，在实际生产过程中，还可通过数次沉积相同材料或不同材料的半透膜的方式完成在基板上镀上半透膜的过程。
图20为本发明掩模板的制造方法实施例六的流程图，如图20所示，具体包括：
步骤601、在基板上形成半透膜，使作为半透光区域的第一区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤602、在完成步骤601的基板上沉积金属层；
步骤603、利用刻蚀工艺去除掉第一区域的金属层以及作为完全透光区域的第二区域的金属层及半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，第二区域形成完全透光区域，其它区域形成非透光区域。
上述制造方法可用于形成金属层位于半透膜之上的掩模板，下面以一个具体的实例对上述制造方法进行详细描述。
图21a-图21d为本发明掩模板的制造方法实施例六的示意图。本实施例中基板为石英基板，金属层为金属铬层。图21a为本发明制造方法实施例六中沉积半透膜的示意图，如图21a所示，在基板1上沉积半透膜4。图21b为本发明制造方法实施例六中刻蚀半透膜的示意图，如图21b所示，利用激光刻蚀工艺对作为半透光区域的第一区域内的半透膜4进行刻蚀，使作为半透光区域的第一区域内位于中间区域的半透膜4的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜4的厚度。图21c为本发明制造方法实施例六中沉积金属层的示意图，如图21c所示，在基板1上沉积金属层5。图21d为本发明制造方法实施例六中刻蚀金属层的示意图，如图21d所示，利用激光刻蚀工艺去除掉第一区域的金属层5以及作为完全透光区域的第二区域的金属层5及半透膜4，使第一区域形成半透光区域，第二区域形成完全透光区域，其它区域形成非透光区域。
图22为本发明掩模板的制造方法实施例七的流程图，如图22所示，具体包括：
步骤701、在基板上沉积半透膜；
步骤702、在完成步骤701的基板上沉积金属层；
步骤703、利用刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域内的金属层和作为完全透光区域的第二区域的半透膜及金属层，在第一区域内形成至少一个金属条，使所述第一区域形成半透光区域，第二区域形成完全透光区域，其它区域形成非透光区域。
上述制造方法也可用于形成金属层位于半透膜之上的掩模板，下面以一个具体的实例对上述制造方法进行详细描述。
图23a-图23c为本发明掩模板的制造方法实施例七的示意图。本实施例中基板为石英基板，金属层为金属铬层。图23a为本发明制造方法实施例七中沉积半透膜的示意图，如图23a所示，在基板1上沉积半透膜4。图23b为本发明沉积金属层的示意图，如图23b所示，在基板1上沉积金属层5。图23c为本发明制造方法实施例七中刻蚀半透膜和金属层的示意图，如图23c所示，利用激光刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域内的金属层5和作为完全透光区域的第二区域的半透膜4及金属层5，在第一区域内形成一个金属条9，使第一区域形成半透光区域，第二区域形成完全透光区域，其它区域形成非透光区域。
在制造方法实施例六和七中，为了能准确的去除半透光区域内位于半透膜之上的金属层，还可以将半透膜在厚度上做出一定的冗余，在去除位于半透膜之上的金属层时，将该冗余和金属层一起去除。
本发明掩模板上半透光区域可应用于对TFT沟道区域进行掩模曝光。例如，图24为本发明掩模板上半透光区域的示意图之一，图25为图24中C-C向剖视图，如图24和25所示，其半透光区域3内形成有使半透光区域3均匀透光的半透膜4，且半透光区域3中间区域的半透膜4的厚度大于中间区域以外区域的半透膜4的厚度，采用该掩模板进行沟道区域掩模曝光时，透过半透光区域3的光强比较均匀，可以使目标基板上的沟道区域处曝光的的光刻胶相对平坦，倾角增大，达到大于45度的水平，而现有技术中采用厚度均匀的半透膜，沟道区域处曝光的光刻胶的倾角仅为40-45度。曝光的光刻胶倾角的增大使后续刻蚀形成的沟道区域的长度减小，从而提高了沟道的充电特性，另外，目标基板上沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，平整度有显著提高，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率。
图26为本发明掩模板上半透光区域的示意图之二，图27为图26中D-D向剖视图，如图26和27所示，半透光区域3内形成有使半透光区域3均匀曝光的半透膜4，与图20中的半透光区域结构不同的是，该半透光区域内形成有金属条9和半透膜4，且金属条9设置在半透膜4之间。采用该掩模板在进行沟道区域掩模时，利用的是双缝干涉原理。在实际曝光过程中，需要相应降低曝光速度，以使透过半透光区域3的光强比较均匀，使目标基板上的沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，倾角增大，减小了后续刻蚀形成的沟道区域的长度，从而提高了沟道的充电特性，另外，目标基板上沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，提高了曝光的光刻胶的平整度，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率。
本发明的技术方案中在掩模板的半透光区域采用厚度不均匀的半透膜，利用该掩模板进行沟道区域掩模曝光时，可以使沟道区域处的光刻胶曝光均匀，解决了现有技术灰色调掩模技术中曝光的光刻胶高低不平的问题，使沟道区域处曝光的光刻胶相对平坦，提高了曝光的光刻胶的平整度，从而降低了沟道桥或沟道开路的发生率；本发明还解决了现有技术半色调掩模技术中沟道处曝光的光刻胶倾角过小的问题，增大了曝光的光刻胶的倾角，从而减小了后续刻蚀工艺形成的沟道区域的长度，提高了TFT沟道的充电特性。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对其进行限制，尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替换亦不能使修改后的技术方案脱离本发明技术方案的精神和范围。
Claims (9)
1.一种掩模板，包括基板，所述基板上形成有完全透光区域、非透光区域和半透光区域，其特征在于，所述半透光区域内设置有使所述半透光区域均匀透光的半透膜；
所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
所述半透膜至少包括第一半透膜和位于所述第一半透膜之上的第二半透膜，形成在所述半透光区域的第一半透膜位于中间区域。
2.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，位于中间区域的半透膜的厚度为 
至 
3.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一半透膜的厚度为 
至 
所述第二半透膜的厚度为 
至 
4.根据权利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第一半透膜与第二半透膜的材料相同。
5.根据权利要求1或3或4所述的掩模板，其特征在于，所述第一半透膜和第二半透膜的材料为铬、锰的氧化物、氮化物、有机玻璃、透明热固性高材料分子、甲基戊烯聚合物。
6.一种掩模板的制造方法，其特征在于，包括：
步骤11、在基板上沉积一层金属层，利用刻蚀工艺去除掉作为半透光区域的第一区域的金属层和作为完全透光区域的第二区域的金属层，在其它区域形成由所述金属层覆盖的非透光区域；
步骤12、在完成步骤11的基板上形成半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
步骤13、利用刻蚀工艺，去除掉所述第二区域的半透膜，使所述第二区域形成完全透光区域；
所述步骤12具体包括：
步骤1211、在完成步骤11的基板上沉积一层第一半透膜；
步骤1212、利用激光刻蚀工艺去除掉所述第一区域内中间区域以外区域的第一半透膜；
步骤1213、在完成步骤1212的基板上沉积一层第二半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
或者所述步骤12具体包括：
步骤1221、在完成步骤11的基板上沉积一层半透膜；
步骤1222、利用激光刻蚀工艺对所述第一区域内中间区域以外区域的半透膜进行刻蚀，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度大于位于中间区域以外区域的半透膜的厚度；
或者所述步骤12具体包括：
步骤1231、利用激光刻蚀工艺对所述第一区域内中间区域的基板进行刻蚀，形成凹槽区域；
步骤1232、在完成步骤1231的基板上形成半透膜，使所述第一区域形成半透光区域，所述半透光区域内位于所述凹槽区域的半透膜的厚度大于位于凹槽区域以外区域的半透膜的厚度。
7.根据权利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述第一半透膜的厚度为 
至 所述第二半透膜的厚度为 至 
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，步骤1222中，所述半透光区域内位于中间区域的半透膜的厚度为 
至
9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述半透光区域内位于所述凹槽区域的半透膜的厚度为 
至 
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008101181776A CN101650526B (zh) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | 掩模板及其制造方法 |
| US12/538,927 US8298728B2 (en) | 2008-08-13 | 2009-08-11 | Mask plate and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2008101181776A CN101650526B (zh) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | 掩模板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101650526A CN101650526A (zh) | 2010-02-17 |
| CN101650526B true CN101650526B (zh) | 2012-05-30 |
Family
ID=41672786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008101181776A Expired - Fee Related CN101650526B (zh) | 2008-08-13 | 2008-08-13 | 掩模板及其制造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8298728B2 (zh) |
| CN (1) | CN101650526B (zh) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102156368A (zh) * | 2011-01-18 | 2011-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示阵列基板及其制造方法 |
| CN102944971B (zh) * | 2012-11-21 | 2015-03-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版及光刻材料的曝光检测方法 |
| CN103913944A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半色调掩膜版、阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN103969940A (zh) * | 2014-04-22 | 2014-08-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 相移掩模板和源漏掩模板 |
| CN103984201A (zh) * | 2014-05-05 | 2014-08-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、掩模板的制造方法及掩模板的裂纹检测装置 |
| CN104155843A (zh) * | 2014-06-24 | 2014-11-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 灰阶掩模板和彩膜基板及制作方法、显示装置 |
| JP2016224289A (ja) * | 2015-06-01 | 2016-12-28 | Hoya株式会社 | フォトマスクの製造方法、フォトマスク及び表示装置の製造方法 |
| CN104880879A (zh) | 2015-06-19 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Coa阵列基板及其制造方法、显示装置 |
| CN105677123B (zh) * | 2016-01-11 | 2018-09-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触控面板及其制作方法、显示装置 |
| KR102478473B1 (ko) * | 2016-05-17 | 2022-12-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 제조 방법 |
| CN106773523B (zh) * | 2017-01-10 | 2022-01-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
| CN106832585A (zh) * | 2017-02-09 | 2017-06-13 | 河源中光电通讯技术有限公司 | 一种基板及其制备方法、显示面板、掩模板 |
| CN107086219B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板的制作方法、tft基板及光罩 |
| CN108998773B (zh) * | 2018-07-27 | 2023-08-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、封装设备 |
| CN109634052A (zh) * | 2018-12-05 | 2019-04-16 | 惠科股份有限公司 | 光罩及光罩的制作方法 |
| CN111367142A (zh) * | 2018-12-26 | 2020-07-03 | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 | 一种包含不同透光性的新型光学掩膜版 |
| CA3147927C (en) | 2019-08-14 | 2023-01-24 | Ceramic Data Solutions GmbH | Method for long-term storage of information and storage medium therefor |
| CN111538206A (zh) * | 2020-05-29 | 2020-08-14 | Tcl华星光电技术有限公司 | 掩膜板、显示面板的制作方法及显示装置 |
| CA3184849A1 (en) | 2020-07-03 | 2022-01-06 | Martin Kunze | Information storage method and information storage medium with increased storage density by multi-bit coding |
| CN115843362A (zh) | 2020-07-03 | 2023-03-24 | 陶瓷数据解决方案有限公司 | 用于长期存储信息的方法和信息存储介质的提高存储能力 |
| EP3955248A1 (en) * | 2020-08-11 | 2022-02-16 | Christian Pflaum | Data recording on ceramic material |
| WO2022194354A1 (en) | 2021-03-16 | 2022-09-22 | Ceramic Data Solutions GmbH | Data carrier, reading method and system utilizing super resolution techniques |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5242770A (en) * | 1992-01-16 | 1993-09-07 | Microunity Systems Engineering, Inc. | Mask for photolithography |
| US6210841B1 (en) * | 1999-09-07 | 2001-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Approach to increase the resolution of dense line/space patterns for 0.18 micron and below design rules using attenuating phase shifting masks |
| US6835504B2 (en) * | 2002-05-13 | 2004-12-28 | Macronix International Co., Ltd. | Photomask with illumination control over patterns having varying structural densities |
| US6861182B2 (en) * | 2002-10-17 | 2005-03-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Tri-tone attenuated phase shift trim mask for double exposure alternating phase shift mask process |
| JP2005156768A (ja) | 2003-11-25 | 2005-06-16 | Sony Corp | 位相シフトマスクおよびその製造方法 |
| JP2007178649A (ja) | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 階調マスク |
| KR20080025545A (ko) | 2006-09-18 | 2008-03-21 | 주식회사 에스앤에스텍 | 그레이톤 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그 제조방법 |
| US20080182179A1 (en) * | 2007-01-25 | 2008-07-31 | Allied Integrated Patterning Corp. | Gray tone mask and method for manufacturing the same |
| US20080241708A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Sub-resolution assist feature of a photomask |
-
2008
- 2008-08-13 CN CN2008101181776A patent/CN101650526B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-08-11 US US12/538,927 patent/US8298728B2/en active Active
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开2005-156768A 2005.06.16 |
| JP特开2007-178649A 2007.07.12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101650526A (zh) | 2010-02-17 |
| US20100040960A1 (en) | 2010-02-18 |
| US8298728B2 (en) | 2012-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101650526B (zh) | 掩模板及其制造方法 | |
| KR100759627B1 (ko) | 박막의 패턴닝 방법 및 그것을 이용한 tft 어레이 기판 및그 제조 방법 | |
| CN101738846B (zh) | 掩模板及其制备方法 | |
| TWI247965B (en) | Method for manufacturing gray tone mask | |
| CN102646634B (zh) | Tft-lcd阵列基板制造方法 | |
| CN102096255B (zh) | 液晶显示设备的阵列基板及其制造方法 | |
| CN102023433A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| CN101630640A (zh) | 光刻胶毛刺边缘形成方法和tft-lcd阵列基板制造方法 | |
| CN101614917A (zh) | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 | |
| JP4959631B2 (ja) | グレースケールマスク | |
| KR20080105986A (ko) | Ｔｆｔ－ｌｃｄ어레이 기판 | |
| JP2010271572A (ja) | 多階調フォトマスクの製造方法、多階調フォトマスク、及びパターン転写方法 | |
| WO2018032670A1 (zh) | Tft基板的制作方法 | |
| CN101393363B (zh) | Ffs型tft-lcd阵列基板结构及其制造方法 | |
| CN109411485A (zh) | 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN103293794B (zh) | 一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法 | |
| KR20090111019A (ko) | 표시기판 및 이의 제조방법 | |
| CN102645839A (zh) | 一种掩模板及其制造方法 | |
| US8361846B2 (en) | Array substrate for display device and method of fabricating the same | |
| CN101452163B (zh) | Tft-lcd阵列基板结构及其制造方法 | |
| US20090289257A1 (en) | Exposure mask using gray-tone pattern, manufacturing method of tft substrate using the same and liquid crystal display device having the tft substrate | |
| KR102278989B1 (ko) | 포토마스크 구조 및 어레이 기판 제조 방법 | |
| JP4553392B2 (ja) | 液晶ディスプレイ用ボトム基板の製作方法 | |
| CN102655116B (zh) | 阵列基板的制造方法 | |
| TW200535560A (en) | Phase shift mask and method of manufacturing phase shift mask |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY Effective date: 20150624 Owner name: JINGDONGFANG SCIENCE AND TECHNOLOGY GROUP CO., LTD Free format text: FORMER OWNER: BEIJING BOE PHOTOELECTRICITY SCIENCE + TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20150624 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150624 Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Patentee after: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 100176 Beijing economic and Technological Development Zone, West Central Road, No. 8 Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20201125 Address after: 215200 No. 1700, Wujiang economic and Technological Development Zone, Suzhou, Jiangsu, Zhongshan North Road Patentee after: K-TRONICS (SUZHOU) TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Address before: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Patentee before: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd. Patentee before: BEIJING BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20120530 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |