CN101558684A - 电压操作的分层装置 - Google Patents
电压操作的分层装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101558684A CN101558684A CNA2007800461627A CN200780046162A CN101558684A CN 101558684 A CN101558684 A CN 101558684A CN A2007800461627 A CNA2007800461627 A CN A2007800461627A CN 200780046162 A CN200780046162 A CN 200780046162A CN 101558684 A CN101558684 A CN 101558684A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- voltage
- operated
- decker
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 7
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 6
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000002322 conducting polymer Substances 0.000 claims description 5
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N oxyvanadium phthalocyanine Chemical compound [V+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 YRZZLAGRKZIJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 17
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- -1 doped P DOT Polymers 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005325 percolation Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/88—Terminals, e.g. bond pads
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
- Electrophonic Musical Instruments (AREA)
- Push-Button Switches (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
一种电压操作的分层装置，包括：衬底(1)；分层结构(2，3，4，5)，其被施加到衬底并且包括布置在第一电极(2)和第二电极(4)之间的至少一个导电功能层(3)；以及场退化层(5)，其比功能层(3)导电性更小并且以这样的方式被施加到布置在分层结构的远离衬底一侧上的第二电极(4)：使得场退化层(5)至少在边缘(4a)的区域中覆盖所述第二电极(4)且将所述第二电极(4)电连接到所述第一电极(2)。
Description
技术领域
本发明涉及一种电压操作的分层装置(arrangement)以及一种制作这种分层装置的方法，所述分层装置具有功能层和用于该分层装置的电钝化(electrical passivation)的覆盖层。
背景技术
存在大量已知的电压操作的分层装置，这些分层装置包括包含用于施加操作电压的功能层的多个薄层或薄膜，举例来说这些分层装置诸如计算机芯片、薄膜元件或者具有无机或有机电致发光层的电致发光装置。这些分层装置包括具有功能层的分层结构，该功能层被布置在用于跨越功能层施加操作电压的阳极和阴极之间。功能层例如被设计用于发射光，用作薄膜电阻器、用作电介质层或者用于其它应用。分层结构典型地被施加到衬底上。分层结构的典型厚度可以在几百纳米(nm)和几十微米(μm)之间变化。被施加到功能结构上的典型电压在几伏特和几十伏特之间。阳极和阴极之间的泄漏电流或短路会对这种分层装置的操作和寿命产生不利影响。根据泄漏电流和/或短路的强度和持续时间，甚至可能毁坏这种分层装置。由于分层结构的结构化而存在的边缘以及这些边缘的区域中的电场的相关增加，会促使泄漏电流或短路的发生。
文件US 5,505,985公开了具有由电绝缘材料形成的保护层的有机LED。保护层的材料特别适合于防止湿气扩散到位于该保护层之下的各层内。保护层的施加优选在真空中进行，原因在于意图是要阻止保护层在施加过程期间侵袭与保护层邻近的电极或有机发光层。具有这种保护层的电致发光装置相对于初始亮度的亮度减少要比没有这种保护层的电致发光装置小。然而，在尖锐边缘的区域中存在的增加很多的局部电场保持不受电绝缘保护层的影响。该增加的电场局部地致使增加很多的电流流动并且这导致布置在阳极和阴极之间的功能层的局部退化，当工作时间变得相当长时其中一种发展可能是短路。
发明内容
因此，本发明的目的是使得结构化的分层装置的长寿命成为可能。
这个目的是由一种电压操作的分层装置实现的，该电压操作的分层装包括：衬底；分层结构，其被施加到衬底并且包括布置在第一电极和第二电极之间的至少一个导电功能层；以及场退化层，其比功能层导电性更小(less electrically conductive)并且以这样的方式被施加到布置在分层结构的远离衬底那侧的第二电极：使得场退化层至少在边缘的区域中覆盖所述第二电极且将所述第二电极电连接到所述第一电极。
通过在边缘的区域中施加场退化层，边缘处的电场的局部增加被相当大地减少。场退化层的电导率使得在尖锐边缘的区域中产生更宽的场分布，原因在于先前仅源自边缘的场现在也经由场退化层的邻接区域而延伸到功能层内。因此，在这个区中流过功能层的电流仅仅比没有边缘的区域中的电流略高，这使得在所讨论的区中造成了短路风险的急剧降低。因为场退化层的导电率小于功能层的导电率，所以排除了阳极和阴极之间经由场退化层而短路的可能性。
在根据本发明的电压操作的分层装置的一个实施例中，功能层包括至少一个电致发光层。在这种情况下，边缘区域中的局部增加的场强使得它们自身以在边缘周围的电致发光层的退化形式显现出来。该退化的区域可能停止发光并且可能变大，以及随着工作时间变得更长可能导致短路，这将导致整个电致发光层失效。场退化层的存在将防止边缘区域中场的任何显著增加，并且因此发射较差或根本不发射的区域不会变大也不会对电致发光层的发射能力造成任何威胁。
在进一步的实施例中，电致发光层包括有机电致发光材料。在这个实施例中，除了提供上面详述的优点，退化层另外还构成保护层，该保护层至少是湿气或氧穿透到有机层内的障碍并且就所关注的环境因素而言对其发射能力的稳定性具有有益的效果。
在进一步的设置中，场退化层的电阻在1Ωcm和108Ωcm之间，优选地在102Ωcm和108Ωcm之间，特别优选在104Ωcm和108Ωcm之间，并且甚至更优选在106Ωcm和108Ωcm之间。利用这种范围的电阻值，场退化层的场分布效应特别有效，同时排除了阳极和阴极之间短路的可能性。在这种情况下，如果场退化层的厚度小于200nm，则是有利的。
在进一步的设置中，场退化层包括来自以下组的至少一种材料，所述组包括无机半导体、有机传导聚合物和小的传导有机分子(smallconductive organic molecule)。这些材料容易作为均匀层施加，并且如果需要可作为混合层，并且具有一致的电特性。场分布效应因而不经受大面积的电压操作的分层装置中的局部变化并且能够被重复设置。这些材料因而例如与掺杂有金属性颗粒的聚合物(其中掺杂浓度的变化可能导致很大不同的场退化特性)显著不同。颗粒浓度的变化例如可能是颗粒团聚的结果，尤其是如果浓度将要接近渗透阈值时更是如此。
在这种情况下，在一个实施例中无机半导体可以是亚化学计量SiNx、氧氮化钛或非化学计量TiOy，其中0.1＜x＜0.8，0＜y＜2。在另一个实施例中，有机传导聚合物可以是掺杂的PDOT、PANI或聚苯胺。在进一步的实施例中，小的传导有机分子可以是来自以下组的至少一种材料，所述组包括掺杂有F4TCNQ的MTDATA、掺杂有F4TCNQ的氧钒酞菁、掺杂有LVC的C60富勒烯或掺杂有pyB的C60富勒烯。
本发明还涉及一种制作如权利要求1所述的电压操作的分层装置的方法，该方法包括以下步骤：
-施加第一电极到衬底，
-施加导电功能层，
-施加第二电极，以及
-施加场退化层(5)以至少在边缘(4a)的区域中覆盖第二电极(4)以及使得与第一电极(2)电接触。
附图说明
参照下文中描述的实施例，本发明的这些和其它方面是显然的并将被阐述。
在附图中：
图1是电压操作的分层装置在边缘的区域中的侧视图。
图2是根据本发明的电压操作的分层装置在边缘的区域中的侧视图。
具体实施方式
图1所示种类的电压操作的分层装置，举例来说诸如有机电致发光装置(OLED)，包括各个薄层，大多数所述薄层是通过干法定向涂覆工艺(举例来说诸如真空沉积和/或溅射)来生成的。所谓的定向涂覆工艺是一种其中待施加的材料基本沿直线从源移动到待涂覆的衬底上的工艺。此类工艺的特性是位于布置在源和衬底之间的空间区域中的边缘、掩模等后面的未涂覆区域(阴影区)。在此类定向涂覆工艺中，例如由于通过掩模技术来结构化分层装置，而会出现边缘。
对于OLED装置而言，电极2和4之间的典型操作电压具有3到10V的量级。对于100nm的典型电极间距，这对应于电极2和4之间30-100kV/mm的场。电场在图1中由从阴极4指向阳极2的箭头代表。被布置在分层结构远离衬底一侧上的电极层4中的边缘4a由于边缘4a的小曲率半径而产生局部明显更高的场强。场的增强在图1中由边缘4a区域中更紧密隔开的箭头所代表。阴极4和阳极2之间的泄漏电流和/或闪络(flashover)会引起不受控制的电流流动。这个过程通常在电流流动所经历的时期内是自放大的，导致该分层装置的破坏。在OLED装置中这个过程的发生例如与在阳极2和阴极4之间是有一个还是多于一个的有机层3(这取决于分层结构的形式)无关。
针对防止边缘区域中场的显著增加的问题，根据本发明的电压操作的分层装置内的场退化层(field-degrading layer)代表了一种有效且廉价的解决方案。在这种情况下，如果没有场退化层，则边缘越尖锐，场的增加会越大。图2是根据本发明的具有场退化层5的电压操作的分层装置的侧视图，该分层装置作为示例采用的是有机电致发光装置(OLED)。OLED的分层结构包括有机功能层3，其在许多设计中可以包括多个有机子层。这种OLED的实施例包括例如作为功能层3的典型厚度在100nm范围内的掺杂的三(8-羟基喹啉)铝，其被布置在两个电极2和4(举例来说诸如形成阳极2的第一电极和形成阴极4的第二电极)之间，其中至少一个电极是透明的。通常被用作透明导电材料的是铟锡氧化物(ITO)。充当非透明电极的是导电材料，通常是金属层，厚度在100nm的量级。然而，还存在其中两个电极都是透明的装置。分层结构被施加到衬底1。由有机功能层3发射的电致发光的光通常通过衬底1发射。当这种情况发生时，阳极2包括ITO层而阴极4包括铝层。分层结构还可以以相反顺序被施加到衬底。当发射是朝向远离衬底的一侧时，场退化层5必须是透明的。布置在有机功能层3和阳极2之间的通常是空穴传导层，典型地为厚度约50nm的α-NPD(N，N′-di(napththalen-2-y1)-N，N′-diphenyl benzidine)。位于阴极4和有机功能层3之间的通常是由具有低功函数的材料(诸如锂、铯、钡)形成的薄电子注入层，该功函数对于给出电子到发光层内的良好注入是很重要的。为了化学钝化以防环境因素特别是湿气和氧的作用，电压操作的分层装置还可以被密封装置包围。
场退化层5及其电导率(具有合适的数量级)使得电场远离尖锐边缘4 a而进入场退化层5进行分布，如从图2中箭头可以看出。如图1中，箭头代表阴极4和阳极2之间的电场。分层结构的没有边缘的区域中的均匀电场由间距恒定的箭头表示。由于导电场退化层5的场分布效应，该间距甚至在边缘4a的区域中也得以较大地保持，这意味着在尖锐边缘4 a的区域中没有引起场的增加(与没有场退化层5的图1形成鲜明的对比)，并且因而也没有电流流动的局部增加。功能层3的特性因而不会因过量的电流流动而被破坏并且在整个工作寿命内被保持为与没有边缘4a的区域中的情况相同的程度。然而，在这种情况下场退化层5的电阻应当足够高以防止电极2和4之间通过场退化层5的短路。特别适合于场退化层的电阻值在1Ωcm和108Ωcm之间，优选地在102Ωcm和108Ωcm之间，特别优选在104Ωcm和108Ωcm之间，并且甚至更优选在106Ωcm和108Ωcm之间。利用这种范围的电阻值，场退化层的场分布效应特别有效。在这种情况下，如果场退化层的厚度小于200nm，则是有利的。
图2所示的实施例仅仅是电压操作的分层装置的一个示例。对于非光学应用而言，诸如透明度和/或反射率之类的层特性没有意义。对于其它应用而言，层顺序以及层的材料可以与图1所示的层顺序和层材料部分不同或完全不同。然而，所有电压操作的应用都受相同问题的影响：即在制作过程期间，结构化的分层结构可能在阴极和阳极之间的分层结构内产生泄漏电流和/或短路，于是可能造成电压操作的分层装置失效。
用于场退化层5的合适材料例如是：无机半导体，诸如亚化学计量SiNx(其中0.1＜x＜0.8)、氧氮化钛或非化学计量TiOy(其中0＜y＜2)；或有机传导聚合物，诸如掺杂的PDOT、PANI或聚苯胺；小的传导性掺杂(conductively doped)的有机分子，举例来说诸如掺杂有F4TCNQ的MTDATA或氧钒酞菁、或类似系统、和/或掺杂有例如LVC或pyB的C60富勒烯，或者上面列举的材料的混合物。在这些材料中电导率能够在大范围内进行设置并且能够以此方式进行调整以满足特定分层结构关于操作电压的要求。
例如，200nm厚的SiNx层(其中范围是0.1＜x＜0.8)的电阻值从20Ωcm到2*106Ωcm。例如厚度为300nm的氧氮化钛层的电阻值能够通过氧/氮比而在大范围内进行设置，这些值在氮化钛的3*10-6Ωcm和TiOy(其中0＜y＜2)的3*107Ωcm之间。利用合适的氧/氮比，可获得1Ωcm到3*107Ωcm之间的电阻值。在掺杂有F4TCNQ的氧钒酞菁的情况下，针对从1∶10到1∶1000的掺杂比能够将电阻设置在102Ωcm和106Ωcm之间。掺杂PDOT在200nm的层厚时的电阻在1Ωcm和104Ωcm之间。PDOT的合适掺杂剂例如会是PPS。像掺杂水平一样，电阻也是层厚度的函数。
根据本发明的电压操作的分层装置能够通过定向和/或非定向涂覆工艺来制作。首先将第一电极2施加到衬底1。然后将功能层3和第二电极4施加到第一电极2。结构化工艺(举例而言诸如掩模技术或蚀刻技术)会在例如第二电极4中产生尖锐边缘。然后通过定向涂覆工艺(举例而言诸如溅射或汽相沉积)或非定向涂覆工艺(举例而言诸如OPVD、印刷工艺或者利用线性源的涂覆工艺)，将场退化层5施加到第二电极4上。尤其通过后面这些工艺，尤其甚至在边缘的区域中沉积一层足够厚度的场退化层5的材料，因而在两个电极2和4之间经由场退化层5形成电接触。
OPVD的意思是“有机汽相沉积”。在OPVD中，待施加的材料以气流在低压(大约0.1mbar)和高温(大约300℃)下被传送到衬底。
“线性源”的意思是真空涂覆系统，其中多个蒸发器源彼此挨着布置并且一起紧密地在一条线上，使衬底横向跨过这列蒸发器。
非定向涂覆工艺避免了举例来说诸如由灰尘颗粒6所致的任何阴影(由于诸如颗粒的物体遮蔽待施加的材料所引起的未被涂覆的衬底区域，这些颗粒位于源和衬底之间的直线中)。
对于连续的导电的场退化层5而言所需的是至少5nm的层厚度。如果场退化层的厚度不大于200nm，则能够避免可能出现的粘附问题或为施加层所花时间太长。
这种通过施加场退化层5来分布场的方法不取决于功能层3所利用的性质，不管其用作光源还是用于其它目的。
参照附图且在说明书中已阐述的实施例仅仅是电压操作的分层装置中电场的分布的示例而不应解释为将权利要求限制为这些示例。对于本领域技术人员而言，还有用于其它应用的可替代实施例并且这些也被权利要求提供的保护范围所覆盖，所述其它应用对于其它具有功能层的电压操作的分层装置而言是可能的。从属权利要求的编号并不意味着权利要求的其它组合也不限定本发明的有利实施例。
Claims (10)
1.一种电压操作的分层装置，包括：
-衬底(1)，
-分层结构(2，3，4，5)，其被施加到衬底并且包括布置在第一电极(2)和第二电极(4)之间的至少一个导电功能层(3)，以及
-场退化层(5)，其比功能层(3)导电性更小并且以这样的方式被施加到布置在分层结构的远离衬底一侧上的第二电极(4)：使得场退化层(5)至少在边缘(4a)的区域中覆盖所述第二电极(4)且将所述第二电极(4)电连接到所述第一电极(2)。
2.如权利要求1所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述功能层(3)包括至少一个电致发光层。
3.如权利要求2所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述电致发光层(3)包括有机电致发光材料。
4.如权利要求1-3中任一项所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述场退化层(5)的电阻在1Ωcm和108Ωcm之间。
5.如权利要求5所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述场退化层(5)的厚度小于200nm。
6.如权利要求4或5所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述场退化层(5)包括来自以下组的至少一种材料，所述组包括无机半导体、有机传导聚合物和小的传导有机分子。
7.如权利要求6所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述无机半导体是亚化学计量SiNx、氧氮化钛或非化学计量TiOy，其中0.1＜x＜0.8，0＜y＜2。
8.如权利要求6所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述有机传导聚合物可以是掺杂的PDOT、PANI或聚苯胺。
9.如权利要求6所述的电压操作的分层装置，其特征在于，所述小的传导有机分子可以是来自以下组的至少一种材料，所述组包括掺杂有F4TCNQ的MTDATA、掺杂有F4TCNQ的氧钒酞菁、掺杂有LVC的C60富勒烯或掺杂有pyB的C60富勒烯。
10.一种制作如权利要求1所述的电压操作的分层装置的方法，包括以下步骤：
-施加第一电极(2)，
-施加导电功能层(3)，
-施加第二电极(4)，
-施加场退化层(5)以至少在边缘(4a)的区域中覆盖第二电极(4)以及使得与第一电极(2)电接触。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06125859 | 2006-12-12 | ||
| EP06125859.6 | 2006-12-12 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101558684A true CN101558684A (zh) | 2009-10-14 |
Family
ID=39365630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2007800461627A Pending CN101558684A (zh) | 2006-12-12 | 2007-12-07 | 电压操作的分层装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7982214B2 (zh) |
| EP (1) | EP2092795B1 (zh) |
| JP (1) | JP5399918B2 (zh) |
| CN (1) | CN101558684A (zh) |
| AT (1) | ATE501625T1 (zh) |
| DE (1) | DE602007013092D1 (zh) |
| RU (1) | RU2452140C2 (zh) |
| WO (1) | WO2008072148A2 (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102668162B (zh) | 2009-11-27 | 2015-05-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机电致发光器件 |
Family Cites Families (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0566736B1 (en) * | 1990-11-30 | 1998-07-29 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence device |
| US5445898A (en) * | 1992-12-16 | 1995-08-29 | Westinghouse Norden Systems | Sunlight viewable thin film electroluminescent display |
| EP0966050A3 (de) * | 1998-06-18 | 2004-11-17 | Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG | Organische Leuchtdiode |
| DE69831860T2 (de) * | 1998-07-04 | 2006-07-20 | Au Optronics Corp. | Elektrode zur verwendung in elektrooptischen bauelementen |
| WO2001018886A2 (de) * | 1999-09-09 | 2001-03-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Organische lichtemittierende diode und herstellungsverfahren |
| US6372154B1 (en) * | 1999-12-30 | 2002-04-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Luminescent ink for printing of organic luminescent devices |
| US6515314B1 (en) * | 2000-11-16 | 2003-02-04 | General Electric Company | Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material |
| US20020074938A1 (en) * | 2000-12-20 | 2002-06-20 | Gong Gu | Night or safety light with patternable illumination regions |
| WO2003050607A1 (en) * | 2001-12-13 | 2003-06-19 | E Ink Corporation | Electrophoretic electronic displays with films having a low index of refraction |
| JP2003282240A (ja) | 2002-03-25 | 2003-10-03 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法 |
| US6806491B2 (en) * | 2002-04-03 | 2004-10-19 | Tsinghua University | Organic light-emitting devices |
| FR2844136B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2006-07-28 | Corning Inc | Materiau utilisable dans la fabrication de dispositifs d'affichage lumineux en particulier de diodes electroluminescentes organiques |
| EP1543358A2 (en) * | 2002-09-20 | 2005-06-22 | Donnelly Corporation | Mirror reflective element assembly |
| US6936964B2 (en) | 2002-09-30 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | OLED lamp |
| KR100567179B1 (ko) * | 2002-09-30 | 2006-04-03 | 가부시키가이샤 도요다 지도숏키 | 발광 장치, 디스플레이 유닛 및 조명 유닛 |
| US20040099862A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-05-27 | Harumi Suzuki | Organic EL device and repair method thereof |
| US6952079B2 (en) * | 2002-12-18 | 2005-10-04 | General Electric Company | Luminaire for light extraction from a flat light source |
| US6975067B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-13 | 3M Innovative Properties Company | Organic electroluminescent device and encapsulation method |
| JP2004207084A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7192657B2 (en) * | 2003-04-15 | 2007-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Ethynyl containing electron transport dyes and compositions |
| JP4603780B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2010-12-22 | キヤノン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| JP2005056587A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Toyota Industries Corp | Ｅｌ装置及びその製造方法 |
| JP4532892B2 (ja) * | 2003-12-12 | 2010-08-25 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
| US7002293B2 (en) * | 2004-01-27 | 2006-02-21 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode with improved light emission through the cathode |
| EP1768464A1 (en) * | 2004-04-05 | 2007-03-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device |
| KR100635066B1 (ko) * | 2004-06-03 | 2006-10-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| TWI239221B (en) * | 2004-07-15 | 2005-09-01 | Ritdisplay Corp | Organic light-emitting source |
| JP4803478B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-10-26 | 大日本印刷株式会社 | Ｇａ系合金及びこれを用いた有機機能素子 |
| KR20060104531A (ko) * | 2005-03-30 | 2006-10-09 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광표시장치의 제조방법 |
| US7317566B2 (en) * | 2005-08-29 | 2008-01-08 | Teledyne Licensing, Llc | Electrode with transparent series resistance for uniform switching of optical modulation devices |
| TWI270316B (en) * | 2005-12-02 | 2007-01-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Methods for fabricating an organic electro-luminescence device and a carbon-enriched film |
| CN101426856B (zh) | 2006-04-18 | 2012-11-21 | 小松精练株式会社 | 热熔型构件以及有机el显示面板 |
| US7646144B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-01-12 | Eastman Kodak Company | OLED with protective bi-layer electrode |
| US7560747B2 (en) * | 2007-05-01 | 2009-07-14 | Eastman Kodak Company | Light-emitting device having improved light output |
-
2007
- 2007-12-07 WO PCT/IB2007/054965 patent/WO2008072148A2/en active Application Filing
- 2007-12-07 JP JP2009540918A patent/JP5399918B2/ja active Active
- 2007-12-07 RU RU2009126560/07A patent/RU2452140C2/ru active
- 2007-12-07 CN CNA2007800461627A patent/CN101558684A/zh active Pending
- 2007-12-07 US US12/517,808 patent/US7982214B2/en active Active
- 2007-12-07 EP EP07849373A patent/EP2092795B1/en active Active
- 2007-12-07 AT AT07849373T patent/ATE501625T1/de not_active IP Right Cessation
- 2007-12-07 DE DE602007013092T patent/DE602007013092D1/de active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2008072148A3 (en) | 2008-08-21 |
| ATE501625T1 (de) | 2011-03-15 |
| JP2010529588A (ja) | 2010-08-26 |
| RU2452140C2 (ru) | 2012-05-27 |
| EP2092795B1 (en) | 2011-03-09 |
| EP2092795A2 (en) | 2009-08-26 |
| JP5399918B2 (ja) | 2014-01-29 |
| US20100327309A1 (en) | 2010-12-30 |
| DE602007013092D1 (de) | 2011-04-21 |
| WO2008072148A2 (en) | 2008-06-19 |
| RU2009126560A (ru) | 2011-01-20 |
| US7982214B2 (en) | 2011-07-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102144314B (zh) | 用于制造发射辐射的有机器件的方法以及发射辐射的有机器件 | |
| JP5106413B2 (ja) | 有機ｌｅｄ素子 | |
| US7686666B2 (en) | Flat panel display device capable of reducing or preventing a voltage drop and method of fabricating the same | |
| US8502200B2 (en) | Electroluminescent light-emitting device comprising an arrangement of organic layers, and method for its production | |
| US6509581B1 (en) | Structure and fabrication process for an improved polymer light emitting diode | |
| EP2168184B1 (en) | Organic functional device and manufacturing method therefore | |
| KR100501571B1 (ko) | 디스플레이용 유기 광-방출 소자 및 그 제조방법 | |
| US20120261712A1 (en) | Optoelectronic Device with Homogeneous Light Intensity | |
| US11508929B2 (en) | Conductor and method of manufacturing the same | |
| CN101558684A (zh) | 电压操作的分层装置 | |
| US7564181B2 (en) | Performance enhancement layer for OLED devices | |
| US10454057B2 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| TWI636602B (zh) | 有機光電元件結構與製程方法 | |
| EP2267818B1 (en) | Organic lighting device | |
| WO2011093146A1 (ja) | 有機ｅｌ装置 | |
| GB2563448A (en) | Device | |
| CN216133876U (zh) | 一种oled发光器件及oled显示屏 | |
| US20080264680A1 (en) | Voltage-Operated Layer Arrangement | |
| Ohisa et al. | Common Metals as Electrodes for Leak‐Free Organic Light‐Emitting Devices Using Extraordinary Thick Phosphotungstic Acid Buffer Layers | |
| US20160111675A1 (en) | Organic light-emitting device | |
| CN1200463C (zh) | 有机发光二极管及其制造方法 | |
| WO2012127400A1 (en) | Oled with a shunting layer | |
| Yang et al. | Effect of the plasma‐assisted patterning of the organic layers on the performance of organic light‐emitting diodes | |
| EP2144310A1 (en) | Light emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20091014 |