CN101530011A - 金属化陶瓷基板芯片的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种金属化陶瓷基板芯片的制造方法。其中，使原料基板的金属配线图案单元的至少一部分的厚度为0.1μm～5μm，使用切割轮在通过该部分的那样的切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字形的刀刃而形成的，上述槽使陶瓷基板表面至少产生龟裂，自槽的里侧施加负荷而切断基板，从而在切断(分割)表面形成有由金属膜(6)构成的配线图案的陶瓷基板(5)来制造金属化陶瓷基板芯片(1)时，能够有效地利用母材，而且能够抑制在被金属化部上产生缺陷，从而能以高合格率高效地制造基板芯片。

Description

金属化陶瓷基板芯片的制造方法

技术领域

本发明涉及一种作为用于装设激光二极管(LD)、发光二极管(LED)的基板的金属化陶瓷基板芯片的制造方法。

背景技术

出于绝缘性、散热性等要求，使用在陶瓷基板上形成有金属配线图案的金属化陶瓷基板作为用于装设LD、LED的基板。上述LD或LED装设用基板的尺寸通常极小(例如通常的LD装设用的辅助管脚(submount)的大小为1mm×1mm×0.3mmt左右。)。因此，在制造上述基板的情况下，考虑到制造效率，通常采用这样的方法(以下，将该方法称为多件同时处理法。)：在多件同时处理用的较大的陶瓷基板的表面上形成配线图案，该配线图案排列配置有许多个“各元件装设用基板上的配线图案”(以下、称为配线图案单元。)，之后沿配线图案单元的边界切断基板(参照专利文献1～3)。在该多件同时处理法中，将配线图案单元呈格子状有规律地配置，沿纵横分别为直线的边界线切断基板，从而能一次制造很多基板芯片。

另外，在该多件同时处理法中，开发了一种配线图案单元自身以及其排列的尺寸精度良好、且配线图案的接合强度较高的多件同时处理用基板，能高效地制造高性能的基板芯片。(参照专利文献2)。

作为切断陶瓷基板的方法，通常采用如下方法：使用旋转式的金刚石刀片进行切削的切割方法、利用激光对基板表面进行槽加工而使其断裂的方法。在采用上述方法的情况下，为了避免芯片因切断而零乱、使处理变得繁杂，采用预先将基板粘贴在粘着片上之后进行切断的方法(参照专利文献3)。

在切割方法中，存在随着刀片的磨损而必须更换刀片、因此成本上升这样的问题、必须根据刀片的宽度设定切削量而无法有效利用基板这样的问题。另外，在使用激光的情况下，除了必须要设定切削量之外，还存在基板因激光照射而变质这样的问题。

作为没有上述问题的切断方法，公知有在基板表面上形成划线(scribe)槽、对基板施力而自上述槽产生龟裂从而进行切断(使其断裂)的方法(划线法)(参照专利文献4以及专利文献5)。在该划线法中，为了形成划线槽，采用具有由金刚石那样的硬质材料构成的刀刃的划线器(scriber)。作为该划线器，公知有大致2种类型：具有固定刀刃的划线器(参照专利文献6)和具有旋转式刀刃的划线器(参照专利文献7)。

专利文献1：日本特开平8-239286号公报

专利文献2：国际公开第WO2006/051881号手册

专利文献3：日本特开2006-24778号公报

专利文献4：日本特开2000-25030号公报

专利文献5：日本特许第3779237号公报

专利文献6：日本特开2005-289703号公报

专利文献7：日本特开2002-121040号公报

上述划线法作为玻璃材料的切断方法早已被公知，并被确认在切断具有劈开性的单晶体材料的情况下也是有效的，也可应用为在制造LED元件自身时的用于切断单晶体基板的方法。如上述专利文献4以及5所述，被确认该划线法也能应用于切断陶瓷烧结体，但是应用于切断金属化陶瓷基板的例子很少，不能说该技术已被确立。

在采用划线法来切断金属化陶瓷基板的情况下，通常出于能够可靠地自划线槽产生龟裂这样的理由，而在“表面未形成有金属层的陶瓷部分”上形成划线槽。例如在专利文献5所公开的方法中，为了切断在表面蒸镀有金的AIN基板，在未蒸镀有金的背面形成划线槽。另外，在专利文献4所公开的方法中，采用这样的方法：在形成金属层之前的陶瓷烧结体基板上形成划线槽，之后通过网板印刷将喷镀金属层形成用膏状物网板印刷在该基板上，形成金属配线图案。

本发明人欲将划线法适用于切断金属化陶瓷基板而进行了研究，结果发现了下述这样的问题。第一，发现在陶瓷烧结体基板上形成划线槽而使基板破裂的情况下，由于龟裂未必一定沿垂直方向传播，因此在基板的相反侧上实际的切断线自切断预定线发生偏移。其原因在于，在切断由陶瓷粒子的烧结体构成的陶瓷基板的情况下，与切断单晶体那样的具有劈开性的材料的情况不同，在为了使龟裂沿晶界行进而使基板的厚度比划线槽的深度厚的情况下，会增大使龟裂向意想不到的方向行进的几率。当在形成有配线图案的基板上自切断预定线发生偏移时，为了提高合格率必须扩大切削量，导致生产效率下降。

第二，发现在采用了专利文献4所公开的那样的方法的情况下，由于必须在形成划线槽之后烧结膏状物，因此产生下述(i)～(iii)所示的问题。

(i)除了进行烧成基板的工序之外必须进行需要高温的烧结工序，不仅工序繁杂，而且制造成本上升。

(ii)根据用于烧结金属膏状物的温度的不同，有时划线槽会消失，无法进行切断。

(iii)即使能沿着划线槽进行切断，由于在划线槽上形成有金属层，因此在进行切断时产生金属层的“局部剥落”、“碎片”、或“毛边(burr)”这样的缺陷，合格率下降。

发明内容

本发明用于解决上述问题，目的在于提供一种在切断(分割)表面形成有由金属膜构成的配线图案的陶瓷基板来制造金属化陶瓷基板芯片时、能有效地利用母材、而且能够抑制在被金属化部上产生缺陷、从而能高合格率且高效地制造基板芯片的方法。

本发明人等为了解决上述问题而进行了潜心研究。结果发现，即使是在用于形成划线槽的切断预定线在金属层上通过的情况下，金属层的厚度为5μm以下，而且在使用具有旋转式刀刃的划线器来形成槽的情况下，不使金属层产生缺陷而整齐地切断陶瓷基板，并完成了下面的本发明。

即、第一技术方案的本发明提供一种方法，其将金属配线图案单元的边界作为切断预定线来切断由金属化陶瓷基板构成的原料基板，从而制造至少在一主表面上具有1个金属配线图案单元的金属化陶瓷基板芯片，该金属化陶瓷基板在陶瓷基板的至少一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，其中，

该方法包括如下工序：

(A)准备金属化陶瓷基板作为原料基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元的至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；

(B)在原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮(cutter wheel)在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成有V字型的刀刃而形成的，上述槽使陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂；

以及

(C)在形成有槽的原料基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷从而沿着该槽切断原料基板。

在此，工序(B)中的“在切断预定线上形成使陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂的那样的槽”是指，施加使位于切断预定线下部的陶瓷基板的表面至少产生龟裂的负荷而形成槽。若至少产生龟裂，则在之后的工序中能切断原料基板。该槽通常形成为不大于金属层的厚度的深度，但有时该槽也达到陶瓷基板表面的位置或比该表面更深的位置。另外，在该槽达到陶瓷基板表面的位置或比该表面更深的位置的情况下，通常在该槽的底部也会残留金属层的金属。

在该工序(B)中，形成在切断预定线上的槽只要如上所述地使陶瓷基板的表面至少产生龟裂，没有特别限定，例如其深度能为0.1μm～5μm。另外，槽的深度是指，从槽的最深部到原来的金属表面的高度(图1中的“h”。)。

在上述第一技术方案的本发明的方法中，出于采用本发明的方法的优点多这一理由，优选在上述工序(B)中切断预定线所通过的厚度为0.1μm～5μm的金属层的表面由金形成。由于金柔软，因此在采用了具有固定刀刃的类型的划线器的情况下，金被切削，产生碎屑，碎屑附着在配线图案上，从而有时降低电可靠性。

另外，在第一技术方案的本发明的方法中，为了易于处理所制造的金属化陶瓷基板芯片，优选在完全切断基板之前将基板粘贴在粘着片上。为此，优选(1)还包括工序(A+)，用于将与切断开始面相反一侧的面作为接合面而在粘着片上粘贴原料基板，在工序(B)之前进行该工序(A+)，或(2)还包括工序(B+)，用于将原料基板的与切断开始面相反一侧的面作为接合面而在粘着片上粘贴在工序(B)中形成有槽的原料基板，在工序(C)之前进行该工序(B+)。

考虑到(B)工序的操作性以及形成槽后的原料基板的处理容易性，优选采用(1)的实施方式。在未将基板粘贴在粘着片上来进行工序(B)的情况下，在结束形成纵(或横)向的槽后使基板旋转90度、欲接着沿横(或纵)向形成槽时、或在槽加工结束后直到进行工序(C)的期间内，若由于某些主要原因，对原料基板沿与主表面垂直的方向施力，则有时基板会沿着槽裂开。相对于此，在(1)的实施方式中不仅能抑制上述裂纹的产生，而且即使产生裂纹，切断片也不会变得零乱，因此易于处理。并且，在(1)的实施方式中，还能获得保护效果，该保护效果防止在工序(B)中的原料基板的与切断开始面相反一侧的面损伤、或弄脏。

另外，考虑到能够可靠地在金属层的基底的陶瓷基板的表面上产生龟裂产生源，优选采用(2)的实施方式。在(2)的实施方式中，与(1)的实施方式不同，在形成划线槽时，由于粘着片不会成为垫片，因此不仅使用于形成期望深度的槽的所需负荷小于(1)的实施方式的负荷即可，而且能够可靠地形成深度恒定的槽。

第二技术方案的本发明提供一种金属化陶瓷基板，其在陶瓷基板的表面上具有多个金属配线图案单元，其中，在金属配线图案单元所存在的一侧的面上沿着该金属配线图案单元的边界形成有使陶瓷基板的表面至少产生龟裂那样的槽，且槽的侧面的至少一部分由金属形成。若在陶瓷基板上至少产生龟裂，则能切断该金属化陶瓷基板而形成芯片。另外，也能在陶瓷基板的表面上形成龟裂程度以上的槽。

在第二技术方案的本发明中，所形成的槽只要使陶瓷基板的表面至少产生龟裂即可，没有特别限定，例如其深度能为0.1μm～5μm。

另外，第三技术方案的本发明提供一种金属化陶瓷基板粘贴片，其中，该金属化陶瓷基板粘贴片包括粘着片以及第二技术方案的本发明的金属化陶瓷基板，将未形成有槽的一侧的面作为接合面而在该粘着片上粘贴该第二技术方案的金属化陶瓷基板。第二以及第三技术方案的本发明的金属化陶瓷基板以及金属化陶瓷基板粘贴片用作第一技术方案的本发明的方法中的中间材料。

第四技术方案的本发明提供一种金属化陶瓷基板芯片，其至少在一主表面上具有1个金属配线图案单元，其中，具有该金属配线图案单元的面的外周的至少一部分自该面朝向下方进行0.1μm～5μm的倒角加工，且至少该倒角加工而成的斜面的表面的一部分由金属形成。该金属化陶瓷基板芯片利用第一技术方案的本发明获得，不仅来自其制法而具有上述构造上的特征，而且该金属化陶瓷基板芯片自身具有这样优异的特征：存在金属配线图案单元的一侧的面的尺寸精度高，在金属层上不会产生毛边等缺陷。

第五技术方案的本发明提供一种金属化陶瓷基板芯片粘贴片，其中，该金属化陶瓷基板芯片粘贴片包括粘着片以及多个第四技术方案的本发明的金属化陶瓷基板芯片，将与形成有上述金属配线图案单元的一面相反一侧的面作为接合面而将该多个金属化陶瓷基板芯片以排列配置的方式粘贴在该粘着片上。该金属化陶瓷基板芯片粘贴片易于进行上述第四技术方案的本发明的金属化陶瓷基板芯片在流通时以及使用时的处理。

第六以及第七技术方案的本发明涉及一种上述金属化陶瓷基板芯片粘贴片的制造方法，均包括：准备金属化陶瓷基板粘贴片的工序(I)，该金属化陶瓷基板粘贴片将在陶瓷基板的至少一主表面上具有多个金属配线图案单元的金属化陶瓷基板以另一主表面作为接合面的方式粘贴在粘着片上；以及用于将粘贴在粘着片上的金属化陶瓷基板切断的工序(II)。

并且，第六技术方案的本发明的特征在于，工序(I)包括以下工序：工序(A)，用于准备金属化陶瓷基板为原料基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元的至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；以及工序(A+)，用于将与切断开始面相反一侧的面作为接合面而将上述原料基板粘贴在粘着片上；

工序(II)包括：工序(B)，用于在原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的，上述槽使陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂；以及工序(C)，用于在形成有槽的原料基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷，从而沿着该槽切断原料基板。

另外，第七技术方案的本发明提供一种方法，该方法的工序(I)包括：工序(A)，用于准备金属化陶瓷基板为原料基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元的至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；工序(B)，用于在原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的，上述槽使陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂；以及工序(B+)，将原料基板的与切断开始面相反一侧的面作为接合面而将在工序(B)中形成有槽的原料基板贴在粘着片上；

工序(II)含有工序(C)，该工序(C)在形成有槽的原料基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷，从而沿着该槽切断原料基板。

另外，在第六以及第七技术方案的本发明中，在工序(B)中形成的槽只要使陶瓷基板的表面至少产生龟裂即可，没有特别限定，例如其深度能为0.1μm～5μm。

采用第一技术方案的本发明的方法，在利用多件同时处理法来制造金属化陶瓷基板芯片时，由于能够尽可能地减少切断时的切削量，因此能有效地利用母材，而且能够抑制在被金属化部上产生缺陷，从而能够以高合格率高效地制造基板芯片。

另外，利用该方法获得的第四技术方案的本发明的金属化陶瓷基板芯片其自身具有这样优异的特征：有金属配线图案单元的一侧的面的尺寸精度高，在金属层上没有毛边等缺陷。

并且，通过采用第六以及第七技术方案的本发明的方法，也能将该金属化陶瓷基板芯片视为金属化陶瓷基板芯片贴片的实施方式。通过形成上述实施方式，在流通时以及使用时易于进行处理。

附图说明

图1是利用实施例1获得的本发明的金属化陶瓷基板芯片的剖视图及其局部放大图。

附图标记说明

1、金属化陶瓷基板芯片；2、表面(切断开始面)；3、背面；4、倒角加工而成的斜面；h、倒角加工而成的斜面的高度；5、氮化铝烧结体基板；6、表面金属层；7、背面金属层；8、焊锡层；d、从焊锡层端部(端面)到切断线的距离。

具体实施方式

在本发明的方法中，与以往的多件同时处理法同样，将上述金属配线图案单元的边界作为切断预定线切断原料基板，从而制造至少在一主表面上具有1个金属配线图案单元的喷镀金属基板芯片，该原料基板由至少在一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元的金属化陶瓷基板构成。

其中，在本发明的方法中，为了尽可能地减少切断时的切削量、且抑制被金属化部上的缺陷的产生、以更高的合格率高效地制造基板芯片，作为必须工序必须包括下述(A)、(B)以及(C)工序。

(A)准备金属化陶瓷基板作为上述原料基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；

(B)在上述原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的，上述槽是使陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂的那样的槽；以及

(C)在形成有槽的基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷，从而沿着该槽切断原料基板。

在工序(A)中，准备由金属化陶瓷基板构成的原料基板，该金属化陶瓷基板在陶瓷基板的作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成。

在此，适合使用氮化铝、氧化铍、碳化硅、氧化铝、多铝红柱石、氮化硼、氮化硅、氧化锆等陶瓷烧结体为用于构成原料基板的主要部分的陶瓷基板。其中，氮化铝由于导热系数较高，因此能够使自LD元件、LED元件产生的热高效地选出，并且氮化铝的热膨胀系数与作为上述元件的代表性材质的Si相近，因此特别适合使用。在该情况下，出于提高元件的可靠性的这一理由，优选基板的导热系数越高越好，适合使用170W/mK以上、更适合使用200W/mK以上的基板。另外，基板的厚度并没有特别限定，用作通常的辅助管脚、封装的基板的厚度通常为0.1～2mm左右。

另外，构成基板的陶瓷的粒子直径没有特别限定，例如在设定为0.5μm～2.0μm这样的小范围时，能获得使切断原料基板后得到的切断面变得平滑这样的效果。另外，相反，例如、在将粒子直径设定为7μm～13μm这样的大范围中时，能获得使陶瓷基板的导热系数增大的效果。

在上述陶瓷基板的作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元。在此，金属配线图案单元是指，将最终存在于所制造的喷镀金属基板芯片的表面上的金属配线图案以及根据需要形成的、用于将相邻的金属配线图案彼此电连结起来的成为端口、导流条(tie bar，タイバ一)的配线图案。通过设置上述端口、导流条，能一次对所有的配线图案单元实施电镀。最终存在于所制造的金属化陶瓷基板芯片的表面上的金属配线图案通常含有从由金属层、电极层和内部配线构成的群中选出的至少1种；上述金属层(有时在该金属层上也会形成有由焊锡金属构成的薄膜图案。)作为用于焊锡接合元件的基底；上述电极层作为用于向元件供给电力的电极；上述内部配线用于实现与元件装设面相反一侧的面的电接合。上述内部配线的最简单的例子是在贯通孔中充填有导电体的所谓的导通孔，除此之外根据用途也能采取复杂的形态。另外，即使利用金属层覆盖了作为切断开始面的一整个主表面的情况、和在导通孔那样的内部配线被形成图案之后将它们排列配置多个的情况、从外观上看来，表面均只显示1个金属配线图案单元，但在本发明中为排列配置有多个金属配线图案单元。另外，有时焊锡图案自身就是金属配线图案单元。

在本发明的方法中，将上述金属配线图案单元的边界作为切断线来切断原料基板。作为该切断线的线(切断预定线)在金属配线图案单元上通过。此时，金属配线图案单元的供切断预定线通过的部分需要由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成。在切断预定线所通过的部分的金属层的厚度大于5μm的情况下，在工序(B)中形成槽(划线槽)的情况下，无法有效地在金属层的基底的陶瓷基板上形成龟裂产生源，难以进行沿着切断预定线的切断。考虑到能够可靠地沿着切断预定线整齐地进行切断，优选金属配线图案单元的供切断预定线通过的部分由厚度在0.2μm～3μm的金属层形成。另外，在原料基板具有内部配线的情况下，出于同样的考虑，优选在切断预定线的正下方不存在厚度大于5μm的内部配线。

出于上述理由，存在于陶瓷基板的作为切断开始面的一主表面上的金属配线图案的至少一部分需要由厚度为0.1μm～5μm、优选为0.2～3μm的金属层形成。但是，最终存在于所制造的金属化陶瓷基板芯片的表面上的所有金属配线图案单元并不一定所有都是上述厚度。在切断预定线只在作为上述端口部、导流条部那样的部分上通过的情况下，只是上述部分的厚度在上述范围即可。并且，在切断预定线在最终存在于所制造的金属化陶瓷基板芯片的表面上的金属配线图案单元上通过的情况下，若通过部位的厚度也处于上述范围中，则即使其他部位的厚度大于5μm也没有任何问题。

用于在陶瓷基板表面排列地形成多个上述那样的金属配线图案单元的方法没有特别限定，能采用如下方法：图案印刷金属膏状物而进行烧结的厚膜法、在陶瓷基板上配置掩模后溅射或蒸镀金属的方法、在陶瓷基板的表面溅射或蒸镀金属后蚀刻不需要部分的方法、另外能采用将上述方法和电镀法组合使用的方法等。能通过控制所涂敷的金属膏状物的厚度、蒸镀金属的时间、或进行电镀的时间将切断预定线所通过的部分的金属层的厚度调整在规定的范围中即可。另外，该金属层也能在以大于5μm的厚度进行膜形成之后采用蚀刻、磨削等方法使该部分薄膜化。

在工序(A)中所准备的原料基板上，对于与切断开始面相反一侧的面没有特别限定，既能完全未形成有金属层，也能整面被1层金属层覆盖，还能排列配置有多个与表面相同或不同的金属配线图案单元。通常在用于装设LD、LED的基板上，多在元件装设面上形成有复杂的图案，要求该面具有高尺寸精度。与此相对，在相反一侧的面(背面)上，为了绝缘而完全没有形成电极、或为了进行焊锡接合而整面形成有金属层的情况均基本相同，并不要求有上述那样高的尺寸精度。因此，在工序(C)中切断(断裂)基板的情况下，即使龟裂并非垂直行进，而是从切断预定线产生偏移，也没有问题。

在工序(B)中，在工序(A)所准备的原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过。接下来，使用“通过沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成有V字型的刀刃而成的切割轮”，在该切断预定线上形成深度为0.1μm～5μm的槽。在切断预定线并未在金属层上通过、而只在陶瓷基板的表面通过的情况下，公知能利用以往的划线法没有特别问题地进行切断，并非为本发明的方法的涉及对象。另外，在切断预定线在金属层上通过的情况下，当该槽的厚度大于5μm时，由于在该情况下无法进行整齐的切断，因此优选切断预定线不在厚度大于5μm的金属层上通过，更优选为不在厚度大于3μm的金属层上通过。

在工序(B)中在切断预定线上形成槽(划线槽)的情况下，需要使用由旋转式的刀刃形成的划线器、即、具有“沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃的切割轮”的划线器。在划线器为具有固定刀刃这一类型的情况下，金属层被切削，产生碎屑，碎屑附着在配线图案上，从而有时降低电气性的可靠性。在采用具有旋转式刀刃的划线器的情况下，刀刃不会挂卡金属层，实质性地只利用推压的力形成槽，因此不会产生上述问题。上述的产生碎屑的问题特别在采用了由柔软的金形成金属层的最上层表面的原料基板时，较为显著，本发明的方法在使用上述原料基板时尤其有效。

适合使用由金刚石、超硬合金构成的材料作为沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃的切割轮的刀刃。轮的形状最好是算盘珠的形状，刀尖的开角为100度～130度。若开角变小，则划线槽的宽度变小，刀的使用寿命变短。轮的直径最好为1mm～5mm，若轮的直径变大，则与基板相接触的面积增加，因此作为龟裂产生源的微小裂缝难以进入。例如在专利文献7上公开了一种采用上述切割轮的划线器。

在工序(B)中，对上述切割轮施加负荷而使其在基板的切断预定线上滚动，从而形成槽(划线槽)。优选形成槽时的刀尖负荷为0.049N～4.9N，特别优选为0.98N～2.45N。另外，优选移动速度(划线速度)为10mm/s～200mm/s，特别优选为100mm/s～150mm/s。优选在切断较厚的基板时，施加较大的负荷。其中，为了抑制屑片(角部上的陶瓷的微细碎片)的产生，最好减小负荷而增加划线次数。考虑到切断的位置精度以及切断的可靠性，将划线槽的深度设定为0.μm～5μm，优选为0.2μm～3μm。在划线槽的深度大于5μm的情况下，在划线槽的底部的陶瓷基板上产生大量微小的龟裂或龟裂产生源，在进行切断时龟裂会向各方向传播，从而有切断位置精度下降(距离切断预定线的偏移变大)、或易于产生屑片的倾向。

在上述切割轮中，刀刃沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成为V字型，但连结V字的顶点的线(棱线)并非一定是完整的圆。例如，上述专利文献7中的轮为16～300边形。因此，在工序(B)中所形成的划线槽是点状的凹部连续而成的。上述形态在本发明中也作为槽进行处理。为了进行良好的切断，优选在所形成的槽中点状凹部紧密地连结，为此，优选在形成划线槽时，使切割轮沿着切断预定线反复地通过多次。通过使切割轮通过2次～5次，能形成连续的线状的槽。另外，如上所述由于划线槽是点状的凹部连续而成的，因此若进行微观观察，则会发现根据位置的不同其深度也不同。在本发明中，将通过了槽截面上的最深部分(在槽为V字形的情况下，指中央部)的整个线后得到的(距离形成有槽的基板表面的)平均深度作为槽的深度。作为简便的方法，能在使用金属显微镜观察槽时，根据将焦点对准槽底部时、和将焦点对准基板表面时的透镜的高低差来决定槽的深度。另外，能采用如下方法作为更高精度的深度测量法：使用激光显微镜、显微镜激光位移计、原子力显微镜、电子显微镜等测量槽的深度分布，根据其结果求得平均深度。能通过调整刀尖负荷、划线速度、通过切断预定线的次数来控制划线槽的深度。另外，在槽通过陶瓷部和金属层部这两者的情况下，在陶瓷部和金属层部上的深度大多不同，在该情况下，槽的各部分的深度在上述范围内即可。另外，在金属层上形成有槽的情况下，在金属层上复制有刀刃的形状，槽的形状变成V字形，在其基底的陶瓷层上形成有龟裂产生源。形成在陶瓷部上的槽的形成并不一定为V字形，但暴露于表面的陶瓷部上形成的槽能作为截面的中央部近旁最深的凹部检测出。考虑到能进行良好的切断，优选形成在金属层上的划线槽的深度为基底金属层的厚度的10％～100％，特别优选为20％～80％。

当在原料基板上分别等间隔地直线状纵横排列金属配线图案的情况下，将划线槽形成为格子状或棋盘格状即可。在形成上述槽的情况下，能使基板或旋转自如地轴固定有切割轮的刀头中的任意一个滑动，使切割轮与基板相抵接而使基板沿着切割轮的旋转方向(Y轴方向)移动，从而形成划线槽。之后，在暂时解除切割轮的抵接后使基板或刀头以规定间隔进行滑动，之后同样地形成另一划线槽。并且能在结束形成所有的Y轴方向的划线槽时，使基板或刀头旋转90度，同样地沿与Y轴垂直的轴(X轴)向形成划线槽。

在工序(C)中，在上述工序(B)中形成有槽的原料基板上，自与切断开始面相反一侧的面施加负荷，从而沿着该槽切断原料基板。通过自基板的与切断开始面相反一侧的面施加负荷，能使因槽的形成而产生的龟裂大致向垂直方向传播，从而在该面上也能进行大致沿着切断预定线的切断。为了进行尺寸精度更高(从切断预定线偏移少)的切断，优选将刀刃抵接于划线槽的最深处，从而通过对该刀刃施加负荷来进行切断。

这样的切断能采用例如上述专利文献5所公开的这样一种切断装置而较佳地进行：“该切断装置包括基板保持部、基座部、刀片安装部、驱动部、待机部、待机停止部和突出设置部；上述基板保持部用于保持基板；上述刀片安装部在下部安装有用于切断基板的刀片，并且能相对于上述基座部沿铅直方向移动；上述驱动部使上述基座部沿铅直方向移动，使上述刀片靠近上述基板或离开上述基板；上述待机部配置在上述刀片安装部的上方，能沿着设在上述基座部上的导向装置沿铅直方向滑动，并通过下降动作使上述刀片安装部向上述基板侧移动；上述待机停止部能使上述待机部停止在期望的高度位置上；上述突出设置部突出设置在上述基座部上，用于载置有上述刀片安装部，使上述刀片安装部的下降停止”。另外，在该装置中采用使用了待机部的特殊部件作为借助刀片对基板施加负荷的部件。另外，例如也能使用采用了这样的方法的装置：以恒定速度使配置在基板上方的刀片下降而使刀片与基板相抵接，以规定时间对基板施加规定负荷之后，再使刀片上升。

另外，为了使刀片抵接在划线槽的最深处，能在基板保持部的作为刀片正下方的部分上设置对应于刀片的形状的狭缝，在基板保持部上以使形成有划线槽的面(切断开始面)朝向下侧的方式设置基板，并且在使基板向水平方向移动的同时利用摄像机等观察狭缝部，从而检测槽的通过，在槽的位置与狭缝位置对准时，停止基板的移动即可。依次使基板滑动而反复同样的操作，从而进行基板的X轴方向(或Y轴方向)的切断，之后使被切断下来的基板旋转90度而进行Y轴方向(或X轴方向)的切断，从而能制造金属化陶瓷基板芯片。

此时，将基板压靠在狭缝部上，因此有时在喷镀金属面上产生缺陷。因此，采用将保护片贴在喷镀金属面上来抑制缺陷的产生的方法。该保护片能采用市面上出售的PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)薄膜，厚度最佳为20μm～70μm。

另外，根据陶瓷的种类、划线槽的深度、基板的厚度来改变借助刀片对基板的与形成有划线槽的面(切断开始面)相反一侧的面施加负荷时的负荷，因此优选预先进行试验来决定最佳的负荷，通常所采用的负荷为0.98N～49N的范围。

在本发明的方法中，以避免在切断时金属化陶瓷基板芯片变得零乱、增强切断时的操作性为目的，(1)还包括贴片工序(A+)，其将与切断开始面相反一侧的面作为接合面而将上述原料基板贴在粘着片上，在上述工序(B)之前进行该工序(A+)，或(2)还包括工序(B+)，其将原料基板的与切断开始面相反一侧的面作为接合面而将上述工序(B)形成有槽的原料基板贴在粘着片上，在上述工序(C)之前进行该工序(B+)。

考虑到工序(B)的操作性以及槽形成后的原料基板的处理容易性，优选采用(1)的实施方式。在并未将原料基板贴在粘着片上来进行工序(B)的情况下，结束纵(或横)向的槽形成后使基板旋转90度而欲沿横(或纵)向形成槽时、或在槽加工结束后直到进行工序(C)的期间中，若由于某些主要原因，沿与主表面垂直的方向对原料基板施力，则有时基板沿着槽裂开。与此相对在(1)的实施方式中，不仅能抑制上述裂开的发生，而且即使裂开，由于裂开的基板不会变得零乱，因此易于处理。并且，在(1)的实施方式中，也能够获得防止在工序(B)中原料基板的与切断开始面相反一侧的面受到损伤、或弄脏这样的保护效果。

另外，考虑到能够可靠地在金属层的基底的陶瓷层上产生龟裂产生源，优选(2)的实施方式。在(2)的实施方式中，与(1)的实施方式不同，在形成划线槽时，由于粘着片不会成为垫片，因此不仅使为了形成期望深度的槽而所需的负荷小于(1)的实施方式即可，而且还能够可靠地形成深度恒定的槽。

作为粘着片，能无特别限定地使用以往的芯片粘贴片所使用的粘着片。出于能适当调整粘着力这样的理由，最好使用这样的粘着片：在表面上具有由通过照射紫外线而固化的羧酸脂系粘着材料构成的粘着材料层。这种片在市面上有售，能作为产业上的用途而获得。上述片通常具有以5μm～50μm的厚度涂敷羧酸脂系粘着材料层后而形成的构造，该羧酸脂系粘着材料层通过在由合成树脂构成的单层或多层基体材料片上照射紫外线而固化，该合成树脂为厚度10μm～200μm左右的PVC(聚氯乙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PO(聚烯烃)、或EVA(乙烯-醋酸乙烯共聚物)等。

通过采用上述(1)或(2)的方法，能制造在粘着片上排列粘贴(粘贴设置)多个金属化陶瓷基板芯片而成的金属化陶瓷基板芯片粘贴(粘贴设置)片。通过形成金属化陶瓷基板芯片粘贴(粘贴设置)片，易于进行金属化陶瓷基板芯片在流通时以及使用时的处理。优选在制造金属化陶瓷基板芯片粘贴(粘贴设置)片时，利用紫外线照射等方法实施用于调整粘着层的粘着力的处理，以使芯片不会在结束原料基板的切断后的流通过程中脱落，另外以在使用时可简单地使其自片剥落(能简单地拾取)的适当强度将一个一个的芯片粘贴在片上(参照日本特开2003-249464号公报)。

在这样的本发明的方法中，在采用了将最终存在于所制造的金属化陶瓷基板芯片表面的金属配线图案的一部分切断的方法的情况下，在工序(B)中形成在金属层上的划线槽为V字形，在工序(C)的切断中龟裂自槽的底部传播，因此所制造的金属化陶瓷基板芯片的切断开始面的外周的至少一部分形成自该面向下0.1μm～5μm(参照图1，倒角斜面高度h)的斜面(进行倒角加工)。并且，该倒角加工而成的斜面的表面的至少一部分由金属形成，而且形成为在金属层上没有毛边、剥落、缺口这样的缺陷的金属化陶瓷基板芯片。另外，在金属层上形成划线槽时，借助圆盘状旋转型轮的刀刃而施加的负荷使金属层发生变形，金属层在槽缘上有稍微隆起的倾向。

另外，在本发明的方法中，尤其能在切断开始面上进行尺寸精度以及位置精度高的切断，在将切断预定线设为直线的情况下，能使实际的切断线的从切断预定线的偏移为20μm以下、更优选为10μm以下。即，上述金属化陶瓷基板芯片是主表面形状为矩形的板状体，切断开始面的构成矩形的边的直线性以相对于切断预定线(直线)的变动(偏移)幅度表示，为±20μm以下(另外+是指自切断预定线向左右任意一方侧的偏移，-是指与该一方相反一侧的偏移)、更优选为±10μm以下。

通常用于装设LD元件、LED元件的金属化陶瓷基板芯片在装设(接合)了上述元件之后，被安装在更大的配线基板上进行使用。近年来，对最终产品的小型化的要求较高，安装到上述配线基板上时也要求具有较高的位置精度。本发明的金属化陶瓷基板芯片由于具有上述较高的尺寸精度，因此也能充分应对上述要求。

实施例

下面，利用实施例进一步详细说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。

实施例1

工序(A)：准备每边为2英寸(5.08cm)的正方形(有时也表示为2英寸见方。)且厚度为0.5mm的氮化铝烧结体基板，利用溅射法在该基板的正反两面的整个表面上形成金属层。此时，金属膜为3层构造，自基底层开始、形成厚0.1μm的Ti层为第1层、形成厚0.2μm的Pt层为第二层、形成厚1.0μm的Au层为第三层(最上层)。之后，在基板的作为切断开始面的一面(将该面视为正面)的表面上涂敷了抗蚀剂之后，使用以1.1mm的间距(指上下以及左右相邻的孔和孔的中心之间的距离均为1.1mm)呈格子状排列有每边为0.6mm的正方形(有时也标记为0.6mm见方。)的孔而形成的掩模进行显影以及曝光，从而形成抗蚀剂图案。接下来，在形成有抗蚀剂图案的面的整个表面上蒸镀AuSn(Au＝80质量％)焊锡金属，形成厚5μm的焊锡层，接着剥离抗蚀剂层(在该抗蚀剂层上形成有焊锡层。)，从而制造出以1.1mm的间距呈格子状排列配置有0.6mm见方的焊锡图案的原料基板。

工序(B)：将在位于上述原料基板上的相邻的焊锡图案间的金属层(Ti：0.1μm/Pt：0.2μm/Au：1.0μm)上通过的直线(自1个焊锡图案的端部到该直线的距离为20μm的直线)视为切断预定线，使用划线器在该切断预定线上形成1μm深的V字形划线槽，上述划线器具有切割轮，该切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字形的金刚石制的刀刃而形成的。另外形成槽的条件为刀尖负荷：0.98N、划线速度：100mm/s、切割轮通过次数：2次。另外，划线槽在纵向和横向的两方向上形成为格子状(棋盘格状)，以使所有的焊锡图案独立。另外，利用激光显微镜测量划线槽的深度。另外，槽的深度是指自槽的最深部到原来的金属表面的高度(图1中的“h”。)。

工序(C)：将上述工序形成了划线槽的原料基板以背面朝上的方式放置在断裂装置上，借助刀片对划线槽的最深处施加负荷，从而切断基板。另外，上述断裂装置采用这样的方法：以恒定速度使配置在基板保持部所保持的基板的上方的刀片下降，从而使该刀片与基板相抵接，在以规定时间对基板施加规定负荷之后，再使刀片上升。另外，该断裂装置具有这样的机构：在基板保持部的处于刀片正下方的部分上设有对应于刀片的形状的狭缝，在使基板向水平方向移动的同时利用摄像机等观察狭缝部，从而检测槽的通过，在槽的位置与狭缝位置相对准时停止基板的移动。通过对所有的划线槽依次进行上述切断，制造出1.1mm见方的基板芯片。能无问题地利用所有切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。图1表示所获得的基板芯片的剖视图。

如图1所示，在所获得的基板芯片1中，在氮化铝烧结体基板5的正面2以及背面3的两面的整个表面上分别形成有金属层(Ti：0.1μm/Pt：0.2μm/Au：1.0μm)6以及7，在正面2的金属层6上形成有由1个焊锡层8构成的金属配线图案。

从上述那样制造的芯片中抽出50个，使用显微镜进行观察，发现切断面大致垂直，芯片正面2的周缘部朝向背面侧进行了倒角加工。倒角的斜面4显现划线槽的形状，自正面朝向下方(背面侧)的高度h(对应于划线槽的深度)为1μm，斜面4的表面由上述三层构造的金属构成。在基板芯片正面周缘部的金属层上出现隆起，该隆起距离芯片表面的最大高度为2μm。该金属层的隆起是在形成划线槽时产生的，因此该部分中的金属层与基板成为一体而紧密接合，不同于毛边，即切断金属时在金属片的端部产生的较薄的形成为锯齿的鳞状的金属屑。另外，50个芯片均没有金属层的缺陷(毛边、剥落、碎片)。并且，50个芯片的焊锡层到端部(端面)的距离d最小均为13μm、最大均为24μm。

实施例2

在实施例1的工序(A)中准备了原料基板之后，作为工序(A+)，将背面作为接合面，在厚度为90μm且面积比基板更大的粘着片上粘贴所获得的原料基板，形成原料基板粘贴片。之后，除了使用所获得的原料基板粘贴片之外，其他情况与实施例1的工序(B)同样，从而形成划线槽。形成槽的条件与实施例1相同，但是测量所形成的槽的深度后发现深度稍浅，为0.7μm。在结束形成划线槽之后，使用形成有划线槽的原料基板粘贴片，除此之外与实施例1的工序(C)同样地进行切断，制造出基板芯片。能无问题地利用所有的切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。另外，在切断时，特别是在纵向的切断结束、使基板旋转90度而进行横向的切断时，能不会使被切断的基板零乱且操作性良好地顺利进行切断作业。

对所获得的50个芯片进行了与实施例1相同的评价，发现倒角斜面的高度(对应于槽深度)为0.7μm，芯片正面周缘部上的金属层的隆起最大，为1.5μm，所有芯片均没有表面金属层的缺陷，切断线距离切断预定线的偏移在±7μm以内。

实施例3

与实施例1同样地实施工序(A)以及(B)，在原料基板的正面形成划线槽。之后，作为工序(B+)、将背面作为接合面，在厚度为90μm且面积比基板更大的粘着片上粘贴原料基板，形成原料基板粘贴片。之后，除了使用原料基板粘贴片之外，与实施例1的工序(C)同样地进行切断，制造出基板芯片。能无问题地利用所有切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。另外，在切断时、特别是在纵向的切断结束、使基板旋转90度而进行横向的切断时，能不会使被切断的基板零乱且操作性良好地顺利进行切断作业。

对所获得的50个芯片进行了与实施例1相同的评价，结果与实施例1相同。

比较例1(利用切割方法进行切断的例子)

与实施例1工序(A)同样地制造原料基板，对所获得的原料基板设定与实施例1的工序(B)相同的切断预定线。之后，使用0.1mm厚的金刚石刀片在切断预定线上进行切割，从而制作出1mm见方的芯片。能无问题地利用所有切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。但是，抽取50个所制成的基板芯片，进行了观察，发现在所有基板芯片的正面周缘部上均有毛边，该毛边的最大高度为14μm。另外，自焊锡层端部到切断面的距离最小为0.00mm、最大为0.039mm，并且在切断面上有屑片，有的部分形成碎片直到焊锡层的下部。

比较例2(激光切断的例子)

与实施例1工序(A)同样地制造原料基板，对所获得的原料基板设置与实施例1的工序(B)相同的切断预定线。之后，在切断预定线上照射激光从而形成0.1mm深的槽。以该槽为起点与实施例1的工序(C)同样地进行切断，制造出1.1mm见方的芯片。能无问题地利用所有切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。但是，观察所获得的基板芯片后发现，熔融的Au飞散到基板芯片的外周，弄脏该基板芯片，并且在焊锡层上附着有飞散物。

比较例3(采用了固定刀刃型的划线器的例子)

与实施例1工序(A)同样地制造原料基板，对所获得的原料基板设置与实施例1的工序(B)相同的切断预定线。之后，使用固定有金刚石刀刃的笔型的玻璃刀(划线器)形成划线槽。进行槽形成的条件与实施例1相同，但是在形成槽时表面金属层被切削而产生了金属屑。

比较例4(在背面形成有划线槽的例子)

与实施例1工序(A)同样地制造原料基板。之后，与实施例1的工序(B)同样地在所获得的原料基板的背面上形成划线槽。另外，此时的切断预定线是实施例1中的切断预定线的最深处。接下来，使原料基板的正面(形成有焊锡层的面)朝下地将基板放置在断裂装置上，除此之外与实施例1的工序(C)同样地进行切断，制造出1.1mm见方的基板芯片。能无问题地利用所有切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。但是，抽取50个所获得的基板芯片，与实施例1同样地进行了观察，发现虽然在基板正面的周缘部上没有毛边，但是正面上的切断预定线距离切断预定线的最大偏移为50μm，并且有的基板芯片的切断线的一部分到达了焊锡层。

比较例5(划线槽过深的情况)

在实施例1中，将工序(B)中的刀尖负荷设为9.8N，形成槽深为7μm的划线槽，除此之外与实施例1同样地制造出基板芯片。能无问题地利用所有切断预定线结束切断，制造预定个数的基板芯片。但是，抽取50个所制成的基板芯片，与实施例1同样地进行了观察，发现虽然在基板正面的周缘部上没有毛边，但是存在因陶瓷粒子的掉落而产生的屑片，该部分中的距离切断预定线的局部偏移最大为30μm。另外，基板芯片正面周缘部的金属层的隆起高度为2μm。

比较例6(金属层的厚度大于5μm的例子)

准备2英寸见方且厚度为0.5mm的氮化铝烧结体基板，利用丝网法将含有玻璃成分的Cu膏状物涂敷在该基板的单面的整个表面上。之后使膏状物干燥，再加热至800℃，进行烧结，形成了膜厚为20μm的铜膜。之后，在该铜膜上依次实施Ni以及Au电镀，形成1μm的Ni层以及0.3μm的Au层。之后，在所获得的金属层上涂敷抗蚀剂，与实施例1的工序(A)同样地以1.1mm的间距形成0.6mm见方的AuSu(Au＝80质量％)焊锡图案(厚度为5μm)，制造出原料基板。

使用这样获得的原料基板，与实施例1的工序(B)样地形成划线槽，与实施例1的工序(C)同样地进行了切断。但是，一部分的切断预定线无法进行充分的切断，只能获得预定个数的10％的基板芯片。

以上，与任务现阶段中最具实践性且优选的实施方式相关地对本发明进行了说明，但是本发明并不限于本说明书中所公开的实施方式，在不违反从权利要求以及说明书整体中所领悟的本发明的要点或发明构思的范围内，能进行适当的改变，必须理解为随着上述改变而形成的金属化陶瓷基板芯片的制造方法、金属化陶瓷基板、金属化陶瓷基板粘贴片、金属化陶瓷基板芯片、金属化陶瓷芯片粘贴片、以及该粘贴片的制造方法也属于本发明的技术范围。

产业上的可利用性

利用本发明的方法制造的金属化陶瓷基板芯片能用作用于装设激光二极管(LD)、发光二极管(LED)的基板。

Claims (14)

1.一种金属化陶瓷基板芯片的制造方法，用于将金属配线图案单元的边界作为切断预定线来切断由金属化陶瓷基板构成的原料基板，从而制造至少在一主表面上具有1个金属配线图案单元的金属化陶瓷基板芯片，该金属化陶瓷基板是在陶瓷基板的至少一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元而成的，其中，

该方法包括如下工序：

(A)准备金属化陶瓷基板作为上述原料基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元的至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；

(B)在上述原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成有V字型的刀刃而形成的，上述槽使上述陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂；以及

(C)在形成有槽的原料基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷从而沿着该槽切断原料基板。

2.根据权利要求1所述的金属化陶瓷基板芯片的制造方法，其中，

上述工序(B)是这样的工序：在上述原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成深度为0.1μm～5μm的槽，上述切割轮是沿着圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的。

3.根据权利要求1或2所述的金属化陶瓷基板芯片的制造方法，其中，

在上述工序(B)中，切断预定线所通过的厚度为0.1μm～5μm的金属层的表面由金形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的金属化陶瓷基板芯片的制造方法，其中，

该方法还包括工序(A+)，用于将与切断开始面相反一侧的面作为接合面而在粘着片上粘贴上述原料基板，在上述工序(B)之前进行该工序(A+)。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的金属化陶瓷基板芯片的制造方法，其中，

该方法还包括工序(B+)，其将原料基板的与切断开始面相反一侧的面作为接合面而在粘着片上粘贴在上述工序(B)中形成有槽的原料基板，在上述工序(C)之前进行该工序(B+)。

6.一种金属化陶瓷基板，其在陶瓷基板的表面上具有多个金属配线图案单元，其中，

在上述金属配线图案单元所存在的一侧的面上，沿着该金属配线图案单元的边界形成有使上述陶瓷基板的表面至少产生龟裂的那样的槽，且槽的侧面的至少一部分由金属形成。

7.一种金属化陶瓷基板，其在陶瓷基板的表面上具有多个金属配线图案单元，其中，

在上述金属配线图案单元所存在的一侧的面上，沿着该金属配线图案单元的边界形成有深度为0.1μm～5μm的槽，且槽的侧面的至少一部分由金属形成。

8.一种金属化陶瓷基板粘贴片，其中，

该金属化陶瓷基板粘贴片包括粘着片以及权利要求6或7所述的金属化陶瓷基板，将未形成有槽的一侧的面作为接合面，在该粘着片上粘贴该金属化陶瓷基板。

9.一种金属化陶瓷基板芯片，其至少在一主表面上具有1个金属配线图案单元，其中，

具有该金属配线图案单元的一面的外周的至少一部分被自该面朝向下方进行了0.1μm～5μm的倒角加工，且该倒角加工所形成的斜面的表面的至少一部分由金属形成。

10.一种金属化陶瓷基板芯片粘贴片，其中，

该金属化陶瓷基板芯片粘贴片包括粘着片以及多个权利要求9所述的金属化陶瓷基板芯片，将与形成有上述金属配线图案单元的一面相反一侧的面作为接合面，将该多个金属化陶瓷基板芯片以排列配置的方式粘贴在该粘着片上。

11.一种金属化陶瓷基板芯片粘贴片的制造方法，用于制造权利要求10所述的金属化陶瓷基板芯片粘贴片，其中，

该方法包括：

工序(I)，用于准备金属化陶瓷基板粘贴片，该金属化陶瓷基板粘贴片是将在陶瓷基板的至少一主表面上具有多个金属配线图案单元的金属化陶瓷基板以将其另一主表面作为接合面的方式粘贴在粘着片上而形成的；以及

工序(II)，用于将粘贴在上述粘着片上的金属化陶瓷基板切断；

上述工序(I)包括：

工序(A)，用于准备作为原料基板的金属化陶瓷基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元的至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；以及

工序(A+)，用于将与切断开始面相反一侧的面作为接合面而在粘着片上粘贴上述原料基板；

上述工序(II)包括：

工序(B)，用于在上述原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的，上述槽使上述陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂；以及

工序(C)，用于在形成有槽的原料基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷，从而沿着该槽切断原料基板。

12.根据权利要求11所述的金属化陶瓷基板芯片粘贴片的制造方法，其中，

上述工序(B)是这样的工序：在上述原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成深度为0.1μm～5μm的槽，上述切割轮是沿圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的。

13.一种金属化陶瓷基板芯片粘贴片的制造方法，用于制造权利要求10所述的金属化陶瓷基板芯片粘贴片，其中，

该方法包括：

工序(I)，用于准备金属化陶瓷基板粘贴片，该金属化陶瓷基板粘贴片是将在陶瓷基板的至少一主表面上具有多个金属配线图案单元的金属化陶瓷基板以将其另一主表面作为接合面的方式粘贴在粘着片上而成的；以及

工序(II)，用于将粘贴在上述粘着片上的金属化陶瓷基板切断；

上述工序(I)包括：

工序(A)，用于准备作为原料基板的金属化陶瓷基板，该金属化陶瓷基板在作为切断开始面的一主表面上排列配置有多个金属配线图案单元，该金属配线图案单元的至少一部分由厚度为0.1μm～5μm的金属层形成；

工序(B)，用于在原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成槽，上述切割轮是沿圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的，上述槽使上述陶瓷基板的切断开始面侧至少产生龟裂；以及

工序(B+)，用于将原料基板的与切断开始面相反一侧的面作为接合面而将在上述工序(B)中形成有槽的原料基板粘贴在粘着片上；

工序(II)含有工序(C)，该工序(C)在形成有槽的原料基板上自与切断开始面相反一侧的面施加负荷，从而沿着该槽切断原料基板。

14.根据权利要求13所述的金属化陶瓷基板芯片粘贴片的制造方法，其中，

上述工序(B)是这样的工序：在上述原料基板的切断开始面上设定切断预定线，该切断预定线在厚度为0.1μm～5μm的上述金属层的至少一部分上通过，使用切割轮在该切断预定线上形成深度为0.1μm～5μm的槽，上述切割轮是沿圆盘状旋转型轮的圆周部形成V字型的刀刃而形成的。

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