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CN101490611B - 显示装置 - Google Patents

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CN101490611B CN2007800275106A CN200780027510A CN101490611B CN 101490611 B CN101490611 B CN 101490611B CN 2007800275106 A CN2007800275106 A CN 2007800275106A CN 200780027510 A CN200780027510 A CN 200780027510A CN 101490611 B CN101490611 B CN 101490611B
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Abstract

本发明涉及显示装置，其能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示，并且能够减少在反射区域和透过区域在响应时间上产生差异。本发明的显示装置包括一对基板和夹持在所述基板之间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，所述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过所述像素电极和所述共用电极向显示介质施加电压，所述像素电极和所述共用电极设置有狭缝，设置所述狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。更详细地说，涉及能够适宜用于面内开关(IPS；In Plane Switching)模式或边缘场开关(FFS；Fringe FieldSwitching)模式的液晶显示的显示装置。
背景技术
液晶显示装置等显示装置被广泛利用于监视器、投影仪、便携式电话、便携式信息终端(PDA)等电子设备中。作为液晶显示装置的显示方式，例如，存在反射型、透过型、反射透过两用型。其中，在屋内等比较暗的环境下，主要使用利用背光源的光的透过型的液晶显示装置，在屋外等比较明亮的环境下，主要使用利用周围光的反射型的液晶显示装置。反射透过两用型的液晶显示装置因为能够进行透过显示和反射显示两者，能够在屋内以透过显示为主进行显示，在屋外以反射显示为主进行显示，所以不管屋内外在所有环境下，都可以进行高品位的显示，多搭载在便携式电话、PDA、数码相机等可移动设备中。在反射透过两用型的液晶显示装置中，作为显示模式，例如，使用垂直取向(VA；Vertical Alignment)模式。VA模式是通过当所施加电压断开时液晶分子与基板面垂直取向，当所施加电压接通时使液晶分子倒下进行显示的方式。
然而，在反射透过两用型中，因为反射光2次透过液晶层，但是透过光只透过液晶层1次，所以当将单元间隙优化设计为反射光用时，透过光的透过率约为最佳值的1/2。作为对它的解决方法，例如，公开有在反射区域和透过区域中形成使单元间隙不同的多间隙构造，减小反射区域中的液晶层厚度的方法(例如，参照专利文献1)。但是，在该方法中，因为需要在基板上设置凹凸构造，所以构造变得复杂，又因为在制造工序中要求高精度，所以存在进一步下工夫的余地。此外，在反射区域和透过区域中液晶分子的响应时间不同这方面也存在改善的余地。
另外在液晶显示装置中，除VA模式外，IPS模式和FFS模式也是众所周知的。IPS模式和FFS模式是由来自设置在一方的基板上的液晶驱动用的电极对的横电场使液晶动作进行显示的方式。在该方式中，因为使液晶分子在横方向(基板平行方向)旋转，所以能够增大视野角。关于IPS模式，也公开有反射透过两用型的液晶显示装置(例如，参照专利文献2)，但是它也具有多间隙构造，并没有解决上述课题。
专利文献1：日本特开平11-242226号专利公报
专利文献2：日本特开2005-338264号专利公报
发明内容
本发明鉴于上述现状而提出，本发明的目的是提供一种能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示，并且能够减少在反射区域和透过区域在响应时间上产生差异的显示装置。
本发明的发明人对能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮显示的显示装置进行了各种研讨后，着眼于反射区域和透过区域中的像素电极和共用电极的配置关系。然后，发现即使不设置多间隙构造，通过采用IPS模式、FFS模式等横向电场方式，在像素电极和共用电极上设置狭缝，将像素电极的狭缝设置在反射区域和透过区域，并且将共用电极的狭缝实质上仅设置在反射区域，能够使像素电极和共用电极之间产生的电场强度在反射区域中比在透过区域弱，由此发现能够在反射显示和透过显示中调整光的利用效率，从而想到能够很好地解决上述课题，达到本发明。
即，本发明是一种显示装置，其包括一对基板和夹持在上述基板之间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，上述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过上述像素电极和上述共用电极向显示介质施加电压，上述像素电极和共用电极设置有狭缝，设置上述狭缝的位置在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域(以下，也称为第一显示装置)。
以下详细阐述本发明。
本发明的第一显示装置包括一对基板和夹持在上述基板间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域。在本发明中，没有特别限定基板的种类和显示介质的种类，例如，能够举出以下方式：包括有源矩阵基板和彩色滤光片基板作为一对基板，包括夹持在这些基板之间的液晶层作为显示介质，其中，有源矩阵基板在基板上以扫描配线和信号配线交叉的方式进行配线，并且在其交点具有作为开关元件的TFT；彩色滤光片基板在每个像素具有R(红)G(绿)B(蓝)的着色层。此外，在液晶显示装置中，通常在它们外部设置有偏光板、背光源等。反射显示指的是使周围的光或从设置在显示面侧的前光源射出的光在显示装置内反射而进行显示的方式。透过显示指的是使从背光源射出的光透过进行显示的方式。反射区域和透过区域的大小和它们在像素内占据的比例，没有特别限定。本发明因为在1个像素内具有反射区域和透过区域，所以是反射透过两用型的显示装置。
本发明的显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过上述像素电极和上述共用电极向显示介质施加电压。向像素电极和共用电极构成的电极对施加电压时，在接近于像素电极和共用电极的显示介质产生平行于基板的横向电场，该电场进行显示介质的控制。
在本发明中，上述像素电极和共用电极设置有狭缝，设置上述狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域。即，在共用电极设置狭缝实质上仅设置在反射区域，此时，只要是在能够发挥本发明的作用效果的程度的范围之内，在透过区域也可以设置共用电极的狭缝。另外，优选共用电极在透过区域整个区域形成的方式。本说明书中的“整个区域形成”是指没有间隙地形成在整个面的情况。由此，本发明的显示装置，在反射区域中像素电极和共用电极为IPS模式的结构，在透过区域中像素电极和共用电极为FFS模式的结构。在本说明书中，所谓“IPS模式”是指像素电极和共用电极通过各电极的狭缝相互组合配置的方式。另一方面，“FFS模式”是指在像素电极和共用电极的任意一方设置有狭缝，在另一方实质上没有设置狭缝的方式。向这样的由像素电极和共用电极构成的电极对施加电压时，像素电极和共用电极之间产生横向电场。该电场的强度随像素电极和共用电极之间距离的增大而减弱。在液晶显示装置的结构上，成为IPS模式的结构的区域的像素电极和共用电极间的距离，能够比成为FFS模式的结构的区域的像素电极和共用电极间的距离容易加大。因此，通过使反射区域中的像素电极和共用电极的结构是IPS模式，透过区域中的像素电极和共用电极的结构是FFS模式，能够使反射区域中的像素电极和共用电极间的电场强度比透过区域中的像素电极和共用电极间的电场强度弱。由于液晶的取向程度根据电场强度而变化，所以可以利用其调节透过液晶中的光的利用效率。并且，像素电极和共用电极的狭缝如果保持一定的宽度，则其形状没有特别限定。另外，因为在一个像素构成IPS模式和FFS模式，所以像素电极和共用电极夹着绝缘膜等设置在不同的层。
作为上述共用电极的优选方式，例如可以举出在反射区域为梳齿状的方式。通过形成梳齿状，在像素电极与共用电极之间，能够高密度地形成横电场，能够高精度地控制显示介质。
作为在上述共用电极形成的狭缝的优选方式，例如可以举出周围全部被共用电极包围的方式、长方形的方式、长方形至少弯曲1次的形状的方式、锯齿形状的方式、圆弧状的方式、蛇行状的方式。基于这样的方式，在像素电极和共用电极之间能够高密度地形成横电场，能够高精度地控制显示介质。
作为上述像素电极的优选方式，例如可以举出梳齿状的方式。与上述相同，通过形成梳齿状，能够高密度地形成横电场，能够高精度地控制显示介质。
作为在上述像素电极形成的狭缝的优选方式，例如可以举出周围全部被像素电极包围的方式、长方形的方式、长方形至少弯曲1次的形状的方式、锯齿形状的方式、圆弧状的方式、蛇行状的方式。与上述相同，通过形成这样的形状，能够高密度地形成横电场，能够高精度地控制显示介质。
作为在上述像素电极形成的狭缝的其他优选方式，可以举出与像素电极的狭缝实质上相同形状的方式。通过这样，能够使在共用电极的狭缝和像素电极的狭缝相互啮合的各部位所产生的电场强度均匀，能够均匀地控制液晶的取向。并且，在本实施方式中“相同”指的是能够使各部位产生的电场强度实质上(不影响显示品位的程度)均匀的程度，指的是实质上相同。
作为在上述像素电极形成的狭缝的其他优选方式，可以举出宽度在反射区域比在透过区域大的方式。通过加大像素电极和共用电极的间隔，也能将像素电极和共用电极间产生的电场强度减弱，所以通过与本发明的方式相结合，能够更有效地使像素电极和共用电极之间产生的电场强度在反射区域中比在透过区域弱。
作为上述第一显示装置的优选方式，可以举出在反射区域，在像素电极和共用电极之间设置有屏蔽电极的方式。在本说明书中，所谓“屏蔽电极”，是存在于像素电极和共用电极之间，使像素电极和共用电极间的电位差发生变化的电极。通过在像素电极和共用电极间设置屏蔽电极，在像素电极和共用电极间产生的电位差比不设置屏蔽电极的情况减小，所以将其与本发明的方式相结合，能够更有效地使像素电极和共用电极之间产生的电场强度在反射区域中比在透过区域弱。作为屏蔽电极的材料，只要具有导电性则没有特别限定，但特别优选具有透光性的材料。例如，优选使用铟锡氧化物(ITO；Indium Tin Oxide)等金属氧化物。另外，屏蔽电极只要能设置在像素电极和共用电极之间，则其大小和形状没有特别限定。
上述屏蔽电极优选接地。通过接地，在屏蔽电极上的电压能够固定保持在0V。通过将屏蔽电极接地使屏蔽电极的电位是0V，能够有效地缩小像素电极和共用电极之间的电位差。
本发明还是一种显示装置，其包括一对基板和夹持在上述基板间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，上述显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过上述像素电极和上述共用电极向显示介质施加电压，上述像素电极和共用电极设置有狭缝，设置上述狭缝的位置，在像素电极是反射区域，在共用电极是反射区域和透过区域(以下，也称为第二显示装置)。这样，即便是共用电极的狭缝在反射区域和透过区域都设置、并且像素电极的狭缝实质上仅设置在反射区域的本发明的第二显示装置，也能达到与像素电极的狭缝在反射区域和透过区域都设置、并且共用电极的狭缝实质上仅设置在反射区域的本发明的第一显示装置相同的效果。另外，在本发明的第二显示装置中，也同样优选像素电极在透过区域整个区域形成。并且，像素电极和共用电极的狭缝如果保持一定的宽度，则其形状没有特别限定。另外，因为在一个像素构成FFS模式和IPS模式，所以像素电极和共用电极夹着绝缘膜等设置在不同的层。
作为上述像素电极的优选方式，例如可以举出在反射区域为梳齿状的方式。另外，作为在上述像素电极形成的狭缝的优选方式，例如可以举出周围全部被像素电极包围的方式、长方形的方式、长方形至少弯曲1次的形状的方式、锯齿形状的方式、圆弧状的方式、蛇行状的方式。而且，作为上述共用电极的优选方式，例如可以举出梳齿状的方式。另外，作为在上述共用电极形成的狭缝的优选方式，例如可以举出周围全部被共用电极包围的方式、长方形的方式、长方形至少弯曲1次的形状的方式、锯齿形状的方式、圆弧状的方式、蛇行状的方式。如上所述，列举了本发明的第二显示装置的优选方式，但由于这些方式是将本发明的第一显示装置的优选方式中的共用电极换成像素电极、像素电极换成共用电极而形成，所以省略详细说明。
作为在上述共用电极形成的狭缝的优选方式，可以举出与像素电极的狭缝实质上相同形状的方式。通过这样，与本发明的第一显示装置的情况相同，能够使在共用电极的狭缝和像素电极的狭缝相互啮合的各部位所产生的电场强度均匀，能够均匀地控制液晶的取向。
作为在上述共用电极形成的狭缝的优选方式，可以举出宽度在反射区域比在透过区域大的方式。通过这样，与本发明的第一显示装置的情况相同，能够更有效地使像素电极和共用电极之间产生的电场强度在反射区域中比在透过区域弱。
作为上述第二显示装置的优选方式，可以举出在反射区域，在像素电极和共用电极间设置有屏蔽电极的方式。通过这样，与本发明的第一显示装置的情况相同，能够更有效地使像素电极和共用电极之间产生的电场强度在反射区域中比在透过区域弱。并且，上述屏蔽电极优选接地，通过这样，能够更容易调整电压。
根据本发明的显示装置，能够不设置多间隙构造地以反射显示和透过显示两者进行明亮的显示。此外，因为不需要设置多间隙构造，所以能够减少在反射区域和透过区域在液晶分子的响应时间上产生差异。
附图说明
图1是构成实施方式1的液晶显示装置的1个像素的平面模式图。
图2是图1所示的虚线A-B的剖面模式图。
图3是表示实施方式1的无电压施加时的偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系的模式图。
图4是表示实施方式1的施加电压时的反射区域中的偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系的模式图。
图5是表示实施方式1的施加电压时的透过区域中的偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系的模式图。
图6是表示实施方式1的变形例(长方形的狭缝弯曲1次的形状)的电极(像素电极和共用电极)的平面模式图。
图7是表示实施方式1的变形例(长方形的狭缝弯曲2次的形状)的电极(像素电极和共用电极)的平面模式图。
图8是表示实施方式1的变形例(长方形的狭缝弯曲3次的形状)的电极(像素电极和共用电极)的平面模式图。
图9是表示实施方式1的变形例(狭缝为圆弧状)的电极(像素电极和共用电极)的平面模式图。
图10是表示实施方式1的变形例(狭缝为蛇行状)的电极(像素电极和共用电极)的平面模式图。
图11是表示实施方式1的变形例(狭缝的周围全部被电极包围)的电极(像素电极和共用电极)的平面模式图。
图12是表示实施方式1的像素电极和共用电极(狭缝为长方形)的模式图。(a)是平面模式图，(b)、(c)是(a)所示的虚线C-D的剖面模式图。
图13是表示构成实施方式2的液晶显示装置的像素电极和共用电极的平面模式图。
图14是表示构成实施方式3的液晶显示装置的像素电极和共用电极的模式图。(a)是平面模式图，(b)是(a)所示的虚线E-F的剖面模式图。
图15是表示构成实施方式4的液晶显示装置的像素电极和共用电极的平面模式图。
符号说明：
1：第一基板
2：第二基板
3：液晶层
4：像素电极
5：共用电极
6：彩色滤光片层
7：第一取向膜
8：扫描配线
9：共用配线(反射板)
10：第一绝缘层
11：信号配线
12：薄膜晶体管
13：第二绝缘层
15：第三绝缘层
16：第二取向膜
17：第一接触孔
18：第二接触孔
19：狭缝
20：反射光
21：透过光
22：第一偏光板
23：第二偏光板
24：第一相位差板
25：第二相位差板
26：第一偏光板的透过轴
27：第二偏光板的透过轴
28：第一相位差板的滞相轴
29：第二相位差板的滞相轴
30：液晶分子
31：梳齿状电极(长方形的狭缝弯曲1次的形状)
32：梳齿状电极(长方形的狭缝弯曲2次的形状)
33：梳齿状电极(长方形的狭缝弯曲3次的形状)
34：梳齿状电极(狭缝为圆弧状)
35：梳齿状电极(狭缝为蛇行状)
36：电极(狭缝的周围全部被电极包围)
50：屏蔽电极
T：透过区域
R：反射区域
具体实施方式
下面揭示实施力式，更详细地说明本发明，但是本发明并不只限定于这些实施方式。
(实施方式1)
实施方式1为本发明的第一显示装置的实施方式的一个例子，使用液晶显示装置。图1是构成实施方式1的液晶显示装置的1个像素的平面模式图，图2是图1所示的虚线A-B的剖面模式图。实施方式1的液晶显示装置如图2所示，包括第一基板1、第二基板2、和夹在这些基板间的液晶层3。并且，第二基板2包括像素电极4和共用电极5，通过像素电极4和共用电极5向液晶层3施加电压。
第一基板1在液晶层3一侧依次设置有彩色滤光片层6和第一取向膜7。第一基板1例如可以使用玻璃基板。彩色滤光片层6重复排列有呈红、绿和蓝色的区域。并且，彩色滤光片层6也可以由4色以上的区域构成。由彩色滤光片层6造成的凹凸可以由树脂制造的平坦化层等被平坦化。第一取向膜7规定接近的液晶层3的取向方向。
第二基板2在液晶层3一侧，设置有扫描配线8、共用配线(反射板)9、第一绝缘层10、信号配线11、薄膜晶体管12、第二绝缘层13、共用电极5和第三绝缘层15，而且在液晶层3一侧设置有像素电极4和第二取向膜16。第二基板2与第一基板1相同，例如可以使用玻璃基板。扫描配线8和信号配线11隔着第一绝缘层10形成在不同的层，并且正交。薄膜晶体管12位于扫描配线8和信号配线11的交叉部附近。其构造为栅极电极下置型构造，栅极电极与扫描配线8连接，源极电极与信号配线11连接，漏极电极通过第一接触孔17与像素电极4连接。薄膜晶体管12的沟道部形成在非晶硅层。共用配线9与扫描配线8平行设置，通过第二接触孔18与共用电极5连接。
像素电极4在像素整体呈梳齿状，梳齿(突出部)形成为直线状，具有与扫描配线8相平行的长方形狭缝19。另一方面，共用电极5在反射区域R形成为梳齿状，在透过区域T整个区域形成，由第三绝缘层15隔开位于像素电极4的下层。像素电极4和共用电极5是铟锡氧化物(ITO)形成的透明电极。共用电极5的狭缝与像素电极4的狭缝实质上是相同形状。在这样的实施方式1的液晶显示装置中，向像素电极4和共用电极5施加电压时，在液晶层3形成横向电场，液晶层3产生取向变化。由此，控制透过液晶层3的光。
共用配线9具有向显示区域一侧突出的构造，如图2所示，对反射光20进行反射。来自背光源的透过光21透过透过区域T。在实施方式1中，通过将共用配线9等配线用作反射板，可以起到减少制造工序的效果。如果共用配线9用高反射率的铝形成，可以得到更明亮的反射显示。并且，可以另外形成铝、银合金等的反射板，来代替将共用配线9用作反射板。另外，在实施方式1中，如图.2所示，为了缩短透过区域T和反射区域R的边界，以边界与像素短边平行的方式配置透过区域T和反射区域R。
实施方式1中，在透过区域T和反射区域R使用相同材料的像素电极4和共用电极5，但是在反射区域R中形成IPS模式的构造，与此相对，在透过电极T中形成FFS模式的构造。由此，即便使用相同材料的像素电极4和共用电极5，在透过区域T和反射区域R施加在液晶层3的电压也不同，不用在反射区域R另外设置台阶形成层来改变液晶层3的厚度(多间隙构造)，就能够进行反射显示和透过显示。在像素电极4的更接近液晶层3一侧存在第二取向膜16，与液晶层3接近并规定其取向方向。
其次，用图3、图4、图5说明偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系。图3表示无电压施加时的偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系。图4表示施加电压时的反射区域中的偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系。图5表示在施加电压时的透过区域中的偏光板、相位差板和液晶分子的配置关系。
在实施方式1中，如图2所示，在第一基板1的与液晶层3相反的一侧，以及在第二基板2的与液晶层3相反的一侧，配置有第一偏光板22和第二偏光板23，其各自的透过轴26、27正交。并且，第一基板1和第一偏光板22之间配置有第一相位差板24，第二基板2和第二偏光板23之间配置有第二相位差板25。
此时，如图3所示，第一相位差板24的相位差是4分之1波长，其滞相轴28设定成相对于液晶分子30的取向方向顺时针旋转45度。第一偏光板22的透过轴26设定成与液晶分子30的取向方向平行。第二相位差板25的相位差是4分之1波长，其滞相轴29配置成与第一相位差板24的滞相轴28正交。
在反射区域R，施加在像素电极4和共用电极5的电压不足阈值时，液晶层3与第一偏光板22及第一相位差板24的叠层体作为圆偏光板发挥功能。透过第一偏光板22的直线偏光在透过第一相位差板24后成为圆偏光。然后，在经反射板反射后，成为与入射时相反方向的圆偏光，再次入射第一偏光板22时，成为振动方向相对于第一偏光板22的透过轴26垂直的直线偏光，所以被第一偏光板22吸收而能够得到暗显示。另一方面，施加在像素电极4和共用电极5的电压超过阈值时，如图4所示，液晶分子30以顺时针旋转规定的角度θ发生取向变化。由此，入射光被反射板14反射后，再次入射第一偏光板22时，成为振动方向平行于第一偏光板22的透过轴的直线偏光，所以不被第一偏光板22吸收而得到亮显示。
在透过区域T，由于第一相位差板24和第二相位差板25正交，所以从第一基板1的法线方向看的相位差为0，不影响从该方向看时的显示。施加在像素电极4和共用电极5的电压不足阈值时，液晶分子30的长轴与第二偏光板23的透过轴27正交，所以透过第二偏光板23的直线偏光是相对于第一偏光板22的透过轴26垂直的直线偏光，所以被第一偏光板22吸收而得到暗显示。另一方面，施加在像素电极4和共用电极5上的电压超过阈值时，如图5所示，液晶分子30以顺时针旋转规定的角度2θ发生取向变化。在入射第一偏光板22时，成为振动方向平行于第一偏光板22的透过轴26的直线偏光，所以不被第一偏光板22吸收而得到亮显示。
第一相位差板24和第二相位差板25通过使用折射率的波长分散性少的材料，例如降冰片烯类的材料(JSR公司制，商品名：arton(ア一トン))，能够得到带颜色少的更黑的暗显示。
通过使以上这样制作的反射透过两用型液晶显示面板与驱动装置连接，在背后配置背光源等完成反射透过两用型液晶显示装置。
下面，说明实施方式1的变形例。
在本实施方式中，像素电极4和共用电极5的梳齿(突出部)的形状不仅限于图1所示的直线状，例如，也可以是图6～11所示的形状。图6所示的梳齿状电极31(像素电极4和共用电极5中的任意一方或者其两者)，在梳齿的中央具有折线状弯曲1次的V字形状，狭缝形状是长方形的狭缝弯曲1次的形状。图7所示的梳齿状电极32，梳齿具有两个折线状的弯曲.部，整体大致呈V字形状，狭缝形状是长方形的狭缝弯曲2次的形状。图8所示的梳齿状电极33，梳齿具有三个折线状的弯曲部，整体大致呈两个V字形状并列的形状，狭缝形状是长方形的狭缝弯曲3次的锯齿形状。图9所示的梳齿状电极34，具有梳齿的中央弯曲成圆弧状的形状，狭缝也为圆弧状。图10所示的梳齿状电极35，梳齿具有三个圆弧状的弯曲部，整体具有大致呈两个V字形状并列的形状，狭缝为蛇行状。另外，像素电极4也可以不是梳齿状，可以是如图11所示的设置有周围全部被像素电极包围的长方形的狭缝36的形状。
图12是表示实施方式1的像素电极4和共用电极5的模式图。图12(a)是像素电极4和共用电极5平面模式图，(b)、(c)是图12(a)所示的虚线C-D的两个剖面模式图。如图12(a)所示，像素电极4无论是在反射区域R还是在透过区域T，都形成为梳齿状，共用电极5在反射区域R形成为梳齿状，在透过区域T整个区域形成。像素电极4和共用电极5的剖面配置关系，并不仅限于如图12(b)所示的像素电极4形成在比共用电极5更接近液晶层3一侧的层的方式，也可以如图12(c)所示，共用电极5形成在比像素电极4更接近液晶层3一侧的层。
(实施方式2)
实施方式2是本发明的第一显示装置的实施方式的一个例子，使用液晶显示装置。图13是表示构成实施方式2的液晶显示装置的像素电极4和共用电极5的平面模式图。如图13所示，在实施方式2中，像素电极4的狭缝的宽度在反射区域R比在透过区域T大，除此以外和实施方式1相同。通过加大像素电极4和共用电极5的间隔，也能够减弱像素电极4和共用电极5之间产生的电场强度，所以结合在1个像素设置FFS模式的构造和IPS模式的构造的方法，能够更有效地使像素电极4和共用电极5之间产生的电场强度在反射区域R比在透过区域T弱。
(实施方式3)
实施方式3是本发明的第一显示装置的实施方式的一个例子，使用液晶显示装置。图14是表示构成实施方式3的液晶显示装置的像素电极4和共用电极5的模式图。图14(a)是像素电极4和共用电极5的平面模式图，(b)是图14(a)所示的虚线E-F的剖面模式图。如图14所示，在实施方式3中，位于反射区域R的像素电极4和共用电极5的梳齿之间设置有屏蔽电极50，除此以外和实施方式1相同。屏蔽电极50如图14(a)所示设置在反射区域R，并且如图14(b)所示，配置在设置有像素电极4的层和设置有共用电极5的层之间。通过这样在像素电极4和共用电极5之间设置屏蔽电极50，也能够将像素电极4和共用电极5之间产生的电场强度减弱，所以结合在1个像素设置FFS模式的构造和IPS模式的构造的方法，能够更有效地使像素电极4和共用电极5之间产生的电场强度在反射区域R比在透过区域T弱。而且，此时屏蔽电极50优选接地。
(实施方式4)
实施方式4是本发明的第二显示装置的实施方式的一个例子，使用液晶显示装置。图15是表示构成实施方式4的液晶显示装置的像素电极4和共用电极5的平面模式图。如图15所示，在实施方式4中，共用电极5在像素整体形成为梳齿状，像素电极4在反射区域R形成为梳齿状，在透过区域T整个区域形成。即，对于到上述内容为止的所有方式，像素电极4的构造和共用电极5的构造可以相互置换，在这样的方式中也因为在1个像素形成有FFS模式的构造和IPS模式的构造，所以能够达到本发明的效果。
并且，本申请以2006年7月21日申请的日本国专利申请2006-199667号为基础，基于巴黎公约或进入国的法规主张优先权。该申请的全部内容作为参考引入本申请中。
另外，本申请说明书中的“以上”包括该数值(边界值)。

Claims (38)

1.一种显示装置，其包括一对基板和夹持在该基板间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，其特征在于：
该显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过该像素电极和该共用电极向显示介质施加电压，
反射区域和透过区域的显示介质厚度相同，
该像素电极和共用电极设置有狭缝，
设置该狭缝的位置，在像素电极是反射区域和透过区域，在共用电极是反射区域，
所述共用电极在透过区域整个区域形成。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极在反射区域是梳齿状。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝的周围全部被共用电极包围。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是长方形。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是长方形至少弯曲1次的形状。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是锯齿形状。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是圆弧状。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是蛇行状。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极是梳齿状。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝的周围全部被像素电极包围。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是长方形。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是长方形至少弯曲1次的形状。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是锯齿形状。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是圆弧状。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是蛇行状。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝与共用电极的狭缝实质上是相同形状。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝宽度在反射区域比在透过区域大。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
在所述反射区域，像素电极和共用电极之间设置有屏蔽电极。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其特征在于：
所述屏蔽电极接地。
20.一种显示装置，其包括一对基板和夹持在该基板间的显示介质，并且在像素内形成有进行反射显示的反射区域和进行透过显示的透过区域，其特征在于：
该显示装置在一个基板上具备像素电极和共用电极，通过该像素电极和该共用电极向显示介质施加电压，
反射区域和透过区域的显示介质厚度相同，
该像素电极和共用电极设置有狭缝，
设置该狭缝的位置，在像素电极是反射区域，在共用电极是反射区域和透过区域，
所述像素电极在透过区域整个区域形成。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极在反射区域是梳齿状。
22.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝的周围全部被像素电极包围。
23.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是长方形。
24.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是长方形至少弯曲1次的形状。
25.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是锯齿形状。
26.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是圆弧状。
27.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述像素电极的狭缝是蛇行状。
28.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极是梳齿状。
29.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝的周围全部被共用电极包围。
30.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是长方形。
31.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是长方形至少弯曲1次的形状。
32.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是锯齿形状。
33.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是圆弧状。
34.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝是蛇行状。
35.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝与像素电极的狭缝实质上是相同形状。
36.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
所述共用电极的狭缝宽度在反射区域比在透过区域大。
37.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于：
在所述反射区域，像素电极和共用电极之间设置有屏蔽电极。
38.根据权利要求37所述的显示装置，其特征在于：
所述屏蔽电极接地。
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