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CN101409226B - 用于在清洁模块中垂直转移半导体基材的方法及设备 - Google Patents

用于在清洁模块中垂直转移半导体基材的方法及设备 Download PDF

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CN101409226B CN200810175057XA CN200810175057A CN101409226B CN 101409226 B CN101409226 B CN 101409226B CN 200810175057X A CN200810175057X A CN 200810175057XA CN 200810175057 A CN200810175057 A CN 200810175057A CN 101409226 B CN101409226 B CN 101409226B
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Abstract

本发明是提供一种基材处理器。于一实施例中，该基材处理器包括耦接于一轨道的一第一及第二载件。一具有两个抓持部的第一机器人则连接至该第一载件。一具有至少一抓持部的第二机器人则耦接至该第二载件。该第一载件可相对于第二载件独立地沿该导引件作定位。由于各载件具有独立的致动器，第一及第二机器人的移动便可分开以增加产量。基材处理器特别适用于具有集成基材清洁器的平坦化系统。

Description

用于在清洁模块中垂直转移半导体基材的方法及设备
本发明是提交于2006年5月11日，申请号为“200680009461.9”，题为“用于在清洁模块中垂直转移半导体基材的方法及设备”的专利申请的分案申请。
技术领域
本发明实施例大致是关于用于处理半导体基材的方法及设备。
背景技术
于制造现代半导体集成电路(ICs)的制程中，一般需要在先前所形成的层及结构上显影不同材料层。然而，先前的形成通常会在其后材料层位置的上表面留下不乐见的起伏(topography)。例如，当在先前所形成的层上印刷具有小几何形状的微影图案时，会需要浅的聚焦深度。因此，能有平坦表面就变的相当重要，否则会出现有些图案有聚焦而其它图案则无的情形。此外，若在特定制程步骤的前未整平不规则部分，基材的表面起伏会变的更不规则，在进一步制程期间所述层堆栈时会致生更多问题。取决于晶粒类型及所含几何形状的尺寸，表面不规则性会使得良率劣化及组件效能变差。因此，一般都希望在集成电路制造期间能达到某种平坦或研磨或薄膜的类型。
在集成电路制造期间用于平坦化薄层的一种方法为化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)。一般而言，CMP包含基材靠抵研磨材料的相对移动，以自基材移除表面不规则部分。研磨材料会浸润研磨液，而研磨液通常含有研磨物或化学研磨成分的至少一种。此制程可作电性辅助以电化学地于基材上平坦化导电材料。
一旦经研磨后，半导体基材会传送至一是列的清洁模块，以在研磨后移除黏附于基材上的研磨粒子及/或其它污染物。所述清洁模块必须在任何残余的研磨材料在基材上固化、并形成缺陷的前移除。此等清洁模块可能包括如超音波清洗器、洗涤器或洗涤器群以及干燥器。所述可将基材以垂直方向支撑的清洁模块则特别有利，因他们也利用重力在清洁制程期间强化粒子的移除，且也通常较为精简。
虽然目前的CMP制程已知为较耐用且可靠的系统，但系统设备的配置仍需基材以较线性的制程序列进行清洁。当使用单一基材处理器将基材移经清洁器时，基材通过清洁器的传送速度会受限。此外，在利用单一基材处理器的配置中，清洁模块及/或层间的化学物干扰(cross-talk)会减损清洁制程的效果。
因此，业界对于用于自动清洁系统中的多功能(versatile)基材处理器仍存有需求。
发明内容
本发明是提供一种基材处理器。于一实施例中，该基材处理器包括一第一及第二载件，可沿着一导引件作定位。一具有两个抓持部的第一机器人则连接至该第一载件。一具有至少一抓持部的第二机器人则耦接至该第二载件。该第一载件可相对于第二载件独立地沿该导引件作定位。由于各载件具有独立的致动器，第一及第二机器人的移动便可分开以增加产量。基材处理器特别适用于具有集成基材清洁器的平坦化系统。
于另一实施例中，本发明提供另一基材处理器。该基材处理器至少包含一轨道、一耦接至该轨道的一第一载件及一第二载件、一耦接至该第一载件且具有至少两抓持部的第一机器人、以及一耦接至该第二载件且具有至少一抓持部的第二机器人，其中该第一载件可相对于该第二载件独立地沿该轨道作定位。
于另一实施例中，是提供一种基材清洁系统。该基材清洁系统至少包含数个清洁模块；一第一垂直定位的机器人，设于数个清洁模块之上；以及一第二垂直定位的机器人，设于该数个清洁模块之上，其中该第一及第二机器人可选择性地定位于数个清洁模块的各者的上方，且其中该第一及第二机器人可垂直地移动，以与该些清洁模块的各者(不受其它清洁模块的影响)作接口联系。
于另一实施例中，本发明是提供一种用于清洁一基材的方法。该方法至少包含沿数个清洁模块上方的一第一移动轴定位一第一及第二机器人；自一输入模块取得一基材，并由该第一机器人将该基材置于一第一清洁模块中；自该第一清洁模块取得该基材，并由该第一机器人将该基材置于该第二清洁模块中；自该第二清洁模块取得该基材，并由该第一机器人将该基材置于第三清洁模块中；自该第三清洁模块取得该基材，并由该第二机器人将该基材置于一干燥器中；以及自该干燥器取得该基材，并由该第二机器人将该基材置于一输出模块中。
于另一实施例中，是提供一种方法，其包括使用至少两机器人以将所述基材移经一研磨系统的清洁器，其中一机器人可使所有基材传送器到达该清洁器的干燥模块。
附图说明
前述方式可详细了解本发明特征，本发明进一步的说明可参照实施方式及附加图示，其等若干是说明于权利要求中。然应注意的是，附加图示仅用于说明本案的一般实施例，故不应视为其范围的限制，且本发明亦涵盖其它任何等效实施例。
图1是说明半导体基材研磨及清洁系统的俯视图；
图2是绘示基材处理器的一实施例的前视图；
图3是图2基材处理器的俯视图；
图4是抓持部的一实施例的侧视图；以及
图5A-1是基材处理器于一操作模式中的概要图标。
为便于了解，图中尽可能以相同参考号标示相同组件。此外，实施例的组件也可能有利的适用于前述其它实施例中。
主要组件符号说明
100  平坦化系统           102  工厂接口
104  装载机器人           106  平坦化模块
108  控制器               110  中央处理单元
112  内存               114  支持电路
116  清洁器             118  晶片卡匣
120  界面机器人         122  基材
124  输入模块           126  平坦化表面
128  电化学机械平坦化站 130  第二ECMP站台
132  一CMP站台          134  旋转台
136  传送站             138  第一侧
140  机器底座           142  输出缓冲站
144  输入缓冲站         146  传送机器人
148  装载杯组件         150  数个支臂
152  平坦化头组件       156  输出模块
158  隔板               160  清洁模块
162  干燥器             164A 第一清洁模块
164B 第二刷洗模块       164C 第一刷洗模块
166  基材处理器         168  第一机器人
170  第二机器人         172  轨道
174  基材抓持部         176  第二抓持部
178  抓持部             180  度量系统
182  调整装置           188  经环境控制的封围件
202  载件               204  安装板
206  致动器             208  马达
210  传送带             212  滑轮
216A 平行轨道           216B 平行轨道
252  载件               254  安装板
256  致动器             258  马达
260  引导螺杆           272  轨道
302  螺帽               402  基材抓持装置
404  第一臂             410  第一臂
412  第二臂             414  托架
416  销                   418  抓持部致动器
522，524，526，528  基材  560  未处理基材
562  基材
具体实施方式
本发明是提供用于传送基材通过化学机械研磨(CMP)系统的清洁模块的设备及方法。虽然系统是描述具有至少两个适于平坦化一设置环绕中央基材传送装置的基材的处理站，但应可理解该系统也可以其它配置方式安排。此外，虽然下述实施例主要关于自一基材移除材料(例如平坦化或研磨的方式)，但应可理解此处教示也可用于其它制程系统，例如，电镀系统中需要将基材有效传送过集成清洁模块的处。
图1是平坦化系统100的一实施例的平面图，该平坦化系统100具有一用于电化学处理一基材的设备。该例示性系统100大致包含一工厂接口102、一装载机器人104以及一平坦化模块106。该装载机器人104邻设于工厂界面102及该平坦化模块106，以利基材122传送其间。
控制器108则设置以利控制及整合系统100的所述模块。该控制器108包含一中央处理单元(Central Processing Unit，CPU)110、一内存112以及数个支持电路114。该控制器108耦接至系统100的不同部件，以利控制例如平坦化、清洁及传送等制程。
工厂接口102通常包括一清洁器116及一或多个晶片卡匣118。接口机器人120则用以传送基材122于晶片卡匣118、清洁器116以及输入模块124之间。该输入模块124经设置以利通过抓持部(例如，真空抓持部或机械夹钳)传送基材122于平坦化模块106级工厂接口102之间。
平坦化模块106包括至少一化学机械平坦化(Chemical MechanicalPlanarizing，CMP)或垫化学机械平坦站台。于一实施例中，该平坦化模块106包括至少一大型电化学机械平坦(Electrochemical MechanicalPlanarizing，ECMP)站台128，且亦可选择的是，包括至少一个习知化学机械平坦化站台132，设于经环境控制的封围188中。适于受惠本发明的平坦化模块106范例包括
Figure G200810175057XD00051
MIRRA MESATM、
Figure G200810175057XD00052
Figure G200810175057XD00061
LK、以及REFLEXION LK EcmpTM化学机械平坦化系统，其等均由加州圣塔克拉拉市Applied Materials公司上市。其它包括所述使用制程衬垫、平坦化丝网或其组合物的平坦化模块以及所述可将基材相对于平坦表面移动(以旋转、线性或其它平面运动)的平坦化模块也可受惠于本发明。
于图1所示实施例中，该平坦化模块106包括一主要ECMP站台128、一第二ECMP站台130以及一CMP站台132。将导电材料自基材的主要移除动作是经由电化学分解制程于大型ECMP站台128处进行。在主要材料于大型ECMP站台128移除后，残余导电材料会经由一第二电化学机械制程于其余的ECMP站台130处移除。然应可理解的是，平坦化模块106中也可使用一个以上的剩余ECMP站台130。
习知化学机械平坦化制程是在剩余ECMP站台130处理后于平坦化站台132处进行。用于移除铜的习知CMP制程范例是描述于2002年9月17日所颁发的美国专利第6,451,697号中，其全文是合并于此以供参考。应可理解的是其它CMP制程也可交替进行。由于CMP站台本质上已为习知，为简明起见将省略其细部说明。
例示性平坦化模块106也包括一传送站136及一旋转台134，其等设于机械底座140的上或第一侧138上。于一实施例中，传送站136包括一输入缓冲站144、一输出缓冲站142、一传送机器人146以及一负载杯。工厂接口102可通过装载机器人104自工厂接口接收基材。装载机器人104也可用于将经研磨的基材自输出缓冲站142送返至工厂接口102。该传送机器人146则用以将基材移动于缓冲站144、142以及负载杯组件148之间。
于一实施例中，传送机器人146包括两抓持部组件，各具有气动式抓持爪，以固定基材边缘。传送机器人146可同步将欲处理的基材自输入缓冲站144传送至负载杯组件148，同时将经处理的基材自负载杯组件148传送至输出缓冲站142。可有效利用的传送站范例是描述于2000年12月5日授予Tobin的美国专利申请第6,156,124号中，其全文是合并于此以供参考。
该旋转台134设于底座140中心上。该旋转台134通常包括数个臂150，各者可支撑一平坦化的头组件152。图1所示的两个支臂150均以虚线表示，以便于看见大型ECMP站台128的平坦化表面126及传送站136。旋转台134应可标示(indexable)以让平坦化头组件152可移动于平坦化站台128、132以及传送站136之间。可有利使用的一种旋转台是描述于1998年9月8日授予Perlov等人的美国专利第5,804,507号中，其全文是合并于此以供参考。
调整装置182可设于底座140上，邻近各平坦化站台128、132。该调整装置182可周期性调整所述站台128、132中所设的平坦化材料，以维持均匀的平坦效果。
亦可选择的是，离开清洁器116的基材可在工厂接口102中所设的度量系统180上作测试。该度量系统180可包括光测量装置，例如由加州森尼维尔市的Nova Measuring Instruments公司所上市的NovaScan420。该度量系统180可包括一缓冲站(未示出)以利基材进出光测量装置或其它度量装置。前述适用缓冲站的一个是描述于2001年6月12日授予Pinson等人的美国专利第6,244,931号案中，其全文是合并于此以供参考。
清洁器116可自经研磨后的基材移除研磨残余物及/或研磨液。在清洁期间，基材通常通过基材处理器166移经数个清洁模块160。可受惠于本发明的一种清洁器是描述于2002年11月1日所申请的美国专利申请第10/286,404号案中，其全文是合并于此以供参考。于一实施例中，该清洁器116包括数个单一基材清洁模块160，及输入模块124、干燥器162以及设于数个清洁模块160上方的基材处理器166。该输入模块124可作为该工厂接口102、该清洁器116以及平坦化模块106之间的传送站。该干燥器162可干燥离开清洁器116的基材，并利于基材传送于该清洁器116及工厂接口102之间。该干燥器162可为旋布润湿干燥器(spin-rinse-dryer)。于另一实施例中，适用的干燥器162主要可为MESATM以及
Figure G200810175057XD00071
基材清洁器，两者均由加州圣塔克拉拉市Applied Materials公司所上市。
于图1所示实施例中，该清洁器116包括三个清洁模块160，以超音波清洁模块164A、第一刷洗模块164B以及第二刷洗模块164C绘示。然而，应可领会的是本发明也可使用结合任何模块数目的清洁系统。所述模块164A-C的各者是经配置以处理垂直向的基材，亦即，在大致垂直平面的经研磨表面中的一个。
于操作中，系统100是由接口机器人120将基材122自卡匣118的一个传送至输入模块124的方式启动。该机器人104接着将基材自输入模块124移出并将的传送至平坦化模块106，使基材同时于该处作水平方向的研磨。一旦基材研磨后，机器人104会自平坦化模块106将基材122取出并以垂直方向将的放入输入模块124。该基材处理器166可自输入模块124取出基材，并经由该清洁器116的至少一清洁模块160标示基材。在整个清洁制程期间，模块160的各者适于以垂直方向支撑基材。一旦经清洁，基材处理器166会将基材传送至输出模块156，于该处翻转至水平方位并由界面机器人120送返至所述卡匣之一。于另一实施例中，该干燥器162可由偏斜基材至一水平位置，并以接口机器人120将之上移以传送至卡匣118的方式作基材传送。亦可选择的是，该接口机器人120或基材处理器166可在基材返回至卡匣118的前将基材传送至度量系统180。
基材处理器166大致包括一第一机器人168及一第二机器人170。该第一机器人168包括至少一抓持部(图示两抓持部174、176)且是经配置以传送基材于至少该输入模块124及该清洁模块160之间。该第二机器人170包括至少一抓持部(图示一抓持部178)，且是经配置以传送基材于至少该清洁模块160的一个及该干燥器162之间。亦可选择的是，该第二机器人170可经配置以传送基材于该干燥器162及该度量系统180之间。
于图1所示实施例中，该基材处理器166包括一轨道172，耦接至一将卡匣118及界面机器人120与清洁器116分隔的隔板158。该机器人168、170是经配置以沿轨道172横向移动，以利进出该清洁模块160、干燥器162及输入模块124。
图2-3是绘示依据本发明一实施例的基材处理器166的前视及俯视图。该基材处理器166的该第一机器人168包括一载件202、一安装板204及基材抓持部174、176。该载件202是滑动地安装于轨道172上，并由致动器206沿该轨道172所界定的第一移动轴A1作水平驱动。该致动器206包括一马达208，耦接至一传送带210。该载件202连接至该传送带210。在马达208推进滑轮212(定位于清洁器116的一端)周围的传送带210时，载件202会沿轨道172移动以选择性定位该第一机器人168。该马达208可包括一编码器(未示出)以协助正确将该第一机器人168定位在输入模块124及各种清洁模块160之上。或者，该致动器206可为任何一种可控制载件202沿轨道172的位置的旋转或线性致动器。于一实施例中，该载件202是以线性致动器驱动，该致动器具有一传送带传送装置，例如日本东京THK公司所上市的GL15B线性致动器。于一实施例中，该传送带210可由一盖件(例如一壳体)围住，以避免传送带遭残余物及其它可能邻近基材处理器166的材料的污染(因其可能会接触到传送带210)。于一实施例中，该传送带210可封围在轨道内，以使其不受残余物及其它材料的污染。
安装板204耦接至载件202。该安装板204包括至少两个平行轨216A-B，抓持部174、176沿轨道的位置可沿第二及第三移动轴A2、A3独立致动。该第二及第三移动轴A2、A3方位垂直于第一轴A1。
图4为第二抓持部176的一实施例的侧视图。该抓持部174、178具类似配置。该第二抓持部176包括一基材抓持装置402及一致动器404。该致动器404可为引导螺杆、汽缸或其它适于定位抓持装置402沿轨道216A(以第二移动轴A2所界定的方向)的垂直位置的机械。于一实施例中，该致动器404为引导螺杆滑动组件，其亦为THK公司所上市。
该抓持装置402包括一第一臂410及一第二臂412，经配置以抓持垂直向基材的外边缘(如图4所示)。或者，抓持装置402可为机器式、具有静电吸盘、真空吸盘、边缘夹钳或其它基材抓持装置的终端作用器。于图4所示实施例中，该第一臂410是自托架414延伸出，同时地二臂412绕一延伸通过托架414的销416旋转。抓持部致动器418是耦接至第二臂412以控制臂412绕销416的转动，以选择性沿轴A6抓持及释放基材122(以虚线表示)于臂410、412的末端间。
基材处理器166的第二机器人170包括一载件252、一安装板254及抓持部178。该载件252安装于轨道172上，并以致动器256沿轨道172所定义的第一移动轴A1水平驱动。于第1-3图所示实施例中，该致动器256包括一马达258及引导螺杆260。当马达258转动时，连接至载件202的螺帽302(以虚线示于图3)会沿引导螺杆260推进，用以沿轨道172移动载件252以选择性定位第二机器人170。马达258可包括一边码器以协助正确地将第二机器人170定位在输出模块156、干燥器162及清洁模块160的至少一个之上。于第1-3图所示实施例中，该第二机器人170是经配置以将所有基材传送于第二刷洗模块164C及干燥器162之间。此习知方式可有效减少干燥器162暴露在第一清洁模块164A、164B中会将多数的污染物自经研磨的基材移除的化学物及其它物质。或者，致动器256可为任一种适于控制载件252沿轨道172位置的线性或转动致动器。
安装板254耦接至载件252。安装板254包括一轨道272，抓取器178沿该轨道的位置可沿第四移动轴A4作控制。该第四移动轴A4平行该第二及第三移动轴A2、A3且方位垂直该第一轴A1。该抓持部178可垂直至动并抓持基材，如先前有关图4所述抓持部176有关的叙述。就其本身而论，抓持部174、176及178的垂直位置及抓持动作可彼此独立控制。
参照图2-3，该基材处理器166的该第一及第二机器人168、170可相对于清洁器116沿至少三个移动轴移动：一水平(x轴-沿该轨道172，见第一轴A1)以及至少三个垂直(y轴-各用于三个独立控制的抓持装置174、176、178，见第二、第三及第四轴A2、A3、A4)。此外，各抓持装置具有一附加移动轴(Z轴-亦即，与基材平面区域共平面，如图4所示用于一抓持部者)，以沿该平面抓取基材，其中该附加移动轴垂直于轴A1-A4。
本发明基材处理器166的一优点在于各抓持部174、176、178的抓持装置可彼此独立移动，因此可改变清洁器内的制程顺序(亦即，基材通过模块160的次序)。此外，于一臂204上的两抓持装置206可能会于一清洁模块中进行基材交换，而不致影响其它模块中的制程或操作。
此外，在第二机器人170使用相同轨道174作为第一机器人时，相较于具有可相比能力的传送装置而言，基材处理器166的成本会降低。此外，当第二机器人170的移动范围及所需质量小于第一机器人168时，精确的滚珠螺杆致动器便适于第二机器人170的移动控制。较有利的是，滚珠螺杆致动器具有可重复、高精确移动并可产生较少粒子(与传送带驱动系统相比)。此外，在第一及第二机器人168、170的移动分离时(亦即，得以独立进行基材传送任务)，第一机器人168的基材传送器需求与具有单一机器人的基材处理器相比会降低百分之二十五，用以有效增加基材产量。本发明另一实施例中，第二刷洗模块164C及干燥器162间的专用基材传送可减少交叉污染，特别是在超音波及第一刷洗模块164A、164B具有化学污染物的情况下，用以减少基材在干燥期间污染的可能性。
操作基材处理器166的一种模式是概要图标于图5A-I。虽然清洁器116概要图示于图5A-I中是具有三个邻接的清洁模块164A-C，但应可理解清洁器116可包括任何数目的清洁模块160。
图5A是绘示一般处理基材期间自研磨模块106返回的清洁器116。于图5A所示实施例中，经处理的基材522、524、526、528分别置于输入模块124中，超音速模块164A及第一及第二刷洗模块164B-C。该第一机器人168是定位于输入模块124之上，同时该第二机器人170位于第二刷洗模块164C之上。
如图5B所示，第一机器人168的第二抓持部162可取得基材522。第二机器人170可自第二刷洗模块164C取得基材528。该第一机器人168可横向移动至超音速模块164A上的一位置，同时第二机器人170横向移动该干燥器162上的一位置。
如图5C所示，该第一抓持部174可取得置于超音速模块164A中的基材。一旦基材524自超音速模块164A移出，第二抓持部176会延伸以将取自输入模块124的基材置放于超音速模块164A中。同时，第二机器人170会将其抓持部178延伸以将取自第二刷洗模块164C的基材置放至干燥器162中，如图5D所示。
如图5E-G所示，经干燥的基材528是通过第二机器人170的第一抓持部178由干燥器162取出，并于输出模块156上横向移动至一位置。第二机器人170的抓持部178接着延伸以将基材置放于输出模块156，并于该处由接口机器人120作存取。
同样如图5E-G所示，该第一机器人168会横向移动以将基材定位于第一刷洗模块164B上方。该第二抓持部176会延伸以取出第一刷洗模块164B中的基材526。该第一机器人168的第一抓持部174接着延伸以将超音速模块164A取出的基材524置放至该第一刷洗模块164B中。
再参照图5E-G及图1，未经处理的基材560会由接口机器人120传送至输入模块124，同时经处理基材522、524、526、528则推进通过清洁器116。湿的机器人104接着自输入模块124取出基材560，并将基材500传送至平坦化模块106以进行处理。虽然第5E-G图是显示此装载平坦化模块106的顺序，但未经处理的基材在其它操作期间也可自卡匣118传送至平坦化模块106。
回到图5H-I，第一机器人168可将取自第一刷洗模块164B的基材526移至第二刷洗模块164C上方的一位置。该第二抓持部176会延伸以将基材526置放于第二刷洗模块164C中。在此同时，在处理后由平坦化模块106返回的基材562会置于输入模块124中，自清洁器116返回至图51所示状态。前述参考步骤可接着重复以持续传送基材通过清洁器116的各个模块160。
因此，本发明提出半导体基材清洁及研磨领域的重大改良。基材处理器适于支撑并传送垂直方向的基材，使其可配合清洁系统使用而减少占用空间。此外，处理器可作多轴的垂直移动，使其更多元且更易适用在各种基材处理程序中。
虽然前述是关于本发明的所述实施例，但本发明其它及进一步的实施例可于不悖离其基本精神下作修饰，且其范围应由权利要求决定。

Claims (5)

1.一种用于清洁基材的方法，其至少包含：
沿第一移动轴将第一及第二机器人定位于数个清洁模块之上；
自输入模块取得基材，并由该第一机器人将该基材置放于第一清洁模块中；
自该第一清洁模块取得该基材，并由该第一机器人将该基材置放于该第二清洁模块中；
自该第二清洁模块取得该基材，并由该第一机器人将该基材置于第三清洁模块中；
自该第三清洁模块取得该基材，并由该第二机器人将该基材置于干燥器中；以及
自该干燥器取得该基材，并由该第二机器人将该基材置于输出模块中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第一机器人更包括至少两抓持部，经配置以传送基材于至少一输入模块及第一清洁模块之间。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该第二机器人更包括至少一抓持部，经配置以传送基材于至少第二清洁模块及干燥器之间。
4.一种用于清洁基材的方法，包含：
利用至少一第一及第二机器人以移动所述基材通过研磨系统的清洁器，其中该第二机器人传送所有基材至该清洁器的干燥模块，其中利用第一机器人还包括：
利用第一机器人的第一抓持部将第一基材从第一清洁模块中移出；
横向移动第一机器人；以及
利用第一机器人的第二抓持部将第二基材置入第一清洁模块中。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，
第一机器人的两个抓持部在垂直于第一机器人的移动方向的方向上独立移动。
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