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CN101271666A - 用于有机电致发光发光部的驱动方法 - Google Patents

用于有机电致发光发光部的驱动方法 Download PDF

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CN101271666A CNA2008100827979A CN200810082797A CN101271666A CN 101271666 A CN101271666 A CN 101271666A CN A2008100827979 A CNA2008100827979 A CN A2008100827979A CN 200810082797 A CN200810082797 A CN 200810082797A CN 101271666 A CN101271666 A CN 101271666A
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Abstract

本发明披露了一种用于有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法，该有机EL显示装置包括：扫描电路、图像信号输出电路、共N×M个有机电致发光元件、M条扫描线、N条数据线和电流供给部。该驱动方法包括以下步骤：执行预处理；执行阀值电压消除处理；执行写处理；并且向有机电致发光发光部提供电流，从而驱动有机电致发光发光部。

Description

用于有机电致发光发光部的驱动方法
相关申请的交叉引用
本发明包含于2007年3月20日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-072504的主题，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于有机电致发光发光部的驱动方法。
背景技术
在有机电致发光装置(下文简称为有机EL元件)用作发光元件的有机电致发光显示装置(下文简称为有机EL显示装置)中，有机EL元件的亮度被流过有机EL元件的电流值所控制。因而，类似于液晶显示装置，在有机EL显示装置中，单纯矩阵方法和有源矩阵方法是广为所知的驱动方法。尽管与单纯矩阵方法相比，有源矩阵方法具有结构复杂的缺点，但是有源矩阵方法具有多种优点可以使图像的亮度增加。
作为用于驱动组成有机EL元件的有机电致发光发光部(下文中简称为发光部)的电路，例如，由五个晶体管和一个电容器构成的驱动电路(下文中称为5Tr/1C驱动电路)被广为所知并在第2006-215213号日本专利公开中有所披露。参考附图2，示出了所述的现有5Tr/1C驱动电路。5Tr/1C驱动电路包括图像信号写晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管TEL_C、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2这五个晶体管、以及一个电容器部C1。这里，驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区构成第二节点ND2，而驱动晶体管TDrv的栅电极构成第一节点ND1。
应注意，下文中将详细描述晶体管和电容器部。
例如，晶体管由n沟道型薄膜晶体管(TFT)单独组成，以及发光部ELP设置在用于覆盖驱动电路的层间绝缘层等上。发光部ELP的阴极电极连接至驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区。另一方面，例如，向发光部ELP的阳极电极施加0伏特的电压Vcat。参考符号CEL表示发光部ELP的寄生电容。
图4图解示出了驱动的时序图，并且在图6A～图6D和图7A～图7E示出了构成图2所示的驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。参考附图4，在[周期-TP(5)1]中执行用于执行阀值电压消除处理的预处理。具体地，如图6B所示，如果第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2被置为导通状态，那么第一节点ND1的电位变为例如0伏特的Vofs。另一方面，第二节点ND2的电位变为例如-10伏特的Vss。从而，驱动晶体管TDrv的栅电极和驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区之间的电位差变得比驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth高，并且驱动晶体管TDrv被置为导通状态。
然后，如图4所示，在[周期-TP(5)2]和[周期-TP(5)3]的周期中执行阀值电压消除处理。具体地，如图6D所示，当第一节点初始化晶体管TND1维持导通状态时，发光控制晶体管TEL_C被置为导通状态。因此，第二节点ND2的电位向驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth与第一节点ND1的电位的差值电位变化。换句话说，浮接状态(floating state)的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管TDrv进入截止状态。在该状态下，第二节点ND2的电位约为VOfs-Vth。此后，在[周期-TP(5)3]中，当第一节点初始化晶体管TND1维持导通状态时，发光控制晶体管TEL_C被置为截止状态。然后，在[周期-TP(5)4]中，第一节点初始化晶体管TND1被置为截止状态。
接下来，如图4所示，在[周期-TP(5)5]中执行用于驱动晶体管TDrv的写处理。具体地，如图7C所示，当第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2和发光控制晶体管TEL_C维持截止状态时，数据线DTL的电位被设为对应于图像信号的电压，即用于控制发光部ELP的亮度的图像信号(驱动信号或亮度信号)电压VSig，然后，扫描线SCL被置为高电平状态，从而图像信号写晶体管TSig被置为导通状态。因此，第一节点ND1的电位增大至图像信号电压VSig。基于第一节点ND1的电位的变化量而得到的电荷被分布在电容器部C1、发光部ELP的寄生电容CEL、以及栅电极和驱动晶体管TDrv的源极区之间的寄生电容上。因此，如果第一节点ND1的电位变化，那么第二节点ND2的电位也变化。然而，第二节点ND2的电位的变化随发光部ELP的寄生电容CEL的电容值的增加而减小。通常，发光部ELP的寄生电容CEL的电容值比电容器部C1的电容值和驱动晶体管TDrv的寄生电容值高。因此，如果第二节点ND2的电位几乎不变化，那么驱动晶体管TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差Vgs由以下表达式(A)得出：
Vgs≈VSig-(VOfs-Vth)          ...(A)
接下来，例如，如图4所示，在[周期-TP(5)6]中执行基于诸如驱动晶体管TDrv的迁移率μ的量级特性来提高驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区中或在第二节点ND2处的电位的迁移率校正处理。具体地，如图7D所示，当驱动晶体管TDrv维持导通状态时，发光控制晶体管TEL_C被置为导通状态，然后，在经过预定时间周期t0后，图像信号写晶体管TSig被置为截止状态。因此，在驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值高的情况下，增加量ΔV或驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区中的电位的电位校正值变高，但是，在驱动晶体管TDrv的迁移率μ的值低的情况下，增加量ΔV或驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区中的电位的电位校正值变低。这里，驱动晶体管TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区间的电位差Vgs从表达式(A)转变为下述的另一表达式(B)。应注意注意，可以提前确定预定时间周期，即[周期-TP(5)6]中用于执行迁移率校正处理的整个时间周期t0，作为与有机EL显示装置的设计一致的设计值。
Vgs≈VSig-(VOfs-Vth)-ΔV    ...(B)
通过上述操作，完成了阀值电压消除处理、写处理和迁移率校正处理。此后，在[周期-TP(5)7]中，图像信号写晶体管TSig被置为截止状态，而第一节点ND1，即驱动晶体管TDrv的栅电极，如图7E所示被置为浮接状态。另一方面，发光控制晶体管TEL_C维持导通状态，而发光控制晶体管TEL_C的一个源极/漏极区处于连接至例如20伏特的电压Vcc的电流供给部的连接状态，用于控制发光部ELP的发光。因此，第二节点的电位ND2增加，并且当驱动晶体管TDrv的栅电极和第一节点ND1的电位增加时，出现了类似于自举电路(bootstrap circuit)中的现象。因此，驱动晶体管TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差Vgs维持从表达式(B)得到的值相等的数值。另外，由于流过发光部ELP的电流为从驱动晶体管TDrv的漏极区流向源极区的漏极电流Ids，所以该电流可以用表达式(C)来表示。发光部根据与漏极电流Ids的值对应的亮度发光。
Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)2
＝k·μ·(VSig-VOfs-ΔV)2   ...(C)
下文中，将详细描述以上概述的5Tr/1C驱动电路的驱动等。顺便，参考附图3，有机EL显示装置包括：
(1)扫描电路101；
(2)图像信号输出电路102；
(3)以二维矩阵设置的共N×M个有机EL元件10，在二维矩阵中，N个有机EL元件10以第一方向排列，而M个有机EL元件10以第二方向排列，更具体地为垂直于第一方向的方向，并且每个元件包括有机电致发光发光部ELP和用于驱动有机电致发光发光部ELP的驱动电路；
(4)M条扫描线SCL，连接至扫描电路101并沿第一方向延伸；
(5)N条数据线DTL，连接至图像信号输出电路102并沿第二方向延伸；以及
(6)电流供给部100。
应注意，图3中为描述方便而示出了3×3个有机EL元件10，但它们仅为实例。
每个有机EL元件10包括上文所述的5Tr/1C驱动电路和发光部ELP。通过向连接至发光控制晶体管控制电路103的发光控制晶体管控制线CLEL_C施加电压来限定发光控制晶体管TEL_C的操作。在上述的阀值电压消除处理中，为了将发光控制晶体管TEL_C置为导通状态，在[周期-TP(5)2]中，发光控制晶体管控制电路103操作以向发光控制晶体管控制线CLEL_C施加例如30伏特的预定电压。另外，在[周期-TP(5)3]中，为了将发光控制晶体管TEL_C置为截止状态，向发光控制晶体管控制线CLEL_C施加另一个例如-10伏特的预定电压。此外，在[周期-TP(5)6]中和之后，为了将发光控制晶体管TEL_C置为导通状态，向发光控制晶体管控制线CLEL_C施加30伏特的预定电压。从而，参考附图20如下所述，发光控制晶体管控制电路103的信号的波形AF0主要为具有-10伏特和30伏特两个值的矩形波形。
发明内容
通常，沿配线线路传播的信号波形是变形的，并且由于收到分布电容等的影响，在信号的上升和下降沿处会变得缓和。变形程度随着待传输的信号的路径长度的增加而增大。例如，如果注意发光控制晶体管控制电路103，那么最接近发光控制晶体管控制电路103的有机EL元件10和被置为最远离发光控制晶体管控制电路103的另一个有机EL元件10是互不相同的。最接近发光控制晶体管控制电路103的有机EL元件10，即，排列在左端的有机EL元件10。被置为最远离发光控制晶体管控制电路103的另一个有机EL元件10，即，图3所示配置在有机EL显示装置中的右端的有机EL元件10。具体地，它们的不同在于信号传输沿的路径长度不同，或换句话说，从每个有机EL元件10到发光控制晶体管控制电路103的发光控制晶体管控制线CLEL_C部分的长度。图19图解示出了在第一行有机EL元件10、发光控制晶体管控制电路103和发光控制晶体管控制线CLEL_C之间的关系。
在图19的实例中，有机EL元件101的路径长度最小，而有机EL元件10N的路径长度最大。因此，发光控制晶体管控制电路103的信号的波形AF0以相对大的变形状态向排列在右端的有机EL元件10N传输。图19中图解示出了上述[周期-TP(5)2]～[周期-TP(5)7]的周期中沿有机EL显示装置的发光控制晶体管控制线CLEL_C传播的信号的波形AF0、AF1和AFN。发光控制晶体管控制电路103的信号的波形AF0为具有两个值的矩形波形，这两个值包括用于将发光控制晶体管TEL_C置为导通状态的诸如30伏特的电压、和用于将发光控制晶体管TEL_C置为截止状态的诸如-10伏特的电压。将波形AF0施加于发光控制晶体管TEL_C的栅电极。如图19所示，从初始波形AF0几乎没有衰减的波形AF1被传输至有机EL元件101，并且还被施加给有机EL元件101的发光控制晶体管TEL_C的栅电极。另一方面，基本上为梯形变形的波形AFN被传输至有机EL元件10N，并且还被施加给有机EL元件10N的发光控制晶体管TEL_C的栅电极。图20示出了图19所示的波形AF0、AF1和AFN、和在图4的上部所示波形的比较时序图。
此处，研究了在发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv之间，更具体地，在执行上述阀值电压消除处理的[周期-TP(5)2]中、之前和之后，将上述波形AF1施加给发光控制晶体管TEL_C的栅电极，而将波形AFN施加给发光控制晶体管TEL_C的栅电极时，在下文所述的源极/漏极区A1和A2之间的节点发生的电位变化的差异。图21A和图21B示出了在上述[周期-TP(5)2]～[周期-TP(5)3]的周期中的驱动电路的操作。发光控制晶体管TEL_C的栅电极和源极/漏极区A1之间的寄生电容用CA1来表示，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极/漏极区A2之间的寄生电容用CA2来表示。
如上所述，在[周期-TP(5)2]的初始时间点，驱动晶体管TDrv处于导通状态。然后，由于发光控制晶体管TEL_C被置为导通状态，处于浮接状态的第二节点ND2的电位升高。因此，当驱动晶体管TDrv的栅电极和另一个源极/漏极区之间的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管TDrv被置为截止状态。从而，如图21A左侧所示，驱动晶体管TDrv在波形AF1和波形AFN的上升和下降沿处于截止状态。因此，在波形AF1和波形AFN的下降沿，如果发光控制晶体管TEL_C处于导通状态，那么源极/漏极区A1和A2不处于浮接状态，这是因为对其施加了电压Vcc，但是如果发光控制晶体管TEL_C被置为截止状态，那么源极/漏极区A1和A2被置为浮接状态。当发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv之间的节点，即位于源极/漏极区A1和A2的节点处于浮接状态时，如果发光控制晶体管TEL_C的栅电极的电位改变，那么源极/漏极区A1和A2中的电位也由于寄生电容CA1等的静电耦合而改变。
这里，波形AFN相对于波形AF1在下降沿呈现出缓和的状态。在图20的下部和图21中出现的ΔT1表示发光控制晶体管TEL_C在波形AF1的下降沿处在导通状态和截止状态之间变化的时间点之前的时间周期。如果波形AF1具有理想的矩形波形，那么时间ΔT1为0。类似地，在图20的下部和图21中出现的ΔTn表示发光控制晶体管TEL_C在波形AFN的下降沿处在导通状态和截止状态之间变化的时间点之前的时间周期。如图20和图21显而易见ΔT1＜ΔTn。如上所述，如果发光控制晶体管TFL_C处于导通状态，那么向源极/漏极区A1和A2施加电压Vcc。因此，在波形AFN的下降沿，在比ΔTn-ΔT1更长的时间周期内，向源极/漏极区A1和A2施加电压Vcc。换句话说，在波形AFN的下降沿，相对于波形AF1的下降沿，源极/漏极区A1和A2的电位更确切地维持在电压Vcc侧上。从而，如图21B所示，在波形AF1和波形AFN的下降沿，通过静电耦合带来的源极/漏极区A1和A2的电位改变随波形AF1而出现得更为突出。更具体地，如果将施加波形AF1的驱动电路和施加波形AFN的驱动电路相互进行比较，那么在前者的驱动电路中，发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv之间的节点的电位更向负数侧大量变化。
发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv之间的节点的电位变化由静电耦合通过寄生电容CA2等被最终传播至第二节点ND2。从而，在施加波形AF1的驱动电路和施加波形AFN的驱动电路之间的第二节点ND2的电位出现了差异。由此，漏极电流值在[周期-TP(5)7]中变化。换句话说，配置在左端的有机EL元件101和配置在右端的有机EL元件10N之间的发光部ELP的亮度出现差异。另外，尽管其它有机EL元件10也有类似的现象发生，但是现象发生的程度却随着信号波形的变形程度而改变。如上所述，信号波形的变形程度随着从每个有机EL元件10到发光控制晶体管控制电路103的发光控制晶体管控制线CLEL_C部分的长度而变化。总之，在图10所示的实例中，出现有机EL显示装置的亮度从屏幕图像的左端到右端逐渐变化的现象。这个现象使显示屏图像亮度的均匀性劣化。
因此，需要提供一种用于有机电致发光发光部的驱动方法，其可以抑制由信号波形的变形引起的显示屏图像亮度的均匀性的劣化，其中，该波形沿发光控制晶体管控制线传播。
根据本实施例，提供了用于有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法，该有机EL显示装置包括：
(1)扫描电路；
(2)图像信号输出电路；
(3)以二维矩阵设置的共N×M个有机电致发光元件，其中，N个有机EL元件沿第一方向排列，而M个有机EL元件沿不同于第一方向的第二方向排列，并且每个有机电致发光元件都包括有机电致发光发光部和用于驱动有机电致发光发光部的驱动电路；
(4)M条连接至扫描电路并沿第一方向延伸的扫描线；
(5)N条连接至图像信号输出电路并沿第二方向延伸的数据线；以及
(6)电流供给部；
驱动电路包括：
(A)驱动晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极；
(B)图像信号写晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极；
(C)发光控制晶体管，其包括源极/漏极区、沟道形成区以及栅电极；以及
(D)电容器部，具有一对电极；
驱动晶体管被配置为：
(A-1)第一个源极/漏极区连接至发光控制晶体管的第二个源极/漏极区；则
(A-2)第二个源极/漏极区连接至置于有机电致发光发光部的阴极电极，并且连接至电容器部的第一个电极，从而形成了第二节点；并且
(A-3)栅电极连接至图像信号写晶体管的第二个源极/漏极区，并且连接至电容器部的第二个电极，从而形成了第一节点；
图像信号写晶体管被配置为：
(B-1)第一个源极/漏极区连接至数据线；并且
(B-2)栅电极连接至扫描线；
发光控制晶体管被配置为：
(C-1)第一个源极/漏极区连接至电流供给部；并且
(C-2)栅电极连接至发光控制晶体管控制线；
驱动方法包括以下步骤：
(a)执行向第一节点施加第一节点初始化电压以及向第二节点施加第二节点初始化电压的预处理，以使第一和第二节点之间的电位差超过驱动晶体管的阀值电压，并且第二节点和有机电致发光发光部的阳极电极之间的电位差不超过有机电致发光发光部的阀值电压；
(b)执行阀值电压消除处理，用于在维持第一节点的电位的同时，使第二节点的电位向驱动晶体管的阀值电压从第一节点的电位的差值电位改变；
(c)执行写处理，根据来自扫描线的信号而被置为导通状态的图像信号写晶体管将来自数据线的图像信号施加至第一节点；
(d)根据来自扫描线的信号，将图像信号写晶体管置为截止，从而将第一节点置为浮接状态，并且通过发光控制晶体管和驱动晶体管，从电流供给部向有机电致发光发光部提供与第一节点和第二节点之间的电位差的值对应的电流，以驱动有机电致发光发光部；
步骤(b)包括以下步骤：
(b-1)通过发光控制晶体管控制部向发光控制晶体管的栅电极施加用于将发光控制晶体管置为导通状态的第一电压，从而通过处于导通状态的发光控制晶体管，将驱动晶体管的一个源极/漏极区连接至电流供给部，从而将驱动晶体管的一个源极/漏极区的电位设为比步骤(a)的第二节点的电位更高的电位；并且
(b-2)通过发光控制晶体管控制线向发光控制晶体管的栅电极施加用于将发光控制晶体管设为截止状态的第二电压；
步骤(d)还包括：通过发光控制晶体管控制线向发光控制晶体管的栅电极施加用于将发光控制晶体管置为导通状态的第三电压，并且通过处于导通状态的发光控制晶体管，将驱动晶体管的一个源极/漏极区连接至电流供给部，从而向有机电致发光发光部提供与第一节点和第二节点之间的电位差的值对应的电流；
第一、第二和第三电压满足|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|，其中，V1_ON为第一电压，V2_OFF为第二电压以及V3_ON为第三电压。
优选地，驱动方法被配置为驱动电路还包括：
(E)第二节点初始化晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区、和栅电极；以及在第二节点初始化晶体管中：
(E-1)第一个源极/漏极区连接至第二节点初始化电压供给线；
(E-2)第二个源极/漏极区连接至第二节点；以及
(E-3)栅电极连接至第二节点初始化晶体管控制线；并且
在步骤(a)，通过根据来自第二节点初始化晶体管控制线的信号被置为导通状态的第二节点初始化晶体管，从第二节点初始化电压供给线，向第二节点施加第二节点初始化电压，然后根据来自第二节点初始化晶体管控制线的信号，将第二节点初始化晶体管置为截止状态。
更优选地，驱动方法还被配置为驱动电路还包括：
(F)第一节点初始化晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区、和栅电极；并且其中，在第一节点初始化晶体管中：
(F-1)第一个源极/漏极区连接至第一节点初始化电压供给线；
(F-2)第二个源极/漏极区连接至第一节点；并且
(F-3)栅电极连接至第一节点初始化晶体管控制线；以及
在步骤(a)，通过根据来自第一节点初始化晶体管控制线的信号被置为导通状态的第一节点初始化晶体管，从第一节点初始化电压供给线向第一节点施加第一节点初始化电压。
在该驱动方法中，可以根据有机EL显示装置的设计适当地设置第一电压V1_ON。例如，可以参考临界值，即临界电压设置第一电压V1_ON，例如，在该电压下发光控制晶体管的操作从线性区向不饱和区改变。例如，如果发光控制晶体管是n沟道型的，并且临界电压分布在相对于临界值的±V0伏特的设计值范围内，那么可以参考稍低于分布下限的值设置第一电压V1_ON，即相对于临界电压-V0伏特的设计值。类似地，当发光控制晶体管是p沟道型时，可以参考稍高于相对于临界电压的+V0伏特的设计值的数值设置第一电压V1_ON。
在该驱动方法中，在步骤(b)，执行阀值电压消除处理，用于使第二节点的电位向驱动晶体管的阀值电压与第一节点的电位的差值电位改变。定性地，在阀值电压消除处理中，在第一节点和第二节点之间的电位差(即驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差)接近驱动晶体管的阀值电压的程度取决于阀值电压消除处理的时间。因此，例如，在确保用于阀值电压消除处理的时间足够长的情况中，第二节点的电位达到驱动晶体管的阀值电压与第一节点的电位的差值电位。然后，第一节点和第二节点之间的电位差达到驱动晶体管的阀值电压，并将驱动晶体管置为截止状态。另一方面，例如，在另一个不可避免地设置用于进行阀值电压消除处理的时间较短的情况下，第一节点和第二节点之间的电位差有时会变得比驱动晶体管的阀值电压更大，因此，可以不将驱动晶体管置为截止状态。在本实施例的驱动方法中，作为阀值电压消除处理的结果，不必需将驱动晶体管置为截止状态。
在根据本实施例的用于有机电致发光发光部的驱动方法中(包括优选配置)，即根据本实施例的驱动方法中，第一电压V1_ON、第二电压V2_OFF和第三电压V3_ON被相继施加给发光控制晶体管的栅电极。电压满足|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|的关系。现有的驱动方法对应于以下情况，在步骤(b)和(d)中，当发光控制晶体管被置为导通状态时施加第三电压V3_ON。相反，在根据本实施例的驱动方法中，在发光控制晶体管被置为截止状态之前，在阀值电压消除处理中向发光控制晶体管的栅电极施加第一电压V1_ON。那么，如上述表达式所示，第一电压V1_ON和第二电压V2_OFF之间的电位差的绝对值小于第三电压V3_ON和第二电压V2_OFF之间的电位差的绝对值。从而，可以将图20和图21A所示的时间周期ΔTn的值设为较小值。这样，发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv间的节点的电位变化的差值减小，且可以抑制上述显示屏图像的亮度均匀性的劣化。另外，对于发光，当驱动晶体管提供由上述的表达式(C)限定的漏极电流Ids时，如果串联至驱动晶体管的发光控制晶体管的栅极电压约等于临界电压，那么由于发光控制晶体管的电流容量的限制，无法提供由上述表达式(C)限定值的漏极电流Ids，导致可能会阻碍显示装置的操作。因此，即使当由表达式(C)限定的漏极电流Ids变成为显示装置设计的最小值时，发光控制晶体管也必须能够毫无问题地提供电流。根据本实施例地驱动方法，由于可以向驱动晶体管的栅极施加可以确保充足的电流容量的数值的电压作为第三电压V3_ON，因此完全不会阻碍显示装置的操作。
在本实施例的驱动方法中，在步骤(d)，图像信号写晶体管根据来自扫描线的信号而被置为截止状态。可以根据有机EL显示装置的设计适当设置图像信号写晶体管被置为截止状态的时间点和向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压的时间点之间的时间关系。例如，可以在图像信号写晶体管被置为截止状态之后立即或者一段时间间隔后向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压。或者，也可以在向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压后将图像信号写晶体管置为截止状态。应注意，在向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压后将图像信号写晶体管置为截止状态的情况中，存在发光控制晶体管和图像信号写晶体管都呈现导通状态的周期。在上述周期中，执行与驱动晶体管的特性提高第二节点的电位的迁移率校正处理对应的操作。应注意，还可以在向发光控制晶体管的栅电极施加第三电压的状态下执行步骤(c)。在这种情况下，主要是和写处理一起进行迁移率校正处理。
在包括多种上述优选构造的本实施例的驱动方法中，诸如扫描电路和图像信号输出电路的多种电路、诸如扫描线和数据线的多种配线线路、电流供给部和下文中简称为发光部的有机电致发光发光部中的每个都具有已知的构造或结构。更具体地，例如，每个发光部可以包括阴极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阳极电极等等。
虽然下文中将描述驱动电路的具体情况，但是，例如，驱动电路可以由五个晶体管和一个电容器部组成的驱动电路(下文称为5Tr/1C驱动电路)、四个晶体管和一个电容器部组成的另一种驱动电路(下文称为4Tr/1C驱动电路)、以及三个晶体管和一种个容器部组成的另外的驱动电路(下文称为3Tr/1C驱动电路)中的任何一种构成。
驱动电路的晶体管可以由n沟道薄膜晶体管(TFTs)构成。根据情况需要，例如，发光控制晶体管、图像信号写晶体管和等等可以使用p沟道场效应晶体管。同时，电容器部可以包括电极、另一电极、以及插入电极之间的电介质层或绝缘层。例如，形成驱动电路的晶体管和电容器部在形成在支撑上的某个平面中形成，并且发光部被形成在驱动电路的晶体管和电容器部上，在驱动电路的晶体管和电容器部之间插入了层间绝缘层。例如，驱动晶体管的第二个源极/漏极区通过接触孔连接至置于发光部中的阴极电极。应注意，晶体管也可以形成在半导体基板等上。
概括地，使用了该驱动方法，第一电压V1_ON、第二电压V2_OFF和第三电压V3_ON被相继施加给发光控制晶体管的栅电极。电压满足|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|的关系。从而，可以将图20和图21A所示的时间周期ΔTn的值设为较小值，因此，发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv间的节点的电位变化的差值减小。因此，由于还抑制了由寄生电容等的静电耦合引起的第二节点的电位变化的差值，所以可以抑制以上在本发明的背景技术中所述的显示屏图像亮度均匀性的劣化。另外，对于发光，当驱动晶体管提供由上述表达式(C)限定的漏极电流Ids时，如果串联至驱动晶体管的发光控制晶体管的栅极电压约等于临界电压时，那么由于发光控制晶体管的电流容量的限制，可能会阻碍显示装置的操作。用本实施例的驱动方法，由于可以向驱动晶体管的栅极施加可以确保充足的电流容量的数值的电压作为第三电压V3_ON，所以完全不会阻碍显示装置的操作。
附图说明
图1是图解示出了在几个时间周期中沿有机EL显示装置的发光控制晶体管控制线传输的信号波形的示意图；
图2是示出了主要由5个晶体管和1个电容器部构成的驱动电路的等效电路图；
图3是示出了有机EL显示装置的框图；
图4是示出了图2所示的驱动电路的驱动的时序图；
图5是示出了图1所示的波形和图4的上部所示的波形的比较波形图；
图6A～图7E是示出了构成图2所示的驱动电路的晶体管的导通/截止状态等的电路图；
图8是示出了主要由4个晶体管和1个电容器部构成的另一个驱动电路的等效电路图；
图9是示出了包括图8所示的驱动电路的显示装置的框图；
图10是示出了图8所示的驱动电路的驱动的时序图；
图11A～图12D是示出了构成图8所示的驱动电路的晶体管的导通/截止状态等的电路图；
图13是示出了主要由3个晶体管和1个电容器部构成的另外的驱动电路的等效电路图；
图14是示出了包括图13所示的驱动电路的显示装置的框图；
图15是示出了图13所示的驱动电路的驱动的时序图；
图16A～17E是示出了构成图13中所示的驱动电路的晶体管的导通/截止状态等的电路图；
图18是图解示出了一部分有机电致发光元件的局部截面图；
图19是图解示出了在几个时间周期中沿有机EL显示装置的发光控制晶体管控制线传输的信号波形的示意图；
图20是示出了图19所示的波形和图4的上部所示的波形的比较波形图；并且
图21A和图21B是示出了图19的有机EL显示装置的驱动电路的操作的等效电路图。
具体实施方式
接下来将参考优选的实施例详细描述本发明。
如图14的有机EL电路的框图所示，本发明的实施例的有机EL显示装置，包括：
(1)扫描电路101；
(2)图像信号输出电路102；
(3)以二维矩阵设置的共N×M个有机EL元件10，其中，N个有机EL元件10沿第一方向排列，而M个有机EL元件10沿不同于第一方向的第二方向排列，更具体地，垂直于第一方向的方向，并且每个元件包括有机电致发光发光部ELP和用于驱动有机电致发光发光部ELP的驱动电路；
(4)M条连接至扫描电路101并沿第一方向延伸的扫描线SCL；
(5)N条连接至图像信号输出电路102并沿第二方向延伸的数据线DTL；以及
(6)电流供给部100。
应注意，在图14或在图3和图9中示出的3×3个有机EL元件10仅是实例而。
如上所述，每个有机EL元件10均包括驱动电路和发光部ELP。发光部ELP具有已知的构造和结构，例如，包括阴极电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、和阳极电极。另外，扫描电路101被设置在扫描线SCL的一端。扫描电路101、图像信号输出电路102、扫描线SCL、数据线DTL和电流供给部100可以分别具有已知的构造和结构。
驱动电路的基本配置为包括三种晶体管和一种电容器部C1的3Tr/1C驱动电路。具体地，参考图13，本实施例的驱动电路包括：(A)驱动晶体管TDrv、(B)图像信号写晶体管TSig、(C)发光控制电路TEL_C、和(D)具有一对电极的电容器部C1。应注意，图8中所示的驱动电路被形成为4Tr/1C驱动电路，其中，还包括了(E)第二节点初始化晶体管TND2。另外，图2所示的驱动电路被形成为5Tr/1C驱动电路，除了第二节点初始化晶体管TND2之外，该驱动电路还包括(F)第一节点初始化晶体管TND1。
上述每个驱动晶体管TDrv、图像信号写晶体管TSig、发光控制电路TEL_C、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2都被形成作为具有源极/漏极区、沟道形成区和栅电极的n沟道TFT。这还应用于后述本发明的另一个实施例。应注意，每个图像信号写晶体管TSig、发光控制电路TEL_C、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2还可以由p沟道TFT形成。
这里，驱动晶体管TDrv被配置为：
(A-1)第一个源极/漏极区连接至发光控制晶体管TEL_C的第二个源极/漏极区；则
(A-2)第二个源极/漏极区连接至置于有机电致发光发光部ELP中的阴极电极，并且连接至电容器部C1的第一个电极，从而形成了第二节点ND2；以及
(A-3)栅电极连接至图像信号写晶体管TSig的第二个源极/漏极区，并且连接至电容器部C1的第二个电极，从而形成了第一节点ND1；
同时，图像信号写晶体管TSig被配置为：
(B-1)第一个源极/漏极区连接至数据线DTL；以及
(B-2)栅电极连接至扫描线SCL；扫描线SCL连接至扫描电路101。
另外，发光控制晶体管TEL_C被配置为：
(C-1)第一个源极/漏极区连接至电流供给部100；以及
(C-2)栅电极连接至发光控制晶体管控制线CLEL_C。发光控制晶体管控制线CLEL_C连接至发光控制晶体管控制电路103。
应注意，图8所示的4Tr/1C驱动电路和图2中所示的5Tr/1C驱动电路还包括第二节点初始化晶体管TND2。第二节点初始化晶体管TND2被配置为：
(E-1)第一个源极/漏极区连接至第二节点初始化电压供给线PSND2；而
(E-2)第二个源极/漏极区连接至第二节点ND2；以及
(E-3)栅电极连接至第二节点初始化晶体管控制线AZND2。第二节点初始化晶体管控制线AZND2连接至第二节点初始化晶体管控制电路105。
另外，图2中所示的5Tr/1C驱动电路还包括第一节点初始化晶体管TND1。第一节点初始化晶体管TND1被配置为：
(F-1)第一个源极/漏极区连接至第一节点初始化电压供给线PSND1；
(F-2)第二个源极/漏极区连接至第一节点ND1；以及
(F-3)栅电极连接至第一节点初始化晶体管控制线AZND1；第一节点初始化晶体管控制线AZND1连接至第一节点初始化晶体管控制电路104。
如图18所示的一部分有机EL元件的示意截面部分，构成驱动电路的晶体管和电容器C1形成在支撑20上。同时，发光部ELP形成在构成驱动电路的晶体管和电容器C1上，在驱动电路的晶体管和电容器C1之间插入了层间绝缘层40。同时，驱动晶体管TDrv的源极区连接至通过接触孔置于发光部ELP上的阴极电极。应注意，图18仅示出了驱动晶体管TDrv。除驱动晶体管TDrv外的晶体管被隐藏且不可见。
更具体地，驱动晶体管TDrv包括栅电极31、栅极绝缘层32、半导体层33、置于半导体层33上的源极/漏极区35、和通过源极/漏极区35之间的半导体层33的一部分设置的沟道形成区34。同时，电容器部C1包括电极36、由栅极绝缘层32的外延形成的电介质层、和对应于第二节点ND2的另一电极37。构成电容器部C1的栅电极31、部分栅极绝缘层32和电极36被形成在基板20上。驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区35连接至配线38，而另一个源极/漏极区35连接至对应于第二节点ND2的电极37。驱动晶体管TDrv、电容器部C1等被层间绝缘层40覆盖。发光部ELP设置在层间绝缘层40上，并包括阴极电极51、空穴传输层、发光层、电子传输层和阳极电极53。应注意，图18中，空穴传输层、发光层和电子传输层用一个层52表示。在层间绝缘层40上没有设置发光部ELP的部分上设置第二层间绝缘层54，并在第二层间绝缘层54和阳极电极53上设置基板21，从而使从发光层发出的光通过基板21向外射。应注意，电极37或第二节点ND2和阴极电极51通过在层间绝缘层40中形成的接触孔互相连接。另外，阳极电极53通过分别在第二层间绝缘层54和层间绝缘层40中形成的接触孔56和55连接至设置于栅极绝缘层32的延伸上的配线39。
以上描述了应用本实施例的有机EL显示装置和用于驱动发光部ELP的驱动电路的构造。
如图1和图5所示，根据应用本实施例的驱动方法，从发光控制晶体管控制线CLEL_C向每个有机EL元件10施加由波形BF0～BFN表示并由第一电压V1_ON、第二电压V2_OFF和第三电压V3_ON组成的电压。现有的驱动方法对应于向发光控制电路TEL_C的栅电极连续施加第三电压V3_ON和第二电压V2_OFF的情况。根据本实施例的驱动方法，当进行阀值电压消除处理时，在发光控制电路TEL_C被置为截止状态之前向其栅极施加第一电压V1_ON。另外，所述的电压满足|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|的关系。
尽管下文将描述根据本实施例的驱动方法，但为便于同上述本发明的背景技术中描述的驱动电路的操作作比较，接下来将描述图2中所示的5Tr/1C驱动电路的操作。
图1图解示出了在本实施例的驱动方法中，在图4中所示的[周期-TP(5)2]～[周期-TP(5)7]的周期中沿有机EL显示装置的发光控制晶体管控制线CLEL_C传输的信号波形BF0、BF1和BFN。图2示出了5Tr/1C驱动电路的等效电路图；图3示出了有机EL显示装置的框图；以及图4示出了5Tr/1C驱动电路的驱动的时序图。图5对应于上文中本发明的背景技术描述所参考的图20，并示出了图1所示的波形BF0、BF1和BFN和图4的时序图的上部所示的波形。另外，图6A～6D和7A～7E示出了5Tr/1C驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。
如在上文中本发明的背景技术所述，本实施例的驱动方法包括以下步骤：
(a)执行向第一节点ND1施加第一节点初始化电压且向第二节点ND2施加第二节点初始化电压的预处理，从而使第一和第二节点ND1和ND2之间的电位差超过驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth，并且第二节点和发光部ELP的阳极电极之间的电位差不超过发光部ELP的阀值电压Vth-EL；
(b)执行阀值电压消除处理，用于在保持第一节点ND1的电位的同时，使第二节点ND2的电位向驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth与第一节点ND1的电位的差值电位改变；
(c)执行写处理，通过根据来自扫描线SCL的信号而被置为导通状态的图像信号写晶体管TSig将来自数据线DTL的图像信号施加至第一节点ND1。
(d)根据来自扫描线SCL的信号将图像信号写晶体管TSig置为截止截止，从而将第一节点ND1置为浮接状态，并且通过发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv，从电流供给部100向有机电致发光发光部ELP提供与第一节点ND1和第二节点ND2之间的电位差的值对应的电流，从而驱动发光部ELP。
应注意，为了容易理解本实施例，在下文中参考附图4和6A～6C详细描述上述步骤(a)和步骤(c)。
为了方便描述，在以下描述中，假设在发光控制晶体管TEL_C的栅电极的电压为20伏特时，发光控制晶体管TEL_C的操作从线性区变化到不饱和区。
如上文所述的本发明的概述，在图4中所示的[周期-TP(5)2]之中、之前和之后执行阀值电压消除处理。如图20所示，在现有的驱动方法中，发光控制晶体管控制电路103的信号波形AF0是具有两个数值的矩形波形，这两个值包括诸如用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的30伏特的电压和诸如用于将发光控制电路TEL_C置为截止状态的-10伏特的电压。
另一方面，在本实施例中，用于执行阀值电压消除处理的步骤(b)包括下述两个步骤(b-1)和(b-2)。
[步骤(b-1)]
在[周期-TP(5)2]的开始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作，从而通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的诸如18伏特的第一电压V1_ON。然后，通过处于导通状态的发光控制电路TEL_C，驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区电连接至电流供给部100，从而设置驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区的电位高于上述的步骤(a)的第二节点ND2的电位。更具体地，从电流供给部100向驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区施加高于驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth和上述步骤(a)的第二节点ND2的电位的总电压的电压。因此，第二节点ND2的电位向驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth与第一节点ND1的电位的差值电位变化。
[步骤(b-2)]
然后，[周期-TP(5)3]的开始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作，从而通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为截止状态的诸如-10伏特的第二电压V2_OFF。
然后，在步骤(d)，通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的诸如30伏特的第三电压V3_ON。然后，在[周期-TP(5)7]中，通过处于导通状态的发光控制电路TEL_C，将驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区电连接至电流供给部100，从而向发光部ELP提供对应于第一节点ND1和第二节点ND2之间的电位差的值的电流。应注意，在本实施例中，在第一节点ND1被置为浮接状态之前，开始向发光控制电路TEL_C的栅电极施加第三电压V3_ON，从而执行了上述的迁移率校正处理。
下文将参考附图4、6D和7A～7E详细描述步骤(b-1)和(b-2)以及步骤(d)的驱动电路的操作。
如图5所示，发光控制晶体管控制电路103的信号波形BF0具有对应于步骤(b-1)、(b-2)和(d)的上述第一电压V1_ON、第二电压V2_OFF和第三电压V3_ON三个数值。电压具有|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|的关系。
类似于上述本发明的背景技术所述，当波形BF0沿发光控制晶体管控制线CLEL_C传播时，波形BF0也会变形并在上升和下降沿变缓和。类似于图19和20中所示的AF1和AFN，图1和5中所示的波形BF1和BFN分别表示向最靠近发光控制晶体管控制电路103的左端的有机EL元件101和最远离发光控制晶体管控制电路103的右端的有机EL元件10N施加的波形。图1的下部和图5中所示的参考符号ΔT1’表示直到发光控制电路TEL_C在波形BF1的下降沿在导通状态和截止状态之间变化的时间周期。理想地，时间周期ΔT1’为0。同时，参考符号ΔT1’表示直到发光控制电路TEL_C在波形BFN的下降沿的导通状态和截止状态之间变化的时间周期。
在现有的驱动方法中，在步骤(b)中发光控制电路TEL_C被置为截止状态之前的发光控制电路TEL_C的栅电极电压为30伏特。另一方面，在本实施例的驱动方法中，发光控制电路TEL_C被置为截止状态之前的发光控制电路TEL_C的栅电极电压为18伏特的V1_ON。从而，如图5所示，在[周期-TP(5)2]中波形BFN的下降沿的时间周期ΔTn’比图20的时间周期ΔTn短。更具体地，时间周期ΔT1’和ΔTn’和时间周期ΔT1和ΔTn具有|ΔTn-ΔT1|＞|ΔTn’-ΔT1’|的关系。换句话说，时间周期的差值减小了，其中在该时间周期中源极/漏极区A1和A2中的电位在波形的下降沿的电压Vcc侧上保持。结果，发光控制电路TEL_C和左端的有机EL元件101的驱动晶体管TDrv之间的节点的电位差以及发光控制电路TEL_C和右端的有机EL元件10N的驱动晶体管TDrv之间的节点的电位变化减小。
如上本发明概述，发光控制电路TEL_C和驱动晶体管TDrv之间的节点的电位变化最终传播至第二节点ND2。然后，作为该电位变化的传播结果，[周期-TP(5)7]中的漏极电流值改变。在本实施例中，在最靠近发光控制晶体管控制电路103的左端的有机EL元件101和在最远离发光控制晶体管控制电路103的右端的有机EL元件10N之间的电位变化的差值减小。这点也同样应用于另一个有机EL元件10。从而，[周期-TP(5)7]中的漏极电流值的变化减少，并可以抑制显示屏图像的亮度均匀性的劣化。
另外，如图5和图20所示，在[周期-TP(5)7]中，为了打开发光控制电路TEL_C，向发光控制电路TEL_C的栅电极施加与现有驱动方法中的值相同的第三电压V3_ON。从而，步骤(d)的发光控制晶体管的电流容量变得具有同现有驱动方法类似的值，并且对发光部的发光亮度没有影响。
以上描述了本实施例的驱动方法。
以下将描述使用该电路的5Tr/1C驱动电路、4Tr/1C驱动电路、3Tr/1C驱动电路和发光部ELP。
有机EL显示装置包括以二维矩阵设置的N/3×M个像素。然而，在以下描述中，假设一个像素是由三种子像素组成，其中，包括用于发出红色光的红色发光子像素、用于发出绿色光的绿色发光子像素和用于发出蓝色光的蓝色发光子像素。另外，逐行驱动构成像素的有机EL元件10，显示帧频为FR次/秒。更具体地，同时驱动组成排列在第m行(其中m＝1、2、3...、M)的N/3个像素，即N个子像素的有机EL元件10。换句话说，在形成一行的有机EL元件10中，以有机EL元件10所属的行为单位来控制发光/不发光时间点。应注意，下文中称为同步写处理的将图像信号写入形成一行的像素的处理可以是将图像信号同时写入所有像素的处理，或者，下文中仅称为顺序写处理的将图像信号顺次写入像素的处理。可以基于驱动电路的构造适当选择实际应用的一个写处理。
这里，描述了涉及在位于第m行和第n列(其中作为代表n＝1、2、3、...、N)的像素中形成一个子像素的有机EL元件10的驱动和操作。刚刚所述的子像素或有机EL元件10在下文中被称为第(n，m)个子像素或第(n，m)个有机EL元件10。在对排列在第m行的有机EL元件10的水平扫描周期，即第m个水平扫描周期结束之前，执行下文描述的包括阀值电压消除处理、写处理和迁移率校正处理的多种处理。应注意，必须在第m个水平扫描周期中执行写处理和迁移率校正处理。另一方面，取决于驱动电路的类型，可以在第m个水平扫描周期之前进行阀值电压消除处理和为了阀值电压消除处理的预处理。
然后，在所有上述处理结束之后，驱动排列在第m行的有机EL元件10的发光部从而使其发光。应注意，发光部可能在所有上述处理结束之后立即发光，或可能在一个预定的时间周期间隔(诸如在所有处理结束后间隔的用于预定几行的水平扫描周期)之后发光。可以根据有机EL显示装置、驱动电路的构造和等具体情况合理设置预定时间周期。应注意，在以下描述中，为了便于描述，假设在处理结束后发光部立即发光。然后，构成排列在第m行的每个有机EL元件10的发光部持续发光，直到对排列在第(m+m’)行的有机EL元件10进行水平扫描周期开始之前。这里，“m’”根据有机EL显示装置的具体设计情况而定。更具体地，构成排列在一定显示帧的第m行的每个有机EL元件10的发光部持续发光，直到第(m+m’-1)行。同时，构成排列在第m行的每个有机EL元件10的发光部保持其不发光状态，从第(m+m’)个水平扫描周期的开始点到在用于下一个显示帧的第m个水平周期，完成写处理和迁移率校正处理的另一时间点。当配置了其间不发光的上述周期，即下文中所称的不发光周期时，由有源矩阵的驱动中包含的余像带来的模糊减少了，从而可以改善运动图像的质量。然而，子像素或有机EL元件10的发光状态/不发光状态并不局限于上述状态。另外，水平扫描周期的时间长度小于1/FR×1/M秒。当m+m’的值超过M时，水平扫描周期的余量在下一个显示帧中处理。
有时会使用一个晶体管的两个源极/漏极区之间的术语“一个源极/漏极区”，从而表示连接至供电部的一个源极/漏极区。另外，晶体管处于导通状态表示在源极/漏极区之间形成沟道的状态。在这种情况下，无论电流是否从晶体管的一个源极/漏极区流向另一个源极/漏极区都没有关系。另一方面，晶体管处于截止状态标志着在源极/漏极区之间没有形成沟道的状态。另外，一定晶体管的源极/漏极区连接至另一晶体管的源极/漏极区，表示一定晶体管的源极/漏极区和另一晶体管的源极/漏极区占有相同的区域的情况。此外，源极/漏极区不仅可以由诸如包含杂质的多晶硅或非晶硅的导电物质组成，也可以由金属、合金、导电颗粒、包括该金属、合金或导电颗粒的堆叠结构、或者由有机物质或导电聚合物组成的层组成。另外，在以下描述使用的时序图中，表示周期的横坐标的轴长，即时间长度，仅是示意性的，而并不表示不同周期之间的时间长度比例。
[5Tr/1C驱动电路]
如上所述，图2示出了5Tr/1C驱动电路的等效电路图；图3示出了有机EL显示装置的框图；图4示出了5Tr/1C驱动电路的驱动时序图；而图6A～6D和7A～7E中图解示出了5Tr/1C驱动电路的晶体管的导通/截止状态。
参考图2～4和7A～7E，5Tr/1C驱动电路包括五个晶体管，其中包括图像信号写晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管TEL_C、第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2，以及进一步包括一种电容器部C1。
[发光控制晶体管TEL_C]
发光控制晶体管TEL_C的一个源极/漏极区连接至电流供给部100，用于提供电压Vcc，而发光控制晶体管TEL_C的另一个源极/漏极区连接至驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区。发光控制晶体管TEL_C的导通/截止操作由连接至发光控制晶体管TEL_C的栅电极的发光控制晶体管控制线CLEL_C控制。应注意，设置电流供给部100，从而向有机EL元件10的发光部ELP提供电流，从而控制发光部ELP的发光。另外，发光控制晶体管控制线CLEL_C连接至发光控制晶体管控制电路103。
[驱动晶体管TDrv]
如上所述，驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区连接至发光控制晶体管TEL_C的另一个源极/漏极区。更具体地，驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区通过发光控制晶体管TEL_C连接至电流供给部100。同时，驱动晶体管TDrv的另一个源极/漏极区连接至：
(1)发光部ELP的阴极电极，
(2)第二节点初始化晶体管TND2的另一个源极/漏极区，以及
(3)电容器部C1的一个电极，并形成第二节点ND2。同时，驱动晶体管TDrv的栅电极连接至：
(1)图像信号写晶体管TSig的另一个源极/漏极区，
(2)第一节点初始化晶体管TND1的另一个源极/漏极区，以及
(3)电容器部C1的另一个电极，并形成第一节点ND1。
当有机EL元件10处于发光状态，驱动晶体管TDrv被驱动从而根据以下表达式(1)提供漏极电流Ids：
Ids＝k·μ·(Vgs-Vth)2          ...(1)
表达式中：
μ：有效迁移率
L：沟道长度
W：沟道宽度
Vgs：栅电极和作为源极区的另一个源极/漏极区之间的电位差
Vth：阀值电压
Cox：(栅极绝缘层的相对介电常数)×(真空介电常数)/(栅极绝缘层的厚度)
k≡(1/2)·(W/L)·Cox
在有机EL元件10的发光状态中，驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区作为漏极区，而另一个源极/漏极区作为源极区。为了便于描述，在以下的描述中，驱动晶体管TDrv的一个源极/漏极区有时仅被称为漏极区，而另一个源极/漏极区有时候仅被称为源极区。
当漏极电流Ids流过有机EL元件10的发光部ELP时，有机EL元件10的发光部ELP发光。另外，有机EL元件10的发光部ELP的发光状态，即发光的亮度，由漏极电流Ids的数值的量级控制。
[图像信号写晶体管TSig]
如上所述，图像信号写晶体管TSig的另一个源极/漏极区连接至驱动晶体管TDrv的栅电极。同时，图像信号写晶体管TSig的一个源极/漏极区连接至数据线DTL，从而从图像信号输出电路102通过数据线DTL向一个源极/漏极区提供用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig。应注意，可以通过数据线DTL向一个源极/漏极区提供诸如用于预充电驱动的信号和各种基准电压的各种信号或电压。图像信号写晶体管TSig的导通/截止操作由连接至图像信号写晶体管TSig的栅电极的扫描线SCL控制。
[第一节点初始化晶体管TND1]
如上所述，第一节点初始化晶体管TND1的另一个源极/漏极区连接至驱动晶体管TDrv的栅电极。同时，向第一节点初始化晶体管TND1的一个源极/漏极区提供用于初始化第一节点ND1的电位的电压Vofs，即驱动晶体管TDrv的栅电极电压。第一节点初始化晶体管TND1的导通/截止操作由连接至第一节点初始化晶体管TND1的栅电极的第一节点初始化晶体管控制线AZND1控制。第一节点初始化晶体管控制线AZND1连接至第一节点初始化晶体管控制电路104。
[第二节点初始化晶体管TND2]
第二节点初始化晶体管TND2的另一个源极/漏极区连接至驱动晶体管TDrv的源极区。同时，向第二节点初始化晶体管TND2的一个源极/漏极区提供用于初始化第二节点ND2的电位的电压Vss，即驱动晶体管TDrv的源极区电压。另外，第二节点初始化晶体管TND2的导通/截止操作由连接至第二节点初始化晶体管TND2的栅电极的第二节点初始化晶体管控制线AZND2控制。第二节点初始化晶体管控制线AZND2连接至第二节点初始化晶体管控制电路105。
[发光部ELP]
如上所述，发光部ELP的阴极电极连接至驱动晶体管TDrv的源极区。同时向发光部ELP的阳极电极施加电压Vcat。发光部ELP的寄生电容用参考符号CEL来表示。另外，发光部ELP的发光所需要的阀值电压用Vth-EL来表示。具体地，如果在发光部ELP的阴极电极和阳极电极之间施加高于电压Vth-EL的电压，则发光部ELP发光。
在以下描述中，当施加以下给出的数值的电压或电位时，它们仅用于阐释，电压或电位的数值并不限制于所提供的数值。
VSig：用于控制发光部ELP的亮度的图像信号
...0～10伏特
VCC：用于控制发光部ELP的发光的电流供给部的电压
...20伏特
VOfs：用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极电位，即第一节点ND1的电位
...0伏特
VSS：用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极电位，即第二节点ND2的电位
...-10伏特
Vth：用于驱动晶体管TDrv的阀值电压
...3伏特
VCat：向发光部ELP的栅电极施加的电压
...0伏特
Vth-EL：发光部ELP的阀值电压
...3伏特
V1_ON：用于将发光控制晶体管置为导通状态的第一电压
...18伏特
V2_OFF：用于将发光控制晶体管置为截止状态的第二电压
...-10伏特
V3_ON：用于将发光控制晶体管置为导通状态的第三电压
...30伏特
以下将描述5Tr/1C驱动电路的操作。应注意，尽管如上所述，假设在所有包括阀值电压消除处理、写处理和迁移率校正处理的各种处理完成之后立即开始发光状态，但是5Tr/1C驱动电路的操作并不限于此。这也同样应用于4Tr/1C驱动电路和3Tr/1C驱动电路的描述。
应注意，现有驱动方法中的操作基本上类似于以上所述，除了在[周期-TP(5)2]中代替步骤(b-1)的第一电压V1_ON设置了第三电压V3_ON。
[周期-TP(5)-1](参考附图4和6A)
该[周期-TP(5)-1]是以下这样的一个周期，其中，在在前操作周期中的各种处理作为在前显示帧中的操作完成之后，第(n，m)个有机EL元件10维持发光状态。具体地，基于下述的表达式(5)的漏极电流I’ds流过构成第(n，m)个子像素的有机EL元件10的发光部ELP，并且构成第(n，m)个子像素的有机EL元件10的亮度具有对应于漏极电流I’ds的数值。这样，图像信号写晶体管TSig、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2处于截止状态，而发光控制晶体管TEL_C和驱动晶体管TDrv处于导通状态。第(n，m)个有机EL元件10保持发光状态，直到排列在第(m+m，)行的有机EL元件10的水平扫描周期开始。应注意，可以应用另一配置，其中，[周期-TP(5)1]～[周期-TP(5)4]的周期包括在当前显示帧中的第m个水平扫描周期中。
在图4所示的[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)4]的周期中，执行在前的操作周期中的各种处理完成结束后的发光状态之后，直到进行下个写处理之前。具体地说，例如，[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)4]的周期具有时间长度，即，从在前的显示帧中第(m+m’)个水平扫描周期的开始时间点起到目前显示帧中第(m-1)个水平扫描周期的结束时间点。应注意，[周期-TP(5)1]～[周期-TP(5)4]的周期可以另外包括在当前显示帧中的第m个水平扫描周期中。
然后，在[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)4]的周期中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。具体地，在[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)1]的周期和[周期-TP(5)3]～[周期-TP(5)4]的周期中，由于发光控制晶体管TEL_C处于截止状态，有机EL元件10并不发光。应注意，在[周期-TP(5)2]中，发光控制晶体管TEL_C呈现导通状态。然而，在该周期中，正在执行下文所述的阀值电压消除处理。尽管给出了阀值电压消除处理的详细描述，但是如果假设满足下文给出的表达式(2)，有机EL元件10并不发光。
以下将首先描述[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)4]的周期。应注意，可以根据有机EL显示装置的设计适当设置[周期-TP(5)1]的开始时间点和[周期-TP(5)1]～[周期-TP(5)4]的周期长度。
[周期-TP(5)0]
如上所述，在[周期-TP(5)0]中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。图像信号写晶体管TSig、第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2处于截止状态。同时，在[周期-TP(5)-1]～[周期-TP(5)0]转变的时间点，发光控制晶体管TEL_C被置为截止状态。因此，第二节点ND2，即驱动晶体管TDrv的源极区或发光部ELP的阴极电极的电位下降至Vth-EL+VCat，且发光部ELP被置为不发光状态。另外，处于浮接状态的第一节点ND1，即驱动晶体管TDrv的栅电极的电位以随第二节点ND2的电位下降这种方式而下降。
[周期-TP(5)1](参考附图4、5、6B和6C)
在该周期中，执行步骤(a)，即上述的预处理。以下将具体描述预处理。
具体地，在[周期-TP(5)1]的开始，第一节点初始化晶体管控制电路104和第二节点初始化晶体管控制电路105操作以将第一节点初始化晶体管控制线AZND1和第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为高电平，从而将第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2置为导通状态。应注意，可以将第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2同时置为导通状态，或首先将第一节点初始化晶体管TND1置为导通状态，或者相反地首先将第二节点初始化晶体管TND2置为导通状态。然后，从第一节点初始化电压供给线PSND1通过置为导通状态的第一节点初始化晶体管TND1向第一节点ND1施加第一节点初始化电压，而从第二节点初始化电压供给线PSND2通过置为导通状态的第二节点初始化晶体管TND2向第二节点ND2施加第二节点初始化电压。
因此，第一节点ND1的电位变成电压VOfs或0伏特。同时，第二节点ND2的电位改变为-10伏特的电压Vss。由于第一节点ND1和第二节点ND2之间的电位差为10伏特且驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth为3伏特，驱动晶体管TDrv进入导通状态。应注意，第二节点和发光部ELP的阳极电极之间的电势差为-10伏特并且不超过发光部ELP的阀值电压Vth-EL。
通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅极区和源极区之间的电位差变得比阀值电压Vth大，并且驱动晶体管TDrv呈现导通状态。
在[周期-TP(5)1]完成之前，第二节点初始化晶体管控制电路105操作，从而将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为低电平，从而将第二节点初始化晶体管TND2置为截止状态。
周期[周期-TP(5)2]～[周期-TP(5)3](参考附图4、5、6D和7E)
在该周期中，进行了由上述步骤(b)、更具体地是由步骤(b-1)和(b-2)配置的阀值电压消除处理。以下将详细描述阀值电压消除处理。
首先，执行上述的步骤(b-1)。具体地，当第一节点初始化晶体管TND1维持导通状态时，在[周期-TP(5)2]的开始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的第一电压V1_ON，从而将发光控制电路TEL_C置为导通状态。因此，第一节点ND1的电位不变而维持电压VOfs＝0伏特时，第二节点ND2的电位向驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth与第一节点ND1的电位的差值的电位变化。换句话说，处于浮接状态的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管TDrv进入截止状态。更具体地，第二节点ND2的电位接近VOfs-Vth＝-3伏特＞VSS并最终变为等于VOfs-Vth。这里，如果确保以下给出的表达式(2)，即如果选择并决定电位从而使得满足表达式(2)，那么发光部ELP并不发光。
(VOfs-Vth)＜(Vth-EL+Vcat)        ...(2)
然后，执行上述的处理(b-2)。具体地，当第一节点初始化晶体管TND1维持导通状态时，在[周期-TP(5)3]的初始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作，从而通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制晶体管TEL_C的栅电极施加用于将发光控制晶体管TEL_C置为截止状态的第二电压V2_OFF。第一节点ND1的电位不变而维持电压VOfs＝0伏特，而处于浮接状态的第二节点ND2的电位也基本上维持VOfs-Vth＝-3伏特。
如上所述，第二节点ND2的电位通过步骤(b-1)和(b-2)最终变成等于VOfs-Vth。更具体地，第二节点ND2的电位仅取决于驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs。因此，第二节点ND2的电位与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。
[周期-TP(5)4](参考附图7B)
然后，第一节点初始化晶体管控制电路104操作，从而将第一节点初始化晶体管控制线AZND1设为低电平，从而将第一节点初始化晶体管TND1置为截止状态。第一节点ND1和第二节点ND2的电位基本上不变。尽管实际上由寄生电容等的静电耦合引起了电位变化，但通常可以忽略该变化。
现在将描述[周期-TP(5)5]～[周期-TP(5)7]的周期中的操作。应注意，如上所述，在[周期-TP(5)5]中，执行写处理，而在[周期-TP(5)6]中，执行迁移率校正处理。所述的处理需要在上述的第m个水平扫描周期中执行。为便于描述，假设[周期-TP(5)5]的开始时间点和[周期-TP(5)6]的结束时间点分别与第m个水平扫描周期的开始时间点和结束时间点相符。
[周期-TP(5)5](参考附图4和7C)
在该周期中，用以下方式进行步骤(c)，即上述的写处理。更具体地，当第一节点初始化晶体管TND1、第二节点初始化晶体管TND2和发光控制电路TEL_C维持截止状态时，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位设为用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig。然后，扫描电路101操作以将扫描线SCL设为高电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为导通状态。因此，第一节点ND1的电位升高至图像信号VSig。
这里，电容器部C1的电容量为c1，而寄生电容CEL的电容量为cEL。然后，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的寄生电容由Cgs表示。当驱动晶体管TDrv的栅电极电位从电压VOfs向图像信号VSig(＞VOfs)变化时，电容器部C1的相对端的电位，即第一节点ND1和第二节点ND2的电位原则上变化。具体地，基于驱动晶体管TDrv的栅电极，即第一节点ND1的电位的变化VSig-VOfs的电荷，分布于电容器部C1、发光部ELP的寄生电容CEL和驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的寄生电容。然而，如果与数值c1和cgs相比，寄生电容CEL非常高，那么基于驱动晶体管TDrv的栅电极的电位的变化VSig-VOfs，驱动晶体管TDrv的源极区中，即第二节点ND2的电位的变化很小。通常，发光部ELP的寄生电容CEL的电容量值cEL高于驱动晶体管TDrv的寄生电容的数值c1和数值cgs。因此，为了便于描述，除了特殊情况中，给出的描述不考虑第一节点ND1的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。这也类似地应用于其它驱动电路。应注意，示出的用于图4中所示的驱动的时序图也不考虑第一节点ND1的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。当驱动晶体管TDrv的栅电极，即第一节点ND1的电位由Vg表示，而驱动晶体管TDrv的源极区，即第二节点ND2的电位由Vs表示时，通过以下表达式(3)给出电位Vg和Vs的数值。因此，第一节点ND1和第二节点ND2之间的电位差，即驱动晶体管TDrv的栅极电压和源极区之间的电位差Vgs，可以通过以下表达式(3)表示：
Vg＝VSig
Vs≈VOfs-Vth
Vgs≈VSig-(VOfs-Vth)        ...(3)
具体地，用于驱动晶体管TDrv的写处理中得到的电位差Vgs仅取决于用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth、和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs。那么，电位差Vgs与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。
[周期-TP(5)6](参考附图7D)
此后，进行基于驱动晶体管TDrv的迁移率μ的量级，驱动晶体管TDrv的源极区中，即第二节点ND2的电位校正，即迁移率校正处理。
通常，当驱动晶体管TDrv由多晶硅薄膜晶体管等组成时，不可避免地在晶体管之间发生迁移率的离散。因此，即使向其间迁移率μ不同的多个驱动晶体管TDrv的栅电极施加等值的图像信号Vsig，流过具有高迁移率μ的驱动晶体管TDrv和具有低迁移率μ的另一驱动晶体管TDrv的漏极电流Ids之间也会表现出区别。然后，如果刚刚所述的差异出现，那么损坏有机EL显示装置的屏幕图像的均匀性。
因此，当驱动晶体管TDrv维持导通状态时，发光控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的第三电压V3_ON。然后，在预定时间t0间隔后，扫描电路101操作而将扫描线SCL设为低电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为截止状态，从而将第一节点ND1，即驱动晶体管TDrv的栅电极置为浮接状态。因此，当驱动晶体管TDrv的迁移率μ的数值很高时，驱动晶体管TDrv的源极区中的电位的增加量ΔV或电位校正值变得很大，但当驱动晶体管TDrv的迁移率μ的数值很低时，驱动晶体管TDrv的源极区中的电位的增加量ΔV或电位校正值就变得很小。这里，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差Vgs通过以下由表达式(3)的变形得到的表达式给出：
Vgs≈VSig-(VOfs-Vth)-ΔV    ...(4)
应注意，执行迁移率校正处理的预定时间[周期-TP(5)6]的总时间t0可以作为基于有机EL显示装置的设计的设计值预先确定。另外，确定[周期-TP(5)6]的总时间t0以使该时间驱动晶体管TDrv的源极区中的电位VOfs-Vth+ΔV满足以下表达式(2’)。然后，通过迁移率校正处理同时执行系数k(≡(1/2)·(W/L)·Cox)的离散校正。
VOfs-Vth+ΔV＜Vth-EL+VCat    ...(2’)
[周期-TP(5)7](参考附图4、5和7E)
通过上述操作，完成阀值电压消除处理、写处理和迁移率校正处理。此后，在[周期-TP(5)7]中，用以下方式进行上述步骤(d)。更具体地，扫描电路101操作而将扫描线SCL设为低电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为截止状态，从而将第一节点ND1，即驱动晶体管TDrv的栅电极置为浮接状态。然后，为了将发光控制电路TEL_C置为导通状态，通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加第三电压V3_ON，然后维持第三电压V3_ON的施加状态。同时，发光控制电路TEL_C的漏极区维持这样一种状态，其连接至用于控制发光部ELP的发光的例如20伏特的电压Vcc的电流供给部100。作为该操作的结果，第二节点ND2的电位升高。
这里，由于驱动晶体管TDrv的栅电极如上所述处于浮接状态，并且除此以外由于电容器部C1存在，驱动晶体管TDrv的栅电极也发生类似于自举电路的现象。因此，第一节点ND1的电位也升高。因此，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差Vgs维持表达式(4)的数值。
另外，由于第二节点ND2的电位升高并超过Vth-EL+VCat，发光部ELP开始发光。在这个时候，由于流过发光部ELP的电流是从驱动晶体管TDrv的漏极区流向源极区的漏极电流Ids，故其可以由表达式(1)表示。这里，从表达式(1)和(4)，可以将表达式(1)转变为表达式(5)：
Ids＝k·μ·(VSig-VOfs-ΔV)2        ...(4)
因此，当电压VOfs被设为0伏特时，由于来自用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig的数值的驱动晶体管TDrv的迁移率μ，流过发光部ELP的漏极电流Ids与对第二节点ND2，即对驱动晶体管TDrv的源极区的电压校正值ΔV的差值的平方成比例地增加。换句话说，流过发光部ELP的漏极电流Ids既不取决于发光部ELP的阀值电压Vth-EL，也不取决于驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth。因此，发光部ELP的发光量，即亮度既不受发光部ELP的阀值电压Vth-EL的影响，也不受驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth的影响。因而，第(n，m)个有机EL元件10的亮度具有对应于漏极电流Ids的数值。
此外，由于电位校正值ΔV随驱动晶体管TDrv的迁移率μ的增加而增加，所以表达式(4)的左侧的值减小。因此，即使在表达式(5)中迁移率μ的数值很高，也可以校正漏极电流Ids，这是因为(VSig-VOfs-ΔV)2的值减小了。换句话说，即使驱动晶体管TDrv具有不同的迁移率μ，如果图像信号VSig的值相等，那么漏极电流Ids也会变得基本上相等，并且因此，流过发光部ELP控制发光部ELP的亮度的漏极电流Ids均匀。换句话说，由于迁移率μ的离散引起了发光部的亮度的离散，因此可以校正系数k的离散。
发光部ELP持续发光状态，直到第(m+m’-1)个水平扫描周期。该时间点对应于[周期-TP(5)-1]的结束。
于是，完成了有机EL元件10，即第(n，m)个子像素(有机EL元件10)的发光操作。
现在，将描述4Tr/1C驱动电路。
[4Tr/1C驱动电路]
图8示出了4Tr/1C驱动电路的等效电路图；图9示出了有机EL显示装置的框图；而图10示出了4Tr/1C驱动电路的驱动时序图。另外，图11A～11D和12A～12D图解示出了4Tr/1C驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。
在4Tr/1C驱动电路中，从上述5Tr/1C驱动电路省略第一节点初始化晶体管TND1。更具体地，4Tr/1C驱动电路包括四个晶体管，图像信号写晶体管TSig、驱动晶体管TDrv、发光控制晶体管TEL_C和第二节点初始化晶体管TND2，并且还包括一个电容器部C1。
[发光控制晶体管TEL_C]
发光控制晶体管TEL_C具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的发光控制晶体管TEL_C相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了发光控制晶体管TEL_C的重复描述。
[驱动晶体管TDrv]
驱动晶体管TDrv具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的驱动晶体管TDrv相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了驱动晶体管TDrv的重复描述。
[第二节点初始化晶体管TND2]
第二节点初始化晶体管TND2具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的第二节点初始化晶体管TND2相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了第二节点初始化晶体管TND2的重复描述。
[图像信号写晶体管TSig]
图像信号写晶体管TSig具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的图像信号写晶体管TSig相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了图像信号写晶体管TSig的重复描述。然而，应注意，尽管图像信号写晶体管TSig的一个源极/漏极区连接至数据线DTL，从图像信号输出电路102向源极/漏极区不仅提供了用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig，而且还提供了用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs。这种情况下，图像信号写晶体管TSig的操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的图像信号写晶体管TSig的操作不同。应注意，可以从图像信号输出电路102通过数据线DTL向一个源极/漏极区提供与图像信号VSig或电压VOfs不同的信号或电压，例如，用于预充电驱动的信号。
[发光部ELP]
发光部ELP具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的发光部ELP相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了发光部ELP的重复描述。
以下将描述4Tr/1C驱动电路的操作。
[周期-TP(4)-1](参考附图10和11A)
例如，在[周期-TP(4)-1]中，执行用于在前显示帧的操作。这种情况下的操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的[周期-TP(5)-1]中的操作相同。
图10所示的[周期-TP(4)0]～[周期-TP(4)4]的周期分别对应于图4所示的[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)4]的周期，并且是到进行下一个写处理的前一操作时期。类似于5Tr/1C驱动电路中，在[周期-TP(4)0]～[周期-TP(4)4]的周期中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。然而，4Tr/1C驱动电路的操作与5Tr/1C驱动电路的不同在于，在图10中所示的第m个水平扫描周期中，不仅包括[周期-TP(4)5]～[周期-TP(4)6]的周期，而且还包括[周期-TP(4)2]～[周期-TP(4)4]的周期。为了便于描述，假设[周期-TP(4)2]的开始时间点和[周期-TP(4)6]的结束时间点分别与第m个水平扫描周期的开始时间点和结束时间点相一致。
以下将描述[周期-TP(4)0]～[周期-TP(4)4]的周期中的操作。应注意，可以类似于前述的5Tr/1C驱动电路，根据有机EL显示装置的设计适当设置[周期-TP(4)1]的开始时间点和[周期-TP(4)1]～[周期-TP(4)4]的周期的长度。
[周期-TP(4)0]
基于从在前显示帧到当前显示帧的转变执行[周期-TP(4)0]中的操作，该操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的[周期-TP(5)0]中的操作基本相同。
周期[周期-TP(4)1]～[周期-TP(4)2](参考附图11B和11C)
在该周期中，进行步骤(a)，即上述的预处理。以下将详细描述该预处理。
[周期-TP(4)1](参考附图11B)
该[周期-TP(4)1]对应于上述5Tr/1C驱动电路的描述中的[周期-TP(5)1]。在[周期-TP(4)1]开始时，第二节点初始化晶体管控制电路105操作以将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为高电平，从而将第二节点初始化晶体管TND2置为导通状态。因此，第二节点ND2的电位变为等于例如-10伏特的电压Vss。处于浮接状态的第一节点ND1，即驱动晶体管TDrv的栅电极的电位也下降，从而跟随第二节点ND2的电位的下降。应注意，由于在[周期-TP(4)1]中第一节点ND1的电位取决于在[周期-TP(4)-1]中第一节点ND1的电位，其中，[周期-TP(4)-1]依次取决于在前的帧的图像信号VSig的数值，所以并不假设一个固定值。
[周期-TP(4)2](参考附图11C)
此后，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位设为电压VOfs，并且扫描电路101操作以将扫描线SCL设为高电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为导通状态。结果，第一节点ND1的电位变为等于例如可以为0伏特的电压VOfs。第二节点ND2的电位维持例如可以为-10伏特的电压Vss。此后，第二节点初始化晶体管控制电路105操作以将第二节点初始化晶体管控制线AZND2设为低电平，从而将第二节点初始化晶体管TND2置为截止状态。
应注意，图像信号写晶体管TSig可以在[周期-TP(4)1]的开始或者[周期-TP(4)1]期间同时被置为导通状态。
通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅极区和源极区之间的电位差变得比阀值电压Vth大，并且驱动晶体管TDrv被置为导通状态。
周期[周期-TP(4)3]～[周期-TP(4)4](参考附图11D和12A)
在该周期中，执行通过上述步骤(b)，更具体地，通过步骤(b-1)和(b-2)提供的阀值电压消除处理。以下将详细描述阀值电压消除处理。
[周期-TP(4)3](参考附图11D)
首先，执行上述的步骤(b-1)。具体地，当图像信号写晶体管TSig维持导通状态时，在[周期-TP(4)3]的初始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的第一电压V1_ON，从而将发光控制电路TEL_C置为导通状态。因此，尽管第一节点ND1的电位不变而维持电压VOfs＝0伏特，但是第二节点ND2的电位向驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth与第一节点ND1的电位的差值变化。换句话说，处于浮接状态的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管TDrv进入截止状态。更具体地，处于浮接状态的第二节点ND2的电位接近VOfs-Vth＝-3伏特并最终变为等于VOfs-Vth。这里，如果确保上述给出的表达式(2)，或者换句话说，如果选择并决定电位从而使得满足表达式(2)，那么发光部ELP并不发光。
[周期-TP(4)4](参考附图12A)
然后，执行上述的处理(b-2)。具体地，当图像信号写晶体管TSig维持导通状态时，在[周期-TP(4)4]的初始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制晶体管TEL_C的栅电极施加用于将发光控制晶体管TEL_C置为截止状态的第二电压V2_OFF。因此，发光控制晶体管TEL_C被置为截止状态。第一节点ND1的电位不变而维持电压VOfs＝0伏特，处于浮接状态的第二节点ND2的电位也基本上维持VOfs-Vth＝-3伏特。
如上所述，第二节点ND2的电位通过步骤(b-1)和(b-2)最终变为VOfs-Vth。更具体地，第二节点ND2的电位仅取决于驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth和驱动晶体管TDrv的栅电极。因此，第二节点ND2的电位与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。
现在将描述[周期-TP(4)5]～[周期-TP(4)7]的周期中的操作。这些周期中的操作同上述5Tr/1C驱动电路的描述中[周期-TP(5)5]～[周期-TP(5)7]的周期中的操作基本上相同。
[周期-TP(4)5](参考附图12B)
在该周期中，执行步骤(c)，即上述的写处理。具体地，当图像信号写晶体管TSig维持导通状态，并且第二节点初始化晶体管TND2和发光控制电路TEL_C维持截止状态时，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位从电压VOfs向用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig变化。因此，第一节点ND1的电位升高至图像信号电压VSig。应注意，可以将图像信号写晶体管TSig一次置为截止状态，从而当图像信号写晶体管TSig、第二节点初始化晶体管TND2和发光控制电路TEL_C维持截止状态时，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位向用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig变化，随后，当第二节点初始化晶体管TND2和发光控制电路TEL_C维持截止状态时，将扫描线SCL设为高电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为导通状态。
与上述5Tr/1C驱动电路的情况类似，通过该处理，第一节点ND1和第二节点ND2之间的电位差，即驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差Vgs变为与从上述给出的表达式(3)得到的值相等。
换句话说，在4Tr/1C驱动电路中，用于驱动晶体管TDrv的写处理中得到的电位差Vgs也仅取决于用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig、驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs。换句话说，电位差Vgs与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。
[周期-TP(4)6](参考附图12C)
此后，执行基于驱动晶体管TDrv的迁移率的量级的驱动晶体管TDrv的节点区，即第二节点ND2的电位的校正，即迁移率校正处理。更具体地，可以执行与5Tr/1C驱动电路相关的上述[周期-TP(5)6]中的操作相同的操作。应注意，用于执行迁移率校正处理的[周期-TP(4)6]的预定时间的总时间t0可以作为基于有机EL显示装置的设计的设计值预先确定。
[周期-TP(4)7](参考附图12D)
通过上述操作完成阀值电压消除处理、写处理和迁移率校正/写处理。此后，在[周期-TP(4)7]执行上述步骤(d)。此后，执行与5Tr/1C驱动电路的描述中的上述[周期-TP(5)7]中的处理相同的处理。因此，由于第二节点ND2的电位升高并很快超过Vth-EL+VCat，所以发光部ELP开始发光。此时，由于可以从上述给出的表达式(5)得到流过发光部ELP的电流，所以流过发光部ELP的漏极电流Ids并不取决于发光部ELP的阀值电压Vth-EL和驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth中的任一个。换句话说，发光量或发光部ELP的亮度并不受发光部ELP的阀值电压Vth-EL和驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth中任一个的影响。此外，可以抑制由驱动晶体管TDrv的迁移率μ的离散引起的漏极电流Ids的离散出现。
然后，发光部ELP持续发光状态，直到第(m+m’-1)个水平扫描周期。该时间点对应于[周期-TP(4)-1]的结束。
于是，完成了有机EL元件10，即第(n，m)个子像素或有机EL元件10的发光操作。
现在，将描述3Tr/1C驱动电路。
[3Tr/1C驱动电路]
图13示出了3Tr/1C驱动电路的等效电路图；图14示出了有机EL显示装置的框图；图15示出了3Tr/1C驱动电路的驱动时序图；而图16A～16D和17A～17E中图解示出了3Tr/1C驱动电路的晶体管的导通/截止状态等。
在3Tr/1C驱动电路中，从上述5Tr/1C驱动电路省略包括第一节点初始化晶体管TND1和第二节点初始化晶体管TND2的两个晶体管。更具体地，3Tr/1C驱动电路包括三个晶体管，图像信号写晶体管TSig、驱动晶体管TDrv和发光控制晶体管TEL_C，并且还包括一个电容器部C1。
[发光控制晶体管TEL_C]
发光控制晶体管TEL_C具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的发光控制晶体管TEL_C相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了发光控制晶体管TEL_C的重复描述。
[驱动晶体管TDrv]
驱动晶体管TDrv具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的驱动晶体管TDrv相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了驱动晶体管TDrv的重复描述。
[图像信号写晶体管TSig]
图像信号写晶体管TSig具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的图像信号写晶体管TSig相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了图像信号写晶体管TSig的重复描述。然而，应注意，尽管图像信号写晶体管TSig的一个源极/漏极区连接至数据线DTL，从图像信号输出电路102向源极/漏极区不仅提供了用于控制发光部ELP的亮度的图像信号VSig，而且还提供了用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs-H。这种情况下，图像信号写晶体管TSig的操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的图像信号写晶体管TSig的操作不同。应注意，可以从图像信号输出电路102通过数据线DTL向一个源极/漏极区提供与图像信号VSig或电压VOfs-H/VOfs-L不同的信号或电压，例如，用于预充电驱动的信号。尽管没有具体限制电压VOfs-H和电压VOfs-L的值，但它们可以是，例如，
VOfs-H＝约30伏特
VOfs-L＝约0伏特
[寄生电容CEL与电容器C1的值的关系]
如上所述，在3Tr/1C驱动电路中，需要利用数据线DLT改变第二节点ND2的电位。在5Tr/1C驱动电路和4Tr/1C驱动电路的描述中，寄生电容CEL同数值c1和数值cgs相比具有相当高的值，并且基于驱动晶体管TDrv的栅电极的电位变化VSig-VOfs，没有考虑驱动晶体管TDrv的源极区中即第二节点ND2的电位变化。另一方面，在3Tr/1C驱动电路中，将数值c1设为比其它驱动电路的数值更高的数值，例如，根据设计，将其设为寄生电容CEL的约1/4到1/3。因此，由第一节点ND1的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化程度比其它驱动电路的高。因此，在以下的3Tr/1C驱动电路的描述中，考虑由第一节点ND1的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。应注意，给出的图15中示出的驱动时序图也考虑了由第一节点ND1的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化。
[发光部ELP]
发光部ELP具有与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的发光部ELP相同的配置。因此，为了避免重复，这里省略了发光部ELP的重复描述。
以下将描述3Tr/1C驱动电路的操作。
[周期-TP(3)-1](参考附图16A)
例如，在[周期-TP(3)-1]中，执行在前显示帧的操作。该周期中的操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中[周期-TP(5)-1]的操作相同。
图15所示的[周期-TP(3)0]～[周期-TP(3)4]的周期分别对应于图4所示的[周期-TP(5)0]～[周期-TP(5)4]的周期，并且是到进行下一个写处理之前的操作时期。类似于5Tr/1C驱动电路中，在[周期-TP(3)0]～[周期-TP(3)4]的周期中，第(n，m)个有机EL元件10处于不发光状态。然而，3Tr/1C驱动电路的操作与5Tr/1C驱动电路的不同在于，在图15中所示的第m个水平扫描周期中，不仅包括[周期-TP(3)5]～[周期-TP(3)6]的周期，而且包括[周期-TP(3)1]～[周期-TP(3)4]的周期。为了便于描述，假设[周期-TP(3)1]的开始时间点和[周期-TP(3)6]的结束时间点分别与第m个水平扫描周期的开始时间点和结束时间点相符。
以下将描述[周期-TP(3)0]～[周期-TP(3)4]的周期中的操作。应注意，可以类似于前述的5Tr/1C驱动电路，根据有机EL显示装置的设计适当设置[周期-TP(3)1]～[周期-TP(3)4]的周期长度。
[周期-TP(3)0](参考附图16B)
基于从在前显示帧到当前显示帧的转变执行[周期-TP(3)0]中的操作，该操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中的[周期-TP(5)0]中的操作基本相同。
周期[周期-TP(3)1]～[周期-TP(3)2](参考附图16C和16D)
在该周期中，执行步骤(a)，即上述的预处理。以下将详细描述该预处理。
[周期-TP(3)1](参考附图16C)
然后，当前显示帧的第m个水平扫描周期开始。在[周期-TP(3)1]开始时，图像信号输出电路102操作，从而将数据线DTL的电位设为用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs-H，然后扫描电路101操作以将扫描线SCL设为高电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为导通状态。因此，第一节点ND1的电位变为等于电压VOfs-H。由于将电容器部C1的数值c1根据上述设计被设为比其它驱动电路的高，所以驱动晶体管TDrv的源极区的电位，即第二节点ND2的电位升高。然后，由于发光部ELP间的电位差最终超过阀值电压Vth-EL，所以发光部ELP被置为导通状态。然而，驱动晶体管TDrv的源极区的电位立即再次下降至Vth-EL+VCat。应注意，在该处理中，尽管发光部ELP可以发光，该发光发生在瞬间并且无关于实际应用。另一方面，驱动晶体管TDrv的栅电极维持电压VOfs-H。
[周期-TP(3)2](参考附图16D)
此后，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位从用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs-H设为电压VOfs-L，因此，第一节点ND1的电位变为等于电压VOfs-L。然后，随着第一节点ND1的电位的下降，第二节点ND2的电位也下降。具体地，基于驱动晶体管TDrv的栅电极的电位变化VOfs-L-VOfs-H的电荷分布在电容器部C1、发光部ELP的寄生电容CEL和驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的寄生电容上。应注意，作为用于后述的[周期-TP(3)3]中的操作的先决条件，第二节点ND2的电位必须比[周期-TP(3)2]的结束时间点的VOfs-L-Vth低。电压VOfs-H等的值被设为满足该要求。这样，通过上述处理，驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差变得比阀值电压Vth大，因此，驱动晶体管TDrv被置为导通状态。
周期[周期-TP(3)3]～[周期-TP(3)4](参考附图17A和17B)
在该周期中，执行上述步骤(b)，即包括上述步骤(b-1)和(b-2)的阀值电压消除处理。以下将详细描述阀值电压消除处理。
[周期-TP(3)3](参考附图17A)
首先，执行上述的步骤(b-1)。具体地，当图像信号写晶体管TSig维持导通状态时，在[周期-TP(3)3]的初始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制电路TEL_C的栅电极施加用于将发光控制电路TEL_C置为导通状态的第一电压V1_ON。然后，发光控制电路TEL_C被置为导通状态。因此，尽管第一节点ND1的电位不变而维持电压VOfs-L＝0伏特，但是第二节点ND2的电位向第一节点ND1的电位与驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth的差值变化。换句话说，处于浮接状态的第二节点ND2的电位升高。然后，当驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差达到阀值电压Vth时，驱动晶体管TDrv进入截止状态。更具体地，处于浮接状态的第二节点ND2的电位接近VOfs-Vth＝-3伏特并最终变为等于VOfs-Vth。这里，如果确保上述给出的表达式(2)，或者换句话说，如果电位被选择并确定而满足表达式(2)，那么发光部ELP并不发光。
[周期-TP(3)4](参考附图17B)
然后，执行上述的处理(b-2)。具体地，当图像信号写晶体管TSig维持导通状态时，在[周期-TP(3)4]的初始时间点，发光控制晶体管控制电路103操作以通过发光控制晶体管控制线CLEL_C向发光控制晶体管TEL_C的栅电极施加用于将发光控制晶体管TEL_C置为截止状态的第二电压V2_OFF。因此，发光控制晶体管TEL_C被置为截止状态。第一节点ND1的电位不变而维持电压VOfs＝0伏特，而处于浮接状态的第二节点ND2的电位也基本上维持VOfs-Vth＝-3伏特。
如上所述，第二节点ND2的电位通过步骤(b-1)和(b-2)最终变为VOfs-Vth。这样，第二节点ND2的电位仅取决于驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth和驱动晶体管TDrv的栅电极。因此，第二节点ND2的电位与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。
现在将描述[周期-TP(3)5]～[周期-TP(3)7]的周期中的操作。这些周期中的操作与上述5Tr/1C驱动电路的描述中[周期-TP(5)5]～[周期-TP(5)7]的周期中的操作基本上相同。
[周期-TP(3)5](参考附图17C)
在该周期中，执行步骤(c)，即上述的写处理。具体地，当图像信号写晶体管TSig维持导通状态，并且发光控制电路TEL_C维持截止状态时，图像信号输出电路102操作以将数据线DTL的电位从电压VOfs设为用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig。因此，第一节点ND1的电位升高至图像信号电压VSig。应注意，可以将图像信号写晶体管TSig一次置为截止状态，从而当图像信号写晶体管TSig和发光控制电路TEL_C维持截止状态时，数据线DTL的电位向用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig变化，随后，当发光控制电路TEL_C维持截止状态时，扫描线SCL被设为高电平，从而将图像信号写晶体管TSig置为导通状态。
在[周期-TP(3)5]中，第一节点ND1的电位升高至图像信号VSig。因此，当考虑由第一节点ND1的电位变化引起的第二节点ND2的电位变化时，第二节点ND2的电位也升高一些。因此，第二节点ND2的电位可以表示为VOfs-L-Vth+α·(VSig-VOfs-L)。这里，α的值满足0＜α＜1并且取决于电容器部C1和发光部ELP的寄生电容CEL。
从而，类似于前述的5Tr/1C驱动电路，第一节点ND1和第二节点ND2之间的电位差，即驱动晶体管TDrv的栅电极和源极区之间的电位差VgS，可以是通过以下表达式(3’)给出的数值：
Vgs≈VSig-(VOfs-L-Vth)-α·(VSig-VOfs-L)...(3’)
因而，在3Tr/1C驱动电路中，由用于驱动晶体管TDrv的写处理得到的电位差Vgs也仅取决于用于控制发光部ELP的亮度的图像信号电压VSig、驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth和用于初始化驱动晶体管TDrv的栅电极的电压VOfs-L。因此，电位差Vgs与发光部ELP的阀值电压Vth-EL无关。
[周期-TP(3)6](参考附图17D)
然后，执行校正，即，基于驱动晶体管TDrv的迁移率的量级校正驱动晶体管TDrv的源极区，即第二节点ND2的电位的迁移率校正处理。换句话说，执行迁移率校正/写处理。具体地，可以执行与上述5Tr/1C驱动电路的描述中[周期-TP(5)6]中的操作相同的操作。应注意，用于执行迁移率校正处理的预定时间，即[周期-TP(3)6]的总时间t0可以作为基于有机EL显示装置的设计的设计值预先确定。
[周期-TP(3)7](参考附图17E)
通过上述操作完成阀值电压消除处理、写处理和迁移率校正/写处理。此后，在该周期中用以下方式执行上述处理(d)。具体地，执行与上述5Tr/1C驱动电路的描述中[周期-TP(5)7]中的处理相同的处理。因此，由于第二节点ND2的电位升高并很快超过Vth-EL+VCat，所以发光部ELP开始发光。此时，由于流过发光部ELP的电流可以从上述给出的表达式(5)得到，所以流过发光部ELP的漏极电流Ids并不取决于发光部ELP的阀值电压Vth-EL和驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth中的任一个。换句话说，发光量或发光部ELP的亮度并不受发光部ELP的阀值电压Vth-EL和驱动晶体管TDrv的阀值电压Vth中任一个的影响。此外，可以抑制由驱动晶体管TDrv的迁移率μ的离散引起的漏极电流Ids的离散的出现。
然后，发光部ELP保持发光状态，直到第(m+m’-1)个水平扫描周期。该时间点对应于[周期-TP(3)-1]的结束。
于是，完成了有机EL元件10，即第(n，m)个子像素或有机EL元件10的发光操作。
虽然使用具体条件描述了本发明优选的实施例，但是该描述仅用于示例，并且应了解，在不背离以下权利要求的精神或范围的前提下可以作出各种改变和变化。具体地，与本发明的实施例相关的上述有机EL显示装置、有机EL元件和驱动电路的各种组分的构造和结构以及用于发光部的驱动方法的步骤都是示例性的，并且可以进行适当的修改。

Claims (3)

1.  一种用于有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法，所述EL显示装置包括：
(1)扫描电路，
(2)图像信号输出电路，
(3)以二维矩阵设置的共N×M个有机电致发光元件，在所述二维矩阵中，N个有机EL元件在第一方向排列，而M个有机EL元件在不同于所述第一方向的第二方向排列，并且每个所述有机电致发光元件均包括有机电致发光发光部和用于驱动所述有机电致发光发光部的驱动电路，
(4)M条扫描线，连接至所述扫描电路并沿所述第一方向延伸，
(5)N条数据线，连接至所述图像信号输出电路并沿所述第二方向延伸，以及
(6)电流供给部，
所述驱动电路包括：
(A)驱动晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，
(B)图像信号写晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，
(C)发光控制晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，以及
(D)电容器部，具有一对电极，
所述驱动晶体管经配置以使：
(A-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至所述发光控制晶体管的所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区，
(A-2)所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区连接至置于所述有机电致发光发光部中的阳极电极，并连接至所述电容器部的所述电极中的第一个电极以形成第二节点，以及
(A-3)所述栅电极连接至所述图像信号写晶体管的所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区，并连接至所述电容器部的所述电极中的第二个电极以形成第一节点，
所述图像信号写晶体管经配置以使：
(B-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至数据线，以及
(B-2)所述栅电极连接至扫描线，
所述发光控制晶体管经配置以使，
(C-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至电流供给部，以及
(C-2)所述栅电极连接至发光控制晶体管控制线，
用于所述有机EL显示装置的有机电致发光发光部的驱动方法包括以下步骤：
(a)执行向所述第一节点施加第一节点初始化电压以及向所述第二节点施加第二节点初始化电压的预处理，以使所述第一和第二节点之间的电位差超过所述驱动晶体管的阀值电压，并且所述第二节点和所述有机电致发光发光部的阳极电极之间的电位差不超过所述有机电致发光发光部的阀值电压；
(b)执行用于在保持所述第一节点的电位的同时使所述第二节点的电位向所述驱动晶体管的所述阀值电压与所述第一节点的所述电位的差值电位改变的阀值电压消除处理；
(c)执行通过根据来自所述扫描线的信号而被置为导通状态的所述图像信号写晶体管将来自所述数据线的图像信号施加至所述第一节点的写处理；
(d)根据来自所述扫描线的信号将所述图像信号写晶体管置为截止状态，以将所述第一节点置为浮接状态，并且通过所述发光控制晶体管和所述驱动晶体管，从所述电流供给部向所述有机电致发光发光部提供与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相对应的电流，以驱动所述有机电致发光发光部；
所述步骤(b)包括以下步骤：
(b-1)通过所述发光控制晶体管控制部向所述发光控制晶体管的所述栅电极施加用于将所述发光控制晶体管置为导通状态的第一电压，以通过处于导通状态的所述发光控制晶体管，将所述驱动晶体管的所述源极/漏极区中的一个连接至所述电流供给部，从而将所述驱动晶体管的所述一个源极/漏极区的电位设为比所述步骤(a)的所述第二节点的所述电位更高的电位，以及
(b-2)通过所述发光控制晶体管控制线向所述发光控制晶体管的所述栅电极施加用于将所述发光控制晶体管设为截止状态的第二电压，
所述步骤(d)还包括：通过所述发光控制晶体管控制线向所述发光控制晶体管的所述栅电极施加用于将所述发光控制晶体管置为导通状态的第三电压，并且通过处于导通状态的所述发光控制晶体管，将所述驱动晶体管的所述源极/漏极区中的一个连接至所述电流供给部，从而向所述有机电致发光发光部提供与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相对应的电流，
所述第一、第二和第三电压满足|V1_ON-V2_OFF|＜|V3_ON-V2_OFF|，其中，V1_ON为所述第一电压，V2_OFF为所述第二电压以及V3_ON为所述第三电压。
2.根据权利要求1所述的驱动方法，其中，所述驱动电路还包括：(E)第二节点初始化晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，
在所述第二节点初始化晶体管中：
(E-1)所述源极/漏极区中的第一个源极/漏极区连接至第二节点初始化电压供给线；
(E-2)所述源极/漏极区中的第二个源极/漏极区连接至所述第二节点；以及
(E-3)所述栅电极连接至第二节点初始化晶体管控制线；
在所述步骤(a)，通过根据来自所述第二节点初始化晶体管控制线的信号被置为导通状态的所述第二节点初始化晶体管，从所述第二节点初始化电压供给线向所述第二节点施加第二节点初始化电压，然后根据来自所述第二节点初始化晶体管控制线的信号将所述第二节点初始化晶体管置为截止状态。
3.根据权利要求2所述的驱动方法，其中，所述驱动电路还包括：(F)第一节点初始化晶体管，包括源极/漏极区、沟道形成区和栅电极，
在所述第一节点初始化晶体管中：
(F-1)所述源极/漏极区中的第一个连接至第一节点初始化电压供给线；
(F-2)所述源极/漏极区中的第二个连接至所述第一节点；以及
(F-3)所述栅电极连接至所述第一节点初始化晶体管控制线；
在所述步骤(a)，通过根据来自所述第一节点初始化晶体管控制线的信号被置为导通状态的所述第一节点初始化晶体管，从所述第一节点初始化电压供给线向所述第一节点施加第一节点初始化电压。
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