CN101082721A - 半穿半反式液晶显示器制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：提供具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区的基板；在基板上沉积一第一金属层，其由不同蚀刻率的多层金属层层叠而成，并按蚀刻率自下而上依次增大的顺序排列；经一道光罩曝光显影后，蚀刻该第一金属层，在薄膜晶体管区形成栅极，在反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；沉积一栅极绝缘层、一半导体材料层与一第二金属层；用两道光罩蚀刻工艺形成源极与漏极；沉积一像素电极材料层，用一道光罩蚀刻形成像素电极，并在凸起处形成反射电极，在穿透区形成穿透电极。该半穿半反式液晶显示器具有反射率高的特点。

Description

半穿半反式液晶显示器制造方法

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器制造方法，特别是一种半穿半反式液晶显示器(transflective liquid crystal display，TRLCD)制造方法。

背景技术

在液晶显示器广泛应用的今天，便携式产品要求低耗电，长时间的使用，且在户外强烈日光下的可见功能也相当重要。半穿半反式液晶显示器便能符合上述需求，在室内较暗环境下，可由穿透区利用显示器内置的背光光源作为所需光源，清楚显示画面；而在户外光线充足的环境下，也可由反射区利用环境光源作为显像所需光源，清楚显示画面。

目前，为减少半穿半反式液晶显示器制造方法的步骤，业界通常采用一平板狭缝型光罩进行曝光显影，其基本步骤包括：在基板上利用前四道普通光罩工艺形成一栅极、一半导体层、一源极与一漏极，同时，在基板上定义一反射区与一穿透区；形成一钝化层在上述包括栅极、半导体层、源极与漏极的基板表面；依次形成一像素电极、一缓冲层与一反射金属层在该钝化层表面；在该反射金属层表面沉积一光阻层；利用平板狭缝型光罩对该穿透区与该反射区对应的光阻层进行曝光显影，使得该光阻层在该反射区内的厚度大于该光阻层在该穿透区的厚度；灰化该光阻层，以去除穿透区的光阻层，反射区则剩余部分光阻层；蚀刻该穿透区的缓冲层与反射金属层，暴露出穿透区的像素电极，即形成穿透电极；去除反射区的剩余光阻，暴露出反射区的反射金属层，即形成反射电极。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法，利用一平板狭缝型光罩在曝光时可控制透光率的特性来实现在同一步骤中同时形成反射电极与穿透电极，从而减少了光罩工艺，达到简化制造步骤，降低制造成本的目的。然而，由于采用平板狭缝型光罩进行曝光显影仅能控制光阻层厚度而无法控制光阻层的形状，从而导致形成的反射电极为一平面结构，其反射率较低，无法达到良好的反射效果。

发明内容

为了解决现有技术制造的半穿半反式液晶显示器的反射率较低的问题，有必要提供一种具有较高反射率的半穿半反式液晶显示器制造方法。

一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；步骤二，沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板表面，该第一金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；步骤三，利用一第一光罩对该第一光阻层进行曝光，并显影该第一光阻层，然后蚀刻该第一金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；步骤五，沉积一半导体材料层与一第二光阻层在该栅极绝缘层上，并利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，然后蚀刻该半导体材料层从而形成一半导体层；步骤六，沉积一第二金属层与一第三光阻层在具有该半导体层与栅极绝缘层的透明绝缘基板上，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后蚀刻该第二金属层，从而形成一源极及一漏极；步骤七，沉积一钝化层与一第四光阻层在该具有源极、漏极与半导体层的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；步骤八，沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；步骤二，沉积一栅极金属层与一光阻层在该透明绝缘基板表面，该栅极金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；步骤三，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，然后蚀刻该栅极金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；步骤五，形成一半导体层在该栅极对应的薄膜晶体管区；步骤六，形成一源极与漏极在该半导体层表面；步骤七，沉积一钝化层在具有该源极与漏极的透明绝缘基板上，并形成一连接孔，该连接孔暴露出该漏极；步骤八，形成一像素电极在该钝化层表面，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：步骤一，提供一透明绝缘基板，其包括一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；步骤二，沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板上，利用一第一光罩曝光该第一光阻层，并显影该第一光阻层，然后对该第一金属层进行蚀刻，从而形成一栅极在该薄膜晶体管区；步骤三，依序沉积一栅极绝缘层、一半导体材料层与一第二光阻层在该具有栅极的透明绝缘基板上，利用一第二光罩曝光该第二光阻层，并显影该第二光阻层，然后蚀刻该半导体材料层，从而形成一半导体层；步骤四，沉积一第二金属层与一第三光阻层在该栅极绝缘层与该半导体层表面，该第二金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；步骤五，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后蚀刻该第二金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一源极与一漏极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；步骤六，沉积一钝化层与一第四光阻层在该形成有源极、漏极与凸起的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；步骤七，沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：步骤一，提供一透明绝缘基板，其包括一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；步骤二，形成一栅极在该薄膜晶体管区；步骤三，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极的透明绝缘基板上；步骤四，形成一半导体层在该栅极对应的薄膜晶体管区；步骤五，沉积一源/漏极金属层与一光阻层在该栅极绝缘层与该半导体层表面，该源/漏极金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；步骤六，利用一光罩对该光阻层进行曝光，并显影该光阻层，然后蚀刻该源/漏极金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一源极与一漏极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；步骤七，沉积一钝化层在具有该源极、漏极与凸起的透明绝缘基板上，并形成一连接孔，该连接孔处暴露出该漏极；步骤八，形成一像素电极在该钝化层表面，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法是以蚀刻率自下而上依次增大为沉积顺序，使用蚀刻率不同的多层金属层作为形成栅极或源极与漏极的金属层，再经由光罩蚀刻工艺形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起，并且在该凸起的基础上，经光罩蚀刻工艺形成该半穿半反式液晶显示器的反射电极。由于该反射电极系在多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起的基础上形成，从而使其自身也具有多个凸起形状，因此该半穿半反式液晶显示器的反射率较高，反射效果也得到提升。

附图说明

图1至图13是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第一实施方式的各步骤示意图。

图14至图19是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第二实施方式的各步骤示意图。

图20至图28是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第三实施方式的各步骤示意图。

图29至图30是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第四实施方式的各步骤示意图。

具体实施方式

请一并参阅图1至图13，是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第一实施方式的各步骤示意图。

步骤一，请参阅图1，提供一透明绝缘基板200，其可为玻璃、石英等透明绝缘材料。在该透明绝缘基板200表面沉积一栅极金属层210。该栅极金属层210是由对同一蚀刻液具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大为沉积顺序进行排列。该透明绝缘基板200具有连续设置的一薄膜晶体管区201，一穿透区202与一反射区203。

步骤二，请参阅图2，涂覆一第一光阻层240在该栅极金属层210表面。涂覆方法可采用旋涂法(spinc oating)或喷涂法(spaying coating)。

步骤三，请参阅图3，利用一第一光罩250，将其放置在该第一光阻层240上方。该第一光罩250包括一第一遮光区251与一第一透光区252。该第一透光区252对应该穿透区202设置；该第一遮光区251对应部分薄膜晶体管区201设置；并且，该第一遮光区251与第一透光区252间隔设置在该反射区203上。利用紫外线透过该第一光罩250照射该第一光阻层240，使该第一光阻层240发生感光反应，则该第一遮光区251对应的第一光阻层240不感光，该第一透光区252对应的第一光阻层240感光。利用显影液对该第一光阻层240进行显影，以去除发生感光反应的第一光阻层240部分，从而形成如图4所示的结构，即在薄膜晶体管区201对应的第一光阻层240被部分去除；在穿透区202对应的第一光阻层240被全部去除；在反射区203对应的第一光阻层240形成多个凸块结构。

步骤四，请一并参阅图5，以剩余的第一光阻层240为遮罩蚀刻该栅极金属层210。由于该栅极金属层210是由多层金属层层叠设置而成，且各金属层依据蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列，因此在蚀刻时，蚀刻率越高的金属层的边缘部分蚀刻掉越多，蚀刻率越低的金属层的边缘部分蚀刻掉越少，则在蚀刻后，剩余栅极金属层210的截面宽度将自下而上逐层减小。

在薄膜晶体管区201对应的剩余栅极金属层210部分，由于其截面宽度较宽，蚀刻后对其整体形状没有太大影响，因此形成一条形结构，该条形结构将作为该半穿半反式液晶显示器的栅极212。而在该反射区203对应的剩余栅极金属层210部分由于截面宽度较窄，因此蚀刻后将形成多个台型凸起211，如图6及图7所示，图6是图5所示凸起211的俯视放大示意图。图7是图5所示凸起211的垂直截面放大示意图。该凸起211的横截面近似呈一同心圆形状，其垂直截面为一两对边近似呈一阶梯形状且宽度自下而上逐层递减的结构。

其中，蚀刻方式可为湿蚀刻(wet etching)方式或干蚀刻方式，湿蚀刻通常采用HF及NH4F的混合溶液作为蚀刻剂。

步骤五，请参阅图8，灰化(ashing)剩余第一光阻层240，暴露出该栅极212与凸起211。

步骤六，请参阅图9，沉积一栅极绝缘层213与一第二光阻层(图未示)在具有该栅极212与凸起211的透明绝缘基板200表面。栅极绝缘层213是采用化学气相沉积(chemical vapordeposition，CVD)法，利用反应气体硅烷与氨气形成的一非晶氮化硅(SiNx)结构。

步骤七，请参阅图10，沉积一半导体材料在该栅极绝缘层213表面，并利用一第二光罩(图未示)对该第二光阻层进行曝光，并显影曝光后的第二光阻层，然后以剩余第二光阻层为遮罩蚀刻该半导体材料，从而形成一半导体层215。

接着，在上述包括该半导体层215、该栅极绝缘层213的透明绝缘基板200上，沉积一源/漏极金属材料层与一第三光阻层(图未示)。该源/漏极金属材料层通常为钼(molybdenum，Mo)或钛(titanium，Ti)，利用一第三光罩(图未示)对该第三光阻层进行曝光，并显影曝光后的第三光阻层，然后以剩余第三光阻层为遮罩蚀刻该源/漏极金属材料层，从而形成该源极216与漏极217。该源极216与该漏极217相对设置并与该半导体层215部分相叠，同时在该半导体层215上形成一间隙224。

步骤八，请参阅图11，连续沉积一钝化层218与一第四光阻层241在该半导体层215、源极216、漏极217与该栅极绝缘层213上。

利用一第四光罩(图未示)，对该第四光阻层241进行曝光，并显影曝光后的第四光阻层241，然后以剩余第四光阻层241为遮罩蚀刻该钝化层218，从而形成一连接孔219，如图12所示，在该连接孔219处暴露出该漏极217。

步骤九，请参阅图13，依次沉积一像素电极材料层与一第五光阻层(图未示)在该钝化层218表面。该像素电极材料层的材料为氧化铟锡(indium tin oxide，ITO)或氧化铟锌(indiumzinc oxide，IZO)。利用一第五光罩(图未示)对该第五光阻层进行曝光，并显影曝光后的第五光阻层，然后以剩余第五光阻层为遮罩蚀刻该像素电极材料，从而形成一像素电极220，该像素电极220覆盖该反射区203、穿透区202与该漏极217对应的钝化层218表面，从而使该像素电极220通过该连接孔219与该漏极217电连接，并在覆盖有该像素电极220的凸起211处形成反射电极，在覆盖有该像素电极220的穿透区201处形成穿透电极。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法，是以蚀刻率自下而上依次增大为沉积顺序，使用蚀刻率不同的多层金属层层叠设置来作为栅极金属层210，再通过一道光罩工艺在该反射区203形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起211，并在该凸起211的基础上，再经四道光罩工艺形成反射电极。由于该反射电极是在多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起211的基础上形成，从而使其自身也具有凸起形状，则该半穿半反式液晶显示器的反射率较高，反射效果也得到提升。

请一并参阅图14至图19，是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第二实施方式的各步骤示意图。该第二实施方式在该第一实施方式的各制造步骤基础上，进一步包括以下步骤：

步骤十，请参阅图14，依次沉积一缓冲层321与一反射金属层322在具有该像素电极320的透明绝缘基板300表面。沉积方式可采用化学气相沉积法或物理气相沉积(physical vapordeposition，PVD)法。该反射金属层322的材料为铝(aluminum，Al)、银(argentums，Ag)或铝钕合金。该缓冲层321的材料为钼或钛，其用来间隔该像素电极320与该反射金属层322，避免二者发生电化学反应。

步骤十一，请参阅图15，涂覆一第六光阻层342在该反射金属层322表面。涂覆方式可采用旋涂法或喷涂法。

步骤十二，请参阅图16，提供一第六光罩354，将其设置在该第六光阻层342上方。该第六光罩354包括一第二遮光区355与一第二透光区356，该第二遮光区355对应该反射区303设置。该第二透光区356对应该薄膜晶体管区301与该穿透区302设置。利用紫外光透过该第六光罩354照射该第六光阻层342，使该第六光阻层342发生感光反应。该反射区303对应的第六光阻层342不感光；该穿透区302与该薄膜晶体管区301对应的第六光阻层342全部感光。利用显影液对该第六光阻层342进行显影，去除发生感光反应的光阻部分，从而形成如图17所示的结构，即，该穿透区302与该薄膜晶体管区301对应的第六光阻层342被完全去除，该反射区303对应的第六光阻层342保留。

步骤十三，请参阅图18，蚀刻穿透区302与该薄膜晶体管区301对应的缓冲层321与反射金属层322。蚀刻方法可为湿蚀刻或干蚀刻。

步骤十四，请参阅图19，灰化剩余第六光阻层342，则在穿透区302对应的穿透电极处暴露出该像素电极320；该反射区303对应的反射电极处暴露出该反射金属层322。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法中，在该像素电极320表面进一步涂覆一缓冲层321与一反射金属层322，并利用一道光罩工艺形成具有该反射金属层322的反射电极。由于该反射电极不仅在多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起基础上形成，而且在该凸起基础上进一步沉积一反射金属层322，从而加强该反射电极的反射率，提高该半穿半反式液晶显示器的反射效果。

请一并参阅图20至图28，是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第三实施方式的各步骤示意图。

步骤一，请参阅图21，提供一透明绝缘基板400，其材料为玻璃、石英等透明绝缘材料。该透明绝缘基板400上包括连续分布的一薄膜晶体管区401，一穿透区402与一反射区403。

接着，沉积一栅极金属材料与一第一光阻层(图未示)在该透明绝缘基板400表面，该栅极金属材料可为铝或铝钕合金。再利用一第一光罩(图未示)对该第一光阻层进行曝光，并显影曝光后的第一光阻层，然后以剩余第一光阻层为遮罩蚀刻该栅极金属材料，从而在该薄膜晶体管区401上形成一栅极412。

步骤二，请参阅图22，依次沉积一栅极绝缘层413、一半导体材料层414与一第二光阻层440在具有该栅极412的透明绝缘基板400表面。该栅极绝缘层413是通过化学气相沉积方法，利用反应气体硅烷与氨气形成的一非晶氮化硅(SiNx)结构。

步骤三，利用一第二光罩(图未示)对该第二光阻层440进行曝光，并显影曝光后的第二光阻层440，并以剩余第二光阻层440为遮罩蚀刻该半导体材料层414，从而形成一半导体层415，如图22所示。该半导体层415覆盖该栅极412对应的栅极绝缘层413。

步骤四，请参阅图23，在该栅极绝缘层413与该半导体层415表面形成一源/漏极金属层410与一第三光阻层441。该源/漏极金属层410是由对同一蚀刻液具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列。

步骤五，请参阅图24，利用一第三光罩451，将其放置在该第三光阻层441上方。该第三光罩451包括一第三遮光区452与一第三透光区453。该第三透光区453对应该穿透区402与该栅极412设置；该第三遮光区452对应部分薄膜晶体管区401设置；该第三遮光区452与该第三透光区453间隔设置在该反射区403上。利用紫外线透过该第三光罩451照射该第三光阻层441，使该第三光阻层441发生感光反应，则该第三光罩451的第三遮光区452对应的第三光阻层441不感光，该第三透光区453对应的第三光阻层441感光。利用显影液对该第三光阻层441进行显影，以去除发生感光反应的第三光阻层441部分，从而使薄膜晶体管区401对应的第三光阻层441被部分去除；穿透区402与栅极412对应的第三光阻层441被全部去除；反射区403对应的第三光阻层441形成多个凸块结构。

步骤六，请参阅图25，以剩余的第三光阻层441为遮罩蚀刻该源/漏极金属层410，使薄膜晶体管区401对应的源/漏极金属层410形成一源极416与一漏极417。该源极416与该漏极417相对设置并与该半导体层415部分相叠，同时形成一间隙424在该半导体层415上。在该反射区403对应区域，由于该源/漏极金属层410是由多层金属层层叠设置而成，且各金属层依蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列，故蚀刻时，蚀刻率越高的金属层的边缘部分蚀刻掉越多，蚀刻率越低的金属层的边缘部分蚀刻掉越少，从而在蚀刻后，在该反射区403对应的剩余源/漏极金属层410部分形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起411。

步骤七，请一并参阅图26，灰化以去除剩余第三光阻层441，从而暴露出源极416、漏极417与多个凸起411。

步骤八，请参阅图27，依次沉积一钝化层418与一第四光阻层(图未示)在该源极416、漏极417、该栅极绝缘层413与该凸起411表面。再利用一第四光罩(图未示)对该第四光阻层进行曝光，并显影曝光后的第四光阻层，然后以剩余的第四光阻层为遮罩蚀刻该钝化层418，从而形成一连接孔419，在该连接孔419处暴露出该漏极417。

步骤九，请参阅图28，沉积一像素电极材料层与一第五光阻层(图未示)在该钝化层418表面。该像素电极材料层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。利用一第五光罩(图未示)对该第五光阻层进行曝光，并显影曝光后的第五光阻层，然后以剩余第五光阻层为遮罩蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极420。该像素电极420覆盖该反射区403、穿透区402与该漏极417对应的钝化层418表面，从而使得该像素电极420利用该连接孔419与该漏极417电连接，并在暴露出该像素电极420的穿透区402处形成穿透电极，在该具有像素电极420的凸起411表面形成反射电极。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法，是以蚀刻率自下而上依次增大为沉积顺序，使用蚀刻率不同的多层金属层层叠设置来作为源/漏极金属层410，再通过一道光罩工艺在该反射区403处形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起411，并且在该凸起411的基础上，再经光罩工艺形成该半穿半反式液晶显示器的反射电极。由于该反射电极是在多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起411的基础上形成，从而使其自身也具有凸起形状，则该半穿半反式液晶显示器的反射率较高，反射效果也得到提升。

请一并参阅图29至图30，是本发明半穿半反式液晶显示器制造方法第四实施方式的各步骤示意图。该第四实施方式在该第三实施方式的各制造步骤基础上，进一步包括以下步骤：

步骤十，请参阅图29，依次沉积一缓冲层521与一反射金属层522在具有该像素电极520的透明绝缘基板500表面。沉积方式可采用化学气相沉积法或物理气相沉积法。该反射金属层522的材料为铝、银或铝钕合金。该缓冲层521的材料为钼或钛，其用来间隔该像素电极520与该反射金属层522，避免二者发生电化学反应。

步骤十一，请参阅图30，沉积一第六光阻层(图未示)在该反射金属层522表面，并利用一第六光罩(图未示)曝光该第六光阻层，并显影曝光后的第六光阻层，然后以剩余第六光阻层为遮罩蚀刻该反射金属层522与该缓冲层521。即在该穿透区502对应的穿透电极处蚀刻掉该反射金属层522与该缓冲层521，从而暴露出该像素电极520；在该反射区503对应的反射电极处暴露出该反射金属层522；在该薄膜晶体管区501处蚀刻掉该反射金属层522与该缓冲层521，从而暴露出该像素电极520。

上述半穿半反式液晶显示器制造方法，在像素电极520表面进一步涂覆一缓冲层521与一反射金属层522，并利用一道光罩工艺形成具有该反射金属层522的反射电极。由于该反射电极不仅在多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起基础上形成，且在该凸起基础上沉积一反射金属层522，从而进一步加强该反射电极的反射率，提高该半穿半反式液晶显示器的反射效果。

Claims (10)

1.一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：

步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；

步骤二，沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板表面，该第一金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；

步骤三，利用一第一光罩对该第一光阻层进行曝光，并显影该第一光阻层，然后蚀刻该第一金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；

步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；

步骤五，沉积一半导体材料层与一第二光阻层在该栅极绝缘层上，并利用一第二光罩对该第二光阻层进行曝光，并显影该第二光阻层，然后蚀刻该半导体材料层从而形成一半导体层；

步骤六，沉积一第二金属层与一第三光阻层在具有该半导体层与栅极绝缘层的透明绝缘基板上，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后蚀刻该第二金属层，从而形成一源极及一漏极；

步骤七，沉积一钝化层与一第四光阻层在该具有源极、漏极与半导体层的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；

步骤八，沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

2.如权利要求1所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：该第一光罩包括一遮光区与一透光区，该穿透区对应该透光区设置，该薄膜晶体管区对应该遮光区设置，该反射区对应的第一光罩部分由该遮光区与透光区间隔设置而成。

3.如权利要求1所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：在该像素电极表面进一步依序沉积一缓冲层、一反射金属层与一第六光阻层，利用一第六光罩曝光该第六光阻层，并显影该第六光阻层，然后蚀刻该反射金属层和缓冲层，使得该穿透区对应的穿透电极处暴露出该像素电极，在该反射区对应的反射电极处暴露出该反射金属层。

4.如权利要求3所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：该第六光罩包括一遮光区与一透光区，该透光区对应该薄膜晶体管区及该穿透区设置，该遮光区对应该反射区设置。

5.一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：

步骤一，提供一透明绝缘基板，其具有一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；

步骤二，沉积一栅极金属层与一光阻层在该透明绝缘基板表面，该栅极金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；

步骤三，利用一光罩对该光阻层进行曝光显影，然后蚀刻该栅极金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一栅极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；

步骤四，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极与凸起的透明绝缘基板上；

步骤五，形成一半导体层在该栅极对应的薄膜晶体管区；

步骤六，形成一源极与漏极在该半导体层表面；

步骤七，沉积一钝化层在具有该源极与漏极的透明绝缘基板上，并形成一连接孔，该连接孔暴露出该漏极；

步骤八，形成一像素电极在该钝化层表面，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

6.一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：

步骤一，提供一透明绝缘基板，其包括一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；

步骤二，沉积一第一金属层与一第一光阻层在该透明绝缘基板上，利用一第一光罩曝光该第一光阻层，并显影该第一光阻层，然后对该第一金属层进行蚀刻，从而形成一栅极在该薄膜晶体管区；

步骤三，依序沉积一栅极绝缘层、一半导体材料层与一第二光阻层在该具有栅极的透明绝缘基板上，利用一第二光罩曝光该第二光阻层，并显影该第二光阻层，然后蚀刻该半导体材料层，从而形成一半导体层；

步骤四，沉积一第二金属层与一第三光阻层在该栅极绝缘层与该半导体层表面，该第二金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；

步骤五，利用一第三光罩对该第三光阻层进行曝光，并显影该第三光阻层，然后蚀刻该第二金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一源极与一漏极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；

步骤六，沉积一钝化层与一第四光阻层在该形成有源极、漏极与凸起的透明绝缘基板上，利用一第四光罩对该第四光阻层进行曝光，并显影该第四光阻层，然后蚀刻该钝化层，从而形成一连接孔，在该连接孔处暴露出该漏极；

步骤七，沉积一像素电极材料层与一第五光阻层在该钝化层表面，利用一第五光罩曝光该第五光阻层，并显影该第五光阻层，然后蚀刻该像素电极材料层，从而形成一像素电极，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

7.如权利要求6所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：该第三光罩包括一遮光区与一透光区，该穿透区对应该透光区设置，该薄膜晶体管区对应该遮光区设置，该反射区对应的第三光罩部分由该遮光区与透光区间隔设置而成。

8.如权利要求6所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：在该像素电极表面进一步依序沉积一缓冲层、一反射金属层与一第六光阻层，利用一道光罩工艺曝光显影该第六光阻层，然后蚀刻该反射金属层和缓冲层，使得该穿透区对应的穿透电极暴露出该像素电极，该反射区对应的反射电极暴露出该反射金属层。

9.一种半穿半反式液晶显示器制造方法，其包括以下步骤：

步骤一，提供一透明绝缘基板，其包括一薄膜晶体管区、一穿透区与一反射区；

步骤二，形成一栅极在该薄膜晶体管区；

步骤三，沉积一栅极绝缘层在该形成有该栅极的透明绝缘基板上；

步骤四，形成一半导体层在该栅极对应的薄膜晶体管区；

步骤五，沉积一源/漏极金属层与一光阻层在该栅极绝缘层与该半导体层表面，该源/漏极金属层是由具有不同蚀刻率的多层金属层层叠设置而成，且各金属层按蚀刻率自下而上依次增大的沉积顺序进行排列；

步骤六，利用一光罩对该光阻层进行曝光，并显影该光阻层，然后蚀刻该源/漏极金属层，从而在该薄膜晶体管区形成一源极与一漏极，在该反射区形成多个截面宽度自下而上逐层递减的台型凸起；

步骤七，沉积一钝化层在具有该源极、漏极与凸起的透明绝缘基板上，并形成一连接孔，该连接孔处暴露出该漏极；

步骤八，形成一像素电极在该钝化层表面，并在暴露出该像素电极的穿透区形成一穿透电极，在暴露出该像素电极的反射区形成一反射电极。

10.如权利要求9所述的半穿半反式液晶显示器制造方法，其特征在于：该光罩包括一遮光区与一透光区，该穿透区对应该透光区设置，该薄膜晶体管区对应该遮光区设置，该反射区对应的光罩部分由该遮光区与透光区间隔设置而成。

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