CN101068107A - 压电振子及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种压电振子及其制造方法。为了得到更加小型的压电振子及其制造方法，将形成在振动片(33)的一面上的第1激励电极(31)经由振子基板(3)的侧面的凹部(35)与形成有第2激励电极(32)的面上所形成的第3电极(36)电连接。因此，可以在形成有第2激励电极(32)的面上集中第1激励电极(31)，可以在一个面上进行安装。另外，由于不利用通孔而利用侧面来进行第1激励电极(31)与第3电极(36)的电连接，所以在振子基板(3)上不需要贯通用的面积，对于相同大小的振动片(33)可以减小振子基板(3)。其结果，可以得到小型的压电振子。进而，由于通过凹部(35)来进行第1激励电极(31)与第3电极(36)的电连接，所以可以减少外部的接触所造成的断线和放电。

Description

压电振子及其制造方法

技术领域

本发明涉及用于小型电子设备的压电振子及其制造方法。

背景技术

小型电子设备被要求进一步小型化，而用于小型电子设备的压电振子也被要求小型化。

此处，用于压电振子的振动片的振动面积越大，则晶体阻抗(CI)值越小而越易于振动，所以需要尽量增大振动面积。因此，为了在确保振动片的振动面积的同时使压电振子小型化，需要实现收容振动片的封装的小型化。在封装的小型化之中，需要改良设置于封装上的电极的布局等。

为此，实施了如下的改良，按照使振动片的相对的面上设置的激励电极的走线变得紧凑，在使封装小型化的同时使得与安装基板的连接成为最小面积的方式，将对应于2个激励电极的连接电极集中在封装的一个面上等。作为其一个例子，已知有如下方法：在具有振动片的振子基板上设置通孔，经由通孔将一个面上的激励电极引出到另一面上，在封装的1个面上集中2个激励电极(例如参照专利文献1)。

[专利文献1]日本特开2002-76826号公报(第3页，第[0012]-[0014]段、图2、图3和图4)

在设置通孔的情况下，在振子基板上需要用于形成通孔的面积，即使是相同大小的振动片，也需要更大的振子基板。因此，这限制了压电振子的小型化。

发明内容

本发明的目的在于获得一种更小型的压电振子及其制造方法。

本发明的压电振子的特征在于，该压电振子具有：振子基板；支撑上述振子基板的底座基板；覆盖上述振子基板的与上述底座基板相对的面的相反面的盖体基板；形成在上述振子基板的与上述盖体基板相对的面上的第1激励电极；以及形成在上述振子基板的与上述底座基板相对的面上的第2激励电极，在上述振子基板的与上述底座基板相对的面上，设置有通过形成于上述振子基板的侧面上的凹部而与上述第1激励电极电连接的第3电极。

根据本发明，形成在振动片的一面上的第1激励电极经由振子基板的侧面的凹部，与形成有第2激励电极的面上所形成的第3电极电连接。因此，可以在形成有第2激励电极的面上集中第1激励电极，可以利用封装的一个面进行安装。另外，由于不利用通孔而利用侧面进行第1激励电极与第3电极的电连接，所以在振子基板上不需要贯通用的面积，对于相同大小的振动片可以减小振子基板。其结果，能够得到小型的压电振子。

进而，由于通过凹部来进行第1激励电极与第3电极的电连接，所以减少了外部的接触所造成的断线和放电。

在本发明中，优选上述振子基板由石英形成，上述凹部是通过对上述石英进行湿蚀刻而形成的。

在本发明中，由于通过对由石英形成的振子基板进行湿蚀刻来形成凹部，所以由于石英的晶体各向异性，从而凹部的侧面成为锥状，易于在该侧面上形成电极。

在本发明中，优选上述振子基板在作为上述石英的晶轴的X轴方向上具有上述侧面，上述凹部形成在位于上述X轴的正方向上的上述侧面上。在本发明中，通过湿蚀刻对于石英的晶轴的各向异性，从而在X轴负方向上的振子基板侧面上形成的凹部侧面的倾斜相比于对于正方向的倾斜更为急剧，凹部占据振子基板的比例较少，可以在振子基板内获取较大的振动片。另外，由于凹部的侧面较急剧，所以可以减少第1激励电极和第3电极的连接在凹部侧面上断线的情况。

本发明的压电振子的制造方法的特征在于，该压电振子的制造方法包括：准备振子基体和底座基体以及盖体基体的基体准备工序；在上述振子基体上形成多个振动片和与各个上述振动片对应的贯通孔的振子基体形成工序；在上述振子基体形成工序之后，在作为上述振子基体的一个主面的、上述振动片的至少一部分上形成第1激励电极，在上述贯通孔的内表面的至少一部分上形成与上述第1激励电极连接的电极，在作为上述振子基体的另一个主面的、上述振动片的至少一部分上形成第2激励电极，在上述另一个主面的一部分上形成第3电极，在上述贯通孔的内表面的至少一部分上形成与上述第3电极连接的电极，在上述贯通孔的上述内表面上电连接上述第1激励电极和上述第3电极的激励电极形成工序；在上述底座基体上形成多个与上述贯通孔对应的孔的底座基体形成工序；使上述振动片与对应的上述孔对应起来，将上述盖体基体接合到上述振子基体的形成有上述第1激励电极的面上，将上述底座基体接合到上述振子基体的形成有上述第2激励电极的面上；以及按照残留与上述贯通孔对应的上述振动片侧的上述贯通孔的上述内表面的一部分的方式，切断上述接合工序后的上述盖体基体、上述振子基体和上述底座基体，得到多个压电振子的切断工序。

根据本发明，形成在振子基体的一个面上的第1激励电极经由振子基体的贯通孔，与形成有第2激励电极的振子基体的另一个面上所形成的第3电极电连接。而且，按照残留对应于贯通孔的振动片侧的贯通孔的内表面一部分的方式进行切断，来得到压电元件。因此，可以在形成有第2激励电极的面上集中第1激励电极，可以得到能够通过封装的一个面进行安装的压电元件。另外，由于不利用通孔而利用贯通孔的内表面的一部分进行第1激励电极与第3电极的电连接，并沿着贯通孔进行切断，所以无需在振子基板上另外设置通孔，对于相同大小的振动片，压电振子变小。其结果，由一个振子基体得到的压电振子的个数增加。

在本发明中，优选上述振子基体形成工序包括：在上述振子基体的两个主面上形成第1抗蚀膜的第1抗蚀膜形成工序；去除形成有上述贯通孔的贯通孔部的上述第1抗蚀膜的贯通孔部构图工序；在去除了上述第1抗蚀膜的上述贯通孔部形成上述贯通孔的贯通孔形成工序；去除形成有上述振动片的倒台面部的上述第1抗蚀膜的倒台面部构图工序；同时进行对去除了上述第1抗蚀膜的上述倒台面部进行蚀刻而进行的倒台面部形成和扩大上述贯通孔的蚀刻的倒台面形成及贯通孔扩大工序；剥离上述第1抗蚀膜，在剥离了上述第1抗蚀膜之后的上述振子基体的表面形成第2抗蚀膜的抗蚀膜剥离后再形成工序；去除上述振动片和上述振子基体之间的镂空部的上述第2抗蚀膜的镂空部构图工序；蚀刻上述镂空部来形成镂空的镂空工序；以及上述第2抗蚀膜剥离工序。

在本发明中，由于同时进行倒台面形成和贯通孔扩大，所以缩短了振子基体形成工序整体的工序。

在本发明中，优选上述振子基体由石英形成，上述蚀刻通过湿蚀刻来进行。

在本发明中，由于通过对由石英形成的振子基体进行湿蚀刻来形成贯通孔，所以由于石英的晶体各向异性，贯通孔的内表面成为锥状，易于在该内表面上形成电极。

在本发明中，优选上述振子基体在作为上述石英的晶轴的X轴上平行地形成上述主面，上述贯通孔相对于上述振动片形成在上述X轴的正方向上。

在本发明中，由于湿蚀刻对于石英的晶轴的各向异性，在X轴负方向的振动片侧形成的贯通孔的内表面的倾斜相比对于正方向的倾斜更为急剧，得到第1激励电极和第3电极的电连接，因而从主面方向观察到的面积变小。因此切断后的压电振子中包含的振动片较大。另外，由于凹部的侧面较陡，所以可以减少第1激励电极和第3电极的连接在凹部侧面上断线的情况。

附图说明

图1A是本发明的第1实施方式的压电振子的立体图，图1B是图1A的A-A截面图。

图2是压电振子的分解立体图。

图3A是从盖体基板侧观察到的振子基板的平面图，图3B是从底座基板侧观察到的振子基板的平面图。

图4是示出本发明的第1实施方式的制造方法的制造流程图。

图5A～5F是示出制造工艺的概要图。

图6A是第1实施方式中切断前的压电振子的集合体的局部平面图，图6B是图6A的B-B局部截面图。

图7是图6B的局部扩大截面图。

图8A是本发明的第2实施方式中从底座基板侧观察到的振子基板的平面图，图8B是从底座基板侧观察到的另一个振子基板的平面图。

图9示出本发明的第2实施方式的振子基体形成工序的制造流程图。

图10A～10J是示出振子基体形成工序的基于图8中C-C截面的概要截面图。

图11是本发明的变形例的压电振子的立体图。

符号说明

1压电振子；2盖体基板；3振子基板；4底座基板；31、321第1激励电极；32第2激励电极；33振动片；35凹部；36第3电极；200盖体基体；300、310振子基体；301第1抗蚀膜；302贯通孔部；303、305贯通孔；304倒台面部；312第2抗蚀膜；313镂空部；314镂空；400底座基体；420孔

具体实施方式

下面根据附图说明将本发明具体化的实施方式以及变形例。而且，在各实施方式以及变形例的附图中，对于相同结构要素赋予了相同标号进行说明。

(第1实施方式)

图1示出本发明的本实施方式中的压电振子1。

图1A是压电振子1的立体图，图1B示出图1A的A-A截面图。

另外，图2示出压电振子1的分解立体图。压电振子1具有盖体基板2、振子基板3以及底座基板4。

图3A示出从盖体基板2侧观察到的振子基板3的平面图，图3B示出从底座基板4侧观察到的振子基板3的平面图。

在图1A和图2中，在支撑于底座基板4上的振子基板3上重叠盖体基板2而构成压电振子1。振子基板3被夹在盖体基板2和底座基板4之间并接合。

底座基板4为大致矩形的板，在其侧面交接的4角上设有切口，在该切口的侧面上形成有外部电极41、42。

振子基板3是与底座基板4大致相同外形形状的板。其侧面之一上的2处设有凹部35。

盖体基板2也是与底座基板4大致相同外形形状的板。盖体基板2的侧面未被加工。

在图1B和图2中，振子基板3具有框部30和被框部30包围的振动片33。振子基板3由石英构成，振动片33具有主面为长方形的长方体形状。此处，振子基板3通过AT切而形成，其主面为与Y’轴垂直的面，振子基板3的侧面与Z’轴和作为晶轴的X轴大致垂直(参照图2)。

振动片33形成得比振子基板3的厚度要薄，通过从框部30的Z’轴方向延长出来的在两个部位相对的支撑部34来支撑着。因此，振动片33被密封在由盖体基板2和底座基板4夹住的空间内(参照图1B)。

2处的凹部35形成于由石英构成的振子基板3的位于图2中箭头所示的X轴正方向的侧面上。

在图3A和B中，斜线表示形成于振子基板3上的第1激励电极31、第2激励电极32和作为引出电极的第3电极36的一部分。在图3A中，第1激励电极31设置于振子基板3的与盖体基板2相对的面上。更详细而言，其在振动片33、2个支撑部34和框部30的与盖体基板2相对的面上连续地设置。另外，在凹部35的侧面上也设有激励电极31。

在图3B中，第2激励电极32设置于振子基板3的与底座基板4相对的面上。更详细而言，其设置在振动片33、2个支撑部34及框部30的与底座基板4相对的面上。此处，激励电极32不设置到凹部35的附近。在凹部35的附近的面上，通过夹着未设有电极的面37而在电切断的状态下设置有第3电极36。另外，在凹部35的侧面也设有第3电极36。

设置在凹部35的侧面上的第1激励电极31和第3电极36在侧面电连接。因此，形成在振子基板3的与盖体基板2相对的面上的第1激励电极31被引出到振子基板3的与底座基板4相对的面上，第1激励电极31和第2激励电极32通过面37而被电切断。

在振子基板3与底座基板4接合的状态下，第3电极36与外部电极41连接，第2激励电极32与外部电极42连接。因此，形成在振动片33的两个主面上的第1激励电极31和第2激励电极32经由外部电极41、42而在底座基板4的底面与安装基板等连接。

下面根据附图说明压电振子1的制造方法。

图4是示出压电振子1的制造方法的制造流程图。

图5是示出制造流程的概要图。通过在使用作为大型基板的基体形成了多个之后分别切开而得到压电振子1。

在图4中，压电振子1的制造方法包含基体准备工序S10、振子基体形成工序S20、盖体基体形成工序S30、底座基体形成工序S40、激励电极形成工序S50、接合工序S60和切断工序S70。

图5A示出分别准备作为大型基板的盖体基体200、振子基体300、底座基体400的基体准备工序S10。

在图5A中，盖体基体200和底座基体400可以使用玻璃基板或者石英基板。使用石英基板作为振子基体300。此处，通过AT切来形成振子基体300。其主面为与Y’轴垂直的面，振子基体300的侧面与Z’轴和作为晶轴的X轴大致垂直。

图5B中，示出在振子基体300上形成多个振动片33等和之后一部分成为凹部35的与振动片33对应的贯通孔305、成为振子基体310的振子基体形成工序S20。还一并示出了盖体基体形成工序S30和在底座基体400上形成多个之后成为形成有外部电极41的镂空的孔420而成为底座基体410的底座基体形成工序S40。

图5B中，在对振子基体300的两面施加了掩模之后，进行湿蚀刻，形成图2所示的振动片33和支撑部34。另外，在相对于振动片33的X轴正方向侧的近处通过湿蚀刻形成2个贯通孔305。通过从两个主面进行湿蚀刻，从而可以得到开口直径较小的贯通孔305。贯通孔305的内表面由于石英的晶轴的各向异性，从而具有从开口部朝向深处变窄的锥形。使用氢氟酸等进行湿蚀刻。

在底座基体400上通过喷砂形成作为形成有外部电极41、42的镂空的孔420，从而成为底座基体410。

图5C示出了激励电极形成工序S50。

图5C中，在振子基体310的主面的一面上，以贴在振动片33和贯通孔305的内表面上的方式形成图中多个点所示的第1激励电极321(激励电极31)。另外，在另一个主面上形成第2激励电极32(未图示)和贴在贯通孔305的内表面上的第3电极36(未图示)，成为振子基体320。第1激励电极321(激励电极31)、第2激励电极32和第3电极36可以通过蒸镀、溅射等形成。此处，由于贯通孔305的内表面具有从开口部朝向深处变窄的锥形，所以在贯通孔305的内表面也形成了电极，通过从两个主面侧进行蒸镀、溅射等，从而在贯通孔305的内表面进行第1激励电极31与第3电极36的电连接。

图5D示出了接合盖体基体200和振子基体320以及底座基体410的接合工序S60。

图5D中，使振动片33与对应的孔420对应起来，将盖体基体200接合到振子基体320的形成有第1激励电极321的面上，将底座基体410接合到振子基体320的形成有第2激励电极32(未图示)的面上。

在进行盖体基体200和振子基体320以及底座基体410的接合时可以使用金锡(Au-Sn)等的共晶金属接合、阳极接合、等离子接合。

图5E示出接合后的压电振子1的集合体100。

图5F示出将压电振子1的集合体100切分为一个个的压电振子1来得到压电振子1的切断工序S70。

图5F中，切分压电振子1的集合体100来得到压电振子1。下面详细说明。

图6和图7是示出切分压电振子1的工序的详细图。图6A是压电振子1的集合体100的局部平面图，图6B是其B-B截面图。

图7是图6B的局部扩大截面图。

在图6A、B和图7中，以横切贯通孔305的方式用刀片600切断图中的双点划线所示的部分。此处，贯通孔305的内表面的形状由于石英对于湿蚀刻的各向异性而并非对称。向着X轴的正方向被蚀刻的内表面307的斜度较大，X轴的负方向的内表面的斜度更大(参照图7)。

详细说明刀片600的切断位置。

图7中，刀片600的一端601不接触贯通孔305的X轴负方向的内表面的顶部306，刀片600的另一端602设置在全部切掉贯通孔305的X轴正方向的内表面307的位置上来进行切断。因此，贯通孔305的X轴负方向的内表面的顶部306位于切断后的压电振子1的侧面的更里侧。

例如贯通孔305和刀片600的宽度的关系如下。

如果从振子基体300的两侧进行湿蚀刻而形成贯通孔305，则对于振子基体300和贯通孔305的最小贯通孔尺寸之间的关系，在振子基体300的厚度为100μm时，贯通孔305的开口部的大小为X轴方向90μm、Z’轴方向150μm左右。此时，刀片600的宽度可以为90μm。

而且，所谓最小贯通孔尺寸，是在从两侧进行湿蚀刻而形成贯通孔305的情况下，在振子基体300贯通、形成了贯通孔305的时刻的最小限度的开口部尺寸。贯通孔305的开口部的大小可以大于X轴方向90μm、Z’轴方向150μm。

与振子基体300的厚度相应的最小贯通孔尺寸如下。

当振子基体300的厚度为80μm时，为X轴方向70μm、Z’轴方向120μm左右；当振子基体300的厚度为60μm时，为X轴方向55μm、Z’轴方向90μm左右的大小。

通过上述工序可以得到压电振子1。

下面描述本实施方式的效果。

(1)形成在振动片33的一面上的第1激励电极31经由振子基板3的侧面的凹部35，与形成有第2激励电极32的面上所形成的第3电极36电连接。因此，可以在形成有第2激励电极32的面上集中第1激励电极31，可以在一个面上进行安装。另外，由于不通过通孔而通过侧面进行第1激励电极31与第3电极36的电连接，所以在振子基板3上不需要贯通用的面积，对于相同大小的振动片33可以减小振子基板3。其结果，可以得到小型的压电振子1。

进而，由于通过凹部35来实现第1激励电极31与第3电极36的电连接，所以可以减少外部的接触所造成的断线和放电。

(2)由于通过对石英形成的振子基体300进行湿蚀刻而形成贯通孔305，由该贯通孔305形成凹部35，所以由于石英的晶体各向异性，从而凹部35的侧面可成为锥状，易于在该侧面上形成电极。

(3)由于作为石英晶轴的X轴的晶体各向异性，可使形成于振子基板3的侧面上的凹部35的侧面斜率相比对于正方向的斜率更为急剧，凹部35占据振子基板3的比例较少，可以在振子基板3内获得较大的振动片33。另外，由于凹部35的侧面较急剧，所以可以减少第1激励电极31和第3电极36的连接在凹部35侧面上断线的情况。

(4)形成在振子基体300的一个面上的第1激励电极321经由振子基体300的贯通孔305，与形成有第2激励电极32的振子基体300的另一个面上所形成的第3电极36电连接。而且，以残留对应于贯通孔305的振动片33侧的贯通孔305的内表面一部分的方式进行切断，来得到压电元件。因此，可以在形成有第2激励电极32的面上集中第1激励电极31，可以得到可以在封装的一个面上进行安装的压电元件。另外，由于不通过通孔而通过贯通孔305的内表面的一部分进行第1激励电极321与第3电极36的电连接，并沿着贯通孔305进行切断，所以无需在振子基体300上另外设置通孔，对于相同大小的振动片33，压电振子变小。其结果，由一个振子基体300得到的压电振子1的个数增加。

(5)由于通过对由石英形成的振子基体300进行湿蚀刻而形成贯通孔305，所以由于石英的晶体各向异性，从而贯通孔305的内表面可以成为锥状，易于在该内表面上形成电极。

(6)由于湿蚀刻对于石英晶轴的各向异性，X轴负方向的振动片33侧形成的贯通孔305的内表面的倾斜相比对于正方向的倾斜更为急剧，得到第1激励电极321和第3电极36的电连接，因而可以减小从主面方向观察到的面积。因此可以增大在切断后的压电振子1内所包含的振动片33。

(7)如图7所示，由于按照不使刀片600的一端601接触贯通孔305的内表面的顶部306的方式进行切断，所以不易传递力和振动，不易产生X轴负方向的内表面的顶部306侧的振子基体320的缺损、即所谓的崩屑(chipping)。

(8)由于顶部306的角度相比于内表面307侧的顶部而为钝角，所以即使连接第1激励电极31和第3电极36，也与使用内表面307侧的顶部的情况相比更不易产生顶部的断线。

(第2实施方式)

图8示出2种本发明的本实施方式的振子基板3。

图8A是从底座基板4侧观察到的振子基板3的平面图，图8B是从底座基板4侧观察到的另一个振子基板3的平面图。

在图8A中，振动片33的支撑部34排列设置在框部30的凹部35侧的边上。振动片33和框部30之间通过镂空314而贯通着。

第2激励电极32设置于振子基板3的与底座基板4相对的面上。更详细而言，其设置在与振动片33、2个支撑部34中的一个、以及框部30的与底座基板4相对的面上。此处，激励电极32不设置到凹部35的附近。在凹部35的附近的面上以夹着未设有电极的面37而电切断的状态设置有第3电极36。另外，在凹部35的侧面也设置有第3电极36。

在图8B中，与图8A所示的振子基板3的不同之处在于2个支撑部34设置在凹部35侧的框部30的角上。其他结构与图8A所示的振子基板3相同。

在本实施方式中，通过下面的工序来进行第1实施方式的振子基体形成工序S20。其他工序与第1实施方式相同。通过对振子基体300进行下面的加工来得到振子基体310。

图9是示出振子基体形成工序S20的制造流程图。

图10是示出振子基体形成工序S20的基于图8中C-C截面的概要截面图。

在图9中，振子基体形成工序S20包含第1抗蚀膜形成工序S21、贯通孔部构图工序S22、贯通孔形成工序S23、倒台面部构图工序S24、倒台面形成及贯通孔扩大工序S25、抗蚀膜剥离后再形成工序S26、镂空部构图工序S27、镂空工序S28以及第2抗蚀膜剥离工序S29。

图10A示出在振子基体300的两个主面上形成第1抗蚀膜301的第1抗蚀膜形成工序S21。

在图10A中，在振子基体300的两个主面上形成第1抗蚀膜301。第1抗蚀膜301可以通过在振子基体300的主面上层叠铬膜和金膜来形成。例如可以将铬膜的厚度形成为几十nm、将金膜的厚度形成为几十到几百nm。

图10B示出去除形成有贯通孔305的贯通孔部302的第1抗蚀膜301的贯通孔部构图工序S22。

图10B中，通过使用掩模和酸类的第1抗蚀膜剥离液的光刻工序来去除贯通孔部302的第1抗蚀膜301。

图10C示出在去除了第1抗蚀膜301的贯通孔部302上形成贯通孔303的贯通孔形成工序S23。

图10C中，通过使用氢氟酸等的湿蚀刻从两面对贯通孔部302进行蚀刻来形成贯通孔303。该工序的蚀刻时间可以考虑后面的工序、即倒台面形成及贯通孔扩大工序S25中的蚀刻时间来确定。最终的贯通孔305的开口部的大小由该工序中的蚀刻时间以及倒台面形成及贯通孔扩大工序S25中的蚀刻时间来确定。

图10D示出去除形成有振动片33的倒台面部304的第1抗蚀膜301的倒台面部构图工序S24。

图10D中，通过与贯通孔部构图工序S22同样的光刻工序来去除倒台面部304的第1抗蚀膜301。

图10E示出同时进行对去除了第1抗蚀膜301的倒台面部304进行蚀刻而进行的倒台面形成和扩大贯通孔303的蚀刻的倒台面形成及贯通孔扩大工序S25。

图10E中，通过使用氢氟酸等的湿蚀刻对倒台面部304进行蚀刻，形成倒台面结构311，与此同时，蚀刻而扩大贯通孔303来形成规定的开口部大小的贯通孔305。所谓规定的大小，可以由振子基体300的厚度、图4所示的切断工序S70中使用的图7所示的刀片600的宽度等来确定。

图10F和图10G示出剥离第1抗蚀膜301，在剥离了第1抗蚀膜301之后的振子基体300的表面形成第2抗蚀膜312的抗蚀膜剥离后再形成工序S26。

图10F和图10G中，第1抗蚀膜301的剥离可以使用与贯通孔部构图工序S22同样的剥离液，第2抗蚀膜312可以与第1抗蚀膜301同样地形成。

图10H示出去除振动片33和振子基体300之间的镂空部313的第2抗蚀膜312的镂空部构图工序S27。

图10H中，通过与贯通孔部构图工序S22同样的光刻工序来去除镂空部313的第2抗蚀膜312。

图10I示出蚀刻镂空部313来形成镂空314的镂空工序S28。

图10I中，镂空部313的蚀刻可以通过与贯通孔形成工序S23相同的湿蚀刻来进行。

图10J示出第2抗蚀膜剥离工序S29。

图10J中，第2抗蚀膜312的剥离可以通过与第1抗蚀膜301的剥离液相同的剥离液来进行。

通过上面的工序来得到振子基体310。

下面描述本实施方式的效果。

(9)除了上述效果，由于同时进行倒台面的形成和贯通孔的扩大，所以可以缩短振子基体形成工序整体的工序。

而且，本发明不限于上述实施方式，在能够达成本发明的目的的范围内进行的变形、改良等都包含在本发明内。

例如，作为变形例，如图11所示那样，设置于振子基板3上的凹部35无需按照实施方式那样分离为两部分，也可以是连续形状的凹部38。

Claims (7)

1.一种压电振子，其特征在于，该压电振子具有：

振子基板；

支撑上述振子基板的底座基板；

覆盖上述振子基板的与上述底座基板相对的面的相反面的盖体基板；

形成在上述振子基板的与上述盖体基板相对的面上的第1激励电极；以及

形成在上述振子基板的与上述底座基板相对的面上的第2激励电极，

在上述振子基板的与上述底座基板相对的面上，设置有通过形成于上述振子基板的侧面上的凹部而与上述第1激励电极电连接的第3电极。

2.根据权利要求1所述的压电振子，其特征在于，

上述振子基板由石英形成，

上述凹部通过对上述石英进行湿蚀刻而形成。

3.根据权利要求2所述的压电振子，其特征在于，

上述振子基板在作为上述石英的晶轴的X轴方向上具有上述侧面，

上述凹部形成在位于上述X轴的正方向上的上述侧面上。

4.一种压电振子的制造方法，其特征在于，该压电振子的制造方法包括：

准备振子基体、底座基体以及盖体基体的基体准备工序；

在上述振子基体上形成多个振动片和与各个上述振动片对应的贯通孔的振子基体形成工序；

在上述振子基体形成工序之后，在作为上述振子基体的一个主面的、上述振动片的至少一部分上形成第1激励电极，在上述贯通孔的内表面的至少一部分上形成与上述第1激励电极连接的电极，在作为上述振子基体的另一个主面的、上述振动片的至少一部分上形成第2激励电极，在上述另一个主面的一部分上形成第3电极，在上述贯通孔的内表面的至少一部分上形成与上述第3电极连接的电极，在上述贯通孔的上述内表面上电连接上述第1激励电极和上述第3电极的激励电极形成工序；

在上述底座基体上形成多个与上述贯通孔对应的孔的底座基体形成工序；

使上述振动片与对应的上述孔对应起来，将上述盖体基体接合到上述振子基体的形成有上述第1激励电极的面上，将上述底座基体接合到上述振子基体的形成有上述第2激励电极的面上的接合工序；以及

以残留与上述贯通孔对应的上述振动片侧的上述贯通孔的上述内表面的一部分的方式切断上述接合工序后的上述盖体基体、上述振子基体和上述底座基体，从而得到多个压电振子的切断工序。

5.根据权利要求4所述的压电振子的制造方法，其特征在于，上述振子基体形成工序包括：

在上述振子基体的两个主面上形成第1抗蚀膜的第1抗蚀膜形成工序；

去除形成有上述贯通孔的贯通孔部的上述第1抗蚀膜的贯通孔部构图工序；

在去除了上述第1抗蚀膜的上述贯通孔部上形成上述贯通孔的贯通孔形成工序；

去除形成有上述振动片的倒台面部的上述第1抗蚀膜的倒台面部构图工序；

同时进行对去除了上述第1抗蚀膜的上述倒台面部进行蚀刻而进行的倒台面形成和扩大上述贯通孔的蚀刻的倒台面形成及贯通孔扩大工序；

剥离上述第1抗蚀膜，在剥离了上述第1抗蚀膜之后的上述振子基体的表面形成第2抗蚀膜的抗蚀膜剥离后再形成工序；

去除上述振动片和上述振子基体之间的镂空部的上述第2抗蚀膜的镂空部构图工序；

蚀刻上述镂空部来形成镂空的镂空工序；以及

上述第2抗蚀膜剥离工序。

6.根据权利要求4或5所述的压电振子的制造方法，其特征在于，

上述振子基体由石英形成，

上述蚀刻通过湿蚀刻来进行。

7.根据权利要求6所述的压电振子的制造方法，其特征在于，

上述振子基体在作为上述石英的晶轴的X轴上平行地形成上述主面，

上述贯通孔相对于上述振动片形成在上述X轴的正方向上。

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