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CN101031434A - 光学信息记录介质 - Google Patents

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CN101031434A
CN101031434A CNA2006800004881A CN200680000488A CN101031434A CN 101031434 A CN101031434 A CN 101031434A CN A2006800004881 A CNA2006800004881 A CN A2006800004881A CN 200680000488 A CN200680000488 A CN 200680000488A CN 101031434 A CN101031434 A CN 101031434A
Authority
CN
China
Prior art keywords
formula
compound
equal
recording medium
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006800004881A
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English (en)
Inventor
渡边康介
渡边哲也
高桥庆太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
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Abstract

一种光学信息记录介质包含记录层，所述的记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，并且其抗衡阳离子为花青阳离子：其中A、B、C和D各自表示吸电子基团，其中A和B的哈米特σp值的总和以及C和D的哈米特σp值的总和分别大于或等于0.6，并且A和B，或C和D可以相互连接形成环；R表示在次甲基的碳上的取代基；m表示0或1的整数；n表示0至2m+1的整数，并且当n表示大于等于2的整数时，多个R可以相同或不同，并且它们可以相互连接形成环；Yt+表示t价花青阳离子；并且t表示1至10的整数。

Description

光学信息记录介质
技术领域
本发明涉及能够用激光束记录和复制信息的信息记录介质，信息记录方法以及适宜于该介质的新型化合物。具体而言，本发明涉及一种适宜于用波长为400至410nm的短波激光束记录信息的加热模式型光学信息记录介质。
背景技术
只能使用激光束记录信息一次的信息记录介质(光盘)是迄今已知的。这种光盘也称作写后直读CD(所谓的CD-R)，并且代表性的结构包含：透明盘状基材，在其上以层压状态顺序提供包含次甲基染料的记录层、包含金属例如金的光反射层，和包含树脂的保护层。通过用近红外区激光(波长通常在780nm附近的激光)辐照CD-R，进行在CD-R上的信息记录，记录层的辐照区域吸收光，并且温度局部地升高，由此引起物理或化学变化(例如坑的形成)，由此改变光学性质，并且记录信息。另一方面，还用波长与记录用的激光束相同的激光束辐照来进行信息的读取(复制)，并且通过检测记录层中光学特性改变的区域(记录区)与光学特性未改变的区域(未记录区)之间的反射率差别，来复制信息。
近年来，网络如互联网和高视频电视已经得到迅速普及。此外，HDTV(高清晰度电视)的电视播送日益接近，所以对便宜而容易地记录图像信息的高容量记录介质的需求日益增加。尽管通过使用可见激光束(630至680nm)作为记录用的激光可以进行高密度记录的CD-R和DVD-R已经在一定程度上保证了作为高容量记录介质的位置，但不能认为它们具有能够响应未来需要的足够高的记录容量。因此，通过使用比DVD-R波长更短的激光束以提高记录密度，已经进行了具有更高记录容量的光盘的开发，并且使用例如405nm的蓝色激光的称作蓝光系统的光盘现在已经出现在市场上。
在CD-R型光盘中，作为在记录层中含有的染料化合物，常规有利地使用在近红外区域具有吸收的染料，如具有苯并假吲哚骨架的二羰花青染料(含有五个次甲基链)和三羰花青染料(含有七个次甲基链)(例如，JP-A-64-40382和JP-A-64-40387)。
通常，单独的花青染料和氧杂菁染料的光耐牢性低，并且记录特性劣化，并且作为改善该缺点的手段，如JP-A-58-175693中所公开的使用所述化合物的方法，如JP-A-10-151861中的使用有机氧化剂作为每种染料的抗衡盐的方法和JP-A-10-324065和JP-A-10-109475中的技术是已知的。但是，尽管改善DVD-R中的光耐牢性的技术是已知的，但是，作为保持使用氧杂菁染料的对应于蓝色激光的光学记录盘的高光耐牢性的手段，直到现在还没有具体的实例。必须控制使用氧杂菁染料的对应于蓝色激光的光学记录盘的光耐牢性，并且检查光耐牢性的改善。
在JP-A-10-297103中公开了含有联吡啶鎓盐作为氧杂菁染料抗衡阳离子的化合物，并且公开了联吡啶鎓盐赋予氧杂菁染料光耐牢性的效果，但需要对光耐牢性的进一步改善。
发明内容
在制造使用405nm蓝色激光的光学记录盘中，本发明的发明人对于如在本发明中使用花青作为氧杂菁染料的抗衡阳离子的化合物和使用联吡啶鎓离子的化合物的性能进行了比较研究。结果发现，由本发明的含有花青作为抗衡阳离子的化合物，可以令人惊奇地得到更好的光耐牢性和更好的溶解性。
此外，本发明的发明人发现，通过使用本发明中的化合物，在没有影响记录特性和保存稳定性的情况下，可以改善染料的溶解性和老化的溶解稳定性，由此完成了本发明。
本发明的一个目的在于提供对应于蓝色激光束的光学信息记录介质，其没有削弱记录/复制特性，并且改善了光耐牢性、耐久性和溶解性，并且另一个目的在于提供使用该光学记录介质的信息记录方法。
本发明的上述目的优选由下面的构造实现：
(1)一种光学信息记录介质，其包含：基材；和
记录层，所述的记录层能够通过用波长为400至410nm的激光束辐照而记录信息，其中所述的记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，并且氧杂菁染料的抗衡阳离子(即，式(1)中的Yt+)为花青阳离子：
其中A、B、C和D各自表示吸电子基团，其中A和B的哈米特σp值的总和以及C和D的哈米特σp值的总和分别等于或大于0.6，并且A和B，或者C和D可以相互连接形成环；R表示在次甲基的碳上的取代基；m表示0或1的整数；n表示0至2m+1的整数，并且当n表示大于或等于2的整数时，多个R可以相同或不同，并且它们可以相互连接形成环；Yt+表示t价花青阳离子；并且t表示1至10的整数。
(2)如上面项(1)中所述的光学信息记录介质，其中所述的氧杂菁染料由式(2)表示：
Figure A20068000048800072
其中A1、B1、C1和D1各自表示吸电子基团，其中A1和B1的哈米特σp值的总和以及C1和D1的哈米特σp值的总和分别等于或大于0.6，并且A1和B1，或者C1和D1可以相互连接形成环；R1表示在次甲基的碳上的氢原子或取代基；Y1t1+表示t1价花青阳离子；并且t1表示1至10的整数。
(3)如上面项(1)或(2)中所述的光学信息记录介质，其中所述的花青阳离子由式(3)或(4)表示：
(3)
Figure A20068000048800081
Figure A20068000048800082
式(3)和(4)中，R3至R9各自表示氢原子或取代基，并且R3至R9可以相互连接形成环；并且ka1表示0至3的整数，并且当ka1等于或大于2时，多个R8和R9可以相同或不同。
(4)如上面项(1)或(2)中所述的光学信息记录介质，其中所述的花青阳离子由式(5)表示：
Figure A20068000048800083
其中Za21和Za22各自独立地表示原子团以形成杂环；Ma21，Ma22和Ma23各自独立地表示取代或未取代的次甲基；ka2表示0至3的整数，并且当ka等于或大于2时，多个Ma21和Ma22可以相同或不同；并且R10和R11各自独立地表示取代基。
(5)如上面项(1)、(2)或(4)中所述的光学信息记录介质，其中由式(5)表示的花青阳离子由式(6)表示：
其中Za31和Za32各自独立地表示原子团以形成碳环或杂环；R10和R11具有与式(5)中的R10和R11相同的含义；R21、R22、R23、R24、R25、R26和R27各自表示氢原子或取代基；并且ka3表示0至3的整数，并且当ka3等于或大于2时，多个R21和R22可以相同或不同。
(6)如上面项(1)至(5)中任何一项所述的光学信息记录介质，其还包含：包含金属的光反射层。
(7)如上面项(1)至(6)中任何一项所述的光学信息记录介质，其还包含：保护层。
(8)如上面项(1)至(7)中任何一项所述的光学信息记录介质，其中所述的基材是透明盘状基材，在所述的透明盘状基材上具有磁道间距为0.2至0.5μm的预槽，并且在其上提供预槽一侧的表面上提供所述的记录层。
(9)如上面项(2)中所述的由式(2)表示的氧杂菁染料，其中所述的花青阳离子是如上面项(3)中所述的由式(3)表示的氧杂菁染料。
(10)如上面项(2)中所述的由式(2)表示的氧杂菁染料，其中所述的花青阳离子是如上面项(4)中所述的由式(5)表示的氧杂菁染料。
实施本发明的最佳方式
本发明涉及一种光学信息记录介质，其包含：基材，在所述的基材上具有记录层，所述的记录层能够通过用波长为400至410nm的激光束辐照而记录信息。
氧杂菁染料如下所述。氧杂菁染料在本发明中被定义为含有阴离子生色团的多次甲基染料。由下式(1)表示的氧杂菁染料由于其优异的记录特性而是特别优选使用的。
Figure A20068000048800091
式(1)中，A、B、C和D各自表示吸电子基团，其中A和B的哈米特σp值的总和以及C和D的哈米特σp值的总和分别等于或大于0.6，并且A和B，或者C和D可以相互连接形成环；R表示在次甲基的碳上的取代基；m表示0至3的整数；n表示0至2m+1的整数，并且当n表示大于等于2的整数时，多个R可以相同或不同，并且它们可以相互连接形成环；Yt+表示t价花青阳离子；并且t表示1至10的整数。
式(1)由于阴离子局部位置表示的不同而包括许多互变异构体。具体地，当A、B、C和D中的任何一个是-CO-E(E为取代基)时，通常的表示是负电荷定位地氧原子上。例如，当D表示-CO-E时，下式(7)作为该表达式是通用的，并且该表达式也包括在式(1)中。
Figure A20068000048800101
式(7)中的A、B、C、R、m、n、Yt+和t与式(1)的那些相同。E表示如上所述的取代基。作为E的实例，优选示例的是烷基、烷氧基或芳基。
下面描述由式(1)表示的氧杂菁染料。在式(1)中，A、B、C和D各自表示吸电子基团，其中A和B的哈米特取代常数σp值的总和以及C和D的哈米特取代常数σp值的总和分别等于或大于0.6。A、B、C和D可以相互相同或不同。A和B，或者C和D可以相互连接形成环。由A、B、C和D表示的吸电子基团的哈米特取代常数σp值优选在0.30至0.85的范围内，更优选在0.35至0.80的范围内。
哈米特取代常数σp值(以下称作σp值)描述于 Chem.Rev.，91，165(1991)和其中引用的参考文献中，并且未描述的那些也可以根据所述文献中所述的方法测得。当A和B(C和D)连接并且形成环时，A(C)的σp值是指-A-B-H(-C-D-H)基团的σp值，并且B(D)的σp值是指-B-A-H(-D-C-H)基团的σp值。在此情况下，两者的不同在于键合的方向，所以σp值不同。
由A、B、C和D表示的吸电子基团的优选实例包括：氰基、硝基、含有1至10个碳原子的酰基(例如，乙酰基、丙酰基、丁酰基、新戊酰基、苯甲酰基)、含有2至1 2个碳原子的烷氧基-羰基(例如，甲氧羰基、乙氧羰基、异丙氧羰基、丁氧基羰基、癸氧羰基)、含有7至11个碳原子的芳氧羰基(例如，苯氧羰基)、含有1至10个碳原子的氨基甲酰基(例如，甲基氨基甲酰基、乙基氨基甲酰基、苯基氨基甲酰基)、含有1至10个碳原子的烷基磺酰基(例如，甲磺酰基)、含有6至10个碳原子的芳基磺酰基(例如，苯磺酰基)、含有1至10个碳原子的烷氧基磺酰基(例如，甲氧基磺酰基)、含有1至10个碳原子的氨磺酰基(例如，乙基氨磺酰基、苯基-氨磺酰基)、含有1至10个碳原子的烷基亚硫酰基(例如，甲亚硫酰基、乙亚硫酰基)、含有6至10个碳原子的芳基-亚硫酰基(例如，苯亚硫酰基)、含有1至10个碳原子的烷基亚磺酰基(例如，甲亚磺酰基、乙亚磺酰基)、卤素原子、含有2至10个碳原子的炔基(例如，乙炔基)、含有2至10个碳原子的二酰氨基(例如，二乙酰氨基)、磷酰基、羧基和5-或6-元杂环基团(例如，2-苯并噻唑基、2-苯并噁唑基、3-吡啶基、5-(1H)四唑基、4-嘧啶基)。它们中，优选5-或6-元杂环基团。
作为由式(1)中的R表示的在次甲基碳上的取代基的实例，例如，可以示例下面的基团：含有1至20个碳原子的链或环状烷基(例如，甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基)、含有6至18个碳原子的取代或未取代的芳基(例如，苯基、氯代苯基、茴香基、甲苯甲酰基、2，4-二叔戊基、1-萘基)、链烯基(例如，乙烯基、2-甲基乙烯基)、炔基(例如，乙炔基、2-甲基乙炔基、2-苯基乙炔基)、卤素原子(例如，F、Cl、Br、I)、氰基、羟基、羧基、酰基(例如，乙酰基、苯甲酰基、水杨酰基、新戊酰基)、烷氧基(例如，甲氧基、丁氧基、环己氧基)、芳氧基(例如，苯氧基、1-萘氧基)、烷硫基(例如，甲硫基、丁硫基、苄硫基、3-甲氧基丙硫基)、芳硫基(例如，苯硫基、4-氯苯硫基)、烷基磺酰基(例如，甲磺酰基、丁磺酰基)、芳基磺酰基(例如，苯磺酰基、对甲苯磺酰基)、含有1至10个碳原子的氨基甲酰基、含有1至10个碳原子的酰氨基、含有2至12个碳原子的亚氨基、含有2至10个碳原子的酰氧基、含有2至10个碳原子的烷氧羰基、杂环基团(例如，芳族杂环如，吡啶基、噻吩基、呋喃基、噻唑基、咪唑基、吡唑基等，和脂族杂环如，吡咯烷、哌啶、吗啉、吡喃、噻喃、二噁烷、二硫戊环等)。
优选R表示卤素原子、含有1至8个碳原子的链或环状烷基、含有6至10个碳原子的芳基、含有1至8个碳原子的烷氧基、含有6至10个碳原子的芳氧基或者含有3至10个碳原子的杂环基团，并且特别优选表示氯原子、含有1至4个碳原子的烷基(例如，甲基、乙基、异丙基)、苯基、含有1至4个碳原子的烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、苯氧基)、含有4至8个碳原子的含氮杂环基团(例如，4-吡啶基、苯并噁唑-2-基、苯并噻唑-2-基)。
n表示0至2m+1的整数，并且当n表示大于或等于2的整数时，多个R可以相同或不同，并且它们可以相互连接形成环。此时，环的数量优选为4至8，并且特别优选为5或6。环的构成原子优选为碳原子、氧原子或氮原子，并且特别优选为碳原子。
A、B、C、D和R还可以含有取代基，例如，作为取代基，示例的是如上面所述的与式(1)中由R表示的一价取代基的实例相同的基团。
至于用于光盘的染料，考虑到热分解，优选A和B，或者C和D相互连接形成环。
至于由式(7)中的E表示的取代基的实例，可以示例与由A、B、C和D表示的那些相同的基团，并且优选范围也相同。
至于用于本发明的由式(1)表示的氧杂菁染料的阴离子位点的具体实例，可以示例的是在JP-A-10-297103中公开的氧杂菁染料的阴离子位点，并且也可以示例下列化合物作为具体实例，但本发明不限于这些化合物：
Figure A20068000048800131
优选式(1)由式(2)表示。
解释式(2)。A1、B1、C1和D1与上面所述的A、B、C和D含义相同，并且优选范围也相同。
R1与上面的R含义相同，并且优选范围也相同。
t1与上面的t含义相同，并且优选范围也相同。
Y1与上面的Y含义相同，并且优选范围也相同。
解释花青阳离子的花青(化合物)。作为花青，可以示例在 The Chemistry of Heterocyclic Compound，“Cyanine Dyes and Related Compounds”，JohnWiley & Sons，New York，London(1964)中所述的化合物。
本发明中的花青阳离子应当包括在花青的N原子提供有H+作为式(3)表示的阳离子的那些。
花青阳离子优选由式(3)、(4)或(5)表示，更优选由式(3)或(4)表示，再更优选由式(4)表示。
描述式(3)和(4)。ka1表示0至3的整数，并且优选为0。
R3至R9各自表示氢原子或取代基。作为取代基的实例，示例的是取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的链烯基和取代或未取代的炔基。这些取代基可以被进一步取代，并且作为取代基的实例，可以示例与上面由R表示的基团相同的基团。R3至R6各自优选表示取代或未取代的烷基，更优选表示含有1至8个碳原子的取代或未取代的烷基，并且还更优选表示含有1至8个碳原子的未取代的烷基。R7至R9可以相互不同，但是优选相同。R7至R9优选表示氢原子。R3至R9可以相互连接形成环。例如，当ka1为1时，R5或R6可以与R7连接形成4-吡啶环。此外，当ka1为3时，R3和R9，或者R5和R9可以相互连接形成4-吡啶环或4-喹啉环。
下面示出了在本发明中使用的具有由式(3)或(4)表示的结构的花青的具体实例，但本发明不限于这些具体的实例。
Figure A20068000048800151
下面描述由式(5)表示的染料。
Ma21、Ma22和Ma23各自表示取代或未取代的次甲基。至于用于取代Ma21、Ma22和Ma23的取代基，示例的是与上面由R表示的基团相同的基团。Ma21、Ma22和Ma23各自优选表示被以下基团取代的次甲基或表示未取代的次甲基：含有1至5个碳原子的未取代的烷基、含有1至5个碳原子的未取代的烷氧基、含有2至6个碳原子的取代或未取代的芳基或卤素原子。
R10和R11各自表示取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的链烯基，或者取代或未取代的炔基。这些基团可以被进一步取代。至于取代基的实例，可以示例的是与上面由R表示的基团相同的基团。R10和R11各自优选表示取代或未取代的烷基，更优选含有1至8个碳原子的取代或未取代的烷基，并且再优选含有1至8个碳原子的未取代的烷基。R10和R11可以相互不同，但优选它们相同。
ka2表示0至3的整数，优选为1或2，并且更优选为2。当ka2等于或大于2时，多个Ma21和Ma22可以相同或不同。
Za21和Za22各自表示形成含有2至20个碳原子的取代或未取代的杂环基团的原子团。对由Za21和Za22表示的杂环没有特别限制，但是优选吡咯环、咪唑环、噁唑环、噻唑环、吡啶环(与次甲基的连接位置不仅可以是2-位，而且可以是4-位)、含有这些环的稠环(例如，苯并吡咯)，和这些环的互变异构体，更优选吡咯环、咪唑环、噁唑环、噻唑环和含有这些环的稠环，再更优选吡咯环、噁唑环、噻唑环和含有这些环的稠环，并且特别优选吡咯环及其稠环。
优选式(5)由式(6)表示。
下面描述式(6)。Za31和Za32各自表示碳环或杂环。对碳环和杂环没有特别限制，但是优选含有6至20个碳原子的取代或未取代的苯环及其稠环。
式(6)中的R10和R11与式(5)中的R10和R11含义相同，并且优选范围也相同。
R21、R22和R23各自表示氢原子或取代基。作为取代基的实例，示例的是与由R表示的那些相同的基团。取代基的实例优选包括氢原子、含有1至5个碳原子的未取代烷基、含有1至5个碳原子的未取代烷氧基、含有2至10个碳原子的取代或未取代的芳基和卤素原子，更优选氢原子、含有1至5个碳原子的未取代烷基、含有1至5个碳原子的未取代烷氧基和含有2至10个碳原子的取代或未取代的芳基，并且再更优选为氢原子。
R24至R27各自表示氢原子或取代基。作为取代基的实例，示例的是与由上述R表示的那些相同的基团，优选取代或未取代的烷基，更优选含有1至8个碳原子的取代或未取代的烷基，并且再更优选为有1至8个碳原子的未取代烷基。
ka3与ka2的含义相同，并且优选范围也相同。
下面示出了具有由式(6)表示的结构的花青的具体实例，但本发明不限于这些具体的实例。
Figure A20068000048800181
Figure A20068000048800191
Figure A20068000048800201
Figure A20068000048800211
作为花青，也可以示例下列化合物。
阳离子(B-9)                                                                                                                      阳离子(B-12)
Figure A20068000048800222
           
Figure A20068000048800223
阳离子(B-10)                                                                                                   阳离子(B-13)
Figure A20068000048800224
阳离子(B-11)
氧杂菁(阴离子位点)与花青(阳离子位点)的组合优选为[式(2)/式(3)]、[式(2)/式(4)]、[式(2)/式(5)]和[式(2)/式(6)]的(氧杂菁/花青)，并且更优选为[式(2)/式(3)]、[式(2)/式(4)]和[式(2)/式(5)]的(氧杂菁/花青)，再更优选为[式(2)/式(3)]和[式(2)/式(4)]的(氧杂菁/花青)，并且特别优选为[式(2)/式(4)]的(氧杂菁/花青)。
式(1)的具体实例示于下表1-1至1-5中，但本发明不限于此。
                       表1-1
化合物   氧杂菁染料的阴离子位点 花青 t
  化合物(1)   (A-1)   (B-1)   2
  化合物(2)   (A-1)   (B-2)   2
  化合物(3)   (A-6)   (B-5)   1
  化合物(4)   (A-6)   (B-2)   2
  化合物(5)   (A-6)   (B-7)   1
  化合物(6)   (A-6)   (C-26)   1
  化合物(14)   (A-1)   (B-10)   1
                     表1-2
化合物   氧杂菁染料的阴离子位点 花青 t
  化合物2-1   (A-2)   (B-1)   2
  化合物2-2   (A-2)   (B-2)   2
  化合物2-3   (A-2)   (B-3)   2
  化合物2-4   (A-2)   (B-5)   1
  化合物2-5   (A-2)   (B-8)   1
  化合物2-6   (A-2)   (B-9)   2
  化合物2-7   (A-2)   (C-1)   1
  化合物2-8   (A-2)   (C-9)   1
  化合物2-9   (A-2)   (C-17)   1
  化合物2-10   (A-2)   (C-26)   1
  化合物2-11   (A-2)   (C-33)   1
                      表1-3
化合物   氧杂菁染料的阴离子位点 花青 t
  化合物3-1   (A-3)   (B-1)   2
  化合物3-2   (A-3)   (B-2)   2
  化合物3-3   (A-3)   (B-3)   2
  化合物3-4   (A-3)   (B-5)   1
  化合物3-5   (A-3)   (B-8)   1
  化合物3-6   (A-3)   (B-9)   2
  化合物3-7   (A-3)   (C-1)   1
  化合物3-8   (A-3)   (C-9)   1
  化合物3-9   (A-3)   (C-17)   1
  化合物3-10   (A-3)   (C-26)   1
  化合物3-11   (A-3)   (C-33)   1
                        表1-4
化合物   氧杂菁染料的阴离子位点 花青 t
  化合物4-1   (A-4)   (B-1)   2
  化合物4-2   (A-4)   (B-2)   2
  化合物4-3   (A-4)   (B-3)   2
  化合物4-4   (A-4)   (B-5)   1
  化合物4-5   (A-4)   (B-8)   1
  化合物4-6   (A-4)   (B-9)   2
  化合物4-7   (A-4)   (C-1)   1
  化合物4-8   (A-4)   (C-9)   1
  化合物4-9   (A-4)   (C-17)   1
  化合物4-10   (A-4)   (C-26)   1
  化合物4-11   (A-4)   (C-33)   1
                          表1-5
化合物   氧杂菁染料的阴离子位点 花青 t
  化合物5-1   (A-5)   (B-1)   2
  化合物5-2   (A-5)   (B-2)   2
  化合物5-3   (A-5)   (B-3)   2
  化合物5-4   (A-5)   (B-5)   1
  化合物5-5   (A-5)   (B-8)   1
  化合物5-6   (A-5)   (B-9)   2
  化合物5-7   (A-5)   (C-1)   1
  化合物5-8   (A-5)   (C-9)   1
  化合物5-9   (A-5)   (C-17)   1
  化合物5-10   (A-5)   (C-26)   1
  化合物5-11   (A-5)   (C-33)   1
光学信息记录介质：
本发明中的光学信息记录介质优选为：
实施方案(1)：一种光学信息记录介质，其包含厚度为0.7至2mm的基材，在所述的基材上顺序具有含有染料的写后直读记录层和厚度为0.01至0.5mm的覆盖层
实施方案(2)：一种光学信息记录介质，其包含厚度为0.1至1.0mm的基材，在所述的基材上顺序具有含有染料的写后直读记录层和厚度为0.1至1.0mm的保护层
实施方案(1)中，优选在基材上形成的预槽的磁道间距为50至500nm，并且槽的宽度为25至250nm，且槽的深度为5至150nm。实施方案(2)中，优选在基材上形成的预槽的磁道间距为200至600nm，并且槽的宽度为50至300nm，槽的深度为30至200nm，且摆动幅度为10至50nm。
实施方案(1)中的光学信息记录介质至少包含基材、写后直读记录层和覆盖层。首先，顺序描述这些基本成员。
实施方案(1)中的基材：
必要的是，在优选的实施方案(1)中的基材应当提供有具有这样形式的预槽(导槽)，其中磁道间距、槽宽度(半值宽度)、槽深度和摆动幅度全部满足下列范围。形成预槽以实现与CD-R和DVD-R相比更高的记录密度。例如，当将本发明的光学信息记录介质用作对应于蓝紫色激光的介质时，预槽是适宜的。
必要的是，预槽的磁道间距在200至500nm的范围内，优选磁道间距的最上限值等于或小于420nm，更优选等于或小于370nm，并且再更优选等于或小于330nm。此外，最下限值优选等于或大于260nm。
当磁道间距小于200nm时，难以准确地形成预槽，此外，容易发生串话的问题，并且当磁道间距超过500nm时，存在记录密度降低的情况。
必要的是，预槽的槽宽度(半值宽度)在25至250nm的范围内，优选最上限值等于或小于200nm，更优选等于或小于170nm，并且再更优选等于或小于150nm。此外，最下限值优选等于或大于50nm，更优选等于或大于80nm，并且再更优选等于或大于100nm。
当预槽的槽宽度低于25nm时，在成型时不能充分地转移槽，或者记录错误率增大。而当槽宽度超过250nm时，在记录时形成的坑变宽，这有时引起串话或不足够的调制度。
必要的是，预槽的槽深度在5至150nm的范围内，优选最上限值等于或小于100nm，更优选等于或小于70nm，并且再更优选等于或小于50nm。此外，最下限值优选等于或大于10nm，更优选等于或大于20nm，并且再更优选等于或大于28nm。
在预槽的槽深度小于5nm时，存在不能得到足够的记录调制度，并且当其超过150nm，有时反射率极大地降低。
预槽的槽倾斜角的最上限值优选等于或低于80°，更优选等于或低于70°，再更优选等于或低于60°，并且特别优选等于或低于50°。此外，最下限值优选等于或大于20°，更优选等于或大于30°，并且再更优选等于或大于40°。
在预槽的槽倾斜角小于20°时，存在不能得到跟踪错误信号的足够幅度的情况，并且当倾斜角超过80°时，成型困难。
至于在本发明中使用的基材，可以任意地选择和使用作为光学信息记录介质的基材材料常规使用的各种材料。
具体地，可以示例的是玻璃；丙烯酸类树脂，例如，聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等；氯乙烯树脂，例如，聚氯乙烯，氯乙烯共聚物等；环氧树脂；非晶性聚烯烃；聚酯；和金属，例如，铝等，并且如果需要，可以将这些材料组合使用。
考虑到耐湿性、尺寸稳定性和廉价，这些材料中，优选热塑性树脂，如非晶性聚烯烃、聚碳酸酯等，并且特别优选聚碳酸酯。
在使用这些树脂时，可以通过注塑来制造基材。
基材的厚度必须在0.7至2mm的范围内，优选在0.9至1.6mm的范围内，并且更优选在1.0至1.3mm的范围内。
为了改善平坦度和粘合性，优选在其上提供后面描述的光反射层的基材表面上，提供底涂层。
作为底涂层的材料，可以示例聚合物质，例如，聚甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸-甲基丙烯酸共聚物、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚乙烯醇、N-羟甲基丙烯酰胺、苯乙烯-乙烯基甲苯共聚物、氯磺化聚乙烯、硝基纤维素、聚氯乙烯、氯化聚烯烃、聚酯、聚酰亚胺、乙酸乙烯酯-氯乙烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯等，和表面改进剂如，硅烷偶合剂。
可以通过下面的方法形成底涂层：将这些材料溶解或分散在适宜的溶剂中，以制备涂布溶液，然后将涂布溶液由适宜的涂布方法如旋涂、浸涂或挤出涂布等涂布在基材的表面上。底涂层的厚度通常为0.005至20μm，并且优选为0.01至10μm。
实施方案(1)中的写后直读记录层：
通过下面的方法形成优选实施方案(1)中的写后直读记录层：将染料与粘结剂等一起溶解在适宜的溶剂中，以制备涂布溶液，然后将涂布溶液涂布在基材上或在后面描述的光反射层上以形成膜，并且将它们干燥。写后直读记录层可以是单层或多层，并且在多层结构的情况下，多次进行将涂布溶液涂布的方法。
涂布溶液中的染料浓度通常在0.01至15质量％，优选0.1至10质量％，更优选0.5至5质量％并且最优选0.5至3质量％的范围内。
作为涂布溶液的溶剂，例如，可以示例的是：酯类，如乙酸丁酯，乳酸乙酯和乙酸溶纤剂；酮类，如甲基乙基酮，环己酮和甲基异丁基酮；氯化烃类，如二氯甲烷，1，2-二氯乙烷和氯仿；酰胺类，如二甲基甲酰胺；烃类，如甲基环己烷；醚类，如四氢呋喃，乙醚和二噁烷；醇类，如乙醇，正丙醇，异丙醇，和正丁醇双丙酮醇；含氟溶剂，如2，2，3，3-四氟丙醇；和二元醇醚类，如乙二醇一甲醚，乙二醇一乙醚和丙二醇一甲醚。
考虑到所使用的染料的溶解性，这些溶剂可以单独使用或两种或更多种组合使用。此外，可以将各种添加剂如抗氧化剂、UV吸收剂、增塑剂、润滑剂等加入到涂布溶液中。
作为涂布方法，可以示例的是喷涂法、旋涂法、浸涂法、辊涂法、刀涂法、涂胶辊涂法和丝网印刷法。
涂布时涂布溶液的温度优选在20至50℃，更优选23至40℃，并且特别优选23至37℃的范围内。
在槽(在上面所述的基材的凸部)上由此形成的写后直读记录层的厚度优选等于或小于300nm，更优选等于或小于250nm，再更优选等于或小于200nm，并且特别优选等于或小于180nm。最下限值优选等于或大于30nm，更优选等于或大于50nm，再更优选等于或大于70nm，并且特别优选等于或大于90nm。
在背(在上面所述的基材的凹部)上由此形成的写后直读记录层的厚度优选等于或小于400nm，更优选等于或小于300nm，并且再更优选等于或小于250nm。最下限值优选等于或大于70nm，更优选等于或大于90nm，并且再更优选等于或大于110nm。
此外，写后直读记录层在槽上的厚度/写后直读记录层在背上的厚度的比率优选等于或大于0.4，更优选等于或大于0.5，再更优选等于或大于0.6，并且特别优选等于或大于0.7。该比率的最上限值优选小于1，更优选等于或小于0.9，再更优选等于或0.85，并且特别优选等于或0.80。
当涂布溶液含有粘结剂时，粘结剂的实例包括：天然有机聚合物质，如明胶，纤维素衍生物，葡聚糖，松香、橡胶等；合成有机聚合物，如热固树脂的预缩合物，如烃树脂例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚异丁烯等，乙烯系树脂例如聚氯乙烯、聚偏1，1-二氯乙烯、氯乙烯/乙酸乙烯酯共聚物等，丙烯酸类树脂例如聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯等，聚乙烯醇，氯化聚乙烯，环氧树脂，丁醛树脂，橡胶衍生物，苯酚/甲醛树脂等。当将粘结剂作为写后直读记录层的材料组合使用时，粘结剂的使用量通常为染料量的0.01至50倍(质量比率)，并且优选为染料量的0.1至5倍(质量比率)。
为了进一步改善写后直读记录层的光耐牢性，写后直读记录层可以含有各种褪色抑制剂。作为褪色抑制剂，通常使用单线态氧猝灭剂。通过使用作为混合物的单线态氧猝灭剂，在本发明中也可以预期光耐牢性的进一步提高。本发明中可以使用在下列专利文献中公开的单线态氧猝灭剂。
JP-A-58-175693
JP-A-59-81194
JP-A-60-18387
JP-A-60-19586
JP-A-60-19587
JP-A-60-35054
JP-A-60-36190
JP-A-60-36191
JP-A-44554
JP-A-44555
JP-A-44389
JP-A-60-44390
JP-A-60-54892
JP-A-60-47069
JP-A-63-209995
JP-A-4-25492
JP-B-1-38680
JP-B-6-26028
德国专利350,399
Nippon Kagaku Kai-Shi(Bulletin of Chemical Society of Japan)，theOctober number，p.1141(1992)
褪色抑制剂如上述的单线态氧猝灭剂的使用量相对于染料的量通常在0.1至50质量％的范围内，优选在0.5至45质量％的范围内，更优选在3至40质量％的范围内，并且特别优选在5至25质量％的范围内。
实施方案(1)中的覆盖层：
由粘合剂或压敏粘合剂将优选实施方案(1)中的覆盖层粘附在写后直读记录层上或稍后描述的阻挡层上。
对用于本发明中的覆盖层没有特别限制，只要它们是透明材料的膜即可，但优选使用丙烯酸类树脂，例如，聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等；氯乙烯树脂，例如，聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等；环氧树脂；非晶性聚烯烃；聚酯；或三乙酸纤维素，并且更优选使用聚碳酸酯或三乙酸纤维素。
术语“透明的”是指对于记录或复制时使用的光的透光率等于或大于80％。
此外，覆盖层可以含有各种添加剂，只要不妨碍本发明的效果即可。例如，可以含有用于截断波长等于或小于400nm的光的UV吸收剂，或用于截断波长等于或大于500nm的光的染料。
此外，至于覆盖层的表面物理特性，优选二维参数和三维参数的表面粗糙度都等于或小于5nm。此外，考虑到在记录和复制时使用的光的会集，覆盖层的双折射率优选等于或小于10nm。
根据用于记录和复制辐照的激光束的波长和NA，任意地规定覆盖层的厚度，但是在本发明中，该厚度优选在0.01至0.5mm的范围内，并且更优选在0.05至0.12mm的范围内。
覆盖层和包含粘合剂或压敏粘合剂的层的总厚度优选为0.09至0.11mm，并且更优选为0.095至0.105mm。
顺便提及，可以在覆盖层的光入射表面上提供保护层(硬质涂层)，以防止在制造光学信息记录介质时光入射表面受到刮擦。
至于用来粘附覆盖层的研磨剂，优选使用例如，UV-可固化树脂、EB-可固化树脂和热固性树脂，并且特别优选使用UV-可固化树脂。
当将UV-可固化树脂用作研磨剂时，可以用原样的UV-可固化树脂制备涂布溶液，或者，将它们溶解于适宜的溶剂如甲基乙基酮、乙酸乙酯等中，并且可以将得到的涂布溶剂用分配器供给到阻挡层的表面上。优选构成粘合剂层的UV-可固化树脂的固化收缩因子小，以防止将要制造的光学信息记录介质翘曲。至于这种UV-可固化树脂，可以示例的是例如UV-可固化树脂SD-640(由Dainippon Ink and Chemicals Inc.制造)。
优选将指定量的粘合剂涂布在例如将要粘附的阻挡层的表面上，将覆盖层放置其上，然后由旋涂将粘合剂在将要粘附的表面和覆盖层之间均匀地散布，并且固化粘合剂。
包含粘合剂的粘合剂层的厚度范围优选为0.1至100μm，更优选为0.5至50μm，并且再更优选为10至30μm。
作为用于粘附覆盖层的粘合剂，可以使用丙烯酸类、橡胶、和有机硅质粘合剂，但是考虑到透明性和耐久性，优选使用丙烯酸类粘合剂。作为这样的丙烯酸类粘合剂，优选使用这样的共聚物，其包含作为主要组分的丙烯酸-2-乙基己酯或丙烯酸正丁酯，用于改善内聚力的短链丙烯酸烷基酯或短链甲基丙烯酸烷基酯例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯或甲基丙烯酸甲基，和作为能够成为与交联剂的交联点的组分的丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酰胺衍生物、马来酸、丙烯酸羟乙酯或丙烯酸甘油酯。可以通过适宜地调节主要组分、短链组分和增加交联点的组分的混合比率和种类，来改变玻璃化转变温度(Tg)和交联密度。
作为与上述粘合剂组合使用的交联剂，例如，可以示例的是异氰酸酯交联剂。作为异氰酸酯交联剂，例如，可以使用异氰酸酯类如甲苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基-甲烷二异氰酸酯、1，6-己二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、萘-1，5-二异氰酸酯、邻-甲苯胺异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯和三苯甲烷三异氰酸酯，这些异氰酸酯与多元醇的产物，以及由异氰酸酯缩合形成的聚异氰酸酯。作为这些异氰酸酯的可商购产品，可以示例的是Coronate L、Coronate HL、Coronate 2030、Coronate 2031、Millionate MR、Millionate HTL(由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)、TakenateD-102、Takenate D-110N、Takenate D-200、Takenate D-202(由TakedaChemical Industries，Ltd.制造)、Desmodur L、Desmodur IL、Desmodur N、Desmodur HL(由Sumitomo Bayer Co.，Ltd.制造)。
可以将粘合剂以预定的量涂布在将要粘附的阻挡层的表面上，并且在将覆盖层放置其上之后，固化，或者，可以预先通过将预定量的粘合剂均匀地涂布在覆盖层的一侧上来制备粘合剂涂膜，并且可以将涂膜粘附在将要粘附的阻挡层的表面上，并且固化。
备选地，可以将预先提供有粘合剂层的可商购粘合剂膜用于覆盖层。
包含这样粘合剂的粘合剂层的厚度优选在0.1至100μm的范围内，更优选在0.5至50μm的范围内，并且再更优选在10至30μm的范围内。
实施方案(1)中的其它层：
在优选的实施方案(1)中的光学信息记录介质除了具有上述基本层外，还可以具有其它的任选层，只要不妨碍本发明的效果即可。作为这样的其它任选层，例如，可以示例的是：在基材的背面(其中具有写后直读记录层的侧为正面)上形成的具有适宜图像的标签层、在基材和写后直读记录层之间提供的光反射层(后面描述该层)、在写后直读记录层和覆盖层之间提供的阻挡层(后面描述该层)，以及在光反射层和写后直读记录层之间提供的界面层。由UV-可固化树脂、热固性树脂或热干燥树脂形成标签层。
顺便提及，这些基本层和任选层可采取单层或多层结构。
实施方案(1)中的光反射层：
在优选的实施方案(1)中的光学信息记录介质中，优选在基材和写后直读记录层之间提供光反射层，目的在于提高对激光束的反射率和改善记录和复制特性。
可以通过对激光束具有高反射率的光反射性物质的真空蒸发、溅射或离子镀，在基材上形成光反射层。
光反射层的厚度通常在10至300nm的范围内，并且优选在50至200nm的范围内。
顺便提及，反射率优选等于或大于70％。
作为具有高反射率的光反射性物质，可以示例的是金属，例如，Mg、Se、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、Po、Sn、Bi等，类金属和不锈钢。可以将光反射性物质单独使用，两种或更多种组合使用，或者作为合金使用。这些中，优选的物质是Cr、Ni、Pt、Cu、Ag、Au、Al和不锈钢。特别优选Au、Ag、Al和这些金属的合金，并且最优选Au、Ag和这些金属的合金。
实施方案(1)中的阻挡层(中间层)的形成方法：
在优选的实施方案(1)中的光学信息记录介质中，优选在写后直读记录层和覆盖层之间提供阻挡层。
提供阻挡层的目的是为了提高写后直读记录层的保存稳定性、改善写后直读记录层和覆盖层的粘合力，调节反射率，调节导热性等。
对在阻挡层中使用的材料没有特别限制，只要它们是能够透射用于记录和复制的光并且具有上述功能的材料即可，但通常地，优选该材料对气体和水分的渗透率低的材料，以及优选该材料是介电物质。
具体地，优选包含以下物质的氮化物、氧化物、碳化物或硫化物的材料：Zn、Si、Ti、Te、Sn、Mo、Ge等。优选ZnS、MoO2、GeO2、TeO、SiO2、TiO2、ZuO、ZnS-SiO2、SnO2、ZnO-Ga2O3，并且更优选ZnS-SiO2、SnO2、ZnO-Ga2O3。
可以由真空成膜法如真空蒸发，DC溅射、RF溅射和离子镀来形成阻挡层。更优选使用溅射，并且再更优选使用RF溅射。
阻挡层的厚度优选在1至200nm的范围内，更优选在2至100nm的范围内，并且再更优选在3至50nm的范围内。
下面，描述在优选的实施方案(2)中的光学信息记录介质。
实施方案(2)中的光学信息记录介质是一种具有粘附型层结构的光学信息记录介质，并且代表性的层结构如下：
(1)第一种层结构是这样的结构，其包含基材，在基材上顺序形成的写后直读记录层、光反射层和粘合剂层，以及在粘合剂层上提供的保护基材。
(2)第二种层结构是这样的结构，其包含基材，在基材上顺序形成的写后直读记录层、光反射层、保护层、粘合剂层，以及在粘合剂层上提供的保护基材。
(3)第三种层结构是这样的结构，其包含基材，在基材上顺序形成的写后直读记录层、光反射层、保护层、粘合剂层、保护层，以及在保护层上提供的保护基材。
(4)第四种层结构是这样的结构，其包含基材，在基材上顺序形成的写后直读记录层、光反射层、保护层、粘合剂层、保护层和光反射层，以及在光反射层上提供的保护基材。
(5)第五种层结构是这样的结构，其包含基材，在基材上顺序形成的写后直读记录层、光反射层、粘合剂层、光反射层，以及在光反射层上提供的保护基材。
上述的层结构(1)至(5)仅仅是实例，并且层结构不仅是上述的顺序，而且部分可以代替，或部分可以省略。此外，还可以将写后直读记录层形成在保护基材侧，并且在那种情况下，得到的光学信息记录介质可以从两侧进行记录和复制。此外，每层可以包含单层或可以包含多层。
下面通过采用这样的介质作为实例来解释本发明中的光学信息记录介质，所述的介质具有包含基材的结构，所述的基材顺序具有写后直读记录层、光反射层、粘合剂层和保护基材。
实施方案(2)中的基材：
必要的是，在优选的实施方案(2)中的基材应当提供有具有这样形式的预槽(导槽)，其中磁道间距、槽宽度(半值宽度)、槽深度和摆动幅度全部满足下列范围。形成预槽以实现与CD-R和DVD-R相比更高的记录密度。例如，当将本发明的光学信息记录介质用作对应于蓝紫色激光的介质时，预槽是适宜的。
必要的是，预槽的磁道间距在200至500nm的范围内，优选磁道间距的最上限值等于或小于450nm，并且更优选等于或小于430nm。此外，最下限值优选等于或大于300nm，更优选等于或大于330nm，并且再更优选等于或大于370nm。
当磁道间距小于200nm时，难以准确地形成预槽，此外，容易发生串话的问题，并且当磁道间距超过500nm时，存在记录密度降低的情况。
必要的是，预槽的槽宽度(半值宽度)在50至300nm的范围内，优选最上限值等于或小于250nm，更优选等于或小于200nm，并且再更优选等于或小于180nm。此外，最下限值优选等于或大于100nm，更优选等于或大于120nm，并且再更优选等于或大于140nm。
当预槽的槽宽度低于50nm时，在成型时不能充分地转移预槽，或者记录错误率增大。而当槽宽度超过300nm时，在记录时形成的坑变宽，这有时引起串话或不足够的调制度。
必要的是，预槽的槽深度在30至200nm的范围内，优选最上限值等于或小于170nm，更优选等于或小于140nm，并且再更优选等于或小于120nm。此外，最下限值优选等于或大于40nm，更优选等于或大于50nm，并且再更优选等于或大于60nm。
在预槽的槽深度小于30nm时，存在不能得到足够的记录调制度的情况，并且当其超过200nm，有时反射率极大地降低。
至于在优选的实施方案(2)中使用的基材，可以任意地选择和使用作为光学信息记录介质的基材材料常规使用的各种材料。该材料的具体实例和优选实例与实施方案(1)中的基材相同。
基材的厚度必须在0.1至1.0mm的范围内，优选在0.2至0.8mm的范围内，并且更优选在0.3至0.7mm的范围内。
为了改善平坦度和粘合性，优选在其上提供后面描述的写后直读记录层的基材表面上，提供底涂层。底涂层的材料的具体实例和优选实例、涂布方法和厚度与实施方案(1)中所述的底涂层中的那些相同。
实施方案(2)中的写后直读记录层：
在优选的实施方案(2)中的写后直读记录层的详细描述与实施方案(1)中的写后直读记录层的详细描述相同。
实施方案(2)中的光反射层：
在优选的实施方案(2)中，存在在写后直读记录层上形成光反射层的情况，形成的目的在于提高对激光束的反射率或赋予改善记录和复制特性的功能。实施方案(2)中的光反射层的详细内容与实施方案(1)中的光反射层的那些相同。
实施方案(2)中的粘合剂层：
优选的实施方案(2)中的粘合剂层是任选层，其形成的目的在于改善光反射层和保护基材的粘合力。
构成粘合剂层的材料优选是可光固化树脂，并且为了防止盘的翘曲，优选使用固化收缩因子小的材料。作为这样的可光固化树脂，例如，可以示例的是UV-可固化树脂(UV-可固化粘合剂)SD640和SD-347(由Dainippon Ink and Chemicals Inc.制造)。为了得到弹性，粘合剂层的厚度优选在1至1,000μm的范围内。
实施方案(2)中的保护基材：
作为在优选的实施方案(2)中的保护基材(模型基材)，可以使用与基团的那些相同的材料和相同的形式。保护基材的厚度必须在0.1至1.0mm的范围内，优选在0.2至0.8mm的范围内，并且更优选在0.3至0.7mm的范围内。
实施方案(2)中的保护层：
根据层构造，存在优选的实施方案(2)中的光学信息记录介质提供有保护层的情况，提供的目的在于对光反射层和写后直读记录层进行物理或化学保护。
作为保护层用的材料的实例，可以示例的是无机物质，例如，ZnS、ZnS-SiO2、SiO、SiO2、MgF2、SnO2、Si3N4等，和有机物质，例如，热塑性树脂、热固性树脂、UV-可固化树脂等。
例如，可以通过由粘合剂将通过塑料的挤塑处理得到的膜粘附在光反射层上，来形成保护层。可以由真空蒸发、溅射或涂布的方法来提供保护层。
在将热塑性树脂或热固性树脂用作保护层时，也可以通过下面的方法形成保护层：将树脂溶解在适宜的溶剂中以制备涂布溶液，并且涂布所述的涂布溶液且干燥。在UV-可固化树脂的情况下，可以通过下面的方法形成保护层，用原样的UV-可固化树脂制备涂布溶液，或者将树脂溶解在适宜的溶剂中以制备涂布溶液，并且涂布所得到的涂布溶液，用UV射线辐照，从而固化涂层。向涂布溶液中，还可以根据目的加入各种添加剂，例如抗静电剂、抗氧化剂、UV吸收剂等。
保护层的厚度通常在0.1μm至1mm的范围内。
实施方案(2)中的其它层：
在优选的实施方案(2)中的光学信息记录介质除了具有上述层外，还可以具有其它的任选层，只要不妨碍本发明的效果即可。其它任选层的详细描述与实施方案(1)中的其它层相同。
光学信息记录方法：
例如，用优选的实施方案(1)或(2)中的光学信息记录介质，如下进行本发明中的光学信息记录。将记录用的光如半导体激光束等从基材侧或保护层侧辐照，同时以恒定的线速度(0.5至10m/sec)或恒定的角速度旋转光学信息记录介质。认为，记录层吸收辐照的光，并且温度局部地升高，作为发生物理或化学变化(例如，形成坑)的结果，从而改变记录层的光学特性，并且记录信息。本发明中，将振荡波长为390至450nm的半导体激光束用作记录光。作为优选的光源，可以示例的是，在390至415nm范围内的蓝紫色半导体激光束，和通过用光导波元件(photoconductive wave cell)将中心振荡波长为850nm的红外半导体激光束减半而得到的中心振荡波长为425nm的蓝紫色SHG激光束。考虑到记录密度，特别优选使用振荡波长在390至415nm范围内的蓝紫色半导体激光束。可以通过如上所述将光学信息记录介质以相同的恒定线速度旋转且从基材侧或保护层侧辐照半导体激光束，并且检测反射的光，来进行如上所述的记录信息的复制。
实施例
本发明将参考实施例来进行进一步的详细描述，但本发明不限于这些实施例。
本发明中的氧杂菁染料合成方法的实例示于下面。
化合物(1)的合成：
Figure A20068000048800381
化合物(1)
将化合物a(5.6g)在乙醇中搅拌，并且向其中滴加5.3ml的化合物b。允许反应溶液在室温反应5小时，并且在减压下除去溶剂。将得到的溶液用硅胶柱色谱纯化，得到0.5g的化合物(1)。
化合物(6)的合成：
Figure A20068000048800391
化合物(7)                                                    化合物(8)                                                                                    化合物(6)
可以通过将在乙醇中的化合物(7)和化合物(8)在加热下回流，得到化合物(6)。
实施例1
光学信息记录介质1的制造：
基材的制造：
通过注塑制造包含聚碳酸酯树脂的基材，所述的基材的厚度为1.1mm、外径为120mm、内径为15mm，并且所述基材具有螺旋预槽(磁道间距：320nm、槽宽度：120nm、槽深度：35nm、槽的倾斜角：65°，摆动幅度：20nm)。用刀片切割(351nm)进行注塑中使用的压模控制。
光反射层的形成：
用Cube(由Unaxis Co.制造)，在Ar气氛中，通过DC溅射在基材上形成厚度为100nm的真空蒸发膜的APC光反射层(Ag：98.1质量％，Pd：0.9质量％，Cu：1.0质量％)。由溅射时间调节光反射层的厚度。
写后直读记录层的形成：
通过将0.2g表1-1中所示的化合物(1)或(6)溶解于10ml的2，2，3，3-四氟丙醇，制备含染料的涂布溶液。在23℃，50％RH的条件下，通过将旋转速度从300改变到4,000rpm，由旋涂而在光反射层上涂布所制备的含染料的涂布溶液。之后，将该层在23℃、50％RH保存1小时，从而形成写后直读记录层(槽上的厚度：120nm，背上的厚度：170nm)。
在形成写后直读记录层后，将基材在清洁炉中进行退火处理。通过用隔板间隔的垂直套杆支撑基材，在80℃进行退火处理1小时。
阻挡层的形成：
接着，用Cube(由Unaxis Co.制造)，在Ar气氛中，通过RF溅射，在写后直读记录层上形成厚度为5nm，包含ZnO-Ga2O3(ZnO/Ga2O3：7/3，按质量比率计)的阻挡层。
覆盖层的粘附：
作为覆盖层，使用内径为15mm，外径为120mm并且一侧涂有粘合剂的聚碳酸酯膜(Teijin Pure Ace，厚度：80μm)。将聚碳酸酯膜和粘合剂层的总厚度设置为100μm。
将覆盖层放置在阻挡层上，使得阻挡层和粘合剂层接触，并且由压制构件的压力将覆盖层粘附在阻挡层上。
由此，制造出在实施例1和2以及比较例1和2中的光学信息记录介质。
作为比较化合物，使用在JP-A-10-297103中公开的化合物，即含有联吡啶鎓阳离子作为抗衡阳离子的化合物。在比较例1至7中分别使用化合物(A)至(G)。此外，实施例3至6中使用的本发明化合物如下。
化合物(15)
Figure A20068000048800411
化合物(16)
Figure A20068000048800412
化合物(17)
化合物(18)
Figure A20068000048800414
化合物(A)
Figure A20068000048800415
化合物(B)
化合物(c)
Figure A20068000048800422
化合物(D)
Figure A20068000048800423
化合物(E)
Figure A20068000048800424
化合物(F)
Figure A20068000048800425
化合物(G)
Figure A20068000048800426
光学信息记录介质1的评价：
(1)记录和复制的评价
采用带有403nm激光器，NA0.85检波器的记录/复制评价器(DDU1000，由Pulse Tech Products Corporation制造)，在计时频率66MHz和线速度5.28m/s下，由所制备的每种光学信息记录介质记录和复制0.16μm的信号(2T)。此外，将记录后的每种光学信息记录介质用Xe灯(170,000lux)辐照24小时，然后复制。评价中，使用本发明的光学记录方法。在槽上进行记录。得到的结果示于下表2中。
                                        表2
实施例号 化合物  记录功率(mW)    记录/复制特性(用Xe灯辐照前)坑的读出   记录/复制特性(辐照24小时后)坑的读出
实施例1 化合物(1)  3.5    能够   能够
实施例2 化合物(6)  3.0    能够   能够
比较例1 化合物(A)  3.5    能够   不能
比较例2 化合物(B)  3.0    能够   不能
从表2的结果可以看出，与使用褪色抑制剂和混合物作为抗衡盐的常规介质相比，本发明的两种光学信息记录介质都能够在记录后用Xe灯辐照24小时后进行复制，因此显著地改善了光耐牢性。
此外，将化合物(15)和(16)与比较化合物(C)至(E)进行比较，并且将化合物(17)和(18)与化合物(F)和(G)进行比较，结果，对于含有联吡啶鎓阳离子的比较例3至7，在2，2，3，3-四氟丙醇中的溶解性差，不能制造盘，但是，在含有花青作为抗衡阳离子的实施例3至6中，显示出良好的溶解性，可以在根据不存在任何困难的情况下制造盘。
                     表3
    实施例号   化合物   溶解性     盘制造
    实施例3   化合物(15)   良好     能够
    实施例4   化合物(16)   良好     能够
    实施例5   化合物(17)   良好     能够
    实施例6   化合物(18)   良好     能够
    比较例3   化合物(C)   差     不能
    比较例4   化合物(D)   差     不能
    比较例5   化合物(E)   差     不能
    比较例6   化合物(F)   差     不能
    比较例7   化合物(G)   差     不能
对于表3中的溶解性评价，将以等于或大于1质量％溶解于2，2，3，3-四氟丙醇中的这类化合物表示为‘良好’，并且将不溶于其中的那些表示为‘差’。在超声波辐照30分钟后，于25℃保持溶解性评价。
从表3中的上述结果看出，与使用褪色抑制剂和混合物作为抗衡盐的常规介质相比，本发明的两种光学信息记录介质的溶解性和盘制造性能得到了显著提高。此外，代替实施例3中的化合物3，将化合物(2-1)、(2-4)、(2-10)、(3-1)、(3-4)、(3-10)、(4-1)、(4-4)、(4-10)、(5-1)、(5-4)和(5-10)用于制造盘。结果，与实施例3中一样，溶解度足够良好，并且可以在不存在任何困难的情况下制造盘。
工业适用性
通过将根据本发明的化合物用于记录层，可以制备这样一种光学信息记录介质，其能够在没有削弱记录特性的情况下通过用400至410nm的激光束辐照而记录信息，其具有高的压缩寿命(press life)和记录后的耐久性。

Claims (8)

1.一种光学信息记录介质，其包含：
基材；和
记录层，所述的记录层能够通过用波长为400至410nm的激光束辐照而记录信息，
其中所述的记录层包含由式(1)表示的氧杂菁染料，并且氧杂菁染料的抗衡阳离子(即，式(1)中的Yt+)为花青阳离子：
Figure A2006800004880002C1
其中A、B、C和D各自表示吸电子基团，其中A和B的哈米特σp值的总和以及C和D的哈米特σp值的总和分别等于或大于0.6，并且A和B，或者C和D可以相互连接形成环；R表示在次甲基的碳上的取代基；m表示0或1的整数；n表示0至2m+1的整数，并且当n表示大于或等于2的整数时，多个R可以相同或不同，并且它们可以相互连接形成环；Yt+表示t价花青阳离子；并且t表示1至10的整数。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中所述的氧杂菁染料由式(2)表示：
Figure A2006800004880002C2
其中A1、B1、C1和D1各自表示吸电子基团，其中A1和B1的哈米特σp值的总和以及C1和D1的哈米特σp值的总和分别等于或大于0.6，并且A1和B1，或者C1和D1可以相互连接形成环；R1表示在次甲基的碳上的氢原子或取代基；Y1t1+表示t1价花青阳离子；并且t1表示1至10的整数。
3.根据权利要求1或2所述的光学信息记录介质，
其中所述的花青阳离子由式(3)或(4)表示：
Figure A2006800004880003C1
式(3)和(4)中，R3至R9各自表示氢原子或取代基，并且R3至R9可以相互连接形成环；并且kal表示0至3的整数，并且当kal等于或大于2时，多个R8和R9可以相同或不同。
4.根据权利要求1或2所述的光学信息记录介质，
其中所述的花青阳离子由式(5)表示：
Figure A2006800004880003C2
其中Za21和Za22各自独立地表示原子团以形成杂环；Ma21，Ma22和Ma23各自独立地表示取代或未取代的次甲基；ka2表示0至3的整数，并且当ka等于或大于2时，多个Ma21和Ma22可以相同或不同；并且R10和R11各自独立地表示取代基。
5.根据权利要求4所述的光学信息记录介质，其中由式(5)表示的花青阳离子由式(6)表示：
Figure A2006800004880004C1
其中Za31和Za32各自独立地表示原子团以形成碳环或杂环；R10和R11具有与式(5)中的R10和R11相同的含义；R21、R22、R23、R24、R25、R26和R27各自表示氢原子或取代基；并且ka3表示0至3的整数，并且当ka3等于或大于2时，多个R21和R22可以相同或不同。
6.根据权利要求1至5中任何一项所述的光学信息记录介质，其还包含：
包含金属的光反射层。
7.根据权利要求1至6中任何一项所述的光学信息记录介质，其还包含：
保护层。
8.根据权利要求1至7中任何一项所述的光学信息记录介质，
其中所述的基材是透明盘状基材，在所述的透明盘状基材表面上具有磁道间距为0.2至0.5μm的预槽，并且
在其上提供预槽一侧的表面上提供所述的记录层。
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