CN101022013A - 垂直磁记录介质 - Google Patents
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Abstract
一种垂直磁记录介质，包括：第一记录层(16)；第二记录层(20)，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(18)，其形成于第一记录层(16)与第二记录层(20)之间，并且包括形成于第一记录层(16)与非磁性层(18b)之间以及非磁性层(18b)与第二记录层(20)之间的铁磁层(18a、18c)。因此，可以提高垂直磁记录介质的再现输出。适当控制中间层的铁磁层和非磁性层的构造，从而还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
Description
技术领域
本发明涉及一种磁记录介质，特别是涉及一种用于垂直磁记录的垂直磁记录介质。
背景技术
作为磁记录装置，硬盘驱动器被广泛用作计算机和各种便携式信息终端(例如移动式个人计算机、游戏系统、数码相机、车载系统等)的外部存储装置。
近年来，作为这种硬盘驱动器的记录介质，与传统平面内(in-plane)记录介质相比矫顽力能够提高两倍以上的垂直磁记录介质受到人们的关注。垂直磁记录是一种形成磁畴的磁记录模式，使得相邻记录位在垂直于记录介质的平面的方向上相互反向平行。
在用于垂直磁记录的磁记录介质中，存在所谓的“热扰动”问题。热扰动是一种当进行高密度记录时磁畴减小且所记录信息被擦除的现象。为了抑制热扰动，有效的方法是使用具有高磁各向异性能Ku的材料。另一方面，磁各向异性能Ku的增加使得记录磁场增加，从而限制抑制热扰动的效果。因此，使用于热扰动的对策与确保足够的饱和记录特性彼此兼顾成为问题。
作为一种对策，人们尝试两层或更多记录层的多层结构。在这种结构中，叠置磁各向异性不同的记录层，从而改进记录特性。但是，控制用于所需磁特性的各层的成分和结构既复杂又困难。并且，通常膜厚趋向于变得非常厚，从而存在磁头的记录磁场变得不足的问题。
在这种背景下，人们提出一种称为ECC(交换耦合复合材料)介质的垂直磁记录介质，这种介质具有两个记录层以及插入所述记录层之间的非磁性中间层。ECC介质包括两个磁层，在所述磁层之间形成有非磁性中间层，其中两个磁层的易磁化轴分别设定为垂直和平面内方向、或者彼此倾斜，从而ECC介质能够在确保热稳定性的同时降低记录磁场并能够抑制侧面去磁。
例如，日本特开No.2001-148110中公开了相关现有技术。
但是，在上述传统的ECC介质中，记录层的易磁化轴与衬底的法线方向倾斜，这使得信号输出损失较大，从而不能确保足够的信噪(S/N)比。因此，期望有一种能够提高再现输出(reproduction output)和信噪比的垂直磁记录介质。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够提高再现输出和信噪比的垂直磁记录模式的磁记录介质。
根据本发明的一个方案，提供一种垂直磁记录介质，包括：第一记录层；第二记录层，其与所述第一记录层形成铁磁耦合；以及中间层，其形成于所述第一记录层与所述第二记录层之间，并且包括非磁性层和铁磁层，所述铁磁层形成于所述第一记录层与所述非磁性层之间以及所述非磁性层与所述第二记录层之间的至少其中之一。
根据本发明的另一方案，提供一种磁记录装置，包括：垂直磁记录介质；以及磁头，其中所述垂直磁记录介质包括：第一记录层；第二记录层，其与所述第一记录层形成铁磁耦合；中间层，其形成于所述第一记录层与所述第二记录层之间，并且包括非磁性层和铁磁层，所述铁磁层形成于所述第一记录层与所述非磁性层之间以及所述非磁性层与所述第二记录层之间的至少其中之一；所述磁头设置于所述垂直磁记录介质附近，用于将磁信息记录在所述垂直磁记录介质的预定记录区中以及读出所述垂直磁记录介质的预定记录区中的磁信息。
根据本发明，垂直磁记录介质包括：第一记录层；第二记录层，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层，其形成于第一记录层与第二记录层之间，该中间层具有非磁性层和铁磁层，该铁磁层形成于第一记录层与该非磁性层之间以及该非磁性层与第二记录层之间的至少其中之一，从而可以在不改变第一记录层和第二记录层的特性的情况下，通过该中间层的铁磁层提高该垂直磁记录层的饱和磁化强度Ms。因此，可以提高该垂直磁记录介质的再现输出。通过适当控制该中间层的铁磁层和非磁性层的构造，还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
中间层的铁磁层包括多个铁磁材料颗粒和填充在所述铁磁材料颗粒的晶界内的非磁性材料，从而由所述非磁性材料将所述铁磁材料颗粒磁隔离，因此，与中间层的铁磁层在平面内连续形成的情况相比，可以进一步减小铁磁层施加给与其相邻的记录区中的记录信息的磁影响。
附图说明
图1为根据本发明第一实施例的垂直磁记录介质的示意剖面图，其示出该垂直磁记录介质的结构。
图2为垂直磁记录介质的矩形比对非磁性层厚度的依存性的图表。
图3为输出对铁磁层厚度的依存性的图表。
图4为信噪比对铁磁层厚度的依存性的图表。
图5为矫顽力变化与磁特性测量角度的依存性的图表。
图6为输出对铁磁层厚度的依存性的图表。
图7A和7B为根据本发明第二实施例的垂直磁记录介质的示意剖面图，其示出该垂直磁记录介质的结构。
图8为信噪比对铁磁层厚度的依存性的图表。
图9为根据本发明第三实施例的磁记录装置的示意图，其示出该磁记录装置的结构。
具体实施方式
第一实施例
参照图1-图6说明根据本发明第一实施例的垂直磁记录介质。
图1示出根据本实施例的垂直磁记录介质的结构示意剖面图。图2为示出矩形比对非磁性层厚度的依存性的图表。图3和图6为示出输出对铁磁层厚度的依存性的图表。图4为示出信噪比对铁磁层厚度的依存性的图表。图5为示出矫顽力变化与磁特性测量方向的角度的依存性的图表。
首先，参照图1说明根据本实施例的垂直磁记录介质的结构。
在玻璃衬底10上形成由软磁材料构成的衬层(backing layer)12。在衬层12上形成由非磁性材料构成的中间层14。在中间层14上形成由铁磁材料构成的第一记录层16。在第一记录层16上形成交换耦合力控制层18。交换耦合力控制层18包括形成于第一记录层16上的铁磁层18a、形成于铁磁层18a上的非磁性层18b、和形成于非磁性层18b上的铁磁层18c。在交换耦合力控制层18上形成由铁磁材料构成的第二记录层20。因而，由第一记录层16、交换耦合力控制层18和第二记录层20构成垂直磁记录层22。在垂直磁记录层22上形成保护层24。
衬层12使由记录头所产生的记录磁场循环以形成封闭的磁通回路，并且衬层12由软磁材料(例如Co基非晶合金、Ni基合金或其它材料)构成。
中间层14用于防止衬层12与垂直磁记录层22之间的交互作用，并且中间层14由非磁性材料(例如Ru、Cr、Rh、Ir、这些材料的合金或其它材料)构成。
垂直磁记录层22用于记录所需的磁信息。在第一记录层16与第二记录层20之间形成铁磁耦合，并由交换耦合力控制层18控制第一记录层16与第二记录层20之间的交换耦合力。垂直磁记录层22可以由彼此铁磁耦合的三个或更多记录层构成。
第一记录层16和第二记录层20的易磁化轴设定为相对于玻璃衬底10处于平面内且垂直，或者彼此倾斜。第一记录层16和第二记录层20由用于垂直磁记录的铁磁材料(例如CoCr基合金、Co基颗粒材料或其它材料)构成。第一记录层16和第二记录层20可由相同或不同材料构成。在它们由不同材料构成时，优选地，更靠近玻璃衬底10的第一记录层16的垂直磁各向异性能(Ku)大于更靠近保护层24的第二记录层20的垂直磁各向异性能(Ku)。
磁层18a、18c用于增加垂直磁记录层22的饱和磁化强度Ms，并由包含作为主要成分的Co的铁磁材料(例如Co、CoCr、CoPt、CoNi、CoFe、CoNiFe或其它材料)构成，该铁磁材料是高Ms铁磁材料。
非磁性层18b在用于控制第一记录层16与第二记录层20之间的交换耦合力的交换耦合力控制层18中起到主要作用，并且非磁性层18b由非磁性材料(例如Ru、Cr、Rh、Ir、这些材料的合金或其它材料)构成。在本申请的说明中，常将交换耦合力控制层称为中间层。
保护层24是用于在磁头扫描垂直磁记录介质时保护表面的层，并且保护层24由例如碳膜或其它材料构成。
此处，根据本实施例的垂直磁记录介质的主要特征在于：交换耦合力控制层18包括由包含作为主要成分的Co的铁磁材料构成的铁磁层18a、18c。由于设置包含铁磁材料(该铁磁材料含有Co作为主要成分并且属于高Ms铁磁材料)的层，因而增加了垂直磁记录层22的饱和磁化强度Ms，从而能够提高再现输出。通过精细控制交换耦合力控制层18的各层的构造和膜厚，也能够提高信噪比。使用这种易磁化轴不垂直并且包含作为主要成分的Co的层，使得第一记录层16和第二记录层20的易磁化轴能够在任意方向变化。这使得相对于角度变化的矫顽力Hc的变化率变低。铁磁层18a和铁磁层18c并不必都要设置，而可以设置它们的其中之一。
接下来，参照图2-图6说明形成交换耦合力控制层18的各层的具体构造。
图2为静磁特性矩形比(SQ比)对非磁性层18b的膜厚的依存性的图表。图2所示的测量值对应于使用Ru膜作为非磁性层18b的情况。
如图2所示，SQ比随非磁性层18b的膜厚的变化而变化。当非磁性层18b的膜厚t不大于0.5nm且不小于0.8nm时，SQ比基本上为1。这表明当非磁性层18b的膜厚t为0.5nm＜t＜0.8nm时，经由非磁性层18b在第一记录层16与第二记录层20之间产生反铁磁耦合。当非磁性层18b的膜厚t为t≥0.8nm时，各记录层的功能彼此独立，并且不能识别交换耦合力控制层18的作用。因而，非磁性层18b的膜厚t必须设定为t≤0.5nm。
图3为输出(Vf8)对铁磁层18a、18c的膜厚的依存性的图表。在图3中，标记●指示第一记录层16的膜厚为10nm的情况，标记○指示第一记录层16的膜厚为15nm的情况。图3所示的测量值对应于铁磁层18a、18c由Co膜构成的情况。该图表的横轴表示铁磁层18a、18c各自的膜厚。
由图3可见，当第一记录层16的膜厚为10nm和15nm时，输出随铁磁层18a、18c的膜厚增加而增加。因而，从输出的角度出发，优选铁磁层18a、18c的膜厚较大。
图4为信噪比对铁磁层18a、18c的膜厚的依存性的图表。纵轴表示减去没有铁磁层18a、18c情况下给定的信噪比数值的值，值越大指示铁磁层18a、18c的效果越大。在该图表中，标记●指示第一记录层16的膜厚为10nm的情况下的信噪比，标记○指示第一记录层16的膜厚为15nm的情况下的信噪比。图4中所示的测量值对应于铁磁层18a、18c由Co膜构成且非磁性层18b的膜厚为0.4nm的情况。该图表的横轴表示铁磁层18a、18c各自的膜厚。
由图4可见，在第一记录层16的膜厚为10nm和15nm的情况下，信噪比随铁磁层18a、18c的膜厚增加而增加，到达峰值，并当信噪比超过峰值时减少。当铁磁层18a、18c的膜厚太大时，信噪比小于没有铁磁层18a、18c情况下的信噪比。变化率取决于第一记录层16的膜厚。
基于图4给出的结果，在第一记录层16的膜厚为10nm时，铁磁层18a、18c的膜厚t优选设定在0＜t≤1nm的范围内。在第一记录层16的膜厚为15nm时，铁磁层18a、18c的膜厚t优选设定在0＜t≤2nm的范围内。优选地，针对第一记录层16所采用的膜厚，适当设定铁磁层18a、18c的膜厚，以使信噪比大于没有铁磁层18a、18c情况下的信噪比。
图5示出矫顽力Hc的变化与磁特性测量方向的依存性。纵轴表示在垂直于膜的方向上测量的矫顽力为100％的情况下给出矫顽力的取值，横轴表示垂直于膜的方向与测量方向之间的角度。如图所示，相对于角度变化的矫顽力变化越小，侧面去磁阻力越高。在图表中，标记◆指示未设置铁磁层18a、18c的情况，标记▲指示铁磁层18a、18c的膜厚为0.5nm的情况，标记■指示铁磁层18a、18c的膜厚为1.0nm的情况，标记●指示铁磁层18a、18c的膜厚为1.5nm的情况。图5所示的测量值对应于铁磁层18a、18c由Co膜构成的情况。
如图5所示，可见铁磁层18a、18c的膜厚越大，相对于角度变化矫顽力变化越小，因而侧面去磁阻力越高。从侧面去磁阻力的角度出发，优选铁磁层18a、18c的膜厚较大。
图6为当设置铁磁层18a、18c的其中之一时输出对铁磁层18a或18c的膜厚的依存性的图表。纵轴表示减去没有铁磁层18a、18c情况下给定的输出值的值。在图表中，标记●指示仅设置铁磁层18a的情况，标记■指示仅设置铁磁层18c的情况。图6所示的测量值对应于铁磁层18a、18c由Co膜构成的情况。
如图6所示，即使在仅设置铁磁层18a、18c的其中之一的情况下，也可以识别到输出的增加。仅设置铁磁层18a的情况下的输出增加效果大于仅设置铁磁层18c的情况下的输出增加效果。在仅设置铁磁层18c的情况下，输出增加效果在膜厚为0.5nm时到达峰值，而在膜厚为0.5nm以上时发现输出减少。
基于图6给出的结果，通过设置铁磁层18a、18c中的至少一个，可以产生输出增加效果。铁磁层18a与铁磁层18c的输出与膜厚之间的关系不同，并且铁磁层18a的膜厚与铁磁层18c的膜厚可以不必彼此相等。优选地，根据其它特性适当地设定它们的膜厚。
接下来，参照图1说明根据本实施例的垂直磁记录介质的制造方法。
首先，通过例如溅射方法在玻璃衬底10上沉积膜厚为例如50-100nm的软磁材料(例如Co基非晶合金或Ni基合金)，形成衬层12。
接着，通过例如溅射方法在衬层12上沉积厚度例如约为20nm的非磁性材料(例如Ru、Cr、Rh、Ir或其它材料)，形成中间层14。
接着，在中间层14上形成厚度例如约为15nm的由CoCrPt-SiO2颗粒材料或其它材料构成的第一记录层16。
接着，通过例如溅射方法在第一记录层16上沉积厚度例如约为1nm的含Co铁磁材料(例如Co、CoCr、CoPt、CoNi、CoFe、CoNiFe或其它材料)，形成铁磁层18a。
接着，通过例如溅射方法在铁磁层18a上沉积厚度例如约为0.5nm的非磁性材料(例如Ru、Cr、Rh、Ir或其它材料)，形成非磁性层18b。
接着，通过例如溅射方法在非磁性层18b上沉积厚度例如约为1nm的含Co铁磁材料(例如Co、CoCr、CoPt、CoNi、CoFe、CoNiFe或其它材料)，形成铁磁层18c。
因而，形成由铁磁层18a、非磁性层18b和铁磁层18c构成的交换耦合力控制层18。
接着，在交换耦合力控制层18上，形成厚度例如约为5nm的由CoCrPt-SiO2颗粒材料或其它材料构成的第二记录层20。
因而，形成由第一记录层16、交换耦合力控制层18和第二记录层20构成的垂直磁记录层22。
接着，在垂直磁记录层22上形成厚度例如约为4nm的由碳膜构成的保护层24。
然后，为保护层24涂覆润滑剂(未示出)，从而完成根据本实施例的垂直磁记录介质。
如上所述，根据本实施例，垂直磁记录介质包括：第一记录层；第二记录层，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(交换耦合力控制层)，其形成于第一记录层与第二记录层之间，该中间层具有非磁性层和铁磁层，该铁磁层至少形成于第一记录层与该非磁性层之间或者该非磁性层与第二记录层之间，从而可以在不改变第一记录层和第二记录层的特性的情况下，通过该中间层的铁磁层提高该垂直磁记录层的饱和磁化强度Ms。因此，可以提高该垂直磁记录介质的再现输出。通过适当控制该中间层的铁磁层和非磁性层的构造，还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
第二实施例
参照图7A-图8说明根据本发明第二实施例的垂直磁记录介质。以相同标号代表本实施例中与图1所示根据第一实施例的垂直磁记录介质相同的构件，并省略或简化其说明。
图7A和图7B示出根据本实施例的垂直磁记录介质的结构示意剖面图。图8为示出信噪比对铁磁层膜厚的依存性的图表。
首先，参照图7A和图7B说明根据本实施例的垂直磁记录介质的结构。图7A为根据本实施例的垂直磁记录介质的剖面图，其示出概要结构。图7B为根据本实施例的垂直磁记录介质的放大剖面图，其示出垂直磁记录层的细节。
如图7A所示，根据本实施例的垂直磁记录介质的基本膜结构与图1所示的根据第一实施例的垂直磁记录介质相同。根据本实施例的垂直磁记录介质的主要特征在于交换耦合力控制层18由颗粒膜构成。
换而言之，如图7B所示，根据本实施例的垂直磁记录介质的交换耦合力控制层18包括：铁磁层18a′，其由Co颗粒和填充在Co颗粒的晶界内的SiO2构成，由SiO2将Co颗粒彼此磁隔离；非磁性层18b′，其由Ru颗粒和填充在Ru颗粒的晶界内的SiO2构成，由SiO2将Ru颗粒彼此隔离；以及铁磁层18c′，其由Co颗粒和SiO2构成，其中SiO2填充在Co颗粒的晶界内，由SiO2将Co颗粒彼此磁隔离。
由于交换耦合力控制层18的上述结构，因而可以减小铁磁层18a′和铁磁层18c′施加给与其相邻的记录区中的记录信息的磁影响，并且与铁磁层18a、18c不是颗粒状的第一实施例相比，可以进一步提高信噪比。
图8为信噪比对铁磁层18a′和铁磁层18c′的依存性的图表。纵轴表示减去没有铁磁层18a′、18c′情况下给定的信噪比数值的值，并且值越大意味着铁磁层18a′、18c′的效果越大。图8中给出的测量值对应于第一记录层16的膜厚为15nm且非磁性层18b′的膜厚为0.4nm的情况。该图表的横轴表示铁磁层18a′、18c′各自的膜厚。
由图8可见，信噪比随铁磁层18a′、18c′的膜厚增加而增加，在膜厚约为1nm处到达峰值，并当信噪比超过峰值时减少。图8所示的峰值与图4所示的根据第一实施例的垂直磁记录介质的峰值相比，信噪比差值增加约两倍。
构成铁磁层18a′、18c′的铁磁材料可以是除Co、CoCr、CoPt、CoNi、CoFe、CoNiFe或其它材料之外的材料。
构成非磁性层18b′的非磁性材料颗粒可以是除Ru、Cr、Rh、Ir、这些材料的合金或其它材料之外的材料。
用于将构成铁磁层18a′、18c′的铁磁材料颗粒与构成非磁性层18b′的非磁性材料颗粒隔离的材料可以是非磁性材料、含Si、Al或Mg的绝缘材料(例如SiO2、Al2O3、MgO或其它材料)、或非磁性金属材料(例如Ag、Cr或其它材料)。
具体地，铁磁层18a′、18c′可由例如Co(SiO)5、Co(SiO)10、Co(SiO)15、Co(AlO2)5、Co(AlO2)10、Co(AlO2)15或其它材料构成，非磁性层18b′可由例如Ru(SiO)5、Ru(SiO)10、RuCr10、RuCr15、Ru(MgO)7、Ru(MgO)15、Ru(MgO)20、Ru(AlO2)5、Ru(AlO2)10、Ru(AlO2)15、Cr(MgO)15、Cr(MgO)20、Cr(MgO)22或其它材料构成。上述各材料的下标数字表示原子百分比(at％)。
接下来，参照图7A和图7B说明根据本实施例的垂直磁记录介质的制造方法。
首先，通过例如溅射方法在玻璃衬底10上沉积厚度为例如50-100nm的软磁材料(例如Co基非晶合金或Ni基合金)，形成衬层12。
接着，通过例如溅射方法在衬层12上沉积厚度为例如20nm的非磁性材料(例如Ru、Cr、Rh、Ir或其它材料)，形成中间层14。
接着，在中间层14上形成厚度例如约为15nm的由CoCrPt-SiO2颗粒材料或其它材料构成的第一记录层16。
接着，在第一记录层16上例如溅射Co和SiO2，形成厚度为例如1nm的铁磁层18a′，铁磁层18a′由Co颗粒和填充在Co颗粒的晶界内的SiO2构成，由SiO2将Co颗粒彼此磁隔离。此时，成膜气压为例如0.2Pa。
接着，在铁磁层18a′上例如溅射Ru和SiO2，形成厚度为例如0.4nm的非磁性层18b′，非磁性层18b′由Ru颗粒和填充在Ru颗粒的晶界内的SiO2构成，由SiO2将Ru颗粒彼此隔离。此时，成膜气压为例如0.4Pa或0.8Pa。
接着，在非磁性层18b′上例如溅射Co和SiO2，形成厚度为例如1nm的铁磁层18c′，铁磁层18c′由Co颗粒和填充在Co颗粒的晶界内的SiO2构成，由SiO2将Co颗粒彼此磁隔离。此时，成膜气压为例如0.2Pa。
因而，形成由铁磁层18a′、非磁性层18b′和铁磁层18c′构成的交换耦合力控制层18。
接着，在交换耦合力控制层18上，形成厚度例如约为5nm的由CoCrPt-SiO2颗粒材料或其它材料构成的第二记录层20。
因而，形成由第一记录层16、交换耦合力控制层18和第二记录层20构成的垂直磁记录层22。
接着，在垂直磁记录层22上形成厚度例如约为4nm的由碳膜构成的保护层24。
然后，为保护层24涂覆润滑剂(未示出)，从而完成根据本实施例的垂直磁记录介质。
如上所述，根据本实施例，垂直磁记录介质包括：第一记录层；第二记录层，其与第一记录层产生铁磁耦合；以及中间层(交换耦合力控制层)，其形成于第一记录层与第二记录层之间，该中间层具有非磁性层和铁磁层，该铁磁层至少形成于第一记录层与该非磁性层之间或者该非磁性层与第二记录层之间，从而可以在不改变第一记录层和第二记录层的特性的情况下，通过该中间层的铁磁层提高该垂直磁记录层的饱和磁化强度Ms。因此，可以提高该垂直磁记录介质的再现输出。通过适当控制该中间层的铁磁层和非磁性层的构造，还可以提高垂直磁记录介质的信噪比。
中间层的铁磁层由多个铁磁材料颗粒和填充在所述铁磁材料颗粒的晶界内的非磁性材料构成，从而由所述非磁性材料将所述铁磁材料颗粒磁隔离，因此，与中间层的铁磁层在平面内连续形成的情况相比，可以进一步减小铁磁层施加给与其相邻的记录区中的记录信息的磁影响。
第三实施例
参照图9说明根据本发明第三实施例的磁记录装置。
图9为根据本实施例的磁记录装置的结构示意图。
在本实施例中，说明使用根据第一或第二实施例的垂直磁记录介质的磁记录装置。
根据本实施例的磁记录装置30包括限定例如长立方体内部空间的盒体32。这个容纳空间容纳一个或多个作为记录介质的磁盘34。磁盘34为如图1所示的根据第一实施例的垂直磁记录介质或者如图7A和7B所示的根据第二实施例的垂直磁记录介质。磁盘34安装于主轴马达36的转轴上。主轴马达36可以诸如7200rpm或10000rpm的高速旋转磁盘34。外盖(未示出)连接至盒体32，用于与盒体32协作紧密封闭容纳空间。
上述容纳空间还容纳磁头致动器38。磁头致动器38可旋转地安装于垂直延伸的支撑轴40上。磁头致动器38包括：多个致动器臂42，其从支撑轴40水平延伸；以及磁头悬浮组件44，其安装于各致动器臂42的前端并从致动器臂42向前延伸。致动器臂42设置于磁盘34的正面和背面上。
每个磁头悬浮组件44包括负载梁(loadbeam)46。负载梁46在所谓的弹性可弯曲区处连接至致动器臂42的前端。该弹性可弯曲区为负载梁46的前端施加朝向磁盘34表面的预定驱动力(urging force)。磁头48被支撑在负载梁46的前端上。由固定在负载梁46上的万向接头(未示出)支撑磁头48以使其能够自由改变位置。
当磁盘34的旋转在磁盘34的表面上产生气流时，该气流导致将作用于磁头48上的正压(即浮力)和负压。平衡该浮力、负压和负载梁46的驱动力，以在磁盘34旋转过程中保持磁头48能够以相对较高的刚度浮动。
致动器臂42连接至驱动源50，例如音圈马达(VCM)。驱动源50旋转支撑轴40上的致动器臂42。致动器臂42的这种旋转允许磁头悬浮组件44移动。当支撑轴40旋转以使致动器臂42摆动同时磁头48可浮动时，磁头48可以在磁盘34的表面上径向往复移动。这种移动使得磁头48能够定位于磁盘34上的所需记录磁道。
如上所述，使用根据第一或第二实施例的垂直磁记录介质构成该磁记录装置，从而可以提高垂直磁记录装置的再现输出和信噪比。因此，可以提高磁记录装置的特性和可靠性。
修改例
本发明不限于上述实施例，而可以覆盖其它各种修改。
例如，在上述第一和第二实施例中，交换耦合力控制层18具有铁磁层/非磁性层/铁磁层的三层结构，但交换耦合力控制层也可以具有铁磁层/非磁性层或非磁性层/铁磁层的两层结构。还可以包括除上述铁磁层和非磁性层之外的其它层。
在上述第一和第二实施例中，第一记录层16和第二记录层20由颗粒材料构成，但是上述记录层也可由非颗粒材料的记录层材料(例如CoCrPt或其它材料)构成。
衬层12、中间层14和保护层24的构造并不是必须如上述实施例中所述，而可以根据垂直磁记录介质的所需特性等适当改变。
Claims (10)
1.一种垂直磁记录介质，包括：
第一记录层；
第二记录层，其与所述第一记录层形成铁磁耦合；以及
中间层，其形成于所述第一记录层与所述第二记录层之间，并且包括非磁性层和铁磁层，所述铁磁层形成于所述第一记录层与所述非磁性层之间以及所述非磁性层与所述第二记录层之间的至少其中之一。
2.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述铁磁层包括多个铁磁材料颗粒和填充在所述铁磁材料颗粒的晶界内的非磁性材料，
所述非磁性材料将所述铁磁材料颗粒彼此磁隔离。
3.根据权利要求2所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述非磁性层包括多个非磁性材料颗粒和填充在所述非磁性材料颗粒的晶界内的另一非磁性材料，
所述另一非磁性材料将所述非磁性材料颗粒彼此隔离。
4.根据权利要求3所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述另一非磁性材料为包含Si、Al或Mg的绝缘材料，或者为Ag或Cr。
5.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
构成所述铁磁层的铁磁材料为Co或以Co为主要成分的合金。
6.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
构成所述非磁性层的非磁性材料为Ru、Cr、Rh、Ir或这些材料的合金。
7.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述非磁性层的膜厚不大于0.5nm。
8.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述铁磁层的膜厚不大于2nm。
9.根据权利要求1所述的垂直磁记录介质，其特征在于：
所述铁磁层的膜厚不大于1nm。
10.一种磁记录装置，包括：
垂直磁记录介质，其包括：
第一记录层；
第二记录层，其与所述第一记录层形成铁磁耦合；以及
中间层，其形成于所述第一记录层与所述第二记录层之间，并且包
括非磁性层和铁磁层，所述铁磁层形成于所述第一记录层与所述非磁性
层之间以及所述非磁性层与所述第二记录层之间的至少其中之一；以及
磁头，其设置于所述垂直磁记录介质附近，用于将磁信息记录在所述垂直磁记录介质的预定记录区中以及读出所述垂直磁记录介质的预定记录区中的磁信息。
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