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CN100583492C - 有机发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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CN100583492C
CN100583492C CN200710097864A CN200710097864A CN100583492C CN 100583492 C CN100583492 C CN 100583492C CN 200710097864 A CN200710097864 A CN 200710097864A CN 200710097864 A CN200710097864 A CN 200710097864A CN 100583492 C CN100583492 C CN 100583492C
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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：基底；缓冲层，布置在基底上；半导体层，布置在缓冲层上；栅极绝缘层，布置在半导体层上；栅电极，布置在栅极绝缘层上；层间介电层，布置在栅电极上；源/漏电极，布置在层间介电层上；绝缘层，布置在源/漏电极上；非透射层，布置在绝缘层上；有机发光二极管，布置在绝缘层上。

Description

有机发光显示器及其制造方法
本申请参考先前于2006年11月10日在韩国知识产权局提交并适时地分配序列号10-2006-0111298的题为“有机发光显示器及其制造方法”的申请，将其包含于此并要求其全部权益。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器及其制造方法，更具体地讲，本发明涉及这样一种有机发光显示器及其制造方法，即在该有机发光显示器及其制造方法中，防止在制造工艺过程中或制造工艺之后UV线穿过基底冲击(impinging)有机发光二极管，防止弯曲或损坏，并缩短了制造工艺时间。
背景技术
通常，有机发光显示器是当通过向荧光或磷光有机化合物提供电流而使电子和空穴结合时发光的自发射显示装置。通过电压驱动n×m有机发光二极管或对n×m有机发光二极管写入电流来显示图像。
如图1所示，这样的有机发光显示器包括阳极电极(ITO：氧化铟锡)、有机薄膜和阴极电极(金属)。有机薄膜由以下层构成：发射层(EML)，当电子和空穴结合时通过产生激子来发光；电子传输层(ETL)，控制电子的运动速度；空穴传输层(HTL)，控制空穴的运动速度。此外，在ETL中可形成电子注入层(EIL)，在HTL中可形成空穴注入层(HIL)。
由于这样的有机发光显示器的优点在于视角宽、响应速度快、自发光和能耗低，所以它被很好地用作运动图像显示装置，并可被制造为轻型的且薄型的。此外，可在低温下制造有机发光显示器，且由于制造工艺简单，所以可以以低成本制造有机发光显示器。此外，由于有机发光材料技术和工艺技术日益发展，所以期望有机发光显示器将替代传统的平板显示装置。
由于正在以薄且紧凑的尺寸制造的诸如蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、笔记本计算机、计算机监视器和电视机的电子设备正不断增加，所以要求有机发光显示器的厚度为1mm或更小。然而，还没有足够好地开发能够替代包封技术的保护膜技术，难以制造厚度为1mm或更小的有机发光显示器。
因此，为了制造厚度为1mm或更小的有机发光显示器，第JP2005-340182、JP2005-222930和JP2005-222789号日本专利描述了这样一种方法，在该方法中，通过在两个玻璃基底上分别形成二极管层(半导体层和有机发光二极管等)，结合玻璃基底使得相应的二极管层彼此面对，利用蚀刻或研磨工艺去除玻璃基底的没有二极管层的表面，来制造纤细的有机发光显示器。
然而，在这种方法中存在一个问题，即，因为在玻璃基底上分别形成半导体层或有机发光二极管，随后执行蚀刻或研磨工艺，所以延长了制造工艺时间。此外，因为在结合工艺过程中经常损坏或折断玻璃基底、半导体层和有机发光二极管，所以生产率低，因此制造成本高。
当然，可以制造厚度为1mm或更小的玻璃基底，随后在玻璃基底的表面上形成二极管层。然而，存在一个问题，即，玻璃基底的厚度太薄，所以在制造工艺过程中由于与制造机器的机械接触而导致玻璃基底弯曲或折断。
发明内容
已经开发出本发明来克服以上问题，本发明的一个目的是提供一种薄型有机发光显示器及其制造方法。
本发明的另一目的在于提供一种有机发光显示器，该有机发光显示器防止在制造工艺过程中或制造工艺之后UV线穿过基底冲击有机发光二极管。
本发明的又一目的在于防止基底在制造工艺过程中弯曲或折断。
本发明的又一目的在于通过缩短制造工艺时间来增大生产率，并降低制造成本。
为了实现上述目的，提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器包括：基底；有机发光二极管、绝缘层和半导体层，布置在所述基底上，所述绝缘层布置在所述有机发光二极管和所述半导体层之间；非透射层，布置在所述绝缘层上，所述非透射层布置在所述绝缘层和所述有机发光二极管之间并阻挡UV线。
优选地，所述有机发光显示器还包括：缓冲层，布置在所述基底上；栅极绝缘层，布置在所述半导体层上；栅电极，布置在所述栅极绝缘层上；层间介电层，布置在所述栅电极上；源/漏电极，布置在所述层间介电层上，其中，所述绝缘层布置在所述源/漏电极和所述有机发光二极管之间。
优选地，所述非透射层布置在所述有机发光二极管的外围。优选地，所述非透射层在所述绝缘层的对应于所述半导体层的上表面上布置在所述有机发光二极管的外围。优选地，所述非透射层在所述绝缘层的不对应于所述半导体层的上表面上布置在所述有机发光二极管的外围。优选地，所述非透射层连接到所述有机发光二极管的阳极。
优选地，所述有机发光显示器还包括布置在所述非透射层上的像素限定膜。优选地，所述非透射层是UV线防护剂(protective agent)。优选地，所述非透射层包含不能透射UV线的金属、透明的UV线防护剂或不透明的UV线防护剂中的至少一种。优选地，所述非透射层包含Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO或银合金中的至少一种。
优选地，所述非透射层具有范围为500埃
Figure C20071009786400071
至3000埃
Figure C20071009786400072
的厚度。优选地，所述非透射层包含与所述有机发光二极管的阳极的材料相同的材料。优选地，所述非透射层包含氧化铟锡(ITO)/Ag、ITO/Ag/ITO或ITO/Ag/氧化铟锌(IZO)中的至少一种。
优选地，所述基底具有范围为0.05毫米至1毫米的厚度。优选地，所述基底包括玻璃、塑料、钢或聚合物中的一种。
优选地，所述有机发光显示器还包括布置在所述基底的下表面上的防摩擦层(anti-friction layer)。
优选地，所述有机发光显示器还包括布置在所述基底的下表面上的防摩擦层，所述防摩擦层具有范围为10微米(μm)至100微米(μm)的厚度。
优选地，所述有机发光显示器还包括布置在所述基底的下表面上的防摩擦层，所述防摩擦层包含有机材料或无机材料中的一种。
优选地，所述有机发光显示器还包括导电通孔，以将所述非透射层电连接到所述源/漏电极。
为了实现上述目的，提供了一种制造有机发光显示器的方法，所述方法包括：制备两个基底；将所述两个基底结合在一起；分别在相应的基底的相对表面或结合表面上形成缓冲层；分别在所述缓冲层上形成半导体层；分别在所述半导体层上形成绝缘层；分别在所述绝缘层上形成非透射层；分别在所述非透射层上形成有机发光二极管；将所述两个结合的基底分离。
优选地，所述分别形成非透射层的步骤包括将所述非透射层涂敷到相应的绝缘层的整个区域上。
优选地，所述形成有机发光二极管的步骤包括将所述非透射层的部分区域形成到所述有机发光二极管的阳极中。
优选地，所述形成非透射层的步骤包括形成由UV线防护剂制成的非透射层。
优选地，所述形成非透射层的步骤包括形成由从不能透射UV线的金属、透明的UV线防护剂或不透明的UV线防护剂中选择的至少一种材料制成的非透射层。
优选地，所述形成非透射层的步骤包括形成由从Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO或银合金中选择的至少一种材料制成的非透射层。
优选地，所述形成非透射层的步骤包括形成由从氧化铟锡(ITO)/Ag、ITO/Ag/ITO或ITO/Ag/氧化铟锌(IZO)中选择的至少一种材料制成的非透射层。
优选地，所述基底形成为具有范围为0.05mm至1mm的厚度。
优选地，所述结合基底的步骤包括在所述基底之间形成防摩擦层。
优选地，所述方法还包括将所述基底分离之后去除所述防摩擦层。
附图说明
通过参考以下结合附图时的详细描述，随着本发明变得更好地理解，对本发明更加彻底的理解和本发明许多随附的优点将易于清楚，在附图中相同的标号表示相同或相似的组件，其中：
图1是有机发光二极管的示意图。
图2是根据本发明实施例的有机发光二极管的剖视图。
图3是根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法的流程图。
图4a至图4k是根据本发明实施例的有机发光显示器的制造方法步骤的剖视图。
具体实施方式
在下文中，以下参照附图来更加具体地描述本发明，使得本领域普通技术人员会毫无困难地理解本发明。
参照图2，图2是根据本发明实施例的有机发光二极管的剖视图。
如图2所示，有机发光显示器100包括：基底110；缓冲层120，布置在基底110上；半导体层130，布置在缓冲层120上；栅极绝缘层140，布置在半导体层130上；栅电极150，布置在栅极绝缘层140上；层间介电层160，布置在栅电极150上；源/漏电极170，布置在层间介电层160上；绝缘层180，布置在源/漏电极170上；非透射层190，布置在绝缘层180上；有机发光二极管200，布置在非透射层190上；像素限定膜210，布置在有机发光二极管200的外围的非透射层190上；防摩擦层220，布置在基底110的下表面上。
基底110的上表面和下表面彼此平行，上表面和下表面之间的厚度形成为0.05毫米(mm)至1毫米(mm)。如果该厚度小于0.05mm，则基底容易被清洗、蚀刻和热处理工艺损坏，且基底相对于外力来说不结实。如果该厚度大于1mm，则不可能将基底应用于各种薄型的显示装置。由从典型的玻璃、塑料、聚合物或它们的等同物中选择的材料来形成基底。然而，本发明不限于这些材料。
缓冲层120形成在基底110的上表面上。该缓冲层120防止H2O、H2或O2等穿过基底110透入半导体层130或有机发光二极管200。为了这个目的，由从SiO2、Si3N4、无机膜或它们的等同物中选择的至少一种材料来制造缓冲层120。然而，本发明不限于这些材料。如果需要，可以省略该缓冲层120。
半导体层130形成在缓冲层120的上表面上。半导体层130由彼此面对地形成在两侧上的源/漏区132和形成在源/漏区132之间的沟道区134构成。例如，半导体层130可以是薄膜晶体管(TFT)。该TFT是从非晶硅TFT、多晶硅TFT、有机TFT、微晶硅TFT(具有非晶硅至多晶硅之间的晶粒尺寸)或它们的等同物中选择的至少一种TFT。然而，本发明不限于这些TFT。此外，如果TFT是多晶硅TFT，则可由从在低温下利用激光的结晶法、利用金属的结晶法、利用高压的结晶法或它们的等同方法中选择的至少一种方法来形成多晶硅TFT。然而，本发明不限于这些方法。利用激光的结晶法可以是准分子激光退火(ELA)、连续横向结晶(SLS，Sequential Lateral Solidification)、薄束定向结晶(TDX，Thin Beam Direction Crystallization)等。然而，本发明不限于这些方法。此外，利用金属的结晶法可以是固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、超晶粒硅(SGS，Super Grained Silicon)等。然而，本发明不限于这些方法。当然，薄膜晶体管可以是PMOS、NMOS或它们的等同物中的一种。然而，本发明不限于此。
栅极绝缘层140可形成在半导体层130的上表面上。栅极绝缘层140还可以形成在半导体层130的外围的缓冲层120上。由氧化硅膜、氮化硅膜、无机膜或它们的等同物中的至少一种来形成栅极绝缘层140。然而，本发明不限于这些材料。
栅电极150形成在栅极绝缘层140的上表面上。更具体地讲，栅电极150形成在与半导体层130的沟道区134对应的栅极绝缘层140上。如本领域技术人员所知，该栅电极150通过向半导体层130的沟道区134施加电场来在沟道区134中制造电子或空穴的沟道。由典型的金属(Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等)、掺杂的多晶硅或它们的等同物来形成栅电极150。然而，本发明不限于这些材料。
层间介电层160形成在栅极绝缘层140和栅电极150的上表面上。由氧化硅膜、氮化硅膜、聚合物、塑料、玻璃或它们的等同物中的至少一种来形成层间介电层160。然而，本发明不限于这些材料。
源/漏电极170形成在层间介电层160的上表面上。穿透层间介电层160的导电接触件176形成在源/漏电极170和半导体层130之间。即，通过导电接触件176将半导体层130的源/漏区132与源/漏电极170电连接。由与栅电极150的材料相同的金属材料形成源/漏电极170。然而，本发明不限于这种材料。上述的半导体层130(即，TFT)可限定为共面结构(coplanar structure)。然而，根据本发明实施例的半导体层130不限于共面结构，而可具有不同的结构，例如，可以是反向共面结构、交错结构(staggered structure)、反向交错结构或它们的等同结构中的至少一种。然而，本发明的半导体层130不限于此。
绝缘层180形成在层间介电层160和源/漏电极170的上表面上。该绝缘层180由保护膜182和覆盖膜184构成。保护膜182覆盖源/漏电极170和层间介电层160，并保护源/漏电极170等。由从典型的无机膜或其等同物中选择的一种材料形成该保护膜182。然而，本发明的保护膜182的材料不限于此。此外，覆盖膜184覆盖保护膜182。该覆盖膜184使二极管的整个表面平坦，并由从苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸酯(Acrylic)或它们的等同物中选择的至少一种材料形成。然而，本发明不限于这些材料。
非透射层190形成在绝缘层180的整个上表面上。即，非透射层190形成在对应于半导体层130的上表面上以及不对应于半导体层130的上表面上。非透射层190通过穿透绝缘层180的导电通孔208电连接到源/漏电极170。后面描述非透射层190电连接到源/漏电极170的原因。
通过结合两个基底110，非透射层190防止外部UV线在形成有机发光二极管200的制造工艺过程中透入与UV线相对的另一基底中。将基底110划分成块(pieces)之后，非透射层190防止UV线透入有机发光二极管200中。
由从UV线防护剂或其等同物中选择的一种材料形成非透射层190。此外，可以由从不能透射UV线的金属、透明的UV线防护剂和不透明的UV线防护剂中选择的至少一种材料来形成非透射层190。此外，如果非透射层190是金属，则由从Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO、银合金或它们的等同物中选择的至少一种材料来形成非透射层。然而，本发明不限于这些材料。
非透射层190形成为具有500埃
Figure C20071009786400111
至3000埃
Figure C20071009786400112
的厚度。如果非透射层190的厚度小于
Figure C20071009786400113
则UV线的消除率(elimination rate)低，且半导体层130或有机发光二极管200受制造工艺过程中或制造工艺之后的辐射的影响。如果非透射层190的厚度大于
Figure C20071009786400114
则UV线的消除率良好，但是非透射层190太厚。
有机发光二极管200仅形成在非透射层190的特定区域上。该有机发光二极管200包括：阳极202；有机发光薄膜204，形成在阳极202的上表面上；阴极206，形成在有机发光薄膜204的上表面上。由ITO(氧化铟锡)/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO(氧化铟锌)或它们的等同物中的至少一种形成阳极202。然而，本发明不限于这些材料。ITO是由于恒定的逸出功而使向有机发光薄膜204注入空穴的势垒(barrier)小的透明导电膜，所述Ag是将有机发光薄膜204的光反射到上表面的膜。有机发光薄膜204由以下层构成：发射层(EML)，通过结合电子和空穴形成激子而发光；电子传输层(ETL)，适当地控制电子的速度；空穴传输层(HTL)，适当地控制空穴的速度。在电子传输层上还形成电子注入层(EIL)，在空穴传输层上还形成空穴注入层(HIL)。此外，阴极206是Al、MgAg合金、MgCa合金或它们的等同物中的至少一种。然而，本发明不限于这些材料。然而，如果本发明中选择前发射显示器，则Al应当是薄的，增大了电阻，因此增大了电子注入势垒。MgAg合金具有比Al的电子注入势垒小的电子注入势垒，MgCa合金具有比MgAg合金的电子注入势垒小的电子注入势垒。因此，在前发射显示器的情况下，优选的是，MgAg合金和MgCa合金用作阴极206。然而，MgAg合金和MgCa合金对外部环境敏感，并通过氧化形成绝缘层，因此需要非常好的密封。
有机发光二极管200的阳极202和非透射层190由基本相同的材料制成。即，非透射层190形成在绝缘层的整个上表面上，非透射层190的形成有机发光二极管200的区域被称作阳极202。因此，当非透射层190为阳极202时，它由从ITO、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或它们的等同物中选择的至少一种材料形成。此外，如上所述，由于非透射层190的部分用作有机发光二极管200的阳极202，所以非透射层190通过导电通孔208电连接到源/漏电极170。
虽然已主要参照前发射显示器说明了本发明，但是本发明可被应用到朝基底110的底部发光的底部发射显示器和朝基底110的两个表面发光的表面发射显示器。
作为有机发光二极管200的外围的像素限定膜210形成在非透射层190的上表面上。该像素限定膜210在红色有机发光二极管、绿色有机发光二极管和蓝色有机发光二极管之间形成了清楚的边界，因此，清楚地限定了像素之间的发射边界区(emitting boundary region)。由聚酰亚胺或其等同物的至少一种形成像素限定膜210。然而，像素限定膜210的材料不限于此。
在根据本发明实施例的有机发光显示器100中，防摩擦层220形成在基底110的下表面上。由于将两个基底110结合，防摩擦层220防止两个基底110在形成半导体层130和有机发光二极管200的制造工艺过程中彼此接触。此外，由于通过当两个基底结合时使整体厚度加厚来获得特定的刚性(rigidity)，所以该防摩擦层220防止基底在传送工艺过程中弯曲或折断。由从有机材料、无机材料或它们的等同物中选择的一种材料来形成该防摩擦层220。然而，所述材料不限于此。优选的是，防摩擦层220形成为具有10微米(μm)至100微米(μm)的厚度。当防摩擦层220的厚度小于10μm时，两个基底110会彼此接触；当防摩擦层220的厚度大于100μm时，基底110的整体厚度会太大。
图3是根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法的流程图。如图3所示，根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法包括制备基底(S1)、结合基底(S2)、形成缓冲层(S3)、形成半导体层(S4)、形成绝缘层(S5)、形成非透射层(S6)、形成有机发光二极管(S7)、分离基底(S8)和去除防摩擦层(S9)。
图4a至图4k是根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法的剖视图。
首先，提供具有平坦的上表面和下表面并具有恒定厚度的基底110。
由从玻璃、塑料、钢或聚合物中选择的一种材料来形成基底110。然而，根据本发明实施例的基底110的材料不限于此。优选的是，基底110的厚度为0.05mm至1mm。当该厚度小于0.05mm时，基底容易被清洗、蚀刻和热处理工艺损坏，且基底相对于外力来说不结实。当该厚度大于1mm时，不可能将基底应用于各种薄型的显示装置。
如图4b所示，在结合基底的步骤(S2)中，制备两个基底110并将它们彼此结合。
为了避免在制造工艺过程中两个基底110之间的直接摩擦且保持恒定刚性，防摩擦层220设置在两个基底110之间。通过沉积或涂覆有机材料、无机材料或它们的等同物中的至少一种来形成该防摩擦层220。然而，防摩擦层220的材料或形成方法不限于此。优选的是，如果完成有机发光显示器之后去除防摩擦层220则由易于去除的材料制成该防摩擦层220。例如，这种材料可以是由有机材料制成的光致抗蚀剂。然而，所述材料不限于此。此外，将粘合剂(boding agent)(在附图中未示出)涂敷到基底110的特定区域或整个区域，以防止两个基底110在制造工艺过程中分离。这种粘合剂是典型的环氧粘合剂、UV线固化粘合剂或它们的等同物中的至少一种。然而，所述材料不限于此。可预先在基底110上形成防摩擦层220，随后将两层防摩擦层220彼此结合。然而，可通过将液体防摩擦层220注入到两个基底110之间的间隙中来形成防摩擦层220。即，将液体的防摩擦层220注入两个基底110之间的间隙中，液体的防摩擦层220通过毛细作用容易流入该间隙中。优选的是，形成液体的防摩擦层220之后，通过在特定温度下进行热处理使防摩擦层220固化。
如图4c所示，在形成缓冲层120的步骤(S3)中，将具有恒定厚度的缓冲层120形成在基底110的与形成有防摩擦层220的表面相对的表面上。由氧化硅膜、氮化硅膜或它们的等同物中的至少一种来形成该缓冲层120。然而，缓冲层120的材料不限于此。缓冲层120防止H2O、H2或O2等通过基底110透入半导体层130或有机发光二极管200。缓冲层120协助半导体层130等形成在缓冲层120的表面上。
此外，可在一个基底110上形成缓冲层120，随后顺序地在另一基底110上形成缓冲层120，或者可同时在两个基底110上形成缓冲层。
如图4d所示，在形成半导体层130的步骤(S4)中，在缓冲层120的表面上形成半导体层130，在半导体130上形成栅极绝缘层140。
形成半导体层130的步骤包括在其相对的侧上形成源/漏区132，随后在源/漏区132之间形成沟道区134。例如，半导体层130是从非晶硅TFT、多晶硅TFT、有机TFT、微晶硅TFT(具有非晶硅至多晶硅之间的晶粒尺寸)或它们的等同物中选择的至少一种的TFT。然而，本发明不限于这些TFT。
此外，当TFT是多晶硅TFT时，由从在低温下利用激光的结晶法、利用金属的结晶法、利用高压的结晶法或它们的等同方法中选择的至少一种方法来形成多晶硅TFT。然而，本发明不限于这些方法。
通过从等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、溅射、或它们的等同方法中选择的至少一种方法来形成非晶硅。然而，形成非晶硅的方法不限于此。此外，在使非晶硅结晶之后，通过光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥离等在期望位置上形成期望数量的半导体层130。
使非晶硅结晶为多晶硅的方法包括准分子激光退火(ELA)、连续横向结晶(SLS)、薄束定向结晶(TDX)或它们的等同方法。然而，所述方法不限于此。此外，利用金属的结晶法包括固相结晶(SPC)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)、超晶粒硅(SGS)或它们的等同方法。然而，所述方法不限于此。
薄膜晶体管可以是PMOS、NMOS或它们的等同物中的一种。然而，导电型薄膜晶体管不限于此。
可通过从PECVD、LPCVD、溅射或它们的等同方法中选择的至少一种方法，在半导体层130的表面上形成具有恒定厚度的栅极绝缘层140。然而，所述方法不限于此。在半导体层130的外围的缓冲层120上也可形成栅极绝缘层140。由氧化硅膜、氮化硅膜、无机膜或它们的等同物中的至少一种来形成栅极绝缘层140。然而，所述材料不限于此。
如图4e所示，通过从PECVD、LPCVD、溅射或它们的等同方法中选择的一种方法，在栅极绝缘层140的上表面上形成栅电极150。通过光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥离等在期望位置上形成期望数量的栅电极150。在与半导体层130的沟道区134对应的栅极绝缘层140上形成栅电极150。栅电极150通过对栅极绝缘层140下部的沟道区134施加电场来在沟道区134中形成空穴或电子的沟道。由典型的金属(Mo、MoW、Ti、Cu、Al、AlNd、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金等)、掺杂的多晶硅或它们的等同物来形成栅电极150。然而，所述材料不限于此。
在栅极绝缘层140和栅电极150的上表面上形成层间介电层160。由氧化硅膜、氮化硅膜、聚合物、塑料、玻璃或它们的等同物中的至少一种形成该层间介电层160。然而，层间介电层160的材料不限于此。通过蚀刻工艺将层间介电层160的与源/漏区132对应的区域暴露于外部。所述暴露的区域指接触孔，接触件随后形成在接触孔上。
如图4f所示，通过从PECVD、LPCVD、溅射或它们的等同方法中选择的一种方法在层间介电层160上形成源/漏电极170。在上述沉积工艺之后，通过光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥离等在期望位置上形成期望数量的源/漏电极170。在源/漏电极170与半导体层130的源/漏区132之间形成导电接触件176。通过填充预先形成的接触孔来形成导电接触件176。
通过导电接触件176将半导体层130与源/漏电极170电连接。由与栅电极150和源/漏电极170的材料相同的材料来形成导电接触件176。然而，导电接触件176的材料不限于此。
由与栅电极150的材料相同的金属材料来形成源/漏电极170。然而，所述材料不限于此。上述半导体层130(即，TFT)被限定为共面结构。半导体层130不限于共面结构，可以是已知的其它结构，例如反向共面结构、交错结构、反向交错结构或它们的等同结构中的至少一种。然而，半导体层130不限于此。
半导体层130、栅极绝缘层140、栅电极150、层间介电层160和源/漏电极170形成在一侧的基底110上，随后形成在另一侧的基底110上。即，在一个基底110上完成半导体层130、栅极绝缘层140、栅电极150、层间介电层160和源/漏电极170，然后在另一基底110上完成半导体层130、栅极绝缘层140、栅电极150、层间介电层160和源/漏电极170。此外，通过翻转(flip)一个基底与另一基底，顺序地形成组件二极管(constituent diodes)130、140、150、160和170。此外，如果工艺装置足够，则可通过同时在两个基底上形成二极管组件130、140、150、160和170来完成组件二极管130、140、150、160和170。
如图4g所示，在步骤(S5)中，在半导体层130上(即，层间介电层160和源/漏电极170的上表面上)形成具有恒定厚度的绝缘层180。
该绝缘层180由保护膜182和覆盖膜184构成。保护膜182覆盖源/漏电极170和层间介电层160，并保护源/漏电极170、栅电极150等。通过在与源/漏电极170对应的区域中蚀刻保护膜182和覆盖膜184来预先形成通孔208a。由从典型的无机膜或其等同物中选择的一种材料形成保护膜182。然而，保护膜182的材料不限于此。此外，覆盖膜184覆盖保护膜182。该覆盖膜184使二极管的整个表面平坦，并且由从苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸酯或它们的等同物中选择的至少一种材料来形成该覆盖膜184。然而，所述材料不限于此。
绝缘层180形成在一侧的基底110上，随后形成在另一侧的基底110上。即，在一个基底110上完成绝缘层180，然后在另一基底110上完成绝缘层180。此外，可通过翻转一个基底和另一基底来顺序地形成绝缘层180。此外，如果处理工艺足够，则可通过同时在两个基底上形成绝缘层180来完成绝缘层180。
如图4h所示，在步骤(S6)中，在绝缘层180的整个上表面上形成具有恒定厚度的非透射层190。即，在与半导体层130对应的上表面和不与半导体层130对应的上表面上形成非透射层190。通过导电通孔208将非透射层190电连接到源/漏电极170。
通过结合两个基底110，非透射层190防止UV线在形成有机发光二极管200的制造工艺过程中透入与UV线相对的另一基底。将基底110划分成块之后，非透射层190防止外部UV线透入有机发光二极管200。
由UV线防护剂或其等同物来形成非透射层190。此外，可以由不能透射UV线的金属、透明的UV线防护剂或不透明的UV线防护剂中的至少一种来形成非透射层190。此外，如果非透射层190是金属，则由从Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO、银合金或它们的等同物中选择的至少一种材料来形成非透射层190。然而，所述材料不限于此。
非透射层190形成为具有
Figure C20071009786400161
至的厚度。如果非透射层190的厚度小于
Figure C20071009786400163
则UV线的消除率低，因此半导体层130或有机发光二极管200受制造工艺过程中或制造工艺之后的UV线的影响。如果非透射层190的厚度大于
Figure C20071009786400171
则UV线的消除率良好。然而，非透射层190太厚。
此外，通过从等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)、溅射或它们的等同方法中选择的至少一种方法来形成非透射层190。然而，形成非透射层190的方法不限于此。
非透射层190可形成在一个基底110上，随后顺序地形成在另一基底110上，或者可同时形成在两个基底110上。
如图4i所示，在步骤(S7)中，在非透射层190的特定区域上形成有机发光二极管200作为薄膜。
更具体地讲，顺序地形成非透射层190的用作阳极202的部分、有机发光薄膜204和阴极206。
由从ITO、ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或它们的等同物中选择的至少一种材料形成阳极202。然而，形成阳极202的材料或方法不限于此。例如，由RF溅射、DC溅射、离子束溅射或真空蒸发中的一种方法形成阳极202。之后，通过光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥离等在期望位置上形成期望面积的阳极。通过穿透绝缘层180的导电通孔208将阳极202电连接到源/漏电极170。
非透射层190的区域用作有机发光二极管200的阳极。因此，非透射层190的材料与阳极202的材料基本相同。即，由ITO/Ag、ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或它们的等同物中至少一种形成非透射层190。此外，由于非透射层190的所述区域用作有机发光二极管200的阳极，所以如上所述通过导电通孔208将阳极202电连接到源/漏电极170。
此外，由于ITO的逸出功恒定，所以ITO用作向有机发光薄膜204注入空穴的势垒小的细小的(small)透明导电膜，在前发射显示器中所述Ag反射来自有机发光薄膜204的光。
顺序地由以下层中的至少一层构成有机发光薄膜204：空穴注入层(HIL)，提高空穴的注入效率；空穴传输层(HTL)，适当地控制空穴的运动速度；发射层(EML)，通过形成激子来发光；电子传输层(ETL)，控制电子的运动速度；或电子注入层(EIL)，提高电子的注入效率。然而，本发明不限于此。例如，可通过湿涂覆法或可通过干涂覆法来形成有机发光薄膜204，所述湿涂覆法例如为涂覆作为液体的薄膜的旋涂、深涂覆(deep coating)、喷雾法、丝网印刷法、喷墨印刷法等，所述干涂覆法例如为溅射、真空蒸发等。
在有机发光薄膜的电子注入层(EIL)上形成阴极206。通过沉积Al、MgAg合金、MgCa合金或它们的等同物中的至少一种来形成阴极206。然而，所述材料或形成方法不限于此。例如，可由RF溅射、DC溅射、离子束溅射或真空蒸发方法中的一种形成阴极206。之后，通过光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥离等在期望位置上形成期望面积的阴极206。
此外，如果选择前发射显示器且如果采用Al作为阴极206，则Al必须非常薄以提高它的发光速率(light emitting rate)，因此，随着电阻增大会增大电子注入势垒。因此，MgAg合金、MgCa合金或它们的等同物中的至少一种可用作阴极206。也可以由ITO或IZO中的一种来形成阴极206。
MgAg合金和MgCa合金对外部环境敏感，并通过氧化形成绝缘层，因此需要非常好的密封。
此外，在完成阴极206之后，在非透射层190上形成像素限定膜210，以清楚地限定有机发光二极管200之间的边界。由聚酰亚胺或其等同物中的至少一种来形成该像素限定膜210。完成该涂覆或沉积之后，通过光致抗蚀剂涂覆、曝光、显影、蚀刻、光致抗蚀剂剥离等将有机发光二极管200暴露于外部。
此外，可将本发明应用于朝基底110的底部发光的底部发射显示器和朝基底110的两个表面发光的表面发射显示器。然而，已经参照前发射显示器解释了本发明。
有机发光二极管200形成在一侧的基底110上，随后形成在另一侧的基底110上。即，首先在一个基底110上完成有机发光二极管200，然后在另一基底110上完成有机发光二极管200。此外，可通过翻转一个基底和另一基底110来顺序地形成有机发光二极管200。此外，如果工艺装置足够，则可通过同时在两个基底110上形成有机发光二极管200来完成有机发光二极管200。
如图4j所示，在步骤(S8)中，将相应的基底110结合，并处理它们，随后将它们分离。即，通过切锯工具(sawing tool)等去除将两个基底110结合在一起的粘合剂，从而分离相应的基底110。如果在基底110上形成防摩擦层220，则易于将相应的基底110分离。然而，如果将粘合剂涂敷到相应的基底110上，并将液相的防摩擦层220注入到基底110之间的间隙中，则通过溶解防摩擦层220的化学溶液来分离相应的基底110。
在分离基底110之后，防摩擦层220可保留在基底110的一侧上。此外，虽然附图中没有示出，但是还可包括利用包封材料结合包封基底的结合工艺。可在包封基底上形成透明吸收剂，以吸收潮气。
以基底110的分离来完成本发明。即，分离步骤过后，在已完成单元测试、柔性印刷电路(FPC)结合、模块测试和可靠性测试之后，显示器以产品上市。可在切锯步骤之前通过在基底110上形成用于单元测试的区域来完成所述单元测试。
如果选择分离步骤(S8)作为最后的步骤，则防摩擦层230可保留在发光显示装置100的基底110的一侧上。该防摩擦层220可防止UV线透入，并保护基底110的表面不受外部环境影响。
如上所述，在本发明中，例如，基底110的厚度为0.5mm，由于通过将两个基底结合在一起来完成制造工艺，所以认为结合的基底具有1mm或更大的厚度。因此，因为刚性增大，所以防止了弯曲或折断现象，且易于实现半导体层形成工艺和有机发光二极管形成工艺。一旦完成产品，就将基底分离成相应的基底，因此能够获得厚度为0.5mm的薄基底。
在如图4k所示的防摩擦层去除步骤(S9)中，去除形成在基底110上的防摩擦层220。即，通过利用特定化学溶液或通过利用研磨机器从基底110去除防摩擦层220。因此，如果去除防摩擦层220，则在有机发光显示器的基底110的表面上未保留防摩擦层220，因而装置薄。当然，可以保留防摩擦层220，用于阻挡UV线或用于保护免于外部冲击。然而，已在基底110上形成非透射层190，因此不需要保留防摩擦层220。
因此，将根据本发明实施例的有机发光显示器应用于电子设备，例如蜂窝式电话、个人数字助理(PDA)、笔记本计算机、计算机监视器和电视机，通过包括厚度为0.05mm至1mm的基底使得可容易地将它们制造成薄的且紧凑的。
此外，通过在有机发光二极管的下部中形成非透射层，根据本发明实施例的有机发光显示器防止在使用过程中UV线穿过基底影响有机发光二极管。
因此，因为通过将两个厚度为0.05mm至1mm的基底结合在一起来同时执行半导体工艺和有机薄膜工艺(包括清洗、蚀刻、曝光、显影和热处理)，所以根据本发明实施例的制造有机发光显示器的方法将整个工艺时间缩短了50％。
此外，通过在有机发光二极管的下部中形成非透射层，根据本发明实施例的制造方法足够好地防止在曝光工艺中UV线透入另一基底。
此外，因为通过在要被结合的基底之间形成具有特定厚度的防摩擦层来增大刚性，所以根据本发明实施例的制造方法防止基底在制造工艺过程中弯曲或折断。
此外，通过在基底之间形成防摩擦层，根据本发明实施例的制造方法防止基底彼此接触，从而防止基底受到损坏。
虽然这里参照用于具体应用的示出性的实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不局限于此。本领域普通技术人员将认识到在本发明范围内的另外的修改、应用和实施例。

Claims (27)

1、一种有机发光显示器，包括：
基底；
有机发光二极管、绝缘层和半导体层，布置在所述基底上，所述绝缘层布置在所述有机发光二极管和所述半导体层之间；
非透射层，布置在所述绝缘层上，所述非透射层布置在所述绝缘层和所述有机发光二极管之间并阻挡UV线，
其中，在所述有机发光显示器的制造过程中，在所述基底和形成有另一有机发光二极管的另一基底之间设置防摩擦层，在所述有机发光显示器的制造过程完成之后，所述防摩擦层布置在所述有机发光显示器的所述基底的下表面上。
2、如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括：
缓冲层，布置在所述基底上；
栅极绝缘层，布置在所述半导体层上；
栅电极，布置在所述栅极绝缘层上；
层间介电层，布置在所述栅电极上；
源/漏电极，布置在所述层间介电层上，
其中，所述绝缘层布置在所述源/漏电极和所述有机发光二极管之间。
3、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层布置在所述有机发光二极管的外围。
4、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层在所述绝缘层的对应于所述半导体层的上表面上布置在所述有机发光二极管的外围。
5、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层在所述绝缘层的不对应于所述半导体层的上表面上布置在所述有机发光二极管的外围。
6、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层连接到所述有机发光二极管的阳极。
7、如权利要求1所述的有机发光显示器，还包括布置在所述非透射层上的像素限定膜。
8、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层是UV线防护剂。
9、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含不能透射UV线的金属、透明的UV线防护剂或不透明的UV线防护剂中的至少一种。
10、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO或银合金中的至少一种。
11、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层具有范围为500埃至3000埃的厚度。
12、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含与所述有机发光二极管的阳极的材料相同的材料。
13、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述非透射层包含氧化铟锡/银、氧化铟锡/银/氧化铟锡或氧化铟锡/银/氧化铟锌中的至少一种。
14、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底具有范围为0.05毫米至1毫米的厚度。
15、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述基底包括玻璃、塑料、钢或聚合物中的一种。
16、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述防摩擦层具有范围为10微米至100微米的厚度。
17、如权利要求1所述的有机发光显示器，其中，所述防摩擦层包含有机材料或无机材料中的一种。
18、如权利要求2所述的有机发光显示器，还包括导电通孔，以将所述非透射层电连接到所述源/漏电极。
19、一种制造有机发光显示器的方法，所述方法包括：
制备两个基底；
在所述两个基底之间形成防摩擦层，并通过所述防摩擦层将所述两个基底结合在一起；
分别在相应基底的与形成有所述防摩擦层的表面相对的表面上形成缓冲层；
分别在所述缓冲层上形成半导体层；
分别在所述半导体层上形成绝缘层；
分别在所述绝缘层上形成非透射层；
分别在所述非透射层上形成有机发光二极管；
将所述两个结合的基底分离。
20、如权利要求19所述的方法，其中，所述分别形成非透射层的步骤包括将所述非透射层涂敷到相应的绝缘层的整个区域上。
21、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成有机发光二极管的步骤包括将所述非透射层的部分区域形成到所述有机发光二极管的阳极中。
22、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成非透射层的步骤包括形成由UV线防护剂制成的非透射层。
23、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成非透射层的步骤包括形成由从不能透射UV线的金属、透明的UV线防护剂或不透明的UV线防护剂中选择的至少一种材料制成的非透射层。
24、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成非透射层的步骤包括形成由从Cr、Cr2O3、Al、Au、Ag、MgO或银合金中选择的至少一种材料制成的非透射层。
25、如权利要求19所述的方法，其中，所述形成非透射层的步骤包括形成由从氧化铟锡/银、氧化铟锡/银/氧化铟锡或氧化铟锡/银/氧化铟锌中选择的至少一种材料制成的非透射层。
26、如权利要求19所述的方法，其中，所述基底形成为具有范围为0.05毫米至1毫米的厚度。
27、如权利要求19所述的方法，还包括将所述基底分离之后去除所述防摩擦层。
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KR (1) KR100824881B1 (zh)
CN (1) CN100583492C (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100824881B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824880B1 (ko) * 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100770127B1 (ko) * 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100833738B1 (ko) * 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824902B1 (ko) * 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101383454B1 (ko) * 2007-09-21 2014-04-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자
WO2010016206A1 (ja) * 2008-08-04 2010-02-11 パナソニック株式会社 フレキシブル半導体装置の製造方法
KR101084263B1 (ko) * 2009-12-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102034870B1 (ko) 2012-12-18 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN104425542B (zh) * 2013-08-26 2017-08-04 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机发光显示装置及其制备方法
KR102315824B1 (ko) * 2014-06-27 2021-10-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN104300085A (zh) 2014-10-31 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件以及显示装置
CN105810844B (zh) * 2016-03-23 2018-05-29 武汉华星光电技术有限公司 Oled器件及其制作方法、柔性显示单元
KR102573853B1 (ko) * 2016-09-20 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN106784412B (zh) * 2017-03-30 2019-02-26 武汉华星光电技术有限公司 柔性有机发光二极管显示器及其制作方法
CN110752236B (zh) * 2019-10-29 2022-05-24 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法、显示装置

Family Cites Families (87)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5917810B2 (ja) 1975-06-12 1984-04-24 セイコーエプソン株式会社 回路基板の製造方法
AU572615B2 (en) * 1983-12-27 1988-05-12 Sony Corporation Electrically conductive adhesive sheet circuit board and electrical connection structure
US5504605A (en) 1993-06-02 1996-04-02 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display module having cut-away portions of the back frame for weight reduction and heat dissipation
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JPH0980476A (ja) 1995-09-12 1997-03-28 Nec Corp アクティブマトリックス基板とその製造方法
JPH09211482A (ja) 1996-01-31 1997-08-15 Sharp Corp 液晶表示装置
US5986401A (en) 1997-03-20 1999-11-16 The Trustee Of Princeton University High contrast transparent organic light emitting device display
JP3874871B2 (ja) 1997-02-10 2007-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
EP1127381B1 (en) * 1998-11-02 2015-09-23 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
JP2000150145A (ja) 1998-11-02 2000-05-30 Toyota Motor Corp Ｅｌ素子の密封方法
JP3450213B2 (ja) 1999-03-18 2003-09-22 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 フラットパネル型表示装置
JP2000298264A (ja) 1999-04-13 2000-10-24 Samukon:Kk 液晶表示装置用ガラス基板の製造方法とそれを用いた液晶表示装置
US6573652B1 (en) 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6384427B1 (en) 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US6559594B2 (en) 2000-02-03 2003-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
JP2001267578A (ja) 2000-03-17 2001-09-28 Sony Corp 薄膜半導体装置及びその製造方法
JP2001319776A (ja) 2000-05-12 2001-11-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌパネルの作製方法
US6770518B2 (en) * 2001-01-29 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
US7083863B2 (en) * 2001-02-21 2006-08-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Luminous element and method for preparation thereof
JP2002350833A (ja) 2001-05-30 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
US6735982B2 (en) 2001-07-12 2004-05-18 Intel Corporation Processing relatively thin glass sheets
KR100782937B1 (ko) * 2001-07-24 2007-12-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광소자
US6660547B2 (en) 2001-07-26 2003-12-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Stabilization for thin substrates
FR2829723B1 (fr) 2001-09-14 2004-02-20 Saint Gobain Vitrage de securite fonctionnalise
TW594947B (en) * 2001-10-30 2004-06-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6731064B2 (en) * 2001-11-20 2004-05-04 International Business Machines Corporation Yield enchancement pixel structure for active matrix organic light-emitting diode displays
KR100656490B1 (ko) 2001-11-26 2006-12-12 삼성에스디아이 주식회사 풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법
KR100483988B1 (ko) 2001-11-29 2005-04-15 삼성에스디아이 주식회사 투명도전막의 투과도 변형방법
JP2003173872A (ja) 2001-12-06 2003-06-20 Sony Corp アライメント方法、パターン形成方法及びアライメント装置、並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
KR100491144B1 (ko) 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
KR100491143B1 (ko) 2001-12-26 2005-05-24 삼성에스디아이 주식회사 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법
US6953735B2 (en) 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
US6815723B2 (en) 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
KR100845557B1 (ko) 2002-02-20 2008-07-10 삼성전자주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
JP2003282235A (ja) 2002-03-25 2003-10-03 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
TW595254B (en) 2002-03-29 2004-06-21 Sanyo Electric Co Electroluminescense display device
JP2003317953A (ja) 2002-04-26 2003-11-07 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造装置及び電子機器
TWI272641B (en) 2002-07-16 2007-02-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing a semiconductor device
KR101169371B1 (ko) 2002-10-30 2012-07-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치
JP2004170910A (ja) 2002-10-31 2004-06-17 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004192969A (ja) 2002-12-12 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP4218338B2 (ja) 2002-12-24 2009-02-04 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
KR100904523B1 (ko) 2002-12-26 2009-06-25 엘지디스플레이 주식회사 액티브 매트릭스형 유기전계발광 소자용 박막트랜지스터
JP4373085B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法
TW578441B (en) 2003-01-10 2004-03-01 Au Optronics Corp Top emission active matrix OLED and fabricating method thereof
EP1596637A4 (en) 2003-02-20 2007-09-05 Fujifilm Corp ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
US7304005B2 (en) 2003-03-17 2007-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method for manufacturing a semiconductor device
JP2004311421A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7365442B2 (en) 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
JP2005011793A (ja) 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
US7247986B2 (en) 2003-06-10 2007-07-24 Samsung Sdi. Co., Ltd. Organic electro luminescent display and method for fabricating the same
KR20040106808A (ko) 2003-06-11 2004-12-18 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시 장치
KR100527195B1 (ko) 2003-07-25 2005-11-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR100542997B1 (ko) * 2003-08-07 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP4373159B2 (ja) 2003-08-21 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2005071646A (ja) 2003-08-28 2005-03-17 Chi Mei Electronics Corp 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2005077945A (ja) 2003-09-02 2005-03-24 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置の製造方法
JP2005085705A (ja) 2003-09-10 2005-03-31 Seiko Epson Corp 電気デバイス及びその製造方法、電子機器
KR20050029826A (ko) 2003-09-23 2005-03-29 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP4497881B2 (ja) 2003-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル
JP2005135977A (ja) 2003-10-28 2005-05-26 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置
JP4759917B2 (ja) 2003-12-16 2011-08-31 ソニー株式会社 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイスおよび液晶表示装置
KR100959786B1 (ko) 2003-12-23 2010-05-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
JP3646120B1 (ja) 2004-02-05 2005-05-11 西山ステンレスケミカル株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有機ｅｌｄ）パネルの製造方法、および、有機ｅｌｄパネル用ガラス基板の薄型化方法
GB0406540D0 (en) 2004-03-24 2004-04-28 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
KR100615214B1 (ko) 2004-03-29 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100984362B1 (ko) * 2004-04-02 2010-09-30 삼성전자주식회사 유기 발광 표시판
JP2005340182A (ja) 2004-04-30 2005-12-08 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置の基板の薄型化方法及び貼り合わせ基板の分断方法
KR20050112031A (ko) 2004-05-24 2005-11-29 삼성에스디아이 주식회사 반도체 소자 및 그 형성 방법
JP2005340011A (ja) 2004-05-27 2005-12-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
KR100603350B1 (ko) 2004-06-17 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 전계 발광 디스플레이 장치
JP2006058814A (ja) 2004-08-24 2006-03-02 Sony Corp 表示装置
JP2005222930A (ja) 2004-12-15 2005-08-18 Nishiyama Stainless Chem Kk 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、および、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル用ガラス基板の薄型化方法
JP2006216456A (ja) 2005-02-04 2006-08-17 Seiko Instruments Inc 有機電子デバイスの製造方法
KR20050051646A (ko) * 2005-02-18 2005-06-01 후지쯔 가부시끼가이샤 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
KR100700657B1 (ko) 2005-03-14 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP2006270511A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Fuji Xerox Co Ltd 情報処理装置、データ送信方法および情報処理プログラム
KR20060124940A (ko) 2005-06-01 2006-12-06 삼성전자주식회사 가요성 표시 장치의 제조 방법
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP4466536B2 (ja) 2005-10-26 2010-05-26 パナソニック電工株式会社 照明装置
KR100742368B1 (ko) 2005-11-02 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자 및 그 제조방법
KR100770104B1 (ko) * 2006-09-28 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법과 이를 위한이송 장치
KR100770127B1 (ko) 2006-11-10 2007-10-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824880B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824881B1 (ko) 2006-11-10 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100833738B1 (ko) 2006-11-30 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100824902B1 (ko) 2006-12-13 2008-04-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US8536567B2 (en) 2013-09-17
KR100824881B1 (ko) 2008-04-23
EP1921690A2 (en) 2008-05-14
JP2011165681A (ja) 2011-08-25
EP1921690A3 (en) 2011-03-09
JP2008124420A (ja) 2008-05-29
US20080111126A1 (en) 2008-05-15
CN101179110A (zh) 2008-05-14

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