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CN100547821C - 壳体及其制造方法 - Google Patents

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CN100547821C CNB2006800239603A CN200680023960A CN100547821C CN 100547821 C CN100547821 C CN 100547821C CN B2006800239603 A CNB2006800239603 A CN B2006800239603A CN 200680023960 A CN200680023960 A CN 200680023960A CN 100547821 C CN100547821 C CN 100547821C
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Abstract

本发明描述了一种壳体(1)，具有上侧(2)，与上侧(2)相对的下侧(22)以及将上侧(2)和下侧(22)相连的侧面，该侧面设计为安装面(19)，其中壳体(1)具有多个层(8)，这些层包含陶瓷材料，并且这些层(23，24，25)的主延伸方向横向于安装面(19)走向。此外还说明了一种用于制造壳体(1)的方法。

Description

壳体及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种壳体以及用于制造壳体的方法。
背景技术
这种壳体可以用于一种器件，该器件由于其横向的辐射而被称为边发射器件(所谓的Sidelooker)。该边发射器件可以用不同的方式制造。例如，可以基于引线框架(“Leadframe”)来制造。
公开文献EP 0 400 175 A1公开了一种Sidelooker，其具有带电端子的金属支承体作为引线框架，其中半导体芯片施加到端子之一上。半导体芯片和端子的部分在施加半导体芯片之后用塑料(例如用热固性塑料或者热塑性塑料)压力注塑包封，其中塑料形成了Sidelooker的壳体。Sidelooker可以发送和/或接收红外光或者可见光。
在包含带有这种塑料材料的壳体的边发射器件中，在辐射大约500nm以下的波长时，存在壳体退化或者壳体材料疲劳的危险。这会显著缩短器件的工作寿命。
发明内容
本发明的任务是，提供一种具有延长的工作寿命的壳体。特别是在相对较短的、在500nm以下的波长的情况下也应该避免壳体的退化。
此外，本发明的任务是，提供一种具有延长的工作寿命的边发射器件，该器件特别是在相对较短的、在500nm以下的波长的情况下也对退化不敏感。
此外，本发明的任务是，提供这种壳体的制造方法。
壳体具有上侧，与上侧相对的下侧以及将上侧和下侧相连的侧面，该侧面设计为安装面，其中壳体具有多个层，这些层包含陶瓷材料，并且这些层的主延伸方向横向于安装面，其中壳体(1)在第一层(24)上具有导电的第一芯片连接区域而在第二层(25)上具有导电的第二芯片连接区域。
壳体的由多个包含陶瓷材料的层构成的层构造能够实现其特别简单的制造。这些层可以作为生片(Gruenfolien)彼此叠置，并且随后被烧结。在此，生片被理解为未被烧结的陶瓷层，这种陶瓷层在这种状态中还可以变形，即其例如可以通过切割、冲压或者压印来进一步加工。通过随后对生片的烧结，可以实现各层间的良好的粘附。由此，可以降低层断脱的危险，这对于壳体的稳定性或者耐久性具有积极作用。
优选的是，这些层横向于安装面设置。特别优选的是，这些层垂直于安装面设置。这例如可以通过以下方式实现：层被平坦地构建，并且第一层的下侧设置在第一层之后的第二层的上侧上。层可以任意多次地连续设置，其中可以形成任意大的层堆叠。这样形成的层堆叠的侧面用作壳体的安装面。
与传统的壳体相反，根据本发明的壳体除应该适合于带有红外或可见范围中的辐射发射的边发射器件之外，特别是也适合于用于发射在紫外或者近紫外范围中的辐射的边发射器件，其中辐射的波长优选在大约500nm以下，特别优选为在大约475nm或者甚至430nm以下。壳体的材料决定性地参与决定了壳体对特别是由紫外辐射引起的退化的不敏感性。陶瓷材料证明通常对于紫外辐射是不敏感的。优选的是，根据本发明的壳体包含紫外稳定的材料，特别优选为Al2O3或者AlN。在将工作中所产生的热量从壳体散发以避免由于热导致的故障方面，这两种材料也证明是极为有利的，因为它们的导热性相对较大。例如，在温度为30到100℃时，Al2O3的导热性为大约18至30W/mK，而AlN的导热性为大约30至180W/mK。与此相对，通常的塑料具有通常在1W/mK以下的导热性。
上面提及的点，即降低层断脱的危险，此外在紫外或近紫外辐射的情况下减小退化，以及最后改善的散热，对于壳体的耐久性以及在使用该壳体用于边发射器件的情况下对于改善该器件的工作寿命，都做出决定性的贡献。
优选的是，该壳体具有导电的芯片连接区域。特别优选的是，导电的第一芯片连接区域是引线接合区(Drahtanschlussfeld)。特别优选的是，导电的第二芯片连接区域是芯片区。由此，在将产生辐射的半导体芯片设置在壳体中时，可以通过以下方式连接半导体本体：半导体本体借助导体、优选借助接线与引线接合区相连，并且进一步安装在芯片区上。在此，引线接合区形成了半导体本体的第一电接触，并且芯片区形成了半导体本体的第二电接触。
每个芯片连接区域都可以直接施加在包含陶瓷材料的层之一上。特别优选的是，引线接合区设置在第一层上，而芯片区设置在不同于该第一层的第二层上。
在此，每个芯片连接区域都可以具有小的厚度。优选的是，厚度在10-6m至10-5m的范围中，特别优选的是，厚度为8μm。在本发明中，芯片连接区域不必构建为支承体或者自支承的，使得对芯片连接区域没有特别的机械稳定性要求。仅仅必须保证导电性，这合乎目的地通过使用金属来实现。有利的是，可以通过芯片连接区域的小的厚度以及与芯片连接区域相连的印制导线的小的厚度来实现器件的小的总高度。
优选的是，芯片连接区域以含有金属的液体或者糊料的形式、特别优选以金属墨(Metalltinte)的形式涂布到包含陶瓷的层上并且硬化。例如，液体或者糊料可以包含钨。特别优选的是，液体或者糊料被压印到该层上并且硬化。
对于芯片连接区域的断脱危险，上面提及的方式也适用：包含陶瓷的层可以与芯片连接区域一起被烧结，由此形成了预防断脱的粘附。
在本发明的一种优选的扩展方案中，壳体具有至少一个导电的通孔(“Via”)。通孔可以从辐射出射侧沿着安装面延伸至下侧。优选的是，通孔设置为使得其与至少一个印制导线导电连接，其中该印制导线将通孔与芯片连接区域相连。印制导线可以设置在两个陶瓷层之间。
优选的是，通孔构建为半管状或者半圆柱状，也即通孔的形状类似于一种管或者圆柱，该管或者圆柱沿着中央平面被分割。有利的是，这种形状可以通过在烧结之前横向于生片的表面将圆柱状的凹陷引入生片中来简单地实现。随后，该凹陷可以以电镀方式覆盖或者填充以含有金属的材料。圆柱状的凹陷在端部被分割，使得形成半管状的或者半圆柱状的通孔。
此外，通孔可以是沟状的，其横截面可以构建为圆形、椭圆形、矩形或者多边形。
有利的是，通孔在上侧和/或下侧被金属化物包围。例如，金属化物可以弧形地构建。优选的是，金属化物与通孔的形状匹配。金属化物使得在安装时将壳体精确定位在印刷电路板上变得容易。这一点是重要的，由此保证了电连接。此外，金属化物可以有助于使壳体在红外焊接或者回流焊接时自聚集。
为了容纳辐射源，例如发射辐射的半导体芯片，壳体在上侧具有凹处。优选的是，凹处设置为使得从器件发射的辐射可以低损耗地耦合到另外的元件中。例如，该另外的元件是可以与支承体相连的光导体。为此，与距安装面相比，凹处可以更接近与安装面对置的侧面。
有利的是，凹处构建为反射器。例如，凹处可以从上侧朝着下侧漏斗状地逐渐变细。此外，凹处的表面可以用提高反射的层覆盖。通过这种方式，辐射可以被聚集，并因此提高边发射的辐射的强度。
优选的是，在凹处的边缘和壳体的边缘之间的大小为大约0.3mm。特别优选的是，该尺寸大于0.3mm。通过这样的尺寸，可以减少通过壳体传输的辐射，并且防止了边发射器件的不利的辐射分布。
可以通过合适地选择壳体高度与壳体厚度的比例使得壳体的处理变得容易。在此，壳体的高度理解为横向于安装面延伸的边的尺寸。厚度理解为横向于上侧延伸的边的尺寸。优选的是，高度与厚度的比例在1∶1至2∶1之间。
在此，可以通过大于1∶1的比例来避免壳体在包装带中倾斜。此外，可以通过注意上边界来保证壳体的足够的稳固性，使得在安装时，壳体翻倒的危险有利地低。所说明的比例涉及一种壳体，在这种壳体中，所有的侧面都大致彼此成直角。
在一种优选的扩展方案中，该壳体可以用于边发射器件。为了产生辐射，边发射器件具有至少一个辐射源，优选为发射辐射的半导体芯片，该芯片被设置在凹处内。有利的是，可以通过合适地选择所使用的半导体芯片的数量，来制造不同额定功率的器件。
在一种优选的实施形式中，在凹处内设置有至少两个半导体芯片，它们发射不同波长的辐射。在相应地选择波长的情况下，可以通过将辐射混合，除了产生彩色光之外还产生混色光，优选为白光。这扩展了边发射器件的应用范围。例如，对于显示器背光也需要白光。
此外，利用发射相同波长的辐射的半导体芯片通过使用转换元件同样可以产生彩色光或者混色光。在此，转换元件设置在半导体芯片之后，并且例如可以形状配合地包封半导体芯片。
此外，转换元件与产生不同波长的辐射的半导体芯片的组合也是可能的。
半导体芯片可以由包封材料、优选为硅树脂或者合适的紫外稳定的环氧树脂包围。此外，由硅树脂或者紫外稳定的环氧树脂构成的混合物或者由其它紫外稳定的材料或者树脂构成的混合物也是可能的。
包封材料可以用作针对不利的力学影响的保护物，以及用于减小在半导体芯片和环境之间的边界上的反射损耗。有利的是，可以通过使用合适的包封材料来延长发射辐射的器件的工作寿命，并且同时提高耦合输出效率。
在一种有利的实施形式中，半导体芯片之后可以设置有光学元件，优选为透镜，用于射束成形或者射束聚集。该光学元件可以设置在凹处内，和/或从凹处突出。
优选的是，壳体或者边发射器件安装在印刷电路板上。有利的是，壳体或者边发射器件的供电以及从边发射器件的散热都可以通过印刷电路板进行。
为了供电，印刷电路板设置有印制导线，这些印制导线设置为使得其能够实现印制导线与通孔的尽可能简单的电连接。例如，印刷电路板的印制导线可以直线地延伸。
此外，为了冷却壳体，印刷电路板可以包含良好导热的材料。例如，印刷电路板是金属芯电路板。为了最佳地将壳体或者边发射器件中产生的热传输给印刷电路板，在壳体的下侧设置了足够大的导热面，例如可焊接的面。面的大小可以由单个相关联的面的大小或者由多个未关联的面的大小之和得到。
在一种用于制造壳体(该壳体带有上侧、与上侧对置的下侧，以及设计为安装面的、将上侧和下侧相连的侧面，该壳体具有多个层，这些层包含陶瓷材料)的方法中，板被分成多个壳体，其中在第一层上设置有导电的第一芯片连接区域而在第二层上设置有导电的第二芯片连接区域。由此，可以特别简单地制造壳体。
这种制造方式有利于壳体和边发射器件的批量生产，由此与单个生产相比，可以节约成本。
优选的是，该板由陶瓷层堆叠形成。在此，该板有利地在上侧具有凹处。在将板分割为多个壳体之后，上侧对应于壳体的上侧。特别优选的是，壳体的形状和大小相同，使得在上侧的凹处的有规律的设置是有利的。
优选的是，该板具有平坦的上侧。在此，凹处可以像格栅的格栅点那样分布在上侧。
壳体应该在安装面上具有例如半管状或者半圆柱状的通孔。有利的是，为了制造这种通孔，板设置有管状或者圆柱状的通孔，优选的是在烧结之前首先将管状的或者圆柱状的凹陷引入生片中。这些凹陷可以借助电镀而用导电层覆盖，或者用导电材料、优选用金属来填充。在此，要注意在通孔之间的足够大的距离，以便例如在将壳体用于边发射器件时在以后的工作中避免短路。
这样形成的通孔在分割时以有效的方式暴露。在本发明中，这可以如下实现：优选沿着平行的直线设置在两个相邻的凹处之间的通孔被分离。板可以沿着平行的直线被分离。特别优选的是，板被如下分割：使得通孔不对称地分离。
沿着直线不对称的分离被有利地实施为使得第一壳体为了导电在安装面上具有良好构建的通孔，而与第一壳体相邻的第二壳体在与安装面相对的侧面上通常没有通孔，或者具有被分离的通孔的残余部分。
在分离之前，第一壳体的以后的安装面相邻于第二壳体的与安装面对置的以后的侧面。这种分离方式是极为有效的，因为在分割该板时，没有边角料累积。此外，通过这种方式可以将制造持续时间最小化，因为在分离之后，壳体处于正确的大小，由此省去了事后加工。
用于非对称分离的一种优选的方法是将板不对称地锯开，优选沿着平行的直线进行。在此要注意的是，在第一壳体的以后的安装面上基本上保留有通孔的上半部，而通孔的下半部基本通过锯痕被去除，使得在第二壳体的与安装面对置的以后的侧面上产生光滑平坦的面。有利的是，在装配时可以用作抽吸面(Ansaugfleache)的该侧面特别平滑地构建，因为这样该面可以更容易被抽吸。
优选的是，可以在将板分割之前在每个凹处内安装发射辐射的半导体芯片。
在制造之后，壳体可以安装在印刷电路板上，确切地说，这样安装使得印刷电路板的印制导线接触通孔。
有利的是，边发射器件可以用于其中希望小的部件高度的应用中。因为通过边发射，该器件可以在水平面中设置有位于其旁边的待照亮的元件。与此相反，在垂直发射的器件中，该器件要在垂直方向上设置在要照亮的元件之后，由此会增大部件的总高度。此外，边发射器件有利于将光耦合输入到例如平面构建的光导体中。
例如，边发射器件可以用于手机显示器、手机按键或者LCD的背光。此外，其可以有利地使用在导航系统、闪光信号灯或者高温应用中。
附图说明
本发明的另外的特征、优点和改进方案从下面结合附图1至7阐述的实施例中得到。
其中：
图1a、1b和1c示出了根据本发明的壳体的第一实施例的示意性主视图、示意性横截面图以及示意性后视图；
图2a、2b、2c和2d示出了根据第一实施例的根据本发明的壳体的第一层的示意性主视图、示意性横截面图、示意性纵截面图以及示意性后视图；
图3a、3b和3c示出了根据第一实施例的根据本发明的壳体的第二层的示意性主视图、示意性横截面图以及示意性后视图；
图4a、4b、4c和4d示出了根据第一实施例的根据本发明的壳体的第三层的示意性主视图、示意性横截面图以及示意性后视图；
图5示出了板的示意性俯视图，其中从该板分割出四个壳体；
图6示出了根据本发明的边发射器件的实施例的示意性三维视图；
图7示出了安装到印刷电路板上的壳体。
具体实施方式
在图1a中所示出的壳体1的上侧2形成了发射辐射器件的辐射出射面。上侧2是第一层的正面，该第一层优选与设置在第一层之后的第二和第三层形成层堆叠，壳体1包含该层堆叠。
第一层具有凹处6，该凹处从上侧2朝着第二层的方向逐渐变细。
在图1a中所示的壳体1中，在凹处6内设置有三个芯片区7。在每个芯片区7上可以设置一个辐射源，优选为发射辐射的半导体芯片。为了每个芯片的电连接，分别设置了引线接合区30和芯片区7。此外，设置了通孔3，其借助印制导线5与引线接合区30或者芯片区7相连。
优选的是，通孔3包含金属，特别优选的是包含钨。通孔3半圆形地构建。这些通孔沿着安装面19从上侧2朝着与上侧2对置的下侧延伸。通孔3可以如下形成：在三个不同的层中留出凹陷，这些凹陷例如借助电镀用钨覆盖或者填充。在此，金属层11可以用作电极。
在图1a中示出了六个通孔3，其中每两个相邻的通孔导电地与一个半导体芯片相连。此外，每两个相邻的通孔3分别形成了第一和第二电接触部。有利的是，每个半导体芯片可以分离地控制。替代地，半导体芯片可以串联或者并联。
在上侧2包围通孔3的金属化物4可以如金属化物10那样用于标记。借助通过金属化物4标识的通孔3的位置，在将壳体1安装到印刷电路板上时，可以使通孔3与设置在印刷电路板上的印制导线的电连接变得容易。同样，通过金属化物10可以更容易地确定壳体1的取向。
此外，金属化物4可以有助于使得壳体1在红外或者回流焊接时自己聚集。
水平线A-A形成了凹处6的中轴，并且与安装面19平行延伸。与距对置于安装面的侧面相比，该水平线距安装面19更远。凹处6的偏离中心的设置的优点是，使得所发射的辐射有效地耦合输入到例如光导体中。
用虚线表示的附图组成部分是第二和第三层的元件，其将结合图3和4进一步阐述。
在图1b中示意性地示出了壳体1的横截面视图。可以看到层堆叠8，其包括三个层23、24、25，这些层包含陶瓷材料。
层23具有凹处6，该凹处有利地构建为反射器。对反射器的要求是，将设置在凹处6中的半导体芯片发射的辐射聚集，使得边发射器件具有特别高的辐射产量。这例如可以通过90°的张角9来实现。
层24具有芯片凹陷26，该凹陷的大小与设置在芯片区7上的凹陷内的半导体芯片的大小匹配。
层25例如可以用于冷却器件，并且由此有助于其稳定性。该层越厚，则可以吸收越多的热量。
为了以后将壳体1安装到例如印刷电路板上，要注意高度21与厚度20的比例。有利的是，该比例为2∶1。例如，高度可以为3.2mm，而厚度为1.65mm。
在图1c中示意性示出了与上侧2对置的下侧22。下侧22具有包围通孔3的金属化物4和金属化物10，这些金属化物用作壳体1定向的标记。下侧还具有用作电极的金属层11。
在图2中示意性示出了不同视图中的壳体1的层23。
层23特别是用于射束引导。为此，其具有凹处6。由设置在凹处6之下或者设置在凹处之内(参见图1a)的辐射源所产生的辐射通过该凹处从边发射器件中出射。射束引导可以有利地通过凹处6的形状来影响。
在图2a中示出了壳体1的上侧2，该上侧同时形成了边发射器件的辐射出射面。所示的是通孔3、金属化物4和10、电极11以及凹处6。凹处6可以如所示的那样椭圆形地成形。此外，该凹处可以从正面漏斗状地逐渐变细，直到层23的背面。
在图2b中示意性示出了层23的横截面。层23包含陶瓷材料。在制造时，层23可以被部分地挖空，使得形成凹处6。凹处6在此等同于截顶锥体。该凹处适合于作为反射器，其中张角9优选为90°。同样，在图2c中以纵截面示出的凹处6的张角9也优选为90°。
在图2d中示出了层23的背面。金属化物4和10以及金属层11被施加在层23的正面和背面上，而通孔3从正面延伸直到背面，并且在此沿着安装面19走向。
在图3中示意性示出了不同的视图中的壳体1的层24。在图3a中示出了层24的正面。该正面在层堆叠中朝着层23的背面。层24在正面具有导电的引线接合区30。每个引线接合区30都与印制导线5相连，其中印制导线5与通孔3相邻。在至通孔3的边界上，印制导线5构造为使得通孔3精确地配合到印制导线5中。优选的是，通孔3在至印制导线5的边界上半圆形地构建，而印制导线5具有半圆形的凸状部。
通过印制导线5，可以建立至半导体芯片的电连接，其中芯片凹陷26是设置用于这些半导体芯片的。每个半导体芯片优选都借助线与设置用于相应的半导体芯片的引线接合区30相连。
印制导线5通过层23覆盖，而在凹处6中的引线接合区30暴露。
芯片凹陷26被引入层24中。优选的是，其大小对应于芯片的大小。
在图3a中，在正面的与安装面19背离的侧上可以看到金属化物4的残余部分。这些残余部分是上面描述的将板非对称分离以制造单个器件的结果。
在图3b中示意性示出了层24的横截面。优选的是，芯片凹陷26从正面延伸直到层24的背面。特别优选的是，芯片凹陷26大致形成了方形的凹陷。
在图3c中示意性示出了层24的背面。其具有用作标志的金属化物4和10，此外还具有芯片凹陷26和通孔3。
在图4中示意性示出了不同视图中的层25。
在图4a中示意性示出了层25的正面。该正面朝着层24的背面，其中该背面几乎完全覆盖了该正面。只是芯片凹陷26形成了朝着层25的窗。通过这些窗，可以看见芯片区7。芯片可以设置在芯片区7上。印制导线5建立在芯片区7和通孔3之间的电连接。在此，层25的印制导线5所相邻的通孔3不同于层24的印制导线5所相邻的通孔3。
在图4a所示的实施例中，三个芯片可以设置在三个分离的芯片区7上，其中这些芯片可以被分离地控制。替代地，这些芯片可以并联或者串联，并且为此设置在共同的芯片区上。
在图4b中示意性示出了层25的横截面。层25可以形成散热装置。在此，优选包含在层25中的陶瓷材料证明是有利的。
在图4c中示意性示出了层25的背面，该背面同时形成了壳体1的背面22。
在图5中示出了板27，该板被分割为四个壳体1。优选的是，板27由陶瓷层堆叠形成。特别优选的是，层堆叠包括三层。这三层可以对应于图2至4中所示的层23、24、25构建。
由此，板27的第一层可以具有漏斗状的凹处6，其从形成壳体1的以后的上侧2的上侧延伸至第一层的背面。第一层之后设置有第二和第三层。从第二层可以看到引线接合区30，并且从第三层可以看到芯片区7。
优选的是，施加在板27上的金属化物4沿着直线12设置。板27可以沿着这些直线12被分离。有利的是，板27被分离为使得在侧面29上通孔3基本上被去除，而在安装面19上这些通孔被暴露。通过这种方式，壳体1仅仅在安装面19上获得电连接可能性。侧面29为了以后安装壳体1(例如安装到印刷电路板上)而被平滑，由此可以容易地装配。例如，板27可以沿着直线12锯开，其中锯痕有利地选择为对应于直线12的宽度。
进一步的分离可以沿着线28进行，其中板27在此例如可以借助折断来分离。
在图6中以透视图示例性地示出了从板27切割出的边发射器件31。该器件具有层堆叠，其优选包括层23、层24和层25。层23设置有凹处6。在凹处6中在每个芯片区7上设置有芯片13，芯片借助导体14连接到引线接合区30。优选的是，芯片13用导电胶施加到芯片区7上。
半导体芯片13例如可以通过所发射的辐射的波长来区分。波长例如可以位于红色、绿色或者蓝色频谱范围中。
在图7中示出了壳体1，该壳体安装在印刷电路板17上。当高度21与厚度20的比例选择为2∶1时，在安装时处理壳体1会变得容易。在焊接时，倾倒力15作用到壳体1上。这种力例如可以通过施加对称设置的焊脚(Lotkehlen)16来对抗。金属层18可以有利地满足在壳体1和印刷电路板17之间的导电和/或导热的连接功能。
要指出的是，层23、24和25可以由多个部分层组合而成。
自然，借助所描述的实施例对本发明的阐述并不能理解为本发明的限制。特别地，实施例的各个特征也可以以其它的方式组合。
本专利申请要求德国专利申请102005024668.0的优先权，其公开内容通过引用结合于此。

Claims (26)

1.一种壳体(1)，具有上侧(2)，与上侧(2)相对的下侧(22)以及将上侧(2)和下侧(22)相连的侧面，该侧面设计为安装面(19)，其中
壳体(1)具有多个层(8)，这些层包含陶瓷材料，并且这些层(23，24，25)的主延伸方向横向于安装面(19)走向，其中壳体(1)在第一层(24)上具有导电的第一芯片连接区域而在第二层(25)上具有导电的第二芯片连接区域。
2.根据权利要求1所述的壳体(1)，其中陶瓷材料是紫外稳定的。
3.根据权利要求1或2所述的壳体(1)，其中陶瓷材料是Al2O3。
4.根据权利要求1或2所述的壳体(1)，其中陶瓷材料是AlN。
5.根据权利要求1所述的壳体(1)，其中第一芯片连接区域是引线接合区(30)。
6.根据权利要求5所述的壳体(1)，其中第二芯片连接区域是芯片区(7)。
7.根据权利要求1所述的壳体(1)，其中壳体具有通孔(3)，该通孔从上侧(2)朝着下侧(22)延伸。
8.根据权利要求7所述的壳体(1)，其中通孔(3)半管状地或者半圆柱状地构建。
9.根据权利要求7或8所述的壳体(1)，其中通孔(3)沿着安装面(19)延伸。
10.根据权利要求7或8所述的壳体(1)，其中通孔(3)在上侧(2)和/或下侧(22)上被金属化物(4)包围。
11.根据权利要求10所述的壳体(1)，其中金属化物(4)弧状地构建。
12.根据权利要求1所述的壳体(1)，其中该壳体在上侧(2)具有凹处(6)。
13.根据权利要求12所述的壳体(1)，其中凹处(6)设置为使得与距安装面(19)相比，凹处更接近与安装面(19)对置的侧面(29)。
14.根据权利要求12或13所述的壳体(1)，其中凹处(6)构建为反射器。
15.根据权利要求1所述的壳体(1)，其中壳体(1)的高度(21)与厚度(20)的比例在1∶1到2∶1之间。
16.一种边发射器件(31)，其带有根据权利要求12至15中的任一项所述的壳体(1)，其中至少一个半导体芯片(13)设置在凹处(6)内。
17.一种边发射器件(31)，其带有根据权利要求12至15中的任一项所述的壳体(1)，其中至少两个发射不同波长的辐射的半导体芯片(13)设置在凹处(6)内。
18.根据权利要求16或17所述的边发射器件(31)，其中半导体芯片(13)用包封材料包封。
19.根据权利要求16或17所述的边发射器件(31)，其中半导体芯片(13)之后设置有光学元件。
20.根据权利要求16或17所述的边发射器件(31)，该边发射器件设置在印刷电路板(17)上。
21.根据权利要求20所述的边发射器件(31)，该边发射器件与印刷电路板(17)导电和/或导热相连。
22.一种用于制造壳体(1)的方法，所述壳体(1)带有上侧(2)、与上侧(2)对置的下侧(22)，以及设计为安装面(19)的、将上侧(2)和下侧(22)相连的侧面，所述壳体具有多个层(8)，这些层包含陶瓷材料，并且这些层的主延伸方向横向于安装面(19)走向，其中
壳体(1)通过将板(27)分割为多个壳体(1)来制造，其中在第一层(24)上设置有导电的第一芯片连接区域而在第二层(25)上设置有导电的第二芯片连接区域。
23.根据权利要求22所述的方法，其中板(27)具有陶瓷层堆叠(8)，并且在与壳体(1)的上侧(2)相对应的上侧具有多个优选有规律设置的凹处(6)，其中在两个相邻的凹处(6)之间设置有通孔(3)，所述通孔(3)从上侧(2)延伸直到下侧(22)，并且板(27)分割为多个壳体，使得通孔(3)被非对称地分割。
24.根据权利要求23所述的方法，其中通孔(3)被锯开。
25.根据权利要求23或24所述的方法，其中在分割之前在凹处(6)内设置有至少一个产生辐射的半导体芯片(13)。
26.根据权利要求23或24所述的方法，其中壳体(1)设置在印刷电路板(27)上，使得通孔(3)可以被印刷电路板(17)的印制导线接触。
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Granted publication date: 20091007