[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN100538915C - 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件 - Google Patents

糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件 Download PDF

Info

Publication number
CN100538915C
CN100538915C CNB200580018625XA CN200580018625A CN100538915C CN 100538915 C CN100538915 C CN 100538915C CN B200580018625X A CNB200580018625X A CN B200580018625XA CN 200580018625 A CN200580018625 A CN 200580018625A CN 100538915 C CN100538915 C CN 100538915C
Authority
CN
China
Prior art keywords
paste composite
semiconductor substrate
quality
type silicon
silicon semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB200580018625XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN1981346A (zh
Inventor
和辻隆
加藤晴三
菊地健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyo Aluminum KK
Original Assignee
Toyo Aluminum KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyo Aluminum KK filed Critical Toyo Aluminum KK
Publication of CN1981346A publication Critical patent/CN1981346A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100538915C publication Critical patent/CN100538915C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/08—Metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16—Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供一种糊组合物和具有使用该组合物形成的电极的太阳能电池元件，其中，所述糊组合物即使不含作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉、或者即使降低作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉的含量，也可以维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能，同时可以强化铝电极层与p型硅半导体基片的结合。糊组合物是一种用于在p型硅半导体基片(1)上形成铝电极层(8)的糊组合物，其包含铝粉末、有机载体及金属醇盐。太阳能电池元件具有铝电极层(8)，该铝电极层(8)是通过将具有上述特征的糊组合物涂布在p型硅半导体基片(1)上后、进行焙烧而形成的。

Description

糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件
技术领域
本发明一般来讲涉及一种糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件，特别是涉及一种在构成结晶硅太阳能电池的p型硅半导体基片上形成背面铝电极时使用的糊组合物、以及使用该糊组合物的太阳能电池元件。
背景技术
作为一种既安全又不会对环境带来不良影响的清洁能源，太阳能电池有望在更广泛的范围实用化。
图1是示意地表示太阳能电池元件的一般剖面结构的图。
如图1所示，在厚度为300～600μm的p型硅半导体基片1的受光面侧，依次形成厚度为0.3～0.5μm的n型杂质层2、防反射膜3及栅极4。
另外，在p型硅半导体基片1的背面侧，形成作为背面电极的铝电极层8。铝电极层8由铝烧结层5和铝硅混合层6构成，是通过如下操作形成的：利用丝网印刷等将由铝粉末、玻璃粉及有机载体构成的糊组合物进行涂布、并干燥后，在660℃(铝的熔点)以上的温度进行焙烧。在焙烧时，铝扩散到p型硅半导体基片1的内部，由此在铝烧结层5和p型硅半导体基片1之间形成铝硅混合层6，同时，通过铝原子的扩散形成作为扩散层的p+层(或p++层)7。通过该p+层7的存在，可以得到提高所生成载流子的收集效率的BSF(Back Surface Field)效果。实际上，背面电极以下述情况的形式使用：直接使用焙烧后的铝烧结层5、铝硅混合层6及p+层7的三层的情况；以及为了降低电阻，而利用化学方法等除去焙烧后的铝烧结层5或焙烧后的铝烧结层5与铝硅混合层6后，在其表面形成并使用银和铜构成的电极层的情况。不管在哪种情况下，p+层7都发挥BSF效果。
为了形成作为背面电极的铝电极层8而使用的糊组合物，通常由铝粉末、玻璃粉(glass frit)及有机载体构成。
为了形成铝烧结层5、铝硅混合层6及由铝原子的扩散而产生的p+层7，添加约60～约80质量％的铝粉末。
为了利用玻璃粉在焙烧时不挥发而溶解、冷却时再凝固的作用，强化铝电极层8和p型硅半导体基片1的结合，添加约1～约5质量％的玻璃粉。
为了提高利用丝网印刷等将糊组合物涂布时的涂布性和印刷性，添加约15～约40质量％的有机载体。
由于太阳能电池作为安全且不会对环境带来不良影响的清洁能源受到关注，因此从太阳能电池的构成物中除去或减少对环境带来不良影响的物质，推进其在广泛范围的实用化成为一个课题。
顺便，对于用于在维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能的同时防止在焙烧过程中p型硅半导体基片发生翘曲或破裂的糊组合物正在进行各种研究。
在特开2000-90734号公报(专利文献1)中，作为可以用于在维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能的同时防止p型硅半导体基片在焙烧过程中发生翘曲或破裂而使铝电极层变薄的导电糊，公开了在含有铝粉末、玻璃粉、有机载体的基础上，还含有含铝有机化合物的糊。
另外，在特开2003-223813号公报(专利文献2)中，作为即使在使p型硅半导体基片变薄时不减少涂布量也可以充分达到所希望的BSF效果，且可以抑制焙烧后的p型硅半导体基片变形的糊组合物，公开了在含有铝粉末、有机载体的基础上，还含有热膨胀系数比铝小、且熔融温度、软化温度及分解温度的任一个比铝的熔点高的无机化合物的组合物。
而且，在特开2004-134775号公报(专利文献3)中，作为用于在维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能的同时将焙烧过程中的铝电极层的收缩减小从而防止翘曲或破裂产生的导电糊组合物，公开了在含有铝粉末、玻璃粉、有机载体的基础上，还含有难溶于或不溶于该有机载体的有机化合物粒子及碳粒子中的至少一种的组合物。
但是，目前的现状是，即使在这些公报公开的糊组合物中，玻璃粉也是必须的成分。一直以来，使用对环境带来不良影响的含铅玻璃作为玻璃粉。
因此，从不会对环境带来不良影响的观点考虑，正在研究使用Bi2O3-SiO2-B2O3类、ZnO类等无铅玻璃作为SiO2-PbO类、SiO2-B2O3-PbO类等含铅玻璃的替代物。
但是，存在的问题在于，无铅玻璃的熔点高，为了使其均匀溶解，需要提高焙烧温度，还要延长焙烧时间。
专利文献1：特开2000-90734号公报
专利文献2：特开2003-223813号公报
专利文献3：特开2004-134775号公报
发明内容
因此，该发明的目的在于，为了解决上述问题，提供一种糊组合物和具有使用该组合物形成的电极的太阳能电池元件，所述糊组合物即使不含作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉、或者即使降低作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉的含量，也可以维持作为太阳能电池的背面电极所希望的功能，同时可以强化铝电极层与p型硅半导体基片的结合。
本发明者为了解决现有技术的这些问题，反复进行了专心致志地研究，结果发现，通过使用具有特定组成的糊组合物，可以实现上述目的。基于这种发现，依照本发明的糊组合物具有下述特征。
依照该发明的一方面的糊组合物，其为用于在p型硅半导体基片上形成电极的糊组合物，其包含：铝粉末、有机载体及金属醇盐。在此，所谓的“金属醇盐”，是指包含金属、半金属或半导体作为“金属”的醇盐。
依照该发明的一方面的糊组合物，优选包含：铝粉末60质量％以上75质量％以下、有机载体10质量％以上35质量％以下和金属醇盐0.1质量％以上20质量％以下。
依照该发明的另一方面的糊组合物，其为用于在p型硅半导体基片上形成电极的糊组合物，其包含：铝粉末、有机载体以及通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶。在此，所谓的“金属醇盐”，是指包含金属、半金属或半导体作为“金属”的醇盐。
依照该发明的另一方面的糊组合物，优选包含：铝粉末60质量％以上75质量％以下、有机载体10质量％以上35质量％以下、通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶0.1质量％以上20质量％以下。
在依照本发明的一方面的糊组合物、或者依照本发明的另一方面的糊组合物中，优选金属醇盐是含有硅作为金属的金属醇盐。
另外，优选地，依照本发明的一方面的糊组合物、或者依照本发明的另一方面的糊组合物还包含选自由无机化合物粒子、有机化合物粒子及碳粒子构成的组中的至少一种粒子。这时，无机化合物粒子和/或有机化合物粒子的平均粒径优选为10μm以下。碳粒子的平均粒径优选为1μm以下。
而且，优选地，依照本发明的一方面的糊组合物、或者依照本发明的另一方面的糊组合物还包含玻璃粉。
依照本发明的太阳能电池元件，具有通过将具有上述任一特征的糊组合物涂布到p型硅半导体基片上后进行焙烧而形成的电极。这时，优选在p型硅半导体基片与电极之间，形成包含于金属醇盐中的金属的化合物。
如上所述，根据该发明，可以得到一种糊组合物和具有使用该组合物形成的电极的太阳能电池元件，所述糊组合物，通过将涂布了包含金属醇盐、或者通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶的糊组合物的p型硅半导体基片烧结，从而即使不含作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉、或者即使降低作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉的含量，也可以维持作为太阳能电池的背面电极所希望的BSF效果和太阳能电池所希望的能量转换效率，同时可以强化铝电极层与p型硅半导体基片的结合。
附图说明
[图1]是示意地表示作为一实施方式的本发明适用的太阳能电池元件的普通剖面结构的图。
[图2]是示意地表示在实施例与现有例中，测定形成了铝电极层的焙烧后的p型硅半导体基片的变形量的方法的图。
符号说明
1：p型硅半导体基片；2：n型杂质层；3：防反射膜；4：栅极；5：铝烧结层；6：铝硅混合层；7：p+层；8：铝电极层。
具体实施方式
本发明的糊组合物的特征在于，在含有铝粉末、有机载体的基础上，还含有金属醇盐、或者通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶。金属醇盐是金属有机化合物的一种，是至少具有一个M-O-C(M：金属、半金属或半导体)键的化合物。在金属醇盐中，存在多种化合物，包括由金属元素的种类和其价数的不同而不同的化合物、由烷氧基的种类和其组合的不同而不同的化合物、还有包括两种金属的双醇盐、和用其它有机基团部分取代的化合物。
在本发明的糊组合物中，除常态的金属醇盐之外，也可以含有通过水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶状态的金属醇盐。例如，通过将四甲氧基硅烷、水、甲醇及氨水以1：10：2.2：3.7×10-4的摩尔比混合、并水解缩聚，而形成硅氧烷，可以得到溶胶状态的硅氧烷，当进一步进行反应时，可以得到凝胶状态的硅氧烷。
将含有金属醇盐的糊组合物涂布在p型硅半导体基片上进行焙烧、冷却时，在形成的铝电极层和p型硅半导体基片之间，致密地形成金属醇盐热分解生成的金属氧化物等金属化合物，可以强化铝电极层和p型硅半导体基片的结合。
因而，以往为了强化焙烧后的铝电极层和p型硅半导体基片的结合，除了在糊组合物中添加玻璃粉之外，还没有实质上有效的手段，但是当使用本发明的糊组合物时，不含有玻璃粉或者即使使其含有玻璃粉而玻璃粉的含量也减少，可以强化上述结合。
近年来，根据太阳能电池元件的薄型化要求将硅半导体基片变薄的同时以薄膜形式涂布导电糊时，通常使用的平均粒径为约1～约2μm的玻璃粉，由于玻璃粉散布在糊组合物中，因此，产生如图1所示的焙烧后的铝电极层8和p型硅半导体基片1的结合弱的部位，产生结合力变得不均匀的问题。结果，可能铝电极层8会剥离。
另外，为了不对环境带来不良影响而使用熔点高的无铅玻璃作为玻璃粉时，粒子状玻璃的溶解和再凝固进一步不均匀，铝电极层8剥离的可能性会变大。而且，由于无铅玻璃粉的熔点高，因此，为了使粒子状玻璃的溶解和再凝固变得均匀，就必须提高焙烧温度、延长焙烧时间。因此，由于铝烧结层5的烧结过度地进行，并且过度地形成铝硅混合层6，因此，p型硅半导体基片1的翘曲等变形量增大、铝烧结层5膨胀(起泡)、表面产生铝球等，结果，不能用作太阳能电池元件。
由于该发明的糊组合物没有必要含有用于强化焙烧后的铝电极层和p型硅半导体基片之间的结合的玻璃粉、或者可以减少有助于强化焙烧后的铝电极层和p型硅半导体基片之间的结合的玻璃粉的含量，因此，可以不使用对环境带来不良影响的物质、或者即使含有作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉，也可以减少对环境带来不良影响的物质的含量。另外，由于该发明的糊组合物没有必要使用熔点高的无铅玻璃、或者即使含有无铅玻璃也可以减少无铅玻璃的含量，因此，铝电极层不会剥离，可以提高焙烧后的铝电极层和p型硅半导体基片的密合性，与使用无铅玻璃的情况相比，可以抑制p型硅半导体基片的翘曲等变形。
包含于本发明的糊组合物中的金属醇盐，除了丁醇铝或者丙醇钛等之外，也可以适当使用甲醇硼等任意材料。特别优选使用四乙氧基硅烷等包含硅的金属醇盐。另外，本发明的糊组合物也可以含有作为通过将这些金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶状态的金属醇盐。例如，通过将四乙氧基硅烷进行水解缩聚，生成硅氧烷，得到其溶胶状态的物质，当进一步进行反应时，得到凝胶状态的物质。
本发明的糊组合物中包含的金属醇盐的含量、或者通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶的含量，优选为0.1质量％以上20质量％以下。当金属醇盐的含量、通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶的含量低于0.1质量％时，不能得到对于强化焙烧后的铝电极层和p型硅半导体基片的结合充分的添加效果。当金属醇盐的含量、通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶的含量超过20质量％时，焙烧后生成的金属化合物使得铝烧结层的电阻增高、太阳能电池元件的特性降低。
而且，包含于本发明的糊组合物中的金属醇盐、或者通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶，通过利用其烷氧基的性质，也可以一部分用于替代有机载体。
包含于本发明的糊组合物中的铝粉末，优选平均粒径为10μm以下。当平均粒径超过10μm时，在涂布糊组合物时，铝粉末和硅半导体基片的接触点变少，因此有时焙烧后不能得到均匀的铝硅合金层。
另外，包含于本发明的糊组合物中的铝粉末的含量，优选为60质量％以上75质量％以下。当铝粉末的含量低于60质量％时，可能会使焙烧后的铝电极层的表面电阻增大，能量转换效率降低。当铝粉末的含量超过75质量％时，丝网印刷时糊的涂布性降低。
作为包含于本发明的糊组合物中的有机载体，使用根据需要溶解有各种添加剂及树脂的溶剂。
可以使用公知的溶剂，具体例如有：二乙二醇一丁基醚、二乙二醇一丁基醚乙酸酯、二丙二醇一甲基醚等。
可以使用的各种添加剂例如有：抗氧化剂、腐蚀抑制剂、消泡剂、增稠剂、增塑剂、分散剂、增粘剂、偶联剂、静电提供剂、阻聚剂、触变剂、防沉淀剂等。
具体地，可以使用例如：聚乙二醇酯化合物、聚乙二醇醚化合物、聚氧乙烯脱水山梨糖醇酯化合物、脱水山梨糖醇烷基酯化合物、脂肪族多元羧酸化合物、磷酸酯化合物、聚酯酸的酰胺胺盐、氧化聚乙烯类化合物、脂肪酸酰胺蜡等。
可以使用公知的树脂，可以使用下述树脂中的一种或两种以上的组合：乙基纤维素、硝基纤维素、聚乙烯醇缩丁醛、酚树脂、密胺树脂、尿素树脂、二甲苯树脂、醇酸树脂、不饱和聚酯树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、异氰酸酯化合物和氰酸酯化合物等的热固性树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、ABS树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚醋酸乙烯酯、聚乙烯醇、聚缩醛、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚苯醚、聚砜、聚酰亚胺、聚醚砜、聚芳酯、聚醚醚酮、聚四氟乙烯、硅树脂等。另外，包含于本发明的糊组合物中的有机载体，也包含没有溶解树脂的有机载体。
有机载体的含量优选为10质量％以上35质量％以下，当有机载体的含量低于10质量％或超过35质量％时，糊的印刷性降低。
而且，为了进一步强化铝电极层和p型硅半导体基片的结合，本发明的糊组合物也可以含有玻璃粉。玻璃粉的含量优选为5质量％以下。当玻璃粉的含量超过5质量％时，可能会发生玻璃的偏析。另外，此时，最优选使用不会对环境带来不良影响的无铅玻璃作为玻璃粉，但是，为了尽可能缓和由无铅玻璃粉的熔点高而导致的上述问题，也可以使用含铅玻璃。即使使用含铅玻璃作为玻璃粉，由于本发明的糊组合物与以往的相比可以使有助于上述结合的含铅玻璃的含量减少，因此，可以减少对环境带来不良影响的物质的含量。
为了防止由铝电极层和p型硅半导体基片的热膨胀系数差异引起的焙烧后的太阳能电池元件的翘曲等变形，本发明的糊组合物还可以含有无机化合物粒子、有机化合物粒子及碳粒子中的任一种以上。无机化合物粒子、有机化合物粒子及碳粒子中的任一种以上的含量，以总量计优选为0.1质量％以上10质量％以下。当无机化合物粒子、有机化合物粒子及碳粒子中的任一种以上的含量以总量计低于0.1质量％时，不能得到防止翘曲的充分的添加效果。另外，当其超过10质量％时，可能会导致铝电极层的电阻值增大，妨碍糊的焙烧性。
只要是热膨胀系数比铝小，而且熔融温度、软化温度及分解温度的任一项比铝的熔点高的无机化合物粉末，则任一种材料都可以适当用作无机化合物粒子。无机化合物粒子的平均粒径为10μm以下、优选5μm以下。
有机化合物粒子有例如：聚乙烯、聚丙烯、丙烯酸树脂、环氧树脂等。有机化合物粒子的平均粒径为10μm以下、优选5μm以下。
作为碳粉末，特别是不仅碳黑等，只要是碳纤维、玻璃状碳等平均粒径为1μm以下、优选0.5μm以下的微细粉末，则任一种材料都可以适当使用。
实施例
下面，对本发明的一个实施例进行说明。
首先，制作各种糊组合物，其中在有机载体中含有70质量％的铝粉末以及表1所示比例的金属醇盐、添加粒子及玻璃粉。
具体地，在使用乙二醇醚类有机溶剂的有机载体中，添加各种金属醇盐，并以表1所示的比例添加铝粉末、添加粒子及玻璃粉，用公知的混合机进行混合，得到糊组合物。
在此，从确保和p型硅半导体基片的反应性、涂布性及涂布膜的均匀性方面考虑，铝粉末使用包括具有平均粒径0.5～10μm的球形或接近球形的形状的粒子的粉末。
另外，添加粒子时，使用平均粒径为0.025μm的碳粒子或平均粒径为0.3μm的氧化硅。
另外，添加玻璃粉时，使用平均粒径为1.5μm的Bi2O3-SiO2-B2O3类玻璃作为无铅玻璃。
使用180目的丝网印刷版，将上述各种糊组合物涂布印刷在大小为2英寸(50.8mm)×2英寸(50.8mm)、厚度为280μm的p型硅半导体基片上。设定涂布量，使得焙烧后的铝电极层的厚度为40～50μm。
将印刷了糊的p型硅半导体基片进行干燥后，利用红外线焙烧炉，在空气环境中以400℃/分钟的升温速度进行加热，在温度700℃保持30秒的条件下进行焙烧。焙烧后，通过进行冷却，如图1所示，得到p型硅半导体基片1上形成作为背面电极的铝电极层8的各试样。
对各试样的特性如下进行评价，结果如表1所示。
(密合性)
形成了铝电极层的焙烧后的铝电极层和p型硅半导体基片的密合性，通过采用玻璃带的剥离试验进行如下评价。
○：没有剥离；△：稍有剥离；×：严重剥离。
(外观)
形成了铝电极层的焙烧后的铝电极层的外观，通过目测进行如下评价。
○：没有气泡或裂痕；△：稍有气泡或裂痕；×：气泡或裂痕明显。
(变形量)
形成了铝电极层的焙烧后的p型硅半导体基片的变形量，通过如下方法进行评价：在焙烧、冷却后，如图2所示，使铝电极层朝上，将基片四角的一端沿箭头所示方向按压，测定位于其对角位置的一端的上升量(包括基片的厚度)x。用“变形量(mm)”表示其上升量x。
(铝电极层表面电阻)
作为制成太阳能电池元件时的能量转换效率的指标，用四点探针表面电阻测定器(ナプソン社制RG-5型薄层电阻计)测定铝电极层的表面电阻。测定条件设定为：电压4mV、电流100mA、表面施加的负荷200grf(1.96N)。用电极层表面电阻(mΩ/□)表示其测定值。
(p+层表面电阻)
然后，通过将形成了上述铝电极层的p型硅半导体基片浸渍在盐酸水溶液中而溶解去除铝电极层8后，用4端子式表面电阻测定器测定形成了p+层7的p型硅半导体基片1的表面电阻，作为BSF效果的指标。用p+层表面电阻(Ω/□)表示其测定值。
Figure C200580018625D00161
为了改善现有例1和2的试样的密合性，在温度750℃保持30秒的条件下进行焙烧、作成试样，进行评价。结果如表2所示。
[表2]
Figure C200580018625D00171
由表1及2的结果可知，实施例与现有例相比，在将铝电极层表面电阻和p+层表面电阻大致维持在同等程度的同时，可以改善铝电极层的密合性。而且还可知，实施例与现有例相比，还可以使焙烧后的p型硅半导体基片的变形量减少。
应该注意的是，以上公开的实施方式和实施例在其所有点上都是示例性的而不是限制性的。本发明的范围不是以上的实施方式和实施例，而是由权利要求书的范围所示，包含在和权利要求书同等含义及范围内的所有的修正及变形。
产业实用性
本发明的糊组合物在构成结晶硅太阳能电池的p型硅半导体基片上形成背面铝电极时使用，即使不含作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉、或者即使降低作为对环境带来不良影响的物质的玻璃粉的含量，也可以维持作为太阳能电池的背面电极所希望的BSF效果和太阳能电池所希望的能量转换效率，同时可以强化太阳能电池元件中铝电极层和p型硅半导体基片的结合。

Claims (17)

1.一种糊组合物，用于在p型硅半导体基片(1)上形成电极(8)，其包含：铝粉末、有机载体及含有硅作为金属的金属醇盐。
2.如权利要求1所述的糊组合物，其包含：铝粉末60质量％以上75质量％以下、有机载体10质量％以上35质量％以下、以及金属醇盐0.1质量％以上20质量％以下。
3.如权利要求1所述的糊组合物，其中，还包含选自由无机化合物粒子、有机化合物粒子及碳粒子构成的组中的至少一种粒子。
4.如权利要求3所述的糊组合物，其中，所述无机化合物粒子和/或所述有机化合物粒子的平均粒径为10μm以下。
5.如权利要求3所述的糊组合物，其中，所述碳粒子的平均粒径为1μm以下。
6.如权利要求1所述的糊组合物，其中，还包含玻璃粉。
7.一种糊组合物，用于在p型硅半导体基片(1)上形成电极(8)，其包含：铝粉末、有机载体、以及通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶，其中，所述金属醇盐是指包含金属、半金属或半导体作为金属的醇盐。
8.如权利要求7所述的糊组合物，其包含：铝粉末60质量％以上75质量％以下、有机载体10质量％以上35质量％以下、以及通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶0.1质量％以上20质量％以下。
9.如权利要求7所述的糊组合物，其中，所述金属醇盐是含有硅作为金属的金属醇盐。
10.如权利要求7所述的糊组合物，其中，还包含选自由无机化合物粒子、有机化合物粒子及碳粒子构成的组中的至少一种粒子。
11.如权利要求10所述的糊组合物，其中，所述无机化合物粒子和/或所述有机化合物粒子的平均粒径为10μm以下。
12.如权利要求10所述的糊组合物，其中，所述碳粒子的平均粒径为1μm以下。
13.如权利要求7所述的糊组合物，其中，还包含玻璃粉。
14.一种太阳能电池元件，其具有电极(8)，该电极(8)是通过将用于在p型硅半导体基片(1)上形成电极(8)的糊组合物，即包含铝粉末、有机载体及含有硅作为金属的金属醇盐的糊组合物涂布在p型硅半导体基片上后，进行焙烧而形成的。
15.如权利要求14所述的太阳能电池元件，其中，在所述p型硅半导体基片(1)与所述电极(8)之间，形成包含于所述金属醇盐中的金属的化合物。
16.一种太阳能电池元件，其具有电极(8)，该电极(8)是通过将用于在p型硅半导体基片(1)上形成电极(8)的糊组合物，即包含铝粉末、有机载体以及通过将金属醇盐水解缩聚得到的溶胶和/或凝胶的糊组合物涂布在p型硅半导体基片上后，进行焙烧而形成的，其中，所述金属醇盐是指包含金属、半金属或半导体作为金属的醇盐。
17.如权利要求16所述的太阳能电池元件，其中，在所述p型硅半导体基片(1)与所述电极(8)之间，形成包含于所述金属醇盐中的金属的化合物。
CNB200580018625XA 2004-07-01 2005-06-23 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件 Expired - Fee Related CN100538915C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004195469 2004-07-01
JP195469/2004 2004-07-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1981346A CN1981346A (zh) 2007-06-13
CN100538915C true CN100538915C (zh) 2009-09-09

Family

ID=35782641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200580018625XA Expired - Fee Related CN100538915C (zh) 2004-07-01 2005-06-23 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7938988B2 (zh)
EP (1) EP1739690B1 (zh)
JP (1) JP4802097B2 (zh)
KR (1) KR100825880B1 (zh)
CN (1) CN100538915C (zh)
TW (1) TWI258223B (zh)
WO (1) WO2006003830A1 (zh)

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7494607B2 (en) * 2005-04-14 2009-02-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom
JP4975338B2 (ja) * 2006-03-01 2012-07-11 三菱電機株式会社 太陽電池及びその製造方法
US20090095344A1 (en) * 2006-04-25 2009-04-16 Tomohiro Machida Conductive Paste for Solar Cell Electrode
EP2077585A4 (en) * 2006-09-28 2017-04-26 Kyocera Corporation Solar battery element and method for manufacturing the same
JP4697194B2 (ja) * 2006-10-13 2011-06-08 日立化成工業株式会社 太陽電池セルの接続方法及び太陽電池モジュール
JP2008160018A (ja) * 2006-12-26 2008-07-10 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池素子
DE102007012277A1 (de) 2007-03-08 2008-09-11 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie damit hergestellte Solarzelle
US20090025786A1 (en) * 2007-05-07 2009-01-29 Georgia Tech Research Corporation Solar cell having high quality back contact with screen-printed local back surface field
JP2008306023A (ja) * 2007-06-08 2008-12-18 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
GB2451497A (en) * 2007-07-31 2009-02-04 Renewable Energy Corp Asa Contact for solar cell
US20090120497A1 (en) * 2007-11-09 2009-05-14 Schetty Iii Robert A Method of metallizing solar cell conductors by electroplating with minimal attack on underlying materials of construction
KR20110107411A (ko) * 2007-11-15 2011-09-30 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 태양 전지셀
JP2009129600A (ja) * 2007-11-21 2009-06-11 Toyo Aluminium Kk ペースト組成物と太陽電池素子
US7833808B2 (en) * 2008-03-24 2010-11-16 Palo Alto Research Center Incorporated Methods for forming multiple-layer electrode structures for silicon photovoltaic cells
JP2009290105A (ja) * 2008-05-30 2009-12-10 Sharp Corp 太陽電池、太陽電池の製造方法および太陽電池モジュール
EP2405449B1 (en) * 2009-03-06 2017-08-16 Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha Electrically conductive paste composition and electrically conductive film formed by using the same
CN102460602B (zh) * 2009-04-07 2015-05-06 Lg伊诺特有限公司 浆料和采用该浆料的太阳能电池
US20100294353A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste for solar cell electrode
KR101194064B1 (ko) * 2009-06-08 2012-10-24 제일모직주식회사 에칭 및 도핑 기능을 가지는 페이스트 조성물
KR20110025614A (ko) * 2009-09-04 2011-03-10 동우 화인켐 주식회사 태양전지의 후면 전극용 알루미늄 페이스트
DE102009044038A1 (de) 2009-09-17 2011-03-31 Schott Solar Ag Verfahren zur Herstellung eines Kontaktbereichs eines elektronischen Bauteils
TWI404780B (zh) * 2009-10-13 2013-08-11 Lg Chemical Ltd 銀糊料組成物及使用該組成物之太陽能電池
US20110180137A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180139A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US20110180138A1 (en) * 2010-01-25 2011-07-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
US9390829B2 (en) 2010-01-25 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
CN102142467B (zh) * 2010-01-29 2013-07-03 比亚迪股份有限公司 一种太阳电池背电场铝浆及其制备方法
FR2959870B1 (fr) * 2010-05-06 2012-05-18 Commissariat Energie Atomique Cellule photovoltaique comportant une zone suspendue par un motif conducteur et procede de realisation.
CN101882636B (zh) * 2010-05-12 2011-10-19 中国科学院半导体研究所 背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法
KR101181190B1 (ko) * 2010-07-30 2012-09-18 엘지이노텍 주식회사 태양 전지 및 이의 후면 전극용 페이스트 조성물
DE102010037319B4 (de) * 2010-09-03 2013-11-14 Hanwha Q.CELLS GmbH Solarzelle mit verbesserter Rückseitenmetallisierungsschicht
US8778231B2 (en) 2010-12-16 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Aluminum pastes comprising boron nitride and their use in manufacturing solar cells
US20120152343A1 (en) * 2010-12-16 2012-06-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aluminum paste compositions comprising siloxanes and their use in manufacturing solar cells
US9224517B2 (en) 2011-04-07 2015-12-29 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition for electrode and photovoltaic cell
JP2012226830A (ja) * 2011-04-14 2012-11-15 Sony Corp 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池の製造方法
US9337363B2 (en) 2011-05-11 2016-05-10 International Business Machines Corporation Low resistance, low reflection, and low cost contact grids for photovoltaic cells
CN102243901B (zh) * 2011-06-28 2013-07-17 陈晓东 不含无机粘接剂硅太阳能电池铝背场用浆料及其制备方法
CN102324266B (zh) * 2011-08-18 2012-10-03 江苏泓源光电科技有限公司 无玻璃粉晶体硅太阳能电池铝浆及其制备方法
US9076919B2 (en) * 2011-11-04 2015-07-07 E I Du Pont De Nemours And Company Process of forming an aluminum p-doped surface region of a semiconductor substrate
US8927428B2 (en) 2011-11-04 2015-01-06 E I Du Pont De Nemours And Company Process of forming an aluminum p-doped surface region of an n-doped semiconductor substrate
DE102011086302A1 (de) * 2011-11-14 2013-05-16 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Herstellung einer metallischen Kontaktierungsstruktur auf einer Oberfläche einer Halbleiterstruktur und photovoltaische Solarzelle
KR101350706B1 (ko) 2011-11-24 2014-01-17 한국화학연구원 졸―겔 공정을 이용한 나노사이즈 글래스 프릿의 제조 방법 및 이를 포함하는 태양전지 전극 형성 방법
JP5134722B1 (ja) * 2011-12-02 2013-01-30 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池とこれに用いるペースト材料
CN103426496A (zh) * 2012-05-25 2013-12-04 比亚迪股份有限公司 太阳能电池用铝背场浆料及其制备方法、太阳能电池片的制备方法以及太阳能电池片
JPWO2014014108A1 (ja) * 2012-07-19 2016-07-07 日立化成株式会社 パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法及び太陽電池
JP6202939B2 (ja) * 2013-08-23 2017-09-27 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物と太陽電池素子
JP2015170548A (ja) * 2014-03-10 2015-09-28 東京応化工業株式会社 電極形成用ペースト組成物並びにこれを用いた電極の製造方法及び太陽電池
US11565973B2 (en) 2016-04-06 2023-01-31 Ceramicoat International Limited Sprayable silicate-based coatings and methods for making and applying same
US20190135681A1 (en) * 2016-04-06 2019-05-09 Ceramicoat International Limited Sprayable alumino-silicate coatings, resins, their compositions and products
CN110289121B (zh) * 2019-06-19 2021-10-26 南通天盛新能源股份有限公司 一种用于perc太阳能电池背面的合金铝浆

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413689A (en) * 1992-06-12 1995-05-09 Moltech Invent S.A. Carbon containing body or mass useful as cell component
JP3510761B2 (ja) * 1997-03-26 2004-03-29 太陽インキ製造株式会社 アルカリ現像型光硬化性導電性ペースト組成物及びそれを用いて電極形成したプラズマディスプレイパネル
KR100396367B1 (ko) * 1998-06-18 2003-09-02 후다바 덴시 고교 가부시키가이샤 형광표시관용 알루미늄 페이스트 및 알루미늄 페이스트를 이용한 형광표시관 및 그 제조방법
JP2000090734A (ja) * 1998-09-16 2000-03-31 Murata Mfg Co Ltd 導電性ペースト及びそれを用いた太陽電池
DE19910816A1 (de) * 1999-03-11 2000-10-05 Merck Patent Gmbh Dotierpasten zur Erzeugung von p,p+ und n,n+ Bereichen in Halbleitern
JP4726354B2 (ja) * 2001-08-22 2011-07-20 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
KR100855169B1 (ko) * 2001-09-06 2008-08-29 가부시키가이샤 노리타케 캄파니 리미티드 도체 조성물 및 그 제조방법
JP3910072B2 (ja) 2002-01-30 2007-04-25 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
US20040055635A1 (en) * 2002-09-19 2004-03-25 Hiroshi Nagakubo Conductive paste, method for manufacturing solar battery, and solar battery

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2006003830A1 (ja) 2008-07-31
US7938988B2 (en) 2011-05-10
EP1739690B1 (en) 2015-04-01
KR100825880B1 (ko) 2008-04-28
US20070221270A1 (en) 2007-09-27
CN1981346A (zh) 2007-06-13
TW200608589A (en) 2006-03-01
KR20070028579A (ko) 2007-03-12
WO2006003830A1 (ja) 2006-01-12
JP4802097B2 (ja) 2011-10-26
TWI258223B (en) 2006-07-11
EP1739690A1 (en) 2007-01-03
EP1739690A4 (en) 2009-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100538915C (zh) 糊组合物及使用该糊组合物的太阳能电池元件
CN100524835C (zh) 铝膏组合物和使用了它的太阳电池元件
US8383011B2 (en) Conductive inks with metallo-organic modifiers
TWI391362B (zh) A glass composition and a conductive mortar composition using the same, an electrode wire member, and an electronic component
CN100550431C (zh) 膏组合物和使用了它的太阳电池元件
CN102473756A (zh) 糊组合物及使用其的太阳能电池元件
TWI401808B (zh) 糊狀組成物，電極及具備該電極之太陽電池元件
CN102169738B (zh) 形成p型扩散层的组合物和方法,及制备光伏电池的方法
CN101809678A (zh) 导电组合物以及用于半导体装置制造中的方法
CN104517666A (zh) 由高欧姆晶片和包含Ag-金属氧化物添加剂的糊料生产的太阳能电池
JP6155965B2 (ja) 電極形成用ガラス粉末および電極形成用導電ペースト
CN110462845A (zh) 太阳能电池用膏状组合物
KR101452962B1 (ko) 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치
KR101452961B1 (ko) 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치
JP5541138B2 (ja) ｐ型拡散層形成組成物、ｐ型拡散層の製造方法及び太陽電池セルの製造方法
KR101452966B1 (ko) 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치
TWI664742B (zh) 形成ｎ型擴散層的組成物、ｎ型擴散層的形成方法、附ｎ型擴散層的半導體基板的製造方法以及太陽電池元件的製造方法
JP2013089481A (ja) ペースト組成物
KR101489427B1 (ko) 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치
WO2013080750A1 (ja) 太陽電池とこれに用いるペースト材料
CN107689261A (zh) 一种晶体硅太阳能电池正银浆料
JP2022189025A (ja) 太陽電池用アルミニウムペースト組成物
KR20150118888A (ko) 전도성 페이스트 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치
CN105845200A (zh) 低印刷重量的太阳能电池用导电铝胶及太阳能电池

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090909

Termination date: 20200623