CN100395877C - 包含光学测距仪的探针装置以及探针的检查方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种对晶片状基板(W)上形成的被检查体的电特性进行检查的、具备控制位置测量机构的探针装置(100)，该探针装置包括：探测器室(29)；在该探测器室内配置、用于载置被检查体的载置台(6)；使该载置台在X、Y、Z以及θ方向移动的移动机构(16)；具有多只探针(26)、与该载置台相对配置的探针板(14)；和第一光学测距仪(4a，4b)，该第一光学测距仪使光照射到在该载置台上载置的被检查体表面，根据其反射光测量被检查体在Z轴方向的位置，此外，可以具备第二光学测距仪(5a，5b)。

Description

包含光学测距仪的探针装置以及探针的检查方法

本申请主张在2003年1月20日提出的、其内容在这里收入的、基于前日本申请2003-011140的优先权。

技术领域

本发明涉及检查通常在晶片状基板(以下称为「晶片」)W上形成的多只被检查体(以下称为「芯片」)的电特性的探针装置以及探针的检查方法，更详细地说，涉及具备直接测量芯片的测量位置以及探针板位置的测量机构的探针装置以及探针检查方法。

背景技术

在芯片的测量中，使探针板的探针和芯片的X、Y、Z以及θ方向的位置一致，以及朝向探针上升芯片，使两者以预定的过压(overdrive)量正确地接触是必要的。为此，正确地测量芯片的位置是必要的。近年来，由于芯片的电极部或者电极的基底薄，而且不柔软，所以过剩的过压在电极部或电极基底上造成损伤，使基底露出，产生龟裂等。从来，为了使其定位，通过摄像机对芯片电极和探针前端摄像，测量其位置。使用摄像机的X、Y及θ方向位置的测量精度高，得以广泛利用。可是，通过摄像机的Z方向定位使摄像机的焦点调节到对象物上，测量直到焦点的距离。因此，存在可量测的距离范围狭，精度低等的问题。一旦存在测量误差，对探针和芯片之间的接触压产生影响。其结果有损伤探针以及芯片的危险，或者因探针和芯片不能充分接触产生测量误差的危险。在特开平11-26524号公报上公开了通过光学测距仪对探针和芯片在Z方向进行定位的装置。在该公报上记载的装置具备2只光学测距仪，然而不能直接测量探针和芯片的位置。在测量时有必要使主卡盘(mainchuck)向预定位置移动。此外，有必要在测量的一部分上使用摄像机的调焦，从一致的焦点位置出发，算出探针和芯片间的距离开始，存在所谓的测量费时，而且不能高精度测量的问题。

发明内容

本申请发明根据其一个方面，通过更加简单的构成，提供可减少芯片和探针间距离的测量误差，最佳地控制过压量，可以进一步提高检查可靠性的探针装置以及探针检查方法。

本申请发明根据其它方面，提供可测量因探针板变形引起的Z方向位置的变化，可更加精确地进行芯片和探针定位的探针装置及探针检查方法。

根据本发明的第一方面提供具备下述各点、检查在晶片W上形成的芯片电特性的探针装置。

探测器室、该探测器室内配置的、用于载置形成多只芯片的晶片的载置台、在该探测器室内配置的探针板(该探针板具有多只探针，与该载置台对置配置)、第一光学测距仪(该第一光学测距仪向在载置在该载置台上的晶片上形成的芯片表面上照射光，检测在接受其反射光的受光面上的反射光位置，根据其位置测量该芯片的Z方向的位置)。

根据本申请发明的上述方面，探针装置可以具备下述(1)～(12)的优选构成之一或者其中任一种组合。

(1)在载置台上附设成为通过第一光学测距仪测量的Z方向位置基准的基准面。

(2)该第一光学测距仪照射的光是激光。

(3)激光直径为10μm～30μm。

(4)该第一光学测距仪安装在探测器室内的上部壁以及侧壁的任一方。

(5)该探针装置具有使前述载置台沿Z方向移动的移动机构，具备用于控制该移动机构的控制装置。在这里，该第一光学测距仪测量该载置台以及在该载置台上载置的晶片任一表面上多个位置的Z方向的位置，该控制装置根据该第一光学测距仪所测量的多个位置Z方向的位置，作成与该表面的Z方向位置有关的图谱(map)。

(6)该探针装置还具备用于在探针板的支持部件表面上照射光，检测在接受其反射光的受光面上的反射光的位置，根据其位置测量探针板的Z轴方向位置的第二光学测距仪。

(7)该第二光学测距仪照射的光是激光。

(8)该探测器室(prober chamber)具备保持板(10)(该保持板位于该探针板的上部)，该第二光学测距仪安装在该保持板的与前述探针板对面的面上。

(9)该探针装置具备用于固定探针板的探针板支持部件(该探针板支持部件安装在该探针板的上部)，该第二光学测距仪通过测量该探针板支持部件上面，测量该探针板在Z方向的位置变化。

(10)该探针板支持部件具备用于向通过该第二光学测距仪测量的位置反射测量用光的反射体。

(11)该第二光学测距仪通过测量该探针板侧面，测量该探针板的Z方向位置的变化。

(12)该探针板具备用于向通过该第二光学测距仪测量的侧面上反射测量用光的光学元件。

根据本发明的第二方面，作为根据上述第一方面的探针装置，而且在具备上述(1)的探针装置上提供具备下述各点的、对被检查体进行检查的方法。

(a)在载置台上载置晶片，(b)(b1)通过第一光学测距仪测量在该载置台上附设的基准面的Z方向位置，(b2)通过使载置台上升、使基准面与探针接触，测量在该基准面和该探针之间的距离，(c)用该第一光学测距仪，测量芯片表面的Z方向位置，(d)根据上述(b)及(c)的测量结果，决定在该芯片表面和该探针前端之间的距离，(e)根据在(d)决定的该芯片和该探针之间的距离，该移动机构使该载置台在Z方向上升，使该芯片与该探针接触，(f)测量该芯片的电特性，(g)进行被检查体的测量间距(pitch)大小的移动，通过重复(e)到(f)，测量下一芯片。

上述方法优选还具备下述构成(13)及(14)的任一构成，或者对下述构成的任一组合。

(13)(c1)该第一光学测距仪测量该晶片状基板表面多个位置处的Z方向位置。

(c2)作成与在测量的该晶片状基板表面上多个位置处的Z方向位置有关的图谱。

(c3)根据(c2)作成的该图谱，该移动机构使该载置台在Z方向移动，使芯片与探针接触。

(14)此外，在上述(a)之后，(a2)通过第二光学测距仪，使光照射到探针板的支持部件的上表面上，测量接受其反射光的受光面上的反射光位置，根据其位置，测量探针板的Z轴方向位置。

上述的(d)，除了上述(b)及(c)之外，根据(a2)的测量结果，决定该芯片和该探针之间的距离。

本申请发明可以适用于测量在晶片上形成的被检查体(例如，半导体)的电特性的探针装置及探针检查方法。

附图说明

图1是第一实施例的探针装置断面图，

图2是本申请发明的各实施例的基板固定机构23的一实施例，

图3是本申请发明的各实施例的移动机构16的一实施例，

图4是本申请发明的各实施例使用的光学测距仪的原理图，

图5是在本申请发明的各实施例，使晶片W分成区域(zone)图谱的一实施例，

图6是第二实施例的探针装置断面图。

图7是第二实施例的探针装置主要部分放大图。

图8是第三实施例的探针装置断面图。

图9是第三实施例的探针装置主要部分放大图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的第一实施方式加以说明。图1是本申请发明的第一实施例的探针装置100的主体断面图。本实施例的探针装置100具有探测器室29。该探测器室29具有上部壁2、侧壁3。上部壁2可以在其中央具有开口部7。在探测器室内具备用于载置晶片状基板(以下，称为「晶片」)的载置台6。该载置台6安装在移动机构16之上。该移动机构16使载置台在X、Y、Z以及θ方向移动。该移动机构16通过控制装置17加以控制。

载置台6可以具备用于保持载置的晶片W的基板固定机构23。图2示出基板固定机构23的一实施例。基板固定机构23具备例如在载置台表面上形成的沟槽23a以及与该沟槽23a连接的给排气用孔23b。真空泵22经孔23b对沟槽23a真空抽气，使晶片W在基板固定机构23表面吸引固定。基板固定机构23除了真空吸引机构之外，也可以采取使用静电的吸附机构或机械的固定机构等。

图3示出使载置台6移动的移动机构16的一实施例。移动机构16具备：载置晶片W的载置台6，用于支持载置台6的X工作台(stage)30，用于支持X工作台30的Y工作台32和支持它们的基台34。在检查晶片W的电特性时，在载置台6经X、Y工作台30，32向X、Y方向移动的同时，通过在载置台6下部具备的升降驱动机构6a在Z方向升降。X工作台30通过X方向驱动机构41在Y工作台32上沿X方向导轨31往复移动。Y工作台32通过Y方向驱动机构42在基台34上沿Y方向导轨33往复移动。X、Y方向驱动机构41、42各自具有马达41a、马达42a以及滚珠丝杠41b、42b。滚珠丝杠41b、42b各自与X、Y工作台30，32螺合，使X、Y工作台30，32分别移动。升降驱动机构6a可以由例如马达、通过该马达正反旋转的滚珠丝杠、与该滚珠丝杠螺合、在载置台上固定的螺帽(nut)部件构成。通过马达使滚珠丝杠旋转，经螺帽部件，升降载置台6。此外，载置台上具备θ旋转机构6b。θ旋转机构使载置台6旋转。

本申请发明可以采用的移动机构不限于图3所示的，也可以采用使载置台在X、Y、Z以及θ方向移动的任一移动机构。

在图1，在探测器室29上部的开口部7上，探针板14与载置台6对置配置。该探针板14具有用于检查在晶片W上形成的芯片1的电特性的多只探针26。探针板14可以安装在例如探针板支持部件9下面。该探针板支持部件9也可以直接安装在上部壁2上，然而也可以可装卸地固定于在上部壁2的开口部7上安装的顶板12上。

此外，在探测器29上具备为了测量芯片1和探针26的X、Y及θ方向位置使用的上下摄像机15a，15b。下摄像机15b可以配置在载置台6的周围上，上摄像机15a可以配置在探测器室29的上部。上摄像机15a安装在例如沿X方向配置的定位桥15d的纵向中央部上。定位桥15d沿着在探测器室侧壁上部具备的导轨15c在Y方向可往复移动。

下摄像机15b对探针板14的探针26的前端摄像，上摄像机15a对在晶片W上形成芯片1的电极摄像。根据摄像的各自的坐标位置，控制装置17算出芯片1的电极和探针26前端之间的位置关系，使载置台6移动，对芯片1和探针26定位。

为了使芯片1和探针26在Z方向的位置一致，本申请发明的1实施例具备第一光学测距仪4(4a，4b)。第一光学测距仪4使光照射到在载置于载置台6上的晶片W上形成的芯片1表面，检测在接受其反射光的受光面上的反射光的位置，根据其位置，可以直接且正确地测量芯片1的Z轴方向的位置。第一光学测距仪4可以配置在探测器室29的任一处，然而尤其是通过配置在上部壁2或者侧壁3的上部，可以进行难以模糊的精确的测量。

第一光学测距仪4具备第一照射器4a和第一检测器4b，从第一照射器4a照射的光在芯片1等的测量对象物上反射，入射到第一检测器4b上。这时，如果使反射光的面在Z方向的位置变化，则入射到检测器的光的位置移动。根据该光位置的移动量，可以测量使光反射的面在Z方向的位置。图4示出其原理图。在反射面20处于A位置时，光在A’反射。在反射面处于B位置时，光在B’反射。这些反射光在入射面21分别入射到A”，B”点。在这里，令光反射点的位置变化为ΔX，反射面在Z方向的位置变化为ΔZ，令反射面20为在入射面成像的光学系统的放大率为M，照射到反射面的光的入射角为θ。此外，反射面从A变化为B时，在入射面光的入射位置从A”变化为B”，令该距离为Δmeas。这样一来，则有；

ΔX＝ΔZtanθ…………①

Δmeas＝2·ΔX·M…………②

通过①及②有：Δmeas＝2·M·tan θ·ΔZ

在这里，因为2·M·tan θ是常数，所以令其为K，则

ΔZ＝(1/K)·Δmeas

因此，通过计测Δmeas，测量ΔZ。

通过使用该光学测距仪，反射面的微量位置变化也可检测，与通过现有技术的使用摄像机的焦点法的测量比较，使精确的量测成为可能。此外，在通过焦点法的测量，有必要升降载置台6，使焦点与芯片1一致，测量费时，然而在该光学测距仪，如果被测量物，即芯片1处在检测范围内，则无须升降载置台就可测量，可以大幅度缩短测量所需时间。此外，该光学测距仪Z方向的可能检测范围为200μm宽，由于比使用摄像机的焦点法可检测范围宽，所以可以容易地进行量测。光学测距仪的Z方向可检测范围通过使用更长的测长用传感器，可更加扩展检测范围。

由于在申请发明的第一实施例，可通过一只光学测距仪直接测量晶片W表面，即芯片1，所以在探针装置构成简单形成同时，可以减少测长装置的测量误差，提高测量精度。此外，正如在本实施例中使用的光学测距仪那样，在不采用通过反射光的光量测量的机构，而采用根据入射到检测器的入射光的位置的变化进行测量的机构情况下，测量结果不受反射面状态所左右，可以得到稳定的测量结果。此外，由于在本实施例中使用的第一光学测距仪4，即使从偏离的位置也可以测量，所以只要将在载置台6上载置的芯片1位于可测量的场所，无论在哪里设置也都是可以的。

关于第一光学测距仪4的光，使用可见光发光二极管LED等也可以产生，然而希望使用激光。通过作为本申请发明的第一光学测距仪4采取使用激光的机构，可容易且精确地测量。在本实施例使用的激光直径为10～30μm。现在一般使用的芯片1的电极长度为35～100μm，通过使用具有比该电极长度小的直径的激光，可不影响与该电极接近的表面图形而局部地只测量该电极位置，而。第一光学测距仪4通过三维测量载置台6或晶片W表面，可以检查载置台或晶片W的平面性。

此外，在图1所示的第一实施例的探针装置可以具备作为用于测量探针前端位置的机构使用的基准面13。基准面13可以作为通过第一光学测距仪4测量的位置基准使用。基准面13也可配置在载置台6上，也可以包括在于载置台16附设的基准台18上。作为基准面13也可以是平坦、且反射光的表面，例如可以采用金属板或镀金属的板等表面。在第一实施例用镀金板的表面。

第一光学测距仪4(4a，4b)可以测量在晶片W上形成的各个芯片1的电极位置。测量的各个芯片1的电极在Z方向的位置信息发送给控制装置7，可以用于控制载置台6朝向探针26应上升的距离。第一光学测距仪4测量晶片W上多个位置处的Z方向的位置，也可用于作成图谱使用。由于在这种情况下测量高速进行，所以可测量整个芯片的电极位置。或者，如图5所示，使晶片W成分若干区域19，可测量各区域典型点的位置。测量的结果发送给控制装置17。控制装置17可以作成各区域在Z方向位置的图谱。根据控制装置作成的图谱，每次测量在晶片W上形成的整个芯片的电特性时，可以控制载置台6的上升距离。

其次，对第一实施例的探针装置的动作加以说明。

(a)在图1，从盒C内取出的晶片W载置在载置台6的基板固定机构23上。

(b)上述基板固定机构23通过例如真空吸附力固定晶片W后，下摄像机15b对探针板14的X、Y及θ方向位置进行摄像。根据该像检测的探针26的X、Y及θ方向的位置信息储存到控制机构17内。

(c)(c1)接着，通过第一光学测距仪4(4a，4b)测量在载置台6上附设的基准面(金板)13和探针26之间的距离。首先，从第一光学测距仪4的第一照射器4a出发，朝向Au板13照射激光。在Au板13上反射的激光入射到第一检测器4b。通过控制装置储存根据该入射光检测的Au板13在Z方向的位置。

(c2)载置台6上升，使Au板13与探针26接触。其际，以载置台6上升的距离作为Au板13和探针26之间的距离储存在控制装置。探针26的长度对每只探针板14未必是固定的。通过该操作可以实测Au板13和探针26之间的距离。此外，由于通过该操作可测量两者的距离，所以在本申请发明的第一实施例可只通过光学测距仪测量芯片1的位置。

(d)上摄像机15a对晶片W摄像，在控制装置17内储存测量对象的芯片1的X、Y以及θ方向的位置。

(e)第一光学测距仪4测量芯片1表面在Z方向的位置。第一光学测距仪4的照射器4a朝向芯片1照射激光，在芯片1上反射的激光入射到第一检测器4b。

(f)控制装置17使用该芯片1位置的测量结果和储存的Au板13的位置，算出芯片1和探针26之间的距离。

(g)根据控制装置17储存的芯片1以及探针26的位置，移动机构16使载置台6移动，使芯片1和探针板14的X、Y以及θ方向的位置一致。

(h)根据由上述(f)决定的芯片1和探针26之间的距离，移动机构16使载置台6上升，使芯片1与探针26接触。

(i)移动机构16使载置台6继续上升，过压驱动。

(j)在该状态下测量芯片1的电特性。

(k)进行芯片尺寸大小的移动，重复上述(h)到(j)的操作，测量在晶片W上形成的全部芯片1的电特性。

测量芯片1表面在Z方向位置的方法使用在上述(e)的第一光学测距仪4，除了测量各个芯片1方法之外，使用光学测距仪4，测量晶片W表面多个位置在Z方向位置(e1)，也可以作成把晶片W表面分成几个区域(zone)19的图谱(e2)。希望测量处是在晶片W上离散的多个点、例如如图5所示，通过晶片W整个面的细分化、进行测量，也可以更高精度测量晶片W的弯曲度。在图5，芯片1上的黑点是通过第一光学测距仪测量的候选点。在这种情况下，测量的结果在控制装置17内储存，控制装置17把晶片W分为几个区域19，以各自的区域19作为平面，可以作成Z方向位置的图谱。控制装置17根据该图谱控制载置台6的上升距离。控制装置17在上述(f)将各区域19在Z方向的位置与储存的Au板13的位置进行比较，算出各区域19和探针26间的距离。这样一来，可通过测量晶片W上多个位置，作成图谱，节省测量各个芯片1的位置的工夫，提高检查效率。

图6示出本申请发发明的第二实施例。该第二实施例在第一实施例的探针装置之外还具备用于测量探针板14在Z方向位置变化的第二光学测距仪5。因为第二实施例其它点与第一实施例是同样的，所以在以下只对第二光学测距仪5加以说明。第二光学测距仪5可以用与第一光学测距仪4同样的测距仪，可以具备第二照射器5a和第二检测器5b。

如图6所示，第二实施例的探针装置可以具备保持板10，以便在上部壁2上覆盖开口部7。在第二实施例，第二光学测距仪5可以在保持板10下面安装，以便在开口部7内配置。

图7示出图6的主要部分放大图。即使在第二实施例也与第一实施例同样地可以具备用于固定探针板14的探针板支持部件9。探针板14可以安装在该探针板支持部件9的下面。第二光学测距仪5通过测量该探针板支持部件9的上面，可以测量探针板14在Z方向位置的变化。探针板支持部件9可以具备向由第二光学测距仪5测量的位置反射测量用光的反射体11。该反射体11也可以是具有平坦、而且反射光的表面的任一反射体，然而在第二实施例采用镜。

探针试验往往在高温下进行。因此，探针板14也成为高温，往往变形。此外，探针板14经探针26遭受从芯片1即载置台6来的压力。根据这些理由探针板14在探针试验中变形，往往上下地变位。其际，探针板支持部件9或顶板12等也与固定探针板14的部件成为一体，变形。一旦探针板14变形，则与此相伴，探针板26的位置变化，探针板26和芯片1的接触位置变化。因此，探针26和芯片1以大于必须的压力接触，成为破坏芯片1的原因，或者相反，也可能成为接触不够，检查精度低下。

因此，在第二实施例，通过第二光学测距仪5测量探针板14在Z方向的位置变化。测量的探针板14的变位储存在控制装置17内。控制装置17根据其量测结果可以调整载置台6的上升距离。据此，即使在检查中探针板14变形的情况下芯片1和探针26也可以适切地接触，可稳定、高精度测量晶片W全部的芯片1。

图8示出本申请发明的第三实施例。第三实施例是在第一实施例中还具备第二光学测距仪5(5a，5b)的探针装置。该第二光学测距仪5可以具有与第二实施例同样构成，功能以及效果。在第三实施例，第二光学测距仪5配置在探测器室29内。如图9所示，在第三实施例，第二光学测距仪5通过测量探测卡14的侧面，可以测量探针板14在Z方向位置的变化。第二光学测距仪5具备第二照射器5a和第二检测器5b，这些配置在探测器室29内的上部壁2或侧壁3上。第二照射器5a以及检测器5b也可以邻接设置，然而也可以如图9所示地作为一个装置构成。通过这样的构成可以使第二光学测距仪5的构成简单地作成，使装置调整可以容易地进行。

在第二光学测距仪5测量的探针板14的侧面处可以具备光学元件25。通过用光学元件25，对从第二照射器5A照射的光进行反射，可以入射到检测器5B。作为光学元件可以用例如棱镜25。此外，除了棱镜之外，也可以使用直角棱镜(corner cube prism)或后向反射器(retroreflector)。或者组合多个镜使用也是可以的。

第二光学测距仪5设置在探测器室外也是可以的。这种情况通过在侧壁具备光通过的孔，即使从探测器室外测量也可以。通过在探测器室外设置光学测距仪5可以简便地进行安装或处理。

在第二及第三实施例的探针装置的动作与第一实施例的动作同样地进行，然而在此之上加上第二光学测距仪5的动作。在上述(b)内控制机构17储存探针26的位置之后，第二光学测距仪5可以测量探针板在Z方向的位置(b2)。第二光学测距仪5常时或在必要时可以测量探针板14的变位。通过第二光学测距仪5测量的结果储存在控制装置17内，在上述的(f)，用于决定芯片1和探针26之间的距离。控制装置17根据该决定的距离使载置台6上升，能以预定压力使芯片1和探针26接触。

根据本申请发明的实施例，则可以提供通过具备第一光学测距仪的结构，可精确地进行芯片和探针在Z方向定位的探针装置以及探针的检查方法。

根据本申请发明的实施例，可以提供通过具备基准面的构成，正确地实测芯片和探针之间的距离，使精密测量成为可以的探针装置及探针检查方法。

根据本申请发明的实施例，通过在光学测距仪的光使用激光，可以提供作为可进行处理简便、精度好的位置测量的探针装置以及探针检查方法。

根据本申请发明的实施例，通过使第一光学测距仪照射的激光直径取10μm～30μm的构成，可以局部地测量芯片各电极位置，可以提供不影响该电极周边的晶片W的图形地可正确、稳定测量位置的探针装置。

根据本申请发明的实施例，第一光学测距仪测量在载置台及在载置台载置的晶片W的任一表面上多个位置在Z方向的位置，此外，控制装置是可根据第一光学测距仪测量的结果作成图谱。通过该图谱可以提供可节省测量各个芯片的工夫，提高检查效率的探针装置。

根据本申请发明的实施例，通过第二光学测距仪测量探针板在Z方向位置变化的构成，即使在检查中探针板14变形也可调整其变位大小，可提供常时进行精确的Z方向定位的探针装置。

不用说，其它的特征及变更对于该技术领域的专业工作者是可想到的。因此，本发明是站在更宽广的方面上，不限于特定的详细的实施例以及在这里公开的典型的实施例。因此，在权利要求项定义的宽广的发明概念及其等同的解释和范围内，可以作不脱离其实质的种种变更。

Claims (14)

1.一种探针装置(100)，可以检查在晶片状基板(W)上形成的被检查体的电特性，其特征在于，该探针装置包括：

探测器室(29)；

在该探测器室内配置的、用于载置形成有多个被检查体的晶片状基板的载置台(6)；

在该探测器室内配置的探针板(14)；该探针板具有多只探针(26)，与该载置台相对配置；

第一光学测距仪(4a，4b)，该第一光学测距仪使光照射到在该载置台上载置的被检查体表面，检测接受其反射光的受光面上的反射光的位置，根据其位置测量所述被检查体在Z轴方向的位置；和

第二光学测距仪(5a，5b)，用于向探针板的支持部件表面照射光，检测在接受其反射光的受光面上的反射光的位置，根据该位置测量该探针板在所述Z轴方向的位置。

2.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

还具备在该载置台上附设的、成为通过该第一光学测距仪测量的所述Z轴方向的位置的基准的基准面(13)。

3.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

所述第一光学测距仪照射的光是激光。

4.根据权利要求3所述的探针装置，其特征在于，

所述第一光学测距仪照射的激光直径是10μm～30μm。

5.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

所述第一光学测距仪安装在探测器室内的上部壁以及侧壁的任一壁上。

6.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

还具有使所述载置台在所述Z轴方向移动的移动机构，

具备用于控制该移动机构的控制装置(17)，

所述第一光学测距仪测量该载置台以及在该载置台上载置的所述晶片状基板的任一表面的多个位置的所述Z轴方向的位置，

该控制装置根据所述第一光学测距仪测量的多个位置的所述Z轴方向的位置，作成与所述表面的多个位置的所述Z轴方向的位置有关的图谱。

7.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

所述第二光学测距仪照射的光是激光。

8.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

还具备以下部件：

保持板(10)，该保持板位于所述探针板的上部；

所述第二光学测距仪安装在该保持板的与所述探针板对面的面上。

9.根据权利要求8所述的探针装置，其特征在于，

还具备用于固定所述探针板的探针板支持部件(9)，

该探针板支持部件安装在该探针板的上部，

所述第二光学测距仪通过测量该探针板支持部件的上面，测量所述探针板在所述Z轴方向的位置的变化。

10.根据权利要求9所述的探针装置，其特征在于，

所述探针板支持部件具备向由该第二光学测距仪测量的位置反射测量用光的反射体(11)。

11.根据权利要求1所述的探针装置，其特征在于，

所述第二光学测距仪通过测量所述探针板的侧面，测量该探针板在所述Z轴方向的位置变化。

12.根据权利要求11所述的探针装置，其特征在于，

所述探针板具备向由该第二光学测距仪测量的侧面反射测量用光的光学元件(25)。

13.一种检查方法，在根据权利要求2所述的探针装置对被检查体进行检查，该检查方法包括：

(a)在载置台(6)上载置晶片状基板(W)；

(a2)第二光学测距仪(5)向探针板的支持部件的上表面照射光，检测接受其反射光的受光面上的反射光的位置，根据该位置测量探针板在Z轴方向的位置；

(b)(b1)通过第一光学测距仪(4)测量在该载置台上附设的基准面(13)在所述Z轴方向的位置；

(b2)通过使载置台上升，使该基准面与探针(26)接触，测量该基准面与该探针之间的距离；

(c)用该第一光学测距仪，测量被检查体的表面在所述Z轴方向的位置；

(d)根据所述(b)及(c)的测量结果，决定该被检查体的表面和该探针的前端之间的距离；

所述(d)除了根据所述(b)及(c)的测量结果之外，还根据该(a2)的测量结果，决定该被检查体和该探针间的距离；

(e)根据由所述(d)决定的该被检查体和该探针间的距离，该移动机构使该载置台沿所述Z轴方向上升，使该被检查体与该探针接触；

(f)测量该被检查体的电特性；

(g)所述(f)结束后，移动被检查体的测量间距大小，通过重复所述(e)到(f)，测量下一被检查体。

14.根据权利要求13所述的检查方法，其特征在于，

还具备以下各点：

所述(c)具备：(c1)所述第一光学测距仪测量该晶片状基板表面的多个位置的所述Z轴方向的位置；以及

(c2)作成与由所述(c1)测量的该晶片状基板表面上的多个位置的所述Z轴方向的位置有关的图谱；

所述(d)根据由所述(b)及该(c2)作成的该图谱，所述移动机构使该载置台沿所述Z轴方向移动，使被检查体与探针接触。

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