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CN109983619A - 天线模块 - Google Patents

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CN109983619A
CN109983619A CN201780070928.9A CN201780070928A CN109983619A CN 109983619 A CN109983619 A CN 109983619A CN 201780070928 A CN201780070928 A CN 201780070928A CN 109983619 A CN109983619 A CN 109983619A
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Abstract

本公开的天线模块具备:控制基板(10),其内置或搭载半导体元件(15),为平板状;框架基板(20),其经由接合构件(41、42)与控制基板(10)的上表面接合,使控制基板(10)的上表面中央部露出;和天线基板(30),其经由接合构件(41、42)与框架基板(20)的上表面接合,以与控制基板(10)对置,多个天线图案(34)沿着主面配置,为平板状,框架基板(20)具有框架主体(20A)和棂格部(20B),并且在框架主体(20A)以及棂格部(20B)与控制基板(10)以及天线基板(20)之间设置以一定的高度与对方的控制基板(10)、框架基板(20)、天线基板(30)抵接的突起部(26)。

Description

天线模块
技术领域
本公开涉及天线模块。
背景技术
天线模块由控制基板、框架基板和天线基板构成。控制基板、框架基板和天线基板经由接合构件而接合。接合构件例如是焊料。作为这样的天线模块,例如能举出专利文献1。
根据现有的天线模块,有时会在焊料所构成的接合构件的厚度中产生偏差,或者在天线基板产生挠曲。为此,控制基板与天线基板的间隔或平行度易于出现偏差。若在控制基板与天线基板的距离或平行度产生偏差,天线模块中的频率特性就会变得大幅偏差,就不再能良好地进行所期望的频率带中的高频信号的收发。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2004-327641号公报
发明内容
第1个本公开的天线模块具有控制基板、框架基板和天线基板。控制基板内置或搭载半导体元件,为平板状。框架基板经由接合构件位于控制基板的上表面,使控制基板的上表面中央部露出。天线基板经由接合构件位于框架基板的上表面,以与控制基板对置。天线基板有多个天线图案位于上表面以及下表面,是平板状。框架基板具有:沿着控制基板的外周部的框状的框架主体;和跨架于框架主体的内周间的加固用的棂格部。框架基板在框架主体以及棂格部具有以一定的高度与控制基板抵接的多个突起部以及以一定的高度与天线基板抵接的多个突起部。
第2个本公开的天线模块具有控制基板、框架基板和天线基板。控制基板内置或搭载半导体元件,为平板状。框架基板经由接合构件与控制基板的上表面接合,使控制基板的上表面中央部露出。天线基板经由接合构件位于框架基板的上表面,以与控制基板对置。天线基板有多个天线图案位于上表面以及下表面,是平板状。框架基板具有:沿着控制基板的外周部的框状的框架主体;和跨架于框架主体的内周间的加固用的棂格部。控制基板以及天线基板在与框架基板对置的面具有以一定的高度与框架主体以及棂格部抵接的多个突起部。
第3个本公开的天线模块具有控制基板、框架基板和天线基板。控制基板内置或搭载半导体元件,为平板状。框架基板经由接合构件与控制基板的上表面接合,使控制基板的上表面中央部露出。天线基板经由接合构件位于框架基板的上表面,以与控制基板对置。天线基板有多个天线图案位于上表面以及下表面,是平板状。框架基板具有:沿着控制基板的外周部的框状的框架主体;和跨架于框架主体的内周间的加固用的棂格部。框架基板在框架主体以及棂格部的上表面具有以一定的高度与天线基板抵接的多个突起部。控制基板在其上表面具有以一定的高度与框架主体以及棂格部抵接的多个突起部。
第4个本公开的天线模块具有控制基板、框架基板和天线基板。控制基板内置或搭载半导体元件,为平板状。框架基板经由接合构件与控制基板的上表面接合,使控制基板的上表面中央部露出。天线基板经由接合构件位于框架基板的上表面,以与控制基板对置。天线基板有多个天线图案位于上表面以及下表面,是平板状。框架基板具有:沿着控制基板的外周部的框状的框架主体;和跨架于框架主体的内周间的加固用的棂格部。框架基板在框架主体以及棂格部的下表面具有以一定的高度与控制基板抵接的多个突起部。天线基板在其下表面具有以一定的高度与框架主体以及棂格部抵接的多个突起部。
附图说明
图1是表示本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的概略截面图。
图2是表示本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的概略分解立体图。
图3是用于说明本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的制造方法的概略截面图。
图4是用于说明本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的制造方法的概略截面图。
图5是用于说明本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的制造方法的概略截面图。
图6是用于说明本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的制造方法的概略截面图。
图7是表示本公开的天线模块的实施方式的第2个示例的概略分解截面图以及概略截面图。
图8是表示本公开的天线模块的实施方式的第3个示例的概略分解截面图以及概略截面图。
图9是表示本公开的天线模块的实施方式的第4个示例的概略分解截面图以及概略截面图。
图10是表示本公开的天线模块的实施方式的第1个示例的变形例的概略截面图的。
具体实施方式
将本公开的实施方式的第1个示例在图1以概略截面图示出,在图2以概略分解立体图示出。本例的天线模块由控制基板10、框架基板20和天线基板30构成。控制基板10、框架基板20和天线基板30经由接合构件41以及42而接合。接合构件41例如是焊料。接合构件42例如是热固化性树脂。
控制基板10在绝缘板11的上下表面交替层叠多层导体层12和绝缘层13而成。在控制基板10的上下表面被覆阻焊剂层14。控制基板10是四角平板状。在控制基板10的内部内置半导体元件15。
绝缘板11由玻璃-环氧树脂等电绝缘材料构成。绝缘板11的厚度是0.1~0.8mm程度。在绝缘板11,在其中央部形成多个挖空部11a。挖空部11a是四角形状。在挖空部11a的内部收容半导体元件15。半导体元件15经由粘结剂11b粘结在挖空部11a的内壁。粘结剂11b由环氧树脂等热固化性树脂构成。
在绝缘板11形成多个通孔11c。通孔11c的直径是75~200μm程度。
在绝缘板11的上下表面以及通孔11c的内壁被覆导体层12。被覆在绝缘板11的导体层12由铜箔以及铜镀覆层构成。被覆在绝缘板11的导体层12的厚度是5~42μm程度。
被覆导体层12的通孔11c的内部被埋孔树脂11d填充。埋孔树脂11d使氧化硅等绝缘填料分散在环氧树脂等热固化性树脂而成。
绝缘层13由使氧化硅等绝缘填料分散在环氧树脂等热固化性树脂的电绝缘材料构成。绝缘层13的厚度是25~50μm程度。在绝缘层13形成多个过孔13a。过孔13a的直径是30~100μm程度。
在各绝缘层13的表面以及过孔13a内被覆导体层12。被覆在绝缘层13的导体层12由铜镀覆层构成。被覆在绝缘层13的导体层12的厚度是5~42μn程度。
阻焊剂层14由使氧化硅等绝缘填料分散在环氧树脂等热固化性树脂的电绝缘材料构成。阻焊剂层14的厚度是25~50μm程度。
在控制基板10的上表面中央部配设多个天线图案16。天线图案16由导体层12构成。天线图案16从上表面侧的阻焊剂层14露出。天线图案16例如是1边0.5~5mm程度的方形。天线图案16与半导体元件15的电极电连接。经由这些天线图案16以及后述的天线图案34在半导体元件15与外部之间进行电波的收发。
在控制基板10的上表面外周部形成多个框架基板接合焊盘17。框架基板接合焊盘17由导体层12构成。框架基板接合焊盘17从上表面侧的阻焊剂层14露出。框架基板接合焊盘17是圆形。框架基板接合焊盘17的直径是300~600μm程度。在框架基板接合焊盘17经由焊料所构成的接合构件41接合框架基板20。接合构件41例如由锡-银合金或锡-银-铜合金构成。
在控制基板10的下表面形成多个外部连接焊盘18。外部连接焊盘18由导体层12构成。外部连接焊盘18从下表面侧的阻焊剂层14露出。外部连接焊盘18是圆形。外部连接焊盘18的直径是300~600μm程度。外部连接焊盘18与半导体元件15的电极电连接。外部连接焊盘18与未图示的母板等电气电路基板连接。
框架基板20在绝缘板21的上下表面层叠导体层22而成。在框架基板20的上下表面被覆阻焊剂层23。框架基板20使控制基板10的上表面中央部露出。框架基板20具有四角框状的框架主体20A和跨架于其内周间的加固用的棂格部20B。框架主体20A经由焊料所构成的接合构件41而与控制基板10以及天线基板30接合。棂格部20B经由由热固化性树脂构成的接合构件42与控制基板10以及天线基板30接合。
绝缘板21由玻璃-环氧树脂等电绝缘材料构成。绝缘板21的厚度是0.1~0.8mm程度。层叠于绝缘板21的导体层22由铜箔或铜镀覆层构成。导体层22的厚度是5~42μm程度。
阻焊剂层23由使氧化硅等绝缘填料分散在环氧树脂等热固化性树脂的电绝缘材料构成。阻焊剂层23的厚度是25~50μm程度。
在框架主体20A的下表面形成控制基板接合焊盘24。控制基板接合焊盘24由导体层22构成。控制基板接合焊盘24从阻焊剂层23露出。控制基板接合焊盘24是圆形。控制基板接合焊盘24的直径是300~600μm程度。控制基板接合焊盘24经由焊料所构成的接合构件41与控制基板10的框架基板接合焊盘17接合。
在框架主体20A的上表面形成天线基板接合焊盘25。天线基板接合焊盘25由导体层22构成。天线基板接合焊盘25从阻焊剂层23露出。天线基板接合焊盘25是圆形。天线基板接合焊盘25阀直径的300~600μm程度。在天线基板接合焊盘25经由焊料所构成的接合构件41接合天线基板30。
天线基板30在绝缘板31的上下表面层叠导体层32而成。在天线基板30的上下表面被覆阻焊剂层33。天线基板30是四角平板状。天线基板30与控制基板10对置地与框架基板20的上表面接合。
绝缘板31由玻璃-环氧树脂等电绝缘材料构成。绝缘板31的厚度是25~100μm程度。层叠于绝缘板31的上下表面的导体层32由铜箔或铜镀覆层构成。导体层32的厚度是5~42μm程度。
阻焊剂层33由使氧化硅等绝缘填料分散在环氧树脂等热固化性树脂的电绝缘材料构成。阻焊剂层33的厚度是25~50μm程度。
天线基板30沿着其上下表面具有多个天线图案34。天线图案34由导体层32构成。天线图案34从阻焊剂层33露出。天线图案34例如是1边为0.5~5mm程度的方形。天线图案34与控制基板10的天线图案16电磁耦合。经由这些天线图案34以及前述的天线图案16在半导体元件15与外部之间进行电波的收发。
天线基板30在其下表面外周部具有框架基板接合焊盘35。框架基板接合焊盘35由导体层32构成。框架基板接合焊盘35从阻焊剂层33露出。框架基板接合焊盘35是圆形。框架基板接合焊盘35的直径是300~600μm程度。框架基板接合焊盘35经由焊料所构成的接合构件41与框架基板20的天线基板接合焊盘25接合。
半导体元件15是高频元件。对半导体元件15输入在天线图案16以及34接收到的高频信号。或者,半导体元件15输出从天线图案16以及34发送的高频信号。
在本例的天线模块中,在框架主体20A以及棂格部20B的上下表面形成多个突起部26。突起部26形成于阻焊剂层23上。突起部26是与阻焊剂层23相同的材料即可。突起部26的形状在本例中例如是圆锥台。突起部26的直径是50~5000μm程度。突起部26的高度是30~100μm程度。下表面侧的突起部26以一定的高度与控制基板10的上表面抵接。上表面侧的突起部26以一定的高度与天线基板30的下表面抵接。
如此,在本例的天线模块中,框架基板20在框架主体20A的内周间具有棂格部20B。进而,在框架主体20A以及棂格部20B的下表面形成以一定的高度与控制基板10抵接的多个突起部26。在框架主体20A以及棂格部20B的上表面设有以一定的高度与天线基板30抵接的多个突起部26。通过这些突起部26将控制基板10与天线基板30的间隔G1、G2保持成固定。为此,根据本例的天线模块,不会在控制基板10与天线基板30之间发生距离的偏差或倾斜。因此根据本例的天线模块,能提供具有稳定的收发特性的天线模块。
接下来说明上述的示例的将天线模块中的控制基板10、框架基板20和天线基板30接合的方法。
首先如图3所示那样,准备控制基板10、框架基板20和天线基板30。另外,在控制基板10的框架基板接合焊盘17以及天线基板30的框架基板接合焊盘35预先熔敷焊料所构成的接合构件41。这时,使接合构件41从阻焊剂层14、33突出的高度比突起部26从阻焊剂层23突出的高度高10~50μm程度。
接下来如图4所示那样,将控制基板10、框架基板20和天线基板30上下重叠。这时,熔敷在控制基板10的接合构件41的顶部与框架基板20的控制基板接合焊盘24抵接。熔敷在天线基板30的接合构件41的顶部与框架基板20的天线基板接合焊盘25抵接。这时,在突起部26与控制基板10以及天线基板30之间形成10~50μm程度的间隙。
接下来如图5所示那样,对天线基板30一边从上方施加负荷一边进行加热,来使焊料所构成的接合构件41熔融。这时,框架基板20的下表面侧的突起部26全都以一定的高度与控制基板10的上表面抵接。框架基板20的上表面侧的突起部26全都以一定的高度与天线基板30的下表面抵接。在使这些突起部26与控制基板10、天线基板30抵接的状态下进行冷却,来使接合构件41固化。由此控制基板10、框架基板20和天线基板30在与框架主体20A对应的区域以与突起部26的高度对应的给定的间隔接合。
接下来如图6所示那样,在框架基板20的棂格部20B与控制基板10以及天线基板30之间注入由未固化的热固化性树脂构成的液状的接合构件42,并对天线基板30一边从上方施加负荷一边进行加热,来使接合构件42热固化。
这时,框架基板20的下表面侧的突起部26全都以一定的高度与控制基板10的上表面抵接。框架基板20的上表面侧的突起部26全都以一定的高度与天线基板30的下表面抵接。
由此,控制基板10、框架基板20和天线基板30在与框架主体20A以及棂格部20B对应的区域以与突起部26的高度对应的给定的间隔接合。因此在控制基板10与天线基板30之间没有距离的偏差或倾斜地完成具有稳定的收发特性的天线模块。
在注入液状的接合构件42时,在天线基板30以及框架基板20预先设置树脂注入孔36、27,经由这些树脂注入孔36、27进行注入即可。
接下来将本公开的实施方式的第2个示例在图7以概略分解截面图以及概略截面图示出。在图7所示的示例中,对与上述的第1个示例相同的部位标注相同附图标记,省略其详细的说明。
在本例中,在控制基板10的上表面侧的阻焊剂层14的上表面设置突起部19。在天线基板30的下表面侧的阻焊剂层33的下表面设置突起部37。这些突起部19以及37由与上述的第1个示例中的突起部26相同的形状以及材料构成。
控制基板10的突起部19以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B的下表面抵接。天线基板30的突起部37以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B的上表面抵接。
如此,在本例的天线模块中,控制基板10在其上表面具有以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B抵接的多个突起部19。天线基板30在其下表面具有以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B抵接的多个突起部37。通过这些突起部19以及37将控制基板10与天线基板30的间隔G1、G2保持成固定。由此根据本例的天线模块,在控制基板10与天线基板30之间不会发生距离的偏差或倾斜。因此根据本例的天线模块,能提供具有稳定的收发特性的天线模块。
接下来将本公开的实施方式的第3个示例在图8示出概略分解截面图以及概略截面图。在图8所示的示例中,对与上述的第1个示例相同的部位标注相同的附图标记,省略其详细的说明。
在本例中,在控制基板10的上表面侧的阻焊剂层14的上表面设置突起部19。在框架基板20的上表面侧的阻焊剂层23的上表面设置突起部26。这些突起部19以及26由与上述的第1个示例中的突起部26相同形状以及材料构成。
控制基板10的突起部19以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B的下表面抵接。框架基板20的突起部26以一定的高度与天线基板30的下表面抵接。
如此,在本例的天线模块中,控制基板10在其上表面具有以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B抵接的多个突起部19。框架基板20在其上表面具有以一定的高度与天线基板30抵接的多个突起部26。通过这些突起部19以及26将控制基板10与天线基板30的间隔G1、G2保持成固定。为此根据本例的天线模块,不会在控制基板10与天线基板30之间发生距离的偏差或倾斜。因此根据本例的天线模块,能提供具有稳定的收发特性的天线模块。
接下来将本公开的实施方式的第4个示例在图9以概略分解截面图以及概略截面图示出。在图9所示的示例中,对与上述的第1个示例相同的部位标注相同附图标记,省略其详细的说明。
在本例中,在框架基板20的下表面侧的阻焊剂层23的下表面设置突起部26。在天线基板30的下表面侧的阻焊剂层33的下表面设置突起部37。这些突起部26以及37由与上述的第1个示例中的突起部26相同的形状以及材料构成。
框架基板20的突起部26以一定的高度与控制基板10的上表面抵接。天线基板30的突起部37以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B的上表面抵接。
如此,在本例的天线模块中,框架基板20在其下表面具有以一定的高度与控制基板10抵接的多个突起部26。天线基板30在其下表面具有以一定的高度与框架主体20A以及棂格部20B抵接的多个突起部37。通过这些突起部26以及37将控制基板10与天线基板30的间隔G1、G2保持成固定。为此根据本例的天线模块,不会在控制基板10与天线基板30之间发生距离的偏差或倾斜。因此,根据本例的天线模块,能提供具有稳定的收发特性的天线模块。
本公开的天线模块中,框架基板在框架主体的内周间具有棂格部,并且在框架主体以及棂格部与控制基板以及天线基板之间设置以一定的高度与对方的控制基板、框架基板、天线基板抵接的突起部。为此,不会在控制基板与天线基板之间发生距离的偏差或倾斜。其结果,本公开的天线模块成为具有所期望的频率带中的高频信号的稳定的收发特性的天线模块。
另外,本公开并不限定于上述的各例的天线模块,能在权利要求书记载的范围内进行种种变更或改良。例如在上述的各例中,控制基板10、框架基板20和天线基板30通过由焊料所构成的接合构件41以及热固化性树脂构成的接合构件42的2种类的接合构件接合。但也可以不同于此,如图10所示那样,控制基板10、框架基板20和天线基板30仅通过由热固化性树脂构成的接合构件42接合。在该情况下,能使天线模块中的控制基板10、框架基板20和天线基板30的接合方法更加简便。
在上述的各例中,突起部19、26、37是圆锥台形状,但也可以是圆柱、角锥台、棱柱等或十字形柱这样其他形状。
在上述的各例中,半导体元件15内置于控制基板10,但半导体元件15也可以搭载于控制基板的上表面以及/或者下表面。
进而在上述的各例中,框架基板接合焊盘17、外部连接焊盘18、控制基板接合焊盘24、天线基板接合焊盘25、框架基板接合焊盘35的形状可以是圆形以外的形状。
附图标记的说明
10 控制基板
20 框架基板
20A 框架主体
20B 棂格部
19、26、37 突起部
30 天线基板
15 半导体元件
41、42 接合构件
16、34 天线图案

Claims (15)

1.一种天线模块,其特征在于,具备:
平板状的控制基板,其内置或搭载半导体元件;
框架基板,其经由接合构件与该控制基板的上表面接合,使所述控制基板的上表面中央部露出;和
平板状的天线基板,其经由接合构件与该框架基板的上表面接合,使得与所述控制基板对置,多个天线图案沿着上表面以及下表面配置,
所述框架基板具有:
沿着所述控制基板的外周部的框状的框架主体;和
跨架于该框架主体的内周间的加固用的棂格部,
并且,在所述框架主体以及所述棂格部具有以一定的高度与所述控制基板抵接的多个突起部以及以一定的高度与所述天线基板抵接的多个突起部。
2.根据权利要求1所述的天线模块,其特征在于,
所述框架基板在其上下表面被覆阻焊剂层,并且所述突起部位于该阻焊剂层上。
3.根据权利要求2所述的天线模块,其特征在于,
所述突起部由与所述阻焊剂层相同材的料构成。
4.一种天线模块,其特征在于,具备:
平板状的控制基板,其内置或搭载半导体元件;
框架基板,其经由接合构件与该控制基板的上表面接合,使所述控制基板的上表面中央部露出;和
平板状的天线基板,其经由接合构件与该框架基板的上表面接合,使得与所述控制基板对置,多个天线图案沿着上表面以及下表面配置,
所述框架基板具有:
沿着所述控制基板的外周部的框状的框架主体;和
跨架于该框架主体的内周间的加固用的棂格部,
所述控制基板以及所述天线基板在与所述框架基板对置的面具有以一定的高度与所述框架主体以及所述棂格部抵接的多个突起部。
5.根据权利要求4所述的天线模块,其特征在于,
所述控制基板以及所述天线基板在与所述框架基板对置的面被覆阻焊剂层,所述突起部位于该阻焊剂层上。
6.根据权利要求5所述的天线模块,其特征在于,
所述突起部由与所述阻焊剂层相同的材料构成。
7.一种天线模块,其特征在于,具备:
平板状的控制基板,其内置或搭载半导体元件;
框架基板,其经由接合构件与该控制基板的上表面接合,使所述控制基板的上表面中央部露出;和
平板状的天线基板,其经由接合构件与该框架基板的上表面接合,使得与所述控制基板对置,多个天线图案沿着上表面以及下表面配置,
所述框架基板具有:
沿着所述控制基板的外周部的框状的框架主体;和
跨架于该框架主体的内周间的加固用的棂格部;
并且,在所述框架主体以及所述棂格部的上表面具有以一定的高度与所述天线基板抵接的多个突起部,
所述控制基板在其上表面具有以一定的高度与所述框架主体以及所述棂格部抵接的多个突起部。
8.根据权利要求7所述的天线模块,其特征在于,
所述框架基板以及所述控制基板在具有所述突起部的面被覆阻焊剂层,所述突起部位于该阻焊剂层上。
9.根据权利要求8所述的天线模块,其特征在于,
所述突起部由与所述阻焊剂层相同的材料构成。
10.一种天线模块,其特征在于,具备:
平板状的控制基板,其内置或搭载半导体元件;
框架基板,其经由接合构件与该控制基板的上表面接合,使所述控制基板的上表面中央部露出;和
平板状的天线基板,其经由接合构件与该框架基板的上表面接合,使得与所述控制基板对置,多个天线图案沿着上表面以及下表面配置,
所述框架基板具有:
沿着所述控制基板的外周部的框状的框架主体;和
跨架于该框架主体的内周间的加固用的棂格部,
并且在所述框架主体以及所述棂格部的下表面具有以一定的高度与所述控制基板抵接的多个突起部,
所述天线基板在其下表面具有以一定的高度与所述框架主体以及所述棂格部抵接的多个突起部。
11.根据权利要求10所述的天线模块,其特征在于,
所述框架基板以及所述天线基板在具有所述突起部的面被覆阻焊剂层,所述突起部位于该阻焊剂层上。
12.根据权利要求11所述的天线模块,其特征在于,
所述突起部由与所述阻焊剂层相同的材料构成。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的天线模块,其特征在于,
所述接合构件由焊料或热固化性树脂构成。
14.根据权利要求1~12中任一项所述的天线模块,其特征在于,
所述突起部是圆锥台形状、圆柱、角锥台、棱柱等、十字形柱这样其他任意的形状。
15.根据权利要求1~12中任一项所述的天线模块,其特征在于,
所述半导体元件搭载于所述控制基板的上表面以及下表面的至少任一者的面。
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