[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN109845105B - 弹性波滤波器装置 - Google Patents

弹性波滤波器装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109845105B
CN109845105B CN201780062682.0A CN201780062682A CN109845105B CN 109845105 B CN109845105 B CN 109845105B CN 201780062682 A CN201780062682 A CN 201780062682A CN 109845105 B CN109845105 B CN 109845105B
Authority
CN
China
Prior art keywords
elastic wave
band
pass filter
antenna terminal
resonator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201780062682.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109845105A (zh
Inventor
高峰裕一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN109845105A publication Critical patent/CN109845105A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109845105B publication Critical patent/CN109845105B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/1457—Transducers having different finger widths
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
    • H03H7/0161—Bandpass filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/46—Networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02637—Details concerning reflective or coupling arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14538—Formation
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14576—Transducers whereby only the last fingers have different characteristics with respect to the other fingers, e.g. different shape, thickness or material, split finger
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6483—Ladder SAW filters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B1/00—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
    • H04B1/005—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges
    • H04B1/0053—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band
    • H04B1/0057—Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission adapting radio receivers, transmitters andtransceivers for operation on two or more bands, i.e. frequency ranges with common antenna for more than one band using diplexing or multiplexing filters for selecting the desired band

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

本发明提供一种弹性波滤波器装置，其能够降低比带通型滤波器的通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够抑制与上述带通型滤波器公共连接的其它带通型滤波器的插入损耗的劣化。本发明的弹性波滤波器装置具备：第一带通型滤波器，具有连接在天线端子与第一信号端子之间的第一弹性波谐振器，并具有第一通带；以及第二带通型滤波器，与天线端子连接，并具有比第一通带靠高频侧的第二通带。第一弹性波谐振器具有：基板，在表面具备压电薄膜(7)；IDT电极(5)，设置在该基板上；以及反射器(6a、6b)。在配置于最靠天线端子侧的第一弹性波谐振器(串联臂谐振器(S5))的IDT电极(5)以及反射器(6a、6b)中的至少一者中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。

Description

弹性波滤波器装置
技术领域
本发明涉及具有多个带通型滤波器的弹性波滤波器装置。
背景技术
以往，弹性波滤波器装置被广泛用作便携式电话机的滤波器等。在下述的专利文献1记载的弹性波滤波器装置中，多个声表面波滤波器在天线端子侧被公共连接。另外，上述多个声表面波滤波器为带通型滤波器。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-028896号公报
发明内容
发明要解决的课题
在声表面波滤波器中，多数情况下在比谐振频率靠高频侧的阻带中产生纹波。在多个声表面波滤波器被公共连接的情况下，由于在声表面波滤波器中产生的纹波的影响，有时在与上述声表面波滤波器公共连接的其它声表面波滤波器的通带中也产生纹波。因此，在专利文献1所记载的那样的弹性波滤波器装置中，有时被公共连接的声表面波滤波器的插入损耗会劣化。
本发明的目的在于，提供一种弹性波滤波器装置，其能够降低比带通型滤波器的通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够抑制与上述带通型滤波器公共连接的其它带通型滤波器的插入损耗的劣化。
用于解决课题的技术方案
本发明涉及的弹性波滤波器装置具备：天线端子，与天线连接；第一信号端子，与所述天线端子电连接；第二信号端子，与所述天线端子电连接；第一带通型滤波器，具有连接在所述天线端子与所述第一信号端子之间的至少一个第一弹性波谐振器，且具有第一通带；以及第二带通型滤波器，连接在所述天线端子与所述第二信号端子之间，并具有比所述第一通带靠高频侧的第二通带，所述第一带通型滤波器具有在至少一部分具有压电性的基板，所述第一弹性波谐振器具有设置在所述基板上的IDT电极和配置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧的反射器，在配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器的所述IDT电极以及所述反射器中的至少一者中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的某个特定的方面中，在所述IDT电极中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的方面中，所述反射器的电极指间距与所述IDT电极的电极指间距的平均值不同。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中，在所述反射器中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。在该情况下，能够更进一步降低比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够更进一步抑制第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的另一个特定的方面中，所述IDT电极与所述反射器之间的距离比由所述IDT电极的电极指间距规定的波长的平均值的0.5倍短。在该情况下，能够更进一步降低比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够更进一步抑制第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中，所述第一带通型滤波器具有第二弹性波谐振器，所述第二弹性波谐振器连接在将所述天线端子和所述第一信号端子连接的串联臂与接地电位之间，在比配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器靠所述第一信号端子侧，配置有所述第二弹性波谐振器。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中，所述第一带通型滤波器具有第二弹性波谐振器，所述第二弹性波谐振器连接在将所述天线端子和所述第一信号端子连接的串联臂与接地电位之间，在比配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器靠所述天线端子侧，配置有所述第二弹性波谐振器。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中，所述第一带通型滤波器为梯型滤波器，所述第一弹性波谐振器为串联臂谐振器，所述第二弹性波谐振器为并联臂谐振器。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中，所述第一带通型滤波器还具有连接在所述天线端子与所述第一信号端子之间的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，所述第一通带由所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器构成。
在本发明涉及的弹性波滤波器装置的又一个特定的方面中，还具备与所述天线端子连接的、所述第一带通型滤波器、所述第二带通型滤波器以外的至少一个带通型滤波器。
发明效果
根据本发明，能够提供一种弹性波滤波器装置，其能够降低比带通型滤波器的通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够抑制与上述带通型滤波器公共连接的其它带通型滤波器的插入损耗的劣化。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的示意性电路图。
图2是本发明的第一实施方式中的第一带通型滤波器的电路图。
图3是本发明的第一实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的示意性主视剖视图。
图4是示出本发明的第一实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
图5是示出本发明的第一实施方式以及比较例中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的阻抗频率特性的图。
图6是图5的放大图。
图7是示出本发明的第一实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
图8是示出本发明的第一实施方式以及比较例中的第一带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
图9是本发明的第一实施方式的变形例中的第一带通型滤波器的电路图。
图10是示出本发明的第二实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
图11是示出本发明的第一实施方式、第二实施方式以及比较例中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的阻抗频率特性的图。
图12是图11的放大图。
图13是示出本发明的第三实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
图14是示出本发明的第一实施方式、第三实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
图15是示出本发明的第四实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
图16是示出本发明的第四实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
图17是示出本发明的第五实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
图18是示出本发明的第五实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
图19是本发明的第六实施方式中的第一带通型滤波器的电路图。
具体实施方式
以下，通过参照附图对本发明的具体的实施方式进行说明，从而明确本发明。
另外，需要指出的是，在本说明书记载的各实施方式为例示性的，能够在不同的实施方式间进行结构的部分置换或组合。
图1是本发明的第一实施方式涉及的弹性波滤波器装置的示意性电路图。
弹性波滤波器装置1具有与天线连接的天线端子3和与天线端子3电连接的第一信号端子4a、第二信号端子4b。弹性波滤波器装置1具有公共连接于天线端子3的第一带通型滤波器2a～第四带通型滤波器2d。第一带通型滤波器2a连接在天线端子3与第一信号端子4a之间，第二带通型滤波器2b连接在天线端子3与第二信号端子4b之间。
在本实施方式中，在第一带通型滤波器2a～第四带通型滤波器2d的连接点与天线端子3之间，连接有阻抗匹配用的电感器L1。另外，也可以不设置电感器L1。
第一带通型滤波器2a～第四带通型滤波器2d分别具有相互不同的第一通带～第四通带。第一通带是Band3的发送频带，为1710MHz以上且1785MHz以下。第二通带是比第一通带靠高频侧的Band1的发送频带，为1920MHz以上且1980MHz以下。第三通带是Band3的接收频带，为1805MHz以上且1880MHz以下。第四通带是Band1的接收频带，为2110MHz以上且2170MHz以下。另外，第一通带～第四通带并不限定于上述频带，只要第二通带比第一通带靠高频侧即可。
图2是第一实施方式中的第一带通型滤波器的电路图。
在本实施方式中，第一带通型滤波器2a是具有多个串联臂谐振器S1～S5以及多个并联臂谐振器P1～P4的梯型滤波器。多个串联臂谐振器S1～S5是本发明中的多个第一弹性波谐振器。多个并联臂谐振器P1～P4是本发明中的多个第二弹性波谐振器。
串联臂谐振器S1～S5相互串联地连接在天线端子3与第一信号端子4a之间。串联臂谐振器S5是配置于最靠天线端子3侧的串联臂谐振器。
并联臂谐振器P1～P4分别连接在将天线端子3和第一信号端子4a连接的串联臂与接地电位之间。更具体地，在串联臂谐振器S1和串联臂谐振器S2之间的连接点与接地电位之间，连接有并联臂谐振器P1。在串联臂谐振器S2和串联臂谐振器S3之间的连接点与接地电位之间，连接有并联臂谐振器P2。在串联臂谐振器S3和串联臂谐振器S4之间的连接点与接地电位之间，连接有并联臂谐振器P3。在串联臂谐振器S4和串联臂谐振器S5之间的连接点与接地电位之间，连接有并联臂谐振器P4。
第一带通型滤波器2a具有连接在并联臂谐振器P2～P4的接地电位侧的电感器L2。在并联臂谐振器P2～P4与接地电位之间，连接有电感器L2。
另外，第一带通型滤波器2a只要具有配置于最靠天线端子3侧的第一弹性波谐振器即可，并不限定于上述的电路结构。第二带通型滤波器～第四带通型滤波器的电路结构也没有特别限定。
本实施方式的特征在于串联臂谐振器S5的后述的IDT电极的结构。以下，对第一带通型滤波器2a以及串联臂谐振器S5的更具体的结构进行说明。
图3是第一实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的示意性主视剖视图。
第一带通型滤波器具备在至少一部分具有压电性的基板。本实施方式中的基板在表面具备压电薄膜7，并由所传播的体波(bulk wave)的声速与在压电薄膜7传播的弹性波的声速相比为低速的低声速膜8、以及所传播的体波的声速与在压电薄膜7传播的弹性波的声速相比为高速的支承基板9等的层叠体构成。压电薄膜7由切角为50°的LiTaO3构成。另外，压电薄膜7的切角以及材料并不限定于上述切角以及材料。压电薄膜7例如也可以由LiNbO3等LiTaO3以外的压电单晶构成，或者还可以由适当的压电陶瓷构成。
低声速膜8由氧化硅构成。另外，低声速膜8只要由相对低声速的材料构成即可，例如，由以玻璃、氮氧化硅或氧化钽中加入了氟、碳、硼的化合物为主成分的材料等构成。
支承基板9由Si构成。另外，支承基板9只要由相对高声速的材料构成即可，例如，由以氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮氧化硅、DLC膜或金刚石为主成分的材料等构成。
像这样，通过具有层叠了压电薄膜7、低声速膜8以及由高声速材料构成的支承基板9的构造，从而能够有效地封闭弹性波的能量。此外，基板也可以在基板整体具有压电性。在该情况下，基板为由一层压电体层构成的压电薄膜。
在压电薄膜7上设置有IDT电极5。通过对IDT电极5施加交流电压，从而激励弹性波。在IDT电极5的弹性波传播方向两侧，设置有反射器6a、6b。由此，构成了串联臂谐振器S5。
IDT电极5以及反射器6a、6b由层叠了多个金属层的层叠金属膜构成。更具体地，IDT电极5以及反射器6a、6b具有设置在压电薄膜7上的Ti层和设置在Ti层上的AlCu层。本实施方式中的AlCu层是在A1中包含1重量％的Cu的合金。另外，IDT电极5以及反射器6a、6b也可以由上述以外的适当的金属构成，还可以由单层的金属膜构成。IDT电极5和反射器6a、6b也可以由相互不同的材料构成。
在压电薄膜7上设置有电介质膜10，使得覆盖IDT电极5以及反射器6a、6b。电介质膜10没有特别限定，由SiO2构成。电介质膜10例如作为保护膜而发挥功能。另外，也可以不设置电介质膜10。
第一带通型滤波器中的各层的厚度如下。IDT电极5的Ti层的厚度为2nm，AlCu层的厚度为162nm。电介质膜10的厚度为25nm。压电薄膜7的厚度为600nm。低声速膜8的厚度为670nm。支承基板9的厚度为125μm。另外，上述各层的厚度并不限定于上述厚度。
图4是示出第一实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。另外，在图4中，省略了电介质膜。在后述的各示意性俯视图中也是同样的。
IDT电极5具有多个电极指5a1。在串联臂谐振器S5中，IDT电极5的电极指间距随着朝向弹性波传播方向外侧而变宽。更具体地，弹性波传播方向中央的电极指间距为1.07μm，弹性波传播方向上的最外侧的电极指间距为1.072μm。IDT电极5的电极指间距的平均值为1.071μm。另一方面，反射器6a、6b也分别具有多个电极指6a1、6b1。反射器6a、6b的电极指间距是恒定的，为1.071μm。像这样，反射器6a、6b的电极指间距与IDT电极5的电极指间距的平均值相同。反射器6a与IDT电极5之间的距离以及反射器6b与IDT电极5之间的距离也与IDT电极5的电极指间距的平均值相同。
另一方面，IDT电极5以及反射器6a、6b的占空比在本实施方式中是恒定的。另外，IDT电极5以及反射器6a、6b的占空比未必一定要恒定。
图2所示的串联臂谐振器S1～S4以及并联臂谐振器P1～P4，除了IDT电极的电极指间距以外，也具有与串联臂谐振器S5同样的结构。将各弹性波谐振器的设计参数示于下述的表1。在此，将从弹性波传播方向观察IDT电极时相邻的电极指彼此重叠的区域的沿着电极指延伸的方向的尺寸设为交叉宽度。表1中的波长是由IDT电极或反射器的电极指间距规定的波长。IDT电极与反射器之间的距离是将IDT电极的波长设为λ并通过波长λ进行了归一化的值。另外，IDT电极与反射器之间的距离是IDT电极的最靠反射器侧的电极指和反射器的最靠IDT电极侧的电极指的电极指中心间距离。
[表1]
Figure BDA0002022786990000081
另外，各个电极指间距、占空比并不限定于表1的值，只要根据所希望的滤波器特性来决定即可。
在本实施方式中，图1所示的第三带通型滤波器2c与第一带通型滤波器2a构成于同一基板。另一方面，第二带通型滤波器2b、第四带通型滤波器2d构成于与第一带通型滤波器2a、第三带通型滤波器2c不同的基板。第二带通型滤波器2b、第四带通型滤波器2d构成于由切角为42°以上且45°以下的LiTaO3构成的在表面具有压电薄膜的基板。
另外，第二带通型滤波器2b～第四带通型滤波器2d的结构没有特别限定。例如，第一带通型滤波器2a～第四带通型滤波器2d也可以构成于同一基板，或者还可以分别构成于不同的基板。
返回到图4，本实施方式的特征在于，在配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器S5的IDT电极5中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。由此，能够降低比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够抑制与第一带通型滤波器公共连接的第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。以下，通过对本实施方式和比较例进行比较而对此进行说明。
比较例的弹性波滤波器装置除了配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的IDT电极的电极指间距为1.071μm且恒定这一点以外，具有与第一实施方式的弹性波滤波器装置同样的结构。另外，比较例的上述串联臂谐振器的IDT电极的电极指间距与第一实施方式中的配置于最靠天线侧的串联臂谐振器的IDT电极的电极指间距的平均值相同。
图5是示出第一实施方式以及比较例中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的阻抗频率特性的图。图6是图5的放大图。图7是示出第一实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。在图5～图7中，实线示出第一实施方式的结果，虚线示出比较例的结果。另外，在后述的图8、图11、图12以及图14中也是同样的。
如图5以及图6所示，在比较例的串联臂谐振器中，在位于比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带的1920MHz附近，产生了纹波。如图7所示，可知由于上述纹波的影响，在比较例的第二带通型滤波器的第二通带内产生了纹波，插入损耗劣化。像这样，在配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器中产生的纹波对与第一带通型滤波器公共连接的其它带通型滤波器的影响特别大。
相对于此，在第一实施方式中，在第一带通型滤波器的连接于最靠天线端子侧的串联臂谐振器中，IDT电极的至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。由此，如图5以及图6所示，能够通过将比第一通带靠高频侧的阻带中的纹波分散而对其进行抑制。由此，如图7所示，能够在第二带通型滤波器的第二通带中抑制插入损耗的劣化。
图8是示出第一实施方式以及比较例中的第一带通型滤波器的衰减量频率特性的图。
如图8所示，可知在第一通带中，第一实施方式的衰减量频率特性与比较例的衰减量频率特性大致相同，基本上未产生第一带通型滤波器的插入损耗的劣化。如图5所示，可知在第一实施方式中，在上述串联臂谐振器的谐振频率处产生了纹波，但是其影响极小。
可是，在第一实施方式中，并联臂谐振器P1～P4全都配置在比串联臂谐振器S5靠第一信号端子4a侧。另一方面，在图9所示的第一实施方式的变形例中，第一带通型滤波器72a具有并联臂谐振器P75，并联臂谐振器P75连接在天线端子3和串联臂谐振器S5之间的连接点与接地电位之间。像这样，也可以在比串联臂谐振器S5靠天线端子3侧配置有并联臂谐振器P75。
如上所述，第一通带、第二通带没有特别限定。不过，在第二通带中，在比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带产生的纹波的影响大的情况下，能够特别合适地应用本发明。
图10是示出第二实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
第二实施方式涉及的弹性波滤波器装置的不同点在于，第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的IDT电极25具有第一区域A～第三区域C。除了上述的方面以外，第二实施方式的弹性波滤波器装置具有与第一实施方式的弹性波滤波器装置1同样的结构。
第一区域A是IDT电极25的位于弹性波传播方向上的最外侧的区域。IDT电极25具有包含弹性波传播方向上的一端部的第一区域A和包含另一端部的第一区域A这两个第一区域A。第二区域B是位于比第一区域A靠弹性波传播方向内侧且与第一区域A相邻的区域。IDT电极25具有两个第二区域B。第三区域C是位于最靠弹性波传播方向内侧的区域，且是被两个第二区域B夹着的区域。
IDT电极25的电极指间距在第一区域A中为1.072μm，在第二区域B中为1.071μm，在第三区域C中为1.07μm。在第一区域A内，电极指间距是恒定的。同样地，在第二区域B内以及第三区域C内，电极指间距也分别是恒定的。另外，在本实施方式中，IDT电极25的占空比是恒定的。
像这样，优选具有电极指间距恒定的多个区域，且该多个区域间的电极指间距不同。在该情况下，能够更进一步抑制比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带中的纹波，并能够更进一步抑制与第一带通型滤波器公共连接的第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。将其通过下述的图11以及图12来示出。另外，在图11以及图12也一并示出第一实施方式以及比较例的结果。
图11是示出第一实施方式、第二实施方式以及比较例中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的阻抗频率特性的图。图12是图11的放大图。在图11以及图12中，单点划线示出第二实施方式的结果。
如图11以及图12所示，在第二实施方式中，能够更进一步抑制比第一通带靠高频侧的阻带中的纹波。因此，能够更进一步抑制第二带通型滤波器的通带中的插入损耗的劣化。
图13是示出第三实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
第三实施方式涉及的弹性波滤波器装置的不同点在于，第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的反射器36a、36b的电极指间距大于IDT电极5的电极指间距的平均值。除了上述的方面以外，第三实施方式的弹性波滤波器装置具有与第一实施方式的弹性波滤波器装置1同样的结构。
更具体地，反射器36a、36b的电极指间距为1.079μm，大于作为IDT电极5的电极指间距的平均值的1.071μm。像这样，在本实施方式中，在IDT电极5中至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同，且反射器36a、36b的电极指间距与IDT电极5的电极指间距的平均值不同。由此，能够更进一步抑制比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够更进一步抑制与第一带通型滤波器公共连接的第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。将其示于下述的图14。另外，在图14也一并示出第一实施方式以及比较例的结果。
图14是示出第一实施方式、第三实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。在图14中，单点划线示出第三实施方式的结果。
如图14所示，可知在第三实施方式中，能够更进一步抑制第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。
图15是示出第四实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
在第四实施方式涉及的弹性波滤波器装置中，在第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器S45中，IDT电极5和反射器6a之间的距离以及IDT电极5和反射器6b之间的距离与第一实施方式不同。除了上述的方面以外，第四实施方式的弹性波滤波器装置具有与第一实施方式的弹性波滤波器装置1同样的结构。
如上所述，在第一实施方式中，IDT电极5和反射器6a之间的距离以及IDT电极5和反射器6b之间的距离与IDT电极5的电极指间距的平均值相同。另一方面，在本实施方式中，IDT电极5和反射器6a之间的距离以及IDT电极5和反射器6b之间的距离为IDT电极5的电极指间距的平均值的0.47倍。
在本实施方式中，IDT电极5的至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同，且IDT电极5和反射器6a之间的距离以及IDT电极5和反射器6b之间的距离比IDT电极5的电极指间距的平均值的0.5倍短。由此，能够更进一步抑制比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够更进一步抑制与第一带通型滤波器公共连接的第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。将其示于下述的图16。
图16是示出第四实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。在图14中，实线示出第四实施方式的结果，虚线示出上述的比较例的结果。
如图16所示，可知在第四实施方式中，能够抑制第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。
另外，IDT电极5和反射器6a之间的距离以及IDT电极5和反射器6b之间的距离优选为0.45λ以上。在该情况下，能够容易地形成串联臂谐振器S45。
虽然在第一实施方式～第四实施方式中，IDT电极的弹性波传播方向外侧的区域的电极指间距大于弹性波传播方向中央侧的区域的电极指间距，但是电极指间距不同的方式并不限定于此。例如，也可以是弹性波传播方向外侧的区域的电极指间距小于弹性波传播方向中央侧的区域的电极指间距。
虽然在第一实施方式～第四实施方式中，IDT电极的至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同，但是也可以是反射器的至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。以下示出该例子。
图17是示出第五实施方式中的第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的电极构造的示意性俯视图。
在第五实施方式涉及的弹性波滤波器装置中，第一带通型滤波器的配置于最靠天线端子侧的串联臂谐振器的IDT电极55的电极指间距是恒定的。上述串联臂谐振器的反射器56a、56b具有区域D，区域D的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。在这些方面，第五实施方式的弹性波滤波器装置与第一实施方式不同。除了上述的方面以外，第五实施方式的弹性波滤波器装置具有与第一实施方式的弹性波滤波器装置1同样的结构。
在本实施方式中，由IDT电极55的电极指间距规定的波长为2.142μm。由反射器56a、56b中的区域D的电极指间距规定的波长为2.174μm，由其它部分的电极指间距规定的波长为2.142μm。另外，虽然在图17中进行了示意性的示出，但是反射器56a的电极指为21根，区域D位于弹性波传播方向中央的7根电极指的部分。反射器56b具有与反射器56a同样的结构。
像这样，在本实施方式中，IDT电极55的电极指间距是恒定的，且反射器56a、56b的至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。在该情况下，也能够抑制比第一带通型滤波器的第一通带靠高频侧的阻带中的纹波，并能够抑制与第一带通型滤波器公共连接的第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。将其示于下述的图18。
图18是示出第五实施方式以及比较例中的第二带通型滤波器的衰减量频率特性的图。在图18中，实线示出第五实施方式的结果，虚线示出上述的比较例的结果。
如图18所示，可知在第五实施方式中，也能够抑制第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。
如第一实施方式～第五实施方式中所示，在第一带通型滤波器中，只要在IDT电极以及反射器中的至少一者中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同即可。由此，能够得到上述的本发明的效果。
虽然在第一实施方式～第五实施方式中，第一带通型滤波器为梯型滤波器，但是第一带通型滤波器也可以是第一通带由纵向耦合谐振器型弹性波滤波器构成的带通型滤波器。以下示出该例子。
图19是第六实施方式中的第一带通型滤波器的电路图。
在第六实施方式涉及的弹性波滤波器装置中，第一带通型滤波器62a的结构与第一实施方式不同。除了上述的方面以外，第六实施方式的弹性波滤波器装置具有与第一实施方式的弹性波滤波器装置1同样的结构。
第一带通型滤波器62a具有连接在天线端子3与第一信号端子4a之间的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器67。第一带通型滤波器62a的第一通带由纵向耦合谐振器型弹性波滤波器67构成。在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器67与天线端子3之间，相互串联地连接有弹性波谐振器S61、S62。在弹性波谐振器S61和弹性波谐振器S62之间的连接点与接地电位之间，连接有弹性波谐振器P61。在纵向耦合谐振器型弹性波滤波器67和第一信号端子4a之间的连接点与接地电位之间，连接有弹性波谐振器P62。
在本实施方式中，弹性波谐振器S61、S62为本发明中的第一弹性波谐振器，弹性波谐振器P61、P62为本发明中的第二弹性波谐振器。弹性波谐振器S61为配置于最靠天线端子3侧的第一弹性波谐振器。弹性波谐振器S61具有与第一实施方式中的串联臂谐振器S5同样的结构。由此，能够降低比第一带通型滤波器62a的第一通带靠高频侧的阻带的纹波，并能够抑制与第一带通型滤波器62a公共连接的第二带通型滤波器的插入损耗的劣化。
另外，第一带通型滤波器62a只要具有至少一个第一弹性波谐振器即可。第一带通型滤波器62a也可以不具有第二弹性波谐振器。
虽然在第一实施方式～第六实施方式中，示出了弹性波滤波器装置为具有第一带通型滤波器～第四带通型滤波器的四工器的例子，但是弹性波滤波器装置也可以是四工器以外的多工器。此外，本发明涉及的弹性波滤波器装置只要至少具有上述第一带通型滤波器和第二通带比第一通带靠高频侧的第二带通型滤波器即可。
附图标记说明
1：弹性波滤波器装；
2a～2d：第一带通型滤波器～第四带通型滤波器；
3：天线端子；
4a、4b：第一信号端子、第二信号端子；
5：IDT电极；
5a1：电极指；
6a、6b：反射器；
6a1、6b1：电极指；
7：压电薄膜；
8：低声速膜；
9：支承基板；
10：电介质膜；
25：IDT电极；
36a、36b：反射器；
55：IDT电极；
56a、56b：反射器；
62a：第一带通型滤波器；
67：纵向耦合谐振器型弹性波滤波器；
72a：第一带通型滤波器；
L1、L2：电感器；
P1～P4、P75：并联臂谐振器；
P61、P62：弹性波谐振器；
S1～S5、S45：串联臂谐振器；
S61、S62：弹性波谐振器。

Claims (9)

1.一种弹性波滤波器装置，具备：
天线端子，与天线连接；
第一信号端子，与所述天线端子电连接；
第二信号端子，与所述天线端子电连接；
第一带通型滤波器，具有连接在所述天线端子与所述第一信号端子之间的多个第一弹性波谐振器，且具有第一通带；以及
第二带通型滤波器，连接在所述天线端子与所述第二信号端子之间，并具有比所述第一通带靠高频侧的第二通带，
所述第一带通型滤波器具有在至少一部分具有压电性的基板，所述第一弹性波谐振器具有设置在所述基板上的IDT电极和配置在所述IDT电极的弹性波传播方向两侧的反射器，
在多个所述第一弹性波谐振器中的、配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器的所述IDT电极以及所述反射器中的至少一者中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同，
在多个所述第一弹性波谐振器中的、配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器的所述IDT电极具有在弹性波传播方向上排列的三种以上的区域，在相同的区域内电极指间距相同，在不同的区域间电极指间距不同。
2.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述反射器的电极指间距与所述IDT电极的电极指间距的平均值不同。
3.根据权利要求1所述的弹性波滤波器装置，其中，
在所述反射器中，至少一部分的电极指间距与其它部分的电极指间距不同。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述IDT电极与所述反射器之间的距离比由所述IDT电极的电极指间距规定的波长的平均值的0.5倍短。
5.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第一带通型滤波器具有：第二弹性波谐振器，连接在将所述天线端子和所述第一信号端子连接的串联臂与接地电位之间，
在比配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器靠所述第一信号端子侧，配置有所述第二弹性波谐振器。
6.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第一带通型滤波器具有：第二弹性波谐振器，连接在将所述天线端子和所述第一信号端子连接的串联臂与接地电位之间，
在比配置于最靠所述天线端子侧的所述第一弹性波谐振器靠所述天线端子侧，配置有所述第二弹性波谐振器。
7.根据权利要求5所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第一带通型滤波器为梯型滤波器，所述第一弹性波谐振器为串联臂谐振器，所述第二弹性波谐振器为并联臂谐振器。
8.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
所述第一带通型滤波器还具有连接在所述天线端子与所述第一信号端子之间的纵向耦合谐振器型弹性波滤波器，所述第一通带由所述纵向耦合谐振器型弹性波滤波器构成。
9.根据权利要求1～3中的任一项所述的弹性波滤波器装置，其中，
还具备与所述天线端子连接的、所述第一带通型滤波器、所述第二带通型滤波器以外的至少一个带通型滤波器。
CN201780062682.0A 2016-10-13 2017-09-29 弹性波滤波器装置 Active CN109845105B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-201710 2016-10-13
JP2016201710 2016-10-13
PCT/JP2017/035498 WO2018070273A1 (ja) 2016-10-13 2017-09-29 弾性波フィルタ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109845105A CN109845105A (zh) 2019-06-04
CN109845105B true CN109845105B (zh) 2023-06-13

Family

ID=61905641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780062682.0A Active CN109845105B (zh) 2016-10-13 2017-09-29 弹性波滤波器装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10812043B2 (zh)
JP (1) JP7008633B2 (zh)
KR (1) KR102399689B1 (zh)
CN (1) CN109845105B (zh)
WO (1) WO2018070273A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11349452B2 (en) * 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
JP7250533B2 (ja) * 2019-01-21 2023-04-03 京セラ株式会社 弾性波装置
JP7344662B2 (ja) 2019-03-26 2023-09-14 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
US11881836B2 (en) * 2019-11-25 2024-01-23 Skyworks Solutions, Inc. Cascaded resonator with different reflector pitch
JP2021141500A (ja) * 2020-03-06 2021-09-16 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置およびそれを用いたマルチプレクサ
JP7188406B2 (ja) * 2020-03-06 2022-12-13 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置およびそれを用いたマルチプレクサ
WO2021200700A1 (ja) * 2020-03-31 2021-10-07 株式会社村田製作所 マルチプレクサ

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109458A (zh) * 2010-09-10 2013-05-15 株式会社村田制作所 弹性波分波器
CN104426501A (zh) * 2013-08-22 2015-03-18 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置以及双工器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2901181B2 (ja) * 1996-07-24 1999-06-07 五洋電子工業株式会社 アンテナ共用器
JP3224202B2 (ja) * 1996-11-28 2001-10-29 富士通株式会社 弾性表面波装置
JP3419339B2 (ja) 1999-03-11 2003-06-23 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、デュプレクサ、通信機装置
JP2005244669A (ja) * 2004-02-26 2005-09-08 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置
JP2005295203A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Tdk Corp デュプレクサ
US7339445B2 (en) * 2005-10-07 2008-03-04 Infineon Technologies Ag BAW duplexer without phase shifter
JP4943137B2 (ja) * 2006-12-25 2012-05-30 京セラ株式会社 分波器および通信装置
WO2010035372A1 (ja) * 2008-09-24 2010-04-01 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
CN102197593B (zh) * 2008-11-25 2014-10-08 株式会社村田制作所 弹性波滤波装置
JP2012028896A (ja) 2010-07-21 2012-02-09 Taiyo Yuden Co Ltd 分波器
US9978927B2 (en) 2013-11-26 2018-05-22 Kyocera Corporation Acoustic wave element, duplexer and communication device
JP6363378B2 (ja) 2014-04-10 2018-07-25 太陽誘電株式会社 マルチプレクサ
US10333487B2 (en) 2014-07-30 2019-06-25 Kyocera Corporation Acoustic wave element, filter element, and communication device
US9641151B2 (en) * 2014-07-31 2017-05-02 Skyworks Filter Solutions Japan Co., Ltd. Elastic wave filters and duplexers using same
WO2016104598A1 (ja) * 2014-12-26 2016-06-30 京セラ株式会社 弾性波装置
JP6658070B2 (ja) * 2016-02-24 2020-03-04 株式会社村田製作所 マルチプレクサ、送信装置および受信装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103109458A (zh) * 2010-09-10 2013-05-15 株式会社村田制作所 弹性波分波器
CN104426501A (zh) * 2013-08-22 2015-03-18 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置以及双工器

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190049761A (ko) 2019-05-09
WO2018070273A1 (ja) 2018-04-19
JPWO2018070273A1 (ja) 2019-06-24
US20190238116A1 (en) 2019-08-01
CN109845105A (zh) 2019-06-04
JP7008633B2 (ja) 2022-01-25
US10812043B2 (en) 2020-10-20
KR102399689B1 (ko) 2022-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11444598B2 (en) Acoustic wave filter
CN109845105B (zh) 弹性波滤波器装置
WO2019117133A1 (ja) マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
WO2018168836A1 (ja) 弾性波素子、弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
US11469736B2 (en) Acoustic wave device, filter, multiplexer, radio-frequency front-end circuit, and communication device
US8710940B2 (en) Elastic wave device having a capacitive electrode on the piezoelectric substrate
US10958241B2 (en) Extractor
US20170310305A1 (en) Elastic wave device
CN111527699B (zh) 弹性波滤波器
CN114270707A (zh) 弹性波装置
CN113228509B (zh) 滤波器装置
US20220216853A1 (en) Acoustic wave filter
US11996828B2 (en) Filter device
JP7103420B2 (ja) フィルタ装置およびマルチプレクサ
JP2018196028A (ja) 弾性波フィルタおよびマルチプレクサ
WO2018079284A1 (ja) ラダー型フィルタ、デュプレクサ及び弾性波フィルタ装置
CN217183269U (zh) 弹性波滤波器装置
US20230402992A1 (en) Acoustic wave filter and multiplexer
US20240364301A1 (en) Acoustic wave element, acoustic wave filter device, and multiplexer
US20240275362A1 (en) Filter device and multiplexer
WO2024080205A1 (ja) フィルタ装置
CN112805919B (zh) 弹性波装置、带通型滤波器、双工器以及多工器
JP2024104398A (ja) マルチプレクサ
CN117981222A (zh) 弹性波滤波器装置以及多工器
JP2023184052A (ja) 弾性波フィルタ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant