CN109755413B - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；一填充层，填充于所述阵列基板和所述彩膜基板之间，所述填充层中具有量子点材料；所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面设有发光二极管器件。本发明的有益效果在于本发明的显示面板及其制备方法在填充层内添加量子点材料，通过量子点本身较高色彩饱和度的特点提高显示面板整体的色域；采用单层结构取代现有技术中的三叠层结构，节省了工序同时提升了产出。

Description

一种显示面板及其制备方法

技术领域

本发明涉及发光显示领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。有机发光二极管显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。

目前有机发光二极管等自发光器件具有自发光，视角广，寿命长，节能环保，色域广等特点，目前有机发光二极管显示器与照明行业发展迅速，已成为重要的显示设计。

目前世面上主要的有机发光二极管产品分为两类：有机发光二极管和白光有机发光二极管。白光有机发光二极管主要应用于大尺寸有机发光二极管面板，因为不需要使用光罩，所以在量产上比较有优势。

目前白光有机发光二极管常见的结构如图1所示，一般为顶发光结构，为确保出光均匀性一般会添加填充剂使面内盒厚均匀。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种显示面板及其制备方法，以解决现有技术中通常需要在阵列基板上制作三层结构从而得到白光，制程工序复杂，产出量少的问题。

解决上述问题的技术方案是：本发明提供了一种显示面板，包括阵列基板；彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；一填充层，填充于所述阵列基板和所述彩膜基板之间，所述填充层中具有量子点材料；所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面设有发光二极管器件。

进一步地，所述显示面板还包括挡柱，所述挡柱支撑于所述阵列基板和所述彩膜基板之间；阻隔层，覆盖所述发光二极管器件上。

进一步地，所述显示面板还包括显示区，所述显示区中具有若干像素单元区域和围绕所述像素单元区域的非像素单元区域，所述填充层对应设于所述像素单元区域中；以及挡墙结构，设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间，所述挡墙结构位于非像素单元区域中且围绕所述像素单元区域。

进一步地，在所述显示区中，所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面设有黑色矩阵层以及设于所述黑色矩阵层中的色阻层；所述黑色矩阵层的位置对应所述挡墙结构。

进一步地，每一像素单元区域对应的挡墙结构，由若干段墙体围成，相邻两段墙体之间具有间隙，所述间隙宽度在1um～50um之间。

进一步地，两个相邻像素单元区域之间的挡墙结构上具有开孔或开槽，以连通这两个像素单元区域，所述开孔或开槽深度和宽度均在1um～50um之间。

进一步地，所述填充层中，所述量子点材料包括红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料；所述发光二极管器件为紫外线发光二极管器件；或所述量子点包括红色量子点和绿色量子点；所述发光二极管器件为蓝色发光二极管器件。

进一步地，所述阻隔层的材质为氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝等无机材料中的至少一种，其厚度为0.5um～1um。

进一步地，所述量子点的材料包括硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化锌、硒化锌、碲化锌、砷化镓、磷化镓、砷化镓、锑化镓、硫化汞、硒化汞、碲化汞、砷化铟、磷化铟、锑化铟、砷化铝、磷化砷、锑化铝中的至少一种。

本发明还提供了一种显示面板的制备方法，包括S1)提供阵列基板和彩膜基板；S2)在所述阵列基板上制作发光二极管器件；S3)在所述发光二极管器件表面制作一层阻隔层；S4)在所述彩膜基板上制作黑色矩阵层和色阻层；S5)在所述彩膜基板上的黑色矩阵层上利用丝网印刷、转印印刷或涂布曝光显影制程制作挡墙结构；S6)在所述彩膜基板上涂布紫外线胶和填充层，所述填充层中分布有量子点材料；S7)在真空压合设备中，组装所述彩膜基板和所述阵列基板。

本发明的优点是：本发明的显示面板，通过在阵列基板的彩膜基板之间添加填充层以使显示面板面内盒厚均匀；在填充层内添加量子点材料，通过量子点本身较高色彩饱和度的特点提高显示面板整体的色域；采用单层结构取代现有技术中的三叠层结构，节省了工序同时提升了产出；在发光二极管器件上覆盖阻隔层提高发光二极管器件上阻隔水氧的能力；在彩膜基板和阵列基板的非显示区域添加挡墙，一方面可以减少光线由于量子点散射导致的漏光现象，另一方面也可以阻隔水氧，提高量子点的寿命，同时也可以减少对显示面板开口率的影响；在挡墙上留出间隙或开设开孔用以使像素区域内部的填充层流通，从而使量子点均匀分布于每个子像素区域。本发明的显示面板的制作方法采用在彩膜基板上制作挡墙和添加填充层然后与阵列基板进行组合，更加方便的得到最终的显示面板。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明作进一步解释。

图1是实施例1中的显示面板整体示意图。

图2是实施例1中显示区示意图。

图3是实施例2中的显示面板整体示意图。

图4是实施例2中显示区示意图。

图5是实施例3中阵列基板形成发光二极管器件示意图。

图6是实施例3中阵列基板形成阻隔层示意图。

图7是实施例3中彩膜基板形成黑色矩阵层和色阻层示意图。

图8是实施例3中彩膜基板形成挡墙示意图。

图9是实施例3中彩膜基板添加含有量子点的填充层示意图。

图中

10 显示面板； 110 阵列基板；

120 彩膜基板； 130 填充层；

140 发光二极管器件； 150 挡墙结构；

160 挡柱； 121 显示区；

1211 像素单元区域； 1212 非像素单元区域；

122 黑色矩阵层； 123 色阻层；

131 量子点材料； 141 阻隔层；

151 墙体； 152 空隙；

153 开孔；

具体实施方式

以下实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「顶」、「底」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。

实施例1

如图1所示，本实施中，本发明的显示面板10包括阵列基板110、彩膜基板120、填充层130、发光二极管器件140、挡墙结构150和挡柱160。

所述阵列基板110与所述彩膜基板120相对设置，且所述阵列基板110相对所述彩膜基板120的一面设有用以产生光源的发光二极管器件140。

所述发光二极管器件140上覆有一层阻隔层141，所述阻隔层141的材质为氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝等无机材料中的至少一种，其厚度为0.5um～1um。所述阻隔层141用以提升所述发光二极管器件140阻隔水氧的能力。

所述挡柱160支撑于所述阵列基板110和所述彩膜基板120之间，用于阻隔水氧，无需额外的封装层来确保所述量子点材料131的寿命。

如图2所示，所述彩膜基板120还包括显示区121，所述显示区121具有若干像素单元区域1211和围绕所述像素单元区域1211的非像素单元区域1212，在所述显示区121中，所述彩膜基板120朝向所述阵列基板110的一面设有黑色矩阵层122以及设于所述黑色矩阵层122中的色阻层123，所述色阻层123包括红色色阻、绿色色阻以及蓝色色阻。

所述填充层130填充于所述阵列基板110与所述彩膜基板120之间以便使面内盒厚均匀，同时为了提升所述显示面板10发光面的色域程度，本实施例中，本发明在所述填充层130内添加有量子点材料131，常规使用的填充剂喷嘴半径约为0.3mm，而量子点尺寸一般在10nm以下，所示所述量子点材料131可被吐出，且由于量子点本身具有的较高的色彩饱和度，在所述填充层130添加所述量子点材料131可以极大的提高所述显示面板10的整体色域。

具体的，本实施例中，所述量子点材料131包括红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料，其材料包括硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化锌、硒化锌、碲化锌、砷化镓、磷化镓、砷化镓、锑化镓、硫化汞、硒化汞、碲化汞、砷化铟、磷化铟、锑化铟、砷化铝、磷化砷、锑化铝中的至少一种。

所述发光二极管器件140采用紫外线发光二极管器件，此时，所述发光二极管器件140发出的紫外光线经由所述量子点材料131散射形成最终白光。

然而，所述发光二极管器件140发出的紫外光线经由所述量子点材料131散射会导致邻近的非像素单元区域1212出现漏光现象，为了解决这一问题，本实施例中，本发明的所述挡墙结构150设于所述阵列基板110与所述彩膜基板120之间，所述挡墙150为扁平状矩形挡墙且位于所述非像素单元区域1212中并围绕所述像素单元区域1211，所述挡墙结构150在所述彩膜基板120上的投影完全落入所述黑色矩阵层122中，这样设计可以减少对显示面板10开口率的影响。

由于所述填充层130为液体干燥剂，且所述量子点材料131杂乱分布于所述填充层130内，为了使所述填充层130在所述像素单元区域1211内流动，本实施例中，本发明的所述挡墙结构150包括若干墙体151组成，相邻所述墙体151之间具有空隙152，所述空隙152设于每一像素单元区域1211的四个拐角处，所述墙体的宽度小于所述像素单元区域1211的宽度，所述空隙152的宽度在1um至50um之间，一般的量子点尺寸在10nm以下，所以所述空隙152完全可供所述量子点材料131从中流动。

实施例2

如图3和图4所示，本实施例与实施例1不同点在于，所述挡墙结构150封闭围绕于所述像素单元区域1211，且相邻的所述挡墙结构150上具有开孔153，所述开孔为半圆形或弧形，其深度和宽度均为1um至50um，所述开孔153连通相邻两个所述像素单元区域1211，用以使所述像素单元区域1211内的填充层130通过所述开孔153流通，所述填充层130内的所述量子点材料131可以均匀的分布于每个所述像素单元区域1211内。

实施例3

本实施例与实施例2结构大体相似，不同点在于，所述量子点材料131包括红色量子点材料和绿色量子点材料，所述发光二极管器件140采用蓝色发光二极管器件，所述发光二极管器件140发出的蓝色光线经由红色量子点材料和绿色量子点材料散射形成最终白光。

为了更好的解释本发明，本实施例中，本发明还包括一种显示面板的制备方法，包括：

S1)提供阵列基板110和彩膜基板120；

S2)如图5所示，在所述阵列基板110上制作发光二极管器件140；

S3)如图6所示，在所述发光二极管器件140表面制作一层阻隔层141，所述阻隔层141的材料可为氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝等无机材料；

S4)如图7所示，在所述彩膜基板120上制作黑色矩阵层122和色阻层123；

S5)如图8所示，在所述彩膜基板120上的黑色矩阵层122上利用丝网印刷、转印印刷或涂布曝光显影制程制作挡墙结构150；

S6)如图9所示，在所述彩膜基板120上涂布紫外线胶和填充层130，所述填充层130中分布有量子点材料131，根据所述发光二极管器件140的不同选择不同的所述量子点材料131，具体的，若使用蓝色发光二极管器件140则选择红色与绿色的量子点材料131，若使用白色发光二极管器件140则选择红色、绿色和蓝色的量子点材料131；

S7)在真空压合设备中，组装所述彩膜基板120和所述阵列基板110。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种显示面板，其特征在于，包括

阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；

一填充层，填充于所述阵列基板和所述彩膜基板之间，所述填充层中具有量子点材料；

所述阵列基板朝向所述彩膜基板的一面设有发光二极管器件；

显示区，所述显示区中具有若干像素单元区域和围绕所述像素单元区域的非像素单元区域，所述填充层对应设于所述像素单元区域中；以及

挡墙结构，设于所述阵列基板和所述彩膜基板之间，所述挡墙结构位于非像素单元区域中且围绕所述像素单元区域；

每一像素单元区域对应的挡墙结构，由若干段墙体围成，相邻两段墙体之间具有间隙，所述间隙宽度在1um～50um之间；和/或

两个相邻像素单元区域之间的挡墙结构上具有开孔或开槽，以连通这两个像素单元区域，所述开孔或开槽深度和宽度均在1um～50um之间。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括

挡柱，所述挡柱支撑于所述阵列基板和所述彩膜基板之间；

阻隔层，覆盖所述发光二极管器件上。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

在所述显示区中，所述彩膜基板朝向所述阵列基板的一面设有黑色矩阵层以及设于所述黑色矩阵层中的色阻层；所述黑色矩阵层的位置对应所述挡墙结构。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述填充层中，

所述量子点材料包括红色量子点材料、绿色量子点材料和蓝色量子点材料，所述发光二极管器件为紫外线发光二极管器件；或

所述量子点包括红色量子点和绿色量子点，所述发光二极管器件为蓝色发光二极管器件。

5.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述阻隔层的材质为氮化硅、碳氮化硅、氧化硅、氧化铝、氮化铝中的至少一种，其厚度为0.5um～1um。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述量子点的材料包括硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化锌、硒化锌、碲化锌、砷化镓、磷化镓、砷化镓、锑化镓、硫化汞、硒化汞、碲化汞、砷化铟、磷化铟、锑化铟、砷化铝、磷化砷、锑化铝中的至少一种。

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