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CN109509771B - 显示装置 - Google Patents

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CN109509771B
CN109509771B CN201810816864.9A CN201810816864A CN109509771B CN 109509771 B CN109509771 B CN 109509771B CN 201810816864 A CN201810816864 A CN 201810816864A CN 109509771 B CN109509771 B CN 109509771B
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CN
China
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layer
power line
display device
insulating layer
line layer
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金东煜
郭源奎
权善子
金世镐
裵汉成
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Samsung Display Co Ltd
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Samsung Display Co Ltd
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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基底；多个显示元件，位于基底的显示区域中，其中，所述多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极以及位于像素电极和对电极之间的中间层；驱动电路，位于显示区域的外侧上并且包括薄膜晶体管；第一绝缘层，位于驱动电路上；第一电源线层，位于第一绝缘层上，且与驱动电路叠置；第二绝缘层，位于第一电源线层上；连接电极层，位于第二绝缘层上，其中，连接电极层将第一电源线层电连接到对电极。

Description

显示装置
本申请要求于2017年9月15日提交的第10-2017-0118845号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
有机发光显示装置为不使用单独光源进行操作的自发射式，使得有机发光显示装置可以以低电压来操作并且可以包括轻重量的薄膜。这样的有机发光显示装置由于其诸如宽视角、高对比度和快响应速率的高质量特性而作为下一代显示装置中的一种已备受关注。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种高质量的显示装置。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底；多个显示元件，位于基底的显示区域中，其中，多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极以及位于像素电极和对电极之间的中间层；驱动电路，位于显示区域的外侧并包括薄膜晶体管；第一绝缘层，位于驱动电路上；第一电源线层，位于第一绝缘层上并与驱动电路叠置；第二绝缘层，位于第一电源线层上；以及连接电极层，位于第二绝缘层上，其中，连接电极层将第一电源线层电连接到对电极。
在实施例中，在第一电源线层中可以限定有多个第一孔。
在实施例中，在第二绝缘层中可以限定有接触孔，接触孔的中心可以偏离多个第一孔中的每个的中心。
在实施例中，连接电极层可以通过接触孔接触第一电源线层。
在实施例中，在连接电极层中可以限定有多个第二孔。
在实施例中，多个第二孔中的至少一个可以与多个第一孔中的至少一个叠置。
在实施例中，显示装置还可以包括：多个突起，分别覆盖多个第二孔，其中，多个突起可以包括绝缘材料。
在实施例中，多个突起可以彼此间隔开。
在实施例中，在第一绝缘层中可以限定有第一谷孔。
在实施例中，第一绝缘层可以包括有机绝缘材料。
在实施例中，第一电源线层的一部分可以通过第一谷孔与位于第一绝缘层下方的绝缘层接触。
在实施例中，绝缘层可以包括无机材料。
在实施例中，在第二绝缘层中可以限定有与第一谷孔对应的第二谷孔，连接电极层可以通过第二谷孔接触第一电源线层。
在实施例中，第二绝缘层可以包括有机绝缘材料。
在实施例中，显示装置还可以包括：第二电源线层，位于显示区域的外侧上，并且连接到第一电源线层。
在实施例中，第一电源线层和第二电源线层可以部分地围绕显示区域。
在实施例中，第一电源线层与第二电源线层之间的接触区域可以延伸以部分地围绕显示区域。
在实施例中，第一电源线层可以部分地围绕显示区域，并且第二电源线层可以与位于显示区域的外侧上的第一电源线层接触。
在实施例中，第二电源线层可以位于第一绝缘层下方，并且第一电源线层可以通过限定在第一绝缘层中的开口或接触孔接触第二电源线层。
在实施例中，第二电源线层的侧表面可以被无机绝缘层覆盖。
附图说明
通过下面的结合附图的实施例的描述，发明的这些和/或其它特征将变得明显和更加容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是根据实施例的显示装置的一部分的示意性透视图；
图3是根据实施例的显示装置的像素的等效电路图；
图4是沿图1的线IV-IV'截取的剖视图；
图5A是图4的突起的俯视平面图；
图5B是图5A中的圈部分的放大图；
图6是根据可选择的实施例的显示装置的剖视图；
图7是根据另一实施例的显示装置的平面图；
图8是沿图7的线VIII-VIII'截取的剖视图；并且
图9是根据另一可选择的实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照附图更充分地描述发明，附图中示出了各种实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应被解释为限制于这里所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把发明的范围充分地传达给本领域技术人员。同样的附图标记始终指示同样的元件。
将理解的是，当元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者这两个元件之间可存在中间元件。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”时，则不存在中间元件。将理解的是，当元件、区域或层被称作“连接到”或者被称作“接触”另一元件、区域或层时，所述的元件、区域或层可以直接连接到或直接接触所述另一元件、区域或层，或者在它们之间可以存在中间元件、区域或层。例如，当元件、区域或层被称作电连接到另一元件、区域或层时，所述元件、区域或层可以直接电连接到所述另一元件、区域或层，或者可以间接电连接到所述另一元件、区域或层并且在它们之间具有中间元件、区域或层。
将理解的是，虽然这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称作第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
这里使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而不意在限制。如这里所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该/所述”旨在包括包含“至少一个”的复数形式，除非上下文另外明确地指出。“或”意指“和/或”。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项目的任何和所有组合。还将理解的是，术语“包括”、“包含”和/或其变形当在本说明书中使用时说明存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或者添加一个或更多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
此外，这里可以使用诸如“下”或“底”和“上”或“顶”的相对术语来描述图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语旨在涵盖装置的除了在图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件的“下”侧上的元件将随后被定位在所述其它元件的“上”侧上。因此，基于图的具体方位，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，如果一幅图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件“下方”或“之下”的元件将随后被定位“在”所述其它元件“上方”。因此，示例性术语“在······下方”或“在······之下”可以涵盖上方和下方两种方位。
除非另外进行定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域和公开的上下文中的含义相一致的含义，并且除非在此明确地如此定义，否则将不以理想化或过于形式化的意义进行解释。
x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来进行解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或者可以是不彼此垂直的不同方向。
这里参照作为理想化实施例的示意图的剖面图来描述示例性实施例。如此，将预计由于例如制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应该被解释为限制于如这里示出的区域的特定形状，而是将包括例如由制造引起的形状上的偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可能具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出该区域的精确形状，并且不旨在限制权利要求的范围。
显示装置显示图像，并且显示装置的示例可包括液晶显示(“LCD”)装置、电泳显示装置、有机发光显示装置、无机发光显示装置、场发射显示装置、表面传导电子发射显示装置、等离子体显示装置、阴极射线显示装置等。
在下文中，将参照附图详细描述显示装置的实施例。为了便于描述，将描述显示装置是有机发光显示装置的显示装置的实施例。然而，公开的显示装置不限于此，可以使用各种显示装置。
图1是根据实施例的显示装置1的平面图。图2是根据实施例的显示装置1的一部分的示意性透视图。
参照图1，显示装置1的实施例包括基底100和设置在基底100上的显示器10。显示器10包括像素P，像素P连接到在y方向上延伸的扫描线SL和在与y方向交叉的x方向上延伸的数据线DL。
每个像素P可以发射例如红光、绿光或蓝光。可选择地，每个像素P可以发射红光、绿光、蓝光或白光。像素P可以包括显示元件，显示元件可以包括有机发光二极管。显示器10通过从像素P发射的光提供图像，并且限定显示区域DA。这里，像素P指如上所述的发射红光、绿光和蓝光之一或白光的子像素。
外围区域PA位于显示区域DA的外侧。在一个实施例中，例如，外围区域PA可以围绕显示区域DA。外围区域PA是没有布置像素P的区域，相当于没有提供图像的非显示区域。
外围区域PA可以包括弯曲区域BA。弯曲区域BA可以在x方向上具有预定宽度并且可以在y方向上延伸。基底100可以被弯曲区域BA分成包括显示区域DA的第一区域RA1和与第一区域RA1相对的第二区域RA2。在这样的实施例中，弯曲区域BA位于第一区域RA1与第二区域RA2之间。第一区域RA1可以包括外围区域PA的一部分和显示区域DA，第二区域RA2可以仅包括外围区域PA的一部分。
显示装置1可以相对弯曲区域BA的中心弯曲或弯折。在实施例中，如图2中所示，显示装置1的基底100可以部分地弯曲。在一个实施例中，例如，基底100可以相对于在y方向上延伸的弯曲轴BAX弯曲，因此显示装置1可以具有与显示装置1的基底100类似地被弯曲的形状。基底100可以包括各种柔性或可弯曲的材料(例如，聚合物树脂)。为了便于说明，图2示出了基底100而不是整个显示装置1被弯曲。
在外围区域PA中，可以设置驱动电路，例如，第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30、端子部分40、驱动电源线60以及公共电源线71。
第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30可以位于基底100的外围区域PA中并且可以产生扫描信号，从而通过扫描线SL将扫描信号传输到像素P。在一个实施例中，例如，第一扫描驱动电路20可以位于显示器10的左侧，第二扫描驱动电路30可以位于显示器10的右侧。然而，公开的一个或更多个实施例不限于此。根据可选择的实施例，显示装置可以包括单个扫描驱动电路。
端子部分40位于基底100的一端上并且包括端子41、42、44和45。端子部分40可以不被绝缘层覆盖并且可以电连接到柔性印刷电路板FPCB。
柔性印刷电路板FPCB可以将控制器90电连接到端子部分40，来自控制器90的信号或电力可以通过连接到端子部分40的线21、31、51和61以及公共电源线71来传输。
控制器90可以接收垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号并且生成用于控制第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的操作的控制信号。所生成的控制信号可以通过连接到柔性印刷电路板FPCB的端子44和线21传输到第一扫描驱动电路20，并可以通过连接到柔性印刷电路板FPCB的端子44和线31传输到第二扫描驱动电路30，来自第一扫描驱动电路20和第二扫描驱动电路30的扫描信号可以通过扫描线SL分别传输到像素P。控制器90可以通过端子42和线61向驱动电源线60供应驱动电压或功率ELVDD，并可以通过端子45和第二电源线层71B向公共电源线71供应公共电压或功率ELVSS。驱动电压ELVDD可以通过驱动电压线PL被供应给每个像素P，公共电压ELVSS可以被供应给像素P的对电极。
数据驱动电路50可以位于柔性印刷电路板FPCB上。数据驱动电路50可以向每个像素P提供数据信号。来自数据驱动电路50的数据信号通过连接到端子41的线51和连接到线51的数据线DL被提供给每个像素P。图1示出了数据驱动电路50位于柔性印刷电路板FPCB上的膜上芯片(“COP”)结构。然而，公开的一个或更多个实施例不限于此。在可选择的实施例中，数据驱动电路50可以位于基底100的外围区域PA中。
驱动电源线60可以位于外围区域PA中。在一个实施例中，例如，驱动电源线60可以位于端子部分40和显示器10的与端子部分40相邻的一侧之间。通过连接到端子42的线61供应的驱动电压ELVDD可以通过驱动电压线PL供应给每个像素P。
公共电源线71可以位于外围区域PA中，并且可以将公共电压ELVSS供应给像素P的有机发光二极管的对电极(例如，阴极)。
公共电源线71可以包括第一电源线层71A和第二电源线层71B。
第一电源线层71A可以延伸以沿着显示器10的边缘部分地围绕显示器10。在一个实施例中，例如，第一电源线层71A可以呈具有一个开口侧的环形形状，所述开口侧对应于显示器10的与端子部分40相邻的一侧，第一电源线层71A可以沿着基底100的除了端子部分40之外的边缘延伸。在一个实施例中，第一电源线层71A可以位于外围区域PA的设置有显示器10的第一区域RA1中。
第二电源线层71B可以与第一电源线层71A叠置，并且可以连接到第一电源线层71A。在一个实施例中，例如，第二电源线层71B可以呈具有一个开口侧的环形形状，所述开口侧对应于显示器10的与端子部分40相邻的一侧，第二电源线层71B可以沿着基底100的边缘延伸以与第一电源线层71A叠置。第二电源线层71B的与第一电源线层71A重叠的部分可以是第二电源线层71B电连接到第一电源线层71A的区域，例如接触区域。
第二电源线层71B可以延伸到基底100的一端。在一个实施例中，例如第二电源线层71B与第一电源线层71A在第一区域RA1中重叠，并且第二电源线层71B的端部可以跨过弯曲区域BA而延伸到第二区域RA2。在显示装置1包括弯曲区域BA的实施例中，第二电源线层71B可以包括穿过弯曲区域BA的桥线层。在一个实施例中，例如，第二电源线层71B可以包括分别对应于第一区域RA1和第二区域RA2的线层，并且对应于第一区域RA1的线层和对应于第二区域RA2的线层可以通过穿过弯曲区域BA的桥线层而彼此电连接。
图1和图2示出了显示装置1包括弯曲区域BA的实施例，但是一个或更多个实施例不限于此。在可选择的实施例中，显示装置1可以不包括弯曲区域BA，并且在这样的实施例中，第二电源线层71B可以不包括桥线层。
连接电极层72可以与第一电源线层71A叠置，并且可以延伸以沿着第一电源线层71A与显示器10部分地重叠。连接电极层72的与第一电源线层71A重叠的部分可以对应于连接电极层72被电连接到第一电源线层71A的区域，例如接触区域。
连接电极层72将公共电源线71电连接到像素P的有机发光二极管的对电极(例如，阴极)。
参照图1，连接电极层72的宽度大于第一电源线层71A的宽度，但是一个或更多个实施例不限于此。在可选择的实施例中，连接电极层72的宽度与第一电源线层71A的宽度基本相同或者连接电极层72的宽度小于第一电源线层71A的宽度。
图3是根据实施例的显示装置1的像素P的等效电路图。
参照图3，像素P可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。
像素电路PC包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL，并且响应于通过扫描线SL输入的扫描信号而将通过数据线DL输入的数据信号传输到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL，并且存储与来自开关薄膜晶体管Ts的电压和供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以控制驱动电流，其中，所述驱动电流与存储在存储电容器Cst中的电压的值对应并且从驱动电压线PL流入有机发光二极管OLED中。有机发光二极管OLED可以发射具有与驱动电流对应的亮度的光。有机发光二极管OLED可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
图3示出了像素P包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器的实施例，但是公开的一个或更多个实施例不限于此。像素电路PC的设计可以被不同地修改。在一个可选择的实施例中，例如，像素P可以包括三个或更多个薄膜晶体管或者两个或更多个存储电容器。
图4是沿着图1的线IV-IV'截取的剖视图。图5A是图4的突起的俯视平面图。图5B是图5A中的圈部分的放大图。
为了便于说明，图5A仅示出了显示装置1的突起125。
在图4的显示区域DA中，缓冲层101可位于基底100上。基底100可包括聚合物(或塑料)，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)和聚酰亚胺中的至少一种。尽管未示出，但是基底100可以具有多层结构，所述多层结构包括位于塑料层之间的无机阻挡层，所述塑料层包括例如聚酰亚胺。
缓冲层101可以有效地防止杂质或湿气渗透到基底100中。在一个实施例中，例如，缓冲层101可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料，并且可以具有单层结构或多层结构。
在这样的实施例中，薄膜晶体管130、存储电容器140以及作为电连接到薄膜晶体管130和存储电容器140的显示元件的有机发光二极管200可以设置在显示区域DA中的基底100上。图4的薄膜晶体管130可以对应于任何一种薄膜晶体管，例如，包括在以上参照图3描述的像素电路PC中的驱动薄膜晶体管Td。图4的存储电容器140可以与已经在上面参照图3描述的存储电容器Cst对应。
薄膜晶体管130可以包括半导体层134和栅电极136。半导体层134可以包括例如多晶硅。半导体层134可以包括与栅电极136叠置的沟道区131以及源区132和漏区133，源区132和漏区133分别位于沟道区131的两侧上并且包括具有比沟道区131中的杂质的浓度高的浓度的杂质。这里，杂质可以包括N型杂质和P型杂质。源区132和漏区133可以分别被理解为薄膜晶体管130的源电极和漏电极。
在实施例中，半导体层134包括多晶硅，但是公开的一个或更多个实施例不限于此。在可选择的实施例中，半导体层134可以包括非晶硅或有机半导体材料。
栅极绝缘层103可以位于半导体层134和栅电极136之间。栅极绝缘层103可以是包括SiON、SiOx和/或SiNx的无机层，并且该无机层可以具有单层结构或多层结构。
存储电容器140包括在基底100的厚度方向上或者在z方向上彼此叠置的第一存储电容器板144和第二存储电容器板146。第一层间绝缘层105可以位于第一存储电容器板144和第二存储电容器板146之间。第一层间绝缘层105可以具有一定的电容率，可以是包括SiON、SiOx和/或SiNx的无机层并且可以具有单层结构或多层结构。图4示出了存储电容器140与薄膜晶体管130叠置并且第一存储电容器板144对应于薄膜晶体管130的栅电极136的实施例。然而，公开的一个或更多个实施例不限于此。在可选择的实施例中，存储电容器140可以不与薄膜晶体管130叠置，第一存储电容器板144可以与薄膜晶体管130的栅电极136间隔开。
存储电容器140可以被第二层间绝缘层107覆盖。第二层间绝缘层107可以是包括SiON、SiOx和/或SiNx的无机层，并且可以具有单层结构或者多层结构。
驱动电压线PL可以包括第一驱动电压线PL1和第二驱动电压线PL2。第一驱动电压线PL1可以包括与数据线DL的材料相同的材料。在一个实施例中，例如，第一驱动电压线PL1和数据线DL可以均具有包括铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的单层结构或多层结构。根据实施例，第一驱动电压线PL1和数据线DL可以均具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第二驱动电压线PL2可以位于第一驱动电压线PL1上方，第一绝缘层111介于第一驱动电压线PL1和第二驱动电压线PL2之间，第二驱动电压线PL2可以通过限定在第一绝缘层111中的接触孔而电连接到第一驱动电压线PL1。第二驱动电压线PL2可以具有包括Al、Cu、Ti等的单层结构或多层结构。在实施例中，第二驱动电压线PL2可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。第一绝缘层111(在下文中，被称为“第一有机绝缘层”)可以包括有机绝缘层，并且有机绝缘层可以包括酰亚胺类聚合物、诸如聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或聚苯乙烯(“PS”)的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和其组合物中的至少一种。在实施例中，第一有机绝缘层111可以包括聚酰亚胺。
驱动电压线PL向像素P供应均匀的电信号(即，驱动电压ELVDD)。期望防止驱动电压线PL中的电压下降等以实现提供高质量图像的显示装置。根据实施例，虽然减少了像素P的面积来实现高分辨率显示装置，但是因为驱动电压线PL可以包括彼此电连接的第一驱动电压线PL1和第二驱动电压线PL2，所以可以有效地防止驱动电压线PL中的电阻。因此，在这样的实施例中，可以有效地防止或者基本上减小会由驱动电压线PL中的电阻引起的电压降。
驱动电压线PL被第二绝缘层113(在下文中，被称为“第二有机绝缘层”)覆盖，第二有机绝缘层113可以包括酰亚胺类聚合物、诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和其组合物中的至少一种。在实施例中，第二有机绝缘层113可以包括聚酰亚胺。
像素电极210位于第二有机绝缘层113上。像素限定层120可以位于像素电极210上并且可以按照与每个子像素对应地限定在像素限定层120中的开口来限定像素P，即，开口暴露像素电极210的至少中心部分。在这样的实施例中，像素限定层120可以使像素电极210的边缘与对电极230之间的距离增大，因此可以有效地防止在像素电极210的边缘和对电极230之间产生电弧等。像素限定层120可以包括诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)的有机材料。
中间层220可以包括低分子量材料或高分子量材料。在中间层220包括低分子量材料的实施例中，中间层220可以具有单层或多层结构，多层结构包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、发射层(“EML”)、电子传输层(“ETL”)、电子注入层(“EIL”)等，中间层220可以包括包含铜酞菁(“CuPc”)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(“NPB”)和三-8-羟基喹啉铝(“Alq3”)等的各种有机材料中的至少一种。这样的层可以通过使用真空沉积方法来形成。
在中间层220包括高分子量材料的实施例中，中间层220通常可以具有包括HTL和EML的结构。在这样的实施例中，HTL可以包括PEDOT，并且EML可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(“PPV”)类聚合物或聚芴类聚合物的高分子材料。中间层220的结构不限于此，并且可以被不同地修改。在一个实施例中，例如，中间层220的至少一个层可以一体地形成为单个的单一单元，并且设置在多个像素电极210上方。可选择地，中间层220可以包括被图案化成对应于每个像素电极210的层。
对电极230可以位于显示区域DA的上部中，并且可以覆盖显示区域DA。也就是说，对电极230可以一体地形成为单个的单一单元以覆盖像素P。
封装层400可以覆盖有机发光二极管200以有效地防止有机发光二极管200被外部湿气和氧气损坏。封装层400可以覆盖显示区域DA并且可以延伸到显示区域DA的外部。封装层400可以包括无机封装层和有机封装层。图4示出了封装层400包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430的实施例。
在这样的实施例中，第一无机封装层410可以覆盖对电极230并且可以包括SiOx、SiNx和/或SiON。在这样的实施例中，包括覆盖层290的多个层可以位于第一无机封装层410和对电极230之间。由于第一无机封装层410沿着其下的结构设置，所以第一无机封装层410不具有平坦的上表面。有机封装层420可以覆盖第一无机封装层410，有机封装层420与第一无机封装层410相比可以具有近似平坦的上表面。在这样的实施例中，有机封装层420可以在与显示区域DA对应的位置处具有近似平坦的上表面。有机封装层420可以包括PET、PEN、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中的至少一种。第二无机封装层430可以覆盖有机封装层420，并且可以包括SiOx、SiNx和/或SiON。
在图4的外围区域PA中，无机绝缘层110可以位于基底100上，并且可以包括上述的缓冲层101、栅极绝缘层103、第一层间绝缘层105和第二层间绝缘层107中的至少一个。公共电源线71可以位于外围区域PA中的无机绝缘层110上。
公共电源线71可以包括第一电源线层71A和第二电源线层71B。
第一电源线层71A和第二电源线层71B可以位于不同的层中，第一有机绝缘层111位于第一电源线层71A和第二电源线层71B之间。第一电源线层71A可以位于第一有机绝缘层111上面，并且第二电源线层71B可以位于第一有机绝缘层111下面。第一电源线层71A可以包括与第二驱动电压线PL2的材料相同的材料，第二电源线层71B可以包括与数据线DL和第一驱动电压线PL1的材料相同的材料。
第二电源线层71B的侧表面可以被无机绝缘层109覆盖。因为第二电源线层71B包括金属(例如，Al)，其在显示装置的制造期间会被蚀刻剂损坏，所以无机绝缘层109可以有效地防止第二电源线层71B在制造工艺期间暴露于蚀刻环境。尽管在图4中未示出，但是在除了图4中示出的区域以外的外围区域PA中，第二电源线层71B会被暴露而不被第一有机绝缘层111覆盖，并且暴露的第二电源线层71B在其侧表面处会被在形成第二电源线层71B之后的工艺期间使用的蚀刻剂损坏。在实施例中，无机绝缘层109可以覆盖第二电源线层71B的侧表面，以保护第二电源线层71B。
第一电源线层71A的第一部分可以经由第一有机绝缘层111中的开口111OP接触(例如，直接接触)第二电源线层71B。第一电源线层71A的第二部分可以位于第一有机绝缘层111上，并且可以与驱动电路(例如，包括外围薄膜晶体管TFT-P和与外围薄膜晶体管TFT-P连接的线(多条线)的第一扫描驱动电路20)叠置。由于第一扫描驱动电路20被第一电源线层71A的第二部分覆盖，因此可以有效地防止由外部静电(“ESD”)造成的对第一扫描驱动电路20的损坏。
第一孔71A-h可以限定在第一电源线层71A的与第一扫描驱动电路20叠置的第二部分中。第一孔71A-h可以对应于排气路径，包括在第一有机绝缘层111中的气体成分在热工艺(例如，固化工艺)期间或在形成显示装置1之后通过排气路径蒸发。因此，通过在第一电源线层71A的第二部分中设置第一孔71A-h，可以防止由于第一有机绝缘层111中的气体成分朝向像素P移动而可能造成的对像素P的有机发光二极管200的损坏。
第一电源线层71A的第二部分的一部分可以位于限定在第一有机绝缘层111中的第一谷孔111VH中。在第一谷孔111VH被限定在第一有机绝缘层111中的这样的实施例中，由于第一有机绝缘层111的块体，可以阻挡外部杂质(例如，湿气)朝向显示区域DA移动所通过的渗透路径。第一电源线层71A的位于第一谷孔111VH中的一部分可以通过第一谷孔111VH接触第一有机绝缘层111下面的无机绝缘层109。
连接电极层72可以位于第二有机绝缘层113上。连接电极层72可以包括与像素电极210的材料相同的材料。在实施例中，连接电极层72和像素电极210可以包括氧化铟锡(“ITO”)/银(Ag)/ITO。
连接电极层72的第一部分可以通过第二有机绝缘层113中的开口113OP接触(例如，直接接触)第一电源线层71A。连接电极层72的第二部分可以位于第二有机绝缘层113上，并且可以与第一扫描驱动电路20和第一电源线层71A的第二部分叠置。在这样的实施例中，因为第一电源线层71A和连接电极层72均覆盖第一扫描驱动电路20，所以可以有效地防止由ESD对第一扫描驱动电路20的损坏。
第二孔72h被限定在连接电极层72的第二部分中。第二孔72h可以对应于排气路径，在热工艺(例如，固化工艺)期间或在形成显示装置1之后，第二有机绝缘层113中的气体成分通过排气路径蒸发。因此，在这样的实施例中，通过设置第二孔72h，可以有效地防止由于第二有机绝缘层113中的气体成分朝向像素P移动而可能造成的对像素P的有机发光二极管200的损坏。连接电极层72的第二孔72h可以与第一电源线层71A的第一孔71A-h叠置。
第二谷孔113VH限定在连接电极层72下方的第二有机绝缘层113中，以对应于第一谷孔111VH。在此，将理解的是，当组件被称为“对应于”另一组件时，所述组件可以在z方向上与所述另一组件叠置。由于第二有机绝缘层113的块体，所以第二谷孔113VH可以阻挡外部杂质(例如，湿气等)朝向显示区域DA移动所通过的渗透路径。连接电极层72的第二部分的一部分可以通过第二有机绝缘层113中的第二谷孔113VH接触(例如，直接接触)第一电源线层71A。
连接电极层72的第二部分的另一部分可以通过限定在第二有机绝缘层113中的接触孔113CH接触(例如，直接接触)第一电源线层71A的第二部分。第二有机绝缘层113中的接触孔113CH的中心可以偏离第一电源线层71A中的第一孔71A-h的中心(可以与第一电源线层71A中的第一孔71A-h的中心间隔开一定距离)。
连接电极层72可以被绝缘层(例如，像素限定层120)覆盖。在通过对绝缘材料层进行图案化来设置像素限定层120的实施例中，绝缘材料层的与第二孔72h中的至少一些相对应的部分可以被图案化成与第二孔72h相对应的岛，从而形成突起125。有机发光二极管200的对电极230可以接触在突起125之间暴露的连接电极层72。
对电极230延伸以跨过虚设像素DPX覆盖至少一些突起125，并且可以接触连接电极层72。在一个实施例中，例如，对电极230可以与通过接触孔113CH连接到第一电源线层71A的连接电极层72接触，并且可以与通过第二谷孔113VH连接到第一电源线层71A的连接电极层72接触。
根据上述实施例，可以增大连接电极层72与第一电源线层71A之间的接触面积以及连接电极层72与对电极230之间的接触面积，并且可以有效地防止或显著地减小供应给对电极230的公共电压ELVSS的下降，使得可以改善显示装置1的功耗。由于在第一扫描驱动电路20的正上方的位置中进行第一电源线层71A、连接电极层72和对电极230的彼此连接，所以可以改善功耗，并且如上所述，可以保护第一扫描驱动电路20免受静电的影响。
参照图4和图5A，连接电极层72上的突起125可以覆盖第二孔72h。突起125的尺寸可以大于第二孔72h的尺寸，并且如图4中所示，突起125可以覆盖围绕相应的第二孔72h的孔边缘72he。由于连接电极层72的孔边缘72he被绝缘材料所覆盖，所以可以有效防止当孔边缘72he暴露时会在制造显示装置期间发生的Ag沉淀、由Ag产生的黑斑等。
突起125可以以锯齿形方式布置。在一个实施例中，例如，如图5A中所示，突起125可以以锯齿形方式布置，在锯齿形方式中，相邻突起125在y方向上彼此间隔开，并且在x方向上与所述相邻突起125分开的另一突起125位于所述相邻突起125之间。
以锯齿形方式布置的突起125可以在封装层400的有机封装层420的形成工艺期间控制用于形成有机封装层420的材料的流动。在有机封装层420的形成工艺期间，用于形成有机封装层420的有机材料可以具有流动性，并且可以朝向基底100的边缘流动，即，在y方向上流动。当用于形成有机封装层420的有机材料朝向基底100的边缘流动时，以锯齿形方式布置的突起125可以干扰有机材料的流动，并且因此可以控制显示装置中的有机材料的端部(即，有机封装层420的端部)的位置。图5B的箭头表示用于形成有机封装层420的材料的流动。
通过由突起125控制有机材料的流动形成的有机封装层420可以覆盖至少一些突起125。在一个实施例中，例如，如图4中所示，有机封装层420的端部可以位于突起125的上方。有机封装层420的端部的位置可以基于有机材料的类型、突起125的布置、突起125的密度等而不同。在一个实施例中，例如，有机封装层420的端部可以对应于将在下面描述的第一坝340的内壁。
在实施例中，如图4中所示，第一坝340和第二坝350可以位于突起125的外侧和基底100的边缘上。第一坝340和第二坝350可以在形成有机封装层420时有效防止有机材料流入基底100的端部中，因此第一坝340和第二坝350可以有效防止有机封装层420的边缘尾部的形成。图4示出了第一坝340位于公共电源线71上并且第二坝350位于第一坝340外侧的实施例。
在实施例中，第一坝340可以包括第一层341和第二层342。第一层341可以包括与第二有机绝缘层113的材料相同的材料，并且第二层342可以包括与像素限定层120的材料相同的材料。第二坝350可以包括包含与第一有机绝缘层111的材料相同的材料的第一层351、包含与第二有机绝缘层113的材料相同的材料的第二层352以及包含与像素限定层120的材料相同的材料的第三层353。图4示出了第一坝340包括两层并且第二坝350包括三层的实施例，但是公开的一个或更多个实施例不限于此。第一坝340和第二坝350可以围绕整个显示区域DA，以有效地防止有机封装层420的边缘尾部的形成。
图6是根据可选择的实施例的显示装置2的剖视图。
在实施例中，如图6中所示，显示装置2包括电源线171和将电源线171电连接到对电极230的连接电极层172，电源线171包括第二电源线层171B以及位于第一有机绝缘层111上的第一电源线层171A，其中，第一孔171A-h被限定在第一电源线层171A中。除了连接电极层172的构造外，图6的显示装置2与图4和图5A与图5B的显示装置1基本相同。已经用与以上用于描述图4和图5A与图5B中示出的显示装置1的示例性实施例的附图标记相同的附图标记对图6中示出的相同或同样的元件进行标记，并且在下文中将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
在实施例中，如图6中所示，连接电极层172位于第二有机绝缘层113上。连接电极层172的第一部分可以通过开口113OP与第一电源线层171A的第一区域接触，并且连接电极层172的第二部分的一部分可以通过位于第二有机绝缘层113中的第二谷孔113VH与第一电源线层171A接触。在实施例中，如图4中所示，连接电极层72的第二部分的一部分通过接触孔113CH接触第一电源线层71A的第二部分。在可选择的实施例中，如图6中所示，连接电极层172的第二部分的一部分可以仅通过第二谷孔113VH接触第一电源线层171A。
如上面参照图4描述的，突起125位于连接电极层172上以大于第二孔172h且覆盖孔边缘172he，突起125控制有机封装层420的流动。因此，将省略对其任何重复的详细描述。
图7是根据另一可选择的实施例的显示装置3的平面图。
在实施例中，如图7中所示，显示装置3包括电源线271和连接电极层272，并且电源线271包括第一电源线层271A和第二电源线层271B。图7的显示装置3与图1至图3的显示装置1除了第一电源线层271A和第二电源线层271B的构造之外基本相同。已经用与以上用于描述图1至图3中示出的显示装置1的示例性实施例的附图标记相同的附图标记对图7中示出的相同或同样的元件进行标记，并且在下文中将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
在实施例中，如图7所示，显示装置3的第一电源线层271A可以延伸以沿着显示器10的边缘部分地围绕显示器10。在一个实施例中，例如，第一电源线层271A可以呈具有一个开口侧的环形，所述一个开口侧对应于显示器10的与端子部分40相邻的一侧，第一电源线层271A可以沿着基底100的除了端子部分40之外的边缘延伸。第一电源线层271A可以位于外围区域PA的多个区域之中的第一区域RA1(设置有显示器10)中。
第二电源线层271B可以与第一电源线层271A叠置并接触第一电源线层271A。在这样的实施例中，如图7中所示，第二电源线层271B不围绕显示器10。第二电源线层271B可以位于外围区域PA的一侧中，例如，位于第二区域RA2、弯曲区域BA和部分第一区域RA1中，以将端子部分40连接到第一电源线层271A的一端。第二电源线层271B可以通过第二电源线层271B与第一电源线层271A之间的绝缘层中的接触孔CNT接触第一电源线层271A的端部。
在显示装置3包括弯曲区域BA的实施例中，第二电源线层271B可以包括如上所述的穿过弯曲区域BA的桥线层。在可选择的实施例中，显示装置3可以不包括弯曲区域BA，并且第二电源线层271B可以不包括桥线层。
在实施例中，如图7中所示，连接电极层272可以延伸以沿着第一电源线层271A部分地围绕显示器10，从而与第一电源线层271A叠置。连接电极层272的与第一电源线层271A重叠的部分可以与连接电极层272电连接到第一电源线层271A的区域(例如，接触区域)对应。连接电极层272可以将电源线271电连接到像素P的有机发光二极管的对电极(例如，阴极)。
图7示出了连接电极层272的宽度大于第一电源线层271A的宽度的实施例，但是公开的一个或更多个实施例不限于此。在可选择的实施例中，连接电极层272的宽度可以与第一电源线层271A的宽度基本相同，或者可以小于第一电源线层271A的宽度。
图8是沿着图7的线VIII-VIII'截取的剖视图。
参照图8，显示装置3与图4的显示装置1除了外围区域PA之外基本相同。已经用与以上用于描述图1至图3中示出的显示装置1的示例性实施例的附图标记相同的附图标记对图8中示出的相同或同样的元件进行标记，并且在下文中将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
参照图8的外围区域PA，第一有机绝缘层111位于包括外围薄膜晶体管TFT-P的第一扫描驱动电路20上，并且第一电源线层271A位于第一有机绝缘层111上。
第一电源线层271A可以位于第一有机绝缘层111上，并且可以与第一扫描驱动电路20叠置，从而有效地防止ESD对第一扫描驱动电路20的损害。
第一电源线层271A的一部分可以位于第一有机绝缘层111中的第一谷孔111VH中，并且可以通过第一谷孔111VH与位于第一有机绝缘层111下面的无机绝缘层109接触。第一电源线层271A的另一部分包括第一孔271A-h。在这样的实施例中，如上所述，第一孔271A-h可以对应于排气路径，包括在第一有机绝缘层111中的杂质可以通过排气路径而排出。
第二有机绝缘层113可以位于第一电源线层271A上。第二谷孔113VH通过第二有机绝缘层113被限定，以对应于第一谷孔111VH，连接电极层272的一部分可以通过第二谷孔113VH接触第一电源线层271A。在这样的实施例中，如上所述，类似于第一谷孔111VH，由于第二有机绝缘层113的块体，第二谷孔113VH可以阻挡外部杂质(例如，湿气等)朝向显示区域DA移动所通过的渗透路径。
第一电源线层271A通过其被暴露的接触孔113CH被限定在第二有机绝缘层113中，连接电极层272可以与通过接触孔113CH被暴露的第一电源线层271A接触。第二有机绝缘层113中的接触孔113CH的中心可以偏离第一电源线层271A中的第一孔271A-h的中心。
连接电极层272可以被绝缘层(例如，形成像素限定层120的绝缘材料层)覆盖，并且当用于形成像素限定层120的绝缘材料层被图案化时，与限定在连接电极层272中的第二孔272h对应的绝缘材料层的一部分可以被图案化成岛，使得可以形成突起125。突起125的尺寸可以大于第二孔272h的尺寸，并且如图8中所示，突起125可以覆盖围绕相应的第二孔272h的孔边缘272he。在这样的实施例中，如上面参照图5B描述的，可以通过锯齿形布置的突起125来控制有机封装层420的流动。
有机发光二极管200的对电极230可以跨过虚设像素DPX延伸到外围区域PA，并且可以与暴露在突起125之间的连接电极层272接触。
第一电源线层271A和连接电极层272可以位于第一扫描驱动电路20的正上方，因此可以保护第一扫描驱动电路20免受ESD的影响。在这样的实施例中，第一电源线层271A和连接电极层272可以在第一扫描驱动电路20上方接触对电极230，并且可以减小电阻，使得可以有效地防止或显著地减少供应给对电极230的公共电压ELVSS的下降，或者可以降低显示装置3消耗的功率。
在显示装置3的实施例中，如图8中所示，第一电源线层271A和连接电极层272可以不延伸到第一坝340和第二坝350的底部，并且可以位于与第一扫描驱动电路20叠置的区域中，由此减小了显示装置3的外围区域PA的宽度。
图9是根据另一可选择的实施例的显示装置4的剖视图。
在这样的实施例中，如图9中所示并且如在上面参照图8所描述的，显示装置4包括电源线和将对电极230电连接到电源线的连接电极层372，电源线包括第一电源线层371A和第二电源线层(未示出)。尽管在图9中未示出，但是如上面参照图7描述的，电源线的第二电源线层可以部分地位于外围区域PA中，并且如上面所描述的，可以通过接触孔CNT(参照图7)与第一电源线层371A接触。
第一电源线层371A可以位于第一有机绝缘层111上，第一孔371A-h被限定在第一电源线层371A中。图9的显示装置4与图8的显示装置3除了连接电极层372的构造之外基本相同。已经用与以上用于描述图8中示出的显示装置3的示例性实施例的附图标记相同的附图标记对图9中示出的相同或同样的元件进行标记，并且在下文中将省略或简化对其的任何重复的详细描述。
连接电极层372可以位于第二有机绝缘层113上，并且可以通过位于第二有机绝缘层113中的第二谷孔113VH接触第一电源线层371A。在实施例中，如图8中所示，连接电极层272通过接触孔113CH接触第一电源线层271A。在可选择的实施例中，图8中示出的用于将连接电极层272连接到第一电源线层271A的接触孔113CH未限定在图9中示出的第二有机绝缘层113中。
在这样的实施例中，突起125在连接电极层372上形成为比第二孔372h大，从而覆盖孔边缘372he，并且如上面参照图4和图5A和图5B描述的，可以通过突起125来控制有机封装层420的流动。因此，将省略对其的任何重复的详细描述。
根据这里阐述的一个或更多个实施例，如上所述，显示装置具有改善的功耗和减小的死区(例如，外围区域)。
发明不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并将把本发明的构思充分地传达给本领域技术人员。
虽然已经参照本发明的实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，可以在其中进行形式上和细节上的各种改变，而不脱离由权利要求限定的发明的精神和范围。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
多个显示元件，位于所述基底的显示区域中，其中，所述多个显示元件中的每个包括像素电极、对电极以及位于所述像素电极和所述对电极之间的中间层；
驱动电路，位于所述显示区域的外侧，并且包括薄膜晶体管；
第一绝缘层，位于所述驱动电路上；
第一电源线层，位于所述第一绝缘层上，并且与所述驱动电路叠置；
第二绝缘层，位于所述第一电源线层上；以及
连接电极层，位于所述第二绝缘层上，其中，所述连接电极层将所述第一电源线层电连接到所述对电极。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一电源线层中限定有多个第一孔。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
在所述第二绝缘层中限定有接触孔，并且
所述接触孔的中心偏离所述多个第一孔中的每个的中心。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述连接电极层通过所述接触孔接触所述第一电源线层。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，在所述连接电极层中限定有多个第二孔。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个第二孔中的至少一个与所述多个第一孔中的至少一个叠置。
7.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
多个突起，分别覆盖所述多个第二孔，
其中，所述多个突起包括绝缘材料。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个突起彼此间隔开。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一绝缘层中限定有第一谷孔。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层包括有机绝缘材料。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第一电源线层的一部分通过所述第一谷孔与位于所述第一绝缘层下方的绝缘层接触。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述绝缘层包括无机材料。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，
在所述第二绝缘层中限定有与所述第一谷孔对应的第二谷孔，
所述连接电极层通过所述第二谷孔接触所述第一电源线层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层包括有机绝缘材料。
15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第二电源线层，位于所述显示区域的所述外侧上，并且连接到所述第一电源线层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第一电源线层和所述第二电源线层部分地围绕所述显示区域。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一电源线层与所述第二电源线层之间的接触区域延伸以部分地围绕所述显示区域。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述第一电源线层部分地围绕所述显示区域，并且
所述第二电源线层与位于所述显示区域的所述外侧上的所述第一电源线层接触。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其中，
所述第二电源线层位于所述第一绝缘层下方，并且
所述第一电源线层通过限定在所述第一绝缘层中的开口或接触孔接触所述第二电源线层。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述第二电源线层的侧表面被无机绝缘层覆盖。
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