[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN109427975B - 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置 - Google Patents

柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109427975B
CN109427975B CN201710740020.6A CN201710740020A CN109427975B CN 109427975 B CN109427975 B CN 109427975B CN 201710740020 A CN201710740020 A CN 201710740020A CN 109427975 B CN109427975 B CN 109427975B
Authority
CN
China
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
flexible substrate
layer
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710740020.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109427975A (zh
Inventor
梁志伟
刘英伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710740020.6A priority Critical patent/CN109427975B/zh
Priority to US16/304,435 priority patent/US20220099437A9/en
Priority to JP2018563610A priority patent/JP7238247B2/ja
Priority to EP18800466.7A priority patent/EP3675192B1/en
Priority to PCT/CN2018/087262 priority patent/WO2019037485A1/zh
Publication of CN109427975A publication Critical patent/CN109427975A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109427975B publication Critical patent/CN109427975B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • G01B17/04—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring the deformation in a solid, e.g. by vibrating string
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B17/00—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations
    • G01B17/06—Measuring arrangements characterised by the use of infrasonic, sonic or ultrasonic vibrations for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
    • G01B7/16—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring the deformation in a solid, e.g. by resistance strain gauge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one piezoelectric, electrostrictive or magnetostrictive element covered by groups H10N30/00 – H10N35/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明公开了一种柔性基板及其制备方法、一种检测弯曲的方法以及一种柔性显示装置。一种柔性基板，包括柔性基底；以及位于所述柔性基底上的表面声波产生元件和表面声波检测元件，其中所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件被配置为检测所述柔性基板的弯曲。本发明的实施例提供的柔性基板能够基于柔性基板的弯曲提供附加的人机交互。

Description

柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及一种柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置。
背景技术
柔性显示技术在近几年有了飞速发展，由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。柔性显示器又称为可卷曲显示器，与传统的硬屏显示器相比，柔性显示器有很多优点，例如，耐冲击、抗震能力强、重量轻、体积小、携带方便、成本低。
发明内容
本发明的实施例公开一种柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置。
在本发明的第一方面，提供一种柔性基板。该柔性基板包括柔性基底；以及位于所述柔性基底上的表面声波产生元件和表面声波检测元件，其中所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件被配置为检测所述柔性基板的弯曲。
在本发明的实施例中，所述表面声波产生元件被配置为基于输入的电信号产生表面声波；所述表面声波检测元件被配置为接收所述表面声波以产生输出电信号，其中，所述柔性基底的弯曲引起所述表面声波的至少一个特性的变化，进而引起所述输出电信号的变化，以便基于所述输出电信号的变化检测所述弯曲。
在本发明的实施例中，所述至少一个特性包括频率、相位和幅度中的至少一种。
在本发明的实施例中，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件包括压电层；以及位于所述压电层上的叉指电极。
在本发明的实施例中，所述压电层的材料包括ZnO、AlN和c-BN中的任一种。
在本发明的实施例中，所述柔性基板还包括反射元件，其中，所述反射元件被定位为将由所述表面声波产生元件产生的表面声波信号朝向所述表面声波检测元件的方向反射。
在本发明的实施例中，所述反射元件位于所述压电层上。
在本发明的实施例中，所述柔性基底上具有以阵列布置的多个薄膜晶体管，其中所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件位于相邻薄膜晶体管之间。
在本发明的实施例中，所述薄膜晶体管的源/漏极电极和所述叉指电极由相同材料形成。
在本发明的实施例中，所述柔性基板还包括钝化层，所述钝化层具有位于在所述薄膜晶体管上的第一部分以及位于相邻薄膜晶体管之间的区域上的第二部分，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件位于所述第二部分上。
在本发明的实施例中，所述钝化层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述柔性基板还包括位于所述第一钝化层的所述第二部分上的引线，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件通过所述第二钝化层中的过孔与所述引线电连接。
在本发明的第二方面，提供一种柔性OLED显示装置。所述柔性OLED显示装置包括根据本发明的柔性基板，诸如根据上面和/或下面更详细公开的一个或多个实施例的柔性基板。
在本发明的实施例中，所述柔性OLED显示装置还包括与所述表面声波产生元件连接并被配置为驱动所述表面声波产生元件产生表面声波的驱动器；以及与所述表面声波检测元件连接被并配置为处理所述表面声波检测元件的输出电信号的处理单元。
在本发明的第三方面，提供一种用于制备柔性基板的方法，包括提供柔性基底；以及在所述柔性基底上形成表面声波产生元件和表面声波检测元件，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件被配置为检测所述柔性基板的弯曲。
在本发明的实施例中，形成所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件包括：在所述柔性基底上形成压电层；以及在所述压电层上形成叉指电极。
在本发明的实施例中，提供所述柔性基底包括：在所述柔性基底上形成以阵列布置的多个薄膜晶体管；以及在所述柔性基底和所述多个薄膜晶体管上形成钝化层，其中所述钝化层具有位于在所述薄膜晶体管上的第一部分以及位于所述柔性基底的相邻薄膜晶体管之间的区域上的第二部分，以及其中，在所述柔性基底上形成所述压电层包括：在所述钝化层的所述第二部分上形成所述压电层。
在本发明的实施例中，所述钝化层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，其中，提供所述柔性基底还包括：在所述第一钝化层的所述第二部分上形成引线，其中形成所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件还包括：在形成所述叉指电极之前，形成贯穿所述压电层和所述第二钝化层的第二部分并到达所述引线的第一过孔，以及其中形成所述叉指电极包括：在所述压电层上和所述第一过孔中形成第一导电层，以及构图所述第一导电层，以形成所述叉指电极。
在本发明的实施例中，所述方法还包括：在形成所述第一过孔的同时，形成贯穿所述钝化层的所述第一部分并到达所述薄膜晶体管的源/漏极区域的第二过孔，其中所述第一导电层还填充所述第二过孔，所述构图所述第一导电层还形成所述薄膜晶体管的源/漏极电极。
在本发明的实施例中，所述方法还包括：形成覆盖所述第二钝化层、所述源/漏极电极和所述叉指电极的平坦化层；在所述平坦化层中形成暴露所述源/漏极电极的第三过孔；在所述平坦化层上和所述第三过孔中形成第二导电层；以及在所述第二导电层上形成像素定义层，所述像素定义层的垂直投影覆盖所述第三过孔。
在本发明的第四方面，提供一种用于检测根据本发明的柔性基板的弯曲的方法。所述方法包括：向所述表面声波产生元件输入电信号，以产生表面声波，其中所述柔性基底的弯曲引起所述表面声波的至少一个特性的变化；通过所述表面声波检测元件接收所述表面声波以产生输出电信号，其中所述输出电信号基于所述表面声波的至少一个特性的变化而变化；以及基于所述输出电信号的变化检测所述弯曲。
在本发明的实施例中，柔性基板的弯曲可导致表面声波的特性变化。基于由于柔性基板的弯曲导致的表面声波的变化可以检测柔性基板的弯曲。当该柔性基板应用到柔性显示装置时，柔性基板的这种弯曲检测功能可以提供附加的人机交互方式。例如，当检测到弯曲时，可以进行电子书翻页。另一方面，通过柔性基板提供的弯曲检测功能，可以检测基板被弯曲的程度，以免由于弯曲过度导致基板损坏。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
附图说明
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：
图1示例性示出根据本发明的实施例的柔性基板的示意图；
图2示例性示出根据本发明的实施例的表面声波产生元件和表面声波检测元件的结构示意图；
图3示出根据本发明的实施例的压电层弯曲时引起表面声波变化的示意图；
图4示意性示出根据本发明的实施例的另一种柔性基板的截面图；
图5示例性示出根据本发明的实施例的柔性OLED显示装置的框图；
图6示例性示出根据本发明的实施例的柔性OLED显示装置的驱动电路图；
图7示例性示出根据本发明的实施例的另一种柔性OLED显示装置的示意图；
图8示意性示出根据本发明的实施例的用于制备柔性基板的方法的流程图；
图9示例性示出根据本发明的实施例的用于制备图4中的柔性基板的方法的流程图；以及
图10示例性示出了根据本发明的实施例的用于检测柔性基板的弯曲的方法的流程图。
贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。
具体实施方式
现将参考附图详细描述各种实施例，其作为本发明的示例性示例而提供，以使得本领域技术人员能够实现本发明。值得注意的是，以下附图和示例并不意味着限制本发明的范围。在使用已知的组件(或方法或过程)可以部分或全部实现本发明的特定元件的情况下，将仅描述对理解本发明所需要的这种已知组件(或方法或过程)的那些部分，并且这种已知组件的其它部分的详细描述将被省略以便不会混淆本发明。进一步地，各种实施例通过说明的方式包含与在此涉及的组件等同的现在和未来已知的等同物。
出于下文表面描述的目的，如其在附图中被标定方向那样，术语“上”、“下”、“左”、“右”“垂直”、“水平”、“顶”、“底”及其派生词应涉及发明。术语“上覆”、“在……顶上”、“定位在……上”或者“定位在……顶上”意味着诸如第一结构的第一要素存在于诸如第二结构的第二要素上，其中，在第一要素和第二要素之间可存在诸如界面结构的中间要素。术语“直接接触”意味着连接诸如第一结构的第一要素和诸如第二结构的第二要素，而在两个要素的界面处没有任何中间导电、绝缘或者半导体层。
如本文所使用的，术语“具有(have)”、“包括(comprise)”和“包含(contain)”以及其语法变型以非排它的方式使用。因此，表述“A具有B”以及表达“A包括B”或“A包含B”可以指：除了B之外A包含一个或多个其它组件和/或构件的事实，以及除了B之外没有其他组件、构件或元素呈现在A中的情况。
柔性显示器的可弯曲特性，在提供前述优点的同时，还可以提供便捷的人机交互方式。这种交互方式可以通过弯曲反馈来实现。例如，人们在阅读电子书时，可以使屏幕弯曲一定程度，通过检测弯曲的程度来控制电子书页码的增减。这种弯曲检测功能不仅可以提供附加的交互方式，也可以在佩戴手套的情况下通过弯曲屏幕实现功能控制。
在本发明的第一方面，提供一种柔性基板，其能够检测柔性基板的弯曲，以提供附加的人机交互。
图1示例性示出根据本发明的实施例的柔性基板的示意图。如图1所示，柔性基板可以包括柔性基底101以及位于该柔性基底101上的表面声波产生元件102和表面声波检测元件103，该表面声波产生元件102和表面声波检测元件103被配置为能够检测柔性基板的弯曲。
在本发明的实施例中，柔性基板的弯曲可导致表面声波的特性变化。基于由于柔性基板的弯曲导致的表面声波的变化可以检测柔性基板的弯曲。当该柔性基板应用到柔性显示装置时，柔性基板的这种弯曲检测功能可以提供附加的人机交互方式。例如，当检测到弯曲时，可以进行电子书翻页。作为又一示例，通过柔性基板提供的弯曲检测功能，可以检测基板被弯曲的程度，以免由于弯曲过渡导致基板损坏。
在本发明的实施例中，表面声波产生元件102被配置为基于输入的电信号产生表面声波，并且表面声波检测元件103被配置为接收表面声波以产生输出电信号。柔性基底的弯曲可以引起表面声波的至少一个特性的变化，进而引起输出电信号的变化，以便基于输出电信号的变化检测弯曲。作为示例，表面声波的至少一个特性可以为相位、频率和幅度中的一种或多种。
在本发明的实施例中，柔性基底101可以由诸如PET、PEN和聚酰亚胺的聚合物材料形成。
图2示例性示出根据本发明的实施例的表面声波产生元件102和表面声波检测元件103的结构示意图。如图2所示，表面声波产生元件102可以为输入叉指换能器，表面声波检测元件103可以为输出叉指换能器。表面声波产生元件102(例如，输入叉指换能器)和表面声波检测元件103(例如，输出叉指换能器)中的每一个可以包括压电层104和位于压电层104上的叉指电极105。
可以理解，在本发明的实施例中，表面声波产生元件102不限于图2所示的输入叉指换能器，任何可以产生表面声波的元件都可以作为表面声波产生元件102。类似地，表面声波检测元件103也不限于图2所示的输出叉指换能器，任何可以将表面声波转换为电信号的元件都可以作为表面声波检测元件103。
在本发明的实施例中，可以向输入叉指换能器施加输入电信号，输入叉指换能器可以基于逆压电效应将输入的电信号转换为表面声波信号。该表面声波信号沿压电层的表面传播到输出叉指换能器，并由输出叉指换能器接收。该输出叉指换能器将表面声波信号转换成电信号并输出到例如处理单元。
图3示出根据本发明的实施例的压电层弯曲时引起表面声波变化的示意图。如图3所示，当压电层受到外界影响时(例如由于柔性基板被弯曲而产生的应力)，在压电层表面传播的表面声波的特性(诸如频率、相位或振幅)发生变化，进而导致从输出叉指换能器输出的电信号的变化。通过分析输出电信号的变化，可以得出承载压电层的柔性基板的弯曲情况。因此，根据本发明实施例提供的柔性基板，可以检测柔性基板的弯曲，以便基于弯曲的程度和/或方向提供附加的人机交互方式。此外，还可以根据弯曲情况检测弯曲程度，以便柔性基板弯曲过度而受到损坏。
在本发明的实施例中，叉指电极105可以由金属或金属合金制成，诸如铝或铝合金，铝合金可以为铝铜合金(其中铜占合金总量的25％)或铝钛合金(其中钛占合金总量的25％)。
压电层104的材料可以包括ZnO、AlN和c-BN中的任一种。表1列出了用于压电层的材料的参数，例如，声速、质量密度、晶格常数、弹性模量和热导率。
表1压电层的材料
Figure BDA0001388905550000081
在本发明的实施例中，柔性基板还可以包括反射元件106，该反射元件106可以被定位为将由输入叉指换能器产生的表面声波朝向输出叉指换能器的方向反射。通过设置反射元件106，可以使得由输入叉指换能器产生的表面声波反射到输出叉指换能器，以减少表面声波的损耗。
如图2或3所示，该反射元件106可以位于输入叉指换能器的远离输出叉指换能器的一侧，也就是说，输入叉指换能器位于反射元件和输出叉指换能器之间。
在本发明的实施例中，可以将反射元件106设置在压电层104上。反射元件106可以与叉指电极105由相同的材料制成。作为示例，反射元件106可以由金属材料制成。通过这种配置，可以在一次构图工艺中同时形成叉指电极105和反射元件106。
图4示意性示出根据本发明的实施例的另一种柔性基板的截面图。在图4所示的实施例中，该柔性基板200可以为柔性OLED显示器的背板。
需要说明的是，在图4所示的实施例中，柔性基板同样包括在图1所示的实施例中的柔性基底101、表面声波产生单元102、表面声波检测单元103和反射元件106，因此，在本实施例中，关于这些部件的解释或说明可以参考图1所示的实施例。
如图4所示，该柔性基板还可以包括位于柔性基底101上的以阵列布置的多个薄膜晶体管(TFT)107。表面声波产生单元102和表面声波检测单元103位于相邻薄膜晶体管107之间。
薄膜晶体管107可以包括位于柔性基底101上的栅极、位于栅极上以及柔性基底101的相邻薄膜晶体管107之间区域的栅极绝缘层、和位于栅极绝缘层上的源/漏极区域和沟道区域。
在本发明的实施例中，柔性基板还包括与薄膜晶体管的源/漏极区域电接触的源/漏极电极1071。源/漏极电极1071和叉指电极105可以由相同材料形成，例如，金属。通过这种配置，可以在一次构图工艺中同时制备源/漏极电极和叉指电极。
在图4所示的实施例中，柔性基板还可以包括钝化层108，该钝化层108具有位于在薄膜晶体管107上的第一部分以及位于柔性基底101的相邻薄膜晶体管107之间的区域上的第二部分。表面声波产生元件102和表面声波检测元件103可以位于钝化层108的第二部分上。
进一步参考图4，钝化层108可以包括第一钝化层1081和位于第一钝化层1081上的第二钝化层1082。
作为示例，第一钝化层1081和第二钝化层1082可以包括SiO、SiN或二者的叠层。
在该实施例中，柔性基板还可以包括位于第一钝化层1081的第二部分上的引线109，表面声波产生元件102和表面声波检测元件103通过第二钝化层1082中的过孔与引线109电接触。
进一步的，如图4所示，该柔性基板还可以包括覆盖在第二钝化层1082、源/漏极电极1071和叉指电极105的平坦化层110、位于平坦化层110上的导电层111以及形成在导电层111上的像素定义层112。
平坦化层110可以包括光刻胶，光刻胶能够避免对表面声波产生元件102和表面声波检测元件103的不利影响。
导电层111通过平坦化层110中的过孔与源/漏极电极1071电接触，该导电层111可以作为柔性OLED显示装置的阳极电极。
像素定义层112的垂直投影覆盖平坦化层110中的该过孔。当本发明实施例中的柔性基板用作OLED显示装置的背板时，该像素定义层112可以限定柔性OLED显示装置的像素区域，以便在像素区域中沉积有机发光材料。
在本发明的第二方面，提供一种柔性OLED显示装置。可选地，该柔性OLED显示装置可以包括根据本发明的柔性基板，诸如上面和/或下面更详细公开的一个或多个实施例的柔性基板。因此，对于该柔性OLED显示装置的可选实施例，可以参考柔性基板的实施例。
图5示例性示出根据本发明的实施例的柔性OLED显示装置的框图。如图5所示，该柔性OLED显示装置可以包括根据本发明的柔性基板100。
在本发明的实施例中，该柔性OLED显示装置还可以包括与表面声波产生元件102连接并被配置为驱动表面声波产生元件102产生表面声波的驱动器501、以及与表面声波检测元件103连接并被配置为接收并处理表面声波检测元件103的输出电信号的处理单元502。
通常表面声波产生元件102的工作频率在几十MHZ到几GHZ，比薄膜晶体管的驱动频率大。因此，在本发明的一个实施例中，可以单独地设置用于驱动表面声波产生元件来产生表面声波的驱动器501。
图6示例性示出根据本发明的实施例的柔性OLED显示装置的驱动电路图。如图6所示，表面声波产生元件102和表面声波检测元件103位于显示装置的每个像素区域中未设置薄膜晶体管107的区域。驱动器501与表面声波产生元件102的叉指电极电连接，用于驱动表面声波产生元件102来产生表面声波，处理单元502与表面声波检测元件103的叉指电极电连接，用于接收并处理表面声波检测元件103的输出电信号，以便确定柔性OLED显示装置的弯曲。另外，如图6所示，根据本发明的实施例的柔性OLED显示装置还可以包括与薄膜晶体管的栅极(G)电连接栅极驱动器601，以及与薄膜晶体管107的源极(S)电连接的源极驱动器602。在本发明的实施例中，栅极驱动器601为薄膜晶体管提供驱动信号，源极驱动器602为薄膜晶体管提供数据信号。
在本发明的实施例中，处理单元502可以实现为处理器和存储器的组合，其中处理器执行存储器中存储的程序以实现处理单元的功能。
图7示例性示出根据本发明的实施例的另一种柔性OLED显示装置的示意图。在图7的实施例中，柔性OLED显示装置包括图4所示的实施例中的柔性基板、位于由像素定义层112限定的像素区域中的有机发光层113、位于有机发光层113和像素定义层112上的阴极层114、以及位于阴极层114上的缓冲层115。
根据本发明的实施例，可以基于由于柔性OLED显示装置的弯曲导致的表面声波的变化来检测柔性OLED显示装置的弯曲。通过这种配置，可以为柔性OLED显示装置提供附加的人机交互方式，例如，检测到弯曲时，电子书翻页的操作。此外，通过弯曲检测功能，可以检测柔性OLED显示装置被弯曲的程度，以免由于弯曲过度导致柔性OLED显示装置损坏。
在本发明的第三方面，提供一种用于制备柔性基板的方法。可选地，该方法可以制备根据本发明的柔性基板，诸如根据上面和/或下面更详细公开的一个或多个实施例的柔性基板。因此，对于该方法的可选实施例，可以参考柔性基板的实施例。该方法可以包括以下步骤，其可以以给定的顺序或以不同的顺序执行。此外，可以提供未列出的附加方法步骤。此外，可以至少部分地同时执行两个或更多个或甚至所有的方法步骤。此外，方法步骤可以重复执行两次或甚至多于两次。
图8示意性示出根据本发明的实施例的用于制备柔性基板的方法的流程图。如图8所示，该方法包括步骤S81和S82。在步骤S81，提供柔性基底。在步骤S82，在柔性基底上形成表面声波产生元件和表面声波检测元件，该表面声波产生元件和该表面声波检测元件被配置为检测柔性基板的弯曲。
在图8的步骤S81中，提供柔性基底可以包括：在柔性基底上形成以阵列布置的多个薄膜晶体管；以及在柔性基底和多个薄膜晶体管上形成钝化层。在该实施例中，钝化层具有位于薄膜晶体管上的第一部分以及位于柔性基底的相邻薄膜晶体管之间的区域上的第二部分。
在图8的步骤S82中，形成表面声波产生元件和表面声波检测元件可以包括：在柔性基底上形成压电层；以及在压电层上形成叉指电极。在该实施例中，可以将压电层形成在钝化层的第二部分上，以使表面声波产生元件和表面声波检测元件被形成在相邻薄膜晶体管之间。
在本发明的实施例中，钝化层可以包括第一钝化层和位于第一钝化层上的第二钝化层。提供柔性基底还可以包括在第一钝化层的第二部分上形成引线。进一步地，形成表面声波产生元件和所述表面声波检测元件还可以包括：在形成叉指电极之前，形成贯穿压电层和第二钝化层的第二部分并到达引线的第一过孔。进一步地，形成叉指电极可以包括：在压电层上和第一过孔中形成第一导电层，以及构图该第一导电层，以形成叉指电极。该叉指电极通过第一过孔中的导电层与引线电接触。
在本发明的实施例中，用于制备柔性基板的方法还可以包括：在形成第一过孔的同时，形成贯穿钝化层的第一部分并到达薄膜晶体管的源/漏区域的第二过孔。在该实施例中，第一导电层填充第二过孔，并且构图第一导电层还形成薄膜晶体管的源/漏极电极。换句换说，叉指电极和源/漏极电极可以在一次构图工艺中形成。因此，本发明实施例提供的制备柔性基板的方法工艺比较简单。
在本发明的实施例中，用于制备柔性基板的方法还可以包括：形成覆盖第二钝化层、源/漏极电极和叉指电极的平坦化层；在平坦化层中形成暴露源/漏极电极的第三过孔；在平坦化层上和第三过孔中形成第二导电层；以及在第二导电层上形成像素定义层，像素定义层的垂直投影覆盖第二过孔。
图9示例性示出根据本发明的实施例的用于制备图4中的柔性基板的方法的流程图。作为示例，在图9所示的实施例中，制备的柔性基板可以用于柔性OLED显示装置的背板。如图9所示，该方法可以包括步骤S91-S910。
在步骤S91，提供柔性基底101。该柔性基底101可以由由诸如PET、PEN和聚酰亚胺的聚合物材料。
在步骤S92，在柔性基底101上形成以阵列布置的多个薄膜晶体管107。在本发明的实施例中，薄膜晶体管107可以包括栅极、栅极绝缘层、有源层(包括源/漏极区域和沟道区域)。
在步骤S93，在薄膜晶体管107的有源层上和相邻薄膜晶体管之间的栅极绝缘层上形成第一钝化层1081。第一钝化层1081包括位于薄膜晶体管107上的第一部分和位于相邻薄膜晶体管107之间的第二部分。第一钝化层1081的材料可以为SiO、SiN或二者的组合。
在步骤S94，在第一钝化层1081的第二部分上形成引线109。在本发明的实施例中，可以采用溅射、蒸发等方式形成引线109。
在步骤S95，在第一钝化层1081和引线109上形成第二钝化层1082。第二钝化层1082包括位于薄膜晶体管107上的第一部分和位于相邻薄膜晶体管108之间的第二部分。第二钝化层1082的材料可以为SiO、SiN或二者的组合。
在步骤S96，在第二钝化层1082的第二部分上形成压电层104。压电层104的材料可以包括ZnO、AlN和c-BN中的任一种。
在步骤S97，形成贯穿压电层104和第二钝化层1082的第二部分并到达引线109的第一过孔以及贯穿第一钝化层1081和第二钝化层1082并到达薄膜晶体管107的源/漏极区域的第二过孔。
在步骤S98，在第二钝化层1082和压电层104上形成第一导电层，该第一导电层经由第一过孔和第二过孔分别与引线109和源/漏极区域电接触。
在步骤S99，构图第一导电层以形成叉指电极105、反射元件106和薄膜晶体管的源/漏极电极1071。
在步骤S910，形成覆盖第二钝化层1082、源/漏极电极1071、反射元件106和叉指电极105的平坦化层110。
在图9所示的实施例中，仅示出了对理解本发明所需要的步骤。可以理解，图9所示的实施例还可以包括形成所需的其他已知部件或组件的步骤，例如，在平坦化层110中形成暴露源/漏极电极1071的第三过孔；在平坦化层110上和第三过孔中形成第二导电层111；以及在第二导电层111上形成像素定义层112，像素定义层112填充第三过孔并且像素定义层112的垂直投影覆盖第三过孔。本实施例省略了对这些步骤的详细描述。
在本发明的第四方面，提供一种用于检测柔性基板的弯曲的方法。可选地，该方法可以检测根据本发明的柔性基板的弯曲，诸如根据上面和/或下面更详细公开的一个或多个实施例的柔性基板。因此，对于该方法的可选实施例，可以参考柔性基板的实施例。
图10示例性示出了根据本发明的实施例的用于检测柔性基板的弯曲的方法的流程图。如图10所示，该方法包括步骤S11-S13。
在步骤S11，向表面声波产生元件输入电信号，以产生表面声波。在本发明的实施例中，柔性基底的弯曲可以引起表面声波的至少一个特性的变化。
表面声波产生元件可以为例如表面声波输入叉指换能器。输入的电信号可以使得输入叉指换能器基于逆压电效应在压电层的表面产生表面声波，该表面声波在压电层的表面传播。当压电层受到外界影响时，例如，由于柔性基底的弯曲导致压电层产生应力，表面声波的至少一个特性将发生变化。该至少一个特性可以为频率、相位和幅度中的至少一种。
在步骤S12，通过表面声波检测元件接收表面声波，以产生输出电信号。在本发明的实施例中，输出电信号基于表面声波的至少一个特性的变化而变化。
表面声波检测元件可以为例如表面声波输出叉指换能器。输出叉指换能器可以基于压电效应将接收到的表面声波信号转换成输出电信号。当表面声波的至少一个特性由于柔性基板的弯曲而变化时，输出的电信号将随着表面声波的变化而变化。
在步骤S13，基于输出电信号的变化检测柔性基板的弯曲。
在本发明的实施例中，由于输出的电信号随之表面声波的变化而变化，因此通过对输出电信号的处理与分析，可以得出表面声波的变化，然后基于表面声波的变化可以获得柔性基板的弯曲应力分布，以便根据弯曲应力分布做出反馈。作为示例，在检测到弯曲应力过大时，提醒使用者，以免损坏柔性基板。或者，在检测到向背面弯曲时，提供附加的人机交互方式，例如，电子书翻页。
以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例，但是，在合适的情况下，这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中，即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请，并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。

Claims (19)

1.一种柔性基板，其特征在于，包括：
柔性基底；以及
位于所述柔性基底上的表面声波产生元件和表面声波检测元件，
其中所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件被配置为检测所述柔性基板的弯曲，以及
其中，所述柔性基底上具有以阵列布置的多个薄膜晶体管，其中所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件位于相邻薄膜晶体管之间，并且与所述薄膜晶体管的源/漏极电极位于同一层。
2.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，所述表面声波产生元件被配置为基于输入的电信号产生表面声波；
所述表面声波检测元件被配置为接收所述表面声波以产生输出电信号，
其中，所述柔性基底的弯曲引起所述表面声波的至少一个特性的变化，进而引起所述输出电信号的变化，以便基于所述输出电信号的变化检测所述弯曲。
3.根据权利要求2所述的柔性基板，其特征在于，所述至少一个特性包括频率、相位和幅度中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的柔性基板，其特征在于，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件包括：
压电层；以及
位于所述压电层上的叉指电极。
5.根据权利要求4所述的柔性基板，其特征在于，所述压电层的材料包括ZnO、AlN和c-BN中的任一种。
6.根据权利要求4所述的柔性基板，其特征在于，还包括反射元件，其中，所述反射元件被定位为将由所述表面声波产生元件产生的表面声波信号朝向所述表面声波检测元件的方向反射。
7.根据权利要求6所述的柔性基板，其特征在于，所述反射元件位于所述压电层上。
8.根据权利要求4所述的柔性基板，其特征在于，所述薄膜晶体管的源/漏极电极和所述叉指电极由相同材料形成。
9.根据权利要求1所述的柔性基板，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层具有位于在所述薄膜晶体管上的第一部分以及位于相邻薄膜晶体管之间的区域上的第二部分，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件位于所述第二部分上。
10.根据权利要求9所述的柔性基板，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，所述柔性基板还包括位于所述第一钝化层的所述第二部分上的引线，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件通过所述第二钝化层中的过孔与所述引线电连接。
11.一种柔性OLED显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10中任一项所述的柔性基板。
12.根据权利要求11所述的柔性OLED显示装置，其特征在于，还包括：
与所述表面声波产生元件连接并被配置为驱动所述表面声波产生元件产生表面声波的驱动器；以及
与所述表面声波检测元件连接被并配置为处理所述表面声波检测元件的输出电信号的处理单元。
13.一种用于制备柔性基板的方法，其特征在于，包括：
提供柔性基底；以及
在所述柔性基底上形成表面声波产生元件和表面声波检测元件，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件被配置为检测所述柔性基板的弯曲，
其中，提供所述柔性基底包括：
在所述柔性基底上形成以阵列布置的多个薄膜晶体管，其中，所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件被形成在相邻薄膜晶体管之间，并且与所述薄膜晶体管的源/漏极电极形成在同一层。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，形成所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件包括：
在所述柔性基底上形成压电层；以及
在所述压电层上形成叉指电极。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，提供所述柔性基底还包括：
在所述柔性基底和所述多个薄膜晶体管上形成钝化层，其中，所述钝化层具有位于在所述薄膜晶体管上的第一部分以及位于所述柔性基底的相邻薄膜晶体管之间的区域上的第二部分，以及其中
在所述柔性基底上形成所述压电层包括：
在所述钝化层的所述第二部分上形成所述压电层。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述钝化层包括第一钝化层和位于所述第一钝化层上的第二钝化层，
其中，提供所述柔性基底还包括：
在所述第一钝化层的所述第二部分上形成引线，
形成所述表面声波产生元件和所述表面声波检测元件还包括：
在形成所述叉指电极之前，形成贯穿所述压电层和所述第二钝化层的第二部分并到达所述引线的第一过孔，并且
形成所述叉指电极包括：
在所述压电层上和所述第一过孔中形成第一导电层，以及
构图所述第一导电层，以形成所述叉指电极。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成所述第一过孔的同时，形成贯穿所述钝化层的所述第一部分并到达所述薄膜晶体管的源/漏极区域的第二过孔，其中所述第一导电层还填充所述第二过孔，所述构图所述第一导电层还形成所述薄膜晶体管的源/漏极电极。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，还包括：
形成覆盖所述第二钝化层、所述源/漏极电极和所述叉指电极的平坦化层；
在所述平坦化层中形成暴露所述源/漏极电极的第三过孔；
在所述平坦化层上和所述第三过孔中形成第二导电层；以及
在所述第二导电层上形成像素定义层，所述像素定义层的垂直投影覆盖所述第三过孔。
19.一种用于检测如权利要求1至10中任一项所述的柔性基板的弯曲的方法，其特征在于，所述方法包括：
向所述表面声波产生元件输入电信号，以产生表面声波，其中所述柔性基底的弯曲引起所述表面声波的至少一个特性的变化；
通过所述表面声波检测元件接收所述表面声波以产生输出电信号，其中所述输出电信号基于所述表面声波的至少一个特性的变化而变化；以及
基于所述输出电信号的变化检测所述弯曲。
CN201710740020.6A 2017-08-23 2017-08-23 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置 Active CN109427975B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710740020.6A CN109427975B (zh) 2017-08-23 2017-08-23 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置
US16/304,435 US20220099437A9 (en) 2017-08-23 2018-05-17 Flexible substrate and fabrication method thereof, method for detecting bend, and flexible display device
JP2018563610A JP7238247B2 (ja) 2017-08-23 2018-05-17 可撓性基板およびその製造方法、屈曲検出方法ならびに可撓性表示装置
EP18800466.7A EP3675192B1 (en) 2017-08-23 2018-05-17 Flexible substrate and preparation method therefor, method for detecting bending, and flexible display device
PCT/CN2018/087262 WO2019037485A1 (zh) 2017-08-23 2018-05-17 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710740020.6A CN109427975B (zh) 2017-08-23 2017-08-23 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109427975A CN109427975A (zh) 2019-03-05
CN109427975B true CN109427975B (zh) 2021-01-22

Family

ID=65438389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710740020.6A Active CN109427975B (zh) 2017-08-23 2017-08-23 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220099437A9 (zh)
EP (1) EP3675192B1 (zh)
JP (1) JP7238247B2 (zh)
CN (1) CN109427975B (zh)
WO (1) WO2019037485A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019159614A1 (ja) * 2018-02-13 2021-01-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 無線通信半導体装置およびその製造方法
CN110309898B (zh) * 2019-06-21 2023-05-23 青岛罗博智慧教育技术有限公司 纸张页码检测方法、系统和手写板装置
CN110571258B (zh) * 2019-09-18 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板、阵列基板及其制造方法
CN115023585A (zh) * 2020-08-06 2022-09-06 株式会社村田制作所 变形量检测装置
CN112037700B (zh) * 2020-08-20 2022-12-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板的应力测试装置及应力测试方法
CN115332290B (zh) * 2022-07-18 2024-05-28 之江实验室 一种集成声流控saw器件与薄膜晶体管器件的传感器及其制备方法、应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102081894A (zh) * 2009-11-05 2011-06-01 索尼公司 显示装置和控制显示装置的方法
JP5717247B2 (ja) * 2011-03-08 2015-05-13 セイコーインスツル株式会社 センサ

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3978731A (en) * 1974-02-25 1976-09-07 United Technologies Corporation Surface acoustic wave transducer
US4107626A (en) * 1976-12-20 1978-08-15 Gould Inc. Digital output force sensor using surface acoustic waves
JPS63307326A (ja) * 1987-06-09 1988-12-15 Fujikura Ltd 圧力センサとその製造方法
JP3868567B2 (ja) * 1997-01-18 2007-01-17 株式会社半導体エネルギー研究所 複合化回路の作製方法
US6340957B1 (en) * 1997-08-29 2002-01-22 Xerox Corporation Dynamically relocatable tileable displays
JP3780947B2 (ja) 2002-01-18 2006-05-31 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP4385607B2 (ja) 2003-01-29 2009-12-16 セイコーエプソン株式会社 表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路並びに電子機器
US7112860B2 (en) 2003-03-03 2006-09-26 Cree, Inc. Integrated nitride-based acoustic wave devices and methods of fabricating integrated nitride-based acoustic wave devices
WO2005103872A2 (en) 2004-04-14 2005-11-03 Tyco Electronics Corporation Acoustic touch sensor
JP2006047229A (ja) 2004-08-06 2006-02-16 River Eletec Kk 表面弾性波デバイスセンサ
JP5770344B2 (ja) 2008-01-30 2015-08-26 日本碍子株式会社 圧電／電歪膜型素子の製造方法
JP5176889B2 (ja) 2008-11-14 2013-04-03 ブラザー工業株式会社 画像表示装置
JP2010151630A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Kyocera Corp 加速度検出素子および加速度検出装置
JP5263355B2 (ja) 2010-09-22 2013-08-14 株式会社ニコン 画像表示装置及び撮像装置
JP2012189335A (ja) 2011-03-08 2012-10-04 Seiko Instruments Inc センサ
JP2012189332A (ja) 2011-03-08 2012-10-04 Seiko Instruments Inc センサ
CN102435959A (zh) * 2011-10-11 2012-05-02 电子科技大学 一种磁声表面波磁场传感器及其制备方法
CN102420582A (zh) * 2011-11-29 2012-04-18 浙江大学 基于柔性衬底的声表面波器件的结构及其制造方法
KR20140114351A (ko) 2011-12-20 2014-09-26 더 실라나 그룹 피티와이 리미티드 일체로 집적된 cmos 및 음파장치
KR102347532B1 (ko) 2014-01-23 2022-01-05 삼성디스플레이 주식회사 접을 수 있는 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2015132694A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor, touch panel, and manufacturing method of touch panel
KR102511325B1 (ko) 2014-04-18 2023-03-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 동작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102081894A (zh) * 2009-11-05 2011-06-01 索尼公司 显示装置和控制显示装置的方法
JP5717247B2 (ja) * 2011-03-08 2015-05-13 セイコーインスツル株式会社 センサ

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
基于ZnO压电薄膜的柔性声表面波器件;周剑等;《光学精密工程》;20140228;第22卷(第2期);第347-348页 *
新型传感器-声表面波位移传感器和声表面波加速度计;李同泽;《气动实验与测量控制》;19890930;第3卷(第3期);第59-63页 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20220099437A9 (en) 2022-03-31
JP2020532091A (ja) 2020-11-05
CN109427975A (zh) 2019-03-05
EP3675192A1 (en) 2020-07-01
EP3675192A4 (en) 2021-05-12
JP7238247B2 (ja) 2023-03-14
WO2019037485A1 (zh) 2019-02-28
US20210223035A1 (en) 2021-07-22
EP3675192B1 (en) 2024-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109427975B (zh) 柔性基板及其制备方法、检测弯曲的方法以及柔性显示装置
US12016249B2 (en) Piezoelectric sensor and manufacturing method thereof, method for recognizing fingerprint, and electronic device
CN106293258B (zh) 一种有机发光显示面板
US20180081441A1 (en) Integrated Haptic Output and Touch Input System
CN111758099A (zh) 指纹识别模组及其驱动方法、制作方法、显示装置
US9465475B2 (en) Touch panel and method of forming the same
US20150189136A1 (en) Fingerprint sensor and electronic device including the same
CN110201872B (zh) 一种检测面板、显示装置、检测面板驱动方法和制作方法
CN111506187B (zh) 显示装置和用于通过显示装置提供触觉反馈的方法
JP2020027596A (ja) タッチディスプレイモジュール及びこのタッチディスプレイモジュールを応用した電子装置
TW201401127A (zh) 觸控裝置及其檢測方法
US9785822B2 (en) Biometric recognition apparatus with reflection-shielding electrode
TWI675333B (zh) 指紋識別裝置及電子裝置
TW201533618A (zh) 觸控面板、觸控顯示面板及觸控訊號的感測方法
CN108052930A (zh) 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
KR20150145769A (ko) 파워 코일 패턴이 형성된 터치 팬을 이용한 터치 패널
CN107589871B (zh) 一种压感触控模组、制备方法、触摸屏及显示装置
TW201816576A (zh) 指紋識別裝置、其製造方法、顯示裝置
US20180182949A1 (en) Ultrasonic device and ultrasonic apparatus
US20150338976A1 (en) Touch display device
US9910548B2 (en) On-cell touch display panel with touch structure arranged on outermost surface of color filter substrate and display device
JP4593198B2 (ja) タッチパネルおよびタッチパネルの製造方法
JP6022967B2 (ja) 振動装置、電子機器、および携帯端末
TWI764361B (zh) 觸控辨識裝置、顯示裝置及其製造方法
US10153104B1 (en) Keyboard structure with electrostatic discharge protection

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant