CN109427930A - 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 - Google Patents
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- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 235
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 233
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 233
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 201
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims abstract description 140
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims abstract description 130
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 128
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 87
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 87
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 50
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 24
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 7
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 52
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 6
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 2
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 2
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000604 Polyethylene Glycol 200 Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001802 infusion Methods 0.000 description 1
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920000151 polyglycol Polymers 0.000 description 1
- 239000010695 polyglycol Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- -1 tetramethyl aqua ammonia Chemical compound 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/08—Etching
- C30B33/10—Etching in solutions or melts
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法。本发明所公开的在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法是，与目前普遍采用的把制绒添加剂直接加入到化学腐蚀制绒溶液中不同，而是在对晶体硅片实施化学溶液腐蚀制备绒面步骤之前，把制绒添加剂涂布在需要被制绒的晶体硅片表面上。在晶体硅片表面上所涂布的制绒添加剂不与晶体硅片发生反应，然后使化学腐蚀溶液润湿被制绒添加剂涂布的晶体硅片表面，对该晶体硅片的表面实施化学腐蚀制备绒面的步骤。
Description
技术领域
本发明是有关制备太阳能电池的技术，特别是涉及在晶体硅片表面化学溶液腐蚀制备绒面的方法。本发明的在晶体硅片表面化学溶液腐蚀制备绒面的方法具有可以选择性在晶体硅片表面的一些特定面积上实施化学溶液腐蚀制备绒面的特点，特别适合在制备高光电转换效率的太阳能电池上应用。
背景技术
晶体硅片表面的绒面在提高太阳能电池的光电转换效率上发挥重要作用。所谓的绒面是指在晶体硅片表面所形成的一系列有规则或无规则的高低不同和大小不同的表面形状。当太阳光入射到具有绒面的晶体硅片表面后，其反射光可以在晶体硅片表面上的绒面之间产生二次或多次入射的效果。换句话说，晶体硅片表面的绒面可以提高太阳能电池对太阳光的吸收，从而提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率。
在晶体硅片表面制备绒面的方法有多种，例如化学溶液腐蚀制绒方法，等离子刻蚀制绒方法，和激光刻蚀制绒方法等。在工业生产中应用最广泛的在晶体硅片表面制备绒面的方法是化学溶液腐蚀晶体硅片表面制备绒面的方法，即化学溶液腐蚀制绒方法。所谓的化学溶液腐蚀制绒方法是通过化学溶液腐蚀晶体硅的方法，在晶体硅表面生成绒面。例如，单晶硅片表面的绒面一般是通过碱性化学溶液腐蚀单晶硅片后生成的，而多晶硅片表面的绒面一般是通过酸性溶液腐蚀后而形成的。
在工业生产中，为了提高晶体硅片表面绒面的质量，一般会在碱性化学腐蚀溶液中，或者在酸性化学腐蚀溶液中添加各种制绒添加剂。例如，EP0477424A1公开了一种碱性聚乙二醇溶液的制绒添加剂，在化学腐蚀制绒溶液中添加了这种制绒添加剂后，有助于产生绒面尺寸小并且均匀的绒面。CN2011102128769公开了另一种制绒添加剂，把该制绒添加剂加入到酸性化学腐蚀液溶液后，多晶硅片经过含有该制绒添加剂的化学腐蚀溶液腐蚀，可以在多晶硅片表面生成更小更均匀的绒面。在目前大规模生产晶体硅太阳能电池的制绒步骤中，各种类型的制绒添加剂已经被普遍的使用。
尽管在使用了各种制绒添加剂后，晶体硅片表面的绒面质量有了显著的提高，但是，每批次的绒面质量的稳定性还是存在较大的波动。其原因是晶体硅片表面在化学溶液腐蚀制绒后的绒面质量不仅取决于制绒添加剂，还与其它制绒条件有关。例如，由于制绒添加剂在腐蚀溶液中的有效含量和腐蚀产物硅酸钠的含量随着制绒反应不断变化，晶体硅片表面的绒面质量也随之发生变化。为了保证绒面质量的稳定，在制绒生产中，必须根据每批制绒结果的具体情况，不断地对制绒工艺进行调整。这不但造成制绒生产操作困难，而且不能保持每批次制绒后的晶体硅片表面绒面的一致性，不利于生产的稳定性。
随着提高晶体硅太阳能电池的光电转换效率的研究不断深入，对制绒工艺也提出了新的挑战。例如，研究发现，如果仅对晶体硅太阳能电池的受光面，或者晶体硅太阳能电池的主受光面实施制绒工艺，而在其另一个表面保持一个平整表面，可以提高该晶体硅太阳能电池的光电转换效率。为了达到晶体硅片的一个表面有绒面，另一个表面呈光滑表面的效果，目前的做法是首先在晶体硅片的二个表面同时制绒，然后再对其中的一个表面做抛光处理。显然这种方法增加了生产的繁琐性。
发明内容
针对以上现有技术的缺陷，本发明公开了一种晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法。
本发明的目的之一是寻求一种在晶体硅片表面化学溶液腐蚀制备绒面的方法，该方法能提高制绒工艺的稳定性。
本发明的另一个目的是寻求一种在晶体硅片表面化学溶液腐蚀制备绒面的方法，该方法能够满足制备高效太阳能电池的要求，既可以在晶体硅片的表面实施选择性制绒。
本发明的最后一个目的是寻求一种在晶体硅片表面化学溶液腐蚀制备绒面的方法，该方法可以应用在所有晶体硅太阳能电池的生产中，包括单晶硅太阳能电池，准单晶硅太阳能电池，多晶硅太阳能电池，n型晶体硅太阳能电池和p型晶体硅太阳能电池，扩大本发明的应用范围。
为了实现上述目的，本发明公开了一种在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法。本发明所公开的在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法是，与目前普遍采用的把制绒添加剂直接加入到化学腐蚀制绒溶液中不同，而是在对晶体硅片实施化学溶液腐蚀制备绒面步骤之前，把制绒添加剂涂布在需要被制绒的晶体硅片表面上。在晶体硅片表面上所涂布的制绒添加剂不与晶体硅片发生反应，然后使化学腐蚀溶液润湿被制绒添加剂涂布的晶体硅片表面，对该晶体硅片的表面实施化学腐蚀制备绒面的步骤。
本发明的一种在晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法包括以下步骤：
1）在需要制备绒面的晶体硅片表面上涂布制绒添加剂；
2）被涂布制绒添加剂的晶体硅片表面与化学腐蚀溶液接触，对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面。
本发明所述的制绒添加剂显然不是化学腐蚀溶液腐蚀硅片的反应物，或者说，本发明所述的制绒添加剂不出现在化学腐蚀溶液腐蚀硅片的反应方程式中。例如在碱腐蚀溶液反应中的氢氧根离子（OH-），在酸腐蚀溶液反应中的氢氟酸（HF）,各种氧化（硝酸，双氧水等）和金属诱导腐蚀反应中的各种金属元素都属于化学腐蚀溶液腐蚀硅片的反应物，不属于本发明的制绒添加剂范畴。
本发明所述的制绒添加剂经常还被称之为制绒促进剂，或其它名称。本发明所述的制绒添加剂的作用是，提高在晶体硅片表面所生成的绒面的均匀性和降低反射率。进一步，本发明所述的制绒添加剂的其它作用还包括可以缩短在晶体硅片表面制绒时间，减少化学品用量，降低化学品成本，和提高生产的稳定性等。
本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的优点是，由于在对晶体硅片表面实施化学腐蚀制备绒面之前，把制绒添加剂直接涂布在晶体硅片的表面上，因此在随后的化学腐蚀制备绒面的步骤中，被涂布的制绒添加剂可以在晶体硅表面直接产生和迅速地起到促进制绒作用，有效地利用了制绒添加剂。
在晶体硅片表面实施化学腐蚀制备绒面过程中，在晶体硅片表面所生成的绒面质量和绒面均匀性与制绒添加剂在晶体硅片表面的浓度有关。由于本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法是把制绒添加剂涂布在晶体硅片表面，因此在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面方法的制绒步骤中，可以很容易的在整个生产过程中保持在所有的晶体硅片表面的制绒添加剂的浓度一致，为稳定生产提供了保证。
在某些情况下，制绒添加剂在一些化学腐蚀溶液中很容易失效，这样就会使制绒添加剂的使用量过大，造成生产不稳定和生产成本过高的缺点。因此本发明的另一个优点是，由于本发明不直接把制绒添加剂加入化学腐蚀溶液中，这样就可以确保每一片晶体硅片的表面存在相同浓度的制绒添加剂，确保生产稳定性。
由于本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法是把制绒添加剂涂布在晶体硅片的表面，在晶体硅片表面生成绒面的反应可以在晶体硅片被接触到化学腐蚀制备绒面的溶液的瞬时发生，因此本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法另一个优点是可以减少晶体硅片被腐蚀量。减小晶体硅片在化学腐蚀制备绒面过程中的减薄量，也就是减少了腐蚀溶液中化学品的消耗，降低制绒步骤的生产成本。同时缩短了化学腐蚀制备绒面的时间，增加了设备的产能，或者说降低了设备投资成本。
本发明的晶体硅太阳能电池绒面的制备方法的突出优点是，本发明的方法可以在晶体硅片的局部表面面积上生成绒面，而在其它表面面积上不生成绒面。由于本发明把制绒添加剂直接涂布在晶体硅片的表面上，制绒添加剂的作用可以在被涂布制绒添加剂的晶体硅片的面积上，在化学腐蚀制备绒面的步骤中迅速发挥作用，在该面积上迅速生成绒面。而在没有被涂布制绒添加剂的面积上，绒面的生成就会非常缓慢，达到局部化学腐蚀制备绒面的效果。例如，使用本发明可以很容易的实现在晶体硅片其中一个表面制绒的目的，即达到单面制绒的目的。
本发明的进一步优点是，本发明的化学腐蚀制备绒面的方法可以扩大制绒添加剂的选择范围。例如，一些制绒添加剂有在化学腐蚀制备绒面的化学腐蚀溶液中的溶解度小的问题，不能在该化学腐蚀溶液中发挥其制绒添加剂的作用。由于本发明的晶体硅片表面制备绒面的方法不把制绒添加剂加入到该化学腐蚀溶液中，只要此类的制绒添加剂能均匀的覆盖在晶体硅片表面，这些制绒添加剂在本发明的化学腐蚀制备绒面的步骤中就能很好的发挥作用。再例如，有些制绒添加剂与化学腐蚀制备绒面的化学溶液会很快发生反应而失去制绒添加剂的效果。采用本发明的方法后，这些制绒添加剂在化学腐蚀制备绒面的步骤中迅速发挥作用，因此只要这些制绒添加剂与化学腐蚀制备绒面的化学溶液的反应时间比制绒时间长，这些制绒添加剂仍能在本发明的化学腐蚀制备绒面的方法中发挥很好的制绒促进作用。
附图说明
图1. 本发明浸泡涂布制绒添加剂的示意图。
图2. 本发明喷雾涂布制绒添加剂的示意图。
具体实施方式
参照附图，可以对本发明做进一步详细说明。显然，这些说明并不是用于限制本发明。在不背离本发明精神及其实质情况下，本领域的技术人员可根据本发明做出各种其它相应的组合，变更或修改。这些相应的组合，变更和修改都属于本发明所附权利要求的保护范围内。
本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法是在化学腐蚀制备绒面之前，先把制绒添加剂涂布在需要被制备绒面的晶体硅片的表面。在一些实施方式中，涂布制绒添加剂的方式可以是浸泡涂布制绒添加剂。在浸泡法涂布制绒添加剂的步骤中，参照图1，把制绒添加剂30灌入制绒添加剂槽20，把晶体硅片10放入制绒添加剂槽20，使制绒添加剂30淹没并且润湿晶体硅片10表面。这样，当晶体硅片10被移出制绒添加剂槽20后，制绒添加剂30就被涂布在晶体硅片10的表面上。本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的浸泡涂布制绒添加剂步骤可以是附图1所示的垂直浸泡，也可以采用水平浸泡的方法实施本发明的涂布制绒添加剂步骤。
在本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的其它一些实施方式中，可以采用把制绒添加剂30喷涂在晶体硅片表面的方法。参照图2，制绒添加剂30被放置在制绒添加剂槽20内，通过液位差或者压力差把制绒添加剂20通过制绒添加剂喷头40喷涂在晶体硅片10的表面。在一些实施方式中，制绒添加剂喷头40可以由一个或一个以上的孔，或喷头所组成。在本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的实施方式中，为了达到均匀涂布的目的，在喷涂制绒添加剂时，可以移动晶体硅片10，也可以移动制绒添加剂喷头40。
在本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的其它一些实施方式中，可以采用旋涂的方法把制绒添加剂30涂布在晶体硅片表面。采用旋涂的方法把制绒添加剂30涂布在晶体硅片表面的优点是制绒添加剂30可以被均匀地涂布在晶体硅片表面。旋涂方法的另一个优点是在旋涂结束后，可以使被涂布的制绒添加剂在晶体硅片表面干燥的比较快。
在其它一些实施例中，可以使用其它涂布方法来实施本发明的涂布添加剂步骤，例如，可以使用丝网印刷方法把制绒添加剂涂布在晶体硅片表面。也可以采用超声波雾化制绒添加剂30的方法把制绒添加剂30涂布在晶体硅片表面。采用超声波雾化的方法把制绒添加剂30涂布在晶体硅表面可以提高制绒添加剂30的使用率，而且还可以提高涂布制绒添加剂30的均匀性。
本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的制绒添加剂30可以是各种能够促进在晶体硅表面生成所需要的绒面的化合物。在制绒添加剂中，含有一种或多种化合物。添加剂的作用是使制绒过程更容易控制；使所制备的绒面尺寸更均匀；绒面尺寸更小；晶体硅片的反射率更低；制绒生产的条件更容易控制和稳定；和更有利于表面清洗。总之，制绒添加剂是一种能够改善制绒效果和制绒过程的一种或多种化合物的混合物。或者说，制绒添加剂是一种有助于提高晶体硅表面的绒面质量，例如可以减小绒面尺寸，提高绒面均匀性和降低反射率等的化合物，或者是一种有助于制绒生产，例如可以缩短制绒时间，减少化学品用量，降低化学品成本，和提高生产的稳定性等的化合物。
本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的在晶体硅片表面涂布制绒添加剂步骤可以是涂布一种制绒添加剂。在其它一些应用中，可以是涂布一种以上的制绒添加剂。例如，在本发明的一些应用中，需要一些特殊化合物把制绒添加剂吸附在晶体硅片表面，确保制绒添加剂在化学溶液腐蚀晶体硅时能最大程度的发挥其制绒添加剂的作用。在本发明的这些应用中，必须涂布二种或二种以上的制绒添加剂。当涂布一种以上的制绒添加剂时，涂布添加剂的步骤可以是一个以上的涂布制绒添加剂的步骤。
本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法适用于所有类型的晶体硅片，例如单晶硅硅片，多晶硅硅片，和铸造单晶硅片。进一步，这些类型的硅片可以是p型硅片，例如硼掺杂的硅片，也可以是n型硅片，例如磷掺杂的硅片。
在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤的晶体硅片10可以是原始硅片，例如直接从硅片供应商购买的原始硅片。在这些原始硅片的表面不仅保留了在切割过程中的所产生的损伤层，而且还可能或多或少的保留了一些未清洗干净的化学污染物，例如切割润滑剂等。
在一些本发明的实施方式中，晶体硅片10可以是经过化学预处理后的原始硅片。例如，原始硅片可以先经过化学初泡处理，然后再实施本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法中的涂布制绒添加剂步骤。在大规模生产实践中，化学初泡硅片的目的是把残留在原始硅片上的化学污染物，例如一些有机化学污染物清洗干净。在晶体硅片表面被制备绒面之前实施化学初泡步骤，不仅可以确保晶体硅片的表面在被制备绒面后不含有任何污染物，更能杜绝在晶体硅表面形成各种斑点。
在本发明的其它一些实施方式中，经过化学预处理后的晶体硅片10可以是把在切割过程中的所产生的晶体硅片表面的损伤层清洗干净后的晶体硅片，即原始硅片先经过清洗损伤层的化学处理，然后再实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤。本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法应用在去完损伤层后的晶体硅片时，在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的制绒步骤时，可以明显的缩短制绒时间。
在本发明的另一些实施方式中，经过化学预处理后的晶体硅片10可以是经过化学抛光后的晶体硅片，即原始硅片先经过化学抛光的处理，然后再实施本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤。本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法应用在经过化学抛光后的晶体硅片时，在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的制绒步骤后，可以在晶体硅片表面制备出绒面尺寸在1微米左右而且非常均匀的绒面。
晶体硅片10也可以是原始硅片经过一些物理处理后的晶体硅片。例如为了降低多晶硅片在制备绒面后的表面反射率，可以在实施本发明的在晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤之前先经过激光处理，增加多晶硅片的表面粗燥度。这些增加的表面粗燥度会有效的降低多晶硅片的表面在制备绒面之后的反射率。
在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤之前的晶体硅片10可以是干燥的，例如没有经过任何预处理的原始硅片。或者晶体硅片经过预处理后被干燥过的晶体硅片，例如，经过化学初泡并且被干燥后的晶体硅片。
在本发明的其它一些实施方式中，在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤之前的晶体硅片10可以湿的，既没有被干燥，例如，晶体硅片经过化学初泡和去离子水清洗后，直接实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤。
本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的优点之一是可以对晶体硅片10的局部表面实施制备绒面。如附图2所示，晶体硅片10在经过本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤后，制绒添加剂仅仅被涂布在晶体硅片10的上表面。如果晶体硅片10的下表面不再被涂布制绒添加剂，优化的本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的制绒步骤可以使化学腐蚀制备绒面的过程仅发生在上表面，即只有在晶体硅片10的上表面有绒面。
进一步，本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法还可以在晶体硅片10的其中一个表面上的特定面积上制备绒面。例如，本发明可以仅在需要被制绒的晶体硅片10的上表面的某些面积上涂布制绒添加剂30。优化的本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的制绒步骤可以使化学腐蚀制备绒面的过程仅发生在晶体硅片10上表面那些被涂布制绒添加剂的面积。
在实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的涂布制绒添加剂步骤后，实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的化学腐蚀制备绒面步骤。在本发明的一些实施方式中，可以先干燥在晶体硅片10表面上的制绒添加剂30。在其它一些实施方式中，在涂布制绒添加剂步骤后，直接实施本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的化学腐蚀制备绒面步骤。
根据晶体硅片10的特性和制绒添加剂30的特性，结合对各种绒面的不同要求，本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的化学腐蚀制备绒面的步骤可以采用碱性溶液实施化学腐蚀制备绒面，也可以采用酸性溶液实施化学腐蚀制备绒面。例如，采用碱性化学溶液对单晶硅片表面和准单晶硅片表面实施本发明的化学腐蚀制备绒面的步骤。在本发明的碱性化学腐蚀制备绒面的步骤中，可以采用无机碱，也可以采用有机碱。优化的碱性溶液化学腐蚀制备绒面的温度在60摄氏度到100摄氏度之间。优化的碱性溶液化学腐蚀制备绒面的碱性溶液中的碱浓度在0.5%到5%之间。优化的碱性溶液化学腐蚀制备绒面的化学腐蚀时间在5分钟到30分钟之间。
在本发明的一些实施方式中，根据具体实施条件，可以在碱性溶液化学腐蚀制备绒面的碱性溶液中加入其它各种添加剂，例如可以在碱性溶液中加入1%到10%的异丙醇。
本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的化学腐蚀制备绒面的步骤也可以采用酸性溶液实施化学腐蚀制备绒面。例如，可以采用硝酸和氢氟酸的混合酸溶液。
本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的化学腐蚀制备绒面的步骤可以采用槽时间隙制备绒面的方法。在槽式间隙制备绒面的方法中，晶体硅片10通常被垂直浸泡在化学腐蚀制备绒面的溶液中，完成化学腐蚀制备绒面的步骤。本发明的晶体硅片表面化学腐蚀制备绒面的方法的化学腐蚀制备绒面的步骤也可以采用水平连续制备绒面的方法。在连续制备绒面的方法中，晶体硅片10通常在各种输送器件，例如各种滚轮，的传输下通过化学腐蚀制备绒面的溶液，完成化学腐蚀制备绒面的步骤。
具体实施例
实施例 1
首先对原始p型单晶硅片在实施初泡，目的是清洗在切片和包装过程中残留的有机污染物和部分损伤层。该单晶硅片在初泡后用去离子水清洗，然后采用浸泡方法把制绒添加剂（例如碱性聚乙二醇）涂布在硅片表面，把该硅片水平放置，用温度为80摄氏度，掺有适量IPA的1.5%的氢氧化钠化学腐蚀溶液不断地润湿硅片上表面，实施本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面水平制绒步骤。20分钟后，本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面过程完毕。经清洗和吹干后，在该晶体硅片的上表面测得金字塔绒面的平均尺寸为2微米，上表面平均反射率为10.2%，下表面平均反射率为20.5%。
实施例 2
金刚线切片的n型单晶硅片，采用喷墨打印的方法把制绒添加剂（例如碱性聚乙二醇）在硅片受光面积上，使硅片的电极面积上没有制绒添加剂，待制绒添加剂干燥后把硅片放入温度为80摄氏度，4%的四甲基氢氧化氨和适量IPA的混合溶液中，10分钟后，本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面过程完毕。经清洗和吹干后，在该晶体硅片的上表面上被涂布制绒添加剂的面积上测得金字塔绒面的平均尺寸为1微米，在没有被制绒添加剂覆盖的晶体硅表面上的金字塔绒面平均尺寸为5微米。
实施例3
往p型多晶硅片的上表面旋涂制绒添加剂（例如，PEG200与聚乙烯吡咯烷酮的混合物），实施本发明的在晶体硅片表面上涂布制绒添加剂的步骤。在该晶体硅片的上表面被涂布制绒添加剂后，不做任何处理，直接放入连续酸溶液化学腐蚀制绒设备，实施本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面的水平制绒步骤。连续酸溶液化学腐蚀的条件为氢氟酸：硝酸：水=1：4：3，腐蚀温度为5度，2分钟后，本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面过程完毕。经清洗和吹干后，在该晶体硅片的上表面测得平均反射率为20%，下表面的平均反射率为23%。
实施例 4
采用激光粗燥化技术，把原始n型多晶硅片的一个表面粗燥化，然后对该硅片被粗糙化的表面实施本发明的在晶体硅片表面上涂布制绒添加剂的步骤。在本实施例中，涂布制绒添加剂分为二步，首先采用喷涂方法先将三乙醇胺涂布在该晶体硅片表面，再采用喷涂方法把聚乙烯醇涂布在三乙醇胺上。制绒添加剂被涂布在该晶体硅片的上表面后，吹干，然后放入连续酸溶槽式化学腐蚀制绒设备，实施本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面的水平制绒步骤。该化学腐蚀制绒设备内含有氢氟酸：硝酸：水=1：4：2.5，腐蚀温度为5度，2分钟后后，本发明的对晶体硅片实施化学腐蚀制备绒面过程完毕。经清洗和吹干后，在该硅片被粗糙化的表面测得平均反射率为15%，该硅片的另一个表面的反射率为26%。
Claims (12)
1.一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，该方法在对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面步骤之前，先把制绒添加剂涂布在晶体硅片表面，包括以下步骤：
（1）在晶体硅片表面上涂布制绒添加剂；
（2）对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面。
2.根据权利要求1所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的制绒添加剂作用是在随后的化学溶液腐蚀制备绒面步骤中有助于提高晶体硅片表面绒面质量和有助于制绒生产的制绒添加剂。
3.根据权利要求1和2所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的制绒添加剂被至少涂布在晶体硅片全部表面积中的一部分表面积上。
4.根据权利要求1和2所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的涂布制绒添加剂种类至少为一种制绒添加剂，所述的涂布步骤至少为一次涂布步骤。
5.根据权利要求1和2所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的在晶体硅片表面上涂布制绒添加剂的方法可以是通过浸泡方法，把制绒添加剂涂布在所有晶体硅片表面；也可以是通过喷涂，旋涂和印刷等方法的任意一种，或者它们之间的涂布技术组合，把制绒添加剂涂布在晶体硅片表面的一部分面积上。
6.根据权利要求1和2所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的在实施晶体硅片表面涂布添加剂步骤之前，晶体硅片表面是干燥的，或者是没有被干燥的。
7.根据权利要求1和2所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的在实施晶体硅片表面涂布添加剂步骤之后，对制绒添加剂可以实施干燥步骤，也可以不对制绒添加剂不实施干燥步骤。
8.根据权利要求1所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，在实施涂布制绒添加剂步骤之前，该晶体硅片可以是原始晶体硅片，也可以是经过了各种预处理步骤后的晶体硅片，包括，化学溶液预清洗，化学溶液清洗损伤层，化学溶液抛光，激光粗燥化，或者机械粗燥化。
9.根据权利要求1所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的晶体硅片是用于生产太阳能电池的晶体硅片。
10.根据权利要求1所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的化学溶液腐蚀制备绒面是酸性化学溶液腐蚀晶体硅片表面制备绒面，或者碱性化学溶液腐蚀晶体硅片表面制备绒面。
11.根据权利要求10所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，在所述的碱性化学溶液和酸性化学溶液中可以含有其它种类的添加剂。
12.根据权利要求1和10所述的一种对晶体硅片表面实施化学溶液腐蚀制备绒面的方法，其特征在于，所述的化学溶液腐蚀制备绒面是槽式间隙化学溶液腐蚀晶体硅表面制备绒面，或者是水平连续化学溶液腐蚀晶体硅表面制备绒面。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710787717.9A CN109427930B (zh) | 2017-09-04 | 2017-09-04 | 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 |
| PCT/CN2018/098588 WO2019042084A1 (zh) | 2017-09-04 | 2018-08-03 | 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710787717.9A CN109427930B (zh) | 2017-09-04 | 2017-09-04 | 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109427930A true CN109427930A (zh) | 2019-03-05 |
| CN109427930B CN109427930B (zh) | 2022-02-25 |
Family
ID=65513843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710787717.9A Active CN109427930B (zh) | 2017-09-04 | 2017-09-04 | 一种在晶体硅片表面选择性制备绒面的方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109427930B (zh) |
| WO (1) | WO2019042084A1 (zh) |
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2017
- 2017-09-04 CN CN201710787717.9A patent/CN109427930B/zh active Active
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- 2018-08-03 WO PCT/CN2018/098588 patent/WO2019042084A1/zh active Application Filing
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| CN109427930B (zh) | 2022-02-25 |
| WO2019042084A1 (zh) | 2019-03-07 |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |