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CN109385602B - 一种均匀面形沉积蒸镀装置和方法 - Google Patents

一种均匀面形沉积蒸镀装置和方法 Download PDF

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CN109385602B CN201810729975.6A CN201810729975A CN109385602B CN 109385602 B CN109385602 B CN 109385602B CN 201810729975 A CN201810729975 A CN 201810729975A CN 109385602 B CN109385602 B CN 109385602B
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Abstract

一种新型均匀面形沉积蒸镀装置和方法，采用圆形盖板和矩形特定多个连通流道夹层盒以混合流道的方式，达到提升薄膜厚度均匀度之功效。设备设计简单，成本较低，由于铜、铟、镓元素蒸汽流经盖板及矩形特定多个连通流道夹层盒再单独与硒元素蒸汽流以线形方式蒸镀，能使材料黏滞性影响现象降低，藉此保持于蒸镀制程薄膜成品之均匀度。本发明的均匀面形沉积蒸镀装置应用于蒸镀CIGS电池的吸收层镀膜，由于制程速度快及薄膜成品之均匀度提高，将有利于转换效率的提高，并满足了规模化生产的需求。

Description

一种均匀面形沉积蒸镀装置和方法
技术领域
本发明涉及一种均匀面形沉积蒸镀装置和方法，应用于HJT异质结太阳能电池，CIGS薄膜太阳能电池及OLED有机电机发光二极管等领域。
背景技术
目前各产业的能源需求居高不下，现行各项产业之能源需求，为避免出现能源供应短缺的问题，及确保永续经营之的理念，因此各产业渐趋向利用再生能源，如太阳能电池，即为目前热门之再生能源之一为当下热门研究领域。
太阳能电池之种类除了硅基(Silicon)太阳能电池及砷化镓(GaAs)太阳能电池外，由I-III-VI2族元素组成的铜铟镓硒(CIGS)太阳能电池系为另一种极具潜力之的太阳能电池，铜铟镓硒太阳能电池之的组成系于一基板上，依序形成复数层各具不同功效之的沉积薄膜，一般基板之的材质主要选用含钠碱玻璃(SLG)或不锈钢(SS)，并以基板为基准，由下而上依序为Mo背电极层(Backcontact)、CIGS吸收层(Absorber)、CdS缓冲层(Buffer)、i-ZnO/AZO光窗层(Window)及Ni/Al上电极层(Frontcontact)。其中，Mo背电极层及i-ZnO/AZO光窗层系透过磁控溅镀制程(Sputtering)形成，而CIGS吸收层则透过蒸镀制程(evaporation)形成，最后再透过电子束蒸镀法沉积Ni/Al上电极层以完成整个铜铟镓硒太阳能电池。
CIGS吸收层一般采用全溅镀、溅镀后硒化或是蒸镀制程来制作。全溅镀制程要制作昂贵的靶材且镀率慢，成本居高不下；溅镀后硒化制程方式一样需要有高昂的靶材且后硒化过程不能硒化完全，效率也不高，且使用设备较多，因此成本也无法降低；采用之蒸镀制程，一般系将蒸镀材料置于容器内，并透过加热器针对该些容器进行加热，再使各材料以点状蒸镀方式于基板上形成CIGS薄膜。点状蒸镀于在小面积下尚可才能达到均匀蒸镀之功效，但所以针对对于连续且具大面积大之的基板，点状蒸镀方式则无法使形成之的CIGS薄膜呈现均匀之的厚度，蒸镀点一般系位于基板之的中心处，因此随着距离地增加，导致基板边缘处之的CIGS薄膜厚度远小于基板中心处之的厚度，造成被镀材上所产生的薄膜厚度及成分呈现不均匀性，因此将降低了电池转换效率；传统的点蒸发源有镀膜面积小、大面积均匀度过大、得料率低(<30％)及维护成本高等缺点，无法大规模量产使用，目前尚无有效的大面积蒸镀且成本较低的方式被提出。
发明内容
本发明是提供一种均匀面形沉积蒸镀装置和方法，具备在大面积镀膜的同时能保证膜层的均匀性，可以应用于HJT异质结太阳能电池、CIGS薄膜太阳能电池以及OLED有机电机发光二极管等组件的金属或氧化物的膜层镀膜的制造。
本发明包括具有圆形限流孔的圆形盖板以及呈矩形状的特定多个连通流道夹层盒的混合流道，如图1，设备设计简单，成本较低，使用盖板及混合流道在蒸镀各种复合材料的制程，能提高各种材料的混和度及膜层的均匀性，有利于转换效率地提升。
一种均匀面形沉积蒸镀装置，包括本体、多个矩形连通流道夹层盒、不止一个盖板、不止一个坩埚、不止一个加热器、热屏蔽装置、基板和试片；热屏蔽装置设置于本体内，热屏蔽装置内部形成一独立蒸汽流道；基板设置于本体的底部，基板之间形成的流道连通独立蒸汽流道；坩埚分为内坩埚与外坩埚，内坩埚设置于本体内且被热屏蔽装置包裹，外坩埚设置于本体外部，内坩埚顶部连接设有限流孔的盖板；盖板上部连接多个矩形连通流道夹层盒，多个矩形连通流道夹层盒的两端连通独立蒸汽流道；加热器分布在矩形特定多个流道夹层盒以及外坩埚的四周；试片设置于本体的顶部且位于多个矩形连通流道夹层盒的上方。
进一步的，所述本体包括不止一层热屏蔽材料。
进一步的，所述多个矩形连通流道夹层盒的材质为矩形片状体石墨。
进一步的，所述盖板的材质为圆形片状体石墨，用来控制沉积材料蒸汽流量，盖板限流孔直径范围为0.5mm-20mm。
进一步的，所述坩埚的材质为石墨外坩埚、热解氮化硼(PBN)内坩埚、不锈钢坩埚或石英坩埚；其中，热解氮化硼(PBN)内坩埚适用于容纳铜元素材料、铟元素材料或镓元素材料中的一种或两种及以上，不锈钢或石英坩埚适用于容纳硒元素材料。
进一步的，所述加热器为可单独控制的加热器，可选自RF感应加热器、电阻加热器或红外线加热器；该加热器分布在矩形特定多个流道夹层盒以及所述多个外坩埚四周。
进一步的，所述热屏蔽装置的材质为石墨或耐火材料。
进一步的，所述基板的材质为无碱玻璃或不锈钢。
一种新型均匀面形沉积蒸镀的方法，包括如下步骤：
步骤1，将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板限流孔的直径为1mm-5mm，镓元素材料坩埚盖板限流孔直径为5mm-20mm；
步骤2，将沉积蒸镀装置本体放入蒸镀腔体中，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr，加热矩形状的特定多个流道夹层盒加热至1300℃-1450℃，同时镓元素材料坩埚加热至1250℃-1400℃，铜元素材料坩埚加热至1250℃-1400℃，铟元素材料坩埚加热1200℃-1350℃，独立于本体外的硒元素材料坩埚外加热至200℃-400℃；
步骤3，硒元素材料蒸汽流由本体底部通过基体从而进入本体内部，并经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒内的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀面形沉积蒸汽流，最终在试片上形成蒸镀均匀的1500-2500nm厚的CIGS吸收层。
有益效果：与现有技术相比，本发明使用高稳定材质及热蒸发的方式，具有维护成本低、均匀度高，镀膜面积大、镀率高以及得料率高(>80％)的优点，由于材料利用率高且只使用原材料进行镀膜，不做成复杂的靶材，因此制程原料成本大幅降低，有利于相关膜层的规模化生产。
附图说明
图1：本装置结构的正视图；
图2：本装置结构的左视图；
图中：1-本体；2-多个矩形连通流道夹层盒；3-盖板；4-坩埚；5-加热器；6-热屏蔽装置；7-基体；8-试片。
具体实施方式
为进一步阐述本发明的构成、特征及目的，以下乃举本发明之若干较佳实施例，惟以下所述者，仅在于说明本发明之较佳实施例，并非用以限制本发明之范围，故凡有以本发明之精神为基础，而为本发明任何形式之修饰或变更，皆仍应属于本发明意图保护之范畴。
一种均匀面形沉积蒸镀装置，包括：本体1、多个矩形连通流道夹层盒2、不止一个盖板3、不止一个坩埚4、不止一个加热器5、热屏蔽装置6、基板7和试片8；热屏蔽装置6设置于本体1内，热屏蔽装置6内部形成一独立蒸汽流道；基板7设置于本体1的底部，基板7之间形成的流道连通独立蒸汽流道；坩埚4坩埚分为内坩埚与外坩埚，内坩埚设置于本体1内且被热屏蔽装置6包裹，外坩埚设置于本体1外部，内坩埚顶部连接设有限流孔的盖板3；盖板3上连接多个矩形连通流道夹层盒2，多个矩形连通流道夹层盒2两端连通独立蒸汽流道；加热器5分布在矩形特定多个流道夹层盒2以及外坩埚的四周；试片8设置于本体1的顶部且位于多个矩形连通流道夹层盒2的上方。
本体1，材质为不止一层热屏蔽材料，用来隔绝矩形特定多个特定连通流道的开口夹层盒以及不止一个坩埚的辐射热。
多个矩形连通流道夹层盒2，材质为矩形片状体石墨，蒸发的铜、铟、镓沉积材料蒸汽流于此连通流道混合排出，再与硒元素蒸汽流混合形成均匀线形CIGS沉积蒸汽流。
不止一个盖板3，材质为圆形片状体石墨，用来控制沉积材料蒸汽流量，盖板限流孔直径范围为0.5mm-20mm。
不止一个坩埚4，材质可为石墨外坩埚、热解氮化硼(PBN)内坩埚、304不锈钢坩埚或石英坩埚，其中PBN内坩埚用来容纳铜元素材料、铟元素材料或镓元素材料中的一种或两种以上材料，304不锈钢或石英坩埚用来容纳硒元素材料。
不至一个加热器5，为可单独控制的加热器，可以是RF感应加热器、电阻加热器或红外线加热器中的至少一种，该加热器分布在矩形特定多个流道夹层盒以及所述多个外坩埚四周，该加热器加热该矩形特定多个流道夹层盒以及多个坩埚直至温度高于沉积材料的冷凝点，使得内坩埚中的每一个沉积材料都蒸发，进而进入该矩形特定多个流道夹层盒以及另一独立热屏蔽装置隔离出的蒸汽流道。
热屏蔽装置6，材质为石墨或耐火材料，用来提供所述矩形特定多个流道夹层盒以及多个坩埚中的至少一个局部热隔离，并提供另一独立蒸汽流道，使硒元素材料蒸汽流与从矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合。
基板7，材质可为无碱玻璃或不锈钢，作为硒元素材料蒸汽流由本体底部进入本体内部的流道。
试片8，用于混合后的硒、镓、铜、铟元素材料的蒸汽流形成蒸镀均匀的CIGS吸收层的场所。
本发明的高均匀面形沉积蒸镀装置应用于CIGS电池的吸收层镀膜，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及矩形状的特定多个连通流道，进而混合，形成得到均匀面形沉积蒸汽流的方式实施蒸镀。
一种新型均匀面形沉积蒸镀的方法，包括如下步骤：
步骤1，将纯度大于等于99.99％的原子的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板限流孔的直径为1mm-5mm，镓元素材料坩埚盖板限流孔直径为5mm-20mm；
步骤2，将沉积蒸镀装置本体放入蒸镀腔体中，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr，再加热矩形状的特定多个流道夹层盒加热至1300℃-1450℃，同时镓元素材料坩埚加热至1250℃-1400℃，铜元素材料坩埚加热至1250℃-1400℃，铟元素材料坩埚加热1200℃-1350℃，独立于蒸镀腔体外的硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至200℃-400℃；
步骤3，以无碱玻璃或不锈钢作为基板(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，使硒元素材料蒸汽流由本体底部进入本体内部，并经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒内的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀面形沉积蒸汽流，最终在试片上形成蒸镀均匀的1500-2500nm厚的CIGS吸收层。
所述形成的CIGS吸收层的有效均匀宽度至少达到15cm，横向长度可不受除蒸镀装置的长度以外的限制。
接下来，对本发明方法提供一些具体实施例参数，并以现有技术作为对比例进行实验结果对比分析。
实施例1：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为1mm，镓元素材料坩埚盖板直径为5mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再将内置有矩形特定多个流道的夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，独立于蒸镀腔体外的硒元素材料坩埚加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例2：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为2mm，镓元素材料坩埚盖板直径为5mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与来自矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，并沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度达到1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例3：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为3mm，镓元素材料坩埚盖板直径为5mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度达到1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例4：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为4mm，镓元素材料坩埚盖板直径为5mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度达到1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例5：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为5mm，镓元素材料坩埚盖板直径为5mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例6：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为2mm，镓元素材料坩埚盖板直径为10mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例7：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为2mm，镓元素材料坩埚盖板直径为15mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例8：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为2mm，镓元素材料坩埚盖板直径为20mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例9：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒混合以流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为3mm，镓元素材料坩埚盖板直径为10mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层均匀性。
实施例10：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为3mm，镓元素材料坩埚盖板直径为15mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例11：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为3mm，镓元素材料坩埚盖板直径为20mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例12：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为4mm，镓元素材料坩埚盖板直径为10mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例13：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为4mm，镓元素材料坩埚盖板直径为15mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例14：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为4mm，镓元素材料坩埚盖板直径为20mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例15：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为5mm，镓元素材料坩埚盖板直径为10mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例16：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为5mm，镓元素材料坩埚盖板直径为15mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
实施例17：
其均匀线形沉积源蒸镀装置，采用具有圆形限流孔的圆形盖板以及多个矩形连通流道夹层盒以混合流道方式实施蒸镀。
首先将纯度大于等于99.99原子％的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板直径为5mm，镓元素材料坩埚盖板直径为20mm，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr；
再加热矩形特定多个流道夹层盒加热至1400℃，镓元素材料坩埚加热至1350℃，铜元素材料坩埚加热至1380℃，铟元素材料坩埚加热至1270℃，硒元素材料坩埚独立于蒸镀腔体外加热至300℃；
接着以不锈钢为基板，使硒元素材料蒸汽流从本体底部流入，经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀线形沉积蒸汽流，沉积在基板上(基本规格:300mm×300mm×0.12mm)，沉积厚度1500nm，并测量CIGS吸收层膜层的均匀性。
对比例1：
以不锈钢基板300mm×300mm×0.12mm蒸镀CIGS吸收膜层，但缺少盖板以及混合流道方式，制作成CIGS薄膜太阳能电池吸收层并量测其膜层的均匀性。
各实施例和对比例制得的CIGS薄膜太阳能吸收层膜层的均匀性如下表所示：
Figure GDA0002657441030000131
从上表结果可以看出，采用本发明的均匀线形沉积源蒸镀装置实施蒸镀，CIGS薄膜太阳能电池吸收层膜层均匀性高于没有盖板及混合流道之CIGS薄膜太阳能吸收层，本发明均匀面形沉积蒸镀装置应用于CIGS薄膜太阳能电池吸收层的制作，具备可量产性。

Claims (9)

1.一种均匀面形沉积蒸镀装置，包括本体、多个矩形连通流道夹层盒、不止一个盖板、不止一个坩埚、不止一个加热器、热屏蔽装置、基板和试片；热屏蔽装置设置于本体内，热屏蔽装置内部形成一独立蒸汽流道；基板设置于本体的底部，基板之间形成的流道连通独立蒸汽流道；坩埚分为内坩埚与外坩埚，内坩埚设置于本体内且被热屏蔽装置包裹，外坩埚设置于本体外部，内坩埚顶部连接设有限流孔的盖板；盖板上部连接多个矩形连通流道夹层盒，多个矩形连通流道夹层盒的两端连通独立蒸汽流道；加热器分布在矩形特定多个流道夹层盒以及外坩埚的四周；试片设置于本体的顶部且位于多个矩形连通流道夹层盒的上方。
2.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述本体包括不止一层热屏蔽材料。
3.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述多个矩形连通流道夹层盒的材质为矩形片状体石墨。
4.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述盖板的材质为圆形片状体石墨，限流孔直径范围为0.5mm-20mm。
5.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述坩埚的材质为石墨外坩埚、热解氮化硼(PBN)内坩埚、不锈钢坩埚或石英坩埚；其中，热解氮化硼(PBN)内坩埚适用于容纳铜元素材料、铟元素材料或镓元素材料中的一种或两种及以上，不锈钢或石英坩埚适用于容纳硒元素材料。
6.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述加热器为可单独控制的加热器，选自RF感应加热器、电阻加热器或红外线加热器中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述热屏蔽装置的材质为石墨或耐火材料。
8.根据权利要求1所述的均匀面形沉积蒸镀装置，其特征在于：所述基板的材质为无碱玻璃或不锈钢。
9.一种均匀面形沉积蒸镀的方法，其特征在于包括如下步骤：
步骤1，将纯度大于等于99.99原子%的铜、铟、镓、硒元素材料放入不同坩埚中，其中铜和硒元素材料坩埚无需盖板，铟元素材料坩埚盖板限流孔的直径为1mm-5mm，镓元素材料坩埚盖板限流孔直径为5mm-20mm；
步骤2，将沉积蒸镀装置本体放入蒸镀腔体中，以真空抽气系统将蒸镀腔体背景压力抽至5-6×10-6torr，加热矩形状的特定多个流道夹层盒加热至1300℃-1450℃，同时镓元素材料坩埚加热至1250℃-1400℃，铜元素材料坩埚加热至1250℃-1400℃，铟元素材料坩埚加热1200℃-1350℃，独立于本体外的硒元素材料外坩埚加热至200℃-400℃；
步骤3，硒元素材料蒸汽流由本体底部通过基体从而进入本体内部，并经热屏蔽装置隔离出的独立流道与矩形特定多个流道夹层盒内的镓、铜、铟元素材料蒸汽流互相混合，形成均匀面形沉积蒸汽流，最终在试片上形成蒸镀均匀的1500-2500nm厚的CIGS吸收层。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110408891B (zh) * 2019-07-31 2021-09-07 河南城建学院 一种叠层蒸发源装置
CN112609160B (zh) * 2020-12-29 2023-06-06 尚越光电科技股份有限公司 一种cigs共蒸法的蒸发源加热结构
CN114752896A (zh) * 2021-01-08 2022-07-15 上海升翕光电科技有限公司 蒸镀坩埚及蒸镀装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1854332A (zh) * 2005-03-09 2006-11-01 三星Sdi株式会社 多真空蒸镀装置及其控制方法
CN102268642A (zh) * 2011-07-22 2011-12-07 上海奕瑞光电子科技有限公司 电阻加热式蒸发源
CN102312198A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 上方能源技术(杭州)有限公司 一种蒸镀源及蒸镀镀膜装置
CN103014624A (zh) * 2012-12-18 2013-04-03 合肥工业大学 一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法
CN206076275U (zh) * 2016-09-10 2017-04-05 华南理工大学 镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置
CN206232799U (zh) * 2016-12-07 2017-06-09 成都南光机器有限公司 一种多区域多源共蒸发系统

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1854332A (zh) * 2005-03-09 2006-11-01 三星Sdi株式会社 多真空蒸镀装置及其控制方法
CN102312198A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 上方能源技术(杭州)有限公司 一种蒸镀源及蒸镀镀膜装置
CN102268642A (zh) * 2011-07-22 2011-12-07 上海奕瑞光电子科技有限公司 电阻加热式蒸发源
CN103014624A (zh) * 2012-12-18 2013-04-03 合肥工业大学 一种太阳能电池光吸收层薄膜的制备方法
CN206076275U (zh) * 2016-09-10 2017-04-05 华南理工大学 镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜吸收层制备装置
CN206232799U (zh) * 2016-12-07 2017-06-09 成都南光机器有限公司 一种多区域多源共蒸发系统

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