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CN109075051A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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CN109075051A CN201780023526.3A CN201780023526A CN109075051A CN 109075051 A CN109075051 A CN 109075051A CN 201780023526 A CN201780023526 A CN 201780023526A CN 109075051 A CN109075051 A CN 109075051A
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Abstract

本发明提供基板处理装置以及基板处理方法，其目的在于，不仅使基板的周缘部的处理宽度变细，而且还提高处理宽度的均匀性。为了达成该目的，本发明的基板处理装置具有：保持构件，设置成从下方将基板保持为大致水平，能够使基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；旋转机构，能够使保持构件以旋转轴为中心进行旋转；其他构件，与保持于保持构件的基板的端面隔开间隔地沿基板的径向配置于基板的外侧；以及喷嘴，以能够落在至少一部分被包括于其他构件的上表面的喷出目标区域的方式从喷出目标区域的上方喷出处理液。其他构件与基板的端面之间的间隔设定为：落在喷出目标区域的处理液流过其他构件的上表面而从该上表面的旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在基板的上表面周缘部。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及对半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳能电池用基板等(以下，简称为“基板”)进行处理的基板处理装置。
背景技术
作为这样的基板处理装置，专利文献1公开了一种使将基板保持为水平的保持构件和沿基板的周缘部与基板的端面隔开间隔地包围基板的整周的环一起旋转的同时，以落在基板的上表面中央部的方式喷出处理液的装置。该环表面具有亲水性。在基板表面为疏水性的情况下，当没有设置该环时，供给到基板的上表面中央部的处理液在离心力的作用下而从基板的中央部向周缘部扩散时以放射状不均匀地扩散。因此，无法均匀地向基板的上表面全体供给处理液。
因此，专利文献1的装置试图通过利用亲水性的环使从基板的中央部到达周缘部的处理液在基板的周缘部附近以膜状扩散，从而均匀地将处理液供给到上表面全体。
专利文献2公开了一种基板处理装置，该基板处理装置具有：从下方将基板保持为水平并使基板旋转的保持构件；沿基板的周缘部与基板的端面隔开间隔地包围基板的整周的环；以及以能够落在正在旋转的基板的上表面中央部的方式喷出处理液的喷嘴。该环的防水性高于基板，并且保持不旋转。在基板的表面为疏水性的情况下，如上所述，供给到上表面中央部的处理液在基板的周缘部附近以放射状不均匀地扩散。然而，在专利文献2的装置中，当处理液从基板的周缘部向外部排出时，由于包围基板的环阻碍处理液的流动，从而阻碍处理液的排出。由此，该装置试图通过将排出的处理液的一部分积存在基板上，而在基板上形成处理液的液膜并可靠地向整个基板的上表面区域供给处理液。
有时，在基板的中央部设置用于形成器件图案的器件区域，并在器件区域之外的周缘部进行蚀刻等处理。专利文献3公开了进行这种基板的周缘部的处理的基板处理装置。该装置具有在基板的上方与基板表面相向的遮断构件，并在使基板在大致水平面内进行旋转的同时，从配置于遮断构件的周缘部的喷嘴向基板上表面的周缘部供给处理液，由此在基板上表面内进行周缘部的蚀刻处理。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-94836号公报
专利文献2：日本特开2010-157531号公报
专利文献3：日本特开2008-47629号公报
发明内容
发明要解决的问题
为了在基板的处理面中仅对周缘部中周缘侧的窄区域进行处理，需要仅向基板的处理面中该周缘侧的窄区域供给处理液。然而，由于专利文献1、2的基板处理装置向基板的整个上表面供给处理液，因此存在无法仅向基板的处理面中该窄区域供给处理液的问题。
另外，在专利文献3的装置中，由于朝向基板的周缘部中的平坦部分喷出处理液，从而处理液在基板的周缘部上扩散，因此存在无法仅对基板的处理面中的周缘部的窄区域进行处理的问题。若为了利用专利文献3的装置来处理该窄区域而将处理液的喷出目标区域设定为尽可能靠近基板的端面，则处理液的流动因处理液落在基板的平坦部与端部的边界部分而变得混乱。即，落在基板的处理液有时向基板的中心侧扩散，有时流向端面侧。因此，由处理液处理的处理宽度会沿基板的周向而不均匀，将向基板的旋转中心侧扩散的处理液的顶端连结而成的线沿基板的周向形成为波形。因此，存在基板的周缘部的处理宽度不均匀的问题。
本发明为了解决上述问题而提出，其目的在于，提供一种在处理基板的周缘部的基板处理技术中，不仅能够使基板的周缘部的处理宽度变窄，而且还能够提高处理宽度的均匀性。
解决问题的技术方案
为了解决上述课题，根据第一技术方案的基板处理装置，具有：保持构件，设置为从下方将基板保持为大致水平，能够使所述基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；旋转机构，能够使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转；其他构件，与保持于所述保持构件的所述基板的端面隔开间隔地沿所述基板的径向配置于所述基板的外侧；以及喷嘴，以能够落在喷出目标区域的方式从所述喷出目标区域的上方喷出处理液，所述喷出目标区域的至少一部分被包含于所述其他构件的上表面。所述其他构件与所述基板的端面之间的所述间隔被设置为：落在所述喷出目标区域的所述处理液流过所述其他构件的上表面而从该上表面的所述旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在所述基板的上表面周缘部。
根据第二技术方案的基板处理装置，在第一技术方案的基板处理装置中，所述喷出目标区域全部被包含于所述其他构件的上表面。
根据第三技术方案的基板处理装置，在第一或第二技术方案的基板处理装置中，还具有将所述喷嘴和所述其他构件保持为一体的喷嘴保持构件。
根据第四技术方案的基板处理装置，在第一或第二技术方案的基板处理装置中，所述其他构件是沿以所述旋转轴为中心的所述基板的周向包围所述基板的周缘的环状构件，所述基板处理装置还包括所述环状构件用的旋转机构，所述环状构件用的旋转机构使所述其他构件与所述基板以相同的旋转速度旋转。
根据第五技术方案的基板处理装置，在第四技术方案的基板处理装置中，所述环状构件具有多个圆弧状构件；所述多个圆弧状构件具有沿所述基板的周向相邻的两个圆弧状构件；所述两个圆弧状构件各自的在所述基板的周向上的一端彼此相向，所述两个圆弧状构件能够以各自的另一端为中心在水平面内进行转动；所述基板处理装置还具有转动机构，该转动机构能够使所述两个圆弧状构件分别以所述两个圆弧状构件各自的另一端为旋转中心转动，以使所述两个圆弧状构件各自的一端彼此离开得比所述基板的直径更大。
根据第六技术方案的基板处理装置，在第一至第五技术方案中的任一技术方案的基板处理装置中，还具有：径向驱动部，能够使所述其他构件沿所述基板的径向移动；以及控制部，用于控制所述径向驱动部和所述喷嘴；在利用落在所述喷出目标区域的所述处理液流过所述其他构件的上表面而从该上表面的所述旋转轴侧的内侧端排出并从上方落在所述基板的上表面周缘部时的所述其他构件的位置来定义所述其他构件的处理位置时，所述控制部在使所述径向驱动部将所述其他构件配置于比所述处理位置更靠所述基板的径向的外侧的外侧位置的期间，使所述喷嘴开始朝向所述喷出目标区域喷出所述处理液，并且，一边使所述喷嘴喷出所述处理液一边使所述径向驱动部将所述其他构件从所述外侧位置移动至所述处理位置。
根据第七技术方案的基板处理装置，在第一至第六技术方案中的任一技术方案的基板处理装置中，所述其他构件的上表面的所述旋转轴侧的内侧端在所述基板的径向上位于比所述基板的周缘更靠所述旋转轴侧的位置。
根据第八技术方案的基板处理装置，在第一至第七技术方案中的任一技术方案的基板处理装置中，所述其他构件包括与所述基板的所述端面相向的内侧面，所述内侧面以随着从下端朝向上端而接近所述旋转轴的方式相对于所述旋转轴倾斜。
根据第九技术方案的基板处理装置，在第一至第七技术方案中的任一技术方案的基板处理装置中，所述其他构件包括与所述基板的所述端面相向的内侧面，所述内侧面随着从其下端朝向上端而接近所述旋转轴，并且，相对于所述旋转轴向斜上方凸出弯曲。
根据第十技术方案的基板处理装置，在第一至第七技术方案中的任一技术方案的基板处理装置中，所述其他构件包括与所述基板的所述端面相向的内侧面，所述内侧面的在包含所述旋转轴的平面上的截面形状沿所述基板的端面弯曲。
根据第十一技术方案的基板处理方法，是基板处理装置的基板处理方法，其中，该基板处理装置具有：保持构件，设置成从下方将基板保持为大致水平，能够使所述基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；旋转机构，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转；其他构件，被配置为从所述基板离开；以及喷嘴，能够喷出处理液。所述基板处理方法包括：与所述基板的端面隔开间隔地将所述其他构件沿所述基板的径向配置于所述基板的外侧的步骤；以及以能够落在喷出目标区域的方式使所述喷嘴从所述喷出目标区域的上方喷出处理液的步骤，所述喷出目标区域的至少一部分被包含于所述其他构件的上表面。所述其他构件与所述基板的端面之间的所述间隔被设置成：落在所述喷出目标区域的所述处理液流过所述其他构件的上表面而从该上表面的所述旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在所述基板的上表面周缘部。
发明效果
根据第一以及第十一技术方案中的任一技术方案的发明，以能够落在喷出目标区域的方式从喷嘴向其他构件喷出处理液，所述喷出目标区域的至少一部分被包含于其他构件的上表面。其他构件与基板的端面隔开间隔地沿基板的径向配置于基板的外侧，该间隔被设定为：落在喷出目标区域的处理液流过其他构件的上表面而从该上表面的旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在基板的上表面周缘部。因此，不仅使由处理液进行处理的基板的上表面周缘部的处理宽度变细，而且还能够提高处理宽度的均匀性。
根据第二技术方案的发明，喷出目标区域全部被包含于其他构件的上表面。因此，落在基板的上表面周缘部的处理液是全部从喷出目标区域流过其他构件的上表面而从该上表面的旋转轴侧的内侧端排出的处理液。因此，能够缩短处理液落在基板的上表面周缘部的位置与其他构件的内侧端之间的在基板的径向上的距离。由此，能够进一步使由处理液进行处理的基板的上表面周缘部的处理宽度变细。
根据第三技术方案的发明，由于喷嘴保持构件将喷嘴和其他构件保持为一体，因此，处理液能够落在到固定的喷出目标区域。由此，能够使从内侧端排出的处理液的排出状态稳定。从而，能够使基板的上表面周缘部的处理宽度稳定。
根据第四技术方案的发明，其他构件是沿以旋转轴为中心的基板的周向包围基板的周缘的环状构件，其他构件与基板以相同的旋转速度旋转。因此，即便在使其他构件与基板一起旋转的情况下，也能够提高基板的上表面周缘部的处理宽度的均匀性。
根据第五技术方案的发明，两个圆弧状构件设置为一端彼此相向且沿基板的周向相邻，两个圆弧状构件能够以各自的另一端为旋转中心转动，以使各自的一端彼此离开得比基板的直径更大。因此，通过两个圆弧状构件的该转动，能够相对于基板处理装置搬入搬出基板。
根据第六技术方案的发明，喷嘴开始朝向配置于比处理位置更靠基板的径向外侧的外侧位置的其他构件的喷出目标区域喷出处理液，并在喷嘴喷出处理液期间，其他构件从外侧位置移动至处理位置。因此，能够抑制因开始喷出时的处理液的液流的混乱的影响而导致基板的上表面周缘部的处理宽度不均匀。
根据第七技术方案的发明，其他构件的上表面的旋转轴侧的内侧端在基板的径向上位于比基板的周缘更靠旋转轴侧的位置。因此，能够使基板的上表面周缘部的处理宽度变宽。
根据第八技术方案的发明，其他构件的内侧面以随着从下端开始朝向上端而旋转轴的方式相对于旋转轴倾斜。因此，在能够升降其他构件的情况下，也能够通过从处理位置的上方使其他构件下降，从而将其他构件配置于处理位置。
根据第九技术方案的发明，其他构件的内侧面不仅随着从下端朝向上端而接近旋转轴，并且，相对于旋转轴向斜上方凸出弯曲。因此，能够进一步均匀化基板的端面与其他构件之间的在基板的径向上的间隔。由此，能够提高基板的端面的处理效率。
根据第十技术方案的发明，其他构件包括与基板的端面相向的内侧面，所述内侧面的在包含旋转轴的平面上的截面形状为沿基板的端面弯曲。因此，能够进一步均匀化基板的端面与其他构件之间的在基板的径向上的间隔。由此，能够提高基板的端面的处理效率。
附图说明
图1是用于说明根据实施方式的基板处理装置的结构的侧面示意图。
图2是用于说明图1的基板处理装置的结构的上表面示意图。
图3是用于说明图1的基板处理装置的结构的概略立体图。
图4是沿图2的A1-A1截面线的其他构件与基板周缘部的剖视示意图。
图5是用于说明图4的其他构件与基板的其他位置关系的剖视示意图。
图6是用于说明其他构件的其他实施方式的剖视示意图。
图7是用于说明其他构件的其他实施方式的剖视示意图。
图8是用于说明其他构件的其他实施方式的剖视示意图。
图9是用于说明其他构件的其他实施方式的剖视示意图。
图10是表示图4的其他构件的喷出目标区域的上表面示意图。
图11是表示其他构件的喷出目标区域的其他配置例的上表面示意图。
图12是用于说明图1的其他构件的其他结构例的上表面示意图。
图13是表示图1的基板的周缘部附近的剖视示意图。
图14是表示根据实施方式的基板处理装置的动作的一例的流程图。
图15是用于说明图14的流程图中所示的动作的图。
图16是用于说明根据其他实施方式的基板处理装置的结构的侧面示意图。
图17是用于说明图16的基板处理装置的机构的上表面示意图。
图18是用于说明图17的其他构件的在基板搬入搬出时的动作的上表面示意图。
具体实施方式
以下，参照附图说明实施方式。以下实施方式是将本发明具体化的一个例子，并不是限定本发明的技术范围的示例。另外，在以下所参照的各个图中，有时夸张或简略地示出了各个部分的尺寸和数值，以便于理解。上下方向为铅垂方向，基板侧在旋转卡盘之上。
<实施方式>
<1.基板处理装置1的总体结构>
参照图1～图3说明基板处理装置1的结构。图1～图3是用于说明根据实施方式的基板处理装置1的结构的图。图1、图2是基板处理装置1的侧面示意图和上表面示意图。图3是从斜上方观察基板处理装置1的概略立体图。
在图1～图3中，示出了基板9在喷嘴51、其他构件52配置于各自的处理位置的状态下，通过旋转卡盘21而以旋转轴a1为中心按规定的旋转方向(箭头AR1的方向)进行旋转的状态。另外，在图2中用虚线示出了配置于退避位置的喷嘴51、其他构件52等。在图2、图3中，在基板处理装置1的构成要素中省略了飞散防止部3等一部分构成要素的记载。
基板9的表面形状为大致圆形。在喷嘴51等配置于退避位置的状态下，通过机械手等来进行对基板处理装置1的基板9的搬入搬出。搬入至基板处理装置1的基板9以可装卸的方式被旋转卡盘21保持。
需要说明的是，在以下说明中，“处理液”包括“药液”和“冲洗液(也称作“洗净液”)”，所述“药液”在药液处理中使用，所述“冲洗液在将药液冲洗干净的冲洗处理中使用。
基板处理装置1具有旋转保持机构2、飞散防止部3、处理部5、喷嘴移动机构6以及控制部130。这些各部2～3、5～6与控制部130电连接，并根据来自于控制部130的指示进行动作。作为控制部130，可采用例如与一般的计算机相同的设备。即，例如，控制部130包括用于进行各种运算处理的CPU，作为用于存储基本程序的只读存储器的ROM，作为用于存储各种信息的随机存取存储器的RAM，用于存储控制用软件、数据等的磁盘。在控制部130中，根据程序中描述的步骤作为主控制部的CPU通过进行运算处理来控制基板处理装置1的各部。
<2.基板9>
接着，参照图13对在基板处理装置1中成为处理对象的基板9进行说明。图13是表示在包含中心轴的平面中基板9的周缘部附近的剖视图。图13的剖视图是在包含基板9(旋转卡盘21)的旋转轴a1的平面上的剖视图(也称作“纵向剖视图”)，所述旋转轴a1通过基板9的主面的中心c1。
在基板处理装置1中成为处理对象的基板9具有例如由硅(Si)构成的中心层901、在中心层901的外侧成膜的下层膜902以及在下层膜902的外侧成膜的上层膜903的三层结构。基板9的表面形状为大致圆形。基板9的半径为例如150mm。下层膜902例如是热氧化膜(Th-SiO2)或绝缘膜(例如，Hf(铪)膜或氧化铪膜等)。另外，上层膜903例如是阻挡金属膜(例如，TiN膜，TaN膜等)或金属膜(例如，Al膜、W膜、NiSi膜、Cu膜等)。但是，在基板处理装置1中成为处理对象的基板9可以是具有例如中心层901和下层膜902的二层结构，也可以具有四层以上的结构。
以下，将基板9的两个主面中的形成有器件图案的面称作“上表面91”。另外，将位于上表面91的相反侧的面称作“下表面92”。此外，将上表面91中形成有器件图案的区域称作“器件区域90”。另外，将上表面91中比器件区域90更靠外侧的周缘区域称作“上表面周缘部911”。具体而言，上表面周缘部911例如是从基板9的端(“周缘”)94开始具有微小宽度D1(例如，D1＝0.3mm～1.0mm)的环状的区域。基板9的端94是在基板9的表面中沿着基板9的径向的最外侧的部分。端94的形状在俯视基板9时呈圆形。另外，将从下表面92的端94开始具有微小宽度D1的环状区域称作“下表面周缘部921”。将上表面周缘部911和下表面周缘部921合并的区域简称为“周缘部”。
基板9的端面93是在基板9的表面中除去上表面91和下表面92中的各自的平坦部后的环状部分。具体而言，端面93是例如从端94开始具有微小宽度D2(例如，D2＝0.3mm程度)的环状区域。在基板9的纵向截面中，端面93沿基板9的径向向基板9的外侧凸出并弯曲。在端面93中位于端94上侧的环状部分为上侧端面93a，位于端94下侧的环状部分为下侧端面93b。上侧端面93a被包含于上表面周缘部911，下侧端面93b被包含于下表面周缘部921。
基板处理装置1可将基板9作为处理对象，进行对其上表面周缘部911和下侧端面93b的处理(例如，除去形成于上表面周缘部911及下侧端面93b的薄膜的处理)。
<3.基板处理装置1的各部的结构>
<旋转保持机构2>
旋转保持机构2是在使基板9的一侧的主面朝向上方的状态下使基板9保持为大致水平姿势并能够进行旋转的机构。旋转保持机构2使基板9以通过主面的中心c1的铅垂的旋转轴a1为中心进行旋转。
旋转保持机构2具有旋转卡盘(“保持构件”、“基板保持部”)21，所述旋转卡盘21比基板9小的圆板状构件。将旋转卡盘21设置成其上表面为大致水平，其中心轴与旋转轴a1一致。旋转卡盘21的下表面与圆筒状的旋转轴部22相连结。旋转轴部22以其轴线沿铅垂方向的姿势配置。旋转轴部22的轴线与旋转轴a1一致。另外，旋转轴部22与旋转驱动部(例如，伺服电机)23相连接。旋转驱动部23对旋转轴部22进行旋转驱动使旋转轴部22围绕该轴线。因此，旋转卡盘21能够与旋转轴部22一起以旋转轴a1为中心进行旋转。旋转驱动部23和旋转轴部22是使旋转卡盘21以旋转轴a1为中心进行旋转的旋转机构231。旋转轴部22和旋转驱动部23被容纳于筒状的外壳24内。
在旋转卡盘21的中央部设置有未图示的贯通孔，与旋转轴部22的内部空间相连通。内部空间经由未图示的配管、开闭阀与未图示的泵相连接。该泵、开闭阀与控制部130电连接。控制部130对该泵、开闭阀的动作进行控制。该泵可根据控制部130的控制来选择性地供给负压和正压。若在基板9以大致水平姿势配置于旋转卡盘21的上表面的状态下泵供给负压，则旋转卡盘21从下方吸附保持基板9。若泵供给正压，则可从旋转卡盘21的上表面取下基板9。
在该结构中，在旋转卡盘21吸附保持基板9的状态下，若旋转驱动部23使旋转轴部22旋转，则旋转卡盘21以沿着铅垂方向的轴线为中心进行旋转。由此，保持在旋转卡盘21上的基板9以通过基板9的面内的中心c1的铅垂的旋转轴a1为中心按箭头AR1方向进行旋转。
<飞散防止部3>
飞散防止部3承接从与旋转卡盘21一起旋转的基板9飞散的处理液等。
飞散防止部3具有防溅罩31。防溅罩31是上端开放的筒形状的构件，设置成包围旋转保持机构2。需要说明的是，在防溅罩31的外侧还可以设置包围旋转保持机构2的板。
防溅罩31具有圆环状的底部、从底部的内侧边缘部向上方延伸的圆筒状的内侧壁部以及从底部的外侧边缘部向上方延伸的圆筒状的外侧壁部。内侧壁部的至少顶端附近被容纳于在旋转保持机构2的外壳24设置的凸缘状构件241的内侧空间内。外侧壁部的上部(“上端侧部分”、“上端部分”)向内侧上方延伸。即，该上部朝向旋转轴a1向斜上方延伸。
在防溅罩31的底部形成有排液槽(未图示)，该排液槽与内侧壁部和外侧壁部之间的空间相连通。该排液槽与工厂的排液线相连接。另外，该排液槽与排气液机构相连接，该排气液机构通过对槽内强制地排气，使内侧壁部与外侧壁部之间的空间成为负压状态。内侧壁部与外侧壁部之间的空间是用于收集并排出在基板9的处理中使用的处理液的空间，收集到该空间的处理液从排液槽排出。
在防溅罩31上配置有使该防溅罩31升降移动的板驱动机构32。板驱动机构32例如由步进电机构成。防溅罩31通过接受板驱动机构32的驱动，而在各上方位置和下方位置之间进行移动。防溅罩31的上方位置是防溅罩31的上端边缘部被配置在保持于旋转卡盘21的基板9的侧上方的位置。另一方面，防溅罩31的下方位置是防溅罩31的上端边缘部被配置在低于旋转卡盘21的上表面的位置。当基板9被搬入基板处理装置1时，防溅罩31被配置于下方位置。板驱动机构32与控制部130电连接，并在控制部130的控制下进行动作。即，通过控制部130来控制防溅罩31的位置。
需要说明的是，即便基板处理装置1没有飞散防止部3，也不会破坏本发明的实用性。
<处理部5>
处理部5进行对保持在旋转卡盘21上的基板9的上表面周缘部911和下侧端面93b的处理。具体而言，处理部5向保持在旋转卡盘21上的基板9的上表面周缘部911供给处理液。处理部5包括喷嘴保持构件50、喷嘴51、其他构件52以及处理液供给部83。
喷嘴保持构件50是将喷嘴51和其他构件52保持为一体的构件。喷嘴保持构件50安装配置于后述的喷嘴移动机构6所具备的长的臂63的顶端。臂63水平面延伸。
喷嘴保持构件50例如通过将沿铅垂面延伸的板状构件与从该板状构件的上端突出的突出构件接合而形成。该板状构件的上端设置于臂63的顶端。该突出构件相对于该板状构件向臂63的相反侧沿臂63的延伸方向突出。喷嘴51设置于该突出构件的顶端。在喷嘴保持构件50的板状构件的下端设置有其他构件52。
喷嘴51以能够落在保持在旋转卡盘21上并进行旋转的基板9的上表面周缘部911的一部分的方式喷出处理液的液流L1。液流L1以液柱形状从喷嘴51的喷出口喷出。喷嘴51的顶端部(下端部)向下方突出，并在顶端设置喷出口。该喷出口与其他构件52的上表面相向。喷嘴51与处理液供给部83相连接，该处理液供给部83是向该喷嘴51供给处理液的配管系统。具体而言，喷嘴51的上端与处理液供给部83的配管832的一端相连接。喷嘴51从处理液供给部83被供给处理液，被供给的处理液的液流L1以液柱形状从顶端的喷出口喷出。喷嘴51以能够落在喷出目标区域521的方式从喷出目标区域521的上方喷出处理液，喷出目标区域521的至少一部分被包含于其他构件52的上表面。
处理液供给部83向喷嘴51供给处理液。具体而言，处理液供给部83通过组合处理液供给源831、配管832以及开闭阀833而构成。处理液包括药液和冲洗液。作为药液，例如可使用SC-1、DHF、SC-2等。作为冲洗液，例如可使用纯水、温水、臭氧水、磁化水、还原水(氢水)、各种有机溶剂(离子水、IPA(异丙醇)、功能水(CO2水等)等。
若从处理液供给部83向喷嘴51供给处理液，则喷嘴51喷出该处理液的液流L1。但是，处理液供给部83所具有的开闭阀833通过与控制部130电连接的未图示的阀门开闭机构，而在控制部130的控制下而被开闭。即，通过控制部130来控制从喷嘴51喷出处理液的喷出状态(具体而言，被喷出的处理液的喷出开始时刻、喷出结束时刻、喷出流量等)。即，通过控制部130的控制，处理部5的喷嘴51以能够落在以旋转轴a1为中心进行旋转的基板9的上表面周缘部911的方式喷出处理液的液流L1。
其他构件52是与保持在旋转卡盘21上的基板9的端面93隔开间隔并沿基板9的径向配置于基板9的外侧的构件。更详细地说，其他构件52的重心沿基板9的径向配置于基板9的外侧。其他构件52的上表面包含喷出目标区域521的至少一部分。关于其他构件52的结构和其他结构例，将在后面进行说明。
<喷嘴移动机构6>
喷嘴移动机构6是使喷嘴51及其他构件52在各自的处理位置与退避位置之间移动的机构。喷嘴移动机构6具有水平延伸的臂63、喷嘴基台66、升降驱动部68以及旋转驱动部69。喷嘴保持构件50设置于臂63的顶端部分。
臂63的基端部与喷嘴基台66的上端部分相连结。喷嘴基台66以其轴线沿铅垂方向的姿势配置于外壳24的外侧。喷嘴基台66具有旋转轴，该旋转轴沿其轴线在铅垂方向延伸，并能够以轴线为中心进行旋转。喷嘴基台66的轴线与旋转轴的轴线一致。喷嘴基台66的上端部分设置在旋转轴的上端。通过旋转轴的旋转，喷嘴基台66的上端部分以旋转轴的轴线、即喷嘴基台66的轴线为中心进行旋转。在喷嘴基台66设置有使该旋转轴以该轴线为中心进行旋转的旋转驱动部69。旋转驱动部69具有例如伺服电机等。
另外，在喷嘴基台66设置有升降驱动部68。升降驱动部68具有例如伺服电机等。升降驱动部68通过滚珠螺杆机构使喷嘴基台66的旋转轴沿其轴线升降，该滚珠螺杆机构具有与升降驱动部68的输出轴相连结的滚珠螺杆。
旋转驱动部69通过喷嘴基台66的旋转轴，使喷嘴基台66的上端部分旋转。随着该上端部分的旋转，喷嘴保持构件50也以喷嘴基台66的轴线为中心进行旋转。由此，旋转驱动部69使喷嘴51和其他构件52水平移动。即，旋转驱动部69是能够使其他构件52在基板9的径向移动的“径向驱动部”。
升降驱动部68通过使喷嘴基台66的旋转轴沿其轴线升降，使喷嘴保持构件50、即喷嘴51和其他构件52升降。升降驱动部68和旋转驱动部69通过协作，使喷嘴保持构件50在处理位置与退避位置之间移动，所述处理位置位于保持于旋转卡盘21的基板9的附近，所述退避位置位于从处理位置沿基板9的径向的外侧上方。若喷嘴保持构件50被配置于处理位置，则喷嘴51和其他构件52被配置于各自的处理位置。
喷嘴保持构件50、喷嘴51以及其他构件52的各自的退避位置不与基板9的搬送路直径发生干涉且彼此之间也不会发生干涉的各个位置。各个退避位置例如位于防溅罩31的外侧上方。
驱动部68、69与控制部130电连接，并在控制部130的控制下进行动作。即，通过控制部130来控制喷嘴保持构件50的位置。即，通过控制部130来控制喷嘴51和其他构件52的位置。
<4.其他构件52的结构和其他构件的其他结构例>
图4是沿着A1-A1截面线(图2)的其他构件52和基板9的周缘部的剖视示意图。图5是用于说明配置成不同于图4的位置关系不同的位置关系的其他构件52和基板9的剖视示意图。图6～图9是用于说明其他实施方式的其他构件52A～52D的剖视示意图。图4～图9是通过纵向剖视图来示出的图。图10是表示其他构件52的喷出目标区域521的例子的上表面示意图。是表示其他构件52的喷出目标区域521的其他配置例的上表面示意图。图12是用于说明将其他构件52E作为其他构件52的其他构成例的上表面示意图。
如图4所示，其他构件52是轴线大致沿基板9的周向延伸的三角棱柱状的构件。其他构件52的纵向截面为大致三角形。其他构件52具有上表面53、外侧面54、内侧面(“相向面”)55、侧面57以及侧面58。
上表面53是大致水平的矩形面。外侧面54是其他构件52中沿基板9的径向位于最外侧的面，被设置为相对于基板9的径向大致垂直。内侧面55与基板9的端面93相向，并以随着从下端朝向上端而接近旋转轴a1的方式相对于旋转轴a1倾斜。侧面57、58是与上表面53和外侧面54分别垂直的大致三角形的面。侧面57、58可以彼此平行，也可以分别沿基板9的径向延伸。上表面53的旋转轴a1侧的内侧端比基板9的端94即周缘在基板9的径向上更靠近旋转轴a1侧的位置。该内侧端位于基板9的上表面周缘部911的上方。
基板9的径向上的其他构件52的长度D5(图10)为例如约10mm。基板9的端94的切线方向上的其他构件52的长度D6(图10)为例如约20mm。沿旋转轴a1的其他构件52的高度D7(图4)为例如约5mm。
需要说明的是，可通过采用例如图12所示的其他构件52E来替代其他构件52。其他构件52E具有与基板9的端面93隔开间隔而相向的内侧面，该内侧面沿基板9的周缘(端94)在基板9的周向上以弧状延伸。由此来提高上表面周缘部911上的处理宽度的均匀性。
其他构件52包含大致圆形的喷出目标区域521。喷出目标区域521是假想的区域。从喷嘴51喷出的处理液的液流L1的直径大致与喷出目标区域521的直径D3相同。直径D3的长度与基板9的端面93的宽度D2大致相同。如图4、图10所示，整个喷出目标区域521被包含于其他构件52的上表面53。如图11所示，在俯视基板9时，喷出目标区域521中一部分从其他构件52的上表面53的内侧端向旋转轴a1侧露出。
如图4所示，作为液流L1以落在喷出目标区域521的方式从喷嘴51喷出的处理液，从喷出目标区域521在上表面53上向周围扩散。一部分处理液流过上表面53并从上表面53的旋转轴a1侧的内侧端向其他构件52的外部排出。其他构件52与基板9的端面93之间的间隔97(图4)被设定为所排出的处理液从上方落在基板9的上表面周缘部911。因此，该处理液能够从上方朝向上表面周缘部911落在上表面周缘部911。距离D4与端面93的宽度D2大致相同，其中，距离D4是上表面周缘部911的平坦部和上侧端面93a之间的边界与内侧面55的沿基板9的径向的距离。
落在上表面周缘部911的处理液经由间隔97，沿基板9的端面93流向下方。由此，在基板9的上表面周缘部911中比处理液所落在的部分更靠端94侧的部分和下侧端面93b被处理液处理。
如图5所示，可将其他构件52配置为其他构件52的上表面53与基板9的上表面91的平坦部在大致相同高度的水平面上。在图5中，与图4相同地，上表面周缘部911的平坦部和上侧端面93a之间的边界与内侧面55的沿基板9的径向的距离D4与端面93的宽度D2大致相同。该距离D4是从该边界到其他构件52的上表面53的内侧端的距离。
另外，可通过采用如图6所示的其他构件52A来替代其他构件52。其他构件52A具有水平的上表面53A和作为铅垂面的外侧面54A。上表面53A和外侧面54A与其他构件52(图4)的上表面53和外侧面54相同地设置。其他构件52A用具有与基板9的端面93相向的内侧面55A来替代其他构件52的内侧面55。内侧面55A不仅随着从下端朝向上端而接近旋转轴a1，而且相对于旋转轴a1向斜上方凸出并弯曲。另外，其他构件52A具有下表面56A，该下表面56A连接内侧面55A和外侧面54A的下端并与上表面53A平行。
另外，可通过采用如图7所示的其他构件52B来替代其他构件52。其他构件52B具有设置成与其他构件52的上表面53和外侧面54大致相同的上表面53B和外侧面54B，还具有与上表面53B平行的下表面56B。下表面56B以与上表面53B相同的形状和大小形成。此外，其他构件52B通过具有与基板9的端面93相向的内侧面55B来替代其他构件52的内侧面55。沿包含旋转轴a1的平面剖开的内侧面55B的截面形状为沿着基板9的端面93弯曲。上表面53B比基板9的上表面91更位于上方，下表面56B比基板9的下表面92更位于下方。
另外，可通过采用如图8所示的其他构件52C来替代其他构件52。其他构件52C具有其他构件52B沿旋转轴a1方向收缩的形状。其他构件52C具有上表面53C、下表面56C、外侧面54C以及内侧面55C。
上表面53C是具有与其他构件52B的上表面53B相同形状的水平面。下表面56C是具有与其他构件52B的下表面56B相同形状的水平面。上表面53C被包含在与基板9的上表面91的平坦部相同的水平面内。下表面56C被包含在与基板9的下表面92的平坦部相同的水平面内。外侧面54C是铅垂面。内侧面55C是通过连接上表面53C和下表面56C的各自的内侧端而形成的。沿包含旋转轴a1的平面剖开的内侧面55C的截面形状为沿着基板9的端面93弯曲。
另外，可通过采用如图9所示的其他构件52D来替代其他构件52。其他构件52D具有上表面53D、下表面56D、外侧面54D以及内侧面55D。其他构件52D通过具有作为铅垂面的内侧面55D来替代其他构件52C的弯曲的内侧面55C。内侧面55D相对于基板9的径向垂直。其他构件52D为长方体形状。上表面53D和下表面56D具有与其他构件52C的上表面53C和下表面56C相同的形状。上表面53D被包含在与基板9的上表面91的平坦部相同的水平面内，下表面56D被包含在与下表面92的平坦部相同的水平面内。由于内侧面55D为平面，因此基板9的端面93的端94与内侧面55D之间设有间隔。因此，上表面周缘部911的平坦部和上侧端面93a之间的边界与内侧面55D的距离(基板9的径向上的距离)D4长于端面93的宽度D2。然而，喷出至其他构件52D上的喷出目标区域521的处理液的一部分从上表面53D的内侧端落在端面93。由此，能够处理上表面周缘部911和下侧端面93b中基板9的端94的附近的窄的区域。需要说明的是，基板处理装置1通过喷嘴保持构件50使喷嘴51和其他构件52以保持为一体的方式移动，但是基板处理装置1也可以不具有喷嘴保持构件50，而单独地对各个喷嘴51、其他构件5设置升降机构和在基板9的径向移动的移动机构。
<5.关于基板处理装置的动作>
图14是表示基板处理装置1的动作的一个例子的流程图。图15是用于说明图14的流程图所示的动作的图。
以下，参照图14～图15说明基板处理装置1的动作的一个例子。该动作例是将喷嘴51和其他构件52配置于各自的处理位置并从喷嘴51向基板9的上表面周缘部911喷出处理液的动作。在开始图14的动作流程之前，喷嘴51和其他构件52被配置于例如退避位置，旋转卡盘21保持基板9但不旋转。
基板处理装置1的控制部130控制旋转机构231，开始使旋转卡盘21以旋转轴a1为中心进行旋转(图14、图15的步骤S110)。该旋转例如以2000rpm的旋转速度进行。
控制部130控制升降驱动部68、旋转驱动部69，将喷嘴保持构件50从退避位置配置于相对于处理位置的基板9的侧方(基板9的径向)的外侧位置。升降驱动部68、旋转驱动部69将喷嘴51、其他构件52从各自的退避位置配置到各自的外侧位置(图14、图15的步骤S120)。喷嘴51、其他构件52的各自的外侧位置相对于各自的处理位置位于基板9的侧方(径向)的外侧。
控制部130控制处理部5，使喷嘴51开始进行对其他构件52上的喷出目标区域521的处理液的喷出(图14、图15的步骤S130)。从喷嘴51喷出至其他构件52的喷出目标区域521的处理液沿其他构件52的上表面53扩散，并从其他构件52的内侧端向其他构件52的外部排出。但是，由于喷嘴51、其他构件52被配置于各自的外侧位置，因此排出至其他构件52的外部的处理液无法落在基板9的上表面周缘部911。
控制部130等待直至由喷嘴51喷出的处理液的液流L1的喷出状态稳定(图14、图15的步骤S140)。该等待时间例如预先通过实验等来取得并存储于控制部130的ROM等。
控制部130控制旋转驱动部69，将喷嘴保持构件50沿基板9的径向配置于基板9的端面93侧的处理位置。由此，旋转驱动部69将喷嘴51、其他构件52配置于基板9的侧方，更详细而言，配置于端面93的侧方的各自的处理位置(称作“内侧位置”)(图14、图15的步骤S150)。在喷嘴51、其他构件52向各自的处理位置移动的过程中，喷嘴51持续喷出处理液。因此，当喷嘴51、其他构件52配置于各自的处理位置时，向喷出目标区域521喷出的处理液的液流L1的喷出状态为稳定状态。即，从喷出目标区域521向其他构件52的上表面53的内侧端流动的处理液的液膜的状态也是稳定的。
控制部130通过使配置于处理位置的喷嘴51以原有状态持续喷出处理液来进行基板9的上表面周缘部911的处理(图14、图15的步骤S160)。
例如若基板9的上表面周缘部911的处理经过指定的时间之后结束，则控制部130控制处理部5来停止从喷嘴51喷出处理液(图14、图15的步骤S170)。控制部130可在使处理部5停止从喷嘴51喷出处理液之前，一边使处理液从喷嘴51喷出一边使旋转驱动部69将喷嘴51和其他构件52配置于各自的外侧位置，之后，停止从喷嘴51喷出处理液。
控制部130控制旋转机构231来停止旋转卡盘21的旋转(图14、图15的步骤S180)，并结束图14的流程图的动作。
<6.关于其他实施方式>
图16是用于说明其他实施方式的基板处理装置1A的结构的侧面示意图。图17是用于说明基板处理装置1A的结构的上表面示意图。图18是用于说明相对于基板处理装置1A的基板9的搬入搬出时的基板处理装置1A的其他构件73的动作的上表面示意图。
与基板处理装置1相同地，基板处理装置1A是通过向以旋转轴a1为中心进行旋转的基板9的上表面周缘部911等喷出处理液来进行上表面周缘部911等的处理的装置。
作为与基板处理装置1不同的结构，基板处理装置1A通过配置台座25来替代基板处理装置1的喷嘴保持构件50，通过配置其他构件73来替代其他构件52。喷嘴51被固定于臂63的顶端的下方。
台座25为圆环状的构件，通过将旋转轴部22插入到中央的孔部，而将台座25固定于旋转轴部22。台座25的轴心与旋转轴部22的轴心相同，且设置为与旋转轴a1一致。由此，旋转轴部22以旋转轴a1为中心且以与基板9相同的方向、相同的速度进行旋转。
其他构件73是沿以旋转轴a1为中心的基板9的周向并包围基板9的周缘(端94、端面93)的板状的环状构件。
其他构件73具有多个(图示的例中是三个)圆弧状构件73a～73c。两个圆弧状构件73a、73b各自在基板9的周向上的一端彼此相向。圆弧状构件73a、73b被设置为能够以各自的另一端为中心在水平面内分别进行转动。圆弧状构件73a、73b沿基板9的周缘的约的四分之一的长度延伸设置，圆弧状构件73c沿基板9的周缘的约一半的长度延伸设置。其他构件73的上表面为大致水平面。作为其他构件73(圆弧状构件73a～73c)的纵向截面的形状，例如，采用其他构件52、52A～52D的截面形状。
圆弧状构件73c通过从台座25的上表面向上方突出设置的两个突片75，以与台座25的上表面隔开间隔的方式被固定于台座25。圆弧状构件73a、73b通过安装于各自的另一端的突片74，被固定于台座25。更详细地说，突片74通过由步进电机等构成的旋转驱动部(“转动机构”)79，能够以其轴心为中心进行转动。该轴心是铅垂轴。
因此，基板处理装置1A通过使旋转机构231旋转台座25，经由台座25等，使其他构件73以与基板9相同的旋转速度进行旋转。旋转驱动部23、旋转轴部22、台座25、旋转驱动部79、突片74、突片75是使其他构件73以旋转轴a1为中心进行旋转的旋转机构251。
圆弧状构件73a、73b在旋转驱动部79的驱动下经由突片74而转动，使得各自的一端以各自的突片74、即以各自的另一端为旋转中心而彼此离开得比基板9的直径更大，从而从图17所示的状态变为如图18所示状态。在圆弧状构件73a、73b的一端彼此离开的状态下，从基板处理装置1搬出基板或将基板搬入基板处理装置1。
基板处理装置1A除了上述不同点之外，具有与基板处理装置1相同的结构，并进行对基板9的上表面周缘部911的处理。
即，其他构件73以与保持于旋转卡盘21的基板9的端面93隔开间隔的方式沿基板9的径向配置于基板9的外侧。喷嘴51以能够落在喷出目标区域731的方式从喷出目标区域731的上方喷出处理液，所述喷出目标区域731的所述至少一部分被包含于其他构件73的上表面。其他构件73与基板9的端面93的间隔被设置为使落在喷出目标区域731的处理液流过其他构件73的上表面而从该上表面的旋转轴a1侧的内侧端排出，并从上方落在基板9的上表面周缘部911。基板处理装置1A使喷嘴51和其他构件73分别移动。虽然喷嘴51通过升降驱动部68、旋转驱动部69而沿基板9的径向以及铅垂方向移动，但是其他构件73除了其一部分(圆弧状构件73a、73b)之外相对于台座25固定，并与台座25一起，即与基板9一起旋转。可以是喷出目标区域731的全部被包含于其他构件73的上表面，也可以是喷出目标区域731的一部分从其他构件73的上表面的内侧端向旋转轴a1侧露出。
需要说明的是，可在旋转驱动部79以及各个突片75的下方具有在各个处理位置与相对于处理位置位于基板9的径向的外侧的外侧位置之间驱动圆弧状构件73a～73c的驱动机构。在此情况下，在基板处理装置1A中，也能够将其他构件73(圆弧状构件73a～73c)配置于外侧位置，然后从喷嘴51向其他构件73喷出处理液，并待喷出状态的稳定之后，将其他构件73(圆弧状构件73a～73c)配置于处理位置。
根据如上所述的本实施方式的基板处理装置和基板处理方法中的任一个，就能够以落在至少一部分被包含于其他构件52(73)的上表面的喷出目标区域521(731)的方式从喷嘴51喷出处理液。其他构件52(73)以与基板9的端面93隔开间隔的方式沿基板9的径向配置于基板9的外侧，该间隔被设定为使落在喷出目标区域521(731)的处理液流过其他构件52(73)的上表面而从该上表面的旋转轴a1侧的内侧端排出，并从上方落在基板9的上表面周缘部911。因此，不仅能够使处理液对基板9的上表面周缘部911进行处理的处理宽度变窄，还能够提高处理宽度的均匀性。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，喷出目标区域521(731)的全部被包含于其他构件52(73)的上表面。因此，落在基板9的上表面周缘部911的处理液是全部从喷出目标区域521(731)流过其他构件52(73)的上表面而从该上表面的旋转轴a1侧的内侧端排出的处理液。因此，能够缩短处理液落在基板9的上表面周缘部911的位置和其他构件52(73)的内侧端的沿基板9的径向的距离。由此，能够进一步使处理液对基板9的上表面周缘部911进行处理的处理宽度变细。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，由于喷嘴保持构件50将喷嘴51和其他构件52保持为一体，因此，处理液能够以落在固定的喷出目标区域521方式喷出。由此，能够使从内侧端排出的处理液的排出状态稳定。从而，能够使基板9的上表面周缘部911的处理宽度稳定。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，其他构件73是沿以旋转轴a1为中心的基板9的周向包围基板9的周缘的环状构件，其他构件73以与基板9相同的旋转速度旋转。因此，即便在使其他构件73与基板9一起旋转的情况下，也能够提高基板9的上表面周缘部911的处理宽度的均匀性。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，两个圆弧状构件73a、73b被设置为一端彼此相向并沿基板9的周向相邻，并能够以各自的另一端为旋转中心使各自的一端彼此离开且离开的距离大于基板9的直径的方式进行转动。因此，通过两个圆弧状构件73a、73b的该转动，能够相对于基板处理装置进行基板9的搬入和搬出。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，喷嘴51朝向被配置于比处理位置更靠基板9的径向外侧的外侧位置的其他构件52(73)的喷出目标区域521(731)开始喷出处理液，并在喷嘴51喷出处理液期间，其他构件52(73)从外侧位置移动至处理位置。因此，能够抑制因开始喷出时的处理液的液流L1的混乱的影响而导致基板9的上表面周缘部911的处理宽度不均匀。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，其他构件52(73)的上表面的旋转轴a1侧的内侧端沿基板9的径向位于比基板9的周缘更靠旋转轴a1侧的位置。因此，能够使基板9的上表面周缘部911的处理宽度变宽。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，其他构件52的内侧面55以随着从下端朝向上端而接近旋转轴a1的方式相对于旋转轴a1倾斜。因此，在能够升降其他构件52的情况下，也能够通过从处理位置的上方使其他构件52升降，将其他构件52配置于处理位置。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，其他构件52A的内侧面55A不仅随着从下端朝向上端而接近旋转轴a1，并且，相对于旋转轴a1向斜上方凸出弯曲。因此，能够进一步使基板9的端面93和其他构件52A的基板9的径向的间隔均匀化。由此，能够提高基板9的端面93的处理效率。
另外，根据如上所述构成的本实施方式的基板处理装置，其他构件52B(52C)包括与基板9的端面93相向的内侧面55B(55C)，且沿包含旋转轴a1的平面剖开的内侧面55B(55C)的截面形状沿基板9的端面93弯曲。因此，能够进一步使基板9的端面93和其他构件52B(52C)的沿基板9的径向的间隔均匀化。由此，能够提高基板9的端面93的处理效率。
尽管已经详细示出并说明了本发明，但是上述说明的所有的实施方式仅为示例。因此，本发明可在其发明范围之内，适当地对实施方式进行变形和省略。
附图标记说明
1、1A 基板处理装置
21 旋转卡盘(保持构件)
23 旋转驱动部
231 旋转机构
251 旋转机构
50 喷嘴保持构件
51喷嘴
52、52A～52E 其他构件
68 升降驱动部
69 旋转驱动部
73 其他构件
73a～73c 圆弧状构件
79 旋转驱动部(转动机构)

Claims (11)

1.一种基板处理装置，其中，具有：
保持构件，设置为从下方将基板保持为大致水平，能够使所述基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；
旋转机构，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转；
其他构件，与保持于所述保持构件的所述基板的端面隔开间隔地沿所述基板的径向配置于所述基板的外侧；以及
喷嘴，以能够落在喷出目标区域的方式从所述喷出目标区域的上方喷出处理液，所述喷出目标区域的至少一部分被包含于所述其他构件的上表面，
所述其他构件与所述基板的端面之间的所述间隔被设置成：落在所述喷出目标区域的所述处理液流过所述其他构件的上表面而能够从该上表面的所述旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在所述基板的上表面周缘部。
2.根据权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
所述喷出目标区域全部被包含于所述其他构件的上表面。
3.根据权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
还具有将所述喷嘴和所述其他构件保持为一体的喷嘴保持构件。
4.根据权利要求1或2所记载的基板处理装置，其中，
所述其他构件是沿以所述旋转轴为中心的所述基板的周向包围所述基板的周缘的环状构件，
所述基板处理装置还包括所述环状构件用的旋转机构，所述环状构件用的旋转机构使所述其他构件与所述基板以相同的旋转速度旋转。
5.根据权利要求4所记载的基板处理装置，其中，
所述环状构件具有多个圆弧状构件，
所述多个圆弧状构件具有沿所述基板的周向相邻的两个圆弧状构件，
所述两个圆弧状构件各自的在所述基板的周向上的一端彼此相向，所述两个圆弧状构件分别能够以各自的另一端为中心在水平面内进行转动，
所述基板处理装置还具有转动机构，该转动机构能够使所述两个圆弧状构件分别以所述两个圆弧状构件各自的另一端为旋转中心转动，以使所述两个圆弧状构件各自的一端彼此离开得比所述基板的直径更大。
6.根据权利要求1至5中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置具有：
径向驱动部，能够使所述其他构件沿所述基板的径向移动；以及
控制部，用于控制所述径向驱动部和所述喷嘴，
在利用落在所述喷出目标区域的所述处理液流过所述其他构件的上表面而从该上表面的所述旋转轴侧的内侧端排出并从上方落在所述基板的上表面周缘部时的所述其他构件的位置来定义所述其他构件的处理位置时，
所述控制部在使所述径向驱动部将所述其他构件配置于比所述处理位置更靠所述基板的径向的外侧的外侧位置的期间，使所述喷嘴开始朝向所述喷出目标区域喷出所述处理液，并且，一边使所述喷嘴喷出所述处理液一边使所述径向驱动部将所述其他构件从所述外侧位置移动至所述处理位置。
7.根据权利要求1至6中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述其他构件的上表面的所述旋转轴侧的内侧端在所述基板的径向上位于比所述基板的周缘更靠所述旋转轴侧的位置。
8.根据权利要求1至7中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述其他构件包括与所述基板的所述端面相向的内侧面，所述内侧面以随着从下端朝向上端而接近所述旋转轴的方式相对于所述旋转轴倾斜。
9.根据权利要求1至7中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述其他构件包括与所述基板的所述端面相向的内侧面，所述内侧面随着从下端朝向上端而接近所述旋转轴，并且，相对于所述旋转轴向斜上方凸出弯曲。
10.根据权利要求1至7中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述其他构件包括与所述基板的所述端面相向的内侧面，所述内侧面的在包含所述旋转轴的平面上的截面形状沿所述基板的端面弯曲。
11.一种基板处理装置的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置具有：
保持构件，被设置为从下方将基板保持为大致水平，能够使所述基板以规定的旋转轴为中心进行旋转；
旋转机构，使所述保持构件以所述旋转轴为中心进行旋转；
其他构件，被配置为从所述基板离开；以及
喷嘴，能够喷出处理液，
所述基板处理方法包括：
与所述基板的端面隔开间隔地将所述其他构件沿所述基板的径向配置于所述基板的外侧的步骤；以及
以能够落在喷出目标区域的方式使所述喷嘴从所述喷出目标区域的上方喷出处理液的步骤，所述喷出目标区域的至少一部分被包含于所述其他构件的上表面，
所述其他构件与所述基板的端面之间的所述间隔被设置成：落在所述喷出目标区域的所述处理液流过所述其他构件的上表面而能够从该上表面的所述旋转轴侧的内侧端排出，并从上方落在所述基板的上表面周缘部。
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