[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN109061959B - 阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

阵列基板、显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109061959B
CN109061959B CN201811028670.9A CN201811028670A CN109061959B CN 109061959 B CN109061959 B CN 109061959B CN 201811028670 A CN201811028670 A CN 201811028670A CN 109061959 B CN109061959 B CN 109061959B
Authority
CN
China
Prior art keywords
area
electrode
sub
common electrode
bottom plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811028670.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109061959A (zh
Inventor
杨艳娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HKC Co Ltd
Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
HKC Co Ltd
Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HKC Co Ltd, Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical HKC Co Ltd
Priority to CN201811028670.9A priority Critical patent/CN109061959B/zh
Priority to PCT/CN2018/111826 priority patent/WO2020047965A1/zh
Publication of CN109061959A publication Critical patent/CN109061959A/zh
Priority to US16/241,941 priority patent/US11042069B2/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109061959B publication Critical patent/CN109061959B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/137Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
    • G02F1/139Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134318Electrodes characterised by their geometrical arrangement having a patterned common electrode

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括底板,所述次区公共电极、所述补偿电极和所述次区像素电极依次层叠设于所述底板,所述补偿电极与所述次区公共电极绝缘设置,且与所述次区像素电极通过过孔电连接,所述补偿电极在所述底板上的投影面积不大于与所述次区公共电极在所述底板上的投影面积,所述次区公共电极在所述底板上的投影面积至少部分与所述次区像素电极在所述底板上的投影面积重叠,所述补偿电极在所述底板上的投影面积与所述次区像素电极在所述底板上的投影面积互不重叠。本发明的阵列基板能提高液晶配向能力。

Description

阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
为了增大液晶显示器的视角,现有技术通常会采取多畴技术(multi-domain),即将一个子像素划分成多个区域,并使每个区域中的液晶在施加电压后倒伏向不同的方向,从而使各个方向看到的效果趋于平均和一致。为了改善视觉色差或视觉色偏,现有技术会将一个子像素分成主区和次区,在主区内设置一个独立的主区像素电极,在次区内设置一个独立的次区像素电极,主区像素电极与次区像素电极均采用米字型的狭缝电极,从而实现8畴显示。TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)数量过多会导致像素本身的开口率下降,并且由于采用了电荷分享技术,主区与次区的像素电压会产生差异,这又会加大主区与次区的最佳公共电压(best Vcom)平衡调控的难度。随着TFT个数增多与多畴增加,空间占用很大,为了有效利用设计空间会将线间距压的很小,导致补充电极与像素电极有重叠区域,进而对公共电极信号产生屏蔽作用,很容易出现液晶配向不良的现象。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种阵列基板,旨在提高液晶配向。
为实现上述目的,本发明提出的阵列基板,包括:
底板,形成于所述底板上的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和多条数据线绝缘交叉限定多个子像素;
每一所述子像素包括主区和次区,所述扫描线设于所述主区和所述次区之间,所述主区包括主区像素电极和主区公共电极,所述次区包括次区像素电极、次区公共电极和补偿电极,所述次区公共电极跨过扫描线与所述主区公共电极电连接;
所述次区公共电极、所述补偿电极和所述次区像素电极依次层叠设于所述底板,所述补偿电极与所述次区公共电极绝缘设置,且与所述次区像素电极通过过孔电连接,所述补偿电极在所述底板上的投影面积不大于与所述次区公共电极在所述底板上的投影面积,所述次区公共电极在所述底板上的投影面积至少部分与所述次区像素电极在所述底板上的投影面积重叠,所述补偿电极在所述底板上的投影面积与所述次区像素电极在所述底板上的投影面积互不重叠。
可选的,所述次区公共电极包括与所述数据线平行设置的第一公共电极和与所述扫描线平行设置的第二公共电极,所述第一公共电极与所述第二公共电极电连接,所述补偿电极设于所述第二公共电极,且所述补偿电极在所述底板上的投影面积不大于所述第二公共电极在所述底板上的投影面积。
可选的,当所述补偿电极沿着所述数据线的延伸方向的宽度减小时,
所述第一公共电极沿着所述扫描线的延伸方向的宽度增大;
或,所述第二公共电极沿着所述数据线的延伸方向的宽度增大,以平衡所述主区和所述次区的公共电压。
可选的,定义所述补偿电极与所述次区公共电极之间的重叠面积的改变量为△S1,所述补偿电极与所述次区公共电极之间的垂直距离为D1,所述次区像素电极与所述次区公共电极之间的重叠面积的改变量为△S2,所述次区像素电极与所述次区公共电极之间的垂直距离为D2,△S1/D1=△S2/D2。
可选的,所述补偿电极和所述次区像素电极的电压相同,所述次区公共电极和所述主区公共电极电压相同,所述主区像素电极的电压大于所述次区像素电极的电压。
可选的,所述阵列基板还包括间隔设于所述扫描线上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区像素电极电连接,所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的漏极与所述补偿电极电连接。
可选的,所述阵列基板还包括设于所述次区公共电极和所述补偿电极之间的第一绝缘层。
可选的,所述阵列基板还包括设于所述补偿电极和所述次区像素电极之间的第二绝缘层,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层层叠设置。
本发明还提出一种显示面板,包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、和位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板为以上所述的阵列基板。
本发明还提出一种显示装置,包括以上所述的显示面板。
本发明阵列基板通过将次区公共电极、补偿电极和次区像素电极依次层叠设于底板,补偿电极与次区公共电极之间绝缘设置,且与次区像素电极通过过孔电连接,补偿电极在底板上的投影面积不大于与次区公共电极在底板上的投影面积,次区公共电极在底板上的投影面积至少部分与次区像素电极在底板上的投影面积重叠,补偿电极在底板上的投影面积与次区像素电极在底板上的投影面积互不重叠,使得补偿电极不会对次区公共电极产生屏蔽作用,进而不会影响液晶偏转,从而提高液晶配向。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明显示面板一实施例的平面结构示意图;
图2为图1中沿着A-A线未加压时的部分剖示图;
图3为图1中沿着A-A线加压后的部分剖示图。
附图标号说明:
Figure BDA0001787626480000031
Figure BDA0001787626480000041
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,术语“连接”、“固定”等应做广义理解,例如,“固定”可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种阵列基板100。
参照图1至图3,在本发明实施例中,该阵列基板100,包括:
底板10,形成于所述底板10上的多条扫描线20和多条数据线30,所述多条扫描线20和多条数据线30绝缘交叉限定多个子像素40;
每一所述子像素40包括主区41和次区42,所述扫描线20设于所述主区41和所述次区42之间,所述主区41包括主区像素电极411和主区公共电极412,所述次区42包括次区像素电极421、次区公共电极422和补偿电极423,所述次区公共电极422跨过扫描线20与所述主区公共电极412电连接;
所述次区公共电极422、所述补偿电极423和所述次区像素电极421依次层叠设于所述底板10,所述补偿电极423与所述次区公共电极422绝缘设置,且与所述次区像素电极421通过过孔电连接,所述补偿电极423在所述底板10上的投影面积不大于与所述次区公共电极422在所述底板10上的投影面积,所述次区公共电极422在所述底板10上的投影面积至少部分与所述次区像素电极421在所述底板10上的投影面积重叠,所述补偿电极423在所述底板10上的投影面积与所述次区像素电极421在所述底板10上的投影面积互不重叠。
具体的,底板10为透明基板,如玻璃基板、石英基板等。扫描线20和数据线30均为导体材料形成,如铝合金、铬金属等。其中,阵列基板100包括多个呈阵列排布的子像素40,扫描线20与数据线30绝缘交叉限定多个子像素40,扫描线20与数据线30相互垂直设置,多条扫描线20平行间隔设置,多条数据线30平行间隔设置,相邻两条数据线30和相邻两条扫描线20围合限定一个子像素40。
子像素40包括主区41和次区42,所述扫描线20设于所述主区41和所述次区42之间,所述主区41包括主区像素电极411和主区公共电极412,所述次区42包括次区像素电极421、次区公共电极422和补偿电极423,所述次区公共电极422跨过扫描线20与所述主区公共电极412电连接。阵列基板100通过在每个子像素40的次区42增加设置与次区像素电极421电性连接且与次区公共电极422相互绝缘的补偿电极423,且该补偿电极423在底板10上的投影面积与次区像素电极421在底板10上的投影面积互不重叠,这样,次区公共电极422可以与次区像素电极421产生能够作用于液晶分子的水平电场,从而可以补偿次区像素电极421与次区公共电极422之间的存储电容,进而可以避免由于次区像素电极421与次区公共电极422之间的存储电容较小而影响显示面板1000的显示亮度以及使显示面板1000出现闪烁、串扰以及残影等问题。
具体的,由于电容耦合效应(Feedthrough效应)产生电压:
Figure BDA0001787626480000061
(Vft影响像素电极的充电效果,其值越小越好),其中,Cgs为扫描线20与薄膜晶体管的源极产生的电容,Clc为液晶电容,Cpd为像素电极与数据线之间产生的电容,Vgh和Vgl分别是扫描线20的扫描信号的最高和最低电压;从公式1可以看出,Cgs越大电容耦合效应的电压也越大,不利于给对应的像素电极充电。
本实施例中,所述阵列基板100还包括间隔设于所述扫描线20上的第一薄膜晶体管431、第二薄膜晶体管432和第三薄膜晶体管433,所述第一薄膜晶体管431、第二薄膜晶体管432和第三薄膜晶体管433的栅极与所述扫描线20电连接,所述第一薄膜晶体管431、第二薄膜晶体管432和第三薄膜晶体管433的源极与所述数据线30电连接,所述第一薄膜晶体管431的漏极与所述主区像素电极411电连接,所述第二薄膜晶体管432和第三薄膜晶体管433的漏极与所述补偿电极423电连接。
次区像素电极421具有两个漏极分别为第二薄膜晶体管432和第三薄膜晶体管433的漏极,而主区像素电极411只有一个漏极即第一薄膜晶体管431的漏极,所以次区像素电极421的Cgs电压约是主区像素电极411的两倍,所以次区像素电极421的Vft电压是主区像素电极411的两倍。由公式1知,加大分母中Cst的数值可以减小Vft电压,使得主区像素电极411和次区像素电极421的Vft电压尽可能接近,降低主区像素电极411和次区像素电极421之间的最佳公共电压(即best Vcom)之间的差异,减少闪烁,提高显示面板1000的整体显示效果,所以增加了补偿电极423以此来补偿电容的结构,增大次区像素电极421的Cst,降低其Vft电压。
由于补偿电极423与次区像素电极421的信号相同,会严重影响次区像素电极421的液晶配向,为了解决这一问题,故将补偿电极423在底板10上的投影面积不大于与次区公共电极422在底板10上的投影面积,次区公共电极422在底板10上的投影面积至少部分与次区像素电极421在底板10上的投影面积重叠,补偿电极423在底板10上的投影面积与次区像素电极421在底板10上的投影面积互不重叠,从而实现用次区公共电极422的信号隔开补偿电极423与次区像素电极421信号的目的,可以保证液晶正确配向。
次区像素电极421和主区像素电极411可以是半透明电极或反射电极。当次区像素电极421和主区像素电极411是半透明电极时,次区像素电极421和主区像素电极411可包括透明导电层。透明导电层可包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。除了透明导电层之外,次区像素电极421和主区像素电极411可包括用于提高发光效率的半透反射层。半透反射层可以是薄层(例如几纳米至几十纳米厚),并且可包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca和Yb中的至少一种。补偿电极423可以是与次区像素电极421采用相同的材料,或者不同的材料,在此不做限制。
本发明阵列基板100通过将次区公共电极422、补偿电极423和次区像素电极421依次层叠设于底板10,补偿电极423与次区公共电极422之间绝缘设置,且与次区像素电极421通过过孔电连接,补偿电极423在底板10上的投影面积不大于与次区公共电极422在底板10上的投影面积,次区公共电极422在底板10上的投影面积至少部分与次区像素电极421在底板10上的投影面积重叠,补偿电极423在底板10上的投影面积与次区像素电极421在底板10上的投影面积互不重叠,使得补偿电极423不会对次区公共电极422产生屏蔽作用,进而不会影响液晶偏转,从而提高液晶配向。
参照图1,所述次区公共电极422包括与所述数据线30平行设置的第一公共电极422a和与所述扫描线20平行设置的第二公共电极422b,所述第一公共电极422a与所述第二公共电极422b电连接,所述补偿电极423设于所述第二公共电极422b,且所述补偿电极423在所述底板10上的投影面积不大于所述第二公共电极422b在所述底板10上的投影面积。
本实施例中,在每个子像素40的次区42的区域内,次区像素电极421位于透光区域内的部分与补偿电极423和次区公共电极422互不重叠,其中,遮光区域为设置在阵列基板100上的黑矩阵所对应遮盖的区域,主要包括金属走线及元器件等不够让光透过的区域,而透光区域为除遮光区域外的其他区域,透光区域为显示面板的有效显示区域。次区公共电极422包括与数据线30平行设置的第一公共电极422a和与扫描线20平行设置的第二公共电极422b,第一公共电极422a和第二公共电极422b与次区像素电极421共同形成存储电容,第二公共电极422b设于次区像素电极421的下端边缘,其面积相对大于第一公共电极422a的面积。补偿电极423设于第二公共电极422b,且两者电绝缘设置,补偿电极423在底板10上的投影面积不大于第二公共电极422b在底板10上的投影面积,以减小主区和次区之间的电容耦合效应。
进一步的,当所述补偿电极423沿着所述数据线30的延伸方向的宽度减小时,
所述第一公共电极422a沿着所述扫描线20的延伸方向的宽度增大;
或,所述第二公共电极422b沿着所述数据线30的延伸方向的宽度增大,以平衡所述主区41和所述次区42的公共电压。
本实施例中,在改善前,由于补偿电极423与次区像素电极421在底板10上有重叠面积存在时,补偿电极423会屏蔽来自次区公共电极422的电场,影响液晶偏转,故本方案减少补偿电极423的面积,露出次区公共电极422的电极信号,使液晶分子正常偏转;同时将减少的Cst,通过加大次区公共电极422与次区像素电极421之间的重叠面积进行弥补。
具体的,由于补偿电极423在底板10上的投影面积不大于第二公共电极422b在底板10上的投影面积,使得次区像素电极421的存储电容减少,为了进一步降低Vft电压,平衡主区41和次区42之间的公共电压,还需要增加次区像素电极421与次区公共电极422之间的重叠面积。在这里有两种实施方式,第一种,将第一公共电极422a沿着扫描线20的延伸方向的宽度增大,即增大了次区像素电极421的遮光区域与第一公共电极422a之间的重叠面积;第二种,将第二公共电极422b沿着所述数据线30的延伸方向的宽度增大,即增大了次区像素电极421的遮光区域与第二公共电极422b之间的重叠面积,以此来弥补减少的次区像素电极421的存储电容。本实施例中优选采用第一种方式,实施起来更容易。
进一步的,定义所述补偿电极423与所述次区公共电极422之间的重叠面积的改变量为△S1,所述补偿电极与423所述次区公共电极422之间的垂直距离为D1,所述次区像素电极421与所述次区公共电极422之间的重叠面积的改变量为△S2,所述次区像素电极421与所述次区公共电极422之间的垂直距离为D2,△S1/D1=△S2/D2。
本实施例中,在减小补偿电极423与次区公共电极422之间的重叠面积前,补偿电极423与次区公共电极422之间的电容为:
Figure BDA0001787626480000091
S1为补偿电极423与次区公共电极422之间的重叠面积,D1为补偿电极423与次区公共电极422之间的垂直距离,ε0为真空介电常数,εr为补偿电极423与次区公共电极422之间介质相对介电常数,补偿电极423的面积减小后,补偿电极423与次区公共电极422之间的电容为:
Figure BDA0001787626480000092
S1'为补偿电极423面积减小后补偿电极423与次区公共电极422之间的重叠面积,电容的该改变量为ΔC1=C1-C1',补偿电极423与次区公共电极422之间的重叠面积的改变量为ΔS1=S1-S1'。
在减小补偿电极423与次区公共电极422之间的重叠面积前,次区像素电极421与次区公共电极422之间的电容为:
Figure BDA0001787626480000093
S2为次区像素电极421与次区公共电极422之间的重叠面积,D2为次区像素电极421与次区公共电极422之间的垂直距离,ε0为真空介电常数,εr'为次区像素电极421与次区公共电极422之间介质相对介电常数,由于补偿电极423与次区公共电极422和次区像素电极421与次区公共电极422之间绝缘设置时的绝缘材料相同,故εr和εr'大致相等;补偿电极423的面积减小,增大次区公共电极422与次区像素电极421之间的重叠面积后,次区像素电极421与次区公共电极422之间的电容为:
Figure BDA0001787626480000094
S2'为次区公共电极422面积加宽后次区像素电极421与次区公共电极422之间的重叠面积,电容的该改变量为ΔC2=C2-C2',次区像素电极421与次区公共电极422之间的重叠面积的改变量为ΔS2=S2-S2'。由于ΔC1=ΔC2,故△S1/D1=△S2/D2。
进一步的,所述补偿电极423和所述次区像素电极421的电压相同,所述次区公共电极422和所述主区公共电极412电压相同,所述主区像素电极411的电压大于所述次区像素电极421的电压。
本实施例中,补偿电极423和次区像素电极421的电压相同,次区公共电极422和主区公共电极412电压相同,主区像素电极411的电压大于次区像素电极421的电压,主区41的电压主要为主区像素电极411产生的电压,次区42的电压主要为补偿电极423和次区像素电极421产生的电压,将主区41和次区42之间电压设置为不同,以实现大视角。
参照图2和图3,所述阵列基板100还包括设于所述次区公共电极422和所述补偿电极423之间的第一绝缘层50。
本实施例中,阵列基板100还包括设于次区公共电极422和补偿电极423之间的第一绝缘层50,第一绝缘层50用于对次区公共电极422和补偿电极423进行电绝缘,该第一绝缘层60为栅极绝缘层。
参照图2和图3,所述阵列基板100还包括设于所述补偿电极423和所述次区像素电极421之间的第二绝缘层60,所述第一绝缘层50与所述第二绝缘层60层叠设置。
本实施例中,阵列基板100还包括设于补偿电极423和次区像素电极421之间的第二绝缘层60,第一绝缘层50与第二绝缘层60层叠设置,第二绝缘层60用于对补偿电极423和次区像素电极421进行绝缘设置,且补偿电极423和次区像素电极421之间通过过孔电连接,第二绝缘层70为聚氯乙烯绝缘层,其具有抗日照和低温挠性、较厚的绝缘层和耐燃级别。
本发明还提出一种显示面板1000,该显示面板1000包括阵列基板100,该阵列基板100的具体结构参照上述实施例,由于本显示面板1000采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
其中,一种显示面板1000,包括阵列基板100、与所述阵列基板100相对设置的彩膜基板200、和位于所述阵列基板100和所述彩膜基板200之间的液晶层300。液晶层300可以采用正性液晶,例如MJ121791,液晶层300还可以采用负性液晶,例如MJ131496。
本发明还提出一种显示装置,该显示装置包括显示面板1000,该显示面板1000的具体结构参照上述实施例,由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案,因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果,在此不再一一赘述。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的发明构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
底板,形成于所述底板上的多条扫描线和多条数据线,所述多条扫描线和多条数据线绝缘交叉限定多个子像素;
每一所述子像素包括主区和次区,所述扫描线设于所述主区和所述次区之间,所述主区包括主区像素电极和主区公共电极,所述次区包括次区像素电极、次区公共电极和补偿电极,所述次区公共电极跨过扫描线与所述主区公共电极电连接,所述次区公共电极包括与所述数据线平行设置的第一公共电极和与所述扫描线平行设置的第二公共电极,所述第一公共电极与所述第二公共电极电连接,所述补偿电极设于所述第二公共电极,且所述补偿电极在所述底板上的投影面积不大于所述第二公共电极在所述底板上的投影面积;
所述次区公共电极、所述补偿电极和所述次区像素电极依次层叠设于所述底板,所述补偿电极与所述次区公共电极绝缘设置,且与所述次区像素电极通过过孔电连接,所述补偿电极在所述底板上的投影面积不大于与所述次区公共电极在所述底板上的投影面积,所述次区公共电极在所述底板上的投影面积至少部分与所述次区像素电极在所述底板上的投影面积重叠,所述补偿电极在所述底板上的投影面积与所述次区像素电极在所述底板上的投影面积互不重叠;
当所述补偿电极沿着所述数据线的延伸方向的宽度减小时,
所述第一公共电极沿着所述扫描线的延伸方向的宽度增大;或,所述第二公共电极沿着所述数据线的延伸方向的宽度增大,以平衡所述主区和所述次区的公共电压。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,定义所述补偿电极与所述次区公共电极之间的重叠面积的改变量为△S1,所述补偿电极与所述次区公共电极之间的垂直距离为D1,所述次区像素电极与所述次区公共电极之间的重叠面积的改变量为△S2,所述次区像素电极与所述次区公共电极之间的垂直距离为D2,△S1/D1=△S2/D2。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述补偿电极和所述次区像素电极的电压相同,所述次区公共电极和所述主区公共电极电压相同,所述主区像素电极的电压大于所述次区像素电极的电压。
4.如权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括间隔设于所述扫描线上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的栅极与所述扫描线电连接,所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区像素电极电连接,所述第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的漏极与所述补偿电极电连接。
5.如权利要求1-3中任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设于所述次区公共电极和所述补偿电极之间的第一绝缘层。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括设于所述补偿电极和所述次区像素电极之间的第二绝缘层,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层层叠设置。
7.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板、和位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板为权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求7所述的显示面板。
CN201811028670.9A 2018-09-03 2018-09-03 阵列基板、显示面板及显示装置 Active CN109061959B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811028670.9A CN109061959B (zh) 2018-09-03 2018-09-03 阵列基板、显示面板及显示装置
PCT/CN2018/111826 WO2020047965A1 (zh) 2018-09-03 2018-10-25 阵列基板、显示面板及显示装置
US16/241,941 US11042069B2 (en) 2018-09-03 2019-01-07 Array substrate, display panel, and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811028670.9A CN109061959B (zh) 2018-09-03 2018-09-03 阵列基板、显示面板及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109061959A CN109061959A (zh) 2018-12-21
CN109061959B true CN109061959B (zh) 2020-10-30

Family

ID=64758558

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811028670.9A Active CN109061959B (zh) 2018-09-03 2018-09-03 阵列基板、显示面板及显示装置

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN109061959B (zh)
WO (1) WO2020047965A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109659327B (zh) * 2019-02-27 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101604087A (zh) * 2004-09-30 2009-12-16 卡西欧计算机株式会社 垂直取向型有源矩阵液晶显示元件
JP2007025487A (ja) * 2005-07-20 2007-02-01 Victor Co Of Japan Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP4855855B2 (ja) * 2006-07-12 2012-01-18 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
JP5530987B2 (ja) * 2011-08-09 2014-06-25 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR101905757B1 (ko) * 2011-11-17 2018-10-10 엘지디스플레이 주식회사 에프에프에스 방식 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법
CN103543563B (zh) * 2013-10-23 2016-01-20 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种高开口光配向像素结构
TWI564639B (zh) * 2014-11-19 2017-01-01 友達光電股份有限公司 畫素結構
CN204595398U (zh) * 2015-05-26 2015-08-26 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及显示装置
TWI605283B (zh) * 2015-12-28 2017-11-11 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN106773394B (zh) * 2016-10-14 2024-04-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN106647055B (zh) * 2016-11-30 2019-10-01 上海中航光电子有限公司 显示面板及显示装置
CN206258650U (zh) * 2016-12-02 2017-06-16 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示面板及显示装置
CN107179636B (zh) * 2017-05-26 2020-09-04 厦门天马微电子有限公司 一种显示面板及显示装置
CN107608104B (zh) * 2017-11-03 2020-09-11 惠科股份有限公司 显示面板及其应用的显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020047965A1 (zh) 2020-03-12
CN109061959A (zh) 2018-12-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5391435B2 (ja) 液晶表示装置
JP4969109B2 (ja) 液晶表示装置
KR101348754B1 (ko) 액정 표시 장치
CN108020968B (zh) 液晶显示器
US8194199B2 (en) Liquid crystal display device having a ratio of liquid crystal capacitances equal to a ratio of parasitic capacitances
KR20070057388A (ko) 액정 표시 장치
KR20070051045A (ko) 액정 표시 장치
CN109061959B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
KR101315381B1 (ko) 액정 표시 장치
US11042069B2 (en) Array substrate, display panel, and display device
KR20070063172A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20070059558A (ko) 액정 표시 장치
KR101769585B1 (ko) 액정표시패널
CN111221188B (zh) 一种显示面板
US11621280B2 (en) Display device
KR101348376B1 (ko) 액정 표시 장치
KR20080044434A (ko) 액정 표시 장치
KR20080051852A (ko) 액정 표시 장치
KR20080024697A (ko) 액정 표시 장치
US8619223B2 (en) Thin film transistor substrate and LCD panel
KR20130114047A (ko) 액정 표시 장치
KR20060082318A (ko) 액정 표시 장치
KR20100038886A (ko) 액정 표시 장치
KR20100008565A (ko) 액정 표시 장치
KR20070103832A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant