CN108962946B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
显示面板及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108962946B CN108962946B CN201810701540.0A CN201810701540A CN108962946B CN 108962946 B CN108962946 B CN 108962946B CN 201810701540 A CN201810701540 A CN 201810701540A CN 108962946 B CN108962946 B CN 108962946B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- display panel
- barrier layer
- etching
- inorganic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 246
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 74
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 56
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 56
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 56
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010943 off-gassing Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- -1 alkalis Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示面板，包括显示区域及弯折区域。所述显示面板包含一柔性基板；一蚀刻阻挡层，设于所述柔性基板上；一无机材料功能层，设于所述蚀刻阻挡层上，所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域；一平坦层，设于所述无机材料功能层上；及阳极及像素定义层，依序形成于所述平坦层上。所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层上的沟槽，其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层，所述沟槽内填充有聚合物材料，所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。
Description
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种柔性显示面板及其制造方法。
【背景技术】
目前市场上小尺寸手机显示屏的主流方向是全面屏显示，不断推出屏占比高的产品，对于全面屏产品的开发和产品品质要求不断提高。在全面屏开发中，柔性显示凭借其可弯折的特性具有更多优势。
如图1所示，目前为了提高柔性显示屏的屏占比，普遍采用衬底弯折(padbending)技术将屏幕91直接弯折而形成弯折部92。所述弯折部92弯折到屏幕91的背后，用以减小下边缘(border)长度，从而增大屏占比。在pad bending制程中会涉及到无机膜层的大深度蚀刻，蚀刻深度的均匀性(uniformity)的制程控制较为困难。在蚀刻过程中，很容易会蚀刻到聚亚酰胺(Polyimide,PI)基板表面，造成聚亚酰胺质量损失(PI loss)以及聚亚酰胺溢气(PI outgassing)等情况，会减短设备預防性维护(Preventive Maintenance,PM)间隔时间，产能大大受到限制。同时outgassing会造成薄膜晶体管(TFT)特性不稳定，影响到产品良率。若是蚀刻量不足，则模组弯折效果不佳，易于弯折时造成无机层的金属剥离(metal peeling)的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板，其适用于柔性显示器，以解决现有技术在蚀刻过程中，尤其在衬底弯折(pad bending)制程中，很容易会蚀刻到聚亚酰胺(Polyimide,PI)基板表面，造成聚亚酰胺质量损失以及聚亚酰胺溢气情况，进而影响到产品良率及减短产品使用寿命的问题。
为实现上述目的，本发明提供一显示面板，包括显示区域及弯折区域，其特征在于所述显示面板包含：
一柔性基板；
一蚀刻阻挡层，设于所述柔性基板上；
一无机材料功能层，设于所述蚀刻阻挡层上，所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区；
一平坦层，设于所述无机材料功能层上；及
阳极及像素定义层，依序形成于所述平坦层上；
其中所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层上的沟槽，其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层，所述沟槽内填充有聚合物材料，所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。
在一优选实施例中，所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝，且所述柔性基板包括一基板及一设于所述基板上的第一聚酰亚胺层。
在一优选实施例中，所述无机材料功能层包括第一屏障层，设于所述蚀刻阻挡层上；一缓冲层，其设于所述第一屏障层上；及一结构膜层，设于所述无机材料缓冲层上。
在一优选实施例中，所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层，且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一及第二屏障层之间。
在一优选实施例中，所述第一屏障层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
在一优选实施例中，所述缓冲层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
在一优选实施例中，所述结构膜层包括有多晶硅层、栅极层及介电层。
在一优选实施例中，所述蚀刻阻挡层和所述柔性基板之间更沉积一层氮化硅层或氧化硅层。
本发明另外提供一种制造显示面板的方法，所述显示面板包括显示区域及弯折区域，其特征在于所述方法包含：
提供一柔性基板；
在所述柔性基板上镀上一蚀刻阻挡层；
在所述蚀刻阻挡层上形成一无机材料功能层，所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区；
在所述无机材料功能层上形成一平坦层，阳极及像素定义层；及
在所述弯折区域形成位在所述蚀刻阻挡层上的沟槽，其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层，并于沟槽内填充有聚合物材料，所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。
在一优选实施例中，所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝，且所述柔性基板包括一基板及一设于所述基板上的第一聚酰亚胺层。
在一优选实施例中，所述无机材料功能层包括第一屏障层，设于所述蚀刻阻挡层上；一缓冲层，设于所述第一屏障层上，及一结构膜层，设于所述缓冲层上。
在一优选实施例中，所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层，且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一及第二屏障层之间。
在一优选实施例中，所述结构膜层包括有多晶硅层、栅极层及介电层。
相较于现有技术，本发明通过三氧化二铝的蚀刻阻挡层加入于聚酰亚胺基板上，由于三氧化二铝相较于一般如氮化硅及氧化硅的无机膜层的蚀刻选择比较高，因此在蚀刻弯折区域沟槽时，无须当心会蚀刻到聚酰亚胺层，而造成酰胺质量损失(PIloss)以及聚亚酰胺溢气(PI outgassing)的状况，并可改善弯折区域蚀刻深度的均匀性，进而可大幅提高产品良率及产能提升，有效改善传统蚀刻造成PI膜层损失，减段产品寿命的问题。
【附图说明】
图1为根据现有技术关于手机的全面屏的弯折侧向示意图；
图2为根据本发明的一较佳实施例的显示面板的部分结构示意图；
图3为根据本发明的另一较佳实施例的显示面板的部分结构示意图；
图4为本发明的显示面板对应于有效显示区域的部分剖面示意图；
图5为本发明显示面板的另一部分剖面示意图；
图6为本发明显示面板的另一部分剖面示意图；
图7为所述弯折区域形成沟槽及所述沟槽填充聚合物材料的示意图；
图8为本发明显示面板的剖面示意图；
图9为根据本发明显示面板所制造的全面屏显示面板的展开示意图；
图10为本发明制造显示面板的方法的流程图；
图11为根据本发明另一较佳实施例的显示面板对应于有效显示区域的剖面示意图；
图12为图11的显示面板对应于弯折区域的剖面示意图。
【具体实施方式】
以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。
本发明的显示面板为有机发光二极管显示面板。所述显示面板为实现全面屏，通过衬垫弯折(pad bending)技术，将基板的边缘部分直接弯折到屏幕背后，并形成弯折区域，用以减小下边缘长度，从而增大有效显示区域的屏占比，尤其对于小尺寸手机显示屏更可凸显增大有效显示区域的效果。
请参照图2为本发明显示面板的一较佳实施例的部分结构示意图，亦可作为制作流程的说明。如图2所示，所述显示面板1包括一柔性基板10，其包括一基板11及第一聚酰亚胺(PI)层12设在所述基板11上，其中所述第一聚酰亚胺层12的厚度为5～10微米(um)。一蚀刻阻挡层13设于所述柔性基板10上，所述蚀刻阻挡层13包含3～20奈米(nm)的三氧化二铝(Al2O3)。请参阅图3为所述包含三氧化二铝(Al2O3)的柔性基板10的另一具体实施，其中所述第一聚酰亚胺层12上先沉积一层1～10奈米(nm)厚度的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)层111，再沉积所述三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层13，用以提升所述蚀刻阻挡层13的阻挡效果。
请参阅图4为本发明显示面板对应于有效显示区域的局部剖面示意。如图4所示，所述三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层13上设有一无机材料功能层，所述柔性基板10、蚀刻阻挡层13及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域。所述无机材料功能层包括第一屏障层14(barrier layer)，设于所述蚀刻阻挡层13上；一缓冲层15(buffer layer)，设于所述第一屏障层14上；及一结构膜层，设于所述无机材料功能层上。所述第一屏障层14的厚度为3000～6000埃
其包含氧化硅(SiOx)。或于另一实施例中，所述第一屏障层14包含氮化硅(SiNx)及氧化硅(SiOx)的复合层。所述缓冲层15包含氧化硅(SiOx)。
所述缓冲层15上并以准分子激光退火(Excimer-Laser Annealing,ELA)结晶形成多晶硅有源层，并进行曝光、烘干及剥离等工艺完成图形化。图5为本发明显示面板的弯折区域的部份结构剖面示意图。
具体地，所述缓冲层15包含厚度为3000～6000埃的氧化硅(SiOx)。或于另一实施例中，所述缓冲层15包含厚度500～800埃的氮化硅(SiNx)及3000～6000埃的氧化硅(SiOx)的复合层。所述缓冲层15的设置用以作为柔性基板10的缓冲保护层，而所述第一屏障层14的设置可加强柔性基板10的保护，亦可进一步避免水气渗入述柔性基板10的表面。
请参阅图6为本发明显示面板的部分剖面示意图。如图6及图8所示，所述无机材料功能层的缓冲层15上设有所述结构膜层。所述结构膜层包括多晶硅层18、栅极层16及介电层17，其中栅极层16及介电层17分别为二层结构，且靠近缓冲层15的栅极层16以厚度900～1500埃氧化硅(SiOx)沉积，另一栅极层16以厚度1000～1300埃氮化硅(SiNx)沉积，并完成图案化。所述介电层17是以氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)沉积。
请参阅图8为本发明的显示面板对应于有效显示区域的剖面示意。本发明显示面板于缓冲层15上形成有多晶硅层18，且于介电层17上完成信号线图形化，通过过孔桥接使有效显示区域的信号线接入弯折区域的第一扇出区域31及第二扇出区域32。所述结构膜层上并进一步形成有平坦层19、阳极、像素定义层191及隔离柱的设置，以完成显示面板对应于显示区域的结构。
图7为所述弯折区域形成沟槽及所述沟槽填充聚合物材料的示意图。特别说明的是，本发明的弯折区域处包括设在所述蚀刻阻挡层13上的沟槽21，其通过蚀刻工艺穿透所述无机材料功能层，且所述沟槽21内填充聚合物材料22，用以提高所述弯折区域的耐弯折性。具体而言，所述沟槽21穿透所述结构膜层的个层结构，及无机材料功能层的缓冲层15及第一屏障层14。蚀刻过程中由于所述三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层13沉积于所述柔性基板10上，且三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层13具有比较高的蚀刻选择，可以有效保护所述柔性基板10不受蚀刻损坏。
图9为根据本发明显示面板所制造的全面屏显示面板的展开示意图。如图9所示，所述有效显示区域的侧缘为弯折区域3，弯折区域3的相对二侧分别为第一扇出区域31第二扇出区域32。如前所述，通过信号线连接所述弯折区域的第一扇出区域31及第二扇出区域32和所述有效显示区域。
本发明通过三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层13加入于柔性基板10上，由于三氧化二铝(Al2O3)相较于一般如氮化硅及氧化硅的无机膜层的蚀刻选择比较高，三氧化二铝(Al2O3)具有强力的键结，其在氧化物当中有最高硬度，且化学稳定性高，对大部分酸性、碱性、盐类及熔融溶液有优秀的耐腐蚀性，因此在蚀刻弯折区域沟槽时，无须当心会蚀刻到第一聚酰亚胺层12，而造成酰胺质量损失(PI loss)以及聚亚酰胺溢气(PI outgassing)的状况，并可改善弯折区域蚀刻深度的均匀性，进而可大幅提高产品良率及产能提升，有效改善传统蚀刻造成PI膜层损失，减段产品寿命的问题。
如图10所示，本发明另外提供一种制造显示面板的方法，所述显示面板包括显示区域及弯折区域，其特征在于所述方法包含：步骤S1:提供一柔性基板，其包括一基板及第一聚酰亚胺层。
步骤S2:在所述柔性基板上以沉积设备镀上一层三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层，所述沉积设备可为物理气相沉积以靶材氧化镀射，或可使用原子层沉积设备薄膜蒸镀；于另一实施例中，所述蚀刻阻挡层和柔性基板之间更沉积一层氮化硅层或氧化硅层。
步骤S3:在所述蚀刻阻挡层上形成一无机材料功能层，所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区，其中所述无机材料功能层包括第一屏障层，设于所述蚀刻阻挡层上；一缓冲层，设于所述第一屏障层上，所述缓冲层包含氧化硅；及一结构膜层，设于所述缓冲层上。
特别说明的是，于另一实施例中，所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间更包括有第二聚酰亚胺(PI)层及第二屏障层，且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一及第二屏障层之间，进而形成二层PI层。
步骤S4:在所述缓冲层上形成一平坦层，阳极及像素定义层。
步骤S5:在所述弯折区域形成位在所述蚀刻阻挡层上的沟槽，其通过蚀刻穿透无机材料功能层，并于沟槽内填充有聚合物材料，所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。依据本发明制造显示面板的方法所制造的显示面板的其他结构，已说明于先前段落，于此不再复述。
图11为根据本发明另一较佳实施例的显示面板对应于有效显示区域的剖面示意图，图12为图11的显示面板对应于弯折区域的剖面示意图。图11及图12所示的实施例与前述实施例的主要区别在于，图11及图12的显示面板增加一层第二聚酰亚胺层，其他构造皆与前述实施例的显示面板相同。此外，图11及图12的实施例的显示面板的制造方法，除了增加所述第二聚酰亚胺层外，其他方法皆与制造前述实施例的显示面板的方法相同。
具体地，图11所示实施例的显示面板1包含一柔性基板10；一蚀刻阻挡层13，设于所述柔性基板10上；一无机材料功能层，设于所述蚀刻阻挡层13上，所述柔性基板10、蚀刻阻挡层13及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域；一平坦层19，设于所述无机材料功能层上；及阳极及像素定义层191，依序形成于所述平坦层19上。
于此实施例中，所述无机材料功能层包括第一屏障层14，设于所述蚀刻阻挡层13上；第二聚酰亚胺(PI)层121设于所述第一屏障层14上。在所述第二聚酰亚胺(PI)层121上设有第二屏障层141，并在所述第二屏障层141上设有所述缓冲层15，其中所述第二屏障层141的材料相同于所述第一屏障层14。换言之，所述第二聚酰亚胺层121设于所述第一屏障层14及第二屏障层141之间，进而形成二层PI层12及121。此外，包括多晶硅阵层18、栅极层16及介电层17的结构膜层设于所述缓冲层15上。
具体地，在所述柔性基板10上沉积有3～20奈米(nm)的三氧化二铝(Al2O3)的蚀刻阻挡层13，并于所述蚀刻阻挡层13上设有一厚度3000～6000埃
的第一屏障层14，再于所述第一屏障层14沉积第二聚酰亚胺层121，其厚度为5～10微米(um)，而第二聚酰亚胺层121上依序沉积有第二屏障层141及缓冲层15。通过增加第二聚酰亚胺层121，使显示面板具有相互间隔设置的第一及第二聚酰亚胺层12及121，用以提升显示面板的韧性及强度，且耐温性更加。
如图12所示，于此实施例中，所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层13上的沟槽，其形成方式相同于前述实施例，亦即通过蚀刻工艺穿透无机材料功能层。所述沟槽内填充有聚合物材料22，用以提高所述弯折区域3的耐弯折性，且所述弯折区域及显示区域通过信号线连接。具体而言，所述弯折区域3通过过孔桥接使有效显示区域的信号线接入，并连接所述弯折区域3的第一扇出区域31及第二扇出区域32。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种显示面板，包括显示区域及弯折区域，其特征在于，所述显示面板包含：
一柔性基板；
一蚀刻阻挡层，设于所述柔性基板上；
一无机材料功能层，设于所述蚀刻阻挡层上，所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域；
一平坦层，设于所述无机材料功能层上；及
阳极及像素定义层，依序形成于所述平坦层上；
其中所述弯折区域包括设在所述蚀刻阻挡层上的沟槽，其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层，所述沟槽内填充有聚合物材料，所述弯折区域及显示区域通过信号线连接，其中所述柔性基板包括基板及设于所述基板上的第一聚酰亚胺层，且所述蚀刻阻挡层位于所述第一聚酰亚胺层及所述沟槽之间。
2.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝。
3.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述无机材料功能层包括第一屏障层，设于所述蚀刻阻挡层上；一缓冲层，其设于所述第一屏障层上；及一结构膜层，设于所述缓冲层上。
4.如权利要求3的显示面板，其特征在于，所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层，且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一屏障层和第二屏障层之间。
5.如权利要求3的显示面板，其特征在于，所述第一屏障层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
6.如权利要求3的显示面板，其特征在于，所述缓冲层是以氧化硅或氮化硅及氧化硅沉积而成。
7.如权利要求3的显示面板，其特征在于，所述结构膜层包括多晶硅层、栅极层及介电层。
8.如权利要求1的显示面板，其特征在于，所述蚀刻阻挡层和所述柔性基板之间更沉积一层氮化硅层或氧化硅层。
9.一种制造显示面板的方法，所述显示面板包括显示区域及弯折区域，其特征在于所述方法包含：
提供一柔性基板；
在所述柔性基板上镀上一蚀刻阻挡层；
在所述蚀刻阻挡层上形成一无机材料功能层，所述柔性基板、蚀刻阻挡层及无机材料功能层包含所述显示区域及弯折区域；
在所述无机材料功能层上形成一平坦层，阳极及像素定义层；及
在所述弯折区域形成位在所述蚀刻阻挡层上的沟槽，其通过蚀刻穿透所述无机材料功能层，并于沟槽内填充有聚合物材料，所述弯折区域及显示区域通过信号线连接，其中所述柔性基板包括基板及设于所述基板上的第一聚酰亚胺层，且所述蚀刻阻挡层位于所述第一聚酰亚胺层及所述沟槽之间。
10.如权利要求9的制造显示面板的方法，其特征在于，所述蚀刻阻挡层包含三氧化二铝。
11.如权利要求9的制造显示面板的方法，其特征在于，所述无机材料功能层包括第一屏障层，设于所述蚀刻阻挡层上；一缓冲层，设于所述第一屏障层上，及一结构膜层，设于所述缓冲层上。
12.如权利要求11的制造显示面板的方法，其特征在于，所述无机材料功能层的缓冲层及第一屏障层之间还包括有第二聚酰亚胺层及第二屏障层，且所述第二聚酰亚胺层设于所述第一及第二屏障层之间。
13.如权利要求11的制造显示面板的方法，其特征在于，所述结构膜层包括有多晶硅层、栅极层及介电层。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810701540.0A CN108962946B (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 显示面板及其制造方法 |
| PCT/CN2018/101860 WO2020000609A1 (zh) | 2018-06-29 | 2018-08-23 | 显示面板及其制造方法 |
| US16/090,905 US20200006680A1 (en) | 2018-06-29 | 2018-08-23 | Display Panel and Manufacturing Method Thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810701540.0A CN108962946B (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 显示面板及其制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108962946A CN108962946A (zh) | 2018-12-07 |
| CN108962946B true CN108962946B (zh) | 2020-06-16 |
Family
ID=64484162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810701540.0A Active CN108962946B (zh) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 显示面板及其制造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20200006680A1 (zh) |
| CN (1) | CN108962946B (zh) |
| WO (1) | WO2020000609A1 (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109638021B (zh) * | 2018-12-11 | 2020-09-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 柔性tft基板的制作方法及柔性oled面板的制作方法 |
| CN109671752B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的扇出走线结构及显示面板 |
| CN109659320B (zh) * | 2018-12-14 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及具有该阵列基板的显示装置 |
| CN109659345B (zh) * | 2018-12-19 | 2021-02-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板 |
| CN109904198B (zh) * | 2019-02-22 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种器件及制作方法、显示面板及制作方法和显示装置 |
| CN109887416B (zh) * | 2019-03-15 | 2021-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制造方法、显示装置 |
| CN109979947B (zh) * | 2019-04-17 | 2021-03-16 | 昆山国显光电有限公司 | 显示装置及显示装置的制备方法 |
| CN110097828A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-08-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示面板 |
| CN110299385B (zh) * | 2019-06-17 | 2021-09-28 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示装置及其显示面板、显示面板的制作方法 |
| CN110600493A (zh) | 2019-08-13 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| CN110707120B (zh) * | 2019-10-30 | 2021-05-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、制造方法以及拼接显示面板 |
| CN111627973B (zh) * | 2020-06-09 | 2022-12-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN111725279B (zh) * | 2020-06-11 | 2022-10-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及oled显示面板 |
| CN112259555A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| WO2023007582A1 (ja) * | 2021-07-27 | 2023-02-02 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101446226B1 (ko) * | 2006-11-27 | 2014-10-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CN100529887C (zh) * | 2006-11-28 | 2009-08-19 | 李东明 | 液晶显示背光源led凹型槽背光源条型灯的生产方法 |
| JP2009160841A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Seiko Epson Corp | 液体噴射ヘッドの製造方法及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置 |
| CN104051652B (zh) * | 2014-06-19 | 2016-08-24 | 上海和辉光电有限公司 | 一种柔性薄膜晶体管 |
| CN104867942B (zh) * | 2015-04-29 | 2018-03-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Tft基板的制作方法及其结构 |
| KR102592992B1 (ko) * | 2016-07-30 | 2023-10-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그 제조방법 |
| CN106783872A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 友达光电（昆山）有限公司 | 一种柔性显示面板 |
| CN107424957B (zh) * | 2017-06-16 | 2020-01-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性tft基板的制作方法 |
| CN107706224B (zh) * | 2017-09-30 | 2020-09-04 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN107910335A (zh) * | 2017-11-08 | 2018-04-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置 |
| CN107994055B (zh) * | 2017-11-10 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 可弯折显示面板及其制作方法 |
| CN108008583B (zh) * | 2017-12-04 | 2020-10-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器件及其制备方法 |
-
2018
- 2018-06-29 CN CN201810701540.0A patent/CN108962946B/zh active Active
- 2018-08-23 WO PCT/CN2018/101860 patent/WO2020000609A1/zh active Application Filing
- 2018-08-23 US US16/090,905 patent/US20200006680A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200006680A1 (en) | 2020-01-02 |
| WO2020000609A1 (zh) | 2020-01-02 |
| CN108962946A (zh) | 2018-12-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN108962946B (zh) | 显示面板及其制造方法 | |
| CN109671761B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN110164916A (zh) | 显示面板、显示设备及制造显示面板的方法 | |
| CN106684243B (zh) | 一种柔性显示面板及显示装置 | |
| JP2022511198A (ja) | 表示パネル、表示装置及びその製造方法 | |
| CN109065616B (zh) | 柔性显示面板及制造方法 | |
| US20150194618A1 (en) | Flexible organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
| US10249652B2 (en) | Manufacturing method of flexible TFT substrate | |
| CN110379823A (zh) | 一种阵列基板及oled显示面板 | |
| WO2015096375A1 (zh) | 双面显示的oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| US11917889B2 (en) | Flexible display panel with hollow structure | |
| US20070031642A1 (en) | Adhesive tape for a flexible display device and method of manufacturing a flexible display device using the same | |
| WO2022088365A1 (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| WO2021217840A1 (zh) | 显示面板及显示面板的制作方法 | |
| CN111261643A (zh) | 柔性显示面板及制备方法 | |
| CN110473983A (zh) | 显示面板母板和显示面板母板的制备方法 | |
| WO2020228199A1 (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN107591480A (zh) | 像素结构垂直沟道有机薄膜晶体管及其制作方法 | |
| US10790317B2 (en) | Flexible display device and method of manufacturing the same | |
| CN109003989B (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置 | |
| WO2016065780A1 (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| US20160343744A1 (en) | Liquid Crystal Display Panel, Array Substrate And Manufacturing Method For Thin-Film Transistor | |
| CN111081716A (zh) | 阵列基板、阵列基板的制备方法及显示面板 | |
| WO2020172918A1 (zh) | 一种显示面板及其制作方法 | |
| US11322521B2 (en) | Array substrate and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |