CN108766666A - 一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法，包括以下步骤：（1）将纳米银线分散液加入到强还原性溶液中浸泡，去除上层清液，用水清洗离心分离后的纳米银线分散液，最后加入溶剂和添加剂，制得重新分散的纳米银线分散液；（2）将透明基材放到UV灯下，使其表面活化后备用；（3）将纳米银线分散液涂布到备用的透明基材上，干燥形成纳米银线导电层；（4）将无机相和有机相结合的保护材料涂布到纳米银线导电层上，烘烤即得到纳米银线导电膜。有机和无机相结合的保护材料的设计，一方面大部分的无机成分能保证保护层对纳米银线的表面电阻不影响，另一方面有机成分的引入可以提高纳米银线导电膜的耐酸耐碱性。

Description

一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法

技术领域

本发明属于导电膜技术领域，具体涉及一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法。

背景技术

透明导电膜的良导电性、高透光率的特性使其在触摸屏、液晶显示、有机发光二极管、太阳能电池等领域扮演着不可或缺的角色。目前应用最广泛的透明导电材料是一种N型氧化物半导体---氧化铟锡（ITO），但是由于ITO性质较脆，金属铟材料价格昂贵、工艺复杂等缺陷本质上限制了其应用，尤其是在大尺寸柔性屏中的应用。纳米银线因为其良导电性、高透光率、耐屈挠性、银储量丰富等优势，被大家公认为是最有可能替代ITO的导电材料。

近五年来，全球研发生产纳米银线透明导电膜的企业如雨后春笋般冒出来，具代表性的有韩国C3NANO、日本大仓、中国台湾TPK、苏州诺菲、乐凯华光等知名企业，他们已成功研发出纳米银线透明导电膜并且在中、大尺寸触摸屏中的应用已得到了上下游客户的验证，且实现了不同规模的批量生产。随着液晶面板向大尺寸方向发展和突破以及国家对86寸多媒体教学智能触控一体机的支持与推广，更是迎来了纳米银线透明导电膜在触摸屏领域中的黄金发展时期。

纳米银线透明导电膜在电子领域具有良好的发展前景，但是目前也存在需要继续解决的问题，如纳米银线接触电阻较高、雾度较大、老化性能不稳定等。由于目前纳米银线大多是采用多元醇还原法，以硝酸银为银源，多元醇为还原剂兼溶剂，十六烷基三甲基溴化铵（CTMAB）、聚乙烯吡咯顽酮（PVP）等高分子化合物为分散剂，通过还原银离子制得纳米银线，这种方式得到的纳米银线清洗后表面仍然会包裹一层很薄的高分子有机物，使得纳米银线的接触电阻较高，而且稳定性变差，影响了纳米银线导电膜的应用范围。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本发明提供了一种低阻值、高透光率纳米银线导电膜及其制备方法，该方法旨在通过对纳米银线的特殊清洗处理，去除纳米银线表面残存的的高分子有机物，降低银线之间接触电阻，从而实现低电阻、高透光率，并且引入有机和无机相结合的保护层，使得纳米银线导电膜的物理化学性质更稳定。

本发明的目的是以下述方式实现的：

一种低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将乙醇分散的纳米银线分散液加入到强还原性溶液中浸泡，而后采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗离心分离后的纳米银线分散液，最后加入溶剂和添加剂，制得重新分散的纳米银线分散液；

（2）将透明基材放到UV灯下，30-50℃下照射30-60min，使其表面活化后备用；

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液涂布到步骤（2）中备用的透明基材上，80-100℃下干燥3-5min形成厚度为50-200nm的纳米银线导电层；

（4）将无机相和有机相结合的保护材料涂布到纳米银线导电层上，100-140℃下烘烤30-60min即得到纳米银线导电膜。

所述强还原性溶液的浓度为1%-10%，纳米银线分散液与强还原性溶液的体积比为1:1-10:1。

所述强还原性溶液中的强还原性物质为抗坏血酸、水合肼中的一种或两种。

步骤（1）中所得的重新分散的纳米银线分散液中纳米银线的固含量为0.5%-5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm。

步骤（1）中的溶剂为乙醇、去离子水、丙醇、丙酮、异丙醇中的一种或多种，步骤（1）中的添加剂为二甲基亚砜、DMF、戊二酸、氯铂酸中的至少一种。

步骤（1）中的添加剂与溶剂的质量比为（0.01-0.1）:100。

步骤（2）中的透明基材为PET、PI、PVA、PMMA、PEN、PC、PU或玻璃。

步骤（4）中保护材料的无机相为氧化锌溶胶、二氧化硅溶胶、二氧化钛溶胶中的至少一种，有机相为水性聚氨酯树脂、水性聚丙烯酸树脂中的至少一种，保护材料固化后的厚度为50-250nm。

步骤（4）中保护材料的无机相和有机相的质量比为5:1-1:2，有机相的固含量为10%-30%。

一种根据上述的纳米银线透明导电膜的制备方法制备的纳米银线透明导电膜。

相对于现有技术，本发明具有以下特点：

（1）纳米银线放到强还原性溶液中浸泡后，小分子的强还原性物质中的活性原子与银之间的键能远高于高分子有机物中的活性原子与银之间的键能，所以银线表面附着的分子量大的有机官能团很容易被分子量小的官能团替代，银线之间的接触更加紧密，大大降低了银线之间的接触电阻，克服了目前纳米银线接触电阻较高的难题，能成功制得方阻值达5ohm/sq以下，透光率达85%以上得纳米银线透明导电膜。

（2）纳米银线经过强还原性物质的处理后，银线表面的杂质被除去或大量减少，银线表面更加平整，降低了银线的漫反射，所以本发明制备的纳米银线的雾度降低。

（3）由于基材使用前对其表面进行了UV照射，基材表面得到了活化处理，增强了纳米银线在基材表面的浸润性和粘附性，从而提高了纳米银线的稳定性。

（4）有机和无机相结合的保护材料的设计，优点在于一方面大部分的无机成分能保证保护层对纳米银线的表面电阻不影响，另一方面有机成分的引入可以提高纳米银线导电膜的耐酸耐碱性。

附图说明

图1是本发明中制备纳米银线透明导电膜的流程图。

图2是实施例9制备的纳米银线的SEM图，纳米银线的直径为15-25nm。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整的描述，显然所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。

此外，下面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。

一种低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将乙醇分散的纳米银线分散液加入到强还原性溶液中浸泡，而后采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗离心分离后的纳米银线分散液，最后加入溶剂和添加剂，制得重新分散的纳米银线分散液；

（2）将透明基材放到UV灯下，30-50℃下照射30-60min，使其表面活化后备用；

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液涂布到步骤（2）中备用的透明基材上，80-100℃下干燥3-5min形成厚度为50-200nm的纳米银线导电层；

（4）将无机相和有机相结合的保护材料涂布到纳米银线导电层上，100-140℃下烘烤30-60min即得到纳米银线导电膜。

所述强还原性溶液的浓度为1%-10%，纳米银线分散液与强还原性溶液的体积比为1:1-10:1。

所述强还原性溶液中的强还原性物质为抗坏血酸、水合肼中的一种或两种。

步骤（1）中所得的重新分散的纳米银线分散液中纳米银线的固含量为0.5%-5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm。

步骤（1）中的溶剂为乙醇、去离子水、丙醇、丙酮、异丙醇中的一种或多种，步骤（1）中的添加剂为二甲基亚砜、DMF、戊二酸、氯铂酸中的至少一种。

步骤（1）中的添加剂与溶剂的质量比为（0.01-0.1）:100。

步骤（2）中的透明基材为PET、PI、PVA、PMMA、PEN、PC、PU或玻璃。

步骤（4）中保护材料的无机相为氧化锌溶胶、二氧化硅溶胶、二氧化钛溶胶中的至少一种，有机相为水性聚氨酯树脂、水性聚丙烯酸树脂中的至少一种，保护材料固化后的厚度为50-250nm。

步骤（4）中保护材料的无机相和有机相的质量比为5:1-1:2，有机相的固含量为10%-30%。

一种根据上述的纳米银线透明导电膜的制备方法制备的纳米银线透明导电膜。

实施例1：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按1:1的体积比加入到抗坏血酸水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入溶剂和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为0.5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为1%，溶剂和添加剂的质量比为100:0.01，添加剂为质量比为3:1的二甲基亚砜和DMF的混合液，溶剂为质量比为2:1的乙醇和丙醇的混合液。

（2）将PET基材放到UV灯下，30℃的温度下照射30min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，80℃的温度下干燥3min形成厚度为50nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅、二氧化钛和氧化锌的混合溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按5:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后100℃烘烤30min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为50nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为10%。

混合溶胶中二氧化硅、二氧化钛和氧化锌的质量比为2:2:1。

纳米银线导电膜的方阻值为4ohm/sq，透过率为86%，雾度为2.9%。

实施例2：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按3:1的体积比加入到水合肼水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入去离子水和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为1%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为3%，去离子水和添加剂的质量比为100:0.03，添加剂为DMF。

（2）将PVA基材放到UV灯下，32℃的温度下照射35min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，82℃的温度下干燥3.5min形成厚度为80nm的纳米银线导电层。

（4）将氧化锌溶胶与水性聚丙烯酸树脂和水性聚氨酯树脂的混合物按4:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后110℃烘烤35min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为100nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为12%。

有机相中水性聚丙烯酸树脂和水性聚氨酯树脂的质量比为1:1。

纳米银线导电膜的方阻值为3.5ohm/sq，透过率为85%，雾度为2.8%。

实施例3：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按5:1的体积比加入到抗坏血酸水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入溶剂和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为2%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为5%，溶剂和添加剂的质量比为100:0.05，添加剂为质量比为2:1:2的戊二酸、二甲基亚砜和氯铂酸的混合液，溶剂为质量比为1:1:1的丙醇、丙酮和异丙醇的混合液。

（2）将PMMA基材放到UV灯下，35℃的温度下照射40min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，85℃的温度下干燥4min形成厚度为100nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化钛溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按3:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后115℃烘烤40min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为150nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为15%。

纳米银线导电膜的方阻值为3ohm/sq，透过率为84.5%，雾度为3.2%。

实施例4：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按7:1的体积比加入到水合肼水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入丙酮和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为3%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为7%，丙酮和添加剂的质量比为100:0.06，添加剂为质量比为1:2:1:1的二甲基亚砜、DMF、戊二酸和氯铂酸的混合液。

（2）将PC基材放到UV灯下，40℃的温度下照射45min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，90℃的温度下干燥4.5min形成厚度为130nm的纳米银线导电层。

（4）将氧化锌和二氧化钛的混合溶胶与水性聚丙烯酸树脂按2:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后120℃烘烤45min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为180nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为20%。

无机相中氧化锌和二氧化钛的质量比为1:1。

纳米银线导电膜的方阻值为4.5hm/sq，透过率为86%，雾度为2.8%。

实施例5：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按9:1的体积比加入到抗坏血酸和水合肼的水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入溶剂和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为4%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为9%，溶剂和添加剂的质量比为100:0.08，添加剂为氯铂酸，溶剂为质量比为1:1:1:2的乙醇、去离子水、丙醇和丙酮的混合液。

（2）将PU基材放到UV灯下，45℃的温度下照射50min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，95℃的温度下干燥5min形成厚度为180nm的纳米银线导电层。

（4）将氧化锌和二氧化硅的混合溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按1:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后130℃烘烤50min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为200nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为25%。

无机相中氧化锌和二氧化硅的质量比为2:1。

纳米银线导电膜的方阻值为5ohm/sq，透过率为86.4%，雾度为2.9%。

实施例6：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按10:1的体积比加入到抗坏血酸水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入溶剂和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为10%，溶剂和添加剂的质量比为100:0.1，添加剂为戊二酸，溶剂为质量比为1:1:1:1:1的乙醇、去离子水、丙醇、丙酮和异丙醇的混合液。

（2）将玻璃基材放到UV灯下，50℃的温度下照射60min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，100℃的温度下干燥5min形成厚度为200nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅和二氧化钛的混合溶胶与水性聚丙烯酸树脂按1:2的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后140℃烘烤60min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为250nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为30%。

无机相中二氧化硅和二氧化钛的质量比为1:2。

纳米银线导电膜的方阻值为4.5ohm/sq，透过率为85%，雾度为2.8%。

实施例7：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按1:1的体积比加入到抗坏血酸水溶液中浸泡60min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入乙醇和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为2%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为4%，乙醇和添加剂的质量比为100:0.05，添加剂为戊二酸。

（2）将PET基材放到UV灯下，40℃的温度下照射30min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，90℃的温度下干燥4min形成厚度为100nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按5:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后130℃烘烤60min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为150nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为20%。

纳米银线导电膜的方阻值为4ohm/sq，透过率为86%，雾度为3.0%。

实施例8：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按3:1的体积比加入到水合肼水溶液中浸泡50min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入丙醇和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为4%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为2%，丙醇和添加剂的质量比为100:0.03，添加剂为氯铂酸。

（2）将PET基材放到UV灯下，30℃的温度下照射30min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，80℃的温度下干燥3min形成厚度为50nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按4:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后120℃烘烤40min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为50nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为10%。

纳米银线导电膜的方阻值为3ohm/sq，透过率为85%，雾度为3.1%。

实施例9：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按5:1的体积比加入到抗坏血酸水溶液中浸泡70min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入丙酮和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为3%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为6%，丙酮和添加剂的质量比为100:0.07，添加剂为DMF。

（2）将PI基材放到UV灯下，50℃的温度下照射40min，使其表面活化后以备用。

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PI基材上，100℃的温度下干燥5min形成厚度为200nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按3:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后150℃烘烤90min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为150nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为30%。

纳米银线导电膜的方阻值为4.5 ohm/sq，透过率为85%，雾度为3.0%。

实施例10：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）将从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液按1:2的体积比加入到抗坏血酸水溶液中浸泡90min后，采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗一次，最后加入异丙醇和添加剂得到重新分散的纳米银线分散液，所得重新分散的纳米银线分散液的固含量为5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm；抗坏血酸水溶液的浓度为8%，异丙醇和添加剂的质量比为100:0.1，添加剂为二甲基亚砜。

（2）将PEN基材放到UV灯下，35℃的温度下照射33min，使其表面活化后以备用。

（3）将纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PEN基材上，85℃的温度下干燥3.5min形成厚度为100nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅溶胶与热固性水溶性聚氨酯按4:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后150℃烘烤90min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为120nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为25%。

纳米银线导电膜的方阻值为3 ohm/sq，透过率为88%，雾度为2.5%。

对比例：

一种低阻值高透光率纳米银线透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

（1）向从市场上购买的乙醇分散的纳米银线分散液加入1%的添加剂，添加剂为二甲基亚砜，混合均匀。

（2）将PET基材放到UV灯下，40℃的温度下照射35min，使其表面活化后以备用。

（3）将纳米银线分散液通过旋涂的方式涂布到备用的PET基材上，90℃的温度下干燥5min形成厚度为100nm的纳米银线导电层。

（4）将二氧化硅溶胶与热塑性水溶性聚氨酯按5:1的质量比混合均匀后，采用旋涂法将混合液涂布到纳米银线导电层上，然后130℃烘烤60min即得到纳米银线导电膜，保护材料固化后的厚度为120nm，热塑性水溶性聚氨酯的固含量为25%。

纳米银线导电膜的方阻值为12ohm/sq，透过率为85%，雾度为4.8%。

经过特殊清洗处理和没经过特殊清洗处理得到的纳米银线透明导电膜的性能对比如表1所示。此处的特殊处理为用强还原性溶液浸泡。

以上所述的仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明整体构思前提下，还可以作出若干改变和改进，这些也应该视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）将乙醇分散的纳米银线分散液加入到强还原性溶液中浸泡，而后采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗离心分离后的纳米银线分散液，最后加入溶剂和添加剂，制得重新分散的纳米银线分散液；

（2）将透明基材放到UV灯下，30-50℃下照射30-60min，使其表面活化后备用；

（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液涂布到步骤（2）中备用的透明基材上，80-100℃下干燥3-5min形成厚度为50-200nm的纳米银线导电层；

（4）将无机相和有机相结合的保护材料涂布到纳米银线导电层上，100-140℃下烘烤30-60min即得到纳米银线导电膜。

2.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述强还原性溶液的浓度为1%-10%，纳米银线分散液与强还原性溶液的体积比为1:1-10:1。

3.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述强还原性溶液中的强还原性物质为抗坏血酸、水合肼中的一种或两种。

4.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所得的重新分散的纳米银线分散液中纳米银线的固含量为0.5%-5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm。

5.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的溶剂为乙醇、去离子水、丙醇、丙酮、异丙醇中的一种或多种，步骤（1）中的添加剂为二甲基亚砜、DMF、戊二酸、氯铂酸中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的添加剂与溶剂的质量比为（0.01-0.1）:100。

7.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中的透明基材为PET、PI、PVA、PMMA、PEN、PC、PU或玻璃。

8.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（4）中保护材料的无机相为氧化锌溶胶、二氧化硅溶胶、二氧化钛溶胶中的至少一种，有机相为水性聚氨酯树脂、水性聚丙烯酸树脂中的至少一种，保护材料固化后的厚度为50-250nm。

9.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（4）中保护材料的无机相和有机相的质量比为5:1-1:2，有机相的固含量为10%-30%。

10.一种根据权利要求1-9任一项所述的纳米银线透明导电膜的制备方法制备的纳米银线透明导电膜。