CN108538977B - 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 89
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000003471 anti-radiation Effects 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 230000001458 anti-acid effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/3013—AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
一种高质量GaN薄膜及其制备方法，属于半导体技术领域，可解决现有GaN薄膜位错多、压力大、结构不稳定、工艺复杂的问题，该结构包括蓝宝石衬底，依次层叠形成在所述衬底（111）晶面上的形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层、SiNx钝化层、第二非掺杂GaN层，所述SiNx掩膜层生长结束后进行原位脉冲分解。由于SiNx掩膜层会覆盖GaN表面的非位错处，在第一非掺杂GaN层原位脉冲分解过程中，由于裸露的位错处热稳定性相对较差，会优先分解，进而形成多孔状结构，再生长SiNx钝化层、第二非掺杂GaN层，最终制备出高质量GaN薄膜。本发明的制备方法大大提高了薄膜的晶体质量。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种高质量GaN薄膜及其制备方法。
背景技术
GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3.39eV，具有热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，是第三代半导体的代表，广泛应用在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管，蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域。
近年来，随着GaN基材料的应用范围不断扩大，其不足也逐渐显露出来。由于GaN单晶的熔点很高（2800℃），使得制备GaN衬底极为困难，且成本极高，很难大规模生产。因此，目前商用的GaN薄膜通常使用蓝宝石或Si作为衬底异质外延生长GaN薄膜，但这两种衬底与GaN之间均存在较大的晶格失配与热失配，导致在GaN外延层中存在大量的穿透位错，形成非辐射复合中心，抑制了载流子的复合，在有源区形成漏电流，严重影响了光电子器件的效率，因此如何抑制GaN外延层中的位错密度是当前研究的重点内容之一。
目前最常用的制备GaN薄膜的方法，是用金属有机化合物化学气相沉积法（MOCVD）直接在衬底上生长二维GaN薄膜结构，但这种方法难以避免晶格失配和热适配引起的穿透位错和应力，以及横向外延生长时引入的大量新的刃位错，影响器件的性能。科研人员探究出诸多减少位错和应力的方法，例如化学腐蚀法、横向外延过生长技术（ELOG）、插入缓冲层等等，但这些方法存在诸多弊端，例如制备工艺十分复杂，需要用到强酸强碱等各种化学试剂，增加了制备时间与成本；非原位的二次生长时会引入C、O等杂质，造成材料的污染；生长参数变量过多，增加了器件性能的影响因素，品控相对困难等等，这些问题大大限制了二维GaN薄膜的传统制备方法的发展。
发明内容
本发明针对现有GaN薄膜位错多、压力大、结构不稳定、工艺复杂的问题，提供一种高质量GaN薄膜及其制备方法。
本发明采用如下技术方案：
一种高质量GaN薄膜，包括蓝宝石衬底以及依次层叠形成在所述蓝宝石衬底（111）晶面上的形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层、SiNx钝化层和第二非掺杂GaN层。
所述第一非掺杂GaN层的厚度为100nm~5μm，SiNx掩膜层的厚度为10~100nm，SiNx钝化层的厚度为10~100nm，第二非掺杂GaN层的厚度为100nm~5μm。
所述第一非掺杂GaN层具有二维生长的（0001）晶面。
一种高质量GaN薄膜的制备方法，包括如下步骤：
第一步，通过原位生长法，依次在蓝宝石衬底晶面上生长形核层、第一非掺杂GaN层和SiNx掩膜层；
第二步，将第一步所得样品置于NH3和H2混合气氛中进行原位脉冲分解后，第一非掺杂GaN层呈多孔状结构；
第三步，在第二步所得样品结构上生长SiNx钝化层；
第四步，在第三步所得样品结构上再生长第二非掺杂GaN层，第二非掺杂GaN层在未被SiNx掩膜层覆盖的位置形核并进行三维生长，形成形核岛，下面为第一非掺杂GaN层分解后留下的空洞；
第五步，第四步中的形核岛逐渐合并，最终形成第二非掺杂GaN层。
所述形核层、第一非掺杂GaN层和第二非掺杂GaN层的制备步骤中，镓源均为TMGa，氮源均为NH3，生长温度分别为500℃~570℃、1000℃~1100℃和1000℃~1100℃。
所述SiNx掩膜层和SiNx钝化层的硅源均为SiH4，氮源均为NH3，生长温度均为1050℃。
所述原位脉冲分解的过程为：向反应腔中通入间歇性的NH3和连续的H2进行高温分解；所述NH3向反应腔通入的时间为20~60s，暂停的时间为20~60s，循环10~20次；所述H2连续通入时间为10~30min；所述分解温度为900℃~1100℃，所述分解时间为10~30min。
本发明的有益效果如下：
1. 本发明所述的一种高质量GaN薄膜结构，包括依次层叠在蓝宝石衬底衬底（111）晶面上的形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层、SiNx钝化层、第二非掺杂GaN层；所述SiNx掩膜层是在第一非掺杂GaN层非位错的地方形核，因此位错处不会被SiNx掩膜层覆盖，因而第一非掺杂GaN层在高温分解时位错会优先分解，形成孔。能使外延薄膜中的应力减少20%~30%，从而大大提高了薄膜的晶体质量。
2. 本发明所述的一种高质量GaN薄膜结构中的第一非掺杂GaN层由于高温分解形成的孔状结构能使薄膜的全反射损降低25%~40%。
3. 本发明所述的一种高质量GaN薄膜结构制备方法，能使GaN薄膜的位错密度从约108cm-2降低到约106 cm-2，从而提高了其光电器件中的性能。
附图说明
图1为本发明的制备方法流程图；
图2为未经高温分解的样品的SEM图；
图3为经过900℃原位脉冲分解10min后的样品的SEM图；
图4为经过1000℃原位脉冲分解20min后的样品的SEM图；
图5为经过1100℃原位脉冲分解30min后的样品的SEM图；
图6为在1000℃原位脉冲分解20min，后续生长步骤全部进行完毕的样品的SEM图。
具体实施方式
实施例1
高质量GaN薄膜制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
第一步，如图1a所示，通过原位生长法，依次在蓝宝石衬底（111）晶面上生长形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层，其中形核层的生长温度为500℃；第一非掺杂GaN层的生长温度为1000℃，厚度为100nm；SiNx掩膜层的生长温度为1050℃，厚度为10nm；
第二步，将第一步所得样品置于900℃的NH3和H2混合气氛中进行原位脉冲分解，NH3通入20s，暂停20s，循环15次，H2持续通入，经过10min，会得到图3所示形貌，第一非掺杂GaN层呈多孔状结构；
第三步，在第二步所得外延结构上生长SiNx钝化层，生长温度为1050℃，厚度为10nm，如图1c所示；
第四步，在第三步所得外延结构上再生长第二非掺杂GaN层，生长温度为1000℃，第二非掺杂GaN层在未被SiNx掩膜层覆盖的位置形核并进行三维生长，形成形核岛，下面为GaN分解后留下的空洞，如图1d所示；
第五步，第四步中形核岛逐渐合并，形成第二非掺杂GaN层，厚度为100nm，如图1e所示。
实施例2
高质量GaN薄膜制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
第一步，如图1a所示，通过原位生长法，依次在蓝宝石衬底（111）晶面上生长形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层，其中形核层的生长温度为530℃；第一非掺杂GaN层的生长温度为1050℃，厚度为3μm；SiNx掩膜层的生长温度为1050℃，厚度为50nm；
第二步，将第一步所得样品置于1000℃的NH3和H2混合气氛中进行原位脉冲分解，NH3通入60s，暂停60s，循环10次，H2持续通入，经过20min，会得到图4所示形貌，第一非掺杂GaN层呈多孔状结构；
第三步，在第二步所得外延结构上生长SiNx钝化层，生长温度为1050℃，厚度为50nm，如图1c所示；
第四步，在第三步所得外延结构上再生长第二非掺杂GaN层，生长温度为1050℃，第二非掺杂GaN层在未被SiNx掩膜层覆盖的位置形核并进行三维生长，形成形核岛，下面为GaN分解后留下的空洞，如图1d所示；
第五步，第四步中形核岛逐渐合并，形成第二非掺杂GaN层，厚度为3μm，如图1e和图6所示。
实施例3
高质量GaN薄膜制备方法，如图1所示，包括如下步骤：
第一步，如图1a所示，通过原位生长法，依次在蓝宝石衬底（111）晶面上生长形核层、第一非掺杂GaN层、SiNx掩膜层，其中形核层的生长温度为570℃；第一非掺杂GaN层的生长温度为1100℃，厚度为5μm；SiNx掩膜层的生长温度为1050℃，厚度为100nm；
第二步，将第一步所得样品置于1100℃的NH3和H2混合气氛中进行原位脉冲分解，NH3通入45s，暂停45s，循环20次，H2持续通入，经过30min，会得到图5所示形貌，第一非掺杂GaN层呈多孔状结构；
第三步，在第二步所得外延结构上生长SiNx钝化层，生长温度为1050℃，厚度为100nm，如图1c所示；
第四步，在第三步所得外延结构上再生长第二非掺杂GaN层，生长温度为1100℃，第二非掺杂GaN层在未被SiNx掩膜层覆盖的位置形核并进行三维生长，形成形核岛，下面为GaN分解后留下的空洞，如图1d所示；
第五步，第四步中形核岛逐渐合并，形成第二非掺杂GaN层，厚度为5μm，如图1e所示。
Claims (4)
1.一种高质量GaN薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
第一步，通过原位生长法，依次在蓝宝石衬底晶面上生长形核层、第一非掺杂GaN层和SiNx掩膜层；
第二步，将第一步所得样品置于NH3和H2混合气氛中进行原位脉冲分解后，第一非掺杂GaN层呈多孔状结构；
第三步，在第二步所得样品结构上生长SiNx钝化层；
第四步，在第三步所得样品结构上再生长第二非掺杂GaN层，第二非掺杂GaN层在未被SiNx掩膜层覆盖的位置形核并进行三维生长，形成形核岛，下面为第一非掺杂GaN层分解后留下的空洞；
第五步，第四步中的形核岛逐渐合并，最终形成第二非掺杂GaN层。
2.根据权利要求1所述的一种高质量GaN薄膜的制备方法，其特征在于：所述形核层、第一非掺杂GaN层和第二非掺杂GaN层的制备步骤中，镓源均为TMGa，氮源均为NH3，生长温度分别为500℃~570℃、1000℃~1100℃和1000℃~1100℃。
3.根据权利要求2所述的一种高质量GaN薄膜的制备方法，其特征在于：所述SiNx掩膜层和SiNx钝化层的硅源均为SiH4，氮源均为NH3，生长温度均为1050℃。
4.根据权利要求3所述的一种高质量GaN薄膜的制备方法，其特征在于：所述原位脉冲分解的过程为：向反应腔中通入间歇性的NH3和连续的H2进行高温分解；所述NH3向反应腔通入的时间为20~60s，暂停的时间为20~60s，循环10~20次；所述H2连续通入时间为10~30min；所述分解温度为900℃~1100℃，所述分解时间为10~30min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810218544.3A CN108538977B (zh) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810218544.3A CN108538977B (zh) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108538977A CN108538977A (zh) | 2018-09-14 |
| CN108538977B true CN108538977B (zh) | 2019-07-16 |
Family
ID=63484055
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810218544.3A Active CN108538977B (zh) | 2018-03-16 | 2018-03-16 | 一种高质量GaN薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108538977B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113690263B (zh) * | 2020-05-18 | 2024-02-06 | 成都辰显光电有限公司 | 显示基板及显示基板的制备方法 |
| CN112242459B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-05-20 | 苏州紫灿科技有限公司 | 一种具有原位SiN位错湮灭层的AlGaN薄膜及其外延生长方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8574968B2 (en) * | 2007-07-26 | 2013-11-05 | Soitec | Epitaxial methods and templates grown by the methods |
| US8803189B2 (en) * | 2008-08-11 | 2014-08-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | III-V compound semiconductor epitaxy using lateral overgrowth |
| EP4181173A1 (en) * | 2011-11-21 | 2023-05-17 | IV Works Co., Ltd | Semiconductor substrate and method of forming |
| EP3376525A4 (en) * | 2015-11-12 | 2019-10-23 | Sumco Corporation | METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| CN105742430A (zh) * | 2016-03-07 | 2016-07-06 | 太原理工大学 | 一种led外延结构及其制备方法 |
-
2018
- 2018-03-16 CN CN201810218544.3A patent/CN108538977B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108538977A (zh) | 2018-09-14 |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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| TR01 | Transfer of patent right | ||
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Effective date of registration: 20230421 Address after: Science Building, No. 79 Yingze West Street, Wanbailin District, Taiyuan City, Shanxi Province, 030000 Patentee after: Taiyuan University of Technology Architectural Design and Research Institute Co.,Ltd. Address before: 030024 floor 4, building 129, No. 79, Yingze West Street, Wanbailin District, Taiyuan City, Shanxi Province Patentee before: DACHENG ENGINEERING CO LTD OF TAIYUAN University OF TECHNOLOGY |