CN108538782A - Oled显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板的制作方法包括：在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。通过本发明的技术方案，能够去除阳极层上残留的异物，防止出现显示Mura现象，提高显示装置的显示品质。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
现有OLED显示基板的制作工艺中，首先形成阳极层的图形，再制备有机的像素界定层(PDL)，之后进行像素界定层后烘等工序，最后进行发光层和阴极层的蒸镀。在PDL后烘的工序中，由于有机材料未完全固化，会释放大量气体及物质吸附在后烘腔室，所以有机材料的后烘腔室的洁净度比较低，当基板在此腔室中进行后烘时，无法避免地会有些异物掉落在基板上，异物的尺寸比较小，通过清洗无法完全去除。在随后的发光层和阴极层的蒸镀过程中，异物就会残留在发光层中，后期封装盖板与OLED显示基板压盒的过程中，异物将会对发光层和阴极层造成损伤，造成显示Mura(亮斑、黑点、黑斑等)现象，影响显示装置的显示品质。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够去除阳极层上残留的异物，防止出现显示Mura现象，提高显示装置的显示品质。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
一方面，提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：
在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；
在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。
进一步地，所述第二导电层的刻蚀选择比大于所述第一导电层。
进一步地，所述阳极过渡层仅包括所述第一导电层和所述第二导电层。
进一步地，所述第一导电层采用透明导电材料，所述第二导电层采用Mo和Al中的至少一种。
进一步地，所述在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层包括：
对所述第二导电层进行湿刻，去除所述第二导电层暴露于所述开口区域的部分。
进一步地，湿刻采用的刻蚀液选自醋酸、硝酸和磷酸。
进一步地，所述第二导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率为所述第一导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率的10倍以上。
进一步地，所述去除所述开口区域暴露的所述第二导电层的步骤之后，所述制作方法还包括：
依次进行发光层和阴极的制备。
本发明实施例还提供了一种OLED显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。
本发明的实施例具有以下有益效果：
上述方案中，在制作像素界定层之前，制作阳极过渡层，阳极过渡层至少包括第一导电层和第二导电层，在完成像素界定层的后烘工艺后，去除开口区域暴露的第二导电层，这样即使在后烘工艺中有异物掉落在阳极过渡层上，在去除第二导电层时也能够将掉落在阳极过渡层上的异物一并去除，防止残留的异物对发光层和阴极层造成损伤，避免出现显示Mura现象，提高显示装置的显示质量和信赖性。
附图说明
图1和图2为现有技术制作OLED显示基板的示意图；
图3为现有OLED显示基板中异物对发光层和阴极层造成损伤的示意图；
图4-图6为本发明实施例制作OLED显示基板的示意图。
附图标记
1 衬底基板
2 平坦层
3 像素界定层
4 薄膜晶体管
5 阳极层
6 异物
7 发光层
8 阴极层
9 导电层
具体实施方式
为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
图1和图2为现有技术制作OLED显示基板的示意图，现有OLED显示基板的制作工艺中，首先在形成有薄膜晶体管4和平坦层2的衬底基板1上形成阳极层5的图形，再制备有机的像素界定层3，之后进行像素界定层3后烘等工序，最后进行发光层7和阴极层8的蒸镀。在像素界定层3后烘的工序中，由于有机材料未完全固化，会释放大量气体及物质吸附在后烘腔室，所以有机材料的后烘腔室的洁净度比较低，当基板在此腔室中进行后烘时，无法避免地会有些异物6掉落在基板上，异物6的尺寸比较小，通过清洗无法完全去除。随后基板进入EPM(Electronic Parameter Measurement，电子参数测量)特性测试，监控背板特性。最后进入蒸镀设备，进行发光层7和阴极层8的蒸镀。如图3所示，在随后的发光层7和阴极层8的蒸镀过程中，异物6就会残留在发光层7中，后期封装盖板与OLED显示基板压盒的过程中，异物将会对发光层7和阴极层8造成损伤，发光层7发光不良并扩散，造成显示Mura现象，影响显示装置的显示品质。
为了解决上述问题，本发明的实施例提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够去除阳极层上残留的异物，防止出现显示Mura现象，提高显示装置的显示品质。
本发明实施例提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：
在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；
在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。
本实施例中，在制作像素界定层之前，制作阳极过渡层，阳极过渡层至少包括第一导电层和第二导电层，在完成像素界定层的后烘工艺后，去除开口区域暴露的第二导电层，这样即使在后烘工艺中有异物掉落在阳极过渡层上，在去除第二导电层时也能够将掉落在阳极过渡层上的异物一并去除，防止残留的异物对发光层和阴极层造成损伤，避免出现显示Mura现象，提高显示装置的显示质量和信赖性。
进一步地，所述第二导电层的刻蚀选择比大于所述第一导电层，这样在通过刻蚀液去除第二导电层时，刻蚀液对第一导电层的影响较小。
所述阳极过渡层可以为两层结构也可以为三层以上的多层结构，一具体实施例中，阳极过渡层可以为两层结构，仅包括所述第一导电层和所述第二导电层。
本实施例制作的OLED显示基板可以为顶发射OLED显示基板也可以为底发射OLED显示基板。在OLED显示基板为底发射OLED显示基板时，由于底发射OLED显示基板的阳极层要求是透明的，在去除第二导电层后，阳极层主要由第一导电层构成，因此所述第一导电层需要采用透明导电材料，透明导电材料包括ITO、InOx等所述第二导电层可以采用Mo和Al中的至少一种，这样第二导电层的刻蚀选择比大于所述第一导电层，在通过刻蚀液去除第二导电层时，刻蚀液对第一导电层的影响较小。在OLED显示基板为顶发射OLED显示基板时，一般阳极采用高反射率的反射电极层和功函数匹配且透明度高的ITO、InOx等组成的复合阳极层，例如ITO/Ag/ITO，ITO/Al系材料/ITO。在去除第二导电层后，阳极层主要由第一导电层构成，也即第一导电层可以采用高反射率的反射电极层和功函数匹配且透明度高的ITO、InOx等组成的复合导电层，此时第二导电层也可以采用Mo和Al中的至少一种，这样第二导电层的刻蚀选择比大于所述第一导电层，在通过刻蚀液去除第二导电层时，刻蚀液对第一导电层的影响较小。
进一步地，所述在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层包括：
对所述第二导电层进行湿刻，去除所述第二导电层暴露于所述开口区域的部分。
具体地，湿刻采用的刻蚀液可以选自醋酸、硝酸和磷酸。
优选地，所述第二导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率为所述第一导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率的10倍以上，这样在通过刻蚀液刻蚀第二导电层时，刻蚀液基本不会对第一导电层产生影响，从而能够保证阳极层的性能。
进一步地，所述去除所述开口区域暴露的所述第二导电层的步骤之后，所述制作方法还包括：
依次进行发光层和阴极的制备。
其中，可以采用蒸镀或者打印的方式进行发光层的制备，采用蒸镀或者溅射的方式进行阴极的制备。
由于第二导电层已经被去除，阳极层上将不存在异物，因此，不会有异物残留在发光层中。
下面结合附图以及具体的实施例对本发明的OLED显示基板的制作方法进行具体介绍，本实施例的OLED显示基板的制作方法包括以下步骤：
步骤1、在基板上形成阳极过渡层的图形；
其中，基板上已经制作薄膜晶体管4和平坦层2，阳极过渡层包括阳极层5和导电层9，阳极层5通过贯穿平坦层2的过孔与薄膜晶体管4的漏极连接。具体地，可以在基板上依次形成一层透明导电材料和一层导电材料，透明导电材料可以采用ITO或IZO；导电材料可以采用Mo或Al。在导电材料上涂覆光刻胶，利用掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，刻蚀掉光刻胶去除区域的导电材料和透明导电材料，形成阳极层5和导电层9的图形。其中，透明导电材料的刻蚀选择比大于导电材料，在对导电材料和透明导电材料进行刻蚀时，可以采用两种不同的刻蚀液分别对导电材料和透明导电材料进行刻蚀。
步骤2、在经过步骤1的基板上形成像素界定层的图形；
具体地，可以在基板上形成一层像素界定层材料，像素界定层材料可以采用有机材料，在像素界定层材料上涂覆光刻胶，利用掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，刻蚀掉光刻胶去除区域的像素界定层材料，形成像素界定层3的图形，像素界定层3的图形限定出开口区域。
步骤3、对像素界定层3的图形进行后烘；
将完成步骤2的基板移入后烘腔室，进行像素界定层3的后烘工序，如图4所示，由于后烘腔室的洁净度比较低，当基板在此腔室中进行后烘时，无法避免地会有异物6掉落在基板上。
步骤4、通过湿刻去除所述开口区域暴露的导电层9；
其中，可以在经过步骤3的基板上涂覆光刻胶，利用掩模板对光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，光刻胶去除区域对应开口区域，利用刻蚀液去除光刻胶去除区域的导电层9，刻蚀液可以选自醋酸、硝酸和磷酸，如图5所示，在去除导电层9的同时，导电层9上的异物6也被去除。
步骤5、如图6所示，在经过步骤4的基板上完成发光层7和阴极层8的蒸镀。
其中，蒸镀发光层7和阴极层8的工艺与现有技术相同，在此不再赘述。
本实施例中，在完成像素界定层的后烘工艺后，在进行发光层7和阴极层8的蒸镀之前，去除开口区域暴露的导电层，这样即使在后烘工艺中有异物掉落在导电层上，也能够在不影响特性测试的前提下，在去除导电层时将掉落在导电层上的异物一并去除，防止残留的异物对发光层和阴极层造成损伤，避免出现显示Mura现象，使得OLED显示基板达到良好的发光效果，提高显示装置的显示质量和信赖性。
本发明实施例还提供了一种OLED显示基板，采用如上所述的制作方法制作得到。
本实施例的OLED显示基板，在制作像素界定层之前，制作阳极过渡层，阳极过渡层至少包括第一导电层和第二导电层，在完成像素界定层的后烘工艺后，去除开口区域暴露的第二导电层，这样即使在后烘工艺中有异物掉落在阳极过渡层上，在去除第二导电层时也能够将掉落在阳极过渡层上的异物一并去除，因此，OLED显示基板的发光层中将不会残留有异物，从而能够避免出现显示Mura现象，保证OLED显示基板的显示质量和信赖性。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。
本实施例的显示装置，在制作像素界定层之前，制作阳极过渡层，阳极过渡层至少包括第一导电层和第二导电层，在完成像素界定层的后烘工艺后，去除开口区域暴露的第二导电层，这样即使在后烘工艺中有异物掉落在阳极过渡层上，在去除第二导电层时也能够将掉落在阳极过渡层上的异物一并去除，因此，显示装置的发光层中将不会残留有异物，从而能够避免出现显示Mura现象，保证显示装置的显示质量和信赖性。
在本发明各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本发明的保护范围之内。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；
在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；
在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。
2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层的刻蚀选择比大于所述第一导电层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述阳极过渡层仅包括所述第一导电层和所述第二导电层。
4.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层采用透明导电材料，所述第二导电层采用Mo和Al中的至少一种。
5.根据权利要求4所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层包括：
对所述第二导电层进行湿刻，去除所述第二导电层暴露于所述开口区域的部分。
6.根据权利要求5所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，湿刻采用的刻蚀液选自醋酸、硝酸和磷酸。
7.根据权利要求6所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率为所述第一导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率的10倍以上。
8.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述去除所述开口区域暴露的所述第二导电层的步骤之后，所述制作方法还包括：
依次进行发光层和阴极的制备。
9.一种OLED显示基板，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述的制作方法制作得到。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的OLED显示基板。
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