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CN108471225B - 一种用于旁路开关的电压检测控制电路 - Google Patents

一种用于旁路开关的电压检测控制电路 Download PDF

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CN108471225B CN201810382381.2A CN201810382381A CN108471225B CN 108471225 B CN108471225 B CN 108471225B CN 201810382381 A CN201810382381 A CN 201810382381A CN 108471225 B CN108471225 B CN 108471225B
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Abstract

一种用于旁路开关的电压检测控制电路，属于电子电路技术领域。旁路开关使用VDMOS功率管作主开关管，VDMOS功率管的体二极管导通压降为电源电压，为振荡器和电荷泵电路供电，振荡器产生时钟信号控制电荷泵电路将电源电压泵升输出给电压检测电路产生供电电压，为电压检测电路和驱动电路供电，电压检测电路的输出信号控制电荷泵电路和驱动电路，驱动电路产生具有更大驱动能力的驱动信号控制VDMOS功率管，当输出电压达到预设上限时关断电路停止对第一电容充电，当第一电容的电压下降到预设下限时开启电路继续为第一电容充电。本发明具有平均导通压降明显降低、反向耐压更高、漏电流更小的优点；且电压检测电路采用内置比较器，保障了预设电压的可靠性。

Description

一种用于旁路开关的电压检测控制电路
技术领域
本发明属于电子电路技术领域，涉及一种用于旁路开关的电压检测控制电路。
背景技术
旁路开关的平均导通压降是直接决定旁路开关模块功耗的重要因素，相比于传统的二极管旁路方式，采用VDMOS作为旁路开关主开关管具有导通压降极低、功耗大大减小的明显优势。旁路开关模块的反向耐压决定了整流系统应用的电压范围，例如决定了光伏系统使用中并联的太阳能电池单元的数量。传统肖特基二极管设计中的反向耐压和正向导通压降是一个相互制约的指标，采用VDMOS作为主开关管的旁路开关，其反向耐压值设计当中可以更加灵活。旁路开关的漏电流也是一个重要指标，对于光伏系统的太阳能电池单元，其正常发电时，旁路开关模块处于关闭状态，漏电流也决定了模块的静态功耗。传统的肖特基二极管漏电较大，而采用VDMOS作为主开关管的旁路开关采用高压管作为耐压管，其漏电流可以设计到10uA以下。传统旁路开关模块采用集电极电压变化对预设电压进行改变，一般会使用电荷泵转换输入电压为驱动电压驱动VDMOS功率管，而电荷泵泵升电压因为波动比较大，在电压较高时容易出现震荡，使得旁路开关的预设电压因为电源纹波较大导致误触发问题。
发明内容
相比于传统的肖特基旁路二极管，本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路，旁路开关采用VDMOS作为主开关管，具有平均导通压降明显降低、反向耐压更高，漏电流更小等诸多优点；针对旁路开关预设电压因为电源纹波较大导致的误触发问题，本发明中的电压检测电路采用内置比较器，保障了预设电压的可靠性；通过交替的操作实现充电阶段与放电阶段，电荷泵转换输入电压源为驱动电压，驱动VDMOS功率管，从而提高旁路开关驱动效率，明显降低平均导通压降。
本发明的技术方案为：
一种用于旁路开关的电压检测控制电路，所述旁路开关使用VDMOS功率管作主开关管，所述电压检测控制电路包括第一电容C1和控制模块，所述控制模块包括三个控制端和一个输出端，其第一控制端连接所述VDMOS功率管的源极并连接电源电压VDD，其第二控制端连接所述VDMOS功率管的漏极，其第三控制端连接所述VDMOS功率管的栅极，其输出端连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端接地；所述VDMOS功率管体二极管的导通压降作为所述电源电压VDD；
所述控制模块包括振荡器、电荷泵电路、电压检测电路、驱动电路、第一电阻R1、第二电阻R2和高压PMOS管MP40，
振荡器和电荷泵电路的电源端连接所述第一控制端，由所述电源电压VDD供电；
所述电荷泵电路的输入端连接所述振荡器的输出端，其输出电压连接所述电压检测电路的输入端，所述电荷泵电路的输出电压用于产生所述电压检测电路的供电电压VDDH，所述供电电压VDDH连接驱动电路的电源端和所述控制模块的输出端；
所述电压检测电路的输出端连接所述驱动电路的输入端和所述振荡器的时钟控制端，并通过第二电阻R2后连接高压PMOS管MP40的栅极；
所述驱动电路的输出端连接所述第三控制端；
第一电阻R1接在所述第一控制端和高压PMOS管MP40的栅极之间；
高压PMOS管MP40的漏极连接所述第二控制端，其源极接地；
所述电压检测电路包括检测模块、带隙基准源模块和比较器模块，所述带隙基准源模块用于产生带隙基准电压Vref并输出给所述比较器模块的第一输入端，
所述检测模块包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，
第七PMOS管MP7的漏极作为所述电压检测电路的输入端，其源极产生所述供电电压VDDH，其栅极连接第四NMOS管MN4、第五PMOS管MP5、第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的栅极以及第四PMOS管MP4和第三NMOS管MN3的漏极；
第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6的源极连接所述供电电压VDDH；
第四电阻R4和第五电阻R5串联并接在所述供电电压VDDH和所述比较器模块的第二输入端之间，第三电阻R3接在所述比较器模块的第二输入端和地之间；
第二PMOS管MP2的栅极连接第一PMOS管MP1和第一NMOS管MN1的漏极，其漏极通过第六电阻R6后连接第四电阻R4和第五电阻R5的串联点；
第二NMOS管MN2的栅极连接第三PMOS管MP3的栅极和所述比较器模块的输出端，其源极连接第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4和第五NMOS管MN5的源极并接地，其漏极连接第三PMOS管MP3的漏极、第三NMOS管MN3和第四PMOS管MP4的栅极；
第五NMOS管MN5的栅极连接第六PMOS管MP6的栅极、第四NMOS管MN4和第五PMOS管MP5的漏极，其漏极连接第六PMOS管MP6的漏极并作为所述电压检测电路的输出端。
具体的，所述带隙基准源模块包括第七电阻R7、第八电阻R8、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10和第十一PMOS管MP11，
第十PMOS管MP10的栅漏短接并连接第十一PMOS管MP11的栅极和第八PMOS管MP8的源极，其源极连接第十一PMOS管MP11的源极和所述供电电压VDDH；
第九PMOS管MP9的栅极连接第八PMOS管MP8的栅极和漏极以及第二三极管Q2的集电极，其源极连接第十一PMOS管MP11的漏极，其漏极连接第一三极管Q1的基极和集电极以及第二三极管Q2的基极并作为所述带隙基准源模块的输出端；
第七电阻R7和第八电阻R8串联并接在第二三极管Q2的发射极和地之间，其串联点连接第一三极管Q1的发射极。
具体的，所述比较器模块包括第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、第十四PMOS管MP14、第十五PMOS管MP15、第十六PMOS管MP16和第十七PMOS管MP17，
第十六PMOS管MP16的栅极作为所述比较器模块的第一输入端，其源极连接第十五PMOS管MP15的漏极和第十七PMOS管MP17的源极，其漏极连接第六NMOS管MN6的栅极和漏极以及第七NMOS管MN7的栅极；
第十七PMOS管MP17的栅极作为所述比较器模块的第二输入端，其漏极连接第七NMOS管MN7的漏极和第八NMOS管MN8的栅极；第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8的源极接地；
第十三PMOS管MP13的漏极连接第八NMOS管MN8的漏极并作为所述比较器模块的输出端，其栅极连接第十五PMOS管MP15的栅极和所述带隙基准源模块中第八PMOS管MP8的栅极，其源极连接第十四PMOS管MP14的漏极；
第十二PMOS管MP12的栅极连接第十四PMOS管MP14的栅极和所述带隙基准源模块中第八PMOS管MP8的源极，其漏极连接第十五PMOS管MP15的源极，其源极连接第十四PMOS管MP14的源极并连接所述供电电压VDDH。
本发明的有益效果为：本发明提供的电压检测控制电路用于VDMOS功率管作主开关管的旁路开关，提高了旁路开关驱动效率，与传统的使用肖特基二极管的旁路开关相比，具有平均导通压降明显降低、反向耐压更高、漏电流更小的优点；电压检测电路采用内置比较器，保障了预设电压的可靠性。
附图说明
图1为本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路的结构图。
图2为本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路中控制模块的结构示意图。
图3为本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路的输出波形图。
图4为本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路在实施例中电压检测电路的结构示意图。
图5为本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路的电压检测电路输出示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，详细描述本发明的技术方案。
本发明提出的电压检测控制电路，适用于VDMOS功率管作主开关管的旁路开关，如图1所示，电压检测控制电路包括第一电容C1和控制模块，控制模块包括三个控制端和一个输出端，其第一控制端连接VDMOS功率管的源极并连接电源电压VDD，其第二控制端连接VDMOS功率管的漏极，其第三控制端连接VDMOS功率管的栅极，其输出端连接第一电容C1的一端，第一电容C1的另一端接地；VDMOS功率管体二极管的导通压降作为电源电压VDD。
控制模块包括振荡器、电荷泵电路、电压检测电路、驱动电路、第一电阻R1、第二电阻R2和高压PMOS管MP40，振荡器和电荷泵电路的电源端连接第一控制端，由电源电压VDD供电；电荷泵电路的输入端连接振荡器的输出端，其输出电压连接电压检测电路的输入端，电荷泵电路的输出电压用于产生电压检测电路的供电电压VDDH，供电电压VDDH连接驱动电路的电源端和控制模块的输出端；电压检测电路的输出端连接驱动电路的输入端和振荡器的时钟控制端，并通过第二电阻R2后连接高压PMOS管MP40的栅极；驱动电路的输出端连接第三控制端；第一电阻R1接在第一控制端和高压PMOS管MP40的栅极之间；高压PMOS管MP40的漏极连接第二控制端，其源极接地。
其中电压检测电路包括检测模块、带隙基准源模块和比较器模块，带隙基准源模块用于产生带隙基准电压Vref并输出给比较器模块的第一输入端，检测模块包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管MP7、第三电阻R3、第四电阻R4和第五电阻R5，第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1、第二NMOS管MN2和第三PMOS管MP3、第三NMOS管MN3和第四PMOS管MP4、第四NMOS管MN4和第五PMOS管MP5、第五NMOS管MN5和第六PMOS管MP6各构成五个反相器，第七PMOS管MP7的漏极作为电压检测电路的输入端，其源极产生供电电压VDDH，其栅极连接第四NMOS管MN4、第五PMOS管MP5、第一NMOS管MN1和第一PMOS管MP1的栅极以及第四PMOS管MP4和第三NMOS管MN3的漏极；第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5和第六PMOS管MP6的源极连接供电电压VDDH；第四电阻R4和第五电阻R5串联并接在供电电压VDDH和比较器模块的第二输入端之间，第三电阻R3接在比较器模块的第二输入端和地之间；第二PMOS管MP2的栅极连接第一PMOS管MP1和第一NMOS管MN1的漏极，其漏极通过第六电阻R6后连接第四电阻R4和第五电阻R5的串联点；第二NMOS管MN2的栅极连接第三PMOS管MP3的栅极和比较器模块的输出端，其源极连接第一NMOS管MN1、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4和第五NMOS管MN5的源极并接地，其漏极连接第三PMOS管MP3的漏极、第三NMOS管MN3和第四PMOS管MP4的栅极；第五NMOS管MN5的栅极连接第六PMOS管MP6的栅极、第四NMOS管MN4和第五PMOS管MP5的漏极，其漏极连接第六PMOS管MP6的漏极并作为电压检测电路的输出端。
带隙基准源模块用于产生带隙基准电压Vref作为比较器模块的一个输入信号，如图4所示是带隙基准源模块的一种实现电路结构，包括第七电阻R7、第八电阻R8、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10和第十一PMOS管MP11，其中第八PMOS管MP8、第九PMOS管MP9、第十PMOS管MP10和第十一PMOS管MP11组成共源共栅电流镜，第十PMOS管MP10的栅漏短接并连接第十一PMOS管MP11的栅极和第八PMOS管MP8的源极，其源极连接第十一PMOS管MP11的源极和供电电压VDDH；第九PMOS管MP9的栅极连接第八PMOS管MP8的栅极和漏极以及第二三极管Q2的集电极，其源极连接第十一PMOS管MP11的漏极，其漏极连接第一三极管Q1的基极和集电极以及第二三极管Q2的基极并作为带隙基准源模块的输出端；第七电阻R7和第八电阻R8串联并接在第二三极管Q2的发射极和地之间，其串联点连接第一三极管Q1的发射极。
比较器模块可以使用多级比较器，用于保证比较器的增益足够大，防止比较器输出电压卡死在中间态，如图4所示是比较器模块的一种实现电路结构，包括第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7、第八NMOS管MN8、第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、第十四PMOS管MP14、第十五PMOS管MP15、第十六PMOS管MP16和第十七PMOS管MP17，其中第十二PMOS管MP12、第十三PMOS管MP13、第十四PMOS管MP14和第十五PMOS管MP15组成共源共栅电流镜，第十六PMOS管MP16的栅极作为比较器模块的第一输入端，其源极连接第十五PMOS管MP15的漏极和第十七PMOS管MP17的源极，其漏极连接第六NMOS管MN6的栅极和漏极以及第七NMOS管MN7的栅极；第十七PMOS管MP17的栅极作为比较器模块的第二输入端，其漏极连接第七NMOS管MN7的漏极和第八NMOS管MN8的栅极；第六NMOS管MN6、第七NMOS管MN7和第八NMOS管MN8的源极接地；第十三PMOS管MP13的漏极连接第八NMOS管MN8的漏极并作为比较器模块的输出端，其栅极连接第十五PMOS管MP15的栅极和带隙基准源模块中第八PMOS管MP8的栅极，其源极连接第十四PMOS管MP14的漏极；第十二PMOS管MP12的栅极连接第十四PMOS管MP14的栅极和带隙基准源模块中第八PMOS管MP8的源极，其漏极连接第十五PMOS管MP15的源极，其源极连接第十四PMOS管MP14的源极并连接供电电压VDDH。
本发明的工作原理为：当电流从第一控制端D+经VDMOS功率管流向第二控制端D-时，VDMOS功率管的体二极管导通，设其电压为VF1，此电压即为电源电压VDD为控制模块供电，控制模块中的振荡器和电荷泵电路的电源端连接电源电压VDD；振荡器由电压检测电路输出的时钟信号EN控制，时钟信号EN为低时振荡器开启，时钟信号EN为高时振荡器关断；振荡器开启时产生时钟信号CLK和CLK_N驱动电荷泵电路，电荷泵电路将为其供电的电源电压VDD泵升，输出高电压CP；电压检测电路用于检测电荷泵电路的输出的高电压CP，电荷泵电路输出的高电压CP通过电压检测电路中的第七PMOS管MP7产生供电电压VDDH为第一电容C1充电，当输出电压达到预设上限(即VDMOS功率管开启的预设值)时，输出信号EN为高电平，关断振荡器，此时驱动电路的输出信号也为高电平VDDH，第三控制端G输出高电平VDDH，打开VDMOS功率管，VDMOS功率管两端压降下降到VF2，控制模块关闭，不再对第一电容C1充电。随着第一电容C1的电荷消耗，当第一电容C1上的电压下降到预设下限(即VDMOS功率管关断的预设值)时，控制模块输出低电平VSS关闭VDMOS功率管，此时VDMOS功率管两端电压重新恢复到VF1，电荷泵电路继续泵升电压对第一电容C1充电。最终，VDMOS功率管两端压降在VF1与VF2之间切换。其中，电容C1的预设上限和预设下限即为VDMOS功率管的预设上限和预设下限，由电压检测电路设定，预设上限的理论值大于实际设置的预设上限值即可，预设下限的数值要使VDMOS功率管充分导通，即使导通电阻尽可能小。
由于开启VDMOS功率管需要更大的驱动能力，所以使用驱动电路将电压检测电路的输出信号驱动能力增强再连接到VDMOS功率管的栅极控制VDMOS功率管。电荷泵电路包含多级电荷泵单元，可根据预设驱动电压的值对电荷泵电路的级数进行设计，当需要较大的驱动电压时可以设计更多级的电荷泵，CP＝VDD*(N+1)，N为电荷泵级数。
如图3所示为本发明提出的一种用于旁路开关的电压检测控制电路的输出波形图。设一个周期为T，VDMOS功率管开启的时间为T1，VDMOS功率管关闭时间为T2，VDMOS功率管开启的占空比如公式所示：
旁路开关的电压检测控制电路的平均导通压降如公式所示：
Vave＝m*VF1+(1-m)*VF2
由于VF1接近二极管的导通压降又远大于VF2，且占空比m通常很小，因此平均导通压降Vave远小于二极管的导通压降。
如图5所示，为本发明的电压检测电路输出示意图。电压V1和V2为电容C1的预设上限和预设下限，作为有效的驱动电压，电荷泵充电时间为T1，放电时间为T2。电荷泵的效率为：
综上所述，相比于传统的肖特基旁路二极管，本发明提供的电压检测控制电路用于VDMOS功率管作主开关管的旁路开关，具有平均导通压降明显降低、反向耐压更高、漏电流更小等优点；本发明基于电荷泵进行旁路开关模块的设计，通过交替的操作实现充电阶段与放电阶段，电荷泵转换输入电压源为驱动电压，驱动VDMOS功率管，从而提高旁路开关驱动效率，明显降低平均导通压降，采用VDMOS功率管和高压耐压管，使旁路开关控制电路具有更高的反向耐压值和实现更小的漏电。传统旁路开关模块采用集电极电压变化对预设电压进行改变，而电荷泵泵升电压因为波动比较大，在电压较高时容易出现震荡，针对旁路开关模块预设电压因为电源纹波较大导致的误触发问题，本发明的电压检测电路采用内置比较器的结构，保障了预设电压的可靠性。
可以理解的是，本发明不限于上文示出的精确配置和组件。在不脱离权利要求书的保护范围基础上，可以对上文所述方法和结构的步骤顺序、细节及操作做出各种修改和优化。

Claims (3)

1.一种用于旁路开关的电压检测控制电路，所述旁路开关使用VDMOS功率管作主开关管，所述电压检测控制电路包括第一电容(C1)和控制模块，其特征在于，所述控制模块包括三个控制端和一个输出端，其第一控制端连接所述VDMOS功率管的源极并连接电源电压(VDD)，其第二控制端连接所述VDMOS功率管的漏极，其第三控制端连接所述VDMOS功率管的栅极，其输出端连接第一电容(C1)的一端，第一电容(C1)的另一端接地；所述VDMOS功率管体二极管的导通压降作为所述电源电压(VDD)；
所述控制模块包括振荡器、电荷泵电路、电压检测电路、驱动电路、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和高压PMOS管(MP40)，
振荡器和电荷泵电路的电源端连接所述第一控制端，由所述电源电压(VDD)供电；
所述电荷泵电路的输入端连接所述振荡器的输出端，其输出电压连接所述电压检测电路的输入端，所述电荷泵电路的输出电压用于产生所述电压检测电路的供电电压(VDDH)，所述供电电压(VDDH)连接驱动电路的电源端和所述控制模块的输出端；
所述电压检测电路的输出端连接所述驱动电路的输入端和所述振荡器的时钟控制端，并通过第二电阻(R2)后连接高压PMOS管(MP40)的栅极；
所述驱动电路的输出端连接所述第三控制端；
第一电阻(R1)接在所述第一控制端和高压PMOS管(MP40)的栅极之间；
高压PMOS管(MP40)的漏极连接所述第二控制端，其源极接地；
所述电压检测电路包括检测模块、带隙基准源模块和比较器模块，所述带隙基准源模块用于产生带隙基准电压(Vref)并输出给所述比较器模块的第一输入端，
所述检测模块包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)、第五NMOS管(MN5)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第七PMOS管(MP7)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)和第五电阻(R5)，
第七PMOS管(MP7)的漏极作为所述电压检测电路的输入端，其源极产生所述供电电压(VDDH)，其栅极连接第四NMOS管(MN4)、第五PMOS管(MP5)、第一NMOS管(MN1)和第一PMOS管(MP1)的栅极以及第四PMOS管(MP4)和第三NMOS管(MN3)的漏极；
第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)和第六PMOS管(MP6)的源极连接所述供电电压(VDDH)；
第四电阻(R4)和第五电阻(R5)串联并接在所述供电电压(VDDH)和所述比较器模块的第二输入端之间，第三电阻(R3)接在所述比较器模块的第二输入端和地之间；
第二PMOS管(MP2)的栅极连接第一PMOS管(MP1)和第一NMOS管(MN1)的漏极，其漏极通过第六电阻(R6)后连接第四电阻(R4)和第五电阻(R5)的串联点；
第二NMOS管(MN2)的栅极连接第三PMOS管(MP3)的栅极和所述比较器模块的输出端，其源极连接第一NMOS管(MN1)、第三NMOS管(MN3)、第四NMOS管(MN4)和第五NMOS管(MN5)的源极并接地，其漏极连接第三PMOS管(MP3)的漏极、第三NMOS管(MN3)和第四PMOS管(MP4)的栅极；
第五NMOS管(MN5)的栅极连接第六PMOS管(MP6)的栅极、第四NMOS管(MN4)和第五PMOS管(MP5)的漏极，其漏极连接第六PMOS管(MP6)的漏极并作为所述电压检测电路的输出端。
2.根据权利要求1所述的用于旁路开关的电压检测控制电路，其特征在于，所述带隙基准源模块包括第七电阻(R7)、第八电阻(R8)、第一三极管(Q1)、第二三极管(Q2)、第八PMOS管(MP8)、第九PMOS管(MP9)、第十PMOS管(MP10)和第十一PMOS管(MP11)，
第十PMOS管(MP10)的栅漏短接并连接第十一PMOS管(MP11)的栅极和第八PMOS管(MP8)的源极，其源极连接第十一PMOS管(MP11)的源极和所述供电电压(VDDH)；
第九PMOS管(MP9)的栅极连接第八PMOS管(MP8)的栅极和漏极以及第二三极管(Q2)的集电极，其源极连接第十一PMOS管(MP11)的漏极，其漏极连接第一三极管(Q1)的基极和集电极以及第二三极管(Q2)的基极并作为所述带隙基准源模块的输出端；
第七电阻(R7)和第八电阻(R8)串联并接在第二三极管(Q2)的发射极和地之间，其串联点连接第一三极管(Q1)的发射极。
3.根据权利要求2所述的用于旁路开关的电压检测控制电路，其特征在于，所述比较器模块包括第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)、第八NMOS管(MN8)、第十二PMOS管(MP12)、第十三PMOS管(MP13)、第十四PMOS管(MP14)、第十五PMOS管(MP15)、第十六PMOS管(MP16)和第十七PMOS管(MP17)，
第十六PMOS管(MP16)的栅极作为所述比较器模块的第一输入端，其源极连接第十五PMOS管(MP15)的漏极和第十七PMOS管(MP17)的源极，其漏极连接第六NMOS管(MN6)的栅极和漏极以及第七NMOS管(MN7)的栅极；
第十七PMOS管(MP17)的栅极作为所述比较器模块的第二输入端，其漏极连接第七NMOS管(MN7)的漏极和第八NMOS管(MN8)的栅极；第六NMOS管(MN6)、第七NMOS管(MN7)和第八NMOS管(MN8)的源极接地；
第十三PMOS管(MP13)的漏极连接第八NMOS管(MN8)的漏极并作为所述比较器模块的输出端，其栅极连接第十五PMOS管(MP15)的栅极和所述带隙基准源模块中第八PMOS管(MP8)的栅极，其源极连接第十四PMOS管(MP14)的漏极；
第十二PMOS管(MP12)的栅极连接第十四PMOS管(MP14)的栅极和所述带隙基准源模块中第八PMOS管(MP8)的源极，其漏极连接第十五PMOS管(MP15)的源极，其源极连接第十四PMOS管(MP14)的源极并连接所述供电电压(VDDH)。
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