CN108321092A - 电路部件的制造方法和电路部件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供容易实现基板的对位的电路部件的制造方法和电路部件。电路部件的制造方法包括以下工序:在第一模具(1)设置第一安装完成基板(10);在第二模具(2)设置第二安装完成基板(20);在包含第一模具(1)和第二模具(2)的成型模具设置密封材料(41、49);以及进行第一模具(1)与第二模具(2)的合模。进行以下处理中的至少一方:在设置第一安装完成基板(10)的工序中使第一模具(1)的凹部或凸部(11a)与第一安装完成基板(10)的凸部或凹部(11b)嵌合,以及在设置第二安装完成基板(20)的工序中使第二模具(2)的凹部或凸部(21a)与第二安装完成基板(20)的凸部或凹部(21b)嵌合。
Description
技术领域
本发明涉及一种电路部件的制造方法和电路部件。
背景技术
例如,在专利文献1中记载了以下的方法:在将搭载有电子部件的第一基板的连接部与金属棒状的端子的一端部进行电连接并且将搭载有电子部件的第二基板的连接部与金属棒状的端子的另一端部进行电连接之后,将电子部件用模塑树脂进行密封,由此制造电子装置。
专利文献1:日本特开2015-76547号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,在专利文献1所记载的方法中,存在第一基板和第二基板的对位困难这样的问题。
用于解决问题的方案
根据此处公开的实施方式,能够提供一种电路部件的制造方法,电路部件具有第一安装完成基板和第二安装完成基板,其中,第一安装完成基板在一面安装有第一电子部件,第二安装完成基板在一面安装有第二电子部件,电路部件的制造方法包括以下工序:以第一安装完成基板的另一面配置于第一模具的模具表面的方式,在第一模具的模具表面设置第一安装完成基板;以第二安装完成基板的另一面配置于第二模具的模具表面的方式,在与第一模具的模具表面对置的第二模具的模具表面设置第二安装完成基板;向包含第一模具和第二模具的成型模具提供密封材料;进行第一模具与第二模具的合模;使在进行第一模具与第二模具的合模的工序之后在第一安装完成基板的一面与第二安装完成基板的一面之间的空间内由密封材料生成的流动树脂固化来使固化树脂成型;利用固化树脂来对第一电子部件和第二电子部件进行树脂密封;以及将对第一电子部件和第二电子部件进行了树脂密封的密封完成构件取出,其中,在第一安装完成基板和第二安装完成基板中的至少一方设置信号收发部,该信号收发部用于在电路部件与电路部件的外部之间进行电信号的收发,在电路部件的制造方法中,进行以下定位中的至少一方:在设置第一安装完成基板的工序中通过使第一模具的凹部与第一安装完成基板的凸部嵌合或者使第一模具的凸部与第一安装完成基板的凹部嵌合来进行的定位,以及在设置第二安装完成基板的工序中通过使第二模具的凹部与第二安装完成基板的凸部嵌合或者使第二模具的凸部与第二安装完成基板的凹部嵌合来进行的定位。
在此处公开的实施方式的电路部件的制造方法中,也可以是,在进行合模的工序之前进行提供密封材料的工序,在进行合模的工序之后且在使固化树脂成型的工序之前,使流动树脂从第一安装完成基板的一面与第二安装完成基板的一面之间的空间的外部流入空间。
在此处公开的实施方式的电路部件的制造方法中,也可以是,在进行合模的工序之前进行提供密封材料的工序,在提供密封材料的工序中,向第一安装完成基板的一面上和第二安装完成基板的一面上这两方中的至少一方提供密封材料。
在此处公开的实施方式的电路部件的制造方法中,也可以是,还包含对密封完成构件进行追加工的工序。
在此处公开的实施方式的电路部件的制造方法中,也可以是,包括以下工序:准备第一安装完成基板,第一安装完成基板是在第一安装完成基板的一面所具有的第一基板间连接用焊盘设置有从第一安装完成基板的一面突出的连接用构件的基板;以及准备第二安装完成基板,第二安装完成基板是在第二安装完成基板的一面所具有的第二基板间连接用焊盘设置有导电材料的基板,在电路部件的制造方法中,在进行第一模具与第二模具的合模的工序中,使连接用构件与第二基板间连接用焊盘相接触,导电材料具有在流动树脂固化的温度下软化的特性,在使固化树脂成型的工序中,导电材料软化之后固化。
在此处公开的实施方式的电路部件的制造方法中,也可以是,包括以下工序:准备第一安装完成基板,第一安装完成基板是在第一安装完成基板的一面所具有的第一基板间连接用焊盘设置有从第一安装完成基板的一面突出的连接用构件的基板;以及准备第二安装完成基板,第二安装完成基板是在第二安装完成基板的一面设置有第二基板间连接用焊盘的基板,在电路部件的制造方法中,在使固化树脂成型的工序中,使流动树脂固化来使固化树脂成型时所产生的压缩应力向第二基板间连接用焊盘按压连接用构件,由此将连接用构件与第二基板间连接用焊盘电连接。
根据此处公开的实施方式,能够提供一种电路部件,具有第一安装完成基板和第二安装完成基板,电路部件具备:所述第一安装完成基板,其具有一面;第二安装完成基板,其具有与第一安装完成基板的一面对置的一面;第一电子部件,其安装于第一安装完成基板的一面;第二电子部件,其安装于第二安装完成基板的一面;第一基板间连接用焊盘,其设置于第一安装完成基板的一面;连接用构件,其在第一安装完成基板的一面以从第一基板间连接用焊盘突出的方式设置;第二基板间连接用焊盘,其设置于第二安装完成基板的一面且与第一基板间连接用焊盘对置;信号收发部,其设置于第一安装完成基板和第二安装完成基板中的至少一方,用于在电路部件与电路部件的外部之间进行电信号的收发;固化树脂,其是在第一安装完成基板的一面与第二安装完成基板的所述一面之间的空间使流动树脂固化成型而得到的;以及被加工面,其是通过对密封完成构件的至少一部分进行加工而形成的,该密封完成构件具有设置于第一安装完成基板的另一面和第二安装完成基板的另一面中的至少一方、且使用于与固化树脂成型时使用的第一模具和第二模具中的至少一方的定位的凸部或者凹部,其中,至少第一电子部件、第二电子部件、第一基板间连接用焊盘、连接用构件以及第二基板间连接用焊盘被固化树脂树脂密封,第一基板间连接用焊盘和第二基板间连接用焊盘通过连接用构件电连接。
在此处公开的实施方式的电路部件中,也可以是,连接用构件与第二基板间连接用焊盘直接接触或者连接用构件与第二基板间连接用焊盘经由导电材料间接接触,由此第一基板间连接用焊盘与第二基板间连接用焊盘电连接。
在此处公开的实施方式的电路部件中,也可以是,在连接用构件与第二基板间连接用焊盘直接接触的状态下,使流动树脂固化来使固化树脂成型时所产生的压缩应力向第二基板间连接用焊盘按压连接用构件,由此第一基板间连接用焊盘、连接用构件以及第二基板间连接用焊盘电连接。
在此处公开的实施方式的电路部件中,也可以是,包含具有特定功能的功能部,该功能部设置于第一安装完成基板的另一面和第二安装完成基板的另一面中的至少一方。
在此处公开的实施方式的电路部件中,也可以是,信号收发部包含连接器和电缆中的至少一方。
在此处公开的实施方式的电路部件中,也可以是,信号收发部包含无线通信用集成电路。
发明的效果
根据此处公开的实施方式,能够提供一种与专利文献1所述的方法相比更容易进行基板的对位的电路部件的制造方法和电路部件。
附图说明
图1的(a)~(d)是对实施方式1的电路部件的制造方法和电路部件进行图解的示意性的截面图。
图2的(a)~(e)是对实施方式2的电路部件的制造方法和电路部件进行图解的示意性的截面图。
图3的(a)~(c)是对实施方式3的电路部件的制造方法和电路部件进行图解的示意性的截面图。
附图标记说明
1:下模具;1a:底部;2:上模具;10:第一安装完成基板;10a:基板;11:定位部;11a:定位销(凸部);11b:定位孔(凹部);20:第二安装完成基板;20a:基板;21:定位部;21a:定位销(凸部);21b:定位孔(凹部);22:定位部;22a:连接器用焊盘;22b:传感器用焊盘;23:凸块;24:连接器(信号收发部);25a、25b:空腔;26:基板间连接用焊盘(第二基板间连接用焊盘);27:导电性糊剂(导电材料);28:芯片用焊盘;28a:凸块;29:芯片;30:功能部;31a、31b、31c:吸引孔;32:传感器芯片;33:凸块;34:底部填充剂;35:连接用构件;36:假想线;37:基板间连接用焊盘(第一基板间连接用焊盘);38:芯片用焊盘;39:凸块;40:芯片;41:空腔;42:功能部;43:浇口;44:流道;45:残料部;46:罐;47:树脂片;48:柱塞;49:流动树脂;50:密封完成构件;51:固化树脂;53:不需要的部分;61:粒状树脂;62:引线;63:旋转刀;71:载置台;72:槽;73:电路部件;82:基板间连接用焊盘;83:收容部;84:流路;85:基板间连接部;87:外部连接部。
具体实施方式
下面,说明实施方式。此外,在实施方式的说明中所使用的附图中,设为相同的参照标记表示同一部分或者相当部分。为了容易理解,对本申请文件中的所有附图进行了适当省略或者夸张地示意性描绘。
<实施方式1>
在图1的(a)~(d)中示出对实施方式1的电路部件的制造方法和电路部件进行图解的示意性的截面图。下面,参照图1的(a)~(d)来说明实施方式1的电路部件的制造方法。在实施方式1中,特征在于通过传递成型来制造电路部件这点。
首先,如图1的(a)所示,设置下模具1以及与下模具1对置的上模具2。下模具1和上模具2同时被包含在成型模具中。
在下模具1设置第一安装完成基板10,并且在上模具2设置第二安装完成基板20。在实施方式1中,向下模具1的第一安装完成基板10的设置是通过使下模具1的定位销(凸部)11a与第一安装完成基板10的定位孔(凹部)11b嵌合来进行的。在实施方式1中,向上模具2的第二安装完成基板20的设置是通过使上模具2的定位销(凸部)21a与第二安装完成基板20的定位孔(凹部)21b嵌合来进行的。由定位销11a和定位孔11b构成定位部11,由定位销21a和定位孔21b构成定位部21。关于在下模具1设置第一安装完成基板10的工序和在上模具2设置第二安装完成基板20的工序的顺序,没有特别地进行限定,也可以同时地进行这些工序。
下模具1具备作为凹部的空腔41。如后所述,存在于作为空间的空腔41的流动树脂固化,由此固化树脂成型。下模具1按与空腔41连接的浇口43、流道44以及残料部(cull)45的顺序而具备这些部分。残料部45的下方设置有罐(pot)46。罐46是设置于下模具1与上模具2之间(在本实施例中为设置于下模具1)的用于提供树脂材料(密封材料)的空间。在罐46的内部设置包含热固化性树脂的树脂片47来作为密封材料。在当沿图1的上下方向观察时(称为“俯视时”。在其它的附图中也相同。),下模具1的空腔41的周缘部具备作为下模具1的凸部的定位销11a。
在下模具1中的空腔41的底部1a设置有贯通底部1a的多个吸引孔31a。第一安装完成基板10通过在多个吸引孔31a处被吸引来临时地固定于下模具1的模具表面、具体地说空腔41的内底面(形成空腔41的底的模具表面)。
第一安装完成基板10在基板10a的一面(在图1中为上表面)上具备基板间连接用焊盘37和芯片用焊盘38,并且在基板间连接用焊盘37上具备连接用构件35,还在芯片用焊盘38上具备经由凸块39安装的芯片(第一电子部件)40。第一安装完成基板10在基板10a的另一面(在图1中为下表面)上具备功能部42。在第一安装完成基板10的基板10a设置有作为第一安装完成基板10的凹部的定位孔11b。能够将连接用构件35的形状设为例如图1的(a)所示的突出的环状的形状,既可以是圆弧状,也可以是抛物线状,还可以是如长方形的一部分那样的形状。作为连接用构件35的材料,例如能够使用铜、金或者铝等的金属线(引线)。连接用构件35的上端在俯视时与下模具1的空腔41的周边处的下模具1的模具表面(上表面)相比向上侧突出。
在上模具2设置有贯通上模具2的多个吸引孔31b。第二安装完成基板20通过在多个吸引孔31b处被吸引来临时地固定在上模具2的模具表面(下表面)。上模具2在俯视时在多个吸引孔31b的外侧具备作为上模具2的凸部的定位销21a。
第二安装完成基板20在基板20a的一面(下表面)上具备基板间连接用焊盘26和芯片用焊盘28,并且在基板间连接用焊盘26上具备导电性糊剂(导电材料)27,还在芯片用焊盘28上具备经由凸块28a安装的芯片(第二电子部件)29。第二安装完成基板20在基板20a的另一面(上表面)上具备功能部30。另外,第二安装完成基板20在基板20a的上表面上具备连接器用焊盘22a,并且在连接器用焊盘22a上具备经由凸块23安装的连接器24。第二安装完成基板20还在基板20a的上表面上具备传感器用焊盘22b,并且在传感器用焊盘22b上具备经由凸块33安装的传感器芯片32,在基板20a的上表面与传感器芯片32之间具备底部填充剂34。连接器24被收容在上模具2的凹部25a内,传感器芯片32被收容在上模具2的凹部25b内。在第二安装完成基板20的基板20a设置有作为第二安装完成基板20的凹部的定位孔21b。
接着,如图1的(b)所示,进行下模具1和上模具2的合模。由此,第一安装完成基板10的连接用构件35的上端经由导电性糊剂27来与第二安装完成基板20的基板间连接用焊盘26电连接。也可以是,连接用构件35的上端与基板间连接用焊盘26直接接触,其接触部的周围被导电性糊剂27覆盖。也可以是,连接用构件35翘曲地变形,连接用构件35与基板间连接用焊盘26电连接。无论在哪种情况下,基板间连接用焊盘37与基板间连接用焊盘26都通过连接用构件35电连接。
作为导电性糊剂27,例如能够使用导电性树脂糊剂或者低温溶融焊锡糊剂等。导电性糊剂27能够设为例如在树脂材料(在本实施方式中为树脂片47)溶融的温度和固化的温度下具有流动性。导电性糊剂27只要在树脂材料溶融的温度和固化的温度下软化而在树脂材料的温度从溶融的温度恢复到常温的过程中固化即可。在本申请书中“软化”包含“溶融”。
接着,如图1的(b)~(c)所示,通过使由溶融树脂构成的液状的流动树脂49流入合模的下模具1与上模具2之间来向合模的下模具1与上模具2之间提供流动树脂49。液状的流动树脂49是通过将树脂片47进行加热溶融来生成的。流动树脂49通过被柱塞48按压而从流道44和浇口43通过后流入下模具1的空腔41。在这种情况下,不论流动树脂49的流动性(粘性)的程度如何。流动树脂49的流动性只要是能够通过被柱塞48按压来移动的程度即可。通过传递成型,流动树脂49从包含第一安装完成基板10的上表面与第二安装完成基板20的下表面之间的空间的空腔41的外侧流入空腔41。
之后,如图1的(c)~(d)所示,通过对流动树脂49进一步加热来利用使流动树脂49固化所得到的固体状的固化树脂51对电子部件(芯片29、40)进行密封。具体地说,至少芯片29、40、基板间连接用焊盘37、连接用构件35、导电性糊剂27以及基板间连接用焊盘26被固化树脂51覆盖。固化树脂51作为对电子部件(芯片29、40)等进行树脂密封的密封树脂发挥功能。
之后,进行下模具1和上模具2的开模。由此,能够将通过固化树脂51将第一安装完成基板10与第二安装完成基板20接合所得到的密封完成构件(密封完成基板、成型品)50取出到外部。之后,在密封完成构件50的固化树脂51的相当于浇口43的位置处向不需要的部分53施加外力。例如,通过对不需要的部分53沿图1中的顺时针的方向施加外力,从固化树脂51切断(分离)不需要的部分53来去除该不需要的部分53。通过目前为止的工序,能够获得作为产品(完成品)的电路部件(基于浇口切断(gate cutting)的第一方法)。
根据第一方法,在被加工面形成由于向不需要的部分53施加外力而不需要的部分53被分离所导致的加工痕迹(断裂的痕迹)。除此之外,由于向不需要的部分53施加外力,在相当于被加工面的基板10a的下表面形成由于将不需要的部分53从第一安装完成基板所包含的基板10a的下表面剥离所导致的加工痕迹(不需要的部分53被剥离的痕迹)。
沿着图1的从跟前向内部的方向延伸的假想线36(图1中为了便于说明以沿着纵向延伸的线表示),使用切断单元来对密封完成构件50进行切断。例如,通过使用具有磨粒的切断单元(旋转刀、钢丝锯等)、利用热的切断单元(激光的照射等),也能够获得作为产品的电路部件(基于切断密封完成构件50的整个厚度(全切割(full cutting))的第二方法)。
根据第二方法,在使用具有磨粒的切断单元的情况下,在被加工面形成由磨粒引起的第一加工痕迹(研磨痕迹)。在使用利用热的切断单元的情况下,在被加工面形成由热引起的第二加工痕迹。有时第二加工痕迹是作为切断对象物的密封完成构件50由于热而局部溶融之后固化的痕迹。有时第二加工痕迹是由于在密封完成构件50的厚度方向的内部热膨胀而密封完成构件50断裂所形成的痕迹。
在使用基于浇口切断的工序的第一方法和基于全切割的工序的第二方法中的任一方法的情况下,电路部件的一部分都包含由于切断而形成的被加工面(被切断面)。第二方法在俯视时能够缩小电路部件的占有面积这点上比第一方法更为优选。浇口切断的工序和全切割的工序分别相当于对密封完成构件50进行追加工的工序。
在作为产品的电路部件中,功能部30、42例如能够作为由金属膜、金属箔或者金属板构成的散热板发挥功能。与信号系统图案电连接的功能部30、42例如能够作为天线发挥功能。
在作为产品的电路部件中,与接地图案电连接的功能部30、42能够作为由金属膜、金属箔、金属板或者导电性树脂层构成的电磁屏蔽板发挥功能。也可以采用以下结构:在第一安装完成基板10与第二安装完成基板20之间的空间,设置俯视时遍及外缘部附近的整周的围栏状的金属板,将该金属板与接地图案电连接。优选的是,金属板将第一安装完成基板10与第二安装完成基板20之间的间隔全部塞住。优选的是,俯视时金属板将电子部件(芯片29、40)无裂缝地包围。电路部件中的这些结构提高电磁屏蔽板的电磁屏蔽能力。
功能部30、42例如也可以是太阳能电池等光电池、基于振动的发电机构、基于热的发电机构(Seebeck(塞贝克)元件等)。功能部30、42也可以是蓄电元件。在这些情况下,电路部件不从外部接受电源的供给就能够发挥功能。
功能部30、42中的散热板和光电池设置于第一安装完成基板10的另一面(在图1中为下表面)和第二安装完成基板20的另一面(在图1中为上表面)中的至少一方。功能部30、42中的除了散热板和光电池以外的部件能够设置于第一安装完成基板10和第二安装完成基板20的任何面。
在实施方式1的电路部件的制造方法中,通过使下模具1的定位销11a与第一安装完成基板10的定位孔11b嵌合并且使上模具2的定位销21a与第二安装完成基板20的定位孔21b嵌合,来进行第一安装完成基板10和第二安装完成基板20的定位。
另一方面,在专利文献1所记载的方法中,需要进行如下的非常精密的作业:在使金属棒状的端子分别与相互隔开间隔地配置的第一基板的连接部和第二基板的连接部这两方对位之后进行接触。另外,在专利文献1所记载的方法中,金属棒状的端子与第一基板的连接部和第二基板的连接部的连接通常不只在一个位置进行,需要在多个位置进行。并且,专利文献1所记载的第一基板的连接部和第二基板的连接部各自通常只具有非常小的面积。
根据以上的理由,实施方式1的电路部件的制造方法与专利文献1所记载的方法相比,能够使第一安装完成基板10和第二安装完成基板20的对位容易进行。
在通过实施方式1的方法制造出的电路部件中,能够使用安装于第二安装完成基板20的上表面的连接器24(和/或电缆)来进行电路部件与电路部件的外部的电连接。“电路部件的外部”这样的语句是指与该电路部件电连接的电子设备、其它电路基板等。除此之外,“电路部件与电路部件的外部的电连接”这样的语句是指能够进行电路部件与电路部件的外部之间的电信号(包含电源系统信号、控制系统信号以及数据信号)的收发。因而,连接器24(和/或电缆)作为用于在电路部件与电路部件的外部之间进行电信号的收发的信号收发部发挥功能。
在通过实施方式1的方法制造出的电路部件中,能够在第二安装完成基板20的上表面通过倒装芯片键合(flip chip bonding)来安装光电元件(CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor:互补金属氧化物半导体)照相机等)等传感器芯片32。安装的方式也可以是除了倒装芯片键合以外的方式。也可以将多个芯片安装于第二安装完成基板20的上表面。安装于第二安装完成基板20的上表面的传感器芯片32也可以被树脂密封。在第一安装完成基板10的下表面也可以采用安装于第二安装完成基板20的上表面的传感器芯片32等的各种结构。也能够在其它的实施方式中采用实施方式1中所说明的电路部件的结构。
由传感器芯片32检测的物理量除了是光以外,也可以是位移、加速度、振动、压力(包含气压)、温度、湿度等。代替传感器芯片32,也可以是存储器、控制器、CPU(CentralProcessing Unit:中央处理单元)、ECU(Electronic Control Unit:电子控单元)、晶体管等芯片。
此外,在实施方式1中,进行使下模具1的定位销11a与第一安装完成基板10的定位孔11b嵌合和使上模具2的定位销21a与第二安装完成基板20的定位孔21b嵌合这两方,但是也可以只进行其中某一方。
在实施方式1中,在下模具1设置作为凸部的定位销11a并且在第一安装完成基板10设置作为凹部的定位孔11b来使它们嵌合,但是不限于该结构,也可以在下模具1设置作为凹部的定位孔11b且在第一安装完成基板10设置作为凸部的定位销11a等来使它们嵌合。
在实施方式1中,在上模具2设置作为凸部的定位销21a并且在第二安装完成基板20设置作为凹部的定位孔21b来使它们嵌合,但是不限于该结构,也可以在上模具2设置作为凹部的定位孔21b且在第二安装完成基板20设置作为凸部的定位销21a等来使它们嵌合。
作为定位的变形例,采用以下的结构。在第一变形例中,采用了在下模具1的模具表面(上表面)或者上模具2的模具表面(下表面)中的至少一方设置俯视时为“L”字状的凹部的结构。在俯视时为“L”字状的凹部中的右上侧的模具表面配置安装完成基板。通过在俯视时为“L”字状的凹部中的左下的角部接触安装完成基板的左下的角部来在下模具1的模具表面定位安装完成基板。
在第二变形例中,采用了使设置于下模具1的空腔41的平面形状稍大于第一安装完成基板10的平面形状的结构。第一安装完成基板10沿着构成空腔41的下模具1的内壁面配置于空腔41的内底面。
在上述的两个变形例中,第一,形成于下模具1的凹部(包含空腔41)作为成型模具的定位用的凹部发挥功能。第二,第一安装完成基板10本身作为第一安装完成基板10的定位用的凸部发挥功能。
在实施方式1中,在进行了下模具1和上模具2的合模之后使流动树脂49流入下模具1与上模具2之间,但是也可以例如以下的实施方式2和实施方式3所示那样在成为在下模具1与上模具2之间存在流动树脂49的状态之后进行下模具1和上模具2的合模。
在实施方式1中,作为第一安装完成基板,使用了在基板10a的上表面上安装有芯片40的第一安装完成基板10,并且作为第二安装完成基板,使用了在基板20a的下表面上安装有芯片29的第二安装完成基板20。第一安装完成基板和第二安装完成基板不限定于这些结构。作为第一安装完成基板和第二安装完成基板,只要使用在基板的至少一个面上安装有任意部件的基板即可。
在实施方式1中,使用了传递成型。也可以是,使用注塑成型来使流动树脂49从包含第一安装完成基板10的上表面与第二安装完成基板20的下表面之间的空间的空腔41的外侧流入空腔41。
在实施方式1中,使用了引线状的连接用构件35。只要根据流过连接用构件35的电流的值来决定连接用构件35的直径即可。作为连接用构件35,也可以使用金属箔、金属板。只要根据流过连接用构件35的电流的值来确定连接用构件35的厚度即可。也可以是,向基板间连接用焊盘37上喷出导电性树脂来形成柱状的连接用构件35。
在实施方式1中,在图1所示的下模具1中的罐46的左侧设置有一个空腔41。作为下模具1,也可以采用在相对于罐46的中心线线对称的位置设置残料部45、流道44、浇口43以及空腔41的结构。作为下模具1,也可以采用包含罐46、残料部45、流道44、浇口43以及空腔41的一个系统的树脂流路沿着图1的从跟前向内部的方向排列设置两个以上的结构。成型模具的这些结构能够从一个密封完成构件50制造多个电路部件(取出多个)。
<实施方式2>
在图2的(a)~(e)中示出对实施方式2的电路部件的制造方法和电路部件进行图解的示意性的截面图。下面,参照图2的(a)~(e)来说明实施方式2的电路部件的制造方法。在实施方式2中,特征在于通过压缩成型来制造多个电路部件这点。
首先,如图2的(a)所示,在下模具1设置第一安装完成基板10,并且在上模具2设置有第二安装完成基板20,之后向下模具1的空腔41提供固体状的粒状树脂61。连接用构件35的上端在俯视时与下模具1的空腔41的周围的模具表面(在附图中为下模具1的上表面)相比向上突出。
与实施方式1不同,下模具1不具备图1所示的浇口43、流道44以及残料部45。
第二安装完成基板20在基板20a的下表面上具备芯片用焊盘28和芯片29,但是与实施方式1不同,芯片用焊盘28与芯片29的焊盘的连接是通过引线62来进行的。另外,与实施方式1不同,在基板20a的上表面上没有安装连接器24和传感器芯片32。在实施方式2中,不使用连接器24等,因此能够使电路部件小型化。
在作为将芯片用焊盘28与芯片29连接的构件而使用引线且作为密封材料的树脂材料而使用粒状树脂或者粉状树脂的情况下,具有在提供树脂材料时施加到引线的外力增加的倾向。在这种情况下,从耐受施加到该构件的外力这样的观点考虑,优选的是如图1所示那样使用倒装芯片键合来连接芯片用焊盘28和芯片29的焊盘。在使用引线的情况下,优选的是使用具有大直径的由金属制成的引线。在使用由金属制成的带等的情况下,优选的是使用具有大厚度的由金属制成的带等。因而,在制造处理大电力的电路部件(例如电力控制用组件等)的情况下,适于使用粒状树脂或者粉状树脂。
在使用具有小直径的由金属制成的引线或者具有小厚度的由金属制成的带等的情况下,优选的是使用液状树脂(常温下具有流动性的树脂材料)。在这种情况下,液状树脂的流动性大的材料更为优选。
接着,通过如图2的(a)~(b)所示那样对提供到下模具1的空腔41的粒状树脂61进行加热来使其溶融,从而形成由溶融树脂构成的液状的流动树脂49。
接着,如图2的(c)所示那样进行下模具1和上模具2的合模。在下模具1和上模具2的合模的过程中,首先第一安装完成基板10的连接用构件35的上端与第二安装完成基板20的基板间连接用焊盘26进行接触。接着,安装于第二安装完成基板20的下表面(一面)的芯片29和第二安装完成基板20的下表面按顺序依次浸渍于在下模具1的空腔41存在的流动树脂49。之后,在下模具1和上模具2的合模完成的状态下,翘曲地变形的连接用构件35的上端与形成于第二安装完成基板20的下表面的基板间连接用焊盘26以直接被按压接触的状态(压接的状态)紧密接合。
作为连接用构件35,优选的是使用金或者镀金的金属。形成于第二安装完成基板20的下表面的基板间连接用焊盘26优选设为镀金的铜箔。通过设为这两个结构,能够可靠地实现形成于第二安装完成基板20的下表面的基板间连接用焊盘26与连接用构件35的电连接。
接着,如图2的(d)所示,通过对流动树脂49进一步加热,来利用使流动树脂49固化所得到的固体状的固化树脂51对电子部件(芯片29、40)进行密封,之后进行下模具1和上模具2的开模。由此,能够将通过固化树脂51将第一安装完成基板10与第二安装完成基板20接合所得到的密封完成构件(密封完成基板)50取出到外部。流动树脂49固化时所产生的压缩应力向形成于第二安装完成基板20的下表面上的基板间连接用焊盘26按压连接用构件35的上端。由此,形成于第二安装完成基板20的上表面的基板间连接用焊盘26和连接用构件35以相互压接的状态电连接。在图2的(d)中,用在密封完成构件50的侧方分别描绘的两个相向的粗箭头来表示流动树脂49固化时所产生的压缩应力。
在设为基板间连接用焊盘26与连接用构件35的电连接是通过流动树脂49固化时所产生的压缩应力来实现的结构的情况下,不需要导电性糊剂等材料。第一,该结构能够使电路部件在导电性糊剂等的溶融开始温度以上的温度下动作,因此提高电路部件的耐热性。第二,该结构降低基板间连接用焊盘26与连接用构件35之间的接触电阻,因此适于处理大电力的电路部件以及制造该电路部件的情况。第三,该结构降低电路部件的材料费。
在其它实施方式中也能够采用实施方式2所示的形成于第二安装完成基板20的下表面的基板间连接用焊盘26与连接用构件35的电连接是通过流动树脂49固化时所产生的压缩应力来实现的结构。根据该结构,不需要导电性糊剂等导电材料。因而,在其它实施方式中,该结构也提高电路部件的耐热性,适于处理大电力的电路部件以及制造该电路部件的情况,降低电路部件的材料费。
之后,如图2的(e)所示,以使切断位置(假想线36)位于在载置台71设置的槽72的方式,将密封完成构件50设置在载置台71上。在槽72收容旋转刀63的外缘。而且,通过设置于载置台71的吸引孔31c吸引空气,来将密封完成构件50吸附并临时固定于载置台71。之后,使用旋转刀63,沿假想线36将密封完成构件50切断来去除不需要的部分53。由此,能够获得作为产品的多个电路部件73。在实施方式2的情况下,在电路部件73的一部分也包含由于切断而形成的被加工面(被切断面)。沿各假想线36切断密封完成构件50的工序相当于对密封完成构件50进行追加工的工序。
通过实施方式2的方法制造出的电路部件与外部的电连接是通过安装于第二安装完成基板20的下表面的芯片(图2的(e)中示出四个)中的无线通信用IC的芯片来实现。在图2所示的例子中,四个芯片中的从左起第一个芯片29和第三个芯片29是无线通信用IC的芯片。无线通信用IC的芯片29作为用于在电路部件与电路部件的外部之间进行电信号的收发的信号收发部发挥功能。
在其它实施方式中也能够采用图2所示的实施例所记载的、通过安装于第二安装完成基板20的下表面的无线通信用IC的芯片29来实现电路部件与外部的电连接的结构。在采用了该结构的情况下,在其它实施方式中也不使用连接器等,因此能够将电路部件小型化。
也能够通过安装于这两张安装完成基板中的任一方的表面的无线通信用IC的芯片来进行第一安装完成基板10与第二安装完成基板20之间的信号的收发。该结构优选适用于具有大厚度的电路部件、例如电力控制用组件等。安装无线通信用IC的芯片的面优选为安装完成基板的被树脂密封的面。在这种情况下,该无线通信用IC的芯片代替连接用构件35或者与连接用构件35相同的作为连接用构件发挥功能。在这种情况下,基板间连接用焊盘37与基板间连接用焊盘26也通过设置于安装完成基板的任一方的面的连接用构件(无线通信用IC的芯片)电连接。
如图2的(e)所示,从图2的(e)的跟前向内部的方向延伸的多个(三个)假想线36沿着图2的(e)的左右方向排列。除此之外,通常分别沿着图2的(e)的左右方向延伸的多个(例如四个)假想线沿着从图2的(e)的跟前向内部的方向排列。在这种情况下,关于相当于一个电路部件的区域,作为沿着从图2的(e)的跟前向内部的方向延伸的多个列(column)且在图2的(e)的左右方向排列的列而设置两列。关于相当于一个电路部件的区域,作为沿图2的(e)的左右方向延伸的多个的行(row)且从图2的(e)的跟前向内部的方向排列的行而设置三行。因而,根据所述的例子,制造出6(=2×3)个电路部件。
根据实施方式2,在图2的(d)中示出通过固化树脂51将第一安装完成基板10和第二安装完成基板20接合所得到的密封完成构件50。在密封完成构件50中,芯片(第一电子部件)40和芯片(第二电子部件)29被树脂密封。也能够采用该密封完成构件50相当于作为产品的一个电路部件的结构。也可以沿着两端的假想线36将图2的(d)所示的密封完成构件50切断。沿着两端的假想线36切断密封完成构件50的工序相当于对密封完成构件50进行追加工的工序。
实施方式2中的除了上述以外的说明与实施方式1相同,因此省略其说明。
<实施方式3>
在图3的(a)~(c)中示出对实施方式3的电路部件的制造方法和电路部件进行图解的示意性的截面图。以下,参照图3的(a)~(c)来说明实施方式3的电路部件的制造方法。在实施方式3中,特征在于对于第一安装完成基板10的基板10a使用了非平板状的基板这点。
首先,如图3的(a)所示,在下模具1设置第一安装完成基板10并且在上模具2设置第二安装完成基板20,之后向下模具1的空腔41提供由溶融树脂构成的液状的流动树脂49。
下模具1与实施方式1和实施方式2不同,当俯视时在空腔41的外侧按顺序具备流路84和剩余树脂的收容部83。
第一安装完成基板10具有基板10a的一端沿着空腔41向斜上方延伸之后沿着下模具1向水平延伸的非平板状的形状。作为这种基板10a,例如能够使用挠性电路基板或者金属基底基板等。在图3的(a)中,公开了通过将由挠性电路基板构成的基板10a吸附到下模具1来沿下模具1的模具表面紧密接合的例子。第一安装完成基板10在基板10a的一端向斜上方延伸后水平延伸的位置具有基板间连接用焊盘37。
第二安装完成基板20在基板20a的定位孔21b的外侧具备基板间连接用焊盘82和基板间连接用焊盘82上的导电性糊剂27。
接着,如图3的(a)~(b)所示,进行下模具1和上模具2的合模。在下模具1和上模具2的合模完成的状态下,构成基板间连接部85,该基板间连接部85为第二安装完成基板20的基板间连接用焊盘82和第一安装完成基板10的基板间连接用焊盘37经由导电性糊剂27电连接而成的部件。
之后,如图3的(b)~(c)所示,通过对流动树脂49进一步加热,来利用使流动树脂49固化所得到的固体状的固化树脂51对电子部件(芯片29、40)进行密封之后,进行下模具1和上模具2的开模。由此,能够将通过固化树脂51将第一安装完成基板10与第二安装完成基板20接合所得到的密封完成构件(密封完成基板)50取出到外部。
之后,例如使用旋转刀来沿着图3的(c)的右侧以虚线表示的假想线36将密封完成构件50切断。密封完成构件50中的去除了不需要的部分53的部分(假想线36的左侧的部分)被获得为电路部件。图3的(c)的左端的电路部件的部分构成外部连接部87。沿着图3的(c)的右侧以虚线表示的假想线36将密封完成构件50切断的工序相当于对密封完成构件50进行追加工的工序。
与实施方式2同样,在实施方式3中,也采用了密封完成构件50相当于作为产品的一个电路部件的结构。在使用压缩成型来进行树脂密封的工序中,使用没有形成图3的(a)所示的剩余树脂的流路84和剩余树脂的收容部83的成型模具。由此,制造出不具有图3的(c)所示的不需要的部分53的密封完成构件(在图3的(c)所示的密封完成构件50中不存在不需要的部分53)。该密封完成构件相当于作为产品的一个电路部件。在这种情况下,不需要图3所示的第二安装完成基板20的右端的部分,因此能够使密封完成构件小型化。
实施方式3中的除了上述以外的说明与实施方式1和实施方式2相同,因此省略其说明。
如以上那样对实施方式进行了说明,但是从开始也预想了将上述的各实施方式的结构适当组合的情形。
在各实施方式中,通过对两张安装完成基板之间进行树脂密封,与对一张安装完成基板的一面(安装有芯片等的安装面)进行树脂密封的情况相比较,能够使安装芯片等的密度变为2倍。例如,通过对图2的(a)~(d)所示的第一安装完成基板10的上表面与第二安装完成基板20的下表面之间的空间进行树脂密封,与使用第一安装完成基板10来对其一面进行树脂密封的情况相比较,能够使安装芯片等的密度变为2倍。如图1所示那样,在第二安装完成基板20的上表面安装芯片等的情况下,与对一张安装完成基板的一面进行树脂密封的情况相比较,能够使安装芯片等的密度变为3倍。除此之外,在第一安装完成基板10的下表面也安装芯片等的情况下,与对一张安装完成基板的一面进行树脂密封的情况相比较,能够使安装芯片等的密度变为4倍。
在各实施方式中,能够在两张安装完成基板的另一面(不是两张安装完成基板相互对置的面即非对置面)设置功能部。由此,能够使电路部件多功能化。
在各实施方式中,说明了作为密封材料的树脂材料而使用树脂片、粒状树脂以及粉状树脂等固形树脂的情况和使用液状树脂的情况。除了这些树脂材料之外,也可以使用凝胶(gel)状树脂或者糊剂(paste)状树脂。作为树脂材料,使用环氧树脂、硅树脂等包含热固化性树脂的树脂材料、聚酰胺树脂等包含热塑性树脂的树脂材料。
在各实施方式中,为了使空腔41中的内侧面和固化树脂51容易地脱模,也可以在下模具1中充满流动树脂49的部分的模具表面吸附脱模膜。该脱模膜抑制流动树脂49绕到空腔41的内底面与第一安装完成基板10的下表面之间的间隙而在该间隙中产生固化树脂的树脂毛刺。也可以在上模具2的模具表面(在附图中为下表面)吸附脱模膜。该脱模膜抑制流动树脂49绕到上模具2的模具表面与第二安装完成基板20的上表面之间的间隙而在该间隙中产生固化树脂的树脂毛刺。在使用脱模膜的情况下,优选为使各定位销11a、21a变尖。由此,在吸附脱模膜的过程中,各定位销11a、21a的前端能够突破脱模膜来将第一安装完成基板10、第二安装完成基板20定位。
应认为本次公开的实施方式在所有点是例示性的,并非是限制性的。本发明的范围不是通过上述的说明示出,而是通过权利要求书来示出,意味着包含与权利要求书均等的意义和范围内的所有变更。
产业上的可利用性
此处公开的实施方式能够用于电路部件的制造方法和电路部件,特别是能够适用于在两张基板的彼此相向的各面上安装有电子部件等部件的电路部件的制造方法和电路部件。
Claims (12)
1.一种电路部件的制造方法,所述电路部件具有第一安装完成基板和第二安装完成基板,其中,第一安装完成基板在一面安装有第一电子部件,第二安装完成基板在一面安装有第二电子部件,所述电路部件的制造方法包括以下工序:
以所述第一安装完成基板的另一面配置于第一模具的模具表面的方式,在所述第一模具的模具表面设置所述第一安装完成基板;
以所述第二安装完成基板的另一面配置于第二模具的模具表面的方式,在与所述第一模具的所述模具表面对置的所述第二模具的所述模具表面设置所述第二安装完成基板;
向包含所述第一模具和所述第二模具的成型模具提供密封材料;
进行所述第一模具与所述第二模具的合模;
使在进行所述第一模具与所述第二模具的合模的工序之后在所述第一安装完成基板的所述一面与所述第二安装完成基板的所述一面之间的空间内由所述密封材料生成的流动树脂固化来使固化树脂成型;
利用所述固化树脂来对所述第一电子部件和所述第二电子部件进行树脂密封;以及
将对所述第一电子部件和所述第二电子部件进行了树脂密封的密封完成构件取出,
其中,在所述第一安装完成基板和所述第二安装完成基板中的至少一方设置信号收发部,该信号收发部用于在所述电路部件与所述电路部件的外部之间进行电信号的收发,
在所述电路部件的制造方法中,进行以下定位中的至少一方:在设置所述第一安装完成基板的工序中通过使所述第一模具的凹部与所述第一安装完成基板的凸部嵌合或者使所述第一模具的凸部与所述第一安装完成基板的凹部嵌合来进行的定位,以及在设置所述第二安装完成基板的工序中通过使所述第二模具的凹部与所述第二安装完成基板的凸部嵌合或者使所述第二模具的凸部与所述第二安装完成基板的凹部嵌合来进行的定位。
2.根据权利要求1所述的电路部件的制造方法,其特征在于,
在进行所述合模的工序之前进行提供所述密封材料的工序,
在进行所述合模的工序之后且在使所述固化树脂成型的工序之前,使所述流动树脂从所述第一安装完成基板的所述一面与所述第二安装完成基板的所述一面之间的空间的外部流入所述空间。
3.根据权利要求1所述的电路部件的制造方法,其特征在于,
在进行所述合模的工序之前进行提供所述密封材料的工序,
在提供所述密封材料的工序中,向所述第一安装完成基板的所述一面上和所述第二安装完成基板的所述一面上这两方中的至少一方提供所述密封材料。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的电路部件的制造方法,其特征在于,
还包含对所述密封完成构件进行追加工的工序。
5.根据权利要求1所述的电路部件的制造方法,其特征在于,包括以下工序:
准备所述第一安装完成基板,所述第一安装完成基板是在所述第一安装完成基板的所述一面所具有的第一基板间连接用焊盘设置有从所述第一安装完成基板的所述一面突出的连接用构件的基板;以及
准备所述第二安装完成基板,所述第二安装完成基板是在所述第二安装完成基板的所述一面所具有的第二基板间连接用焊盘设置有导电材料的基板,
在所述电路部件的制造方法中,在进行所述第一模具与所述第二模具的合模的工序中,使所述连接用构件与所述第二基板间连接用焊盘相接触,
所述导电材料具有在所述流动树脂固化的温度下软化的特性,
在使所述固化树脂成型的工序中,所述导电材料软化之后固化。
6.根据权利要求1所述的电路部件的制造方法,其特征在于,包括以下工序:
准备所述第一安装完成基板,所述第一安装完成基板是在所述第一安装完成基板的所述一面所具有的第一基板间连接用焊盘设置有从所述第一安装完成基板的所述一面突出的连接用构件的基板;以及
准备所述第二安装完成基板,所述第二安装完成基板是在所述第二安装完成基板的所述一面设置有第二基板间连接用焊盘的基板,
在所述电路部件的制造方法中,在使所述固化树脂成型的工序中,使所述流动树脂固化来使所述固化树脂成型时所产生的压缩应力向所述第二基板间连接用焊盘按压所述连接用构件,由此将所述连接用构件与所述第二基板间连接用焊盘电连接。
7.一种电路部件,具有第一安装完成基板和第二安装完成基板,所述电路部件具备:
所述第一安装完成基板,其具有一面;
所述第二安装完成基板,其具有与所述第一安装完成基板的所述一面对置的一面;
第一电子部件,其安装于所述第一安装完成基板的所述一面;
第二电子部件,其安装于所述第二安装完成基板的所述一面;
第一基板间连接用焊盘,其设置于所述第一安装完成基板的所述一面;
连接用构件,其在所述第一安装完成基板的所述一面以从所述第一基板间连接用焊盘突出的方式设置;
第二基板间连接用焊盘,其设置于所述第二安装完成基板的所述一面且与所述第一基板间连接用焊盘对置;
信号收发部,其设置于所述第一安装完成基板和所述第二安装完成基板中的至少一方,用于在所述电路部件与所述电路部件的外部之间进行电信号的收发;
固化树脂,其设置于所述第一安装完成基板的所述一面与所述第二安装完成基板的所述一面之间的空间;以及
被加工面,其形成于密封完成构件的至少一部分,该密封完成构件具有设置于所述第一安装完成基板的另一面和所述第二安装完成基板的另一面中的至少一方、且使用于与所述固化树脂成型时使用的第一模具和第二模具中的至少一方的定位的凸部或者凹部,
其中,至少所述第一电子部件、所述第二电子部件、所述第一基板间连接用焊盘、所述连接用构件以及所述第二基板间连接用焊盘被所述固化树脂树脂密封,
所述第一基板间连接用焊盘和所述第二基板间连接用焊盘通过所述连接用构件电连接。
8.根据权利要求7所述的电路部件,其特征在于,
所述连接用构件与所述第二基板间连接用焊盘直接接触或者所述连接用构件与所述第二基板间连接用焊盘经由导电材料间接接触,由此所述第一基板间连接用焊盘与所述第二基板间连接用焊盘电连接。
9.根据权利要求7所述的电路部件,其特征在于,
在所述连接用构件与所述第二基板间连接用焊盘直接接触的状态下,使流动树脂固化来使所述固化树脂成型时所产生的压缩应力向所述第二基板间连接用焊盘按压所述连接用构件,由此所述第一基板间连接用焊盘、所述连接用构件以及所述第二基板间连接用焊盘电连接。
10.根据权利要求7所述的电路部件,其特征在于,
包含具有特定功能的功能部,该功能部设置于所述第一安装完成基板的所述另一面和所述第二安装完成基板的所述另一面中的至少一方。
11.根据权利要求7所述的电路部件,其特征在于,
所述信号收发部包含连接器和电缆中的至少一方。
12.根据权利要求7所述的电路部件,其特征在于,
所述信号收发部包含无线通信用集成电路。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
CN111883516A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-11-03 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备 |
CN114166196A (zh) * | 2020-09-11 | 2022-03-11 | 精工爱普生株式会社 | 电子器件的制造方法 |
TWI811659B (zh) * | 2020-05-05 | 2023-08-11 | 新加坡商先進科技新加坡有限公司 | 用於封裝電子器件的雙面成型 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010192810A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Epson Toyocom Corp | 電子デバイスの製造方法および電子デバイス |
TW201138582A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-01 | Meiko Electronics Co Ltd | Substrate with built-in components, multilayer substrate using the same, and manufacturing method of substrate with built-in components |
JP2015076547A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその製造方法 |
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Family Cites Families (4)
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---|---|---|---|---|
WO2005004563A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Hitachi, Ltd. | モジュール装置及びその製造方法 |
JP5187065B2 (ja) * | 2008-08-18 | 2013-04-24 | 株式会社デンソー | 電子制御装置の製造方法及び電子制御装置 |
WO2016056387A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 株式会社村田製作所 | 高周波通信モジュール及び高周波通信装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010192810A (ja) * | 2009-02-20 | 2010-09-02 | Epson Toyocom Corp | 電子デバイスの製造方法および電子デバイス |
TW201138582A (en) * | 2010-04-23 | 2011-11-01 | Meiko Electronics Co Ltd | Substrate with built-in components, multilayer substrate using the same, and manufacturing method of substrate with built-in components |
JP2015076547A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-20 | 株式会社デンソー | 電子装置およびその製造方法 |
CN105643855A (zh) * | 2014-11-28 | 2016-06-08 | 东和株式会社 | 电子部件、其制造方法及制造装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI811659B (zh) * | 2020-05-05 | 2023-08-11 | 新加坡商先進科技新加坡有限公司 | 用於封裝電子器件的雙面成型 |
CN111883516A (zh) * | 2020-07-24 | 2020-11-03 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 集成模组的封装结构及其封装方法、以及电子设备 |
CN114166196A (zh) * | 2020-09-11 | 2022-03-11 | 精工爱普生株式会社 | 电子器件的制造方法 |
CN114166196B (zh) * | 2020-09-11 | 2024-01-09 | 精工爱普生株式会社 | 电子器件的制造方法 |
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