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CN108305565B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置，包括基板、第一及第二数据线、第一及第二子像素单元。基板的上表面具有法线方向。第一与第二数据线位于基板上。第一子像素单元配置于基板上且包括第一电极及第一发光层。第一电极与第一数据线电性耦接且具有沿法线方向与第一数据线重叠的有第一面积的第一重叠区域。第一发光层位于第一电极上。第二子像素单元配置于基板上且包括第二电极及第二发光层。第二电极与第一电极电性绝缘，与第二数据线电性耦接且有沿法线方向与第二数据线重叠的具有第二面积的第二重叠区域，第一面积大于第二面积。第二发光层位于第二电极上，第一发光层与第二发光层的发光颜色不同，且第一发光层为蓝色发光层。本发明的显示装置有高发光效率。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种装置，且特别涉及一种显示装置。
背景技术
近年来，随着电子产品发展技术的进步及其日益广泛的应用，具有小体积及低电力消耗特性的显示器的需求与日俱增。在显示器当中，由于发光二极管显示器具有自发光、高亮度、广视角、高反应速度等特性，使得发光二极管显示器成为下一世代显示器的选择之一。开发出具有高发光效率的发光二极管显示器是目前显示技术的主要趋势之一。
发明内容
本发明的显示装置包括基板、第一数据线、第二数据线、第一子像素单元以及第二子像素单元。基板的上表面具有法线方向。第一数据线与第二数据线配置于基板上。第一子像素单元配置于基板上，其中第一子像素单元包括第一电极及第一发光层。第一电极与第一数据线电性耦接，第一电极具有沿法线方向与第一数据线重叠的第一重叠区域，第一重叠区域具有第一面积。第一发光层位于第一电极上。第二子像素单元配置于基板上，其中第二子像素单元包括第二电极及第二发光层。第二电极与第一电极电性绝缘，第二电极与第二数据线电性耦接，且第二电极具有沿法线方向与第二数据线重叠的第二重叠区域，第二重叠区域具有第二面积，其中第一面积大于第二面积。第二发光层位于第二电极上，其中第一发光层的发光颜色与第二发光层的发光颜色不同，且第一发光层为蓝色发光层。
为使本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的显示装置的局部上视示意图。
图2是本发明的第一实施方式的显示装置的局部等效电路图。
图3是本发明的第二实施方式的显示装置的局部上视示意图。
图4是本发明的第三实施方式的显示装置的局部上视示意图。
图5是本发明的第四实施方式的显示装置的局部上视示意图。
附图标记说明：
10、20、30、40：显示装置
100：基板
110：电极层
B、2B、3B、4B、G、2G、3G1、3G2、R、2R、3R：子像素单元
Ba、Bb、Ga、Gb、Ra、Rb：节点
BC、GC、RC：电容器
BCda、GCda、RCda：耦合电容
BE、2BE、3BE、4BE、GE、2GE、3GE1、3GE2、RE、2RE、3RE：电极
BL、2BL、3BL、4BL、GL、2GL、3GL1、3GL2、RL、2RL、3RL：发光层
BO、GO、RO：发光组件
BR、2BR、3BR、4BR、GR、2GR、3GR1、3GR2、RR、2RR、3RR：有效发光区
BT1、GT1、RT1：开关晶体管
BT2、GT2、RT2：驱动晶体管
Bu、Gu、Ru：子像素驱动单元
Cx：寄生电容
D1、D2：方向
D3：法线方向
DL1～DL6：数据线
H、3H、I、2I、3I1、3I2、J、2J、3J、4J、K、4K、L：重叠区域
SL：扫描线
U：像素单元
Vdd、Vss：电源电压
X：上表面
具体实施方式
在本文中，只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
在本发明中，当某层配置在其它层“上”时，有可能是指某层“直接”在其它层上，或指某层“间接”在其它层上，即某层和其它层之间还夹设有至少一层。
在本发明中，任两个用来比较的数值或方向，可存在着一定的误差。若第一值等于第二值，其隐含着第一值与第二值之间可存在着约10％的误差；若第一方向垂直于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于80度至100度之间；若第一方向平行于第二方向，则第一方向与第二方向之间的角度可介于0度至10度之间。
在本发明中，第一组件与第二组件“电性耦接”，可以指电流在第一组件与第二组件之间流通，也可以指电流并未在第一组件与第二组件之间流通但第一组件与第二组件通过至少一被动组件或主动组件而间接连接，其中被动组件可为电阻、电容或电感等，主动组件可为晶体管、整流器或真空管等。
在本发明中，发光层的“发光颜色”，意指发光层位于两个电极之间且有电流流过发光层后，发光层所产生的电磁辐射被观察者的眼睛接收后，观察者所感知的颜色，此时不同的发光颜色即对应到不同的颜色。或者，所述电磁辐射也可非为可见光，此时经由仪器量测后会得到一个相对应的频谱，而不同的发光颜色即对应到不同的频谱。
以下，特举各种实施方式详细描述本发明的显示装置，以作为本发明能够据以实施的范例，并不用以限定本发明。
图1是本发明的第一实施方式的显示装置的局部上视示意图。图2是本发明的第一实施方式的显示装置的局部等效电路图。请同时参照图1及图2，在本实施方式中，显示装置10包括基板100以及配置于基板100上的多个像素单元U，其中每一像素单元U包括子像素单元B、子像素单元G以及子像素单元R。另外，在本实施方式中，显示装置10还包括数据线DL1～DL4、扫描线SL以及电极层110。为了方便说明起见，图1中仅示出一个像素单元U，然而任何所属领域技术人员应可理解，多个像素单元U一般是数组排列于基板100上。另一方面，在本实施方式中，虽每一像素单元U仅包括子像素单元B、子像素单元G以及子像素单元R，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，各个像素单元U还可还包括其他的子像素单元，例如白色子像素单元。
在本实施方式中，基板100的上表面X具有法线方向D3。另外，基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。若基板100的材质为有机聚合物，在具体实施上，有机聚合物例如是(但不限制于)：聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)等。
数据线DL1～DL4与扫描线SL配置于基板100上且延伸方向不相同。具体而言，在本实施方式中，数据线DL1～DL4沿着方向D1延伸，而扫描线SL沿着方向D2延伸，其中方向D1与方向D2相垂直。另外，数据线DL1～DL4与扫描线SL属于不同的膜层。基于导电性的考虑，数据线DL1～DL4以及扫描线SL一般是使用金属材料。然而，本发明并不限于此，在其他实施方式中，数据线DL1～DL4以及扫描线SL也可以使用例如(但不限于)：合金、金属材料的氮化物、金属材料的氧化物、金属材料的氮氧化物等的其他导电材料，或是金属材料与前述其它导电材料的堆栈层。
子像素单元B、子像素单元G以及子像素单元R配置于基板100上。具体而言，在本实施方式中，子像素单元B包括电极BE以及位于电极BE上的发光层BL；子像素单元G包括电极GE以及位于电极GE上的发光层GL；以及子像素单元R包括电极RE以及位于电极RE上的发光层RL。此外，电极层110位于发光层BL、发光层GL和发光层RL上方。电极BE和一部分的电极层110分别作为阳极和阴极的组合或是阴极和阳极的组合，且分别接触发光层BL，其余以此类推。值得一提的是，一般而言，为了能够驱动子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R，子像素单元B还包括子像素驱动单元Bu，子像素单元G还包括子像素驱动单元Gu及子像素单元R还包括子像素驱动单元Ru。
具体而言，在本实施方式中，子像素驱动单元Bu可包括开关晶体管BT1、驱动晶体管BT2以及电容器BC，子像素驱动单元Gu可包括开关晶体管GT1、驱动晶体管GT2以及电容器GC，以及子像素驱动单元Ru可包括开关晶体管RT1、驱动晶体管RT2以及电容器RC。也就是说，在本实施方式中，子像素驱动单元Bu、子像素驱动单元Gu及子像素驱动单元Ru皆是以2T1C的架构为例来说明，但并非用以限定本发明。在其他实施方式中，子像素驱动单元Bu、子像素驱动单元Gu及子像素驱动单元Ru也可以是3T1C的架构、4T2C的架构、6T1C的架构、7T2C的架构、或是任何可做为像素驱动单元的其他架构。本发明的实施方式的子像素驱动单元可采用NMOS晶体管、PMOS晶体管或CMOS晶体管。或者，本发明的实施方式的子像素驱动单元也可采用NMOS晶体管搭配PMOS晶体管，换句话说，一部分的子像素驱动单元采用NMOS晶体管，另一部分的子像素驱动单元采用PMOS晶体管。或者，本发明的实施方式的晶体管所采用的主动层材料可包括(但不限于)：非晶硅、低温多晶硅、氧化铟镓锌。或者，本发明的实施方式的晶体管所采用的主动层材料可以为前述例子的组合，例如一部分的晶体管的主动层材料为低温多晶硅，而另一部分的晶体管的主动层材料为氧化铟镓锌。
具体而言，如图2所示，本发明的实施方式以NMOS晶体管为例，且晶体管的源极与漏极是以电流的走向来定义，其中，在NMOS晶体管中，电流是由漏极流向源极。但是，前述定义仅为了便于理解，本发明不以此为限。开关晶体管RT1的栅极与扫描线SL电性连接；开关晶体管RT1的漏极与数据线DL1电性连接；开关晶体管RT1的源极与驱动晶体管RT2电性连接；驱动晶体管RT2的栅极与开关晶体管RT1的源极电性连接；驱动晶体管RT2的漏极与电源电压Vdd电性连接；电容器RC的一电极端与驱动晶体管RT2的栅极电性连接；电容器RC的另一电极端与驱动晶体管RT2的源极电性连接。同样地，如图2所示，开关晶体管GT1的栅极与扫描线SL电性连接；开关晶体管GT1的漏极与数据线DL2电性连接；开关晶体管GT1的源极与驱动晶体管GT2电性连接；驱动晶体管GT2的栅极与开关晶体管GT1的源极电性连接；驱动晶体管GT2的漏极与电源电压Vdd电性连接；电容器GC的一电极端与驱动晶体管GT2的栅极电性连接；电容器GC的另一电极端与驱动晶体管GT2的源极电性连接。同样地，如图2所示，开关晶体管BT1的栅极与扫描线SL电性连接；开关晶体管BT1的漏极与数据线DL3电性连接；开关晶体管BT1的源极与驱动晶体管BT2电性连接；驱动晶体管BT2的栅极与开关晶体管BT1的源极电性连接；驱动晶体管BT2的漏极与电源电压Vdd电性连接；电容器BC的一电极端与驱动晶体管BT2的栅极电性连接；电容器BC的另一电极端与驱动晶体管BT2的源极电性连接。
在本实施方式中，电容器RC可控制节点Ra与节点Rb间的压差VGS，电容器GC可控制节点Ga与节点Gb间的压差VGS，且电容器BC可控制节点Ba与节点Bb间的压差VGS。
另外，在本实施方式中，数据线DL1、数据线DL2及数据线DL3与子像素驱动单元Ru的节点Ra、子像素驱动单元Gu的节点Ga及子像素驱动单元Bu的节点Ba之间会分别产生寄生电容Cx。如此一来，当数据线DL1提供信号而持续有电压变化时，因寄生电容Cx所造成的耦合效应(coupling effect)，节点Ra与节点Rb间的压差VGS会产生压差变化量ΔVGSR。同样地，当数据线DL2提供信号而持续有电压变化时，因寄生电容Cx所造成的耦合效应(couplingeffect)，节点Ga与节点Gb间的压差VGS会产生压差变化量ΔVGSG；以及当数据线DL3提供信号而持续有电压变化时，因寄生电容Cx所造成的耦合效应(coupling effect)，节点Ba与节点Bb间的压差ΔVGS会产生压差变化量ΔVGSB。
另外，如图2所示，驱动晶体管RT2的源极还与发光组件RO的阳极端电性连接，驱动晶体管GT2的源极还与发光组件GO的阳极端电性连接，以及驱动晶体管BT2的源极还与发光组件BO的阳极端电性连接。具体而言，在本实施方式中，电极RE是作为发光组件RO的阳极，电极GE是作为发光组件GO的阳极，以及电极BE是作为发光组件BO的阳极。也就是说，在本实施方式中，电极RE会与数据线DL1电性耦接，电极GE会与数据线DL2电性耦接，以及电极BE会与数据线DL3电性耦接。举例而言，在本实施方式中，电极RE通过开关晶体管RT1及驱动晶体管RT2而与数据线DL1电性耦接。电极GE通过开关晶体管GT1及驱动晶体管GT2而与数据线DL2电性耦接。电极BE通过开关晶体管BT1及驱动晶体管BT2而与数据线DL3电性耦接。另外，在本实施方式中，电极RE、电极GE与电极BE彼此电性绝缘。并且，电极RE、电极GE与电极BE的材质包含例如(但不限于)：银、铝、或其他具有高反射率的导电材料。电极RE、电极GE与电极BE的材质也可包含例如(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物等的透明导电材料。
在本实施方式中，发光层RL、发光层GL与发光层BL的发光颜色皆不同。具体而言，在本实施方式中，发光层RL为红色发光层，发光层GL为绿色发光层，且发光层BL为蓝色发光层。也就是说，在本实施方式中，子像素单元R为红色子像素单元，子像素单元G为绿色子像素单元，且子像素单元B为蓝色子像素单元。另一方面，如前文所述，若各个像素单元U更包含白色子像素单元，则所述子像素单元的发光层为白色发光层。
另外，在本实施方式中，发光层RL具有有效发光区RR，发光层GL具有有效发光区GR，以及发光层BL具有有效发光区BR。在本文中，“有效发光区”定义为：发光层上未被像素定义层覆盖的区域，或是在发光层被点亮时实际会发出光线的区域。在本实施方式中，子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R分别具有不相同的电极与有效发光区的面积比值。具体而言，当电极RE于基板100上的正投影的面积为AE1，发光层RL的有效发光区RR于基板100上的正投影的面积为AL1，且R1＝AE1/AL1；当电极GE于基板100上的正投影的面积为AE2，发光层GL的有效发光区GR于基板100上的正投影的面积为AL2，且R2＝AE2/AL2；以及当电极BE于基板100上的正投影的面积为AE3，发光层BL的有效发光区BR于基板100上的正投影的面积为AL3，且R3＝AE3/AL3，则R1＜R2或R3＜R2。须知悉的是，在本文中，某一组件于基板100上的正投影，意指该组件沿法线方向D3于基板100上的投影。
在本实施方式中，电极层110全面性地配置于基板100上且位于发光层RL、发光层GL与发光层BL上方。具体而言，在本实施方式中，电极层110是作为发光组件RO、发光组件GO及发光组件BO的阴极。也就是说，在本实施方式中，电极层110对应于发光层RL的部分、电极RE以及发光层RL会构成发光组件RO，电极层110对应于发光层GL的部分、电极GE以及发光层GL会构成发光组件GO，且电极层110对应于发光层BL的部分、电极BE以及发光层BL会构成发光组件BO。另外，在本实施方式中，电极层110的材质包含例如(但不限于)：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物等的透明导电材料。在本实施方式中，发光组件RO、发光组件GO及发光组件BO例如是有机发光二极管或无机发光二极管。
如图2所示，发光组件RO的阴极端与电源电压Vss电性连接，发光组件GO的阴极端与电源电压Vss电性连接，以及发光组件BO的阴极端与电源电压Vss电性连接。值得一提的是，电源电压Vdd的电压高于电源电压Vss的电压。举例来说，Vdd来自一个提供大于零伏特电压的定电压源，而Vss则来自于一个接地端。从另一观点而言，在本实施方式中，数据线DL1会提供数据信号给子像素单元R，数据线DL2会提供数据信号给子像素单元G，以及数据线DL3会提供数据信号给子像素单元B。
特别一提的是，在本实施方式中，电极RE具有沿法线方向D3与数据线DL1重叠的重叠区域H，电极GE具有沿法线方向D3与数据线DL2重叠的重叠区域I，以及电极BE具有沿法线方向D3与数据线DL3重叠的重叠区域J，其中重叠区域J的面积大于重叠区域H的面积，重叠区域J的面积大于重叠区域I的面积，重叠区域H的面积等于重叠区域I的面积。也就是说，在本实施方式中，电极RE会延伸至数据线DL1上方，电极GE会延伸至数据线DL2上方，以及电极BE会延伸至数据线DL3上方。如此一来，在本实施方式中，电极RE与数据线DL1之间产生了耦合电容RCda，电极GE与数据线DL2之间产生了耦合电容GCda，以及电极BE与数据线DL3之间产生了耦合电容BCda。
值得说明的是，在本实施方式中，通过电极BE与数据线DL3间的重叠区域J的面积大于电极RE与数据线DL1间的重叠区域H的面积，电极BE与数据线DL3间的重叠区域J的面积大于电极GE与数据线DL2间的重叠区域I的面积，由此可使得子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R彼此之间的光强度变化大致相同，其原因详述如下。
一般而言，红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层的发光效率不同，因此在相同电流驱动下，为了使发出不同色光的子像素单元之间具有相同的发光强度，红色发光层、绿色发光层及蓝色发光层的有效发光区会设计成具有不同面积。具体而言，在本实施方式中，有效发光区BR的面积大于有效发光区RR的面积，且有效发光区RR的面积大于有效发光区GR的面积。
另一方面，如上文所述，虽然在子像素单元R中，节点Ra与节点Rb间的压差VGS，会因为寄生电容Cx所造成的耦合效应而产生压差变化量ΔVGSR，但通过电极RE与数据线DL1重叠而产生的耦合电容RCda，可使得所述压差变化量ΔVGSR减少。同样地，通过电极GE与数据线DL2重叠而产生耦合电容GCda，可使得节点Ga与节点Gb间的压差变化量ΔVGSG减少；以及通过电极BE与数据线DL3重叠而产生耦合电容BCda，可使得节点Ba与节点Bb间的压差变化量ΔVGSB减少。
进一步，通过模拟实验发现，随着电极与数据线间的耦合电容的值越大(亦即电极与数据线间的重叠区域的面积越大)，压差变化量ΔVGS越小。具体而言，模拟实验是以子像素驱动单元为4T2C的架构的子像素单元来进行仿真。模拟结果示于以下表1中。
表1
Figure BDA0001207301770000091
基于上述可知，电极与数据线间的耦合电容的值越大(亦即电极与数据线间的重叠区域的面积越大)，则压差变化量ΔVGS越小。为了使得子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R受到数据线耦合而产生的光强度变化大致相同，各子像素单元中的电极与数据线重叠的面积需要如何设计，以下面推论说明。
光强度为光亮度与发光面积的乘积，且光亮度为功率的函数，因此光强度可经过简化而表示为公式1-2：
Iv＝Lv×A 公式1，
Lv＝K×Y 公式1-1，
Iv＝K×Y×A 公式1-2，
其中Iv为光强度，Lv为光亮度，A为发光层的有效发光区的面积，Y为功率，K为光亮度与功率之间关系的系数，此系数的单位为nits/mW。
另外，节点Ra与节点Rb间的压差变化量ΔVGS会导致功率发生变化，且其关系可表示为公式2：
△Y＝I×ΔVGS 公式2，
其中△Y为功率变化量，I为电流。
为了使得子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R受到数据线耦合而产生的光强度变化大致相同，可得出下述等式：
△Iv＝KR×△YR×AR＝KG×△YG×AG＝KB×△YB×AB 公式3，
其中△Iv为光强度变化量，KR为红色发光层的光亮度与功率之间关系的系数，KG为绿色发光层的光亮度与功率之间关系的系数，KB为蓝色发光层的光亮度与功率之间关系的系数，AR为红色发光层的有效发光区的面积，AG为绿色发光层的有效发光区的面积，AB为蓝色发光层的有效发光区的面积。
接着，根据公式1-1，以实验量测各个发光层的光亮度与功率的关系，以得出KR、KG与KB，其步骤包含分别提供多组功率给各个发光层后，记录各个发光层所产生的光亮度。将量测结果进行分析，得知红色发光层、绿色发光层与蓝色发光层的光亮度与功率之间的关系可分别由下述的公式4至公式6表示，其中，公式4至公式6的常数系指令各个发光层发出光线所需的最小功率：
Y＝2.66Lv+413.83 公式4，
Y＝1.87Lv+423.14 公式5，
Y＝3.91Lv+392.28 公式6，
其中Lv为光亮度，单位与nits，Y为功率，单位与mW。
由上述公式4至6可知，KR、KG与KB分别为2.66、1.87与3.91的倒数，且此三个系数的单位为nits/mW。接着，将公式2以及KR、KG与KB的值代入公式3，且假设流入各发光层的电流相等，可得出下述等式：
KR×ΔVGSR×AR＝KG×ΔVGSG×AG＝KB×ΔVGSB×AB 公式7，
(1/2.66)×ΔVGSR×AR＝(1/1.87)×ΔVGSG×AG＝(1/3.91)×ΔVGSB×AB 公式8，
其中ΔVGSR为子像素单元R在节点Ra与节点Rb间的压差变化量，ΔVGSG为子像素单元G在节点Ga与节点Gb间的压差变化量，ΔVGSB为子像素单元B在节点Ba与节点Bb间的压差变化量。
接着，假设：
AR:AG:AB＝1.40:1.00:2.80 公式9，
则将公式9代入公式8后，可得出下述等式：
ΔVGSR:ΔVGSG:ΔVGSB＝1.00:0.98:0.73 公式10。
由前述的推导可知，在相同电流驱动下，以及在有效发光区BR的面积AB大于有效发光区RR的面积AR，且有效发光区RR的面积AR大于有效发光区GR的面积AG下，为了使得子像素单元R、子像素单元G及子像素单元B之间的发光强度变化趋于一致，子像素单元B的压差变化量ΔVGSB可设计为小于子像素单元G的压差变化量ΔVGSG，且子像素单元G的压差变化量ΔVGSG可设计为小于子像素单元R的压差变化量ΔVGSR。
由于电极与数据线间的耦合电容的值越大(亦即电极与数据线间的重叠区域的面积越大)，则压差变化量ΔVGS越小。因此，子像素单元B的电极与数据线间的耦合电容设计为大于子像素单元G的电极与数据线间的耦合电容，且子像素单元G的电极与数据线间的耦合电容设计为大于子像素单元R的电极与数据线间的耦合电容。如此一来，子像素单元B的电极与数据线间的重叠区域的面积大于子像素单元G的电极与数据线间的重叠区域的面积，且子像素单元G的电极与数据线间的重叠区域的面积大于子像素单元R的电极与数据线间的重叠区域的面积。
另外一提的是，在本实施方式中，虽然电极RE与数据线DL1间的重叠区域H的面积等于电极GE与数据线DL2间的重叠区域I的面积，但本发明并不特别限定重叠区域H的面积与重叠区域I的面积之间的关系。换言之，在其他实施方式中，重叠区域H的面积也可以小于重叠区域I的面积，或者重叠区域H的面积也可以大于重叠区域I的面积。
另外，虽然在上述实施方式中，子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R是以具有图1所示的结构为例，但本发明不限于此。换言之，在其他实施方式中，子像素单元B、子像素单元G及子像素单元R也可以具有其他结构。以下，将参照图3针对其他的实施方式进行说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的组件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图3是本发明的第二实施方式的显示装置的局部上视示意图。请参考图3及图1，本实施方式的显示装置20与图1的显示装置10相似，差异主要在于：子像素单元中的电极的布置方式。因此，以下将针对两者之间的差异处进行说明，并且为了方便说明起见，图3中省略示出部分构件，例如基板100、子像素驱动单元Ru、子像素驱动单元Gu、子像素驱动单元Bu、电极层110。
请参照图3，在本实施方式中，子像素单元2B中的电极2BE除了具有沿法线方向D3与数据线DL3重叠的重叠区域2J外，还具有在法线方向D3上与数据线DL4重叠的重叠区域K，其中，数据线DL4相邻于数据线DL3。也就是说，在本实施方式中，子像素单元2B中的电极2BE不但会延伸至会提供数据信号给子像素单元2B的数据线DL3上方，也会延伸至其他的数据线上方。
另外，在本实施方式中，子像素单元2G中的电极2GE具有沿法线方向D3与数据线DL2重叠的重叠区域2I。也就是说，在本实施方式中，子像素单元2G中的电极2GE会延伸至会提供数据信号给子像素单元2G的数据线DL2上方。进一步而言，在本实施方式中，重叠区域2J的面积大于重叠区域2I的面积。
另外，在本实施方式中，子像素单元2R中的电极2RE不与会提供数据信号给子像素单元2R的数据线DL1相重叠。也就是说，在本实施方式中，子像素单元2R中的电极2RE沿法线方向D3与数据线DL1重叠的重叠区域的面积为零。另一方面，在本实施方式中，子像素单元2R中的电极2RE具有沿法线方向D3与数据线DL2重叠的重叠区域L。也就是说，在本实施方式中，子像素单元2R中的电极2RE会延伸至会提供数据信号给子像素单元2G的数据线DL2上方，却不与会提供数据信号给子像素单元2R的数据线DL1相重叠。
值得说明的是，如上文所述，在本实施方式中，在相同电流驱动下以及在发光层2BL的有效发光区2BR的面积大于发光层2RL的有效发光区2RR的面积，且发光层2RL的有效发光区2RR的面积大于发光层2GL的有效发光区2GR的面积下，通过电极2BE与数据线DL3间的重叠区域2J的面积大于电极2GE与数据线DL2间的重叠区域2I的面积，电极2BE与数据线DL3间的重叠区域2J的面积大于电极2RE与数据线DL1间的重叠区域的面积(面积为零)，可使得子像素单元2R、子像素单元2G及子像素单元2B之间的发光强度变化趋于一致。
另外，在本实施方式中，通过子像素单元2B中的电极2BE也与数据线DL4相重叠，以及子像素单元2R中的电极2RE与数据线DL2相重叠，由此使得显示装置20的色温可被调整。
另外，虽然在上述图1及图3的实施方式中，像素单元U是以包括三个子像素单元(即子像素单元R、G、B，或子像素单元2R、2G、2B)为例，但本发明并不限定一个像素单元中的子像素单元数量。以下，将参照图4、图5针对其他的实施方式进行说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的组件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图4是本发明的第三实施方式的显示装置的局部上视示意图。请参考图4及图3，本实施方式的显示装置30与图3的显示装置20相似，差异主要在于：子像素单元中的电极的布置方式。因此，以下将针对两者之间的差异处进行说明，并且为了方便说明起见，图4中省略示出部分构件。
请参考图4，在本实施方式中，像素单元U包括子像素单元3B、子像素单元3G1、子像素单元3G2以及子像素单元3R。也就是说，在本实施方式中，像素单元U包括四个子像素单元。
具体而言，在本实施方式中，子像素单元3G1中的发光层3GL1与子像素单元3G2中的发光层3GL2的发光颜色相同，而子像素单元3G1中的发光层3GL1的发光颜色与子像素单元3B中的发光层3BL的发光颜色及子像素单元3R中的发光层3RL的发光颜色不相同。也就是说，在本实施方式中，像素单元U中的四个子像素单元可发出三种色光。具体而言，在本实施方式中，发光层3RL为红色发光层，发光层3GL1与发光层3GL2皆为绿色发光层，且发光层3BL为蓝色发光层。也就是说，在本实施方式中，子像素单元3R为红色子像素单元，子像素单元3G1与子像素单元3G2皆为绿色子像素单元，且子像素单元3B为蓝色子像素单元。
另外，在本实施方式中，数据线DL5会提供数据信号给子像素单元3G1、子像素单元3G2，以及数据线DL6会提供数据信号给子像素单元3B、子像素单元3R。也就是说，在本实施方式中，子像素单元3G1与子像素单元3G2共享一条数据线DL5，且子像素单元3B与子像素单元3R共享一条数据线DL6。
另外，在本实施方式中，电极3BE具有沿法线方向D3与数据线DL6重叠的重叠区域3J，电极3RE具有沿法线方向D3与数据线DL6重叠的重叠区域3H，电极3GE1具有沿法线方向D3与数据线DL5重叠的重叠区域3I1，以及电极3GE2具有沿法线方向D3与数据线DL6重叠的重叠区域3I2。
具体而言，在本实施方式中，重叠区域3J的面积大于重叠区域3H的面积，重叠区域3J的面积大于重叠区域3I1的面积，重叠区域3J的面积大于重叠区域3I2的面积。如前文所述，在本实施方式中，在相同电流驱动下，以及在发光层3BL的有效发光区3BR的面积大于发光层3RL的有效发光区3RR的面积，且发光层3RL的有效发光区3RR的面积大于发光层3GL1的有效发光区3GR1的面积及发光层3GL2的有效发光区3GR2的面积下，通过电极3BE与数据线DL6间的重叠区域3J的面积大于电极3RE与数据线DL6间的重叠区域3H的面积，电极3BE与数据线DL6间的重叠区域3J的面积大于电极3GE1与数据线DL5间的重叠区域3I1的面积，电极3BE与数据线DL6间的重叠区域3J的面积大于电极3GE2与数据线DL5间的重叠区域3I2的面积，可使得子像素单元3B、子像素单元3G1、子像素单元3G2以及子像素单元3R之间的发光强度变化趋于一致。
在本实施方式中，子像素单元3B、子像素单元3G1及子像素单元3R分别具有不相同的电极与有效发光区的面积比值。具体而言，当电极3RE于基板100上的正投影的面积为AE1，发光层3RL的有效发光区3RR于基板100上的正投影的面积为AL1，且R1＝AE1/AL1；当电极3GE1于基板100上的正投影的面积为AE2，发光层3GL1的有效发光区3GR1于基板100上的正投影的面积为AL2，且R2＝AE2/AL2；以及当电极3BE于基板100上的正投影的面积为AE3，发光层3BL的有效发光区3BR于基板100上的正投影的面积为AL3，且R3＝AE3/AL3，则R1＜R2或R3＜R2。须知悉的是，在本文中，某一组件于基板100上的正投影，意指该组件沿法线方向D3于基板100上的投影。
另外，虽然在上述图4的实施方式中，子像素单元3B、子像素单元3G1、子像素单元3G2以及子像素单元3R是以具有图4所示的结构为例，但本发明不限于此。换言之，在其他实施方式中，子像素单元3B、子像素单元3G1、子像素单元3G2以及子像素单元3R也可以具有其他结构。以下，将参照图5针对其他的实施方式进行说明。在此必须说明的是，下述实施方式沿用了前述实施方式的组件符号与部分内容，其中采用相同或相似的符号来表示相同或相似的组件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施方式，下述实施方式不再重复赘述。
图5是本发明的第四实施方式的显示装置的局部上视示意图。请参考图5及图4，本实施方式的显示装置40与图4的显示装置30相似，差异主要在于：子像素单元中的电极的布置方式。因此，以下将针对两者之间的差异处进行说明，并且为了方便说明起见，图5中省略示出部分构件。
请参考图5，在本实施方式中，子像素单元4B中的电极4BE除了具有在法线方向D3上与数据线DL6重叠的重叠区域4J外，还具有在法线方向D3上与数据线DL5重叠的重叠区域4K。也就是说，在本实施方式中，子像素单元4B中的电极4BE不但会延伸至提供数据信号给子像素单元4B的数据线DL6上方，也会延伸至其他的数据线上方。
另外，在本实施方式中，重叠区域4J的面积大于重叠区域3H的面积，重叠区域4J的面积大于重叠区域3I1的面积，重叠区域4J的面积大于重叠区域3I2的面积。这样，如上文所述，在本实施方式中，在相同电流驱动下，以及在发光层4BL的有效发光区4BR的面积大于发光层3RL的有效发光区3RR的面积，且发光层3RL的有效发光区3RR的面积大于发光层3GL1的有效发光区3GR1的面积及发光层3GL2的有效发光区3GR2的面积下，通过电极4BE与数据线DL6间的重叠区域4J的面积大于电极3RE与数据线DL6间的重叠区域3H的面积，电极4BE与数据线DL6间的重叠区域4J的面积大于电极3GE1与数据线DL5间的重叠区域3I1的面积，电极4BE与数据线DL6间的重叠区域4J的面积大于电极3GE2与数据线DL5间的重叠区域3I2的面积，可使得子像素单元4B、子像素单元3G1、子像素单元3G2以及子像素单元3R之间的发光强度变化趋于一致。
另外，在本实施方式中，通过子像素单元4B中的电极4BE也与数据线DL5相重叠，由此使得显示装置40的色温可被调整。
综上所述，在本发明的显示装置中，通过沿基板的上表面的法线方向，所包括的发光层为蓝色发光层的子像素单元(即子像素单元B、2B、3B、4B)与其所对应的数据线(即数据线DL3、DL6)重叠的重叠区域的面积大于所包括的发光层的发光颜色不同于蓝色发光层的子像素单元(即子像素单元G、2G、3G1、3G2、R、2R、3R)与其所对应的数据线(即数据线DL1、DL2、DL5)重叠的重叠区域的面积，由此可使得前述子像素单元之间的发光强度变化趋于一致，进而改善显示装置的显示质量。
虽然本发明已以实施方式揭示如上，但第一实施方式至第四实施方式或其他未详述的实施方式中所描述的各种技术手段，均可以在不互相冲突的前提下混合搭配使用。此外，本发明的各种实施方式可以搭配各式触控装置使用，且可应用于手机、平板、笔记本电脑、电视等各式电子装置。
虽然本发明已以实施方式揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更改与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求书所界定的为准。

Claims (14)

1.一种显示装置，包括：
基板，所述基板的上表面具有法线方向；
第一数据线与第二数据线，配置于所述基板上；
第一子像素单元，配置于所述基板上；
第二子像素单元，配置于所述基板上，
其特征在于，所述显示装置还包括：
第一发光层；以及
第二发光层，其中所述第一发光层的发光颜色与所述第二发光层的发光颜色不同，且所述第一发光层为蓝色发光层，
所述第一子像素单元包括：
第一电极，与所述第一数据线电性耦接，所述第一电极具有沿所述法线方向与所述第一数据线重叠的第一重叠区域，所述第一重叠区域具有第一面积，所述第一发光层位于所述第一电极上，
所述第二子像素单元包括：
第二电极，与所述第一电极电性绝缘，所述第二电极与所述第二数据线电性耦接，且所述第二电极具有沿所述法线方向与所述第二数据线重叠的第二重叠区域，所述第二重叠区域具有第二面积，其中，所述第一面积大于所述第二面积，所述第二发光层位于所述第二电极上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二发光层为绿色发光层或红色发光层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括配置于所述基板上的第三数据线及第三子像素单元，其中所述第三子像素单元包括：
第三电极，与所述第一电极及所述第二电极电性绝缘，所述第三电极与所述第三数据线电性耦接，且所述第三电极具有沿所述法线方向与所述第三数据线重叠的第三重叠区域，所述第三重叠区域具有第三面积，其中，所述第一面积大于所述第三面积；以及
第三发光层，位于所述第三电极上，其中所述第三发光层的发光颜色不同于所述第一发光层的发光颜色，且所述第三发光层的发光颜色不同于所述第二发光层的发光颜色。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第二发光层为绿色发光层，且所述第三发光层为红色发光层。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第三面积等于所述第二面积。
6.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第二面积大于所述第三面积，且所述第三面积为零。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，还包括第四数据线，配置于所述基板上，且所述第四数据线相邻于所述第一数据线，所述第一电极还具有沿所述法线方向与所述第四数据线重叠的第四重叠区域。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第三电极具有沿所述法线方向与所述第二数据线重叠的第五重叠区域。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
所述第一电极沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AE1，所述第一发光层的有效发光区沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AL1，且R1＝AE1/AL1；
所述第二电极沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AE2，所述第二发光层的有效发光区沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AL2，且R2＝AE2/AL2；
所述第三电极沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AE3，所述第三发光层的有效发光区沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AL3，且R3＝AE3/AL3；以及
R1＜R2或R3＜R2。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括配置于所述基板上的第三子像素单元，其中所述第三子像素单元包括：
第三电极，与所述第一电极及所述第二电极电性绝缘，所述第三电极具有沿所述法线方向与所述第一数据线重叠的第六重叠区域，所述第六重叠区域具有第四面积，其中，所述第一面积大于所述第四面积；以及
第三发光层，位于所述第三电极上，其中所述第三发光层的发光颜色不同于所述第一发光层的发光颜色，且所述第三发光层的发光颜色不同于所述第二发光层的发光颜色。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述第二发光层为绿色发光层，且所述第三发光层为红色发光层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述第四面积大于所述第二面积。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极具有沿所述法线方向与所述第二数据线重叠的第七重叠区域。
14.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述第一电极沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AE1，所述第一发光层的有效发光区沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AL1，且R1＝AE1/AL1；
所述第二电极沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AE2，所述第二发光层的有效发光区沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AL2，且R2＝AE2/AL2；
所述第三电极沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AE3，所述第三发光层的有效发光区沿所述法线方向于所述基板上的投影面积为AL3，且R3＝AE3/AL3；以及
R1＜R2或R3＜R2。
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