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CN108304090B - 触摸传感器及其制造方法 - Google Patents

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CN108304090B CN201810029387.1A CN201810029387A CN108304090B CN 108304090 B CN108304090 B CN 108304090B CN 201810029387 A CN201810029387 A CN 201810029387A CN 108304090 B CN108304090 B CN 108304090B
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Abstract

本发明涉及具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器及其制造方法。该方法包括：将包含基底膜和形成在基底膜上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室；以及在退火室中对触摸传感器实施退火工序，其中构成触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm～150nm。根据本发明，通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极的厚度和退火条件，从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性，并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。

Description

触摸传感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器。更具体地，本发明涉及触摸传感器及其制造方法，其通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件，从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性，并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。
背景技术
通常，触摸传感器是为了检测触摸点而配置的装置，当使用者通过手指或触摸笔触摸显示在屏幕上的图像时所述触摸点会对触摸产生响应。
触摸传感器通常以覆盖液晶显示器(LCD)或有机发光二极管(OLED)等显示装置的方式制造。
近年来，对于柔性显示装置和触摸传感器的研究快速进展，通过使用聚合物膜而非玻璃基板可以将其制造得更薄、更轻且可弯曲。
另一方面，在提高触摸传感器的柔性和光学特性的工艺中应用了减小作为触摸传感器的组件的透明电极的厚度的方法。然而，根据该方法，触摸传感器的耐久性可能降低而导致裂纹。
与此相对，可能存在增加透明电极的厚度以提高触摸传感器的耐久性的方法。然而，该方法会产生触摸传感器的光学特性(例如透光率)和柔性降低的问题。
现有技术文献
专利文献1：韩国专利公开第10-2010-0118219号(公开日：2010年11月5日，标题：用于显示面板的柔性基板及其制造方法)
专利文献2：韩国专利公开第10-2006-0124940号(公开日：2006年12月6日，标题：制造柔性显示装置的方法)
发明内容
技术问题
本发明的技术目的是提供能够同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性的触摸传感器及其制造方法。
本发明的另一个技术目的是提供如下触摸传感器及其制造方法，即通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件，从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性，并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。
解决问题的方法
一种制造具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的方法，其包括：将包含基底膜和形成在基底膜上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室；以及在退火室中对触摸传感器实施退火工序，其中构成触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm～150nm。
在根据本发明的方法中，在实施退火工序之后，构成触摸传感器层的透明电极单元的伸长率为1.6％～7.0％。
在根据本发明的方法中，退火工序可以在70℃～170℃的温度下实施。
在根据本发明的方法中，退火工序的实施时间可以为5分钟～60分钟。
在根据本发明的方法中，可以在基底膜的露出面和触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜。
在根据本发明的方法中，基底膜可以具有柔性，并且根据本发明的方法可以进一步包括在提供触摸传感器之前，通过在载体基板上形成触摸传感器层并将触摸传感器层转印至基底膜而初始制造触摸传感器。
在根据本发明的方法中，触摸传感器的初始制造可以包括：在载体基板上形成分离层；在分离层上形成包含透明电极单元的触摸传感器层；将载体基板分离以露出分离层；以及将基底膜与分离层的露出面粘接。
在根据本发明的方法中，触摸传感器的初始制造可以进一步包括在形成触摸传感器层之前在分离层上形成第一保护层，并且可以在形成触摸传感器层期间将触摸传感器层形成在第一保护层上。
在根据本发明的方法中，可以以覆盖包括分离层的侧表面在内的所有露出面的方式形成第一保护层。
在根据本发明的方法中，触摸传感器的初始制造可以进一步包括在形成触摸传感器层之后，在触摸传感器层上形成第二保护层。
在根据本发明的方法中，触摸传感器的初始制造可以进一步包括在粘接基底膜之后，在基底膜的露出面和触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜。
在根据本发明的方法中，透明电极单元可以包含氧化铟锡(ITO)。
在根据本发明的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器中，构成触摸传感器层的透明电极单元的伸长率为1.6％～7.0％。
根据本发明的触摸传感器可以进一步包含形成在触摸传感器上的基底膜。
在根据本发明的触摸传感器中，构成触摸传感器层的透明电极单元的厚度可以为35nm～150nm。
根据本发明的触摸传感器可以进一步包含形成在基底膜和触摸传感器层之间的分离层。
根据本发明的触摸传感器可以进一步包含形成在分离层和触摸传感器层之间的第一保护层。
根据本发明的触摸传感器可以进一步包含形成在上述触摸传感器层的两个表面中的形成有基底膜一面的相反面上的第二保护层。
在根据本发明的触摸传感器中，透明电极单元可以包含ITO。
有益效果
根据本发明，其有益效果在于提供能够同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法。
此外，其有益效果在于提供如下触摸传感器的制造方法，即通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件，从而能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性，并且使触摸传感器的光学特性的降低最小化。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法的工艺流程图。
图2～图12是用于说明根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法的截面图。
符号说明
10：载体基板
20：分离层
30：第一保护层
40：触摸传感器层
41、42：透明电极单元
41：第一感应图案
42：第二感应图案
45：绝缘层
47：连接图案
50：第二保护层
70：粘着层
80：基底膜
92、94：保护膜
S10：触摸传感器初始制造工序
S20：触摸传感器提供工序
S30：退火工序
具体实施方式
这里公开的对于根据发明构思的实施方式的具体结构性或功能性描述仅仅是为了说明根据本发明构思的实施方式的目的而例示，因此根据本发明构思的实施方式可以以各种形式体现，并不限于这里说明的实施方式。
本发明的实施方式可以进行各种修改和变更，其具体实施方式已通过实例示于附图中，并且将在后文中详细地述。然而，应该理解的是，其并不旨在将本发明限于所公开的特定形式，相反，本发明包括落入本发明的精神和范围的所有修改、等同物和替代方式。
应当理解的是，虽然这里可能使用术语“第一”、“第二”等来说明各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。该术语仅用于区分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本发明的范围内，第一元件可以被称为第二元件，并且相似地第二元件也可以被称为第一元件。
应当理解的是，当提及将一个元件与另一个元件“连接”或“耦合”时，该元件可以与另一个元件直接连接或耦合，或者也可以存在中间元件。相对地，当提及将一个元件与另一个元件“直接连接”或“直接耦合”时，不存在中间元件。对于用于说明元件之间的关系的其他词语而言应该以相似的方式进行理解(即“介于…之间”对比“直接介于…之间”、“相邻”对比“直接相邻”等)。
这里使用的术语仅用于描述特定的实施方式，并且不旨在限定本发明。除非另有明确指明，则如这里所使用的那样，单数形式也意指包括复数形式。进一步应当理解的是，术语“包括/包含”在用于本文时是例举所陈述的特征、整体、操作、元件和/或组件的存在，并不排除一个或多个其他特征、整体、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。
除非另有定义，这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)均具有与本发明所属技术领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。进一步应当理解的是，术语诸如通常使用的字典中所定义的那些，应该被解释为具有与其在相关技术领域中的含义相一致的含义，不应被理解为理想化或过于形式化的意义，除非本文中进行了明确的定义。
以下，参考示出了本发明的示例性实施方式的附图详细地描述本发明。
图1是根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法的工艺流程图。图2～图12是用于说明根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法的截面图。
参考图1～图12，根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的制造方法包括触摸传感器初始制造工序(S10)、触摸传感器提供工序(S20)和退火工序(S30)。
在触摸传感器初始制造工序(S10)中，初始制造触摸传感器的工序可以如下实施：在载体基板10上形成触摸传感器层40并将触摸传感器层40转印至具有柔性的基底膜。
以下将描述触摸传感器初始制造工序(S10)的具体配置的实例。
如图2～图11所示，触摸传感器初始制造工序(S10)可以包括分离层形成工序、第一保护层形成工序、触摸传感器层形成工序、第二保护层形成工序、载体基板分离工序、基底膜粘接工序和保护膜粘接工序。
首先，参考图2，在分离层形成工序中，实施在载体基板10上形成分离层20的工序。
分离层20是一种功能层，其通过以下描述的工序将形成在载体基板10上的触摸传感器从载体基板10剥离。
例如，当分离层20满足用于提供预定水平的剥离力和透明度的条件时，不具体限制分离层20的材料。例如，分离层20可以包含选自由以下材料组成的组中的至少一种材料：聚酰亚胺类聚合物、聚乙烯醇类聚合物、聚酰胺酸类聚合物、聚酰胺类聚合物、聚乙烯类聚合物、聚苯乙烯类聚合物、聚降冰片烯类聚合物、苯基马来酰亚胺共聚物类聚合物、聚偶氮苯类聚合物、聚亚苯基邻苯二酰胺类聚合物、聚酯类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯类聚合物、多芳基化合物类聚合物、肉桂酸酯类聚合物、香豆素类聚合物、苯并吡咯酮类聚合物、查耳酮类聚合物和芳香族乙炔聚合物等。
虽然不具体限制分离层20的剥离力，但是分离层20的剥离力例如可以为0.001N/25mm～1N/25mm，优选可以为0.005N/25mm～0.2N/25mm。当满足该范围时，在制造触摸传感器的工序中，可以容易地将分离层20从载体基板10剥离而没有残留，并且可以减少由剥离过程中产生的张力所引起的卷曲和裂纹。
虽然不具体限制分离层20的厚度，但是分离层20的厚度例如可以为10nm～1000nm，优选可以为50nm～500nm。当满足该范围时，可以使剥离力稳定，并且可以形成均匀的图案。
此外，参考图3，在第一保护层形成工序中，实施在分离层20上形成第一保护层30的工序。
触摸传感器层40覆盖有第一保护层30并受其保护。在触摸传感器形成工序中，第一保护层30起到防止分离层20暴露在用于形成触摸传感器层40的蚀刻剂的作用。第一保护层30是根据需要可以省略的可选组件。
例如，可以以覆盖分离层20的侧表面的至少部分区域的方式形成第一保护层30。分离层20的侧表面是分离层20的边缘侧壁。由于这种配置，可以在形成触摸传感器层40所包含的导电感应图案(即透明电极单元41和42)的工序期间防止分离层20的侧表面暴露于蚀刻剂。关于完全防护分离层20的侧表面，第一保护层30可以被配置为覆盖分离层20的整个侧表面。
关于第一保护层30的材料，可以无限制地使用本领域中已知的任何聚合物，例如有机绝缘膜。其中，第一保护层30可以由包含多元醇和三聚氰胺固化剂的固化组合物形成，但不限于此。
多元醇的具体种类可以包括聚醚二醇衍生物、聚酯二醇衍生物和聚己内酯二醇衍生物，但不限于此。
三聚氰胺固化剂的具体种类可以包括甲氧基甲基三聚氰胺衍生物、甲基三聚氰胺衍生物、丁基三聚氰胺衍生物、异丁氧基三聚氰胺衍生物和丁氧基三聚氰胺衍生物，但不限于此。
在另一个实例中，第一保护层30可以由有机/无机混合固化组合物形成。当同时使用有机化合物和无机化合物时，剥离时可以减少裂纹。
上述组分可以用作有机化合物，无机化合物可以是但不限于二氧化硅基纳米颗粒，硅基纳米颗粒和玻璃纳米纤维。
在触摸传感器层形成工序中，实施在第一保护层30上形成触摸传感器层40的工序。
触摸传感器层40被配置为感应由使用者输入的触摸信号的组件。
例如，触摸传感器层40中包含的感应图案可以根据应用触摸传感器的电子装置的要求形成为适当的形状。例如，当触摸传感器用于触摸屏面板时，感应图案可以形成为两类图案，也就是被配置为感应x坐标的图案以及被配置为感应y坐标的图案，但不限于此。
此外，参考图4～图6来描述触摸传感器层形成工序的具体配置的实例。
首先，参考图4，实施形成以第一方向彼此相连的第一感应图案41和以与第一方向交叉的第二方向彼此分离的第二感应图案42的工序。例如，如果第一方向是X方向，则第二方向可以是Y方向。第一感应图案41和第二感应图案42构成透明电极单元。
接下来，参考图5，实施在第一感应图案41和第二感应图案42之间形成绝缘层45的工序。
绝缘层45使第一感应图案41与第二感应图案42电绝缘。
接下来，参考图6，实施形成连接图案47的工序以电连接相邻的第二感应图案42。
关于第一感应图案41、第二感应图案42和连接图案47的材料，可以无限制地使用任何透明导电材料。例如，上述材料可以选自金属氧化物、金属、纳米线、碳基材料和导电聚合物材料，上述金属氧化物选自包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(IZTO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镓锌(GZO)、氧化氟锡(FTO)、氧化铟锡-Ag-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、氧化铟锌-Ag-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡锌-Ag-氧化铟锡锌(IZTO-Ag-IZTO)和氧化铝锌-Ag-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)的组，上述金属选自包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)和APC的组，上述纳米线由选自包含金、银、铜和铅的组中的金属制成，上述碳基材料选自包含碳纳米管(CNT)和石墨烯的组，上述导电聚合物材料选自包含聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯胺(PANI)的组，上述材料可以单独使用或将两种以上混合使用，优选可以使用ITO。晶体和非晶体ITO两者都可以使用。
构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42，也就是第一感应图案41和第二感应图案42可以配置为具有35nm～150nm的厚度。由于该配置，作为制造工序的最终所得结构的触摸传感器可以获得耐久性，并且保持最佳的光学特性。
例如，构成触摸传感器层40的第一感应图案41和第二感应图案42可以是彼此独立的多边形图案，如三角形图案、四边形图案、五边形图案、六边形图案、七边形图案或具有更多个角的形状的图案。
此外，例如，触摸传感器层40可以包括规则图案。规则图案是指具有规则形状的图案。例如，感应图案可以包括彼此独立的矩形或正方形的网格状图案或六边形图案。通过将触摸传感器层40的感应图案配置成网格状，可以防止由感应图案引起的可见性的降低。
进一步，例如，触摸传感器层40可以包括不规则图案。不规则图案是指具有不规则形状的图案。
另外，例如，当构成触摸传感器层40的感应图案由金属纳米线、碳基材料或聚合物材料等材料形成时，感应图案可以具网络结构。如果感应图案具有网络结构，则由于信号被依次传送到彼此接触的相邻图案，因此可以形成具有高灵敏度的图案。
例如，可以将构成触摸传感器层40的感应图案形成为具有单层结构或多层结构。
关于配置为使第一感应图案41与第二感应图案42电绝缘的绝缘层45的材料，可以无限制地使用本领域已知的任何绝缘材料。例如，可以使用金属氧化物如硅氧化物、含有丙烯酸类树脂的光敏树脂组合物或热塑性树脂组合物。可选地，绝缘层45可以使用硅氧化物(SiOx)等无机材料形成。在该情况下，可以使用沉积工艺或溅射工艺等方法来形成绝缘层45。
此外参考图7，在第二保护层形成工序中，实施形成第二保护层50的工序以覆盖触摸传感器层40的第一感应图案41、第二感应图案42、绝缘层45和连接图案47。
例如，第二保护层50可以由绝缘材料形成，并且起到使触摸传感器层40与外界电绝缘和保护触摸传感器层40的作用。
例如，与触摸传感器层40接触的第二保护层50的表面的相反侧可以是平面化的。
此外，例如，可以将第二保护层50形成为具有单层结构或包括至少两层的多层结构。
例如，关于第二保护层50的材料，可以无限制地使用本领域已知的任何绝缘材料，更优选可以使用在退火工序(S30)中不发生变形或变形较小的耐热材料。例如，可以使用金属氧化物如硅氧化物、含有丙烯酸类树脂的光敏树脂复合材料或热塑性树脂组合物。可选地，可以使用无机材料如硅氧化物(SiOx)来形成第二保护层50，在该情况下，所述第二保护层50可以使用沉积工艺或溅射工艺等方法来形成。
此外参考图8，在载体基板分离工序中，实施通过使用物理力将载体基板10从分离层20剥离从而露出分离层20的工序。
此外参考图9，实施在分离层20的露出面上形成粘着层70的工序。
例如，光固化粘着剂、水性粘着剂或有机粘着剂可以用作粘着层70的材料，但不限于此。
光固化粘着剂是用紫外(UV)光之类的光照射时会固化的粘着剂。由于在光固化工序之后，光固化粘着剂不需要另外的干燥过程，因此简化制造工序，改善生产率。
例如，关于光固化粘着剂，可以使用具有丙烯酸酯或不饱和聚酯作为主要组分的自由基聚合型以及具有环氧树脂、氧杂环丁烷或乙烯基醚作为主要组分的阳离子聚合型。
此外参考图10，在基底膜粘接工序中，实施将基底膜80与粘着层70粘接的过程。例如，基底膜80可以是透明光学膜或偏光板。
透明光学膜可以使用具有透明性、机械强度和良好的热稳定性的膜，更优选可以使用在退火工序(S30)中不发生变形或变形较小的耐热材料。透明光学膜的具体例可以包括由热塑性树脂形成的膜或包含热塑性树脂的共混物的膜，所述热塑性树脂例如：聚酯类树脂，如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯；纤维素类树脂，如二乙酰纤维素和三乙酰纤维素；聚碳酸酯类树脂；丙烯酸类树脂，如聚(甲基)丙烯酸甲酯和聚(甲基)丙烯酸乙酯；苯乙烯类树脂，如聚苯乙烯和丙烯腈-苯乙烯共聚物；聚烯烃类树脂，如聚乙烯、聚丙烯、环系或降冰片烯结构的聚烯烃和乙烯-丙烯共聚物；氯乙烯树脂；酰胺类树脂，如尼龙和芳族聚酰胺；酰亚胺类树脂；聚醚砜类树脂；砜类树脂；聚醚醚酮类树脂；硫化聚亚苯基类树脂；乙烯醇类树脂；偏二氯乙烯类树脂；乙烯醇缩丁醛类树脂；烯丙基化物类树脂；聚甲醛类树脂；或环氧类树脂。此外，可以使用由热固性树脂或UV固化树脂形成的膜，所述热固性树脂如(甲基)丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯类树脂、环氧类树脂、硅酮类树脂。
透明光学膜的厚度可以适当选择，但是考虑到强度和操作性等可加工特性以及薄层特性，可以选择的典型厚度可以为1μm～500μm。具体地，透明光学膜的厚度优选可以为1μm～300μm，更优选为5μm～200μm。
透明光学膜可以包含至少一种适当的添加剂。添加剂的实例可以包括，例如UV吸收剂、抗氧化剂、润滑剂、增塑剂、脱模剂、着色抑制剂、阻燃剂、成核剂、抗静电剂、颜料和着色剂。透明光学膜可以具有在膜的一面或两面上包含硬涂层、抗反射层和气体阻隔层等各种功能层的结构。功能层不限于上述实例，根据目的透明光学膜可以包含各种功能层。
进一步，在必要时，可以对透明光学膜进行表面处理。表面处理的实例可以包括化学处理，例如等离子体处理、电晕处理、底涂处理等干式处理和包括皂化处理的碱处理。
此外，透明光学膜可以是各向同性膜或相位差膜。
在各向同性膜的情况下，面内延迟(Ro,Ro＝[(nx-ny)×d]，nx和ny是膜表面的主折射率，d是膜的厚度)为40nm以下，优选为15nm以下，厚度延迟(Rth，Rth＝[(nx+ny)/2-nz]×d，nx和ny是主折射率，nz是薄膜厚度方向的折射率，d是薄膜的厚度)为-90nm～+75nm，优选为-80nm～+60nm，尤其为-70nm～+45nm。
通过对聚合物膜实施单轴拉伸法、双轴拉伸法、聚合物涂布法或液体涂布法来制造相位差膜。通常，相位差膜用于改善和调整光学特性，例如补偿视角、改善颜色、修正漏光和调整色调。相位差膜的类型包括1/2或1/4波板、正C板、负C板、正A板、负A板和双轴波板。
偏光板可以是用于显示面板的已知的偏光板。具体地，偏光板可以是但不限于在通过拉伸用于染色碘或二色性颜料的聚乙烯醇膜而形成的起偏器的至少一个表面上安装保护层而获得的板、通过使液晶取向以起到起偏器作用而获得的板、或通过用聚乙烯醇等取向树脂涂覆透明膜并拉伸和染色所涂覆的透明膜而获得的板。
此外参考图11，在保护膜形成工序中，实施在基底膜的露出面和触摸传感器层40的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜92和94的工序。保护膜92和94防止构成触摸传感器的基底膜80和触摸传感器层40直接暴露于以下将描述的退火工序(S30)中的退火环境，并且抑制基底膜80和触摸传感器层40的不规则收缩。
在触摸传感器提供工序(S20)中，实施将包含基底膜80和形成在基底膜80上的触摸传感器层40的触摸感应器提供到退火室的工序。
在退火工序(S30)中，实施在退火室中对触摸传感器进行退火的工序。在实施以下将描述的退火工序(S30)之后，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42将预先收缩到特定的水平以增加伸长率。因此，即使在触摸传感器的后续工序期间或在使用触摸传感器的环境中将外力施加于触摸传感器，由于增加的伸长率，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42也会保持柔性。因此，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42具有改善了由外力产生的裂纹的耐久性。
例如，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42的厚度D可以为35nm～150nm，退火工序(S30)后构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42的延伸率可以为1.6％～7.0％。
由于上述配置，可以同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性。当透明电极单元41和42的厚度D小于35nm时，触摸传感器的耐久性降低，从而当触摸传感器弯曲时，可能发生裂纹。当透明电极单元41和42的厚度D超过150nm时，虽然触摸传感器的耐久性增加，但是包括透光率在内的光学特性降低。进一步，当退火工序(S30)后构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42的伸长率小于1.6％时，触摸传感器的柔性降低而存在可能发生裂纹的风险。当伸长率超过7.0％时，触摸传感器的结构稳定性可能降低。
例如，为了能够适当地收缩，可以在70℃～170℃的温度下实施退火工序(S30)，并且维持5分钟～60分钟。当退火温度低于70℃时，不能获得所希望的收缩率。当退火温度超过170℃时，形成在触摸传感器层40和基底膜80上的保护膜92和94可能熔化。进一步，当退火时间小于5分钟时，不能获得所希望的收缩率。当退火时间超过60分钟时，收缩率可能过大，或触摸传感器的组件可能发生结构变形。
以下，将参考图12描述根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器，图12示出了通过触摸传感器的制造方法获得的结构。在以下描述中，应该注意的是，触摸传感器的制造方法的描述和附图可以应用于触摸传感器本身的描述。
参考图12，根据本发明的示例性实施方式的具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器包括基底膜80、分离层20、第一保护层30、触摸传感器层40和第二保护层50。
基底膜80发挥触摸传感器的结构基底的作用。
例如，基底膜80可以是透明光学膜。透明光学膜可以使用具有透明性、机械强度和良好的热稳定性的膜，更优选可以使用在退火工序(S30)中不发生变形或变形较小的耐热材料。可以使用触摸传感器的制造方法的描述中例示的材料。
分离层20是为了在制造触摸传感器的工序期间将形成在载体基板10上的触摸传感器从载体基板10剥离而形成的功能层。
例如，当分离层20满足用于提供预定水平的剥离力和透明度的条件时，不具体限制分离层20的材料，可以使用触摸传感器的制造方法的描述中例示的材料。
虽然不具体限制分离层20的剥离力，但是分离层20的剥离力例如可以为0.001N/25mm～1N/25mm，优选可以为0.005N/25mm～0.2N/25mm。当满足该范围时，在制造触摸传感器的工序中，可以容易地将分离层20从载体基板10剥离而没有残留，并且可以减少由剥离过程中产生的张力所引起的卷曲和裂纹。
虽然不具体限制分离层20的厚度，但是分离层20的厚度例如可以为10nm～1000nm，优选可以为50nm～500nm。当满足该范围时，可以使剥离力稳定，并且可以形成均匀的图案。
第一保护层30保护触摸传感器层40，并且在触摸传感器形成工序中起到防止分离层20暴露在用于形成触摸传感器40的蚀刻剂的作用。第一保护层30是根据需要可以省略的可选组件。
关于第一保护层30的材料，可以无限制地使用本领域已知的聚合物，并且可以使用在触摸传感器的制造方法的描述中例示的材料。
触摸传感器层40是用于感应由使用者输入的触摸信号的组件。
正如触摸传感器的制造方法中的描述，由于触摸传感器的退火，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42将预先收缩到特定的水平以增加伸长率。因此，即使在触摸传感器的后续处理期间或在使用触摸传感器的环境中将外力施加到触摸传感器，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42也会保持柔性。因此，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42具有改善了由外力产生的裂纹的耐久性。
例如，构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42的厚度D可以为35nm～150nm，退火工序(S30)后构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42的延伸率可以为1.6％～7.0％。
由于上述配置，可以同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性。当透明电极单元41和42的厚度D小于35nm时，触摸传感器的耐久性降低，从而当触摸传感器弯曲时，可能发生裂纹。当透明电极单元41和42的厚度D超过150nm时，虽然触摸传感器的耐久性增加，但是包括透光率在内的光学特性降低。进一步，当退火工序(S30)后构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42的伸长率小于1.6％时，触摸传感器的柔性降低而存在可能发生裂纹的风险。当伸长率超过7.0％时，触摸传感器的结构稳定性可能降低。
例如，构成触摸传感器层40的感应图案可以根据应用触摸传感器的电子装置的要求形成为适当的形状。例如，当触摸传感器用于触摸屏面板时，感应图案可以形成为两类图案，也就是被配置为感应x坐标的图案以及被配置为感应y坐标的图案，但不限于此。
关于第一感应图案41、第二感应图案42和连接图案47的材料，可以无限制地使用任何透明导电材料。例如，上述材料可以选自金属氧化物、金属、纳米线、碳基材料和导电聚合物材料，上述金属氧化物选自包含ITO、IZO、IZTO、AZO、GZO、FTO、ITO-Ag-ITO、IZO-Ag-IZO、IZTO-Ag-IZTO和AZO-Ag-AZO的组，上述金属选自包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)和APC的组，上述纳米线由选自包含金、银、铜和铅的组中的金属制成，上述碳基材料选自包含CNT和石墨烯的组，上述导电聚合物材料选自包括PEDOT和PANI的组，上述材料可以单独使用或以其两种或更多种的混合物使用，优选可以使用ITO。晶体和非晶体ITO两者都可以使用。
构成触摸传感器层40的透明电极单元41和42，也就是第一感应图案41和第二感应图案42可以配置为具有35nm～150nm的厚度。由于该配置，作为制造工序的最终所得结构的触摸传感器可以获得耐久性，并且保持最佳的光学特性。
例如，构成触摸传感器层40的第一感应图案41和第二感应图案42可以是彼此独立的多边形图案，如三角形图案、四边形图案、五边形图案、六边形图案、七边形图案或具有更多个角的形状的图案。
此外，例如，触摸传感器层40可以包括规则图案。规则图案是指具有规则形状的图案。例如，感应图案可以包括彼此独立的矩形或正方形的网格状图案或六边形图案。通过将触摸传感器层40的感应图案配置成网格状，可以防止由感应图案引起的可见性的降低。
进一步，例如，触摸传感器层40可以包括不规则图案。不规则图案是指具有不规则形状的图案。
另外，例如，当构成触摸传感器层40的感应图案由金属纳米线、碳基材料和聚合物材料等材料形成时，感应图案可以具网络结构。如果感应图案具有网络结构，则由于信号被依次传送到彼此接触的相邻图案，所以可以形成具有高灵敏度的图案。
例如，可以将构成触摸传感器层40的感应图案形成为具有单层结构或多层结构。
关于配置为使第一感应图案41与第二感应图案42电绝缘的绝缘层45的材料，可以无限制地使用本领域已知的任何绝缘材料。例如，可以使用金属氧化物如硅氧化物、含有丙烯酸类树脂的光敏树脂组合物或热塑性树脂组合物。可选地，绝缘层45可以使用硅氧化物(SiOx)等无机材料形成。在该情况下，可以使用沉积工艺或溅射工艺等方法来形成绝缘层45。
第二保护层50起到使触摸传感器层40与外界电绝缘和保护触摸传感器层40的作用。
例如，第二保护层50可以由绝缘材料形成，并且与触摸传感器层40接触的第二保护层50的表面的相反侧可以是平面化的。
进一步，例如，可以将第二保护层50形成为具有单层结构或包括至少两层的多层结构。
例如，关于第二保护层50的材料，可以无限制地使用本领域已知的任何绝缘材料，可以使用触摸传感器的制造方法的描述中例示的材料。
如上文详细描述，根据本发明，所提供的触摸传感器及其制备方法具有能够同时提高触摸传感器的耐久性和光学特性的效果。
另外，通过优化影响触摸传感器的耐久性和光学特性的透明电极单元的厚度和退火条件，所提供的触摸传感器及其制造方法具有能够同时提高触摸传感器的柔性和耐久性且使触摸传感器的光学特性的降低最小化的有益效果。

Claims (11)

1.一种制造具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器的方法，所述方法包括：
将包含具有柔性的基底膜、形成在所述基底膜上的分离层以及形成在所述分离层上的触摸传感器层的触摸传感器提供至退火室；以及
在所述退火室中对所述触摸传感器实施退火工序，
其中，构成所述触摸传感器层的透明电极单元的厚度为35nm～150nm，
所述触摸传感器层与所述基底膜之间隔有所述分离层，构成所述触摸传感器层的所述透明电极单元的伸长率为1.6％～7.0％。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述基底膜的露出面和所述触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜，
其中，所述透明电极单元包含氧化铟锡ITO。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火工序在70℃～170℃的温度下实施，
其中，所述退火工序的实施时间为5分钟～60分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法进一步包括在提供触摸传感器之前，通过在载体基板上形成所述触摸传感器层并将所述触摸传感器层转印至所述基底膜而初始制造触摸传感器。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述触摸传感器的初始制造包括：
在所述载体基板上形成所述分离层；
在所述分离层上形成包含所述透明电极单元的所述触摸传感器层；
将所述载体基板分离以露出所述分离层；以及
将所述基底膜与所述分离层的露出面粘接。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述触摸传感器的初始制造进一步包括在形成所述触摸传感器层之前以覆盖包括所述分离层的侧表面在内的所有露出面的方式在所述分离层上形成第一保护层，
其中，在形成所述触摸传感器层期间将所述触摸传感器层形成在所述第一保护层上。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述触摸传感器的初始制造进一步包括：
在形成所述触摸传感器层之后，在所述触摸传感器层上形成第二保护层；
在粘接所述基底膜之后，在所述基底膜的露出面和所述触摸传感器层的露出面中的至少一个露出面上形成保护膜。
8.一种具有提高了耐久性和光学特性的触摸传感器，其包含：
具有柔性的基底膜；
形成在所述基底膜上的分离层；以及
形成在所述分离层上的触摸传感器层，
所述触摸传感器层与所述基底膜之间隔有所述分离层，
构成所述触摸传感器层的透明电极单元的伸长率为1.6％～7.0％，
构成所述触摸传感器层的所述透明电极单元的厚度为35nm～150nm。
9.根据权利要求8所述的触摸传感器，进一步包含：
第二保护层，其形成在所述触摸传感器层的两个表面中的形成有所述分离层一面的相反面上。
10.根据权利要求9所述的触摸传感器，进一步包含：
第一保护层，其形成在所述分离层和所述触摸传感器层之间。
11.根据权利要求8所述的触摸传感器，其中，所述透明电极单元包含氧化铟锡ITO。
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