CN108255355A - 内嵌式触控显示面板 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种内嵌式触控显示面板，其具有显示区域与非显示区域。像素区域形成于显示区域中栅极线与数据线相互交叉围绕的区域，每个像素区域具有像素结构，每个像素结构具有薄膜晶体管的栅极、源极、漏极、半导体层、像素电极以及子共同电极。共同电极包含多个触控电极，每个触控电极对应多个像素电极，每一个像素电极对应一个子共同电极。子共同电极是作为触控电极的一部分，且每一个触控电极电性连接至少一条感测线。数据线与子共同电极都形成在同一绝缘层上，金属连接结构电性连接相邻的两个像素结构中的子共同电极。其中金属连接结构与数据线属于不同的金属层。借此，相邻的两个像素结构中的子共同电极可以彼此电性连接。

Description

内嵌式触控显示面板

技术领域

本发明涉及一种触控显示面板，且特别涉及一种内嵌式触控显示面板。

背景技术

触控和显示驱动器整合单一芯片的架构是将显示面板中的数据线以及连接至触控电极的触控导线都连接至单一个芯片，借此这个单一个芯片可以同时控制显示与触控两个功能。然而，在非显示区域内，数据线与触控导线会往芯片区汇集，使得这些导线可能会相互重叠，可能会影响导线上的信号传递，此现象会同时影响显示与触控两个功能。因此，如何解决数据线与触控导线在非显示区域中的走线(trace route)重叠与干涉，为此技术领域的人员所关心的议题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种内嵌式触控显示面板，让相邻的两个像素结构中的子共同电极可以彼此电性连接。

本发明提出一种内嵌式触控显示面板，具有显示区域与非显示区域，内嵌式触控显示面板包括以下结构。第一基板与第二基板之间夹设有液晶层，多条数据线沿第一方向设置于第一基板上。多条感测线平行于数据线设置于第一基板上。多条栅极线沿第二方向设置于第一基板上，第一方向与第二方向夹有一个角度。多条感测线设置于所述第一基板上且数据线及栅极线之间存在绝缘层。像素区域形成于显示区域中栅极线与数据线彼此交叉处，每个像素区域具有像素结构，每个像素结构包含有薄膜晶体管的栅极、源极、漏极与半导体层，以及像素电极与子共同电极。共同电极形成于显示区域且经图案化后包含多个触控电极，每个触控电极对应多个像素电极，每个像素电极对应一个子共同电极。子共同电极是作为触控电极的一部分，且每个触控电极电性连接感测线的其中一条。多个显示垫与多个触控垫设置于非显示区域。像素电极通过数据线电性连接至显示垫；触控电极通过感测线电性连接至触控垫。数据线与子共同电极都形成在同一绝缘层上，且像素电极与子共同电极上在空间彼此绝缘。金属连接结构电性连接第二方向上相邻的两个子共同电极，其中金属连接结构与数据线属于不同的金属层。

在一些实施例中，在每个的触控电极中，在第一方向上相邻的两个子共同电极是通过触控电极的延伸部彼此直接连接，延伸部跨越栅极线，且延伸部在第二方向上的宽度小于子共同电极在第二方向上的宽度。

在一些实施例中，相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极。上述的内嵌式触控显示面板包括以下结构。第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极。第一绝缘层形成于第一金属层上。半导体层形成于第一绝缘层上。第二金属层形成于第一绝缘层上，第二金属层包括源极和漏极，数据线在显示区域内属于第二金属层。第一透明导电层形成于第一绝缘层上，第一透明导电层包括第一子共同电极与第二子共同电极。第二绝缘层形成于第二金属层与第一透明导电层上，第二绝缘层包括第一接触孔、第二接触孔与第三接触孔，第一接触孔暴露出漏极，第二接触孔暴露出第一子共同电极，第三接触孔暴露出第二子共同电极。第三金属层形成于第二绝缘层上，第三金属层包括感测线与金属连接结构，感测线通过第二接触孔电性连接至第一子共同电极，金属连接结构从第二接触孔延伸至第三接触孔并通过第三接触孔电性连接至第二子共同电极。第三绝缘层形成于第三金属层上，第三绝缘层具有第四接触孔，第四接触孔对应至第一接触孔。第二透明导电层形成于第三绝缘层上，第二透明导电层包括像素电极，像素电极通过第一接触孔与第四接触孔电性连接至漏极。

在一些实施例中，内嵌式触控显示面板包括以下结构。第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括金属连接结构与栅极。第一绝缘层形成于第一金属层上，第一绝缘层包括第一接触孔与第二接触孔，第一接触孔与第二接触孔暴露出金属连接结构的其中一个。半导体层形成于第一绝缘层上。第二金属层形成于第一绝缘层上，第二金属层包括源极和漏极，数据线在显示区域中属于第二金属层。第一透明导电层形成于第二金属层上，第一透明导电层包括第一子共同电极与第二子共同电极，其中第一子共同电极与第二子共同电极分别通过第一接触孔与第二接触孔电性连接至金属连接结构。第二绝缘层形成于第二金属层与第一透明导电层上，第二绝缘层包括第三接触孔与第四接触孔，第三接触孔暴露出漏极，第四接触孔暴露出第一子共同电极。第三金属层形成于第二绝缘层上，第三金属层包括感测线与金属连接结构，感测线通过第四接触孔电性连接至第一子共同电极。第三绝缘层形成于第三金属层上，第三绝缘层具有第五接触孔，第五接触孔对应至第三接触孔。第二透明导电层形成于第三绝缘层上，第二透明导电层包括像素电极，像素电极通过第三接触孔与第五接触孔电性连接至漏极。

在一些实施例中，内嵌式触控显示面板包括以下结构。半导体层形成于第一基板上，半导体层包括源极、第一轻参杂区、薄膜晶体管的沟道区、第二轻参杂区与漏极，其中沟道区是形成在第一轻参杂区与第二轻参杂区之间。第一绝缘层形成于半导体层上，第一绝缘层具有第一接触孔以暴露出源极，以及第二接触孔以暴露出漏极。第一金属层形成于第一绝缘层上，第一金属层包括栅极。第二绝缘层形成于第一金属层上，第二绝缘层具有对应至第一接触孔的第三接触孔，以及对应至第二接触孔的第四接触孔。第一透明导电层形成于第二绝缘层上，第一透明导电层包括第一子共同电极与第二子共同电极。第二金属层形成于第二绝缘层上，数据线在显示区域内属于第二金属层，数据线通过第一接触孔与第三接触孔电性连接至源极，其中第二金属层包括填充结构，填充结构通过第二接触孔与第四接触孔电性连接至漏极。第三绝缘层形成于第二金属层上，第三绝缘层包括第五接触孔、第六接触孔与第七接触孔，第五接触孔暴露出第一子共同电极，第六接触孔暴露出第二子共同电极，第七接触孔暴露出填充结构。第三金属层形成于第三绝缘层上，第三金属层包括感测线与金属连接结构，感测线通过第五接触孔电性连接至第一子共同电极，金属连接结构从第五接触孔延伸至第六接触孔并通过第六接触孔电性连接至第二子共同电极。第四绝缘层形成于第二金属层上，第四绝缘层包括对应至第七接触孔的第八接触孔。第二透明导电层形成于第四绝缘层上，第二透明导电层包括像素电极，像素电极通过第七接触孔与第八接触孔电性连接至填充结构。

在一些实施例中，内嵌式触控显示面板包括以下结构。半导体层形成于第一基板上，半导体层包括源极、第一轻参杂区、薄膜晶体管的沟道区、第二轻参杂区与漏极，其中沟道区是形成在第一轻参杂区与第二轻参杂区之间。第一绝缘层形成于半导体层上，第一绝缘层具有第一接触孔以暴露出源极，以及第二接触孔以暴露出漏极。第一金属层形成于第一绝缘层上，第一金属层包括栅极以及金属连接结构。第二绝缘层形成于第一金属层上，第二绝缘层具有对应至第一接触孔的第三接触孔、对应至第二接触孔的第四接触孔、第五接触孔与第六接触孔，其中第五接触孔与第六接触孔暴露出金属连接结构。第一透明导电层形成于第二绝缘层上，第一透明导电层包括第一子共同电极与第二子共同电极，其中第一子共同电极与第二子共同电极分别通过第五接触孔与第六接触孔电性连接至金属连接。第二金属层形成于第二绝缘层上，数据线在显示区域内属于第二金属层，数据线通过第一接触孔与第三接触孔电性连接至源极，其中第二金属层包括填充结构，填充结构通过第二接触孔与第四接触孔电性连接至漏极。第三绝缘层形成于第二金属层上，第三绝缘层包括第七接触孔与第八接触孔，第七接触孔暴露出第一子共同电极，第八接触孔暴露出填充结构。第三金属层形成于第三绝缘层上，第三金属层包括感测线，感测线通过第七接触孔电性连接至第一子共同电极。第四绝缘层形成于第三金属层上，第四绝缘层包括对应至第八接触孔的第九接触孔。第二透明导电层形成于第四绝缘层上，第二透明导电层包括像素电极，像素电极通过第八接触孔与第九接触孔电性连接至填充结构。

在一些实施例中，内嵌式触控显示面板包括以下结构。第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极。第一绝缘层形成于第一金属层上。半导体层形成于第一绝缘层上，半导体层为一包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层形成于半导体层上，第二绝缘层具有第一接触孔与第二接触孔暴露半导体层。第二金属层形成于第二绝缘层上，并通过第一接触孔与第二接触孔电性连接源极与漏极。第一透明导电层形成于第二绝缘层上，第一透明导电层包括第一子共同电极与第二子共同电极。第三绝缘层形成于第一透明导电层与第二金属层上，第三绝缘层具有第三接触孔暴露第一子共同电极，第四接触孔暴露第二子共同电极，以及第五接触孔暴露漏极。第三金属层形成于第三绝缘层上，第三金属层包括感测线与金属连接结构，感测线通过第三接触孔电性连接至第一子共同电极，金属连接结构从第三接触孔延伸至第四接触孔并电性连接至第二子共同电极。第四绝缘层形成于第三绝缘层与第三金属层上，第四绝缘层具有第六接触孔对应第五接触孔并暴露漏极。第二透明导电层形成于第四绝缘层上，第二透明导电层包括像素电极，像素电极通过第五接触孔与第六接触孔电性连接至漏极。

在一些实施例中，内嵌式触控显示面板包括以下结构。第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极以及第一金属连接结构。第一绝缘层形成于第一金属层上，第一绝缘层具有第一接触孔与第二接触孔以暴露出第一金属连接结构。半导体层形成于第一绝缘层上，半导体层为一包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层形成于半导体层上，第二绝缘层具有第三接触孔与第四接触孔分别对应第一接触孔与第二接触孔以暴露第一金属层，第二绝缘层并具有第五接触孔与第六接触孔暴露半导体层。第二金属层形成于第二绝缘层上，并通过第五接触孔与第六接触孔分别电性连接漏极与源极。第一透明导电层形成于第二绝缘层上，第一透明导电层包括第一子共同电极与第二子共同电极，其中第一子共同电极通过第一接触孔与第三接触孔电性连接至第一金属连接结构，且第二子共同电极通过第二接触孔与第四接触孔电性连接至第一金属连接结构。第三绝缘层形成于第一透明导电层与第二金属层上，第三绝缘层具有第七接触孔暴露第一子共同电极以及具有第八接触孔暴露漏极。第三金属层形成于第三绝缘层上，在显示区域内，感测线属于第三金属层，感测线通过第七接触孔电性连接至第一子共同电极。第四绝缘层形成于第三绝缘层与第三金属层上，第四绝缘层具有第九接触孔对应第八接触孔并暴露漏极。第二透明导电层，形成于第四绝缘层上，第二透明导电层包括像素电极，且像素电极通过第八接触孔与第九接触孔电性连接漏极。

在一些实施例中，数据线与感测线在显示区域内彼此平行，在非显示区域内彼此不重叠。

在一些实施例中，数据线与感测线在显示区域内沿着内嵌式触控显示面板的法向量彼此部分重叠，且数据线与感测线在显示区域内由不同金属层所构成。

在一些实施例中，内嵌式触控显示面板还包括以下结构。每条感测线电性连接至一个触控垫。每条数据线电性连接至一个显示垫。驱动电路设置于非显示区域并电性连接至显示垫与触控垫。非显示区域还包括信号线转接区与扇出区，信号线转接区位于显示区域与扇出区之间，触控垫与显示垫位于扇出区内。其中一个显示垫设置于触控垫的其中两个之间，其中一个触控垫设置于显示垫的其中两个之间。

在一些实施例中，感测线的至少其中两条是彼此电性连接后通过导线电性连接至其中一个触控垫。

在一些实施例中，触控垫的数目少于显示垫的数目，显示垫与多控垫排列为多个行，其中一行仅具有部分的触控垫。

在一些实施例中，显示垫是设置于触控垫与显示区域之间。

在一些实施例中，触控垫是设置在显示垫与显示区域之间。

在一些实施例中，触控垫的数目少于显示垫的数目，显示垫与触控垫排列为多个行，其中第一行仅具有部分的显示垫，第二行具有部分的显示垫与部分的触控垫。

在一些实施例中，第一行设置于显示区域与第二行之间。

在一些实施例中，第二行设置于显示区域与第一行之间。

在一些实施例中，非显示区域还包括信号线转接区与扇出区，信号线转接区位于显示区域与扇出区之间，感测线的其中一条包括第一部分与第二部分，第一部分属于第一金属层或第二金属层，第二部分属于第三金属层，内嵌式触控显示面板还包括连接结构，设置于信号线转接区，耦接至第一部分与第二部分。此连接结构包括：第一部分；第二部分；绝缘层，其具有开口暴露出第一部分与第二部分；以及透明导电层，其通过开口电性连接至第一部分与第二部分。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：相邻的两个像素结构中的子共同电极可通过金属连接结构彼此电性连接。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是根据一实施例绘示内嵌式触控显示面板中数据线与感测线的连接示意图。

图2是根据一实施例绘示感测线与驱动电路的连接示意图。

图3A至图3G是根据一些实施例绘示驱动电路上显示垫与触控垫的配置示意图。

图4A是根据一实施例绘示像素结构的俯视图。

图4B是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。

图5A是沿着图4A的切线AA’绘示像素结构的剖面图。

图5B_1与图5B_2是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。

图5C是绘示图5B_1中共同电极的电路示意图。

图5D是沿着图5B_1的切线EE’绘示像素结构的剖面图。

图5E是沿着图5B_1的切线FF’绘示像素结构的剖面图。

图5F是沿着图5B_1的切线GG’绘示像素结构的剖面图。

图5G是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。

图5H是沿着图5G的切线II’绘示像素结构的剖面图。

图5I是沿着图5G的切线JJ’绘示像素结构的剖面图。

图5J是沿着图4B的切线HH’绘示像素结构的剖面图。

图5K至图5N是根据另一实施例绘示像素结构的剖面图。

图6是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。

图7A是沿着图6的切线CC’绘示像素结构的剖面图。

图7B是根据一实施例绘示像素结构的剖面图。

图8A至图8C是沿着图4A的切线BB’绘示连接结构440的剖面图。

图9A至图9C是沿着图6的切线DD’绘示连接结构610的剖面图。

图10A至图10G是根据一实施例绘示形成像素结构的中间程序的俯视图。

具体实施方式

关于本文中所使用的第一、第二、…等，并非特别指次序或顺位的意思，其仅为了区别以相同技术用语描述的组件或操作。另外，关于本文中所使用的耦接，可指两个组件直接地或间接地作电性连接。也就是说，当以下描述第一对象耦接至第二对象时，第一对象与第二对象之间还可设置其它的对象。

图1是根据一实施例绘示内嵌式触控显示面板中数据线与感测线的连接示意图。请参照图1，内嵌式触控显示面板100是一种内嵌式(in-cell)的触控显示面板，也就是说侦测触控用的电极是设置在薄膜晶体管基板上的像素结构之中。

内嵌式触控显示面板100包括显示区域101与非显示区域102。非显示区域102包括了信号线转接区103与扇出区104。在此先说明显示区域101，显示区域101内包括多个像素区域，这些像素区域形成于显示区域中栅极线与数据线相互交叉围绕的区域，每个像素区域具有一个像素结构。具体来说，显示区域101中包括多个像素结构P11～P14、P21～P24、P31～P34、P41～P44；多条沿着X方向(也称第二方向)延伸的栅极线G1～G4；多条沿着Y方向(也称第一方向)延伸的数据线D1～D4，这些数据线D1～D4在空间上彼此不相交；以及多条沿着Y方向延伸的感测线S1～S4。X方向与所述Y方向夹有一个角度，此角度例如是介于75至105度之间，在一些实施例中为90度。数据线D1～D4与栅极线G1～G4是交错在第一基板上，在数据线与栅极线交叉处具有对应的像素结构。每个像素结构中都具有一个像素电极与一个薄膜晶体管，每条数据线D1～D4会连接至对应像素结构中薄膜晶体管的源极，并且每条栅极线G1～G4会连接至对应像素结构中薄膜晶体管的栅极。举例来说，像素结构P11具有薄膜晶体管T1，薄膜晶体管T1具有栅极T1G与源极T1S，栅极线G1是连接栅极T1G，而数据线D1是连接至源极T1S。内嵌式触控显示面板中还包括共同电极，此共同电极在显示区域101经图案化后包含多个触控电极C11、C12、C21、C22，且每个触控电极对应多个像素电极且通过接触孔电性连接至至少一条感测线。举例来说，像素结构P11～P14对应至触控电极C11，且触控电极C11电性连接至感测线S1；像素结构P21～P24对应至触控电极C12，且触控电极C12电性连接至感测线S3；像素结构P31～P34对应至触控电极C21，且触控电极C21电性连接至感测线S2；像素结构P44～P44对应至触控电极C22，且触控电极C22电性连接至感测线S4。

一个帧(frame)的期间可至少被分为显示期间与触控期间。在显示期间，触控电极C11、C12、C21、C22会电性连接至共同电压，栅极线G1～G4上的电压是用以依序导通像素结构中的薄膜晶体管，驱动电路110会将像素资料通过数据线D1～D4传送至像素结构中的像素电极，借此决定对应像素的灰阶值。另一方面，而在触控期间，触控电极C11、C12、C21、C22是用以侦测内嵌式触控显示面板100上的触控操作，驱动电路110会根据触控电极C11、C12、C21、C22上的电压产生触控感测信号。换言之，触控操作的解析度是由共同电极的数目来决定，而触控操作的解析度会低于显示的解析度。驱动电路根据触控电极上的电压变化产生触控感测信号。

信号线转接区103位于显示区域101与扇出区104之间。在信号线转接区103中，数据线D1～D4与感测线S1～S4可转接至不同的金属层。例如，感测线S1～S4可以在显示区域101中属于第三金属层，但在扇出区104中属于第一金属层，因此信号线转接区103中具有连接结构以将感测线S1～S4从第三金属层转接至第一金属层，以下会再详细说明连接结构的实施例。此外，在信号线转接区103中也可以设置电路防护元件或者是透明或不透明的导电层，借此避免静电放电对内嵌式触控显示面板100的损坏。在一些实施例中，信号线转接区103的宽度约为0.5～1个像素结构的宽度，但本发明并不在此限。

在非显示区域102中，内嵌式触控显示面板100上设置有驱动电路110。驱动电路110电性连接至多个显示垫121～124与多个触控垫131～134。显示垫121～124是分别电性连接至数据线D1～D4，而触控垫131～134是分别电性连接至感测线S1～S4。特别的是，在X方向上，其中一个显示垫是设置在两个触控垫之间，而其中一个触控垫是设置于两个显示垫之间。例如，显示垫122是设置于触控垫131与触控垫132之间，且触控垫131是设置于显示垫121与显示垫122之间。在图1的实施例中，显示垫121～124与触控垫131～134是交错地设置。在公知技术中，驱动电路110是连续地配置显示垫121～124，然后再连续地配置触控垫131～134，这使得信号线D1～D4与感测线S1～S4在非显示区域102中会彼此交错。然而，如图1所示，由于显示垫121～124与触控垫131～134是彼此交错地设置，这使得数据线D1～D4与感测线S1～S4在显示区域101内是彼此平行，并且在非显示区域102内彼此不交错重叠。

在一些实施例中，驱动电路110可设置在可挠式(flexible)电路板上，例如在卷带承载封装(Tape Carrier Package，TCP)或晶粒软模封装(Chip on Film，COF)上，或者驱动电路110也可以设置在薄膜晶体管基板上。此外，驱动电路110可以是触控与显示整合(Touch and Display Driver Integration，TDDI)单一晶片，同时提供显示与触控的功能。或者，驱动电路110中也可以包括多个晶片，分别提供显示与触控的功能。驱动电路110也可以是面板内栅极驱动器(Gate-Driver In Plane，GIP)或整合栅极驱动器(IntegratedGate Driver，IGD)。另外，驱动电路110的数目也可以大于一，分别设置在面板的上下或左右两侧，或者也可以只设置在面板的一侧。

在图1中，是每四个像素结构会共用一个触控电极，但在其他实施例中也可以由更多或更少个像素结构来共同一个触控电极。此外，在图1中数据线D1～D4与感测线S1～S4的数目是相同。然而，在一般情况下每个像素结构(也称为子像素)只会显示单一个颜色，而三个子像素才会构成一个像素，这三个子像素通常是沿着X方向排列，因此像素结构在X方向上的解析度会大于在Y方向上的解析度。在一些实施例中，可以将至少两条感测线彼此电性连接后通过导线电性连接驱动电路110上其中一个触控垫。举例来说，请参照图2，图2是根据一实施例绘示感测线与驱动电路的连接示意图。为了简化起见，在图2中并未绘示出数据线、栅极线等导线。在图2的实施例中，触控电极C11、C21、C31中各有27个像素结构(共有3行(row)与9列(column))。感测线S1～S3中的至少一条感测线通过接触孔ch电性连接至触控电极C11，并且感测线S1～S3在信号线转接区103中彼此电性连接后通过导线201电性连接至驱动电路110上的触控垫。感测线S4～S6中的至少一条感测线通过一接触孔ch电性连接至触控电极C21，并且感测线S4～S6在信号线转接区103中彼此电性连接后通过导线202电性连接至驱动电路110上的触控垫。感测线S7～S9中的至少一条感测线通过接触孔ch电性连接至触控电极C31，并且感测线S7～S9在信号线转接区103中彼此电性连接后通过导线203电性连接至驱动电路110上的触控垫。在图2的实施例中，感测线S1～S3中有两条感测线通过两个接触孔ch电性连接至触控电极C11，感测线S4～S6中有一条感测线电性连接通过一个接触孔ch至触控电极C21，而感测线S7～S9中有三条感测线通过三个接触孔ch电性连接至触控电极C31。本发明并不限制每个触控电极会电性连接至几条感测线。例如，若有五条感测线通过一个触控电极，则此触控电极可以电性连接至这五条感测线中任意数目的感测线。

此外，每个像素结构都具有一条数据线，而每一条数据线都会连接至驱动电路110上的一个显示垫。也就是说，显示垫的数目会多于触控垫的数目。在图2的实施例中，每3个显示垫之间都会设置一个触控垫，借此在非显示区域102中感测线与数据线不会彼此交错重叠。

图3A至图3G是根据一些实施例绘示驱动电路上显示垫与触控垫的配置示意图。为了简化起见，在图3A至图3G中并未绘示数据线与感测线。

请先参照图3A，在一些实施例中，驱动电路110上的显示垫与触控垫沿着Y方向排列为第一行301、第二行302与第三行303。其中在第一行301中仅具有触控垫TP，而在第二行302与第三行303仅具有显示垫DP。在此实施例中，所有的触控垫都设置在第一行301，但在其他的实施例中也可以将所有的触控垫排列为多个行。此外，在图3A中，触控垫TP是设置上面，即触控垫TP是设置在显示区域与显示垫DP之间。图3B类似于图3A，驱动电路110上的显示垫与触控垫沿着Y方向排列为第一行311、第二行312与第三行313。其中在第二行312与第三行313仅具有显示垫DP，在第一行311中仅具有触控垫TP。然而，在图3B中，触控垫TP是设置在下方，即显示垫DP是设置在显示区域与触控垫TP之间。

在图3C中，驱动电路110上的显示垫与触控垫沿着Y方向排列为第一行321与第二行322。其中第一行321仅具有部份的显示垫DP，而第二行322具有显示垫DP与部份的触控垫TP。第一行321是设置在上方，即第一行321是设置在显示区域与第二行322之间。图3D类似于图3C，不同的是，在图3D中参杂有触控垫TP与显示垫DP的第二行332是设置在上方，即第二行332是设置在显示区域与第一行331之间。

在图3E中，显示垫与触控垫沿着Y方向排列为第一行341、第二行342、第三行343与第四行344。其中第一行341仅具有触控垫TP，而第二行342、第三行343与第四行344仅具有显示垫DP。此外，在Y方向上触控垫TP与显示垫DP是彼此重叠。

在图3F中，触控垫TP是平均地分散在第一行351、第二行352与第三行353上。在同一行中相邻的两个触控垫TP之间则相隔有三个显示垫DP。并且在Y方向上触控垫TP不会彼此重叠。

在图3G中，第一行361仅具有触控垫TP，第二行362与第三行363仅具有显示垫DP，而第四行364仅具有触控垫TP。在Y方向上，第一行361的触控垫TP并不会重叠于第四行364的触控垫TP，并且第二行362上的显示垫DP并不会重叠于第三行363上的显示垫DP。

在上述图3A至图3G的实施例中，触控垫TP在X方向上的宽度是相同于显示垫DP在X方向上的宽度。但在其他实施例中，触控垫TP在X方向上的宽度也可以大于显示垫DP在X方向上的宽度，本发明并不在此限。值得一提的是，本文中所指的“在X方向上，其中一个显示垫是设置在两个触控垫之间，而其中一个触控垫是设置于两个显示垫之间”涵盖了图3A至图3G的实施例。例如，在图3E中显示垫347在X方向上是位于触控垫345与触控垫346之间，而触控垫346是位于显示垫347与显示垫348之间。以另一个角度来说，显示垫347在X轴上的投影会位于触控垫345与触控垫346在X轴上的两个投影之间，且触控垫346在X轴上的投影是位于显示垫347与显示垫348在X轴上的两个投影之间。对于图3A至图3D、图3F与图3G的解读也可以此类推，并不再赘述。

图4A是根据一实施例绘示像素结构的俯视图，图5A是沿着图4A的切线AA’绘示像素结构的剖面图。请参照图4A，在此以像素结构410为例，像素结构410中具有薄膜晶体管420、像素电极PE与子共同电极COM(未绘示于图4A)。薄膜晶体管420具有栅极420G、源极420S与漏极420D。属于第一金属层M1的栅极线430是连接至栅极420G。属于第二金属层M2的数据线431连接至源极420S。属于第三金属层M3的感测线432则会连接至子共同电极COM。请同时参照图4A与图5A，第一金属层M1是形成在第一基板SUB之上，并且第一金属层M1包括栅极420G。第一绝缘层INS1(也称为栅极绝缘层)是形成在第一金属层M1之上。半导体层420C形成于第一绝缘层INS1之上，作为薄膜晶体管420的沟道区。第一透明导电层511形成在第一绝缘层INS1之上，第一透明导电层511包括像素电极PE。第二金属层M2形成于半导体层420C之上，第二金属层M2包括源极420S与漏极420D，其中漏极420D是连接至像素电极PE。第二绝缘层INS2形成于第二金属层M2与第一透明导电层511之上。第三金属层M3形成在第二绝缘层INS2之上，感测线432在显示区域101内属于第三金属层M3。第三绝缘层INS3形成于第三金属层M3之上，并且具有接触孔520。第二透明导电层512形成于第三绝缘层INS3之上，第二透明导电层512包括子共同电极COM，子共同电极COM也包括多个间隙(slit)512S。换言之，像素电极PE在空间上与子共同电极COM彼此绝缘。在显示区域101内，感测线432通过接触孔520电性连接至子共同电极COM。如此一来，在显示期间，子共同电极COM上会施加共同电压，而子共同电极COM与像素电极PE之间的电场可用来控制液晶的旋转方向；在触控期间，子共同电极COM可作为触控电极，触控电极的电压变化可通过感测线432传送至驱动电路，进而产生触控感测信号。

在图5A的实施例中，子共同电极COM是在像素电极PE的上面。然而，在其它实施例中子共同电极COM也可以设置在像素电极PE的下面。举例来说，请参照图5B_1与图5C，图5B_1绘示的是图5C中区域540内的两个像素结构，为了区别图5C中的两个子共同电极COM，在图5B_1中两个相邻的像素结构所包括的共同电极被标示为第一子共同电极COM1与第二子共同电极COM2。当子共同电极COM1、COM2设置在像素电极PE的下面时，子共同电极COM1、COM2与第二金属层M2是属于同一层，即子共同电极COM1、COM2与第二金属层M2都直接接触上述的第一绝缘层INS1，这使得子共同电极COM1并不能直接跨越数据线431来连接至子共同电极COM2。因此，在一些实施例中还设置了多个金属连接结构(例如金属连接结构535)，其中每一个金属连接结构用以电性连接相邻的两个像素结构中的子共同电极，并且此金属连接结构并不属于第二金属层。在图5B_1的实施例中，这些金属连接结构是属于第三金属层M3。

请参照图5B_2，在X方向上子共同电极COM1、COM2是通过金属连接结构535彼此电性连接。然而，在Y方向上子共同电极并不会跨越同层的第二金属层，因此可直接通过延伸部彼此电性连接。具体来说，在Y方向上相邻的子共同电极COM1和子共同电极COM3是通过延伸部591彼此电性连接；在Y方向上相邻的子共同电极COM2和子共同电极COM4是通过延伸部592彼此电性连接。延伸部591、592会跨越栅极线430，并且在X方向上的宽度会小于子共同电极COM1、COM2、COM3、COM4的宽度。

请参照图5B_1、图5D、图5E与图5F，图5D是沿着图5B_1中的切线EE’所绘示像素结构的剖面图，图5E是沿着图5B_1中的切线FF’所绘示像素结构的剖面图，图5F是沿着图5B_1中的切线GG’所绘示像素结构的剖面图。图5D至图5F中类似于图5A的组件并不再重复赘述。在图5D至图5F中，第二金属层M2与第一透明导电层511都是设置于第一绝缘层INS1之上并直接接触第一绝缘层INS1，第一透明导电层511包括了子共同电极COM1、COM2。第二绝缘层INS2形成于第二金属层M2与第一透明导电层511之上，第二绝缘层INS2具有接触孔530、接触孔531与接触孔534。接触孔531暴露出漏极420D。在同一个像素结构中，接触孔530、534是分别设置于子共同电极的两侧并暴露出此像素结构中的子共同电极。举例来说，子共同电极COM1与子共同电极COM2的两侧都设置有接触孔530、534。第三金属层M3形成在第二绝缘层INS2之上，在显示区域101内感测线432属于第三金属层M3，感测线432通过接触孔530电性连接至子共同电极COM1、COM2。此外，第三金属层M3也包括金属连接结构535，金属连接结构535是电性连接至感测线432(也电性连接至子共同电极COM1)，并从接触孔530延伸至相邻像素结构中的接触孔534，通过接触孔534电性连接至子共同电极COM2。如此一来，相邻的两个子共同电极COM1、COM2可通过金属连接结构535彼此电性连接。此外，第三绝缘层INS3设置于第二绝缘层INS2与第三金属层M3之上，并且具有对应至接触孔531的接触孔532。第二透明导电层512形成在第三绝缘层INS3之上，第二透明导电层512包括像素电极PE。在一些实施例中，像素电极PE具有多个间隙533。此外，像素电极PE是通过接触孔532、531电性连接至漏极420D。

在图5B_1的实施例中，金属连接结构535是形成在第三金属层M3，但在其它实施例中也可以形成在第一金属层M1中。举例来说，请参照图5G、图5H与图5I。图5H是沿着图5G的切线II’绘示像素结构的剖面图。图5I是沿着图5G的切线JJ’绘示像素结构的剖面图。在此实施例中，第一金属层M1包括栅极420G与金属连接结构563。第一绝缘层INS1具有接触孔561、562以暴露出金属连接结构563。第一透明导电层511包括了子共同电极COM1、COM2。子共同电极COM1通过接触孔561电性连接至金属连接结构563，而金属连接结构563通过接触孔562电性连接至子共同电极COM2。如此一来，子共同电极COM1、COM2会彼此电性连接。第二绝缘层INS2是形成于第二金属层M2与第一透明导电层511之上，并具有接触孔564以暴露出子共同电极COM1、COM2。第三金属层M3形成于第二绝缘层INS2之上，而属于第三金属层M3的感测线432是通过接触孔564电性连接至子共同电极COM1、COM2。

在图4A的实施例中，感测线432是属于第三金属层M3，但在其它实施例中连接至子共同电极COM的感测线也可以属于第二金属层M2。举例来说，请参照图4B，为了清楚绘示感测线与数据线的相对位置，在图4B中绘示了两条数据线431与一条感测线550，这两条数据线431是分别属于相邻的两个像素结构。数据线431与感测线550都属于第二金属层M2，并且感测线550是设置于两条数据线431之间。更具体来说，请一并参照图4B与图5J，其中图5J与图5A相似的部分并不再重复赘述。数据线431与感测线550是设置于第一绝缘层INS1之上。第二绝缘层INS2设置于第二金属层M2与透明导电层511之上，第二绝缘层INS2具有接触孔551。第三绝缘层INS3设置于第二金属层INS2之上，并且第三绝缘层INS3具有对应接触孔551的接触孔552。透明导电层512设置于第三绝缘层INS3之上，并且通过接触孔552与接触孔551电性连接至感测线550。

当比较图4A与图4B时，由于图4B中的感测线550与数据线431同属于第二金属层M2，属于平行结构无法重叠因此会牺牲掉部分开口率来布置走线；而在图4A中由于感测线432与数据线431是属于不同的金属层，走线可以交叠，如此一来，可使像素结构的开口率相对地较大。然而，本发明并不限制要将电性连接至子共同电极的感测线是设置于第二金属层或是第三金属层。

在上述的实施例中，薄膜晶体管的沟道区是非晶硅，但在其它实施例中沟道区也可以是多晶硅。举例来说，请参照图5K，第一基板SUB上形成有半导体层571，半导体层571包括了源极571S、第一轻参杂(lightly doped drain，LDD)区571_L1、第二轻参杂区571_L2、沟道区571C与漏极571D。沟道区571C为多晶硅，其是通过低温(通常低于600℃)的方式来形成。源极571S与漏极571D为重参杂。沟道区571C是形成在第一轻参杂区571_L1与第二轻参杂区571_L2之间。第一轻参杂区571_L1是形成在源极571S与沟道区571C之间，第二轻参杂区571_L2是形成在沟道区571C与漏极571D之间。第一绝缘层INS1形成在半导体层571之上，并且第一绝缘层INS1具有第一接触孔5K_1h与第二接触孔5K_2h以分别暴露出源极571S与漏极571D。第一金属层M1形成于第一绝缘层INS1之上，第一金属层M1具有栅极571G，栅极571G是沿着第一基板SUB的法向量720与沟道区571C至少部分地重叠。第二绝缘层INS2形成在第一绝缘层INS1之上，第二绝缘层INS2具有对应至第一接触孔5K_1h的第三接触孔5K_3h，以及对应至第二接触孔5K_2h的第四接触孔5K_4h。栅极571G是位于第三接触孔5K_3h与第四接触孔5K_4h之间。第一透明导电层511形成于第二绝缘层INS2之上，第一透明导电层511具有分别属于相邻两个像素结构的第一子共同电极COM1与第二子共同电极COM2。第二金属层M2形成于第二绝缘层INS2之上，数据线431属于第二金属层M2，并且数据线431通过第三接触孔5K_3h与第一接触孔5K_1h电性连接至源极571S。值得注意的是，由于相邻的两个像素结构之间具有数据线431，因此第一子共同电极COM1并不能直接延伸至第二子共同电极COM2。第二金属层M2还具有填充结构572，此填充结构572通过第四接触孔5K_4h与第二接触孔5K_2h电性连接至漏极571D。第三绝缘层INS3是形成于第二金属层M2与第一透明导电层511之上，第三绝缘层INS3包括了第五接触孔5K_5h、第六接触孔5K_6h与第七接触孔5K_7h。第五接触孔5K_5h暴露出第一子共同电极COM1，第六接触孔5K_6h暴露出第二子共同电极COM2，第七接触孔5K_7h则暴露出填充结构572。第三金属层M3形成于第三绝缘层INS3之上，感测线432在显示区域内是属于第三金属层M3，并且感测线432通过第五接触孔5K_5h电性连接至第一子共同电极COM1。另一方面，第三金属层M3还包括金属连接结构573，金属连接结构5732电性连接至感测线432，从第五接触孔5K_5h延伸至第六接触孔5K_6h，并通过第六接触孔5K_6h电性连接至第二子共同电极COM2。如此一来，第一子共同电极COM1与第二子共同电极COM2会彼此电性连接。第四绝缘层INS4是形成于第三金属层M3之上，第四绝缘层INS4包括对应至第七接触孔5K_7h的第八接触孔5K_8h。第二透明导电层512形成于第四绝缘层INS4之上，第二透明导电层512包括了像素电极PE。像素电极PE通过第八接触孔5K_8h与第七接触孔5K_7h电性连接至填充结构572。

在图5K的实施例中，金属连接结构573是设置于第三金属层M3，但在其它实施例中金属连接结构也可以设置在第一金属层M1。举例来说，请参照图5L，其中图5L与图5K相似的组件便不再重复赘述。第一绝缘层INS1形成在半导体层571之上，并且第一绝缘层INS1具有第一接触孔5L_1h与第二接触孔5L_2h以分别暴露出源极571S与漏极571D。第一金属层M1形成于第一绝缘层INS1之上，第一金属层M1具有栅极571G，栅极571G是沿着第一基板SUB的法向量720与沟道区571C至少部分地重叠。第一金属层M1还具有金属连接结构581。第二绝缘层INS2形成在第一绝缘层INS1之上，第二绝缘层INS2具有对应至第一接触孔5L_1h的第三接触孔5L_3h，以及对应至第二接触孔5L_2h的第四接触孔5L_4h。栅极571G是位于第三接触孔5L_3h与第四接触孔5L_4h之间。第二绝缘层INS2还具有第五接触孔5L_5h与第六接触孔5L_6h以暴露出金属连接结构581。第一透明导电层511形成于第二绝缘层INS2之上，第一透明导电层511具有分别属于相邻两个像素结构的第一子共同电极COM1与第二子共同电极COM2。第一子共同电极COM1通过第五接触孔5L_5h电性连接至金属连接结构581，而金属连接结构581是通过第六接触孔5L_6h电性连接至第二子共同电极COM2，如此一来，第一子共同电极COM1与第二子共同电极COM2会彼此电性连接。第二金属层M2形成于第二绝缘层INS2之上，数据线431属于第二金属层M2，并且数据线431通过第三接触孔5L_3h与第一接触孔5L_1h电性连接至源极571S。值得注意的是，由于相邻的两个像素结构之间具有数据线431，因此第一子共同电极COM1并不能直接延伸至第二子共同电极COM2。第二金属层M2还具有填充结构582，此填充结构582通过第四接触孔5L_4h与第二接触孔5L_2h电性连接至漏极571D。第三绝缘层INS3是形成于第二金属层M2与第一透明导电层511之上，第三绝缘层INS3包括了第七接触孔5L_7h与第八接触孔5L_8h。第七接触孔5L_7h暴露出第一子共同电极COM1，第八接触孔5L_8h暴露出填充结构582。第三金属层M3形成于第三绝缘层INS3之上，感测线432在显示区域内是属于第三金属层M3，并且感测线432通过第七接触孔5L_7h电性连接至第一子共同电极COM1。第四绝缘层INS4是形成于第三金属层M3之上，第四绝缘层INS4包括对应至第八接触孔5L_8h的第九接触孔5L_9h。第二透明导电层512形成于第四绝缘层INS4之上，第二透明导电层512包括了像素电极PE。像素电极PE通过第九接触孔5L_9h与第八接触孔5L_8h电性连接至填充结构582。

在其他实施例中，薄膜晶体管的沟道区也可以为氧化铟镓锌(indium galliumzinc oxide，IGZO)。例如，请参照图5M，第一基板SUB上有第一金属层M1，此第一金属层M1包括了薄膜晶体管的栅极420G。第一绝缘层INS1形成于第一金属层M1之上。半导体层420C形成于第一绝缘层INS1之上，半导体层420C为包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层INS2形成于半导体层420C之上，并且具有第一接触孔5M_1h与第二接触孔5M_2h以暴露出半导体层420C。第二金属层M2也形成于第二绝缘层INS2之上，第二金属层M2包括了数据线431、源极420S与漏极420D。源极420S(数据线431)通过第一接触孔5M_1h电性连接至半导体层420C，而漏极420D通过第二接触孔5M_2h电性连接至半导体层420C。第一透明导电层511形成于第二绝缘层INS2上，第一透明导电层511包括第一子共同电极COM1与所述第二子共同电极COM2。第三绝缘层INS3形成于第一透明导电层511与第二金属层M2上，第三绝缘层INS3具有第三接触孔5M_3h暴露第一子共同电极COM1，第四接触孔5M_4h暴露第二子共同电极COM2，以及第五接触孔5M_5h暴露漏极420D。第三金属层M3形成于第三绝缘层INS3上，第三金属层M3包括感测线432与金属连接结构583，感测线432通过第三接触孔5M_3h电性连接至第一子共同电极COM1，金属连接结构583从第三接触孔5M_3h延伸至第四接触孔5M_4h并电性连接至第二子共同电极COM2。第四绝缘层INS4形成于第三绝缘层INS3与第三金属层M3上，第四绝缘层INS4具有第六接触孔5M_6h以对应第五接触孔5M_5h并暴露漏极420D。第二透明导电层512形成于第四绝缘层INS4上，第二透明导电层512包括像素电极PE，像素电极PE通过第五接触孔5M_5h与第六接触孔5M_6h电性连接至漏极420D。

在图5M的实施例中金属连接结构是属于第三金属层M3，但在其他实施例中也可以属于第一金属层。举例来说，请参照图5N，第一金属层M1形成于第一基板SUB上，第一金属层M1包括栅极420G以及第一金属连接结构584。第一绝缘层INS1形成于第一金属层M1上，第一绝缘层INS1具有第一接触孔5N_1h与第二接触孔5N_2h以暴露出第一金属连接结构584。半导体层420C形成于第一绝缘层INS1上，半导体层420C为包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层INS2形成于半导体层420C上，第二绝缘层INS2具有第三接触孔5N_3h与第四接触孔5N_4h分别对应第一接触孔5N_1h与第二接触孔5N_2h以暴露第一金属层M1。第二绝缘层INS2还具有第五接触孔5N_5h与第六接触孔5N_6h以暴露半导体层420C。第二金属层M2形成于第二绝缘层INS2上，并通过第五接触孔5N_5h与第六接触孔5N_6h分别电性连接漏极420D与源极420S。第一透明导电层511形成于第二绝缘层INS2上，第一透明导电层511包括第一子共同电极COM1与第二子共同电极COM2，其中第一子共同电极COM1通过第一接触孔5N_1h与第三接触孔5N_3h电性连接至第一金属连接结构584，且第二子共同电极COM2通过第二接触孔5N_2h与第四接触孔5N_4h电性连接至第一金属连接结构584。第三绝缘层INS3形成于第一透明导电层511与第二金属层M2上。第三绝缘层INS3具有第七接触孔5N_7h暴露第一子共同电极COM1以及具有第八接触孔5N_8h暴露漏极420D。第三金属层M3形成于第三绝缘层INS3上并具有感测线432，感测线432通过第七接触孔5N_7h电性连接至第一子共同电极COM1。第四绝缘层INS4形成于第三绝缘层INS3与第三金属层M3上，第四绝缘层INS4具有第九接触孔5N_9h以对应第八接触孔5N_8h并暴露漏极420D。第二透明导电层512形成于第四绝缘层INS4之上，第二透明导电层512包括像素电极PE，且像素电极PE通过第八接触孔5N_8h与第九接触孔5N_9h电性连接漏极420D。

在图4A的实施例中，数据线431与感测线432在内嵌式触控显示面板的法向量上是彼此没有重叠。但由于感测线432是由金属所形成，这样会减少像素结构的开口率(aperture ratio)。因此在一些实施例中，数据线431与感测线432在显示区域内可沿着内嵌式触控显示面板的法向量彼此部分地重叠，并且数据线431与感测线432在显示区域内是由不同金属层所构成。举例来说，请参照图6以及图7A。图6是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图，图7A是沿着图6的切线CC’绘示像素结构的剖面图。第一金属层M1是形成在第一基板SUB之上，并且第一金属层M1包括栅极420G。第一绝缘层INS1是形成在第一金属层M1之上。半导体层420C形成在第一绝缘层INS1之上，作为薄膜晶体管420的沟道区。第一透明导电层511形成在第一绝缘层INS1之上，第一透明导电层511包括像素电极PE。第二金属层M2形成在半导体层420C之上，第二金属层M2包括源极420S与漏极420D，其中漏极420D连接至像素电极PE。第二绝缘层INS2形成于第二金属层M2与第一透明导电层511之上。第三金属层M3形成在第二绝缘层INS2之上，感测线432在显示区域101内属于第三金属层M3。第三绝缘层INS3设置于第三金属层M3之上，并且具有接触孔710。第二透明导电层512形成在第三绝缘层INS3之上，第二透明导电层512包括子共同电极COM。子共同电极COM包括多个间隙512S。在显示区域101内，感测线432通过接触孔710电性连接至子共同电极COM。特别的是，在内嵌式触控显示面板的法向量720上，感测线432与数据线431是至少部分地重叠。

在图7A的实施例中，子共同电极COM是设置在像素电极PE的上方，但在其它实施例中子共同电极COM也可以设置在像素电极PE的下方。举例来说，请参照图7B，图7B与图7A类似，其中相似的组件便不再重复赘述。在图7B的实施例中，第二绝缘层INS2具有接触孔731以暴露出漏极420D。第一透明导电层511是设置于第二绝缘层INS2之上，且第一透明导电层511具有子共同电极COM。第三绝缘层INS3设置于第一透明导电层511之上，且具有接触孔732以及接触孔733，其中接触孔732是对应至接触孔731。第三金属层M3是设置于第三绝缘层INS3之上，第三金属层M3具有感测线432，感测线432通过接触孔733电性连接至子共同电极COM。第二透明导电层512是设置于第三绝缘层INS3与第三金属层M3之上，第二透明导电层512具有像素电极PE与感测线保护层740。其中像素电极PE具有多个间隙512S，且通过接触孔732与接触孔731电性连接至漏极420D。感测线保护层740是用以覆盖感测线432。值得注意的是，感测线保护层740与像素电极PE是彼此电性绝缘，而感测线保护层740的用途是用以保护感测线432以避免后续工艺的侵蚀。

请参照回图4A的非显示区域102，感测线432具有第一部分441与第二部分442。其中第二部分442属于第三金属层M3，但第一部分441可以属于第一金属层、第二金属层或第三金属层。连接结构440是设置于信号线转接区103，用以耦接第一部分441与第二部分442，以下将举多个实施例来详细说明。

图8A是沿着图4A的切线BB’绘示连接结构440的剖面图。在图8A的实施例中，第一部分441是属于第一金属层M1。具体来说，第一部分441是设置于第一基板SUB之上。第一绝缘层INS1设置于第一金属层M1之上，且具有第一开口8A_1h以暴露出第一部分441。第二绝缘层INS2设置于第一绝缘层INS1之上，且具有第二开口8A_2h以对应至第一开口8A_1h。第二部分442设置于第二绝缘层INS2之上。第三绝缘层INS3设置于第三金属层M3与第二绝缘层INS2之上，并且具有第三开口8A_3h与第四开口8A_4h。其中第三开口8A_3h是对应至第二开口8A_2h，第四开口8A_4h则暴露出第二部分442。第二透明导电层512设置于第三绝缘层INS3之上，通过第四开口8A_4h电性连接至第二部分442，并且通过第一开口8A_1h、第二开口8A_1h与第三开口8A_3h电性连接至第一部分441。如此一来，第一部分441会电性连接至第二部分442。

图8B是沿着图4A的切线BB’绘示连接结构440的剖面图。请参照图8B，在图8B的实施例中，第一部分441是属于第二金属层M2。具体来说，第一绝缘层INS1设置于第一基板SUB之上。第一部分441是设置于第一绝缘层INS1之上。第二绝缘层INS2具有第一开口8B_1h以暴露出第一部分441。第二部分442是设置于第二绝缘层INS2之上。第三绝缘层INS3具有第二开口8B_2h与第三开口8B_3h，其中第二开口8B_2h对应至第一开口8B_1h，第三开口8B_3h暴露出第二部分442。第二透明导电层512通过第三开口8B_3h电性连接至第二部分442，并通过第一开口8B_1h与第二开口8B_2h电性连接第一部分441。

图8C是沿着图4A的切线BB’绘示连接结构440的剖面图。请参照图8B，在图8B的实施例中，第一部分441是属于第三金属层M3。具体来说，第一部分441与第二部分442是设置于第二绝缘层INS2之上。第三绝缘层INS3具有第一开口8C_1h以暴露出第一部分441，以及第二开口8C_2h以暴露出第二部分442。第二透明导电层512通过第一开口8C_1h电性连接至第一部分441，并通过第二开口8C_2h电性连接至第二部分442。

请参照回图4A，在一些实施例中数据线431也可以通过连接结构450转接至第一金属层或第三金属层，或者是维持在第二金属层。连接结构450与连接结构440类似，都是通过透明导电层来电性连接不同的金属层。然而，本领域的一般技术人员当可以根据图8A至图8C的教示而设计出适用数据线的连接结构450。另一方面，在上述图8C的实施例中，虽然第一部分441与第二部分442都属于第三金属层M3，但额外设置连接结构440可以使感测线432与数据线431的阻抗匹配。

以另一个角度来说，在图8A至图8C的实施例中，连接结构中都具有第一部分、第二部分、多个绝缘层与透明导电层。其中多个绝缘层中具有多个开口以分别暴露出第一部分与第二部分，而透明导电层则分别通过这些开口电性连接至第一部分与第二部分。

请参照图6，在图6的实施例中，感测线432具有第一部分611与第二部分612。第二部分612是属于第三金属层，但第一部分611可属于第一金属层、第二金属层或是第三金属层。连接结构610是设置于信号线转接区103，用以耦接第一部分611与第二部分612。以下将举多个实施例来说明连接结构610。

请参照图6与图9A，图9A是沿着图6的切线DD’绘示连接结构610的剖面图。在图9A的实施例中，第一部分611是属于第一金属层M1。具体来说，属于第一金属层M1的第一部分611是设置于第一基板SUB上。第一绝缘层INS1是设置于第一金属层M1之上且具有第一开口9A_1h以暴露出第一部分611。属于第二金属层M2的金属电极901通过第一开口9A_1h电性连接至第一部分611。金属电极901并不会电性连接至其它同属第二金属层M2的数据线、源极或漏极。属于第一透明导电层511的第一电性连接部分911会电性连接至金属电极901。第一电性连接部分911并不会电性连接至其它同属于第一透明导电层511的像素电极或共同电极。第二绝缘层INS2具有第二开口9A_2h以暴露出第一电性连接部分911。属于第三金属层M3的第二部分612设置于第二绝缘层INS2之上，并且通过第二开口9A_2h电性连接至第一电性连接部分911。第三绝缘层INS3具有第三开口9A_3h以暴露出第二部分612。属于第二透明导电层512的第二电性连接部分912通过第三开口9A_3h电性连接至第二部分612。第二电性连接部分912并不会电性连接至同属于第二透明导电层512的其它像素电极或子共同电极。如此一来，第二部分612可以通过第一电性连接部分911与金属电极901电性连接至第一部分611。上述的金属电极901与第一电性连接部分911是用以避免连接结构610中的开口太深，而第二电性连接部分912是用以避免第二部分612受到后续工艺的侵蚀。

请参照图6与图9B，在图9B的实施例中，第一部分611是属于第二金属层M2。具体来说，第一绝缘层INS1是设置于第一基板SUB上。第一部分611设置于第一绝缘层INS1之上。第二绝缘层INS2具有第一开口9B_1h以暴露出第一部分611。第二部分612是设置于第二绝缘层INS2之上，并且通过第一开口9B_1h电性连接至第一部分611。第三绝缘层INS3具有第二开口9B_2h以暴露出第二部分612。属于第二透明导电层512的电性连接部分921通过第二开口9B_2h电性连接第二部分612。其中，电性连接部分921并没有电性连接至其它同属于第二透明导电层512的像素电极或是共同电极，电性连接部分921是用以避免第二部分612受到后续工艺的侵蚀。

请参照图6与图9C，在图9C的实施例中，第一部分611与第二部分612都属于第三金属层M3。如图9C所示，第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三金属层M3与第二透明导电层512是依序设置在第一基板SUB上。第二透明导电层512是用以避免第三金属层M3受到后续工艺的侵蚀。

在图6的实施例中，数据线431上设置有连接结构620，连接结构620是用以将数据线431转接至第一金属层M1或第三金属层M3，或者是维持在第二金属层M2。本领域的一般技术人员当可依据上述对于连接结构610的描述而设计出连接结构620。在通过连接结构610、620的转接以后，数据线431与感测线432是属于不同的金属层。

请参照图4A与图6，虽然在以上的实施例中，图4A中是应用了连接结构440，而图6是应用了连接结构610，但本发明并不在此限。连接结构440也可以应用在图6的实施例中，而连接结构610也可以应用在图4A的实施例中。另一方面，在这些实施例中，像素电极可以设置在子共同电极之上，或相反。换言之，上述三个选项：感测线432是否覆盖数据线431，像素电极是否在子共同电极之上，应用连接结构440或连接结构610，这些选项可以任意的搭配。此外，本发明也不限制数据线431以及感测线432要转接至第一金属层M1、第二金属层M2或第三金属层M3，优选的实施例中数据线431以及感测线432在非显示区域102内是属于不同的金属层，如此一来两者之间的间距(pitch)可以缩小。

在上述的实施例中设置有信号线转接区103，其中的连接结构用以将数据线/感测线转接至不同的金属层。然而，在一些实施例中，若面板的解析度需求较低，连接结构的功能可以实作在触控垫以及/或显示垫之中。

在本说明书中提到的内嵌式触控显示面板例如是采用自容式的电容感测方法，亦即驱动感测信号以及接收感测信号都是通过感测线传导至触控电极与触控垫。而在本说明书中提到的金属层可为铝、铜、钛、钨等单一金属层或者是钼/铝/钼、钛/铝钛、钛/铜/钛等复合金属层，本发明并不在此限。另一方面，在本说明书中提到的绝缘层可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他合适的绝缘层，并且在图示中的一层绝缘层可以包含两层以上材料不同且彼此堆叠的绝缘层。此外，在图示中有些接触孔或开口具有垂直的侧壁，而有些接触孔或开口具有倾斜的侧壁，但本领域的一般技术人员当可理解实务上所有的接触孔与开口都具有倾斜的侧壁，本发明的附图仅为示意图。在本发明提到“接触孔以暴露”时，所指的可以是部分暴露下方的元件，或者是依照需求完全暴露下方的元件，本发明并不在此限。

以下举例说明内嵌式触控显示面板的制作方法。图10A至图10G是根据一实施例绘示形成像素结构的中间程序的俯视图。请同时参照图4A、图5A与图10A，首先形成第一金属层M1。请参照图4A、图5A与图10B，接着在第一金属层M1之上形成第一绝缘层INS1(未绘示于图4A与图10B)、半导体层420C、以及在半导体层420C之上的欧姆接触层(未绘示)。此第一绝缘层INS1可为氮化硅、氧化硅或其它合适的绝缘层。半导体层420C可为非晶硅或金属氧化物，本发明不在此限。而欧姆接触层则可为参杂的N型多晶硅或高导电率的金属氧化物，用以电性连接半导体层420C与后续的第二金属层M2。

请参照图4A、图5A与图10C，接着形成第一透明导电层511，此第一透明导电层511包括了像素电极PE。第一透明导电层511可为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化锑锡(antimony tin oxide，ATO)、氧化氟锡(fluorinetin oxide，FTO)或其它导电且透明的材料。

请参照图4A、图5A与图10D，接着形成第二金属层M2，第二金属层M2包括了漏极420D与源极420S。接着在第二金属层M2与第一透明导电层511之上形成第二绝缘层INS2。由于第二绝缘层INS2覆盖整个像素结构，为了简化起见，并未绘示于图10D。

请参照图4A、图5A与图10E，接着形成第三金属层M3。第三金属层M3包括感测线432。接着，请参照图4A、图5A与图10F，在第三金属层M3上形成第三绝缘层INS3。第三绝缘层INS3具有接触孔520，用以暴露出部分的感测线432。第三绝缘层INS3可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其它合适的绝缘层。

请参照图4A、图5A与图10G，接着在第三绝缘层INS3之上形成第二透明导电层512。第二透明导电层512通过接触孔520电性连接至感测线432。第二透明导电层512在像素结构内也被当作是子共同电极COM，并且具有间隙512S。第二透明导电层512可为氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)、氧化铟锌(indium zinc oxide，IZO)、氧化锑锡(antimony tinoxide，ATO)、氧化氟锡(fluorine tin oxide，FTO)或其它导电且透明的材料。

虽然本发明已经以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许变动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。

Claims (20)

1.一种内嵌式触控显示面板，其特征在于，具有显示区域与非显示区域，所述内嵌式触控显示面板包括：

第一基板；

多条数据线，沿第一方向设置于所述第一基板上；

多条栅极线，沿第二方向设置，所述第一方向与所述第二方向夹有一个角度；

多条感测线，设置于所述第一基板上且所述数据线及所述栅极线之间存在绝缘层；

像素区域，形成于所述显示区域中的所述栅极线与所述数据线相互交叉围绕的区域，每个所述像素区域具有像素结构，其中，每个所述像素结构具有像素电极；

共同电极，形成于所述显示区域且包含多个触控电极，每个所述触控电极对应多个所述像素电极，每个所述像素电极对应一个子共同电极，其中，所述子共同电极是所述触控电极的一部分；

薄膜晶体管，形成于所述像素结构内，所述薄膜晶体管包含栅极、源极、漏极及半导体层；

第二基板，与所述第一基板之间夹设有液晶层；

多个显示垫与多个触控垫，其设置于所述非显示区域；

其中，所述数据线与所述子共同电极都形成在所述绝缘层上，且所述像素电极形成于所述子共同电极上并在空间彼此绝缘；以及

多个金属连接结构，每个所述金属连接结构电性连接所述第二方向上相邻的两个所述子共同电极，其中所述金属连接结构与所述数据线属于不同的金属层。

2.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，

在每个所述的触控电极中，在所述第一方向上相邻的两个所述子共同电极是通过所述触控电极中的延伸部彼此直接连接，所述延伸部跨越所述多个栅极线的其中一条，且所述延伸部在所述第二方向上的宽度小于所述子共同电极在所述第二方向上的宽度。

3.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极，所述绝缘层为第一绝缘层，所述的内嵌式触控显示面板包括：

第一金属层，形成于所述第一基板上，所述第一金属层包括所述栅极；

所述第一绝缘层，形成于所述第一金属层上；

半导体层，形成于所述第一绝缘层上；

第二金属层，形成于所述第一绝缘层上，所述第二金属层包括所述源极和所述漏极，所述数据线在所述显示区域内属于所述第二金属层；

第一透明导电层，形成于所述第一绝缘层上，所述第一透明导电层包括所述第一子共同电极与所述第二子共同电极；

第二绝缘层，形成于所述第二金属层与所述第一透明导电层上，所述第二绝缘层包括第一接触孔、第二接触孔与第三接触孔，所述第一接触孔暴露出所述漏极，所述第二接触孔暴露出所述第一子共同电极，所述第三接触孔暴露出所述第二子共同电极；

第三金属层，形成于所述第二绝缘层上，所述第三金属层包括所述感测线与所述金属连接结构，所述感测线的其中一条通过所述第二接触孔电性连接至所述第一子共同电极，所述金属连接结构的其中一个从所述第二接触孔延伸至所述第三接触孔并通过所述第三接触孔电性连接至所述第二子共同电极；

第三绝缘层，形成于所述第三金属层上，所述第三绝缘层具有第四接触孔，所述第四接触孔对应至所述第一接触孔；以及

第二透明导电层，形成于所述第三绝缘层上，所述第二透明导电层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述第一接触孔与所述第四接触孔电性连接至所述漏极。

4.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极，所述绝缘层为第一绝缘层，所述的内嵌式触控显示面板包括：

第一金属层，形成于所述第一基板上，所述第一金属层包括所述金属连接结构与所述栅极；

所述第一绝缘层，形成于所述第一金属层上，所述第一绝缘层包括第一接触孔与第二接触孔，所述第一接触孔与所述第二接触孔暴露出所述金属连接结构的其中一个；

半导体层，形成于所述第一绝缘层上；

第二金属层，形成于所述第一绝缘层上，所述第二金属层包括所述源极和所述漏极，所述数据线在所述显示区域中属于所述第二金属层；

第一透明导电层，形成于所述第二金属层上，所述第一透明导电层包括所述第一子共同电极与所述第二子共同电极，其中所述第一子共同电极与所述第二子共同电极分别通过所述第一接触孔与所述第二接触孔电性连接至所述金属连接结构的其中一个；

第二绝缘层，形成于所述第二金属层与所述第一透明导电层上，所述第二绝缘层包括第三接触孔与第四接触孔，所述第三接触孔暴露出所述漏极，所述第四接触孔暴露出所述第一子共同电极；

第三金属层，形成于所述第二绝缘层上，所述第三金属层包括所述感测线与所述金属连接结构，所述感测线的其中一条通过所述第四接触孔电性连接至所述第一子共同电极；

第三绝缘层，形成于所述第三金属层上，所述第三绝缘层具有第五接触孔，所述第五接触孔对应至所述第三接触孔；以及

第二透明导电层，形成于所述第三绝缘层上，所述第二透明导电层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述第三接触孔与所述第五接触孔电性连接至所述漏极。

5.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极，所述绝缘层为第二绝缘层，所述的内嵌式触控显示面板包括：

半导体层，形成于所述第一基板上，所述半导体层包括所述源极、第一轻参杂区、所述薄膜晶体管的沟道区、第二轻参杂区与所述漏极，其中所述沟道区是形成于所述第一轻参杂区与所述第二轻参杂区之间；

第一绝缘层，形成于所述半导体层上，所述第一绝缘层具有第一接触孔以暴露出所述源极，以及第二接触孔以暴露出所述漏极；

第一金属层，形成于所述第一绝缘层上，所述第一金属层包括所述栅极；

所述第二绝缘层，形成于所述第一金属层上，所述第二绝缘层具有对应至所述第一接触孔的第三接触孔，以及对应至所述第二接触孔的第四接触孔；

第一透明导电层，形成于所述第二绝缘层上，所述第一透明导电层包括所述第一子共同电极与所述第二子共同电极；

第二金属层，形成于所述第二绝缘层上，所述数据线在所述显示区域内属于所述第二金属层，所述数据线的其中一条通过所述第一接触孔与所述第三接触孔电性连接至所述源极，其中所述第二金属层包括填充结构，所述填充结构通过所述第二接触孔与所述第四接触孔电性连接至所述漏极；

第三绝缘层，形成于所述第二金属层上，所述第三绝缘层包括第五接触孔、第六接触孔与第七接触孔，所述第五接触孔暴露出所述第一子共同电极，所述第六接触孔暴露出所述第二子共同电极，所述第七接触孔暴露出所述填充结构；

第三金属层，形成于所述第三绝缘层上，所述第三金属层包括所述感测线与所述金属连接结构，所述感测线的其中一条通过所述第五接触孔电性连接至所述第一子共同电极，所述金属连接结构的其中一个从所述第五接触孔延伸至所述第六接触孔并通过所述第六接触孔电性连接至所述第二子共同电极；

第四绝缘层，形成于所述第二金属层上，所述第四绝缘层包括对应至所述第七接触孔的第八接触孔；

第二透明导电层，形成于所述第四绝缘层上，所述第二透明导电层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述第七接触孔与所述第八接触孔电性连接至所述填充结构。

6.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极，所述绝缘层为第二绝缘层，所述的内嵌式触控显示面板包括：

半导体层，形成于所述第一基板上，所述半导体层包括所述源极、第一轻参杂区、所述薄膜晶体管的沟道区、第二轻参杂区与所述漏极，其中所述沟道区是形成于所述第一轻参杂区与所述第二轻参杂区之间；

第一绝缘层，形成于所述半导体层上，所述第一绝缘层具有第一接触孔以暴露出所述源极，以及第二接触孔以暴露出所述漏极；

第一金属层，形成于所述第一绝缘层上，所述第一金属层包括所述栅极以及所述金属连接结构；

所述第二绝缘层，形成于所述第一金属层上，所述第二绝缘层具有对应至第一接触孔的第三接触孔、对应至所述第二接触孔的第四接触孔、第五接触孔与第六接触孔，其中所述第五接触孔与所述第六接触孔暴露出所述金属连接结构的其中一个；

第一透明导电层，形成于所述第二绝缘层上，所述第一透明导电层包括所述第一子共同电极与所述第二子共同电极，其中所述第一子共同电极与所述第二子共同电极分别通过所述第五接触孔与所述第六接触孔电性连接至所述金属连接结构的其中一个；

第二金属层，形成于所述第二绝缘层上，所述数据线在所述显示区域内属于所述第二金属层，所述数据线的其中一条通过所述第一接触孔与所述第三接触孔电性连接至所述源极，其中所述第二金属层包括填充结构，所述填充结构通过所述第二接触孔与所述第四接触孔电性连接至所述漏极；

第三绝缘层，形成于所述第二金属层上，所述第三绝缘层包括第七接触孔与第八接触孔，所述第七接触孔暴露出所述第一子共同电极，所述第八接触孔暴露出所述填充结构；

第三金属层，形成于所述第三绝缘层上，所述第三金属层包括所述感测线，所述感测线的其中一条通过所述第七接触孔电性连接至所述第一子共同电极；

第四绝缘层，形成于所述第三金属层上，所述第四绝缘层包括对应至所述第八接触孔的第九接触孔；以及

第二透明导电层，形成于所述第四绝缘层上，所述第二透明导电层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述第八接触孔与所述第九接触孔电性连接至所述填充结构。

7.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极，所述绝缘层为第二绝缘层，所述的内嵌式触控显示面板包括：

第一金属层，形成于所述第一基板上，所述第一金属层包括所述栅极；

第一绝缘层，形成于所述第一金属层上；

半导体层，形成于所述第一绝缘层上，所述半导体层为包含铟、镓和锌的金属氧化物；

第二绝缘层，形成于所述半导体层上，所述第二绝缘层具有第一接触孔与第二接触孔暴露所述半导体层；

第二金属层，形成于所述第二绝缘层上，并通过所述第一接触孔与第二接触孔电性连接所述源极与所述漏极；

第一透明导电层，形成于所述第二绝缘层上，所述第一透明导电层包括所述第一子共同电极与所述第二子共同电极；

第三绝缘层，形成于所述第一透明导电层与第二金属层上，所述第三绝缘层具有第三接触孔暴露所述第一子共同电极，第四接触孔暴露所述第二子共同电极，以及第五接触孔暴露所述漏极；

第三金属层，形成于所述第三绝缘层上，所述第三金属层包括所述感测线与所述金属连接结构，所述感测线的其中一条通过所述第三接触孔电性连接至所述第一子共同电极，所述金属连接结构的其中一个从所述第三接触孔延伸至所述第四接触孔并电性连接至所述第二子共同电极；

第四绝缘层，形成于所述第三绝缘层与所述第三金属层上，所述第四绝缘层具有第六接触孔对应所述第五接触孔并暴露所述漏极；

第二透明导电层，形成于所述第四绝缘层上，所述第二透明导电层包括所述像素电极，所述像素电极通过所述第五接触孔与所述第六接触孔电性连接至所述漏极。

8.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述相邻的两个像素结构分别包括第一子共同电极与第二子共同电极，所述绝缘层为第二绝缘层，所述的内嵌式触控显示面板包括：

第一金属层，形成于所述第一基板上，所述第一金属层包括所述栅极以及第一金属连接结构；

第一绝缘层，形成于所述第一金属层上，所述第一绝缘层具有第一接触孔与第二接触孔以暴露出所述第一金属连接结构；

半导体层，形成于所述第一绝缘层上，所述半导体层为包含铟、镓和锌的金属氧化物；

第二绝缘层，形成于所述半导体层上，所述第二绝缘层具有第三接触孔与第四接触孔分别对应所述第一接触孔与所述第二接触孔以暴露所述第一金属层，所述第二绝缘层并具有第五接触孔与第六接触孔暴露所述半导体层；

第二金属层，形成于所述第二绝缘层上，并通过所述第五接触孔与所述第六接触孔分别电性连接所述漏极与所述源极；

第一透明导电层，形成于所述第二绝缘层上，所述第一透明导电层包括所述第一子共同电极与所述第二子共同电极，其中所述第一子共同电极通过所述第一接触孔与所述第三接触孔电性连接至所述第一金属连接结构，且所述第二子共同电极通过所述第二接触孔与所述第四接触孔电性连接至所述第一金属连接结构；

第三绝缘层，形成于所述第一透明导电层与第二金属层上，所述第三绝缘层具有第七接触孔暴露所述第一子共同电极以及具有第八接触孔暴露所述漏极；

第三金属层，形成于所述第三绝缘层上，在所述显示区域内，所述感测线属于所述第三金属层，所述感测线的其中一条通过所述第七接触孔电性连接至所述第一子共同电极；

第四绝缘层，形成于所述第三绝缘层与所述第三金属层上，所述第四绝缘层具有第九接触孔对应所述第八接触孔并暴露所述漏极；以及

第二透明导电层，形成于所述第四绝缘层上，所述第二透明导电层包括所述像素电极，且所述像素电极通过所述第八接触孔与所述第九接触孔电性连接所述漏极。

9.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述数据线与所述感测线在所述显示区域内彼此平行，在所述非显示区域内彼此不重叠。

10.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述数据线在所述显示区域内与所述感测线彼此平行，且所述数据线与所述感测线在所述显示区域内是相同金属层所构成。

11.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述数据线与所述感测线在所述显示区域内沿着所述内嵌式触控显示面板的法向量彼此部分重叠，且所述数据线与所述感测线在所述显示区域内由不同金属层所构成。

12.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，还包括：

每条所述感测线电性连接至所述触控垫的其中一个；

每条所述数据线电性连接至所述显示垫的其中一个；

驱动电路，设置于所述非显示区域并电性连接至所述显示垫与所述触控垫；

其中，所述非显示区域还包括信号线转接区与扇出区，所述信号线转接区位于所述显示区域与所述扇出区之间，所述触控垫与所述显示垫位于所述扇出区内；

其中，所述显示垫的其中一个设置于所述触控垫的其中两个之间，所述触控垫的其中一个设置于所述显示垫的其中两个之间。

13.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述感测线的至少其中两条是彼此电性连接后通过导线电性连接至所述触控垫的其中之一。

14.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述显示垫是设置在所述触控垫与所述显示区域之间。

15.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控垫是设置在所述显示垫与所述显示区域之间。

16.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控垫的数目少于所述显示垫的数目，所述显示垫与所述触控垫排列为多个行，其中所述多个行的其中一行仅具有部分的所述触控垫。

17.如权利要求1所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述触控垫的数目少于所述显示垫的数目，所述显示垫与所述触控垫排列为多个行，其中所述多个行中的第一行仅具有部分的所述显示垫，所述多个行中的第二行具有部分的所述显示垫与部分的所述触控垫。

18.如权利要求17所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述第一行设置于所述显示区域与所述第二行之间。

19.如权利要求17所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述第二行设置于所述显示区域与所述第一行之间。

20.如权利要求3至8的其中任一项所述的内嵌式触控显示面板，其特征在于，所述非显示区域还包括信号线转接区与扇出区，所述信号线转接区位于所述显示区域与所述扇出区之间，所述感测线的其中一条包括第一部分与第二部分，所述第一部分属于所述第一金属层或所述第二金属层，所述第二部分属于所述第三金属层，所述内嵌式触控显示面板还包括：

连接结构，设置于所述信号线转接区，耦接至所述第一部分与所述第二部分，所述连接结构包括：

所述第一部分；

所述第二部分；

绝缘层，其具有开口暴露出所述第一部分与所述第二部分；以及

透明导电层，其通过所述开口电性连接至所述第一部分与所述第二部分。