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CN108206234A - 发光二极管芯片及包括该芯片的发光二极管显示设备 - Google Patents

发光二极管芯片及包括该芯片的发光二极管显示设备 Download PDF

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CN108206234A
CN108206234A CN201711329203.5A CN201711329203A CN108206234A CN 108206234 A CN108206234 A CN 108206234A CN 201711329203 A CN201711329203 A CN 201711329203A CN 108206234 A CN108206234 A CN 108206234A
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Abstract

公开了一种发光二极管芯片及包括该芯片的发光二极管显示设备，其中由于发光二极管芯片的缺陷导致的屏幕缺陷被最小化。该发光二极管芯片包括：半导体基板；第一发光二极管和第二发光二极管，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管在均具有第一焊盘和第二焊盘的同时彼此平行地设置在所述半导体基板上；第一电极，所述第一电极共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第一焊盘；和第二电极，所述第二电极共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第二焊盘，其中所述第一发光二极管和所述第二发光二极管彼此并联连接。

Description

发光二极管芯片及包括该芯片的发光二极管显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年12月20日提交的韩国专利申请No.10-2016-0174731的权益，为了所有目的在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种发光二极管芯片及包括发光二极管芯片的发光二极管显示设备。
背景技术
除了用于电视和监视器的显示屏幕以外，显示装置还广泛用作笔记本电脑、平板电脑、智能手机、便携式显示装置和便携式信息装置的显示屏幕。
液晶显示装置和有机发光显示装置是开关装置，并通过使用薄膜晶体管显示图像。因为液晶显示装置不是自发光装置，所以液晶显示装置通过使用从布置在液晶显示面板下方的背光单元照射的光显示图像。因为液晶显示装置具有背光单元，所以在设计上存在限制，并且亮度和响应速度可劣化。因为有机发光显示装置包括有机物质，所以其易受水分影响，由此可靠性和寿命可劣化。
近来，已研究和开发了基于微型发光二极管芯片的发光二极管显示设备。因为这种发光二极管显示设备具有较高图像质量和较高可靠性，所以发光二极管显示设备作为下一代显示器引起了很多关注。
然而，在相关技术的发光二极管显示设备中，由于在将微型发光二极管芯片封装在薄膜晶体管阵列基板中的工艺过程中产生的微型发光二极管芯片的缺陷或转移缺陷(transfer defect)，可发生屏幕缺陷。当直接修复缺陷时，在成本和技术水平上出现问题。冗余模式(redundancy mode)具有转移时间增加两倍或更多的问题。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的发光二极管芯片及包括发光二极管芯片的发光二极管显示设备。
本发明的一个优点是提供一种发光二极管芯片及包括发光二极管芯片的发光二极管显示设备，其中由于发光二极管芯片的缺陷导致的屏幕缺陷被最小化。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，根据本发明的发光二极管芯片包括：半导体基板；第一发光二极管和第二发光二极管，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管在均具有第一焊盘和第二焊盘的同时彼此平行地设置在所述半导体基板上；第一电极，所述第一电极共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第一焊盘；和第二电极，所述第二电极共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第二焊盘，其中所述第一发光二极管和所述第二发光二极管彼此并联连接。
本发明还提供一种发光二极管显示设备，包括：设置在基板上的包括驱动薄膜晶体管的像素；覆盖所述像素的第一平坦化层；布置在所述第一平坦化层上并且具有第一电极和第二电极的发光二极管芯片；像素电极，所述像素电极与所述驱动薄膜晶体管和所述发光二极管芯片的第一电极电连接；和公共电极，所述公共电极电连接至所述发光二极管芯片的第二电极，其中所述发光二极管芯片包括平行地设置在半导体基板上的第一发光二极管和第二发光二极管。
应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，旨在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明实施方式的原理。在附图中：
图1是图解根据本发明一个实施方式的发光二极管显示设备的构造的示图；
图2是图解图1中所示的像素的构造的电路图；
图3是图解根据本发明的发光二极管芯片的平面图；
图4是图解根据本发明的发光二极管芯片的侧视图；
图5是图解根据本发明的发光二极管芯片被转移到驱动薄膜晶体管上的连接结构的示图；
图6是图解图2中所示的一个像素中的驱动薄膜晶体管和发光二极管芯片的连接结构的剖面图；以及
图7是图解图6中所示的凹部的修改例的示图。
具体实施方式
将通过参照附图描述的下列实施方式阐明本发明的优点和特征以及其实现方法。然而，本发明可以以不同的形式实施，不应解释为限于在此列出的实施方式。而是，提供这些实施方式是为了使本公开内容全面和完整，并将本发明的范围充分地传递给所属领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求书的范围限定。
为了描述本发明的实施方式而在附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数量仅仅是示例，因而本发明不限于图示的细节。相似的参考标记通篇表示相似的要素。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
在本申请中使用“包括”、“具有”和“包含”进行描述的情况下，可添加其他部分，除非使用了“仅”。
在解释一要素时，尽管没有明确说明，但该要素应解释为包含误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”时，可在两个部分之间布置一个或多个其他部分，除非使用了“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可包括不连续的情况，除非使用了“正好”或“直接”。
将理解到，尽管在此可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种要素，但这些要素不应被这些术语限制。这些术语仅仅是用来彼此区分要素。例如，在不背离本发明的范围的情况下，第一要素可能被称为第二要素，类似地，第二要素可能被称为第一要素。
“第一水平轴方向”、“第二水平轴方向”和“垂直轴方向”不应仅限于互相严格垂直关系的几何关系，其可在本发明的要素在功能上起作用的范围内具有更宽的方向性。
应当理解，术语“至少一个”包括与一个或多个项目相关的所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”可包括选自第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个项目的所有组合以及第一项目、第二项目和第三项目的每一个项目。
所属领域技术人员能够充分理解到，本发明各实施方式的特征可彼此部分或整体地结合或组合，且可在技术上彼此进行各种互操作和驱动。本发明的实施方式可彼此独立实施，或者以相互依赖的关系共同实施。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明的发光二极管芯片及包括发光二极管芯片的发光二极管显示设备的优选实施方式。在本申请中，在给各个图的要素添加参考标记时，应当注意，即使显示在不同的图上，但相同的参考要素仍尽可能具有相同的参考标记。
图1是图解根据本发明一个实施方式的发光二极管显示设备的构造的示图，图2是图解图1中所示的像素SP的构造的电路图。
参照图1和2，根据本实施方式的发光二极管显示设备包括第一基板100、多个发光二极管芯片300、以及第二基板500。
第一基板100是薄膜晶体管阵列基板并且可由玻璃或塑料材料制成。根据一个示例的第一基板100包括显示区域AA和非显示区域IA。
显示区域AA设置在第一基板100的除边缘部分之外的其他部分中。显示区域AA可定义为其中布置用于显示图像的像素阵列的区域。
非显示区域IA设置在除设置于第一基板100中的显示区域AA之外的其他部分中，其可定义为围绕显示区域AA的第一基板100的边缘部分。此非显示区域IA是显示区域AA外部的外围区域；与显示区域AA不同，在此非显示区域IA上不显示图像。非显示区域IA可定义为其中布置用于驱动像素阵列的线和电路的区域。例如，非显示区域IA可具有限定在显示区域AA的上侧附近的第一非显示区域、限定在显示区域AA的下侧附近的第二非显示区域、限定在显示区域AA的左侧附近的第三非显示区域和限定在显示区域AA的右侧附近的第四非显示区域。
根据一个示例的第一基板100包括多条栅极线GL、多条数据线DL、多条驱动电力线PL、多条公共电力线CL和多个像素SP。
多条栅极线GL的每一条设置在第一基板100上，沿第一基板100的第一水平轴方向X纵长地延伸，并且沿第二水平轴方向Y与另一栅极线间隔开某一间隔。在这种情形中，第一水平轴方向X可定义为与第一基板100的长边长度方向平行，第二水平轴方向Y可定义为与第一基板100的短边长度方向平行。反之亦然。
多条数据线DL设置在第一基板100上以与多条栅极线GL交叉，沿第一基板100的第二水平轴方向Y纵长地延伸，并且沿第一水平轴方向X彼此间隔开。
多条驱动电力线PL设置在第一基板100上以分别与多条数据线DL平行，并且可分别与多条数据线DL一起形成。多条驱动电力线PL的每一条将外部提供的像素驱动电源提供至其相邻的像素SP。
多条驱动电力线PL可共同地连接至第一驱动电源公共线，第一驱动电源公共线设置在第一基板的第一非显示区域中以与栅极线GL平行。第一驱动电源公共线用于将外部提供的像素驱动电源分配给多条驱动电力线PL的每一条。第一驱动电源公共线可设置在与栅极线GL相同的层上以与多条数据线DL的每一条电断开，并且可经由通孔与多条驱动电力线PL的每一条的端部电连接。
此外，像素驱动电源可提供至多条驱动电力线PL的每一条的一端和另一端。为此，多条驱动电力线PL的每一条的一端共同地连接至设置在第一基板100的第一非显示区域中的第一驱动电源公共线，并且多条驱动电力线PL的每一条的另一端共同地连接至设置在第一基板100的第二非显示区域中的第二驱动电源公共线。在这种情形中，在本实施方式中，像素驱动电源通过第一驱动电源公共线和第二驱动电源公共线施加至多条驱动电力线PL的每一条的上端和下端的每一个，由此根据多条驱动电力线PL的每一条的按位置的线电阻而在多条驱动电力线PL的每一条中产生的像素驱动电源的压降可被最小化。
第一驱动电源公共线和第二驱动电源公共线的每一条可设置在与多条栅极线GL相同的层上，并且可经由通孔与多条驱动电力线PL的每一条的端部电连接。
多条公共电力线CL设置在第一基板100上以分别与多条栅极线GL平行，并且可分别与多条栅极线GL一起形成。多条公共电力线CL的每一条将外部提供的公共电源提供至其相邻的像素SP。多条公共电力线CL的每一条可被提供来自面板驱动器900的公共电源。在这种情形中，面板驱动器900可通过单独控制提供至多条公共电力线CL的每一条的公共电源的电压电平，补偿发光二极管芯片300的电特性变化和/或驱动薄膜晶体管的电特性变化，这将在稍后描述。
此外，多条公共电力线CL可共同地连接至设置在第一基板100的第三非显示区域和第四非显示区域中的至少一个中的公共电源线。公共电源线用于将外部提供的电源分配给多条公共电力线CL的每一条。公共电源线可设置在与数据线DL相同的层上，以与多条栅极线GL的每一条电断开，并且可经由通孔与多条公共电力线CL的每一条的端部电连接。
多个像素SP的每一个设置在由栅极线GL和数据线DL限定的像素区域中。多个像素SP的每一个是实际发光的最小单元面积并且可定义为子像素。至少三个相邻的像素SP可构成用于色彩显示的一个单位像素。例如，一个单位像素可包括彼此相邻的红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且可进一步包括用于改善亮度的白色像素。
多个像素SP的每一个包括像素电路PC。
像素电路PC设置在限定于像素SP中的电路区域中，连接至其相邻的栅极线GL、数据线DL和驱动电力线PL，并且连接至发光二极管芯片300。此像素电路PC基于从驱动电力线PL提供的像素驱动电源，根据响应于来自栅极线GL的栅极脉冲而从数据线DL提供的数据信号来控制流入发光二极管芯片300中的电流。根据一个示例的像素电路PC包括开关薄膜晶体管T1、驱动薄膜晶体管T2和电容器Cst。
开关薄膜晶体管T1包括：连接至栅极线GL的栅极电极、连接至数据线DL的第一电极、以及与驱动薄膜晶体管T2的栅极电极N1连接的第二电极。在这种情形中，根据电流的方向，开关薄膜晶体管T1的第一电极和第二电极可以是源极电极或漏极电极。此开关薄膜晶体管T1根据提供至栅极线GL的栅极脉冲进行开关，由此将提供至数据线DL的数据信号提供至驱动薄膜晶体管T2。
驱动薄膜晶体管T2被从开关薄膜晶体管T1提供的电压和/或电容器Cst的电压导通，由此控制从驱动电力线PL流到发光二极管芯片300的电流的量。为此，根据一个示例的驱动薄膜晶体管T2包括：与开关薄膜晶体管T1的第二电极N1连接的栅极电极、连接至驱动电力线PL的漏极电极、以及连接至发光二极管芯片300的源极电极。驱动薄膜晶体管T2基于从开关薄膜晶体管T1提供的数据信号控制从驱动电力线PL流到发光二极管芯片300的数据电流，由此使发光二极管芯片300以与数据信号成比例的亮度发光。
电容器Cst设置在驱动薄膜晶体管T2的栅极电极N1与源极电极之间的交叠区域中，存储与提供至驱动薄膜晶体管T2的栅极电极的数据信号对应的电压，并且以存储的电压导通驱动薄膜晶体管T2。
多个发光二极管芯片300的每一个电连接在相应像素SP的像素电路PC与公共电力线CL之间，从而以与从像素电路PC，即驱动薄膜晶体管T2流到公共电力线CL的电流成比例的亮度发光。根据一个示例的发光二极管芯片300可发射红色光、绿色光、蓝色光和白色光中的任意一种。此外，发光二极管芯片300可以是微型发光二极管芯片。在这种情形中，微型发光二极管芯片可具有1到100微米的尺度，但不限于此。微型发光二极管芯片可具有比像素区域中的除被像素电路PC占据的区域之外的其他发光区域小的尺寸。稍后将描述发光二极管芯片300的结构。
第二基板500布置成覆盖第一基板100，第二基板500可定义为对向基板、滤色器阵列基板或封装基板。第二基板500可通过围绕第一基板100的显示区域AA的密封剂接合至第一基板100。
此外，根据本发明一个示例的发光二极管显示设备进一步包括栅极驱动电路700和面板驱动器900。
栅极驱动电路700根据从面板驱动器900输入的栅极信号产生栅极脉冲并将产生的栅极脉冲提供至栅极线。根据一个示例的栅极驱动电路700通过与设置在每个像素SP中的薄膜晶体管相同的工艺内置在第一基板100的第三非显示区域中。例如，栅极驱动电路700可设置在显示区域AA的左侧和/或右侧处的非显示区域中，但不限于此。栅极驱动电路700可设置在可给栅极线提供栅极脉冲的任意非显示区域中。
可选择地，栅极驱动电路700可制造成驱动集成电路的形式。在这种情形中，根据一个示例的栅极驱动电路700可封装在第一基板100的第三非显示区域和/或第四非显示区域中以与多条栅极线一对一地连接。根据另一个示例的栅极驱动电路700可封装在栅极柔性电路膜中。在这种情形中，栅极柔性电路膜可附接至位于第一基板100的第三非显示区域和/或第四非显示区域中的栅极焊盘部，由此栅极驱动电路700可通过栅极柔性电路膜和栅极焊盘部与多条栅极线一对一地连接。
面板驱动器900连接至位于第一基板100的第一非显示区域中的焊盘部并且在显示区域AA上显示与从显示驱动系统提供的图像数据对应的图像。根据一个示例的面板驱动器900包括多个数据柔性电路膜910、多个数据驱动集成电路930、印刷电路板950、时序控制器970和电源电路990。
多个数据柔性电路膜910的每一个通过膜附接工艺附接至第一基板100的焊盘部。
多个数据驱动集成电路930的每一个单独封装在多个数据柔性电路膜910的每一个中。数据驱动集成电路930接收从时序控制器970提供的像素数据和数据控制信号，根据数据控制信号按照每一像素将像素数据转换为模拟型数据电压，并且将转换后的数据电压提供至相应数据线DL。
印刷电路板950与多个数据柔性电路膜910连接。印刷电路板950支撑时序控制器970和电源电路990并且用于在面板驱动器900的元件之间传递信号和电源。
时序控制器970封装在印刷电路板950中并且通过设置在印刷电路板950中的用户连接器接收从显示驱动系统提供的图像数据和时序同步信号。时序控制器970通过基于时序同步信号将图像数据排列成适合于显示区域AA的像素布置结构来产生像素数据，并且将产生的像素数据提供至数据驱动集成电路930。此外，时序控制器970通过基于时序同步信号产生数据控制信号和栅极控制信号的每一个来控制多个数据驱动集成电路930和栅极驱动电路700的每一个的驱动时序。
电源电路990封装在印刷电路板950中，通过使用外部输入的电源产生在显示区域AA上显示图像所需的各种电压，并且将产生的电压提供至相应元件。
此外，面板驱动器900可进一步包括连接至印刷电路板950的控制板。在这种情形中，时序控制器970和电源电路990封装在控制板中而不是封装在印刷电路板950中。因此，印刷电路板950用于在多个数据柔性电路膜910与控制板之间传递信号和电源。
图3是图解图2中所示的发光二极管芯片的平面图，图4是沿图3中所示的线I-I’截取的剖面图。
参照图3和4，根据本示例的发光二极管芯片300包括半导体基板310、第一发光二极管D1、第二发光二极管D2、绝缘层315、第一电极E1和第二电极E2。
半导体基板310用作制备第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的基板。半导体基板310包括设置有第一发光二极管D1的第一区域A1和设置有第二发光二极管D2的第二区域A2。根据一个示例的半导体基板310可包括诸如蓝宝石基板或硅基板之类的半导体材料。半导体基板310具有均匀的光透射率。
第一发光二极管D1设置在半导体基板310的第一区域A1上。根据一个示例的第一发光二极管D1包括发光层EL、第一焊盘P1和第二焊盘P2。
发光层EL根据在第一焊盘P1与第二焊盘P2之间流动的电流，基于电子和空穴的重组而发光。根据一个示例的发光层EL包括第一半导体层320、有源层330和第二半导体层350。
第一半导体层320向有源层330提供电子。根据一个示例的第一半导体层320可由n-GaN基半导体材料制成，n-GaN基半导体材料的例子可包括GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。在这种情形中，Si、Ge、Se、Te或C可用作用于掺杂第一半导体层320的杂质。
有源层330设置在第一半导体层320的一侧上。有源层330具有多量子阱(MQW)结构，多量子阱结构具有阱层和势垒层，势垒层具有比阱层的带隙高的带隙。根据一个示例的有源层330可具有InGaN/GaN的多量子阱结构。
第二半导体层350设置在有源层330上并且向有源层330提供空穴。根据一个示例的第二半导体层350可由p-GaN基半导体材料制成，p-GaN基半导体材料的例子可包括GaN、AlGaN、InGaN或AlInGaN。在这种情形中，Mg、Zn或Be可用作用于掺杂第二半导体层350的杂质。
第一焊盘P1设置在第二半导体层350上。根据一个示例的第一焊盘P1可用作向第二半导体层350提供空穴的第一发光二极管D1的阳极电极。第一焊盘P1与第一电极E1电连接。
第二焊盘P2设置在第一半导体层320的另一侧上并与有源层330和第二半导体层350电断开。根据一个示例的第二焊盘P2可用作向第一半导体层320提供电子的第一发光二极管D1的阴极电极。第二焊盘P2与第二电极E2电连接。
根据发光二极管芯片300的光发射方向，根据一个示例的第一焊盘P1和第二焊盘P2的每一个可由导电透明材料或导电反射材料制成。作为示例，导电透明材料可以是ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，但不限于此。导电反射材料可由包括诸如Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti或Cr及其合金之类的金属材料中的一种或多种的材料制成，但不限于此。例如，当从发光二极管芯片300发射的光向半导体基板310传播时，第一焊盘P1和第二焊盘P2的每一个可由导电反射材料制成；当从发光二极管芯片300发射的光向半导体基板310的相反方向传播时，第一焊盘P1和第二焊盘P2的每一个可由导电透明材料制成。
第二发光二极管D2与第一发光二极管D1平行地设置在半导体基板310的第二区域A2上。根据一个示例的第二发光二极管D2包括发光层EL、第一焊盘P1和第二焊盘P2。因为具有这种结构的第二发光二极管D2通过与第一发光二极管D1相同的工艺以与第一发光二极管D1相同的结构形成，所以将省略其详细描述。
绝缘层315设置在半导体基板310上，以覆盖第一发光二极管D1和第二发光二极管D2。就是说，绝缘层315设置在半导体基板310上，以围绕第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的前表面和侧表面，由此将第一发光二极管D1和第二发光二极管D2彼此电绝缘并且防止由于外部冲击发生损坏。根据一个示例的绝缘层315可由诸如SiOx和SiNx之类的无机材料制成，或者可由诸如苯并环丁烯或光学压克力(photo acryl)之类的有机材料制成。
第一电极E1设置在绝缘层315上并且共同地连接至第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的第一焊盘P1。就是说，第一电极E1经由设置在绝缘层315中以与第一发光二极管D1的第一焊盘P1和第二发光二极管D2的第一焊盘P1的每一个交叠的第一焊盘接触孔PCH1共同地连接至第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的第一焊盘P1。此第一电极E1通过绕过绝缘层315上的第二电极E2共同地连接至第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的第一焊盘P1，由此第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的第一焊盘P1彼此并联连接。
根据一个示例的第一电极E1可包括第一连接电极P1a、第二连接电极P1b和桥接电极P1c。
第一连接电极P1a设置在半导体基板310中限定的第一区域A1中的绝缘层315上，并且经由第一焊盘接触孔PCH1连接至第一发光二极管D1的第一焊盘P1。
第二连接电极P1b设置在半导体基板310中限定的第二区域A2中的绝缘层315上，并且经由第一焊盘接触孔PCH1连接至第二发光二极管D2的第一焊盘P1。此第二连接电极P1b与第一连接电极P1a通过将绝缘层315上的桥接电极P1c和第二电极E2插置在之间而平行设置。
桥接电极P1c设置在第一发光二极管D1与第二发光二极管D2之间的绝缘层315上并将第一连接电极P1a与第二连接电极P1b电连接。
第二电极E2设置在绝缘层315上并且共同地连接至第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的第二焊盘P2。就是说，第二电极E2经由设置在绝缘层315中以与第一发光二极管D1的第二焊盘P2和第二发光二极管D2的第二焊盘P2的每一个交叠的第二焊盘接触孔PCH2共同地连接至第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的每一个的第二焊盘P2。由于这个原因，第一发光二极管D1和第二发光二极管D2的第二焊盘P2彼此并联连接。
根据发光二极管芯片300的光发射方向，根据一个示例的第一电极E1和第二电极E2的每一个可由导电透明材料或导电反射材料制成。作为示例，导电透明材料可以是ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，但不限于此。导电反射材料可由包括诸如Au、W、Pt、Si、Ir、Ag、Cu、Ni、Ti或Cr及其合金之类的金属材料中的一种或多种的材料制成，但不限于此。例如，当从发光二极管芯片300发射的光向半导体基板310传播时，第一电极E1和第二电极E2的每一个可由导电反射材料制成；当从发光二极管芯片300发射的光向半导体基板310的相反方向传播时，第一电极E1和第二电极E2的每一个可由导电透明材料制成。
根据一个示例的发光二极管芯片300具有第一部分300a和第二部分300b，第一部分300a具有第一电极E1和第二电极E2，第二部分300b对应于半导体基板310的后表面。发光二极管芯片300通过芯片封装工艺封装在位于第一基板100中的每个像素区域中并因此电连接在像素电路PC与公共电力线CL之间。例如，发光二极管芯片300的第一电极E1电连接至像素电路PC，即驱动薄膜晶体管T2的源极电极，发光二极管芯片300的第二电极E2电连接至公共电力线CL。因此，发光二极管芯片300通过利用从相应像素电路PC的驱动薄膜晶体管T2提供的数据电流发光。
根据一个示例的发光二极管芯片300具有在半导体基板310上并联电连接的两个发光二极管D1和D2，由此两个发光二极管D1和D2中的任意一个可用作冗余发光二极管。因此，在本示例中，发光二极管芯片的缺陷可被最小化，并且因为不需要在每个像素中额外布置冗余发光二极管，所以可减少转移工艺(或芯片封装工艺)时间，可改善批量生产。
图5是图解根据本发明的发光二极管芯片被转移到驱动薄膜晶体管上的连接结构的示图。
连同图2一起参照图5，根据本示例的发光二极管显示设备包括多个像素SP、第一平坦化层110、发光二极管芯片300、像素电极AE和公共电极CE。
多个像素SP的每一个包括像素电路PC，像素电路PC包括设置在第一基板100上的驱动薄膜晶体管T2。
驱动薄膜晶体管T2包括栅极电极GE、半导体层SCL、欧姆接触层OCL、源极电极SE和漏极电极DE。
栅极电极GE与栅极线GL一起形成在第一基板100上。栅极电极GE被栅极绝缘层103覆盖。
栅极绝缘层103可包括由诸如SiOx、SiNx等之类的无机材料制成的单层或多层。
半导体层SCL以预定图案(或岛)的形式设置在栅极绝缘层103上，以与栅极电极GE交叠。半导体层SCL可包括由非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的任意一种制成的半导体材料，但不限于此。
欧姆接触层OCL以预定图案(或岛)的形式设置在半导体层SCL上。在这种情形中，欧姆接触层OCL是为了半导体层SCL与源极电极SE/漏极电极DE之间的欧姆接触，可省略欧姆接触层OCL。
源极电极SE形成在欧姆接触层OCL的一侧上，以与半导体层SCL的一侧交叠。源极电极SE与数据线DL和驱动电力线PL一起形成。
漏极电极DE形成在欧姆接触层OCL的另一侧上，以与半导体层SCL的另一侧交叠并且与源极电极SE间隔开。漏极电极DE与源极电极SE一起形成，并且漏极电极DE从其驱动电力线PL分支或突出。
此外，构成像素电路PC的开关薄膜晶体管T1以与驱动薄膜晶体管T2相同的结构形成。此时，开关薄膜晶体管T1的栅极电极从栅极线GL分支或突出，开关薄膜晶体管T1的第一电极从数据线DL分支或突出，并且开关薄膜晶体管T1的第二电极经由设置在栅极绝缘层103中的通孔与驱动薄膜晶体管T2的栅极电极GE连接。
像素电路PC可被层间介电层105覆盖。层间介电层105设置在第一基板100的整个表面上，以覆盖包括驱动薄膜晶体管T2的像素电路PC。根据一个示例的层间介电层105可由诸如SiOx和SiNx之类的无机材料制成，或者可由诸如苯并环丁烯或光学压克力之类的有机材料制成。可省略此层间介电层105。
第一平坦化层(或钝化层)110设置在第一基板100的整个表面上以覆盖像素SP，即像素电路PC，或者设置在第一基板100的整个表面上以覆盖层间介电层105。第一平坦化层110在保护包括驱动薄膜晶体管T2的像素电路PC的同时在层间介电层105上提供平坦表面。根据一个示例的第一平坦化层110可由诸如苯并环丁烯或光学压克力之类的有机材料制成，但为了工艺方便，优选由光学压克力材料制成。
发光二极管芯片300经由转移模式与像素电路PC连接。发光二极管芯片300包括第一部分300a和与第一部分300a相对的第二部分300b，第一部分300a具有与像素电路PC连接的第一电极E1和第二电极E2。根据一个示例的发光二极管芯片300包括发光层EL、第一电极E1和第二电极E2。因为发光层EL、第一电极E1和第二电极E2已作了描述，所以将省略对它们的详细描述。
像素电极AE电连接至发光二极管芯片300的第一电极E1和驱动薄膜晶体管T2，像素电极AE可定义为阳极电极。像素电极AE设置在与驱动薄膜晶体管T2和发光二极管芯片300的第一电极E1交叠的第一平坦化层110上。像素电极AE经由设置成穿过第一平坦化层110和层间介电层105的第一电路接触孔CCH1电连接至驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE，并且电连接至发光二极管芯片300的第一电极E1。因此，发光二极管芯片300的第一电极E1经由像素电极AE与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE电连接。以这种方式，当发光二极管显示设备是顶部发光型时，像素电极AE可由导电透明材料制成；当发光二极管显示设备是底部发光型时，像素电极AE可由导电反光材料形成。在这种情形中，导电透明材料可以是ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，但不限于此。导电反光材料可由Al、Ag、Au、Pt或Cu制成，但不限于此。由导电反光材料制成的像素电极AE可由包括导电反光材料的单层或者利用单层沉积的多层制成。
第一电路接触孔CCH1设置在与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE部分交叠的第一平坦化层110和层间介电层105中，以部分暴露驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE。当通过基于光刻工艺和蚀刻工艺的孔图案化工艺去除与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE部分交叠的第一平坦化层110和层间介电层105时，可设置第一电路接触孔CCH1。
公共电极CE电连接至发光二极管芯片300的第二电极E2和公共电力线CL，公共电极CE可定义为阴极电极。公共电极CE设置在与公共电力线CL和发光二极管芯片300的第二电极E2交叠的第一平坦化层110上。在这种情形中，公共电极CE可由与像素电极AE相同的材料制成。公共电极CE经由设置成穿过栅极绝缘层103、层间介电层105和第一平坦化层110的第二电路接触孔CCH2电连接至公共电力线CL，并且电连接至发光二极管芯片300的第二电极E2。因此，发光二极管芯片300的第二电极E2经由公共电极CE与公共电力线CL电连接。
第二电路接触孔CCH2设置在与公共电力线CL部分交叠的第一平坦化层110、层间介电层105和栅极绝缘层103中，以部分暴露公共电力线CL。当通过基于光刻工艺和蚀刻工艺的孔图案化工艺去除与公共电力线CL部分交叠的第一平坦化层110、层间介电层105和栅极绝缘层103时，可设置第二电路接触孔CCH2。
可通过用于在包括第一电路接触孔CCH1和第二电路接触孔CCH2的第一平坦化层110上沉积电极材料的沉积工艺、以及基于光刻工艺和蚀刻工艺的电极图案化工艺，同时设置像素电极AE和公共电极CE。
根据一个示例的发光二极管显示设备进一步包括第二基板500。
第二基板500布置成覆盖第一基板100的除焊盘部分之外的其他部分，由此保护设置在第一基板100上的像素阵列，第二基板500可定义为滤色器阵列基板、对向基板或封装基板。例如，根据一个示例的第二基板500可由透明玻璃材料或透明塑料材料制成，但不限于此。
根据一个示例的第二基板500包括黑矩阵510。
黑矩阵510限定设置于第一基板100中的每个像素SP的开口区域。就是说，黑矩阵510设置在与每个像素SP的除开口区域之外的其他遮光区域交叠的第二基板500上，由此防止发生相邻开口区域之间的色混合，其中开口区域与发光二极管芯片300交叠。根据一个示例的黑矩阵510可包括：多个第一遮光图案，多个第一遮光图案覆盖多条栅极线GL和多条公共电力线CL的每一条以及每个像素SP的像素电路PC；多个第二遮光图案，多个第二遮光图案覆盖多条数据线DL和多条驱动电力线PL的每一条；以及第三遮光图案，第三遮光图案覆盖第二基板500的边缘部分。在这种情形中，第一到第三遮光图案可设置在同一层上，由此黑矩阵510可具有网型(mesh type)。
此外，第二基板500可进一步包括光提取层530，光提取层530设置在由黑矩阵510限定的开口区域中。光提取层530由透明材料制成并且用于将从发光二极管芯片300发射的光提取到外部。面对发光二极管芯片300的光提取层530的相对表面可具有透镜型，用来增加从发光二极管芯片300发射的光的线性。光提取层530用于将设置在第二基板500中的黑矩阵510与开口区域之间的台阶差最小化。
同时，当布置在每个像素SP中的发光二极管芯片300发射白色光时，第二基板500包括设置在开口区域中的滤色器层530，而不是光提取层530。
滤色器层530可包括与多个像素SP的每一个中限定的每个颜色对应的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。此滤色器层530仅透射从像素SP发射的白色光中的、具有与相应像素对应的颜色波长的光。
根据本示例的发光二极管显示设备进一步包括封装层160，封装层160覆盖包括像素SP和发光二极管芯片300的第一基板100的上表面。
封装层160设置在第二基板500与第一基板100之间，以覆盖像素SP和发光二极管芯片300。就是说，封装层160涂布在包括像素SP和发光二极管芯片300的第一基板100上，由此保护设置在第一基板100中的像素SP和发光二极管芯片300。根据一个示例的封装层160可以是光学透明粘合剂(OCA)或光学透明树脂(OCR)，但不限于此。
根据一个示例的封装层160可由热硬化树脂和/或光学硬化树脂制成，可以以液态涂布在第一基板100上，然后通过基于热和/或光的硬化工艺硬化。此时，可在涂布于第一基板100上的封装层160与第二基板500的接合工艺之后执行封装层160的硬化工艺。封装层160用于在第一基板100与第二基板500的接合工艺过程中缓冲第二基板500的按压力。
根据本示例的发光二极管显示设备进一步包括布置在第一基板100与发光二极管芯片300之间的反射层101。
反射层101布置在栅极绝缘层103与第一基板100之间，以与发光二极管芯片300交叠。根据一个示例的反射层101可由与驱动薄膜晶体管T2的栅极电极GE相同的材料制成并且可设置在与栅极电极GE相同的层上。反射层101将来自发光二极管芯片300的入射光反射到第二基板500。因此，根据本示例的发光二极管显示设备包括反射层101，因此具有顶部发光结构。
可选择地，反射层101可由与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE/漏极电极DE相同的材料制成并且可设置在与源极电极SE/漏极电极DE相同的层上。
因为将发光二极管芯片300与像素电路PC连接的像素电极AE和公共电极CE可同时形成，所以可简化电极连接工艺，并且可显著减少用于将发光二极管芯片300与像素电路PC连接的工艺时间，由此可提高发光二极管显示设备的生产率。
图6是图解图2中所示的一个像素中的驱动薄膜晶体管和发光二极管芯片的连接结构的剖面图。
连同图2一起参照图6，根据本示例的发光二极管显示设备包括多个像素SP、第一平坦化层110、凹部130、发光二极管芯片300、第二平坦化层140、像素电极AE和公共电极CE。
因为多个像素SP和第一平坦化层110与图5中所示的那些相同，所以将省略其重复描述。
凹部130设置在由像素SP限定的发光区域中并容置发光二极管芯片300。在这种情形中，像素SP的发光区域定义为包括与发光二极管芯片300交叠的区域。更详细地说，像素SP的发光区域可定义为像素区域中的除设置有像素电路PC的电路区域之外的其他区域。
根据一个示例的凹部130自设置在第一基板100上以覆盖像素电路PC的第一平坦化层110凹陷成具有某一深度D1。此时，凹部130可设置成自第一平坦化层110的上表面110a凹陷成具有与发光二极管芯片300的厚度(或整体高度)对应的深度D1。在这种情形中，凹部130的底表面130a可形成为与像素SP的发光区域交叠的第一平坦化层110的一部分，并且为了具有基于发光二极管芯片300的厚度而设定的深度D1，第一平坦化层110的整个部分、第一平坦化层110的整个部分和层间介电层105的一部分、或者第一平坦化层110和层间介电层105以及栅极绝缘层103的整个部分被去除。例如，凹部130可设置成距第一平坦化层110的顶表面110a具有2到6微米的深度。凹部130可具有槽形状或杯形状，其底表面130a具有比发光二极管芯片300的第二部分300b大的尺寸。
凹部130通过容置发光二极管芯片300将发光二极管芯片的转移工艺过程中的发光二极管芯片300的误对准最小化，由此提高对准精度。此外，根据发光二极管芯片300的厚度(或高度)导致的显示设备的厚度增加被最小化。
凹部130支撑发光二极管芯片300。此时，凹部130可经由粘合部件305支撑发光二极管芯片300。
粘合部件305插置在凹部130的底表面130a与发光二极管芯片300之间并将发光二极管芯片300贴附至凹部130的底表面130a。根据一个示例的粘合部件305可贴附(或涂布)至发光二极管芯片300的第二部分300b，即半导体基板310的另一侧，由此在将发光二极管芯片300封装在凹部130中的封装工艺过程中，粘合部件305可贴附至凹部130的底表面130a。根据另一个示例的粘合部件305可点滴在凹部130的底表面130a上并且通过在发光二极管芯片300的封装工艺过程中施加的压力而分散，由此粘合部件305可贴附至发光二极管芯片300的第二部分300b，即半导体基板310的另一侧。结果，封装在凹部130中的发光二极管芯片300可被粘合部件305进行初次固定。因此，根据本示例，以发光二极管芯片300简单贴附至凹部130的底表面130a的方式执行发光二极管芯片300的封装工艺，由此可减少用于发光二极管芯片300的封装工艺的时间。
根据一个示例的发光二极管芯片300的封装工艺可进一步包括在每个红色像素中封装红色发光二极管芯片的工艺、在每个绿色像素中封装绿色发光二极管芯片的工艺、在每个蓝色像素中封装蓝色发光二极管芯片的工艺、以及在每个白色像素中封装白色发光二极管芯片的工艺。
根据一个示例的发光二极管芯片300的封装工艺可仅包括在每个像素中封装白色发光二极管芯片的工艺。在这种情形中，第一基板100或第二基板500包括与每个像素交叠的滤色器层。滤色器层仅透过白色光中的、具有与相应像素对应的颜色波长的光。
根据一个示例的发光二极管芯片300的封装工艺可仅包括在每个像素中封装第一颜色的发光二极管芯片的工艺。在这种情形中，第一基板100或第二基板500包括波长转换层、以及与每个像素交叠的滤色器层。波长转换层基于来自第一颜色的发光二极管芯片的一部分入射光发射第二颜色的光。滤色器层仅透过基于第一颜色的光和第二颜色的光的混合而产生的白色光中的、具有与相应像素对应的颜色波长的光。在这种情形中，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是黄色。
第二平坦化层140设置在第一平坦化层110上，以覆盖发光二极管芯片300。第二平坦化层140设置在第一基板100的整个表面上，以覆盖布置在第一平坦化层110上以及在凹部130中的发光二极管芯片300的外围和上表面。此时，第二平坦化层140在填埋布置于凹部130中的发光二极管芯片300的外围空间的同时可以以用于覆盖布置于凹部130中的发光二极管芯片300的第一电极E1和第二电极E二者的厚度设置。第二平坦化层140在第一平坦化层110上提供平坦表面。此外，第二平坦化层140通过填埋布置于凹部130中的发光二极管芯片300的外围空间，用于对通过粘合部件305初次固定至凹部130的发光二极管芯片300进行二次固定。
像素电极AE电连接至驱动薄膜晶体管T2和发光二极管芯片300的第一电极E1，像素电极AE可定义为阳极电极。像素电极AE设置在与驱动薄膜晶体管T2和发光二极管芯片300的第一电极E1交叠的第二平坦化层140上。像素电极AE经由设置成穿过层间介电层105、第一平坦化层110和第二平坦化层140的第一电路接触孔CCH1电连接至驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE，并且经由设置在第二平坦化层140中的第一电极接触孔ECH1电连接至发光二极管芯片300的第一电极E1。因此，发光二极管芯片300的第一电极E1经由像素电极AE与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE电连接。以这种方式，当发光二极管显示设备是顶部发光型时，像素电极AE可由导电透明材料制成；当发光二极管显示设备是底部发光型时，像素电极AE可由导电反光材料形成。在这种情形中，导电透明材料可以是ITO(氧化铟锡)或IZO(氧化铟锌)，但不限于此。导电反光材料可由Al、Ag、Au、Pt或Cu制成，但不限于此。由导电反光材料制成的像素电极AE可由包括导电反光材料的单层或者利用单层沉积的多层制成。
第一电路接触孔CCH1设置在与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE部分交叠的第一平坦化层110、第二平坦化层140和层间介电层105中，以部分暴露驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE。当通过基于光刻工艺和蚀刻工艺的孔图案化工艺去除与驱动薄膜晶体管T2的源极电极SE部分交叠的第一平坦化层110、第二平坦化层140和层间介电层105时，可设置第一电路接触孔CCH1。
第一电极接触孔ECH1部分或完全暴露发光二极管芯片300的第一电极E1并且与第一电路接触孔CCH1一起设置。当通过基于光刻工艺和蚀刻工艺的孔图案化工艺去除与发光二极管芯片300的第一电极E1部分或完全交叠的第二平坦化层140时，可设置第一电极接触孔ECH1。在这种情形中，因为第一电路接触孔CCH1和第一电极接触孔ECH1具有彼此不同的各自深度，所以根据本示例，可通过基于半色调掩模的光刻工艺在第二平坦化层140上形成掩模图案，并且可通过基于掩模图案的蚀刻工艺同时形成第一电路接触孔CCH1和第一电极接触孔ECH1。
公共电极CE电连接至发光二极管芯片300的第二电极E2，公共电极CE可定义为阴极电极。公共电极CE设置在与公共电力线CL和发光二极管芯片300的第二电极E2交叠的第二平坦化层140上。在这种情形中，公共电极CE可由与像素电极AE相同的材料制成。公共电极CE经由设置成穿过栅极绝缘层103、层间介电层105、第一平坦化层110和第二平坦化层140的第二电路接触孔CCH2电连接至公共电力线CL，并且经由设置在第二平坦化层140中的第二电极接触孔ECH2电连接至发光二极管芯片300的第二电极E2。因此，发光二极管芯片300的第二电极E2经由公共电极CE与公共电力线CL电连接。
第二电路接触孔CCH2设置在与公共电力线CL部分交叠的第一平坦化层110、第二平坦化层140、层间介电层105和栅极绝缘层103中，以部分暴露公共电力线CL。当通过基于光刻工艺和蚀刻工艺的孔图案化工艺去除与公共电力线CL部分交叠的第一平坦化层110、第二平坦化层140、层间介电层105和栅极绝缘层103时，可设置第二电路接触孔CCH2。第二电路接触孔CCH2与第一电路接触孔CCH1和第一电极接触孔ECH1一起设置。
第二电极接触孔ECH2部分或完全暴露发光二极管芯片300的第二电极E2并且与第二电路接触孔CCH2一起设置。当通过基于光刻工艺和蚀刻工艺的孔图案化工艺去除与发光二极管芯片300的第二电极E2部分或完全交叠的第二平坦化层140时，可设置第二电极接触孔ECH2。在这种情形中，可通过与第一电路接触孔CCH1和第一电极接触孔ECH1相同的孔图案化工艺设置第二电路接触孔CCH2和第二电极接触孔ECH2。
可通过用于在包括第一电极接触孔ECH1和第二电极接触孔ECH2的第二平坦化层140上沉积电极材料的沉积工艺、以及基于光刻工艺和蚀刻工艺的电极图案化工艺同时设置像素电极AE和公共电极CE。因此，根据本示例，因为将发光二极管芯片300与像素电路PC连接的像素电极AE和公共电极CE可同时形成，所以可简化电极连接工艺，并且可显著减少用于将发光二极管芯片300与像素电路PC连接的工艺时间，由此可提高发光二极管显示设备的生产率。
图7是图解图6中所示的凹部的修改例的示图。
参照图7，根据修改例的设置在每个像素SP中的凹部130可形成为自第一平坦化层110凹陷成按照每个像素SP而具有不同的深度D1、D2或D3。在这种情形中，凹部130的深度D1、D2或D3可定义为第一平坦化层110的上表面110a与每个凹部130的底表面130a之间的距离。
对于构成一个单位像素(UP)的至少三个相邻像素SP1、SP2和SP3的每一个来说，设置在每个像素SP中的凹部130可以以不同的深度D1、D2或D3设置。就是说，基于将要布置在相应像素中的发光二极管芯片300的高度，凹部130自第一平坦化层110以不同的深度D1、D2或D3设置，由此按照颜色区分的发光二极管芯片之间的高度偏差(或台阶差)被消除或最小化。
根据本示例的发光二极管显示设备包括红色像素SP1、绿色像素SP2和蓝色像素SP3，以实现色彩图像，并且发光二极管芯片300布置在按照颜色分类设置于相应颜色的像素中的凹部130中。此时，在制造工艺过程中，由于工艺误差等，按照颜色区分的发光二极管芯片可具有不同的高度(或厚度)。例如，按照颜色区分的发光二极管芯片可以以红色、绿色和蓝色的顺序变得更厚。在这种情形中，基于相应发光二极管芯片300的高度，凹部130的深度D1、D2或D3可设置成以红色像素SP1、绿色像素SP2和蓝色像素SP3的顺序变得更深。
因此，基于将要布置在像素中的发光二极管芯片300的高度(或厚度)不同地设定位于每个像素中的凹部130的深度，由此布置在每个像素中的发光二极管芯片300的最上侧表面，例如，第一电极E1的上表面可布置在同一水平线HL上。结果，可避免开口缺陷(其中在第一电极接触孔和第二电极接触孔的图案化工艺过程中由于按照颜色区分的发光二极管芯片的厚度偏差而导致发光二极管芯片300的第一电极(或第二电极)未被暴露。此外，在本示例中，在顶部发光结构中，通过针对每个像素以不同深度D1、D2或D3设置的凹部130，优化了每个像素的发光二极管芯片300与反射层101之间的光学距离，由此可提高反射层101的反射效率。结果，发光二极管芯片300的光学效率可被最大化。
根据本发明，可获得下列优点。
在根据本发明的发光二极管芯片和发光二极管显示设备中，转移时间比冗余模式的转移时间短，并且与冗余模式类似几乎不产生像素缺陷，由此可确保发光二极管显示设备的生产率。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (15)

1.一种发光二极管芯片，包括：
半导体基板；
第一发光二极管和第二发光二极管，所述第一发光二极管和所述第二发光二极管在均具有第一焊盘和第二焊盘的同时彼此平行地设置在所述半导体基板上；
第一电极，所述第一电极共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第一焊盘；和
第二电极，所述第二电极共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第二焊盘，
其中所述第一发光二极管和所述第二发光二极管彼此并联连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，还包括覆盖所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的绝缘层，其中所述第一电极经由设置在所述绝缘层中的第一焊盘接触孔连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第一焊盘，并且所述第二电极经由设置在所述绝缘层中的第二焊盘接触孔连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第二焊盘。
3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其中所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个包括：
设置在所述半导体基板上的第一半导体层；
设置在所述第一半导体层的一侧上的有源层；和
设置在所述有源层上的第二半导体层，
其中所述第一焊盘设置在所述第二半导体层上，并且所述第二焊盘设置在所述第一半导体层上。
4.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其中所述第一电极包括第一连接电极、第二连接电极和桥接电极，所述第一连接电极设置在所述半导体基板中限定的第一区域中的绝缘层上，并且经由所述第一焊盘接触孔连接至所述第一发光二极管的第一焊盘；所述第二连接电极设置在所述半导体基板中限定的第二区域中的绝缘层上，并且经由所述第一焊盘接触孔连接至所述第二发光二极管的第一焊盘；所述桥接电极设置在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管之间的绝缘层上并将所述第一连接电极和所述第二连接电极电连接。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其中所述第二连接电极和所述第一连接电极平行地设置且在其间插置有所述桥接电极和所述第二电极。
6.一种发光二极管显示设备，包括：
设置在基板上的包括驱动薄膜晶体管的像素；
覆盖所述像素的第一平坦化层；
布置在所述第一平坦化层上并且具有第一电极和第二电极的发光二极管芯片；
像素电极，所述像素电极与所述驱动薄膜晶体管和所述发光二极管芯片的第一电极电连接；和
公共电极，所述公共电极电连接至所述发光二极管芯片的第二电极，
其中所述发光二极管芯片包括平行地设置在半导体基板上的第一发光二极管和第二发光二极管。
7.根据权利要求6所述的发光二极管显示设备，其中所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个包括：
设置在所述半导体基板上的第一半导体层；
设置在所述第一半导体层的一侧上的有源层；
设置在所述有源层上的第二半导体层；
设置在所述第二半导体层上的第一焊盘；和
设置在所述第一半导体层上的第二焊盘。
8.根据权利要求7所述的发光二极管显示设备，其中所述发光二极管芯片还包括覆盖所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的绝缘层，所述第一电极经由设置在所述绝缘层中的第一焊盘接触孔共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第一焊盘，并且所述第二电极经由设置在所述绝缘层中的第二焊盘接触孔共同地连接至所述第一发光二极管和所述第二发光二极管的每一个的第二焊盘。
9.根据权利要求6到8的任一项所述的发光二极管显示设备，还包括设置在所述基板上的公共电力线，其中所述像素电极设置在所述第一平坦化层的上表面上并且电连接至所述驱动薄膜晶体管和所述发光二极管芯片的第一电极，且所述公共电极设置在所述第一平坦化层的上表面上并且电连接至所述公共电力线和所述发光二极管芯片的第二电极。
10.根据权利要求6到8的任一项所述的发光二极管显示设备，还包括：
设置在所述第一平坦化层上的凹部，所述凹部容置所述发光二极管芯片；和
覆盖所述第一平坦化层和所述发光二极管芯片的第二平坦化层，
其中所述像素电极和所述公共电极的每一个设置在所述第二平坦化层上。
11.根据权利要求10所述的发光二极管显示设备，还包括设置在所述基板上的公共电力线，
其中所述像素电极设置在所述第二平坦化层的上表面上并且电连接至所述驱动薄膜晶体管和所述发光二极管芯片的第一电极，并且
所述公共电极设置在所述第二平坦化层的上表面上并且电连接至所述公共电力线和所述发光二极管芯片的第二电极。
12.根据权利要求10所述的发光二极管显示设备，还包括单位像素，所述单位像素具有彼此相邻布置的至少三个像素，
其中对于构成所述单位像素的每个像素，所述凹部以不同的深度设置。
13.根据权利要求10所述的发光二极管显示设备，其中所述发光二极管芯片具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有所述第一电极和所述第二电极，所述第二部分对应于所述半导体基板的后表面，其中所述凹部的底表面具有比所述发光二极管芯片的第二部分大的尺寸。
14.根据权利要求8所述的发光二极管显示设备，其中所述第一电极包括第一连接电极、第二连接电极和桥接电极，所述第一连接电极设置在所述半导体基板中限定的第一区域中的绝缘层上，并且经由所述第一焊盘接触孔连接至所述第一发光二极管的第一焊盘；所述第二连接电极设置在所述半导体基板中限定的第二区域中的绝缘层上，并且经由所述第一焊盘接触孔连接至所述第二发光二极管的第一焊盘；所述桥接电极设置在所述第一发光二极管和所述第二发光二极管之间的绝缘层上并将所述第一连接电极和所述第二连接电极电连接。
15.根据权利要求14所述的发光二极管显示设备，其中所述第二连接电极和所述第一连接电极平行地设置且在其间插置有所述桥接电极和所述第二电极。
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