CN107768387B - 一种阵列基板及其修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板及其修复方法，其中，阵列基板包括：相邻两级GOA单元电路，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连；设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构，所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。本发明实施例的有益效果在于：通过在相邻两级栅线之间增设修复结构，在某级GOA单元电路出现损坏时，利用激光将修复结构熔融，使相邻两级栅线连通，由同一级GOA单元电路驱动，不会影响面板正常显示，由此实现GOA电路的修复功能。
Description
技术领域
本发明涉及屏幕显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其修复方法。
背景技术
GOA（Gate Driver On Array，阵列基板行驱动）电路是实现面板逐行扫描的电路，现在面板常用的驱动电路包括CMOS GOA电路和NMOS GOA电路，CMOS GOA电路中包括NTFT器件和PTFT器件，而NMOS GOA电路中只包括NTFT器件。现在常用的GOA电路主要包括锁存（Latch）电路、与非（NAND）电路以及缓冲（Buffer）电路。如图1所示，为现有的4级GOA电路在面板上的连接关系示意图，同侧的GOA电路通过Qn信号的连接实现级联，每级GOA电路驱动一条栅极（Gate）线。如果由于制程或者其他外部因素造成GOA电路的NAND电路、Buffer电路损坏，本级GOA电路便无法正常工作，栅极无法打开，显示区（Active Area，AA）的这一行像素都将无法正常工作，而显示区的其他像素可以正常工作，此外栅极不能正常打开的这行像素也可能被其他信号线耦合，造成显示紊乱，从而影响整个面板的显示效果。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种阵列基板及其修复方法，避免GOA电路损坏对整个面板显示效果带来影响。
为了解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板，包括：
相邻两级GOA单元电路，其中，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连；
设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构，所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
其中，所述修复结构包括：
相互分离的第一金属块和第二金属块；
第三金属块；以及
位于所述第一金属块、所述第二金属块与所述第三金属块之间的层间介质；
其中，所述第一金属块与所述第N级栅线相连，所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连，所述第三金属块通过形成在所述层间介质中的连接孔与所述第一金属块相连，并且与所述第二金属块形成重叠结构，所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
其中，所述第N级GOA单元电路和所述第N+1级GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接处均设有熔断部，用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔断，使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
其中，所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构靠近所述第N+1级GOA单元电路设置。
其中，所述阵列基板还包括：
第N-1级GOA单元电路，其输出端与第N-1级栅线相连；以及
设置在所述第N级栅线与所述第N-1级栅线之间、靠近所述第N级GOA单元电路的所述修复结构。
其中，所述第N-1级GOA单元电路与本级栅线的连接处设有熔断部，用于在所述第N-1级GOA单元电路发生损坏时被熔断，使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
其中，所述第一金属块、第二金属块与所述第一级栅线和所述第二级栅线连接的栅极位于同一层，所述第三金属块与数据线、源极和漏极位于同一层。
其中，所述第一金属块与所述第二金属块的形状相同，在基板上的高度相等，所述第三金属块包括通过所述连接孔与所述第一金属块相连的第一连接部，与所述第二金属块形成重叠结构的第二连接部，以及连接所述第一连接部与所述第二连接部的第三连接部。
本发明还提供一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括相邻两级GOA单元电路，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连，其中，所述修复方法包括：
在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间设置修复结构；
在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融所述修复结构，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通，同时将损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
其中，所述设置激光修复结构具体包括：
形成相互分离的第一金属块和第二金属块，并将所述第一金属块与所述第N级栅线相连，所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连；
在所述第一金属块和所述第二金属块之上形成层间介质，并在层间介质中形成连接孔；
在所述层间介质之上形成第三金属块，并将所述第三金属块通过形成所述连接孔与所述第一金属块相连，与所述第二金属块形成重叠结构，所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
本发明实施例的有益效果在于：通过在相邻两级栅线之间增设修复结构，在某级GOA单元电路出现损坏时，利用激光将激光修复结构熔融，使相邻两级栅线连通，由同一级GOA单元电路驱动，不会影响整个面板的正常显示，由此实现GOA电路的修复功能，节约产品样本的损失，进而节约成本。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有的4级GOA电路在面板上的连接关系示意图。
图2是本发明实施例一一种阵列基板的结构示意图。
图3是本发明实施例一中激光修复结构沿图2所示A-A’向的剖面结构示意图。
图4是对本发明实施例一阵列基板进行激光修复的示意图。
图5是本发明实施例一中修复结构的示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附图，用以示例本发明可以用以实施的特定实施例。
请参照图2、图3所示，本发明实施例一提供一种阵列基板，包括：
相邻两级GOA单元电路，其中，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连；
设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构，所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
具体地，修复结构包括：在基板上相互分离的第一金属块11和第二金属块12，第三金属块13，以及位于所述第一金属块11、所述第二金属块12与所述第三金属块13之间的层间介质3，其中，所述第一金属块11与所述第N级栅线相连，所述第二金属块12与所述第N+1级栅线相连，所述第三金属块13通过形成在所述层间介质3中的连接孔30与所述第一金属块11相连，并且与所述第二金属块12形成重叠结构2，所述重叠结构2用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
本发明实施例相邻GOA单元电路连接的栅线之间增加修复结构，由于第一金属块11和第二金属块12没有直接连接，其各自连接的栅线也就没有直接连接，因此不会影响面板的正常工作。一旦某级GOA单元电路的NAND电路或BUFFER电路出现损坏，则可以利用激光等方式将第三金属块13第二金属块12形成的重叠结构2实现熔融连接，同时将损坏的GOA单元与本级栅线也利用激光等方式切断，这样相邻两级的栅线只需要一级GOA单元电路就可以驱动，尽管显示画面会有所不同，但是不会影响整个面板的正常显示，特别是在显示较饱和的画面时，这种影响可以忽略不计，由此可以实现GOA电路的修复功能，节约产品样本的损失，进而节约成本。
具体地，以图2-4示出的相邻3级GOA单元电路（N-1级GOA单元电路、N级GOA单元电路、N+1级GOA单元电路）连接为例，相邻两级GOA单元电路分别位于显示区的左右两侧，即N-1级GOA单元电路位于显示区的左侧，N级GOA单元电路位于显示区的右侧，N+1级GOA单元电路位于显示区的左侧。N-1级GOA单元电路连接N-1级栅线，N级GOA单元电路连接N级栅线，N+1级GOA单元电路连接N+1级栅线，在N-1级栅线与N级栅线之间、N级栅线与N+1级栅线之间分别设有修复机构。
进一步地，以N级栅线与N+1级栅线之间设置的修复机构为例，该修复结构靠近N+1级GOA单元电路设置（即图2所示位于显示区的左侧），可以避免占用显示区，其中第一金属块11与N级栅线相连，第二金属块12与N+1级栅线相连，第三金属块13一端通过形成在层间介质3中的连接孔30与第一金属块11相连，另一端与第二金属块12形成重叠结构2。如前所述，第一金属块11与第二金属块12相互分离设置，第三金属块13虽然通过连接孔30与第一金属块11相连，但其与第二金属块12没有直接连接（在形成的重叠结构2处第三金属块13与第二金属块12之间隔着层间介质3），也就是说，N级栅线与N+1级栅线之间也没有直接连接，因此不会影响面板的正常工作。此外，第N级GOA单元电路和第N+1级GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接处均设有熔断部，用于在第N级GOA单元电路或第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔断，使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
如果第N级GOA单元电路的NAND电路或BUFFER电路出现损坏，则利用激光将第三金属块13第二金属块12形成的重叠结构2熔融（如图4中的“×”所示），使第三金属块13与第二金属块12导通，形成N级栅线—第一金属块11—连接孔30—熔融的第三金属块13和第二金属块12—N+1级栅线的信号通路；同时将损坏的N级GOA单元电路的输出端与本级栅线（N级栅线）的连接在前述熔断部（如图4中的“×”所示）也利用激光切断，这样损坏的N级GOA单元电路不能再驱动本级栅线，而是使相邻两级的栅线（N级栅线和N+1栅线）通过同一级GOA单元电路（N+1级GOA单元电路）就可以驱动，即一级GOA单元电路驱动两级栅线，尽管显示画面会有所不同，但是不会影响整个面板的正常显示，特别是在显示较饱和的画面时，这种影响可以忽略不计，从而实现GOA单元电路虽然损坏但同级栅线仍可正常驱动，最终实现GOA电路的修复功能，保证面板的正常使用。需要说明的是，在N-1级栅线与N级栅线之间设置的激光修复结构，由于并未使其中的第三金属块与第二金属块形成的重叠结构熔融，N-1级栅线与N级栅线未连通，二者之间同样不存在相互影响。
可以理解地，在第N级栅线与第N-1级栅线之间的修复结构是靠近第N级GOA单元电路设置（即图2所示位于显示区的右侧），以避免占用显示区。同样地，第N-1级GOA单元电路与本级栅线的连接处设有熔断部，用于在第N-1级GOA单元电路发生损坏时被熔断，使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
本实施例中，第一金属块11、第二金属块12与第N级栅线和第N+1级栅线连接的栅极位于同一层，在同一制程形成，第三金属块13与数据线、源极和漏极位于同一层，这样可以避免因增设修复结构而额外添加新的流程。
再如图5所示，本实施例中，第一金属块11与第二金属块12的形状相同，在基板上的高度相等，第三金属块13包括通过连接孔30与第一金属块11相连的第一连接部131，与第二金属块12形成重叠结构2的第二连接部132，以及连接第一连接部131与第二连接部132的第三连接部133。
本实施例的GOA电路具体为CMOS GOA电路，可应用于手机，显示器，电视等实现CMOS GOA电路修复功能。
相应于本发明实施例一，本发明实施例二提供一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括相邻两级GOA单元电路，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连，其中，所述修复方法包括：
在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间设置修复结构；
在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融所述修复结构，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通，同时将损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
其中，所述设置激光修复结构具体包括：
形成相互分离的第一金属块和第二金属块，并将所述第一金属块与所述第N级栅线相连，所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连；
在所述第一金属块和所述第二金属块之上形成层间介质，并在层间介质中形成连接孔；
在所述层间介质之上形成第三金属块，并将所述第三金属块通过形成所述连接孔与所述第一金属块相连，与所述第二金属块形成重叠结构，所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
通过上述说明可知，本发明实施例的有益效果在于：通过在相邻两级栅线之间增设修复结构，在某级GOA单元电路出现损坏时，利用激光将修复结构熔融，使相邻两级栅线连通，由同一级GOA单元电路驱动，不会影响整个面板的正常显示，由此实现GOA电路的修复功能，节约产品样本的损失，进而节约成本。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (8)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
相邻两级GOA单元电路，其中，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连；
设置在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构，所述修复结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通；
所述修复结构包括：
相互分离的第一金属块和第二金属块；
第三金属块；以及
位于所述第一金属块、所述第二金属块与所述第三金属块之间的层间介质；
其中，所述第一金属块与所述第N级栅线相连，所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连，所述第三金属块通过形成在所述层间介质中的连接孔与所述第一金属块相连，并且与所述第二金属块形成重叠结构，所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第N级GOA单元电路和所述第N+1级GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接处均设有熔断部，用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔断，使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间的修复结构靠近所述第N+1级GOA单元电路设置。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第N-1级GOA单元电路，其输出端与第N-1级栅线相连；以及
设置在所述第N级栅线与所述第N-1级栅线之间、靠近所述第N级GOA单元电路的所述修复结构。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第N-1级GOA单元电路与本级栅线的连接处设有熔断部，用于在所述第N-1级GOA单元电路发生损坏时被熔断，使损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属块、第二金属块与所述第N级栅线和所述第N+1级栅线连接的栅极位于同一层，所述第三金属块与数据线、源极和漏极位于同一层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属块与所述第二金属块的形状相同，在基板上的高度相等，所述第三金属块包括通过所述连接孔与所述第一金属块相连的第一连接部，与所述第二金属块形成重叠结构的第二连接部，以及连接所述第一连接部与所述第二连接部的第三连接部。
8.一种阵列基板的修复方法，所述阵列基板包括相邻两级GOA单元电路，第N级GOA单元电路的输出端与第N级栅线相连，第N+1级GOA单元电路的输出端与第N+1级栅线相连，其特征在于，所述修复方法包括：
在所述第N级栅线与所述第N+1级栅线之间设置修复结构；
在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时，通过熔融所述修复结构，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通，同时将损坏的GOA单元电路的输出端与本级栅线的连接切断；
其中，所述设置修复结构具体包括：
形成相互分离的第一金属块和第二金属块，并将所述第一金属块与所述第N级栅线相连，所述第二金属块与所述第N+1级栅线相连；
在所述第一金属块和所述第二金属块之上形成层间介质，并在层间介质中形成连接孔；
在所述层间介质之上形成第三金属块，并将所述第三金属块通过形成所述连接孔与所述第一金属块相连，与所述第二金属块形成重叠结构，所述重叠结构用于在所述第N级GOA单元电路或所述第N+1级GOA单元电路发生损坏时被熔融，使所述第N级栅线与所述第N+1级栅线导通。
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